CN112768368A - 一种半导体大功率器件封装设备的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，通过用照相机从覆盖孔的开口的覆盖带上拍摄图像，来对容纳在载带的压纹孔(第一孔)中的半导体器件的外观进行检查，在这种情况下，由于可以防止从孔的开口入射到半导体装置中的光的反射光直接入射到照相机上，因此将外观上有不良部位的半导体装置判定为不良品，可以预防。
Description
技术领域
本发明涉及封装技术领域，具体为一种半导体大功率器件封装设备的制造方法。
背景技术
当运送树脂密封的半导体器件时，例如，准备具有用于容纳半导体器件的压纹孔的载带，并且将每个半导体器件容纳在该压纹孔中。接下来，在用盖带密封(包胶)压花孔后，将载带缠绕在包带盘上以进行运输。
在压纹孔的底部形成孔。当半导体器件被容纳在压纹孔中时，使用一种装置，该器件用于通过从形成在压纹孔底部的孔中的真空抽吸将半导体器件引导到压纹孔中。此外，通过将销从载带的外部插入该孔中井向上推半导体器件，可以从载带中取出半导体器件。
发明内容
本发明人正在研究一种用于在将包含半导体器件的载带缠绕在带盘上之后在视觉上检查半导体器件的手段。也就是说，盖带，同时将载带半导体装置从卷带容纳比在压花孔的半导体装置的照明的辐照被，CCD照相机的半导体装置的目视检查通过获取因半导体装置的图像。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，包括以下方法；
S1：首先由多个分割区域形成区的半导体芯片的隔室已经在半导体晶片中的二级管元件（半导体元件，以形成一个）；
S2：然后在每个半导体芯片形成区域中形成该二极管元件，随后，沿着分割区域分割半导体晶片；
S3：然后在分割后的各个半导体芯片中所包含的二极管元件的正极和负极的每一个形成在颗粒的主表面侧上形成的正面电机或背面侧上，把电连接到任一背面电极；
S3：然后通过与阴极侧和两个阳极侧引线成对而形成CU或者FE、NI，使用由AU形成的导线将另一条引线与表面电极电连接。
S4：然后粒料和引线模制树脂在密封；
S5：然后在这样形成之后的模制树脂根性识别标记和产品识别标记的表面上；
S6：然后制备具有压花孔的载带，并将二极管封装件容纳在该孔中；在用盖带封装打孔之后，将载带缠绕在带盘上；
S7：然后通过从盖带上观察孔中的二极管封装同时将拉出缠绕在带盘上的载带来检查二极管封装的外观；
S8：然后在其中没有二极管封装有缺陷的部分被发现通过此外观检查可以发出此物。
S9：最后进行目视检查后，可以将载带缠绕在空的编带轴上，以获得运输形式。
优选的，两个所述阳极侧引线具有在颗粒部电极下方制备的引线框架，且粘合在引线之一上。
优选的，所述引线框架切下引线，且制造树脂密封的二极管封装。
优选的，其中一个所述二极管封装被容纳在一个孔中。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过用照相机从覆盖孔的开口的覆盖带上拍摄图像，来对容纳在载带的压纹孔(第一孔)中的半导体器件的外观进行检查，在这种情况下，由于可以防止从孔的开口入射到半导体装置中的光的反射光直接入射到照相机上，因此将外观上没有不良部位的半导体装置判定为不良品，可以预防。
附图说明
图1为本发明流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，包括以下方法；
S1：首先由多个分割区域形成区的半导体芯片的隔室已经在半导体晶片中的二级管元件（半导体元件，以形成一个）；
S2：然后在每个半导体芯片形成区域中形成该二极管元件，随后，沿着分割区域分割半导体晶片；
S3：然后在分割后的各个半导体芯片中所包含的二极管元件的正极和负极的每一个形成在颗粒的主表面侧上形成的正面电机或背面侧上，把电连接到任一背面电极；
S3：然后通过与阴极侧和两个阳极侧引线成对而形成CU或者FE、NI，使用由AU形成的导线将另一条引线与表面电极电连接。
S4：然后粒料和引线模制树脂在密封；
S5：然后在这样形成之后的模制树脂根性识别标记和产品识别标记的表面上；
S6：然后制备具有压花孔的载带，并将二极管封装件容纳在该孔中；在用盖带封装打孔之后，将载带缠绕在带盘上；
S7：然后通过从盖带上观察孔中的二极管封装同时将拉出缠绕在带盘上的载带来检查二极管封装的外观；
