CN112786647A - 具有基板孔的显示设备 - Google Patents

Abstract

提供了具有基板孔的显示设备。本公开内容公开了一种显示设备，包括：基板，其包括像素区，该像素区包括包围孔区的断开区；有机发光二极管，其形成在像素区和断开区中；多个无机绝缘层，其设置在有机发光二极管下方；断开结构，其设置在断开区中并且包围孔区；以及内部坝，其设置在断开区中并且包围断开结构，并且该断开结构包括与内部坝同时形成的檐部和通过蚀刻设置在檐部下方的多个无机绝缘层而形成的沟槽，并且断开结构被构造成通过檐部和沟槽具有预定的悬伸和预定的深度。

Description

具有基板孔的显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年11月8日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0142380号的优先权，其公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开内容涉及一种显示设备，尤其涉及一种包括具有基板孔的像素区的显示设备。

背景技术

在屏幕上实现各种信息的图像显示设备是信息通信时代的核心技术，并且正在发展为更薄、更轻、便携式并且具有更高的性能。因此，可以减轻作为阴极射线管(CRT)的缺点的重量和体积的平板显示设备受到关注。

平板显示设备的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光显示器(ELD)和微型LED显示器(μLED)。

平板显示设备不仅用于诸如TV、监视器和便携式电话的各种类型的装置，而且通过添加摄像机、扬声器和传感器而被开发。然而，摄像机、扬声器和传感器被设置在位于像素区外围的非像素区中，使得相关技术的显示设备具有非像素区增大而像素区减小的问题。

发明内容

本说明书的发明人试图在像素区中创建摄像机可以通过其来拍摄图像的基板孔，从而减小非像素区。然而，本说明书的发明人认识到，由于基板孔，水分渗入基板孔附近的像素，这会导致缺陷。因此，本公开内容的发明人研究了有机发光二极管的断开结构，该断开结构阻挡了穿过形成在整个像素区上的有机发光二极管的水分渗透路径。此外，发明人还研究了通过断开结构减小基板孔与像素区之间的断开区的结构。因此，已经做出本公开内容以解决上述问题，并且目的是提供一种包括可以减小断开区的断开结构的显示设备。

根据本公开内容的一方面，该显示设备包括：基板，该基板包括像素区，该像素区包括包围孔区的断开区(disconnected area)；有机发光二极管，其在像素区和断开区中；多个无机绝缘层，其设置在有机发光二极管之下；断开结构，其设置在断开区中并且包围孔区；以及内部坝，其设置在断开区中并且包围断开结构，并且其中断开结构包括与内部坝同时形成的檐部和通过蚀刻设置在檐部之下的多个无机绝缘层形成的沟槽，并且断开结构被构造成通过檐部和沟槽具有预定的悬伸和预定的深度。

根据本公开内容，在像素区中设置其中设置摄像机模块的基板孔，使得可以减小非像素区的尺寸。

此外，根据本公开内容，断开结构形成檐部和沟槽，使得有机发光二极管断开。因此，断开结构可以阻挡或延迟可能渗透通过有机发光二极管的水分或氧气流入像素区。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：

图1是示出根据本公开内容的实施方式的显示设备的视图；

图2是沿图1的I-I’线的显示设备的截面图；

图3是根据本公开内容的另一实施方式的显示设备的截面图；

图4是根据本公开内容的又一实施方式的显示设备的截面图；

图5是根据本公开内容的又一实施方式的显示设备的截面图；

图6是根据本公开内容的又一实施方式的显示设备的截面图；

图7是根据本公开内容的又一实施方式的显示设备的截面图；以及

图8是根据本公开内容的又一实施方式的显示设备的截面图。

具体实施方式

通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施方式，将清楚本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是可以以各种形式实现。示例性实施方式仅仅作为示例来提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容仅由所附权利要求书的范围限定。

