CN112701127A - 电子装置 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一种电子装置，具有周边区。电子装置包括第一基板、第二基板、第一支撑件、平坦层以及配向层。第二基板与第一基板相对设置。第一支撑件设置于周边区，且设置于第一基板与第二基板之间。平坦层设置于第一基板上，具有第一部分及开口。第一部分设置于开口中，且第一支撑件和第一部分在第一基板的法线方向上重叠。配向层设置于平坦层上。第一部分上的配向层具有第一厚度。开口中的配向层具有第二厚度。第一厚度大于或等于零且小于第二厚度。

Description

电子装置

技术领域

本揭露涉及一种电子装置，尤其涉及一种在周边区中设置开口的电子装置。

背景技术

电子产品已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这类电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的品质、功能或价格抱有很高的期望。

因此，电子产品需被改良，例如改善电子装置的可靠性，但仍存在一些问题需要解决。

发明内容

本揭露是针对一种具有较佳可靠性或显示品质的电子装置。

根据本揭露的实施例，电子装置具有周边区，包括第一基板、第二基板、第一支撑件、平坦层以及配向层。第二基板与第一基板相对设置。第一支撑件设置于周边区，且设置于第一基板与第二基板之间。平坦层设置于第一基板上，具有第一部分及开口。第一部分设置于开口中，且第一支撑件和第一部分在第一基板的法线方向上重叠。配向层设置于平坦层上。第一部分上的配向层具有第一厚度。开口中的配向层具有第二厚度。第一厚度大于或等于零且小于第二厚度。

综上所述，本揭露实施例的电子装置，可通过平坦层具有开口及位于开口中的第一部分的设置，提升电子装置的结构可靠度、可靠性、性能或显示品质。

附图说明

包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1为本揭露一实施例的电子装置的上视示意图；

图2为图1的电子装置的剖面线A-A’及剖面线B-B’的剖面示意图；

图3为本揭露另一实施例的电子装置的上视示意图；

图4为图3的电子装置的剖面线A-A’及剖面线C-C’的剖面示意图。

具体实施方式

本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、组件、基材)之上，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的元件、或上述元件的组合，但不限于此。

在本揭露中，可使用扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)、薄膜厚度轮廓测量仪(α-step)、椭圆测厚仪或其它合适的方式测量各层的厚度。详细而言，在一些实施例中，可使用扫描式电子显微镜取得结构的剖面图像，并测量各层于图像中的厚度。上述厚度，可为任一剖面图像中于法线方向上的最大厚度，换句话说，可为电子装置局部区域中的最大厚度。此外，上述使用扫描式电子显微镜进行测量厚度的方式包括，将电子装置拆解裂片后所取得的单一基板后，再使用扫描式电子显微镜层别厚度。在本揭露中，可使用光学显微镜(optical microscopy，OM)、扫描式电子显微镜或其它合适的方式测量的厚度。

本揭露的显示装置可应用于各种电子装置。电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)或发光二极管；发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot,QD，可例如为QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、或其他适合的材且其材料可任意排列组合，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以显示装置作为电子装置或拼接装置以说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。

在本揭露中，以下所述的各种实施例系可在不背离本揭露的精神与范围内做混合搭配使用，例如一实施例的部分特征可与另一实施例的部分特征组合而成为另一实施例。

现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1为本揭露一实施例的电子装置的上视示意图。为了附图清楚及方便说明，图1省略示出了若干元件。图2为图1的电子装置的剖面线A-A’及剖面线B-B’的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图2省略示出了若干元件。请参考图1以及图2，电子装置10包括第一基板100、第二基板200、支撑件(包括第一支撑件PS1)、平坦层130以及配向层150。在本实施例中，第二基板200与第一基板100相对设置，且第一支撑件PS1设置于第一基板100与第二基板200之间。平坦层130设置于第一基板100上，且具有第一部分131以及开口133。平坦层130的第一部分131于法线方向N上位于开口133中，且第一支撑件PS1和第一部分131在第一基板100的法线方向N上重叠。配向层150设置于平坦层130上。在本实施例中，电子装置10还可包括多层导电层(包括第一导电层M1与第二导电层M2(标示于图4))、绝缘层140、封装元件160、遮光层BM、填平层220(overcoat layer,OC)或显示介质层DM(标示于图4)。绝缘层140设置在平坦层130上。封装元件160设置在绝缘层140上围绕支撑件。遮光层BM设置在第二基板200上，且填平层220设置在遮光层BM上，使遮光层BM位于填平层220与第二基板200之间。第一支撑件PS1可设置于填平层220上。此外，遮光层BM设置于第二基板200与第一支撑件PS1之间。在本实施例中，平坦层130的开口133可形成容置空间，使平坦层130接触封装元件160的面积增加。此外，配向层150可以形成在开口133的容置空间中，增加配向层150与平坦层130的接触面积。如此一来，封装元件160与平坦层130和/或配向层150与平坦层130的黏着力可被提升，以增加电子装置10的可靠性。此外，开口133所形成的容置空间可缓冲被支撑件挤压和/或推挤的绝缘层140的横向应力，绝缘层140被支撑件挤压而破裂的风险可以降低，可以减少水气穿过破裂的绝缘层140影响平坦层130或导电层，而提升电子装置10的可靠性和/或性能。

