CN113130579A - 具有基板孔的显示设备及其形成方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种具有基板孔的显示设备及其形成方法。显示设备可以包括穿透器件基板的基板孔。发光器件可以设置在器件基板上。发光器件可以与基板孔间隔开。分隔装置可以设置在基板孔和发光器件之间。分隔装置可以与器件基板接触。因此，在该显示设备中，可以防止湿气渗透通过在形成基板孔的工艺中出现的绝缘层的裂缝。

Description

具有基板孔的显示设备及其形成方法

技术领域

本发明涉及一种包括穿透器件基板的基板孔(substrate hole)的显示设备。

背景技术

通常，诸如监视器、TV、膝上型计算机和数码相机的电子设备包括用于实现图像的显示设备。例如，显示设备可以包括发光器件。发光器件可以发出显示特定颜色的光。例如，发光器件可以包括第一电极和第二电极之间的发光层。

显示设备可以包括基板孔，诸如摄像头、扬声器和传感器的外围设备安装在基板孔中。基板孔可以穿透支撑发光器件的器件基板。发光器件可以与基板孔间隔开。分隔装置(separating device)可以设置在基板孔和发光器件之间。分隔装置可以部分地切断基板孔和发光器件之间的有机层。例如，分隔装置可以包括底切部(under-cut)。可以通过硅氧化物和硅氮化物之间的蚀刻率(etching ration)的差异来形成分隔装置的底切部。

然而，在显示设备中，由于形成基板孔的工艺而可能在无机绝缘层中形成裂缝。因此，在显示设备中，外部湿气可能渗透通过无机绝缘层的裂缝。

发明内容

因此，本发明涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的显示设备。

本发明的目的是提供一种能够防止外部湿气渗透通过在形成基板孔的工艺中出现的裂缝的显示设备。

本发明的其它优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域的普通技术人员来说将在研究了以下内容之后变得显而易见，或者可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如在此具现和宽泛描述的，提供了一种包括器件基板的显示设备。基板孔穿透器件基板。发光器件设置在器件基板上。发光器件与基板孔间隔开。分隔装置设置在基板孔和发光器件之间。分隔装置与器件基板接触。

器件基板可以包括凹槽。分隔装置可以与凹槽相邻设置。

分隔装置可以包括金属图案和绝缘帽。绝缘帽可以设置在金属图案上。

金属图案可以具有比绝缘帽更小的宽度。

坝部可以设置在发光器件和分隔装置之间。至少一个绝缘层可以设置在器件基板和坝部之间。

坝部可以具有与分隔装置相同的层叠结构。

在坝部与分隔装置之间，绝缘层的倾斜表面可以具有比坝部的侧表面和分隔装置的侧表面更平缓的斜率。

驱动电路可以设置在器件基板和发光器件之间。连接电极可以设置在驱动电路和发光器件之间。发光器件可以通过连接电极连接到驱动电路。金属图案可以包括与连接电极相同的材料。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本申请中并且构成本申请的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是示意性地示出根据本发明的实施方式的显示设备的图；

图2是示出根据本发明的实施方式的显示设备中的基板孔的外围的放大图；

图3A是示出根据本发明的实施方式的显示设备中的像素的截面图；

图3B是示出根据本发明的实施方式的显示设备中的基板孔的外围区域的截面图；

图4是图3B中的K的放大图；

图5A至图10A和图5B至图10B是顺序示出根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法的图；

图11A和图11B是示出根据本发明的另一实施方式的显示设备的图；

图12是图11B中的P的放大图；以及

图13A和13B是顺序示出根据本发明的另一实施方式的显示设备的形成工艺的图。

具体实施方式

在下文中，通过以下参照附图的详细描述，将清楚地理解与本发明的实施方式的上述目的、技术配置和操作效果相关的细节，其中附图例示了本发明的一些实施方式。这里，提供本发明的实施方式是为了允许将本发明的技术精神准确地传达给本领域的技术人员，并且因此本发明可以以其它形式实施并且不限于下面描述的实施方式。

另外，在整个说明书中，相同或非常相似的元件可以用相同的附图标记表示，并且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可能被夸大。应当理解，当第一元件被称为在第二元件“上”时，尽管第一元件可以以与第二元件接触的方式设置在第二元件上，但是第三元件可以插置在第一元件和第二元件之间。

这里，诸如“第一”和“第二”的术语可以用于将任何一个元件与另一个元件区分开。然而，在不脱离本发明的技术精神的情况下，第一元件和第二元件可以根据本领域技术人员的便利性而被任意命名。