用于描述本公开内容的示例性实施方式的附图中所示的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记一般标示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。在本文中所使用的诸如“包括”、“具有”和“由......构成”的术语通常意在允许添加其它部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何提及可以包括复数，除非另外明确规定。

部件被解释为包括普通误差范围，即使未明确说明也是如此。

当使用诸如“在...上”、“在...上方”、“在...下方”和“邻接”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或多个部件可以位于两个部件之间。

当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接置于其它元件上或直接置入其间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各个部件，但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面提到的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。

在整个说明书中，相同附图标记通常标示相同的元件。

为了便于描述，示出了附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度，但是本公开内容不限于所示部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此依附或组合且可以以技术上不同的方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地实施。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。

将参照图1和图2描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100。

图1和图2所示的显示设备100包括基板101，并且所述基板101包括像素区AA和非像素区NA。

在非像素区NA中，形成有多个焊盘122，其将驱动信号提供至设置在像素区AA中的多个信号线106。这里，信号线106可以包括扫描线SL、数据线DL、高电位电压VDD供给线和低电位电压VSS供给线中的至少一者。

像素区AA还可以包括断开区DA和孔区HA。

由于孔区HA被设置在像素区AA中，因此孔区HA可以被设置在像素区AA中的多个子像素SP包围。孔区HA被示出为具有圆形形状，但不限于此，并且可以形成为具有多边形形状或椭圆形形状。即，可以根据对应的传感器模块的形状来确定孔区HA的形状。

子像素SP被构造成包括发光二极管130。子像素SP可以包括发光二极管130和独立地驱动发光二极管130的像素驱动电路。在下文中，将以有机发光二极管为例对发光二极管130进行说明。

像素驱动电路可以包括开关晶体管TS、驱动晶体管TD和存储电容器Cst。

当将扫描脉冲提供至扫描线SL时，开关晶体管TS导通，以将提供至数据线DL的数据信号提供至存储电容器Cst和驱动晶体管TD的栅电极。

驱动晶体管TD响应于提供至驱动晶体管TD的栅电极的数据信号来控制从高电位电压VDD供给线提供至发光二极管130的电流，以控制发光二极管130的发光。然而，即使开关晶体管TS截止，驱动晶体管TD也通过在存储电容器Cst中充载的电压来提供电流，使得发光二极管130可以保持发光状态。

如图2所示，晶体管150包括：有源层154，其设置在有源缓冲层114上；栅电极152，其与有源层154交叠，栅极绝缘层116位于栅电极152与有源层154之间；以及源电极156和漏电极158。源电极156和漏电极158形成在多层化层间绝缘层102上以与有源层154接触。然而，晶体管150不限于此，并且如果必要可以省略有源缓冲层114。

有源层154可以由非晶半导体材料、多晶半导体材料和氧化物半导体材料中的至少任何一种形成。有源层154可以包括沟道区、源极区和漏极区。沟道区与栅电极152交叠，栅极绝缘层116位于栅电极152与沟道区之间，以在源电极156与漏电极158之间形成沟道区。有源层154的源极区通过穿过栅极绝缘层116和多层化层间绝缘层102的接触孔电连接至源电极156。有源层154的漏极区通过穿过栅极绝缘层116和多层化层间绝缘层102的接触孔电连接至漏电极158。

多缓冲层(multi buffer layer)112被包括在有源层154与基板101之间。多缓冲层112使渗透到基板101中的水分和/或氧气的扩散延迟。可以被设置在多缓冲层112上的有源缓冲层114保护有源层154并阻挡从基板101引入的各种类型的缺陷。基板101可以例如由第一聚酰亚胺基板101a、基板绝缘层101b和第二聚酰亚胺基板101c形成，但不限于此。有源缓冲层114和栅极绝缘层116可以由SiOx形成以抑制氢向有源层的扩散，但是不限于此。