在本实施例中，电子装置10包括第一基板100、与第一基板100相对设置的第二基板200以及设置于第一基板100与第二基板200之间的多个支撑件。第一基板100或第二基板200可以是透明基板，例如透明塑料基板或是玻璃基板。举例而言，第一基板100或第二基板200的材料可以包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、玻璃纤维、陶瓷、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不限于此。支撑件的材料包括光阻材料或其他合适的材料。支撑件的材料还可以包括无机材料、有机材料、其他合适的材料或上述材料的组合，但不限于此。上述无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层。上述有机材料例如是(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。

如图1及图2所述，本实施例的电子装置10具有周边区12。周边区12可定义为设置于电子装置10的边缘且环绕工作区(示出于图3及图4)的区域，但本实施例不以此为限。在本实施例中，支撑件包括多个第一支撑件PS1设置于第一基板100和/或第二基板200上，且这些第一支撑件PS1设置于周边区12中，但本实施例不以此为限。在一些实施例中，支撑件还可以设置于工作区中。在本实施例中，支撑件可以阵列方式或其他合适方式设置于周边区12中，但不以此为限。

在本实施例中，第一导电层M1可以设置于第一基板100上，再通过图案化工艺而形成多条走线、多个电极或多个接垫(pad)。举例来说，如图1及图2所示，在第一基板100上，第一导电层M1可至少在周边区12中形成扫描线、栅极线(图未示)或栅极G，但不以此为限。在一些实施例中，第一导电层M1可以设置在第一基板100的上，并依需求在第一基板100的任意位置上进行图案化。在本实施例中，第一导电层M1的材质包括金属材料，例如铝、钼、铜、镍、钛、银、其他适合的金属、上述金属的合金、或上述金属的组合，但不以此为限。在本实施例中，第一导电层M1的图案化工艺包括微影蚀刻(photolithography)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)、物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)、原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)或网印(screen printing)，但本实施例不以此为限。

栅绝缘层110设置于第一基板100上并部分覆盖第一导电层M1。栅绝缘层110的材质包括无机材料、有机材料、其他合适的材料或上述材料的组合，但不限于此。上述无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层。上述有机材料例如是(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。

在本实施例中，多个主动元件T可以设置于第一基板100上。主动元件T包括栅极G、半导体层CH、源极S及漏极D。如图1和图2所示，半导体层CH设置于栅绝缘层110上，且源极S及漏极D电性接触半导体层CH。介电层120设置于栅绝缘层110上且部分覆盖半导体层CH、源极S及漏极D，但本实施例不以此为限。主动元件T包括薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)，例如顶栅极式薄膜晶体管、底栅极式薄膜晶体管或其他合适的薄膜晶体管，但不限于此。在本实施例中，栅极G属于第一导电层M1，而源极S及漏极D属于第二导电层M2。第二导电层M2的材质可包括由钼、铝、铜、镍、钛、银、其他适合的金属、上述金属的合金、或上述金属的组合，但不限于此。半导体层CH可包括由非晶质硅、低温多晶硅、或金属氧化物所组成，但不限于此。在一些实施例中，不同的主动元件T可包括不同的半导体层CH材料，但不限于此。

在本实施例中，第二导电层M2可以设置于栅绝缘层110上，且还可通过图案化工艺而形成多条信号走线或多个接垫。多条信号走线例如为数据线(图未示)、共用电极线(图未示)、电源线(图未示)、接地线(图未示)或其他合适的线路，但本实施例不以此为限。在本实施例中，多个主动元件T可于栅绝缘层110与介电层120中，电性连接第一导电层M1与第二导电层M2而应用为主动元件阵列或栅极驱动电路(gate on array，GOA)，但本实施例不以此为限。