在本发明的说明书中使用的术语仅用于描述特定实施方式，而不旨在限制本发明的范围。例如，除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。另外，在本发明的说明书中，将进一步理解的是，术语“包括”和“包含”指明所述及的特征、数值、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在，但不排除一个或更多个其它特征、数值、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。

除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过度正式的意义来解释，除非在此明确地如此定义。

(实施方式)

图1是示意性地示出了根据本发明的实施方式的显示设备的图。图2是示出根据本发明的实施方式的显示设备中的基板孔的外围(peripheral)的放大图。图3A是示出根据本发明的实施方式的显示设备中的像素的截面图。图3B是示出根据本发明的实施方式的显示设备中的基板孔的外围区域的截面图。图4是图3B中的K的放大图。

参照图1至图4，根据本发明的实施方式的显示设备可以包括器件基板100。器件基板100可以包括绝缘材料。例如，器件基板100可以包括玻璃或塑料。

选通线GL和数据线DL可以设置在器件基板100上。数据线DL可以与选通线GL相交。例如，选通线GL和数据线DL可以限定多个像素区域PA。

像素区域PA中的每一个可以实现特定的颜色。例如，发光器件700可以被设置在每个像素区域PA中。发光器件700可以发出显示特定颜色的光。例如，发光器件700可以包括依次层叠的第一电极710、发光层720和第二电极730。

第一电极710可以包括导电材料。第一电极710可以包括具有相对高的反射率的金属。例如，第一电极710可以包括诸如铝(Al)和银(Ag)的金属。第一电极710可以具有多层结构。例如，第一电极710可以具有其中由金属形成的反射电极设置在由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成的透明电极之间的结构。

发光层720可以生成亮度与第一电极710和第二电极730之间的电压差相对应的光。例如，发光层720可以包括发光材料。发光材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本发明的实施方式的显示设备可以是包括有机材料的发光层720的有机发光显示设备。

发光层720可以具有多层结构。例如，发光层720可以包括设置在第一有机层721和第二有机层723之间的发光材料层(EML)722。第一有机层721和第二有机层723可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备中，可以提高发光器件700的发光效率。

第二电极730可以包括导电材料。第二电极730可以包括与第一电极710不同的材料。例如，第二电极730可以是由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成的透明电极。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备中，从每个像素区域PA的发光层720生成的光可以通过第二电极730发射到外部。

与发光器件700连接的驱动电路D可以设置在每个像素区域PA中。驱动电路D可以向发光器件700提供与由选通线GL施加的选通信号和由数据线DL施加的数据信号相对应的驱动电流。例如，驱动电路D可以包括第一薄膜晶体管200、第二薄膜晶体管300和存储电容器400。

第一薄膜晶体管200可以根据选通信号导通/截止第二薄膜晶体管300。第一薄膜晶体管200可以包括第一半导体图案210、第一栅极230、第一源极250和第一漏极260。第一栅极230可以与第一半导体图案210的一部分交叠。第一栅极绝缘层121可以设置在第一半导体图案210和第一栅极230之间。第一源极250和第一漏极260可以连接到第一半导体图案210。

第一半导体图案210可以靠近器件基板100设置。第一半导体图案210可以包括半导体材料。第一半导体图案210可以包括多晶硅。例如，第一半导体图案210可以包括低温多晶硅(LTPS)。第一半导体图案210可以包括设置在第一源极区域和第一漏记区域之间的第一沟道区域。第一源极区域和第一漏极区域可以具有比第一沟道区域更高的导电率。例如，第一源极区域和第一漏极区域可以具有比第一沟道区域更高的导电杂质含量。

第一栅极绝缘层121可以设置在第一半导体图案210上。第一栅极绝缘层121可以延伸超过第一半导体图案210。例如，第一半导体图案210的侧表面可以被第一栅极绝缘层121覆盖。第一栅极绝缘层121可以包括绝缘材料。例如，第一栅极绝缘层121可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。第一栅极绝缘层121可以包括具有高介电常数的材料(高K材料)。例如，第一栅极绝缘层121可以包括铪氧化物(HfO)。第一栅极绝缘层121可以具有多层结构。

第一栅极230可以设置在第一栅极绝缘层121上。例如，第一栅极230可以与第一半导体图案210的沟道区域交叠。第一栅极230可以通过第一栅极绝缘层121与第一半导体图案210绝缘。第一栅极230可以包括导电材料。例如，第一栅极230可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)的金属。第一栅极230可以由单层或多层形成。