多缓冲层112、有源缓冲层114和基板101中的至少一者可以形成为具有多层化结构。有源缓冲层114、多缓冲层112、栅极绝缘层116和多层化层间绝缘层102可以由具有优异的防水性能的无机绝缘层形成。例如，栅极绝缘层116、有源缓冲层114、多缓冲层112和多层化层间绝缘层102可以由SiNx和SiOx中的任何一种形成。

多个信号线106可以由与形成晶体管150和存储电容器Cst的金属层相同的金属层形成。多个信号线106设置在栅极绝缘层116和多层化层间绝缘层102上，从而可以设计高分辨率面板并形成存储电容器Cst。

多层化层间绝缘层102可以包括第一层间绝缘层102a、第二层间绝缘层102b和第三层间绝缘层102c，但是不限于此。层间绝缘层102的数量可以根据面板设计而变成两层或四层或更多层。

多个信号线106可以形成为具有包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或其合金的单层或多层结构。

发光二极管130包括：阳极电极132，其连接至晶体管150的漏电极158；形成在阳极电极132上的至少一个有机发光二极管134；以及阴极电极136，其形成在有机发光二极管134上以连接至低压VSS供给线。这里，低压VSS供给线提供相对低于高压VDD的低压VSS。

阳极电极132电连接至晶体管150的漏电极158，晶体管150的漏电极158通过穿过设置在晶体管150上的上覆层(over coating layer)104的像素接触孔露出。这里，晶体管150可以是驱动晶体管TD。每个子像素SP的阳极电极132设置在上覆层104上，以通过堤部-间隔部层138露出。上覆层104可以称为平坦化层。堤部-间隔部层138可以指被构造成如下的层：其执行堤部和/或间隔部的功能并且被形成为使得通过半色调曝光(half-toneexposure)工艺产生堤部与间隔部之间的高度差，但不是限于此。

当将阳极电极132应用于底部发光型电致发光显示设备时，阳极电极132由诸如铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO的透明导电膜形成。此外，当将阳极电极132应用于顶部发光型电致发光显示设备时，阳极电极132形成为包括透明导电膜和具有高反射效率的不透明导电膜的多层化结构。透明导电膜由具有较高功函数的材料例如铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO形成，并且不透明导电膜由包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或其合金的单层或多层化结构形成。例如，阳极电极132可以形成为具有依次层叠了透明导电层、不透明导电层和透明导电层的结构。

有机发光二极管134可以形成为使得空穴传输层、发光层和电子传输层以该顺序或相反的顺序层叠在阳极电极132上。有机发光二极管134可包括：公共层，其形成在整个像素区AA上；和发光层，其仅在阳极电极132上被图案化以表现特定子像素SP的颜色。

阴极电极136形成在有机发光二极管134和堤部-间隔部层138的上表面和侧表面上，从而与阳极电极132相对，有机发光二极管134位于阴极电极136与阳极电极132之间。

封装单元140阻挡水分或氧气渗透到容易受到来自外部的水分或氧气影响的发光二极管130中。为此，封装单元140包括多个无机封装层142和146以及设置在多个无机封装层142与146之间的异物补偿层144，并且无机封装层146设置在顶层上。例如，封装单元140可以被构造成包括至少一个无机封装层和至少一个异物补偿层(foreign materialcompensation layer)。在本说明书中，将以在第一无机封装层142与第二无机封装层146之间设置有异物补偿层144的封装单元140的结构为例进行说明，但不限于此。

第一无机封装层142形成在阴极电极136上。第一无机封装层142由其上允许低温沉积的无机封装材料例如硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx、硅氮氧化物SiON或铝氧化物Al₂O₃形成。因此，由于第一无机封装层142是在低温气氛下沉积的，因此在第一无机封装层142的沉积过程中，可以保护易受高温气氛影响的有机发光二极管134。