介电层120设置于栅绝缘层110上并部分覆盖第二导电层M2。介电层120的材质包括无机材料、有机材料、其他合适的材料或上述材料的组合，但不限于此。上述无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层。上述有机材料例如是(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。

平坦层130设置于介电层120上。在本实施例中，平坦层130例如是整面地设置于介电层120上，且部分地位于周边区12中，并与电子装置10的外边缘具有距离(未标示)。也就是说，平坦层130不与第一基板100的边缘切齐。从另一角度来说，平坦层130与第一基板100的边缘具有一间隔距离。平坦层130在第一基板100的法线方向N上重叠第一导电层M1、第二导电层M2和/或多个主动元件T。平坦层130的材质包括有机材料，但本实施例不以此为限。举例来说，平坦层130的材质包括全氟烷氧基聚合物树脂(perfluoroalkoxy polymerresin，PFA)、聚合物(polymer film on array，PFA)、氟橡胶(fluoroelastomers)等材料所组成，但不以此为限。在一些实施例中，平坦层130的材质也可以包括无机材料、其他合适的材料或上述材料的组合，但不限于此。

在本实施例中，平坦层130的厚度例如是0.1微米(μm)至5微米(0.1微米≤厚度≤5微米)，或1.5微米至2.5微米(1.5微米≤厚度≤2.5微米)，但本揭露不以此为限。在本实施例中，平坦层130的厚度可定义为，于裂片后，平坦层130在第一基板100的法线方向N上的最大厚度。在上述的设置下，平坦层130可具有足够的厚度，使周边区12的开口133也可具有足够的厚度，使后续的配向层150于制作过程中可流入开口133中，使平坦层130上的配向层151厚度减少，而于开口133中的配向层153的厚度增加。而配向层153厚度的增加可以增加其配向的锚定能(anchoring energy)。此外，第一部分131上配向层151的厚度减少，可以减少后续制程可能产生的碎块，可以提升电子装置10的可靠性或性能，或提升电子装置10的显示品质。

绝缘层140设置在平坦层130上。在本实施例中，绝缘层140例如是整面地设置于第一基板100上并部分覆盖平坦层130，且部分地位于周边区12中。绝缘层140的材质包括无机材料。上述无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层。在一些实施例中，绝缘层140的材质还包括有机材料、其他合适的材料或上述材料的组合，但不限于此。上述有机材料例如是(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。在本实施例中，绝缘层140为无机材料、平坦层130为有机材料，但不以此为限。

在本实施例中，绝缘层140的厚度例如是0.1微米至0.8微米(0.1微米≤厚度≤0.8微米)，或0.25微米至0.75微米(0.25微米≤厚度≤0.75微米)，但本揭露不以此为限。在本实施例中，绝缘层140的厚度可定义为，于裂片后，绝缘层140在第一基板100的法线方向N上的最大厚度。值得注意的是，平坦层130的厚度除以绝缘层140的厚度大于或等于1.5且小于或等于

在上述的设置下，绝缘层140可保护平坦层130不受水气的影响，或平坦层130可具有足够的厚度使平坦层130接触绝缘层140的表面能够平坦，以提升电子装置10的结构可靠性。

配向层150设置于平坦层130上的绝缘层140上。在本实施例中，配向层150设置第一基板100上，而部分地配向层150位于周边区12中。配向层150在第一基板100的法线方向N上可重叠部分的平坦层130或绝缘层140。从另一角度来说，绝缘层140设置在平坦层130与配向层150之间，但本实施例不以此为限。配向层150的材质包括有机材料，例如聚酰亚胺，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，配向层150的材质也可以包括无机材料。上述无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层。

在本实施例中，配向层150的厚度例如是300埃

至1500埃(300埃≤厚度≤1500埃)，或500埃至1200埃(500埃≤厚度≤1200埃)，但本揭露不以此为限。在本实施例中，配向层150的厚度可定义为，于裂片后，配向层150在第一基板100的法线方向N上的最大厚度。

遮光层BM设置在第二基板200上。在本实施例中，遮光层BM可部分地位于周边区12中。遮光层BM，例如是黑色矩阵(black matrix)，但本揭露不以此为限。遮光层BM可以图案化而具有多个图案化开口(图未示)已对应多个像素区(图未示)。举例来说，遮光层BM可以在第一基板100的法线方向N上，对应重叠第一导电层M1的图案化走线(图未示)或第二导电层M2的图案化信号走线(图未示)，但本揭露不以此为限。