第一源极250可以电连接到第一半导体图案210的第一源极区域。例如，第一源极250可以与第一源极区域的一部分直接接触。第一源极250可以包括与第一源极区域交叠的部分。第一源极可以与第一栅极230绝缘。例如，下层间绝缘层120可以设置在第一栅极绝缘层121和第一栅极230上，并且第一源极250可以设置在下层间绝缘层120上。例如，下层间绝缘层120可以包括硅氧化物(SiOx)。下层间绝缘层120可以延伸超过第一半导体图案210。例如，第一栅极230的侧表面可以与下层间绝缘层120直接接触。下层间绝缘层120可以包括部分暴露第一半导体图案210的第一源极区域的第一源极接触孔。第一源极250可以在第一源极接触孔中连接到第一半导体图案210的第一源极区域。

第一源极250可以包括导电材料。例如，第一源极250可以包括诸如铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属或其合金。第一源极250可以包括与第一栅极230不同的材料。

第一漏极260可以电连接到第一半导体图案210的第一漏极区域。例如，第一漏极260可以与第一漏极区域的一部分直接接触。第一漏极260可以包括与第一漏极区域交叠的部分。第一漏极260可以与第一栅极230绝缘。例如，第一漏极260可以设置在下层间绝缘层120上。第一漏极260可以与第一源极250间隔开。例如，下层间绝缘层120可以包括部分暴露第一漏极区域的第一漏极接触孔。第一漏极260可以在第一漏极接触孔中连接到第一漏极区域。

第一漏极260可以包括导电材料。例如，第一漏极260可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属或其合金。第一漏极260可以由单层或多层形成。第一漏极260可以包括与第一源极250相同的材料。第一漏极260可以包括与第一栅极230不同的材料。

第二薄膜晶体管300可以生成与数据信号相对应的驱动电流。第二薄膜晶体管300可以包括第二半导体图案310、第二栅极330、第二源极350和第二漏极360。第二栅极330可以与第二半导体图案310的一部分交叠。第二栅极绝缘层141可以设置在第二半导体图案310和第二栅极330之间。第二源极350和第二漏极360可以连接到第二半导体图案310。

第二半导体图案310可以包括与第一半导体图案210不同的材料。第二半导体图案310可以是氧化物半导体。例如，第二半导体图案310可以包括诸如IGZO的金属氧化物。

第二半导体图案310可以与第一半导体图案210设置在不同的层上。例如，中间缓冲层140可以设置在第一半导体图案210和第二半导体图案310之间。第一半导体图案210可以设置在器件基板100和中间缓冲层140之间。第二半导体图案310可以设置在中间缓冲层140上。

中间缓冲层140可以包括硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)。参照图3A，中间缓冲层140被示为单层，但不限于此。例如，中间缓冲层140可以由其中层叠了包括硅氮化物(SiNx)的层和包括硅氧化物(SiOx)的层的多层形成。

第二半导体图案310可以具有与第一半导体图案210相同的配置。例如，第二半导体图案310可以包括设置在第二源极区域和第二漏极区域之间的第二沟道区域。第二源极区域的电导率(electrical conductivity)和第二漏极区域的电导率可以高于第二沟道区域的电导率。例如，第二源极区域和第二漏极区域可以是被导电化的(conductorized)区域。

第二栅极绝缘层141可以设置在第二半导体图案310上。例如，第二栅极绝缘层141可以与第二半导体图案310的第二沟道区域交叠。第二半导体图案310的第二源极区域和第二漏极区域可以设置在第二栅极绝缘层141的外部。第二栅极绝缘层320可以包括绝缘材料。例如，第二栅极绝缘层320可以包括硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。第二栅极绝缘层141可以包括具有高介电常数的材料(高K材料)。例如，第二栅极绝缘层141可以包括铪氧化物(HfO)。第二栅极绝缘层141可以具有多层结构。第二栅极绝缘层141可以具有与第一栅极绝缘层121相同的层叠结构。

第二栅极330可以设置在第二栅极绝缘层141上。第二栅极330可以与第二半导体图案310的第二沟道区域交叠。第二栅极330可以通过第二栅极绝缘层141与第二半导体图案310绝缘。第二半导体图案310的第二沟道区域可以具有与施加到第二栅极330的电压相对应的电导率。例如，第二半导体图案310的第二沟道区域可以是半导体区域。