第二无机封装层146被形成为覆盖异物补偿层144的上表面和侧表面以及第一无机封装层142的通过异物补偿层144露出的顶表面。异物补偿层144的上表面、下表面和侧表面被第一无机封装层142和第二无机封装层146密封。因此，最小化或阻挡了水分或氧气从外部渗透到异物补偿层144中或异物补偿层144中的水分或氧气渗透到发光二极管130中。第二无机封装层146由诸如硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx、硅氮氧化物SiON或铝氧化物Al₂O₃的无机绝缘材料形成。

异物补偿层144用作缓冲部，以减轻当电致发光显示设备弯曲时在层之间产生的应力并增强平坦化性能。此外，异物补偿层144形成为具有比无机封装层142和146更大的厚度，以抑制由异物引起的裂纹。异物补偿层144由有机绝缘材料例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯或硅氧碳SiOC形成。

当形成异物补偿层144时，形成外部坝128和内部坝108以限制异物补偿层144的移动。

至少一个外部坝128被形成为完全包围其中设置有子像素SP的像素区AA，如图1所示，或者被形成在像素区AA与非像素区NA之间。当其中设置有多个焊盘122的非像素区NA设置在基板101的一侧时，外部坝128可以仅设置在基板101的一侧。当设置有多个焊盘122的非像素区NA被设置在基板101的两侧时，外部坝128可以被设置在基板101的两侧。当设置多个外部坝128时，外部坝128被设置成以预定间隔彼此间隔开。因此，当异物补偿层144从一个外部坝128溢出时，与之间隔开的另一外部坝128可以另外阻挡溢出的异物补偿层144。上述外部坝128的各种结构可以阻挡异物补偿层144扩散到非像素区NA。

至少一个内部坝108被设置为完全包围设置在孔区HA中的基板孔120。在这种情况下，设置多个内部坝108，内部坝108被设置成彼此间隔开预定间隔。类似地，对于外部坝128，内部坝108可以形成有单层或多层化结构108a和108b。例如，内部坝108和外部坝128中的每一个由与上覆层104和堤部-间隔部层138中的至少一个相同的材料同时形成，使得可以避免掩模的添加过程和成本增加。内部坝108可以抑制可以用作水分渗透路径的异物补偿层144扩散到孔区HA中。这里，有机发光二极管134设置在内部坝108上。原因是当形成像素区AA时，有机发光二极管134沉积在整个像素区AA上。相比之下，从外部坝128的顶表面去除了有机发光二极管134。

由于有机发光二极管134极易受水分渗透，因此通过基板孔120形成了从孔区HA到像素区AA的水分渗透路径，使得水分可能传输至发光二极管130，这可能会导致缺陷。

断开区DA设置在孔区HA与像素区AA之间。换言之，断开区DA被构造成包围孔区HA的外侧。在断开区DA中，可以设置内部坝108和至少一个断开结构110。

断开结构110设置在内部坝108与基板孔120之间。换言之，断开结构110被构造成包围孔区HA的外侧。断开结构110被构造成包括檐部110a和沟槽110b。

檐部110a由与上覆层104和堤部-间隔部层138中的至少一个相同的材料形成，并且在形成上覆层104和堤部-间隔部层138时同时形成。换言之，檐部110a可以在形成内部坝108时同时形成，从而可以避免掩模添加过程和成本增加。檐部110a被构造成具有突出到沟槽110b上方的悬伸。檐部110a可以设置在沟槽110b的至少一个侧表面上。例如，檐部110a可以邻近孔区HA设置在沟槽110b上方。例如，檐部110a可以邻近像素区AA设置在沟槽110b上方。例如，檐部110a可以邻近像素区AA和孔区HA设置在沟槽110b上方的两侧，以彼此间隔开。参照图2，示出了其中断开结构110的檐部110a设置在沟槽110b的两侧处的示例性实施方式，但是不限于此。与沟槽110b交叠的檐部110a被构造成具有预定的锥角θ。例如，锥角θ可以是10°至90°，但不限于此。