填平层220设置在遮光层BM上。在本实施例中，填平层220可以设置在遮光层BM上，而部分地位于周边区12中。填平层220，例如是透明的填平层，但本揭露不以此为限。

值得注意的是，本实施例的遮光层BM在周边区12中具有凹槽OP，且凹槽OP在周边区12中可环绕电子装置10。凹槽OP在第一基板100的法线方向上与平坦层130不重叠。换句话说，遮光层BM的凹槽OP位于遮光层BM不重叠平坦层130的区域中。在本实施例中，凹槽OP与电子装置10的外边缘11之间具有距离K，距离K可例如是10微米至150微米(10微米≤距离K≤150微米)，或50微米至100微米(50微米≤距离K≤100微米)。上述的距离K可定义为，在垂直第一基板100的法线方向N上，局部区域中电子装置10的外边缘11至凹槽OP的外边缘211之间的最短距离。凹槽OP的宽度W可为10微米至100微米(10微米≤宽度W≤100微米)，或15微米至25微米(15微米≤宽度W≤25微米)。上述凹槽OP的宽度W可定义为，在垂直第一基板100的法线方向N上，局部区域中凹槽OP的最大宽度。

在上述的设置下，填平层220可以填入凹槽OP中以增加填平层220与遮光层BM的接触面积或黏着强度，可以提升电子装置10的可靠性或性能，或提升电子装置10的显示品质。

多个支撑件设置于第一基板100或第二基板200的其中之一者上。在本实施例中，多个支撑件包括多个第一支撑件PS1设置于周边区12中。第一支撑件PS1设置于第二基板200上的填平层220上并对顶至第一基板100上的平坦层130。具体来说，第一支撑件PS1对顶至平坦层130上的绝缘层140的表面，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，第一支撑件PS1也可以不接触绝缘层140。在一些实施例中，第一支撑件PS1也可以与配向层151接触，由于开口133的设置，可使平坦层130的第一部分131上的配向层151的厚度减少，减少第一支撑件PS1接触与配向层151接触，使接触时可能因挤压而造成的配向层151的碎块减少，可以提升电子装置10的可靠性或性能，或提升电子装置10的显示品质。

在本实施例中，电子装置10还包括配向层250。配向层250可设置在填平层220上并环绕第一支撑件PS1。也就是说，配向层250可与第一支撑件PS1直接接触，在第一基板100的法线方向上N1，配向层250不位于第一支撑件PS1与填平层220之间，但本实施例不以此为限。在一些实施例中，配向层250可与第一支撑件PS1的侧壁直接接触。在一些实施例中，配向层250可与第一支撑件PS1的顶表面直接接触。在另一些实施例中，配向层250也可以不接触第一支撑件PS1。配向层250的材质与配向层150的材质可相同或不同，包括有机材料，例如聚酰亚胺，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，配向层250的材质也可以包括无机材料。上述无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层。

封装元件160设置于周边区12，且位于第一基板100与第二基板200之间。在本实施例中，封装元件160例如为框胶(sealant)，环绕地设置于电子装置10邻近外边缘之处，而重叠周边区12的部分。举例来说，封装元件160可在第一基板100的法线方向N上重叠部分第一导电层M1的走线、部分第二导电层M2的信号走线以及主动元件T。封装元件160的材质包括环氧树脂(epoxy resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、光固化型胶材、热固化型胶材、光热固化型胶材、其他合适的材料、或上述材料的组合，但本揭露不以此为限。

本实施例的电子装置10为应用在封装元件160中设置第一支撑件PS1的技术。在上述的设置下，封装元件160可直接接触配向层150、配向层250，且封装元件160围绕第一支撑件PS1。此外，本实施例的电子装置10还包括在周边区12设置平坦层130且平坦层130在第一基板100的法线方向N上部分重叠封装元件160。由于平坦层130可在周边区12中覆盖第一导电层M1、第二导电层M2以和/或主动元件T，藉此可以维持显示介质层(示出于图4)厚度的一致性，使电子装置10的整体厚度一致或相似，提升结构可靠性或性能。此外，平坦层130还可以在周边区12中保护走线以和/或主动元件T，提升电子装置10的显示品质。