第二栅极330可以包括导电材料。例如，第二栅极330可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第二栅极330可以具有单层或多层。第二栅极330可以包括与第一栅极230相同的材料。

第二源极350可以电连接到第二半导体图案310的第二源极区域。例如，第二源极350可以与第二源极区域的一部分直接接触。第二源极350可以与第二栅极330绝缘。例如，上层间绝缘层150可以设置在第二半导体图案310和第二栅极330上，并且第二源极350可以设置在上层间绝缘层150上。上层间绝缘层150可以包括绝缘材料。例如，上层间绝缘层150可以包括硅氧化物(SiOx)。上层间绝缘层150可以延伸超过第二半导体图案310。例如，第二栅极330的侧表面可以与上层间绝缘层150直接接触。上层间绝缘层150可以包括部分暴露第二半导体图案310的第二源极区域的第二源极接触孔。第二源极350可以在第二源极接触孔中连接到第二半导体图案310的第二源极区域。

上层间绝缘层150可以包括硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)。参照图3A，上层间绝缘层150被示为单层，但不限于此。例如，上层间绝缘层150可以具有其中层叠了由硅氮化物(SiNx)形成的层和由硅氧化物(SiOx)形成的层的多层结构。

第二源极350可以包括导电材料。例如，第二源电极350可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第二源极350可以具有单层或多层。第二源极350可以包括与第一源极250相同的材料。

第二漏极360可以电连接到第二半导体图案310的第二漏极区域。例如，第二漏极360可以与第二漏极区域的一部分直接接触。第二漏极360可以与第二栅极330绝缘。例如，第二漏极360可以设置在上层间绝缘层150上。上层间绝缘层150可以包括部分暴露第二半导体图案310的第二漏极区域的第二漏极接触孔。第二漏极360可以在第二漏极接触孔中连接到第二半导体图案310的第二漏极区域。

第二漏极360可以包括导电材料。例如，第二漏极360可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第二漏极360可以具有单层或多层。第二漏极360可以包括与第二源极350相同的材料。第二漏极360可以包括与第二栅极330不同的材料。

存储电容器400可以通过形成第一薄膜晶体管200和第二薄膜晶体管300的工艺形成。例如，存储电容器400可以包括与第一栅极230设置在同一层上的第一存储电极410，以及在第一存储电极410上方的第二存储电极420。

第一存储电极410可以包括导电材料。第一存储电极410可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第一存储电极410可以具有单层或多层。第一存储电极410可以包括与第一栅极230相同的材料。

第二存储电极420可以包括导电材料。第二存储电极420可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第二存储电极420可以具有单层或多层。下层间绝缘层120可以在第一存储电极410和第二存储电极420之间延伸。第二存储电极420可以设置在下层间绝缘层120上。第一源极250和第一漏极260可以与第二存储电极420设置在不同的层上。例如，中间层间绝缘层130可以设置在第二存储电极420上，并且下层间绝缘层120和中间层间绝缘层130可以层叠在第一栅极230和第一源极250之间以及第一栅极230和第一漏极260之间。第二存储电极420可以包括与第一源极250和第一漏极260不同的材料。

中间层间绝缘层130可以包括绝缘材料。例如，中间层间绝缘层130可以包括硅氧化物(SiOx)和/或硅氮化物(SiNx)。中间层间绝缘层130可以具有单层或多层。例如，中间层间绝缘层130可以具有其中层叠了由硅氧化物(SiOx)形成的绝缘层和由硅氮化物(SiNx)形成的绝缘层的多层结构。

第二存储电极420可以电连接到第二薄膜晶体管300的第二漏极360。例如，穿透中间层间绝缘层130的存储连接电极450可以设置在中间层间绝缘层130上。存储连接电极450可以与第一源极250和第一漏极260设置在同一层上。例如，存储连接电极450可以包括与第一源极250和第一漏极260相同的材料。第二漏极360可以通过穿透中间缓冲层140和上层间绝缘层150而连接到存储连接电极450。

阻光电极500可以设置在下层间绝缘层120和中间层间绝缘层130之间。阻光电极500可以防止由于外部光引起的第二半导体图案310的特性变化。例如，阻光电极500可以包括金属。阻光电极500可以包括与第二存储电极420相同的材料。例如，阻光电极500可以与第二存储电极420设置在同一层上。