沟槽110b设置在檐部110a之下。即，沟槽110b可以形成在檐部110a的下方。沟槽110b通过蚀刻设置在基板101与上覆层104之间的多缓冲层112、有源缓冲层114、栅极绝缘层116和多层化层间绝缘层102中的至少一个来形成。

沟槽110b在形成檐部110a之后形成，并且在形成有机发光二极管134之前形成。根据上述构造，有机发光二极管134和/或阴极电极136会通过檐部110a和沟槽110b被断开。

更具体地，当形成有机发光二极管134和阴极电极136时，有机发光二极管134和阴极电极136会通过包括具有悬伸的檐部110a和沟槽110b的断开结构110被断开，而不具有连续性。

参照图2，示出了在沟槽110b中断开的有机发光二极管134和阴极电极136。因此，即使水分从外部沿着设置成与孔区HA相邻的有机发光二极管134渗透，也可以通过断开结构110阻挡或延迟水分渗透到像素区AA中。此外，即使沿着设置成与孔区HA相邻的阴极电极136引入静电，也可以通过断开结构110阻挡静电向像素区AA的扩散。

例如，檐部110a的从沟槽110b突出的悬伸被构造成具有预定的宽度X1和X2。悬伸的宽度X1和X2可以从沟槽110b的侧表面突出大约0.1μm。如果檐部110a的悬伸的宽度X1和X2从沟槽110b的侧表面突出小于0.1μm，则当形成有机发光二极管134和阴极电极136时，有机发光二极管134和阴极电极136可能未完全断开。因此，可能沿着有机发光二极管134在像素区AA中引起诸如水分渗透或静电产生的问题。

例如，内部檐部与外部檐部之间的距离X3可以为0.1μm或更大。如果内部檐部与外部檐部之间的距离X3小于0.1μm，则当形成有机发光二极管134和阴极电极136时，有机发光二极管134和阴极电极136可能未完全断开。因此，可能沿着有机发光二极管134在像素区AA中引起诸如水分渗透或静电产生的问题。

例如，沟槽110b可以被构造成具有预定深度Y。沟槽110b的深度可以为至少0.1μm。如果沟槽110b的深度Y小于0.1μm，则有机发光二极管134和阴极电极136可能未完全断开。因此，可能沿着有机发光二极管134在像素区AA中引起诸如水分渗透或静电产生的问题。

例如，沟槽110b的宽度可以是檐部110a的悬伸的宽度Xl和X2与檐部110a之间的距离X3之和，但不限于此。

例如，外部檐部的悬伸的宽度X1和内部檐部的悬伸的宽度X2可以彼此相等或彼此不同。

另外，有机发光二极管134是否断开比阴极电极136是否断开更重要，因此断开结构110需要被设计成优先考虑有机发光二极管134是否断开。

沟槽110b的内部被构造成由无机封装层密封。参照图2，与有机发光二极管134断开的阴极电极136被设置在沟槽110b中。沟槽110b中的其余区域由第一无机封装层142密封，使得可以阻挡水分渗透。

基板孔120形成为穿过基板101和基板101上的多个无机绝缘层。例如，基板孔120形成为穿过孔区HA、孔区HA附近的无机绝缘层112、114、116和102、有机发光二极管134、阴极电极136以及无机封装层142和146，以使基板101的上表面露出。

将参照图3描述根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备200。

除了断开结构210之外，根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备200与根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100基本相同。因此，为了便于描述，下面将省略重复的描述。

根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备200被构造成包括断开结构210。断开结构210被构造成包括檐部210a和沟槽210b。

檐部210a可以设置在沟槽210b的一个侧表面上。在图3中，即使檐部210a作为示例被设置在沟槽210b的外部，檐部也可以设置在沟槽210b中。沟槽210b的内部被构造成由无机封装层密封。断开的有机发光二极管134和断开的阴极电极136设置在沟槽210b中。如果根据本公开内容的另一示例性实施方式的断开结构210的距离X3与根据本公开内容的示例性实施方式的断开结构110的距离X3相同，则檐部210a可以仅形成在一个侧表面上。因此，断开结构210的宽度可以进一步相对地减小。相应地，减小了断开区DA的宽度。