值得注意的是，平坦层130具有第一部分131与开口133。如图1及图2所述，平坦层130可经图案化形成多个开口133、开口133A以环绕多个对应的第一部分131。也就是说，第一部分131可以设置于开口133和/或开口133A中，而形成例如孤岛(island)形态。由图1可知，第一部分131在第一基板100的法线方向N上(例如为俯视方向上)可为圆形，而开口133、开口133A环绕第一部分131而在第一基板100的法线方向N上具有弧形边缘，例如为圆弧形，但本实施例不以此为限。在一些实施例中，第一部分131、开口133和/或开口133A在俯视上也可为椭圆形、矩形、三角形、不规则形或其他合适的形状，但不限于此。在本实施例中，开口133和开口133A的距离W1可分别为5微米至50微米(5微米≤距离W1≤50微米)。第一部分131的宽度W3为15微米至50微米(15微米≤宽度W3≤50微米)，或25微米至30微米(25微米≤宽度W3≤30微米)。开口133、开口133A的距离W1可定义为，开口133、开口133A的开口侧壁与第一部分131之间在垂直第一基板100的法线方向N上的最小距离。第一部分131的宽度W3可定义为第一部分131在垂直第一基板100的法线方向N上的最大宽度。

在本实施例中，开口133、开口133A例如是平坦层130于第一基板100的法线方向N上形成的凹槽。开口133于第一基板100的法线方向N上可以贯穿平坦层130，但本实施例不以此为限。绝缘层140可以覆盖平坦层130，并填入开口133、开口133A中和/或覆盖开口133、开口133A中的第一部分131的顶表面和/或侧壁。第一部分131的侧壁与法线方向N并非平行，而是具有一倾角，于一侧面方向看，形成的第一部分131大致为梯形的形状，可使第一部分131的表面积加大，而此倾角可使后续于制作配向层的过程中可使配向层流入开口133、开口133A中，使第一部分131上的配向层151的厚度减少，而于开口133、开口133A中的配向层153的厚度增加，但不以此为限。如此一来，平坦层130可通过开口133、开口133A来增加与绝缘层140接触的表面，藉此增加平坦层130与绝缘层140之间的黏着力或可靠性。

此外，形成于绝缘层140上的配向层150可以在第一基板100的法线方向N上部分重叠第一部分131、开口133、第一部分131及开口133以外的平坦层130。举例来说，在形成配向层150的制程工艺中，邻近开口133的外边缘的配向层150会沿着绝缘层140的表面滑入开口133中而形成在开口133的容置空间中。如此一来，配向层150可包括在第一基板100的法线方向N上重叠部分第一部分131(例如在第一部分131上)的配向层151以及位于开口133中的配向层153。在上述的设置下，配向层150的表面积可以增加。如此一来，封装元件160与配向层150(包括在第一部分121上的配向层151与开口133中的配向层153)直接接触的面积可以增加。藉此，封装元件160与配向层150的黏着力或可靠性可以增加。

在本实施例中，第一部分131上的配向层151具有第一厚度H1，开口133中的配向层153具有第二厚度H2。第一厚度H1大于或等于零，且第一厚度H1小于第二厚度H2。举例而言，第一厚度H1大于或等于0埃且小于或等于500埃，但本揭露不以此为限。第二厚度大于0埃且小于或等于5000埃。在一些实施例中，第二厚度H2也可以是大于或等于500埃且小于或等于1200埃，但本揭露不以此为限。在本实施例中，第一厚度H1可定义为，大致上位于第一部分131的中心区域上的配向层151在第一基板100的法线方向N上的最小厚度。上述最小厚度可定义为，扫描式电子显微镜取得结构的任一剖面图像中的最小厚度。第二厚度H2可定义为，位于开口133中的配向层152在第一基板100的法线方向N上的最大厚度。

另外，第一支撑件PS1在第一基板100的法线方向N上重叠第一部分131，也就是说第一支撑件PS1对顶第一部分131。在本实施例中，第一支撑件PS1的宽度W2小于第一部分131的宽度W3。在本实施例中，宽度W2可定义为，在垂直第一基板100的法线方向N上，第一支撑件PS1的最大宽度。宽度W3可定义为，在垂直第一基板100的法线方向N上，第一部分131的最大宽度。第一支撑件PS1的宽度W2为5微米至40微米(5微米≤宽度W2≤40微米)，或9.5微米至15微米(9.5微米≤宽度W2≤15微米)，但本实施例不限于此。