器件缓冲层110可以设置在器件基板100和每个像素区域PA的驱动电路D之间。器件缓冲层110可以防止在形成驱动电路D的工艺中来自器件基板100的污染。例如，器件缓冲层110可以在器件基板100和每个像素区域PA的第一半导体图案210之间延伸。器件缓冲层110可以包括绝缘材料。例如，器件缓冲层110可以包括硅氧化物(SiOx)和/或硅氮化物(SiNx)。器件缓冲层110可以具有多层结构。例如，器件缓冲层110可以具有第一缓冲层111和包括与第一缓冲层111不同的材料的第二缓冲层112的层叠结构。

第一外覆层(over-coat layer)160和第二外覆层170可以依次层叠在每个像素区域PA的驱动电路D和发光器件700之间。第一外覆层160可以去除由于每个像素区域PA的驱动电路D引起的厚度差。第二外覆层170可以设置在第一外覆层160上。第二外覆层170的朝向每个像素区域PA的发光器件700的表面可以是平坦表面。第一外覆层160和第二外覆层170可以包括绝缘材料。第一外覆层160和第二外覆层170可以包括与上层间绝缘层150不同的材料。例如，第一外覆层160和第二外覆层170可以包括有机绝缘材料。第二外覆层170可以包括与第一外覆层160不同的材料，但不限于此。

每个像素区域PA的发光器件700可以电连接到相应像素区域PA的第二薄膜晶体管300。例如，每个像素区域PA的第一电极710可以通过穿透第一外覆层160和第二外覆层170而电连接到相应的第二漏极360。每个像素区域PA的第一电极710可以通过中间电极610电连接到相应的第二漏极360。例如，中间电极610可以设置在第一外覆层160和第二外覆层170之间。中间电极610可以通过穿透第一外覆层160而连接到第二漏极360，并且第一电极710可以通过穿透第二外覆层170而连接到中间电极610。

中间电极610可以包括导电材料。例如，中间电极610可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属或其合金。中间电极620可以具有单层或多层。

每个像素区域PA的发光器件700可以独立地操作。例如，每个像素区域PA的第一电极710可以与相邻像素区域PA的第一电极710绝缘。每个第一电极710的边缘可以由堤部绝缘层180覆盖。堤部绝缘层180可以设置在第二外覆层170上。每个像素区域PA的发光层720和第二电极730可以层叠在相应的第一电极710的由堤部绝缘层180暴露的部分上。堤部绝缘层180可以包括绝缘材料。例如，堤部绝缘层180可以包括有机绝缘材料。堤部绝缘层180可以包括与第二外覆层170不同的材料。

每个像素区域PA的发光层720的至少一部分可以延伸到堤部绝缘层180上。例如，每个像素区域PA的第一有机层721和第二有机层723可以连接到相邻像素区域PA的第一有机层721和第二有机层723。每个像素区域PA的发光材料层722可以与相邻像素区域PA的发光材料层722间隔开。例如，每个像素区域PA的发光材料层722可以通过使用精细金属掩模(FMM)的沉积工艺形成。间隔件800可以设置在堤部绝缘层180上。间隔件800可以防止相邻的发光材料层722和/或堤部绝缘层180由于精细金属掩模而损坏。例如，每个发光材料层722的端部可以设置在堤部绝缘层180的在间隔件800外部设置的表面上。间隔件800可以包括绝缘材料。

每个像素区域PA的第二电极730可以延伸到堤部绝缘层180上。例如，每个像素区域PA的第二电极730可以连接到相邻像素区域PA的第二电极730。

基板孔CH可以形成在器件基板100中。基板孔CH可以穿透器件基板100。基板孔CH可以设置在像素区域PA之间。例如，基板孔CH可以形成在发光器件700之间。器件基板100可以包括孔外围区域HA，该孔外围区域HA包括其中形成有基板孔CH的区域。发光器件700可以设置在孔外围区域HA的外部。选通线GL和数据线DL可以在孔外围区域HA中沿着基板孔CH的边缘绕行(bypassed)。

孔外围区域HA可以包括其中形成基板孔CH的穿透区域CA、围绕穿透区域CA的分隔区域BA以及设置在分隔区域BA外部的坝部区域(dam region)DA。分隔区域BA可以设置在穿透区域CA和坝部区域DA之间。例如，分隔区域BA可以设置在基板孔CH和发光器件700之间。

分隔装置911、912和913可以设置在分隔区域BA中。分隔装置911、912和913可以与器件基板100直接接触。例如，可以去除形成在分隔区域BA中的绝缘层。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备中，在形成基板孔CH的工艺中出现的裂缝可以在分隔区域BA中被阻挡。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备中，可以防止由于形成基板孔CH的工艺而导致湿气渗透。