将参照图4描述根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备300。

除了断开结构310之外，根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备300与根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100基本相同。因此，为了便于描述，下面将省略重复的描述。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备300被构造成包括断开结构310。断开结构310被构造成包括檐部310a和沟槽310b。

通过蚀刻设置在基板101与上覆层104之间的所有的多缓冲层112、有源缓冲层114、栅极绝缘层116和多层化层间绝缘层102而形成沟槽310b。即，可以通过蚀刻以使基板101的顶表面露出而形成断开结构310的沟槽310b。根据上述结构，沟槽310b的深度Y可以形成得更深。具体地，随着根据本公开内容的又一示例性实施方式的沟槽310b的深度Y增加，与根据本公开内容的示例性实施方式的沟槽110b相比，有机发光二极管134和阴极电极136可以更容易地断开。此外，多缓冲层112、有源缓冲层114、栅极绝缘层116和多层化层间绝缘层102是无机绝缘层，从而可以通过相同的蚀刻工艺形成沟槽310b。更具体地，可能需要附加的工艺来蚀刻第二聚酰亚胺基板101c。然而，可以通过从多层化层间绝缘层102到多缓冲层112的单蚀刻工艺来形成沟槽310b。

将参照图5描述根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备400。

除了断开结构410之外，根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备400与根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100基本相同。因此，为了便于描述，下面将省略重复的描述。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备400被构造成包括断开结构410。断开结构410被构造成包括檐部410a和沟槽410b。断开结构410还包括蚀刻停止件410c。

蚀刻停止件410c可以由与多个信号线106之一相同的金属层形成。

可以根据沟槽410b的所需深度Y选择蚀刻停止件410c。参照图5，多个信号线106被设置在多个无机绝缘层上。这里，为了调节沟槽410b的深度Y，可以将上部信号线用作蚀刻停止件，或者可以将下部信号线用作蚀刻停止件。蚀刻停止件410c沿着檐部410a和沟槽410b形成。即，当檐部410a和沟槽410b的形状在平面图中为圆形时，蚀刻停止件410c也形成为具有圆形形状。蚀刻停止件410c的截面宽度形成为大于沟槽410b的截面宽度。例如，蚀刻停止件410c的截面宽度可以大于檐部的悬伸的宽度X1和X2与檐部410a之间的距离X3之和。此外，蚀刻停止件410c形成为从沟槽410b进一步向外突出。根据上述构造，蚀刻停止件410c可以容易地调节沟槽410b的深度Y，并且不需要附加过程。

将参照图6描述根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备500。

除了断开结构510之外，根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备500与根据本公开内容的示例性实施方式的显示设备100基本相同。因此，为了便于描述，下面将省略重复的描述。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备500被构造成包括断开结构510。断开结构510被构造成包括檐部510a和沟槽510b。

檐部510a被构造成具有至少两个悬伸锥角。参照图6，与沟槽510b对应的檐部510a被构造成具有第一锥角θ1和第二锥角θ2。

第一锥角θ1小于第二锥角θ2。第二锥角θ2可以为90°或更小。根据上述构造，檐部510a的第二锥角θ2大于第一锥角θ1，从而可以增加檐部510a的端部的厚度。因此，当有机发光二极管134和阴极电极136形成在檐部510a的悬伸上时，有机发光二极管134和阴极电极136可以更容易地断开。此外，悬伸的端部的厚度越大，檐部510a的结构越牢固。

将参照图7描述根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备600。

除了断开结构610之外，根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备600与根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示设备500基本相同。因此，为了便于描述，下面将省略重复的描述。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备600被构造成包括断开结构610。断开结构610被构造成包括檐部610a和沟槽610b。

