CN113053798A - 一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺 - Google Patents
一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113053798A CN113053798A CN202110339399.6A CN202110339399A CN113053798A CN 113053798 A CN113053798 A CN 113053798A CN 202110339399 A CN202110339399 A CN 202110339399A CN 113053798 A CN113053798 A CN 113053798A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- glass
- ultra
- thin
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 58
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000006058 strengthened glass Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 56
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明公开一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，包括以下步骤：S1、完成晶圆正面制程；S2、将晶圆正面暂时键合玻璃载板；S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；S4、将晶圆背面键合超薄玻璃载板；S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。本发明采用两次键合及解键合的技术晶圆超薄晶圆加工，第二次键合用强化过的超薄玻璃载板取代传统的切割模框以确保晶粒可在有强度及柔性的玻璃载板上进行封装的加工制程，可确保超薄晶圆或晶粒不会产生碎裂的现象。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆加工领域，具体的是一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺。
背景技术
晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片)，在日常生活中，半导体技术的进步，很大一部分体现在特征尺寸的减少上，随着特征尺寸的缩小，单位面积上晶体管电路的数量倍增，功能随之越显强大。然而在集成密度大幅提高的同时，热源开始在芯片上形成了集中的现象，如何降低器件热阻，做好器件的散热和冷却，成为了一个关键的问题。实际上，解决元件散热方法之一就是研磨减薄。
晶圆上的器件以及连接电路的这一有效区域的厚度一般为5至10μm，为了保证其功能，都需要有一定的支撑厚度，这个支撑厚度有一个20至30μm的晶圆厚度极限。但这个厚度实际上只占用了整个晶圆厚度的一小部分，其余厚度的衬底只是为了保证硅片在制造、测试、封装和运送的过程中有足够的强度。在晶圆上的集成电路制作完成后，需要对硅片进行背面减薄，使其达到所需的厚度。
现行技术制作超薄晶圆，通常采用键合玻璃载板来完成晶圆背面减薄，当背面工艺完成后，会将特薄晶圆贴附在软性的高分子膜上进行解键合并将晶圆切割。在晶圆切割时，高分子膜四周虽有金属固定，但是高分子膜的本身的应力弱，因此当晶圆薄到30um以下(8寸及12寸晶圆)时解键合玻璃载板，或是去除黏着层时，非常容易产生晶圆碎裂。
发明内容
为解决上述背景技术中提到的不足，本发明的目的在于提供一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，利用化学强化的超薄玻璃做第二次键合以取代传统的高分子膜切割模框，可以有效防止玻璃载板解键合后晶圆碎裂。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，包括以下步骤：
S1、完成晶圆正面制程；
S2、将晶圆正面暂时键合玻璃载板；
S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；
S4、将晶圆背面键合超薄玻璃载板；
S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。
进一步优选地，所述晶圆正面制程包括黄光制程、ILD制程、离子植入制程、金属制程和蚀刻制程。
进一步优选地，所述步骤S2中玻璃载板为厚度400-800μm的普通硅酸盐玻璃板，步骤S2键合玻璃板的黏着层厚度大于30μm。
进一步优选地，所述晶圆背面制程包括黄光制程、离子植入制程和金属制程。
进一步优选地，所述步骤S4中超薄玻璃载板为厚度小于100μm的高铝硅玻璃板，步骤S4中键合超薄玻璃载板的黏着层厚度小于30μm。
本发明的有益效果：
本发明采用两次键合及解键合的技术晶圆超薄晶圆加工，第二次键合用强化过的超薄玻璃载板取代传统的切割模框以确保晶粒可在有强度及柔性的玻璃载板上进行封装的加工制程，可确保超薄晶圆(晶粒)不会产生碎裂的现象。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明步骤S1的工艺成型示意图；
图2是本发明步骤S2的工艺成型示意图；
图3是本发明步骤S3的工艺成型示意图；
图4是本发明步骤S4的工艺成型示意图；
图5是本发明步骤S5的工艺成型示意图。
图中：
1-晶圆，2-玻璃载板，3-超薄玻璃载板，4-晶粒。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“开孔”、“上”、“下”、“厚度”、“顶”、“中”、“长度”、“内”、“四周”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
实施例1
一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，包括以下步骤：
S1、完成晶圆正面制程；
S2、将晶圆正面通过60μm的黏着层暂时键合厚度500μm的普通硅酸盐玻璃板；
S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；
S4、将晶圆背面通过20μm的黏着层键合厚度100μm的高铝硅玻璃板；
S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。
晶圆正面制程包括黄光制程、ILD制程、离子植入制程、金属制程和蚀刻制程。
晶圆背面制程包括黄光制程、离子植入制程和金属制程。
实施例2
一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，包括以下步骤：
S1、完成晶圆正面制程；
S2、将晶圆正面通过50μm的黏着层暂时键合厚度600μm的普通硅酸盐玻璃板；
S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；
S4、将晶圆背面通过20μm的黏着层键合厚度50μm的高铝硅玻璃板；
S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。
晶圆正面制程包括黄光制程、ILD制程、离子植入制程、金属制程和蚀刻制程。
晶圆背面制程包括黄光制程、离子植入制程和金属制程。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (5)
1.一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、完成晶圆正面制程；
S2、将晶圆正面暂时键合玻璃载板；
S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；
S4、将晶圆背面键合超薄玻璃载板；
S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。
2.根据权利要求1所述的利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，其特征在于，所述晶圆正面制程包括黄光制程、ILD制程、离子植入制程、金属制程和蚀刻制程。
3.根据权利要求1所述的利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，其特征在于，所述步骤S2中玻璃载板为厚度400-800μm的普通硅酸盐玻璃板，步骤S2键合玻璃板的黏着层厚度大于30μm。
4.根据权利要求1所述的利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，其特征在于，所述晶圆背面制程包括黄光制程、离子植入制程和金属制程。
5.根据权利要求1所述的利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，其特征在于，所述步骤S4中超薄玻璃载板为厚度小于100μm的高铝硅玻璃板，步骤S4中键合超薄玻璃载板的黏着层厚度小于30μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110339399.6A CN113053798A (zh) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110339399.6A CN113053798A (zh) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113053798A true CN113053798A (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=76517034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110339399.6A Pending CN113053798A (zh) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113053798A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725160A (zh) * | 2021-09-01 | 2021-11-30 | 浙江同芯祺科技有限公司 | 一种超薄晶圆正面切割工艺 |