分隔装置911、912和913可以具有其中层叠了金属图案912m和绝缘帽(insulatingcap)912c的结构。金属图案912m可以具有比绝缘帽912c更小的宽度。例如，可以在器件基板100和绝缘帽921c之间形成底切部UC。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备中，在形成分隔装置911、912和913之后沉积的有机层和/或无机层可以被分隔装置911、912和913分隔。例如，第一有机层721、第二有机层723和第二电极730可以被分隔装置911、912和913部分地切断。

分隔装置911、912和913可以具有各种形状。例如，至少一个分隔装置912可以具有其中在绝缘帽912c的左下端处和右下端处形成底切部的形状。并且，至少一个分隔装置911和913可以具有其中绝缘帽延伸超过金属图案的一侧的形状。因此，根据本发明的实施方式的显示设备可以使用具有各种形状的分隔装置911、912和913有效地阻挡外部湿气的渗透。

金属图案912m可以包括与中间电极610相同的材料。例如，金属图案912m可以具有与中间电极610相同的层叠结构。

坝部921、922和923可以设置在坝部区域DA中。至少一个绝缘层121、130、140和150可以层叠在器件基板100和坝部921、922和923之间。坝部921、922和923可以具有与分隔装置911、912和913相同的结构。例如，至少一个坝部922可以具有其中金属图案和绝缘帽依次层叠并且在绝缘帽的左下端处和右下端处形成底切部的形状。并且，至少一个坝部921和923可以具有其中金属图案和绝缘帽依次层叠并且绝缘帽延伸超过金属图案的一侧的形状。因此，根据本发明的实施方式的显示设备可以使用具有各种形状的分隔装置911、912和913与坝部921、922和923有效地阻挡外部湿气的渗透。

图5A至图10A和图5B至图10B是顺序示出根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法的图。

将参照图3A、图3B、图5A至图10A和图5B至图10B描述根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法。首先，如图5A和图5B所示，根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法可以包括在器件基板100的每个像素区域PA上形成驱动电路D的步骤，形成覆盖驱动电路D的第一外覆层160的步骤，以及去除设置在分隔区域BA和穿透区域CA上的绝缘层的步骤。

由于密度的差异，可以在坝部区域DA和分隔区域BA之间相对平缓地(gently)执行去除分隔区域BA和穿透区域CA中的绝缘层的步骤。例如，层叠在坝部区域DA上的绝缘层121、130、140和150可以包括朝向穿透区域CA的侧表面，并且绝缘层121、130、140和150的朝向穿透区域CA的侧表面可以具有平缓的倾斜度。

如图6A和图6B所示，根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法可以包括在第一外覆层160上形成中间电极610的步骤，在分隔区域BA上形成第一初始图案910的步骤，以及在坝部区域DA上形成第二初始图案920的步骤。

第一初始图案910和第二初始图案920可以与中间电极610同时形成。例如，形成中间电极610、第一初始图案910和第二初始图案920的步骤可以包括在第一外覆层160上形成导电材料层的步骤，以及图案化导电材料层的步骤。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法中，中间电极610、第一初始图案910和第二初始图案920可以由相同材料形成。

如图7A和图7B所示，根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法可以包括在中间电极610、第一初始图案910和第二初始图案920上形成第二外覆层170的步骤，在第一初始图案910上形成第一初始帽915的步骤，在第二初始图案920上形成第二初始帽925的步骤，以及在第二外覆层170上形成连接到中间电极610的第一电极710的步骤。

第一初始帽915和第二初始帽925可以通过使用第二外覆层170形成。例如，形成第一初始帽915和第二初始帽925的步骤可以包括部分蚀刻分隔区域BA和坝部区域DA上的第二外覆层170的步骤。第二初始帽925可以由与第一初始帽915相同的材料形成。

第一初始帽915可以部分地暴露第一初始图案910。第二初始帽925可以部分地暴露第二初始图案920。例如，第一初始帽915基于第一初始图案910的位置可以与第二初始帽925基于第二初始图案920的位置相对应。

如图8A和图8B所示，根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法可以包括在形成有每个像素区域PA的第一电极710的器件基板100上形成堤部绝缘层180、间隔件800、第一上部帽(upper cap)917和第二上部帽927的步骤。