在一些实施例中，在周边区12的配向层150不与第一基板100的外边缘切齐，配向层250不与第二基板200的外边缘切齐，藉此可以暴露出部分的无机材料的层别，例如(但不限于)绝缘层140、介电层120、栅极绝缘层110、第一基板100或第二基板200。如此一来，封装元件160可直接接触无机材料的层别，可增加电子装置10的结构可靠性或显示品质。

在本实施例中，如图2所示，位于开口133中的第一部分131可以与第一导电层M1在第一基板100的法线方向N上重叠。对顶于第一部分131的第一支撑件PS1可以在第一基板100的法线方向N上重叠第一导电层M1，但本实施例不以此为限。在一些实施例中，不重叠于第一支撑件PS1的平坦层130也可以与第一导电层M1、第二导线层M2或主动元件T在第一基板100的法线方向N上重叠，本实施例不以此为限。在本实施例中，绝缘层140设置于第一支撑件PS1与平坦层130之间。如此一来，当第一支撑件PS1直接接触并挤压绝缘层140时，平坦层130的开口133所形成的容置空间可缓冲被第一支撑件PS1挤压和/或推挤的绝缘层140的横向应力。具体来说，相较于平坦层130，较硬的绝缘层140可通过较软的平坦层130上的开口133而让绝缘层140可以横向移动以缓冲应力对绝缘层140的影响。因此，绝缘层140被第一支撑件PS1挤压而破裂的风险可以降低。此外，还可以减少水气穿过破裂的绝缘层140使平坦层130吸湿膨润的现象，或可以减少绝缘层140所覆盖的导电层受到水气的影响，提升电子装置10的可靠性和/或性能或显示品质。

在本实施例中，封装元件160还可以填入开口133中。如此一来，可以增加封装元件160与绝缘层140或封装元件160与平坦层130的接触面积。藉此，封装元件160分别与绝缘层140或平坦层130的黏着力可被提升，以增加电子装置10的可靠性。

在一些实施例中，多个开口133可依据使用者需求，对应或不对应支撑件设置。此外，由于多个支撑件的尺寸大小可依据使用者需求设置，因此多个开口133的尺寸还须对应所对应的支撑件的尺寸大小设计。换句话说，开口133的距离W1可相同或不同，不同位置的开口133的距离W1尺寸可相同或不同，本实施例不以此为限。举例来说，图2所示的位于邻近电子装置10的外边缘11的开口133的距离W1可以大于或等于位于远离外边缘11的开口133A的距离W1，但本实施例不以此为限。举例来说，邻近外边缘11的开口133的距离W1可为10微米，而远离外边缘11的开口133A的距离W1可为6微米，但本实施例不以此为限。如此一来，可依据支撑件的设计需求或依支撑件所在的不同位置需求调整开口宽度，以增加支撑件与绝缘层140的黏着力。须注意的是，为了附图清楚及方便说明，图2示意性地将不同开口133、开口133A的距离W1大小以及不同支撑件的距离W1大小示出为一致，但本领域的技术人员应能理解，只要开口133的距离W1能够重叠导电层并使配向层150能填入开口133、开口133A，则可在不背离本揭露的精神与范围内做混合搭配使用。

在本实施例中，封装元件160的部分还可在第一基板100的法线方向N上重叠绝缘层140和/或介电层120，但不重叠平坦层130。也就是说，封装元件160的外边缘在第一基板100的法线方向上可位于第一基板100的外边缘与平坦层130的外边缘之间，但本实施例不以此为限。在一些实施例中，封装元件160的外边缘也可以与平坦层130的外边缘切齐。在一些实施例中，封装元件160的外边缘也可以与第一基板100的外边缘切齐。此外，遮光层BM的凹槽OP在法线方向N上也可不重叠封装元件160，但本实施例不以此为限。