| CN114242581A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-03-25 | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) | 一种研磨后晶圆背面抛光的方法 |
| CN114464529A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-05-10 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种半导体器件的制备方法 |
| CN115958308A (zh) * | 2022-08-29 | 2023-04-14 | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司 | 一种碳化硅晶圆切片工艺 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004009480A1 (de) * | 2002-07-17 | 2004-01-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bruchsicheres ultra dünnes glas und dessen handhabung |
| CN111441072A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-24 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法 |
| JP2020128339A (ja) * | 2020-05-21 | 2020-08-27 | ショット グラス テクノロジーズ （スゾウ） カンパニー リミテッドＳｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | ガラスキャリアウェハー用の低ｃｔｅボロアルミノシリケートガラス |
| CN112259495A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-22 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种晶圆印刷工艺 |
-
2021
- 2021-03-30 CN CN202110339399.6A patent/CN113053798A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004009480A1 (de) * | 2002-07-17 | 2004-01-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bruchsicheres ultra dünnes glas und dessen handhabung |
| CN111441072A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-24 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种先晶粒切割后双面电镀的晶粒生产方法 |
| JP2020128339A (ja) * | 2020-05-21 | 2020-08-27 | ショット グラス テクノロジーズ （スゾウ） カンパニー リミテッドＳｃｈｏｔｔ Ｇｌａｓｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ （Ｓｕｚｈｏｕ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | ガラスキャリアウェハー用の低ｃｔｅボロアルミノシリケートガラス |
| CN112259495A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-22 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种晶圆印刷工艺 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725160A (zh) * | 2021-09-01 | 2021-11-30 | 浙江同芯祺科技有限公司 | 一种超薄晶圆正面切割工艺 |
| CN113725160B (zh) * | 2021-09-01 | 2024-06-28 | 浙江同芯祺科技有限公司 | 一种超薄晶圆正面切割工艺 |
| CN114242581A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-03-25 | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) | 一种研磨后晶圆背面抛光的方法 |
| CN114464529A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-05-10 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种半导体器件的制备方法 |
| CN115958308A (zh) * | 2022-08-29 | 2023-04-14 | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司 | 一种碳化硅晶圆切片工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113053798A (zh) | 一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺 | |
| EP3537472B1 (en) | Method for transferring device layer to transfer substrate | |
| KR100755999B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 박형화 방법 및 박형 반도체 웨이퍼 | |
| TWI284960B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| KR100517075B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| CN100530593C (zh) | 切割晶圆的方法 | |
| TW200818350A (en) | Semiconductor packaging method by using large panel size | |
| JP3502036B2 (ja) | 半導体素子の製造方法および半導体素子 | |
| JP2011023393A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20070029068A (ko) | 기판의 박판화 방법 및 회로소자의 제조방법 | |
| TW519727B (en) | Semiconductor wafer, semiconductor device and manufacturing method therefor | |
| TW201625495A (zh) | 玻璃板、其製造方法及積層體 | |
| CN115428127B (zh) | 半导体元件的制造方法 | |
| US7749866B2 (en) | Method for sawing a wafer and method for manufacturing a semiconductor package by using a multiple-type tape | |
| US20130154049A1 (en) | Integrated Circuits on Ceramic Wafers Using Layer Transfer Technology | |
| CN112185827A (zh) | 芯片晶圆、芯片封装结构及封装方法 | |
| JP2001085453A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3798760B2 (ja) | 半導体ウェハの形成方法 | |
| US7479455B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor wafer | |
| CN113013064A (zh) | 一种基于硅基载板的化合物半导体晶圆制造工艺 | |
| JP2890855B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| CN213380955U (zh) | 一种用于加工薄硅片的加工件 | |
| TW544739B (en) | Method of thinning wafer | |
| TWI869099B (zh) | 無晶圓中介層之製造方法 | |
| TW200812014A (en) | Packaging substrate board and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210629 |