堤部绝缘层180可以覆盖每个像素区域PA的第一电极710的边缘。间隔件800可以形成在堤部绝缘层180上。第一上部帽917可以形成在第一初始帽915上。第二上部帽927可以形成在第二初始帽927上。

第一上部帽917和第二上部帽927可以通过使用形成堤部绝缘层180和间隔件800的工艺形成。例如，形成第一上部帽917和第二上部帽927的步骤可以包括层叠用于形成堤部绝缘层180和间隔件800的绝缘层的步骤，以及图案化绝缘层的步骤。第二上部帽927可以由与第一上部帽917相同的材料形成。例如，第一上部帽917和第二上部帽927可以与堤部绝缘层180和/或间隔件800同时形成。

如图9A和图9B所示，根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法可以包括去除第一初始图案910的由第一初始帽915和第一上部帽917暴露的部分的步骤，和去除第二初始图案920的由第二初始帽925和第二上部帽927暴露的部分的步骤。

去除第二初始图案920的一部分的步骤可以与去除第一初始图案910的一部分的步骤同时执行。例如，去除第二初始图案920的一部分和第一初始图案910的一部分的步骤可以包括使用第一上部帽917和第二上部帽927作为蚀刻掩模来蚀刻第一初始图案910和第二初始图案920的步骤。与第一初始帽915交叠的第一初始金属图案910a和与第二初始帽925交叠的第二初始金属图案920a可以通过蚀刻第一初始图案910和第二初始图案920的工艺形成。

如图10A和图10B所示，根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法可以包括形成分隔区域BA上的分隔装置911、912和913以及坝部区域DA上的坝部921、922和923的步骤。

形成分隔装置911、912和913以及坝部921、922和923的步骤可以包括减小第一初始金属图案910a和第二初始金属图案920a的宽度的步骤。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备中，分隔装置911、912和913与坝部921、922和923可以包括层叠的金属图案和宽度大于金属图案的绝缘帽。也就是说，在根据本发明的实施方式的显示设备中，分隔装置911、912和913以及坝部921、922和923中的每一个可以包括由于宽度差而形成的底切部。

如图3A和图3B所示，根据本发明的实施方式的显示设备的形成方法可以包括在形成有分隔装置911、912和913以及坝部921、922和923的器件基板100上形成每个发光器件700的发光层720和第二电极730的步骤，以及在穿透区域CA中形成基板孔CH的步骤。

因此，在根据本发明的实施方式的显示设备及其形成方法中，可以完全去除在其中形成有基板孔CH的穿透区域CA和像素区域PA之间的分隔区域BA上层叠的绝缘层，以使得通过后续工艺形成在分隔区域BA上的分隔装置911、912和913可以与器件基板100接触。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备及其形成方法中，通过形成基板孔的工艺在无机绝缘层中出现的裂缝不会传播到像素区域PA。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备及其形成方法中，可以阻止由于形成基板孔的工艺而导致的外部湿气的渗透，并且可以防止由于外部湿气而导致的发光器件的损坏。

并且，在根据本发明的实施方式的显示设备及其形成方法中，分隔装置911、912和913可以与坝部921、922和923同时形成。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备及其形成方法中，可以提高工艺效率。

根据本发明的实施方式的显示设备被描述为器件基板100是单层。然而，在根据本发明的另一实施方式的显示设备中，器件基板100可以具有多层结构。例如，如图11A和图11B所示，在根据本发明的另一实施方式的显示设备中，器件基板100可以具有其中绝缘层102可以设置在第一基板层101和第二基板层103之间的结构。第二基板层103可以包括与第一基板层101相同的材料。例如，第一基板层101和第二基板层103可以包括塑料。绝缘层102可以包括绝缘材料。因此，在根据本发明的另一实施方式的显示设备中，器件基板100可以包括与分隔装置911、912和913相邻设置的凹槽100g。

图13A和图13B是顺序示出根据本发明的另一实施方式的显示设备的形成方法的图。

如图13A和图13B所示，在根据本发明的另一实施方式的显示设备的形成方法中，在形成第一初始金属图案910a的工艺中可能出现过蚀刻。因此，在根据本发明的另一实施方式的显示设备的形成方法中，器件基板100的由第一初始帽915暴露的部分可以被蚀刻，从而可以形成凹槽100g。

形成第一初始金属图案910a的步骤可以与形成第二初始金属图案920a的步骤同时进行。例如，上层间绝缘层150的被第二初始帽925暴露的部分可以在形成第二初始金属图案920a的步骤中被过蚀刻。