檐部610a被构造成具有至少三个悬伸锥角。参照图7，与沟槽610b对应的檐部610a被构造成具有第一锥角θ1、第二锥角θ2和第三锥角θ3。

第一锥角θ1小于第三锥角θ3。第三锥角θ3可以为90°或更小。第二锥角θ2小于第一锥角θ1和第三锥角θ3。根据上述配置，檐部610a的第三锥角θ3大于第一锥角θ1，使得檐部610a的端部的厚度可以增加。此外，第二锥角θ2小于第一锥角θ1和第三锥角θ3，使得悬伸的端部可以突出，同时保持悬伸的端部的相对较大的厚度。因此，当有机发光二极管134和阴极电极136形成在檐部610a的悬伸上时，有机发光二极管134和阴极电极136可以更容易地断开。此外，悬伸的端部的厚度越大，檐部610a的结构越牢固。

将参照图8描述根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备700。

除了断开结构710的数量不同之外，根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备700与本发明的示例性实施方式的显示设备100基本相同。因此，为了便于描述，下面将省略重复的描述。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示设备700被构造成包括多个断开结构710。多个断开结构710的数量为至少两个，例如，两个至二十个。多个断开结构710被设置成彼此间隔开，并且外部断开结构710被形成为包围内部断开结构710。利用上述构造，可以改进有机发光二极管134的断开性能。此外，可以通过选择性地组合根据本公开内容中公开的各种示例性实施方式的断开结构中的一些断开结构来采用断开结构710。

在根据本公开内容的各种示例性实施方式的显示设备中，包括摄像机、扬声器、闪光灯光源或诸如指纹传感器的生物计量传感器的电子部件可以设置在孔区中。摄像机模块可以包括摄像机镜头和摄像机驱动器。根据本公开内容的各种示例性实施方式，盖玻璃可以被设置在显示设备上。偏光板可以设置在盖玻璃下方。摄像机模块被设置在像素区中以减小显示设备的非像素区。

尽管已经参考附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且可以在不脱离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式来实现。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅出于说明性目的，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是示例性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求书来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开内容的范围内。

Claims (15)

1.一种显示设备，包括：

基板，其包括像素区，所述像素区包括包围孔区的断开区；

在所述像素区和所述断开区中的有机发光二极管；

多个无机绝缘层，所述多个无机绝缘层被设置在所述有机发光二极管之下；

断开结构，其设置在所述断开区中并且包围所述孔区；以及

内部坝，其设置在所述断开区中并且包围所述断开结构，

其中，所述断开结构包括与所述内部坝同时形成的檐部和通过蚀刻设置在所述檐部之下的所述多个无机绝缘层来形成的沟槽，并且

所述断开结构被构造成通过所述檐部和所述沟槽具有预定的悬伸和预定的深度。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述断开结构的所述预定的悬伸为0.1μm或更大。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述断开结构的所述预定的深度为0.1μm或更大。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机发光二极管通过所述断开结构的所述预定的悬伸和所述预定的深度与所述沟槽断开。

5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个无机绝缘层包括多层化层间绝缘层、栅极绝缘层、多缓冲层和有源缓冲层中的至少一者，并且所述沟槽是通过蚀刻所述多个无机绝缘层中的至少一些而被形成的。

6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述多个无机绝缘层包括SiNx和SiOx中的一者。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机发光二极管被设置在所述内部坝上。

8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述檐部被构造成具有第一锥角。

9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述檐部被构造成具有第二锥角。

10.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：

设置在所述孔区中的摄像机模块。

11.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：

外部坝，其设置在所述像素区与所述基板中包括的非像素区之间以包围所述像素区。

12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，从所述外部坝的顶表面去除了所述有机发光二极管。

13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述断开结构还包括设置在所述沟槽中的所述多个无机绝缘层上的蚀刻停止件。

14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述蚀刻停止件由与设置在所述像素区中的多个信号线之一相同的金属层制成。

15.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述蚀刻停止件的截面宽度大于所述沟槽的截面宽度。

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