简言之，本揭露一实施例的电子装置10，由于可在周边区12内设置平坦层130，且平坦层130上具有多个开口133及位于开口133中的第一部分131。藉此，可增加平坦层130的接触面积，并使平坦层130上的配向层150于制作过程中流入多个开口133中，可减少平坦层130上的配向层151的厚度，使封装元件160与平坦层130间的黏着力提升，以提升电子装置10的结构可靠度。此外，配向层150可流入开口133中，使平坦层130上的配向层151厚度减少，可以减少配向层151可能产生的碎块。如此一来，可以提升电子装置10的可靠性或性能。另外，位于第一部分131上的配向层151的第一厚度H1小于开口133中的配向层153的第二厚度H2，如此一来，可以增加配向层150与绝缘层140的黏着力，或使第一支撑件PS1可以接触绝缘层140以增加第一支撑件PS1与绝缘层140的黏着力。另外，封装元件160与配向层150的黏着力也可被提升。此外，开口133还可以缓冲被第一支撑件PS1挤压和/或推挤的绝缘层140的横向应力，使绝缘层140被第一支撑件PS1挤压而破裂的风险可以降低，并可以减少水气穿过破裂的绝缘层140使平坦层130吸湿膨润的现象，提升电子装置10的可靠性、性能或显示品质。另外，平坦层130在第一基板100的法线方向N上重叠第一导线层M1、第二导线层M2或主动元件T，还可以保护上述元件，减少外界环境直接影响电子元件的性能，提升电子装置10的性能或显示品质。

图3为本揭露另一实施例的电子装置的上视示意图。为了附图清楚及方便说明，图3省略示出了若干元件。图4为图3的电子装置的剖面线A-A’及剖面线C-C’的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图4省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10A大致相似于图1的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10之处主要在于电子装置10A更具有工作区14。

详细来说，工作区14例如可定义为电子装置10A具有信号可调功能的区域，例如光信号或电磁波信号，但本实施例不以此为限。在本实施例中，工作区14可邻近周边区12设置且被周边区12所环绕，但本实施例不以此为限。工作区14中可包括多个工作电极(图未示)(可例如是像素电极、共用电极)以及主动元件阵列(图未示)。请参考图3以及图4，在工作区14中，第一基板100上设置有主动元件T，且平坦层130设置于介电层120上，并在第一基板100的法线方向N上部分重叠第一导电层M1、第二导电层M2以及主动元件T。在本实施例中，显示介质层(display medium)DM还可以设置于第一基板100与第二基板200之间。显示介质层DM的材料包括液晶材料、电湿润显示材料、电泳显示材料等，但本实施例不以此为限。主动元件T与像素电极电性连接，且用于提供驱动电场来驱动显示介质层DM，以达成需要的信号可调效果。

在本实施例中，电子装置10A的平坦层130还具有多个开口134设置于工作区14中。工作区14中的开口134大致相似于周边区12中的开口133，因此不再重述。工作区14中的开口134的宽度W4大小与周边区12中的开口133的距离W1大小可以相同或不同，本实施例不加以限制。举例来说，周边区12中的开口133的距离W1可以大于或等于工作区14中的开口134的宽度W4，或者工作区14中的开口134的宽度W4可以大于或等于周边区12中的开口133的距离W1，但本实施例不以此为限。

在本实施例中，配向层150还包括设置于第一部分132上的配向层152与设置于开口134中的配向层154。如图4所示，第一部分132上的部分配向层可以滑入开口134中而成为形成在开口134的容置空间中的配向层154。

如图3及图4所示，电子装置10A还包括第二支撑件PS2设置于工作区14，且第二支撑件PS2设置于第一基板100与第二基板200之间。举例来说，第二支撑件PS2可设置在工作区14中开口134中的第一部分132上。第二支撑件PS2大致相似于第一支撑件PS1，因此不再重述。第二支撑件PS2在第一基板100的法线方向N上重叠第一部分132，也就是说第二支撑件PS2对顶至第一部分132。此外，相对于第一支撑件PS1，第二支撑件PS2在第一基板100的法线方向N上可以重叠第二导电层M2。在一些实施例中，第二支撑件PS2在第一基板100的法线方向N上可以重叠第一导电层M1及第二导电层M2，但不以此为限。在一些实施例中，第二支撑件PS2对顶至平坦层130上的绝缘层140的表面，但本实施例不限于此。在另一些实施例中，第二支撑件PS2也可以与配向层152接触，由于开口134的设置，可使平坦层130的第一部分132上配向层152的厚度减少，减少第二支撑件PS2与配向层152接触，使接触时可能造成的配向层152的破碎块减少，如此一来，可以提升电子装置10A的可靠性或性能，或提升电子装置10A的显示品质。

在本实施例中，第二支撑件PS2的宽度小于第一部分132的宽度。第二支撑件PS2的宽度为15微米至50微米(15微米≤宽度≤50微米)，或20微米至30微米(20微米≤宽度≤30微米)。第二支撑件PS2的宽度可定义为第一支撑件PS2在垂直第一基板100的法线方向N上的最大宽度。此外，第一支撑件PS1的宽度与第二支撑件PS2的宽度可以相同或不相同。在一些实施例中，第一支撑件PS1的宽度可以大于或等于第二支撑件PS2的宽度。在另一些实施例中，第二支撑件PS2的宽度可以大于或等于第一支撑件PS1的宽度，但本揭露不以此为限。