也就是说，根据本发明的另一实施方式的显示设备可以包括在器件基板100的一部分中通过形成分隔装置911、912和913的步骤而形成的凹槽100g。因此，在根据本发明的另一实施方式的显示设备中，可以增加渗透通过形成在穿透区域CA中的基板孔CH的外部湿气的移动路径。因此，在根据本发明的另一实施方式的显示设备中，可以有效地防止由于外部湿气的渗透而引起的发光器件的劣化。

结果，根据本发明的实施方式的显示设备可以包括在基板孔和发光器件之间的分隔装置，其中分隔装置可以与器件基板接触。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备中，在形成基板孔的工艺中出现在无机绝缘层中的裂缝可以被分隔装置阻挡。因此，在根据本发明的实施方式的显示设备中，可以提高发光器件的可靠性。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0180185号的优先权权益，该申请通过引用结合于此，如同在此完全阐述一样。

Claims (15)

1.一种显示设备，该显示设备包括：

基板孔，所述基板孔穿透器件基板；

发光器件，所述发光器件位于所述器件基板上，所述发光器件与所述基板孔间隔开；以及

分隔装置，所述分隔装置位于所述基板孔和所述发光器件之间，

其中，所述分隔装置与所述器件基板接触。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述器件基板包括凹槽，所述凹槽在所述器件基板中凹入并且与所述分隔装置相邻设置。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述分隔装置包括设置在所述器件基板上的金属图案和设置在所述金属图案上的绝缘帽。

4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述金属图案与所述绝缘帽交叠并且具有比所述绝缘帽更小的宽度。

5.根据权利要求4所述的显示设备，所述发光器件的至少一个有机层被所述分隔装置部分地切断。

6.根据权利要求3所述的显示设备，该显示设备还包括设置在所述发光器件与所述分隔装置之间的坝部，

其中，设置在所述器件基板和所述发光器件之间的驱动电路的至少一个绝缘层在所述器件基板和所述坝部之间延伸。

7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述坝部具有与所述分隔装置相同的层叠结构。

8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述至少一个绝缘层延伸直到所述坝部和所述分隔装置之间的边界。

9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述至少一个绝缘层的在所述坝部和所述分隔装置之间的侧表面具有倾斜表面。

10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述绝缘层的所述倾斜表面具有比所述坝部的侧表面和所述分隔装置的侧表面更平缓的斜率。

11.根据权利要求3所述的显示设备，该显示设备还包括：

驱动电路，所述驱动电路设置在所述器件基板与所述发光器件之间；以及

连接电极，所述连接电极连接在所述驱动电路和所述发光器件之间，

其中，所述金属图案包括与所述连接电极相同的材料。

12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述绝缘帽包括与覆盖所述连接电极的外覆层相同的材料。

13.一种用于形成显示设备的方法，该方法包括以下步骤：

在器件基板的像素区域上形成包括至少一个绝缘层的驱动电路；

去除所述器件基板上的穿透区域和围绕所述穿透区域的分隔区域上的所述至少一个绝缘层；

在所述分隔区域上形成与所述器件基板接触的分隔装置；以及

在所述像素区域上形成发光器件，并且在所述穿透区域中形成基板孔。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述分隔装置包括设置在所述器件基板上的金属图案和设置在所述金属图案上的绝缘帽，所述金属图案与所述绝缘帽交叠，并且具有比所述绝缘帽更小的宽度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述分隔装置的步骤包括以下步骤：

形成覆盖所述驱动电路的第一外覆层；

在所述像素区域中的所述第一外覆层上和所述分隔区域中的所述器件基板上形成导电材料层；

图案化所述导电材料层，以在所述像素区域中形成用于连接所述驱动电路和所述发光器件的连接电极，并且在所述分隔区域中形成初始图案；

在所述连接电极和所述初始图案上形成第二外覆层，并且部分蚀刻所述第二外覆层以形成部分暴露所述初始图案的初始帽；

在所述第二外覆层上形成所述发光器件的与所述连接电极连接的第一电极，

层叠绝缘层，并且图案化所述绝缘层，以在所述像素区域中形成堤部绝缘层，并且在所述初始帽上形成上部帽，所述上部帽和所述初始帽构成所述绝缘帽；

去除所述初始图案的由所述初始帽和所述上部帽暴露的部分，以形成初始金属图案；以及

减小所述初始金属图案的宽度以形成所述金属图案。

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