S8：然后在其中没有二极管封装有缺陷的部分被发现通过此外观检查可以发出此物。
S9：最后进行目视检查后，可以将载带缠绕在空的编带轴上，以获得运输形式。
优选的，两个所述阳极侧引线具有在颗粒部电极下方制备的引线框架，且粘合在引线之一上。
优选的，所述引线框架切下引线，且制造树脂密封的二极管封装。
优选的，其中一个所述二极管封装被容纳在一个孔中。
实施例二：
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，包括以下方法；
S1：首先由多个分割区域形成区的半导体芯片的隔室已经在半导体晶片中的二级管元件（半导体元件，以形成一个）；
S2：然后在每个半导体芯片形成区域中形成该二极管元件，随后，沿着分割区域分割半导体晶片；
S3：然后在分割后的各个半导体芯片中所包含的二极管元件的正极和负极的每一个形成在颗粒的主表面侧上形成的正面电机或背面侧上，把电连接到任一背面电极；
S3：然后通过与阴极侧和两个阳极侧引线成对而形成CU或者FE、NI，使用由AU形成的导线将另一条引线与表面电极电连接；两个所述阳极侧引线具有在颗粒部电极下方制备的引线框架，且粘合在引线之一上；所述引线框架切下引线，且制造树脂密封的二极管封装；
S4：然后粒料和引线模制树脂在密封；
S5：然后在这样形成之后的模制树脂根性识别标记和产品识别标记的表面上；
S6：然后制备具有压花孔的载带，并将二极管封装件容纳在该孔中；在用盖带封装打孔之后，将载带缠绕在带盘上；
S7：然后通过从盖带上观察孔中的二极管封装同时将拉出缠绕在带盘上的载带来检查二极管封装的外观；其中一个所述二极管封装被容纳在一个孔中；
S8：然后在其中没有二极管封装有缺陷的部分被发现通过此外观检查可以发出此物。
S9：最后进行目视检查后，可以将载带缠绕在空的编带轴上，以获得运输形式。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，其特征在于：包括以下方法；
S1：首先由多个分割区域形成区的半导体芯片的隔室已经在半导体晶片中的二级管元件（半导体元件，以形成一个）；
S2：然后在每个半导体芯片形成区域中形成该二极管元件，随后，沿着分割区域分割半导体晶片；
S3：然后在分割后的各个半导体芯片中所包含的二极管元件的正极和负极的每一个形成在颗粒的主表面侧上形成的正面电机或背面侧上，把电连接到任一背面电极；
S4：然后通过与阴极侧和两个阳极侧引线成对而形成CU或者FE、NI，使用由AU形成的导线将另一条引线与表面电极电连接；
S5：然后粒料和引线模制树脂在密封；
S6：然后在这样形成之后的模制树脂根性识别标记和产品识别标记的表面上；
S7：然后制备具有压花孔的载带，并将二极管封装件容纳在该孔中；在用盖带封装打孔之后，将载带缠绕在带盘上；
S8：然后通过从盖带上观察孔中的二极管封装同时将拉出缠绕在带盘上的载带来检查二极管封装的外观；
S9：然后在其中没有二极管封装有缺陷的部分被发现通过此外观检查可以发出此物；
S10：最后进行目视检查后，可以将载带缠绕在空的编带轴上，以获得运输形式。
2.根据权利要求1所述的一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，其特征在于：两个所述阳极侧引线具有在颗粒部电极下方制备的引线框架，且粘合在引线之一上。
3.根据权利要求1所述的一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，其特征在于：所述引线框架切下引线，且制造树脂密封的二极管封装。
4.根据权利要求1所述的一种半导体大功率器件封装设备的制造方法，其特征在于：其中一个所述二极管封装被容纳在一个孔中。
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| CN1516250A (zh) * | 1996-10-17 | 2004-07-28 | ������������ʽ���� | 半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带 |
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