值得注意的是，本实施例的第一支撑件PS1的高度H3与第二支撑件PS2的高度H4相同。举例来说，第一支撑件PS1的高度H3为1微米至6微米(1微米≤高度H3≤6微米)，或2微米至4微米(2微米≤高度H3≤4微米)。第二支撑件PS2的高度H4为1微米至6微米(1微米≤高度H4≤6微米)，或2微米至4微米(2微米≤高度H4≤4微米)。第一支撑件PS1的高度H3可定义为位于第一部分131上的第一支撑件PS1在第一基板100的法线方向N上的最大高度。第二支撑件PS2的高度H4可定义为位于第一部分132上的第二支撑件PS2在第一基板100的法线方向N上的最大高度。在上述的设置下，工作区14中的第二支撑件PS2所维持的厚度与周边区12中的第一支撑件PS1所维持的厚度可大致上一致或相似。如此一来，电子装置10A的整体厚度可以大致上一致或相似，以提升结构可靠性或性能，或提升电子装置10A的显示品质。

综上所述，本揭露实施例的电子装置，由于可在周边区和/或工作区内设置平坦层，且平坦层上具有多个开口及位于开口中的第一部分。藉此，可增加平坦层的接触面积，并使平坦层上的配向层于制作过程中流入多个开口中，可减少平坦层上的配向层厚度，减少配向层可能产生的碎块，或使第一支撑件和/或第二支撑件可以接触绝缘层以分别增加第一支撑件和/或第二支撑件与绝缘层的黏着力，提升封装元件与平坦层间的黏着力，可提升电子装置的可靠性或性能，或提升电子装置整体的结构可靠度。另外，开口还可以缓冲被支撑件(包括第一支撑件或第二支撑件)挤压和/或推挤的绝缘层的横向应力，使绝缘层被支撑件挤压而破裂的风险可以降低，减少水气穿过破裂的绝缘层使平坦层吸湿膨润的现象，提升电子装置的可靠性、性能或显示品质。平坦层在第一基板的法线方向上重叠第一导线层、第二导线层或主动元件，可以保护电子装置中的电子元件，减少外界环境影响电子元件的性能，提升电子装置的性能或显示品质。

此外，平坦层与绝缘层的厚度的比例可提升绝缘层保护平坦层不受水气的影响的效果。使平坦层具有足够的厚度，可增加平坦层接触绝缘层的表面平坦度，以提升电子装置的结构可靠性。遮光层在不对应重叠平坦层的区域上可设置凹槽，填平层可以填入凹槽中以增加黏着强度，可以提升电子装置的可靠性、性能或显示品质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。且本揭露的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims (10)

1.一种电子装置，具有周边区，其特征在于，所述电子装置包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对设置；

第一支撑件设置于所述周边区，且设置于所述第一基板与所述第二基板之间；

平坦层设置于所述第一基板上，具有第一部分及开口，所述第一部分设置于所述开口中，且所述第一支撑件和所述第一部分在所述第一基板的法线方向上重叠；以及

配向层设置于所述平坦层上，

其中，所述第一部分上的所述配向层具有第一厚度，所述开口中的所述配向层具有第二厚度，且所述第一厚度大于或等于零且小于所述第二厚度。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述第一基板的法线方向上，所述开口具有弧形边缘。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一厚度大于或等于0埃且小于或等于500埃。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括绝缘层设置在所述平坦层上，所述绝缘层设置于所述第一支撑件与所述平坦层之间。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括封装元件设置于所述周边区，且所述封装元件围绕所述第一支撑件。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述封装元件与所述配向层直接接触。

7.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述封装元件与所述平坦层在所述第一基板的法线方向上重叠。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置更具有工作区，邻近所述周边区设置，其中所述电子装置还包括：

第二支撑件设置于所述工作区，且设置于所述第一基板与所述第二基板之间，且所述第一支撑件的高度与所述第二支撑件的高度相同。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括第一导电层，所述第一部分与所述第一导电层在所述第一基板的法线方向上重叠。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括遮光层设置于所述第二基板与所述第一支撑件之间，所述遮光层于所述周边区中具有凹槽，所述凹槽在所述第一基板的法线方向上与所述平坦层不重叠。

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