CN112640303B - 复合基板、压电元件以及复合基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本公开的复合基板是压电基板与蓝宝石基板被直接接合的复合基板，在所述蓝宝石基板的接合面具有台阶群构造。本公开的压电元件具备所述复合基板。本公开的复合基板的制造方法具备：准备工序，准备压电基板、以及具备相对于特定的结晶面而具有规定的偏离角的表面的蓝宝石基板；热处理工序，在氧化环境中对所述蓝宝石基板进行热处理，从而在该蓝宝石基板的所述表面形成台阶群；以及接合工序，将所述压电基板与所述蓝宝石基板的所述表面直接接合。
Description
技术领域
本公开涉及将压电基板与支承基板接合的构造的复合基板、具备该复合基板的压电元件以及复合基板的制造方法。
背景技术
近年来，要求便携电话等通信设备中使用的弹性表面波元件等的压电元件的小型化、高性能化。作为小型且高性能的压电元件，提出了在将压电基板与支承基板接合的复合基板的压电基板上形成有元件电极的结构的压电元件。作为支承基板，使用各种材料。其中尤以蓝宝石在机械强度、绝缘性、散热性方面更为优异，作为支承基板特别合适。
在复合基板中，因压电基板与支承基板的接合界面处的体波的反射引起的杂散成为问题。为了解决该问题，专利文献1中公开了通过研磨加工而使支承层表面粗糙化的层叠压电基板。专利文献2中记载了：将通过湿式蚀刻而形成有金字塔形状的凹凸构造的硅基板用作为支承基板。
但是，在研磨加工等的机械性粗糙化处理中，通过加工而形成包含残留应力、结晶缺陷的加工变质层。加工变质层存在容易成为接合强度下降的原因的趋势。硅的各向异性蚀刻由于结晶方位的差异引起的速率差大，出现均匀且整齐的金字塔状的凹凸。但是，蓝宝石的各向异性蚀刻的结晶方位间的速率差小，形状控制较难。关于蓝宝石的各向异性蚀刻，例如专利文献3中记载了基于热磷酸的凹坑形成。但是，这是以结晶缺陷为起点的蚀刻凹坑形成，难以形成均匀且整齐的凹凸。再有，在各向异性蚀刻中，还存在仅能形成特定的结晶方位的凹凸的这种问题。
另一方面，若针对特定的结晶面，以适当的条件对具有设置了规定的偏离角(倾斜角)的主面的单晶基板进行热处理，则其表面形成具有与所述结晶面和所述偏离角相应的特定的切面的、大致等间隔的阶梯构造(台阶群Step bunch)。例如，专利文献4中记载了：在大气环境下，对相对于c面、a面、m面或者r面倾斜规定角度的蓝宝石基板进行热处理，从而形成台阶群。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2014-147054号公报
专利文献2：JP特开2018-61226号公报
专利文献3：JP特开2005-47718号公报
专利文献4：JP特开2004-235794号公报
发明内容
-发明要解决的课题-
本公开的课题在于，提供压电基板与支承基板的接合强度高、且减少接合面处的体波的反射的复合基板以及压电元件。
-解决课题的手段-
本公开的复合基板是压电基板与蓝宝石基板被直接接合的复合基板，在所述蓝宝石基板的接合面具有台阶群构造。本公开的压电元件具备所述复合基板。本公开的复合基板的制造方法具备：准备工序，准备压电基板、以及具备相对于特定的结晶面而具有规定的偏离角的表面的蓝宝石基板；热处理工序，在氧化环境中对所述蓝宝石基板进行热处理，在该蓝宝石基板的所述表面形成台阶群；以及接合工序，将所述压电基板与所述蓝宝石基板的所述表面直接接合。
-发明效果-
根据本公开，能够提供压电基板与支承基板的接合强度高、且减少接合面处的体波的反射的复合基板以及压电元件。
附图说明
图1是表示本公开的一实施方式所涉及的复合基板的概略剖视图。
图2是表示图1所示的复合基板的主要部分的、代替附图的原子力显微镜(AFM)图像。
具体实施方式
参照附图，对本公开的复合基板以及压电元件进行说明。
<复合基板与压电元件>
图1中表示本公开的一实施方式所涉及的复合基板1的概略剖视图。复合基板1是压电基板2与蓝宝石基板3被直接接合的复合基板，在蓝宝石基板3的与压电基板2接合的接合面3a具有台阶群构造。本公开的一实施方式所涉及的压电元件具备复合基板1。作为压电元件，列举出振荡电路等中使用的振荡器、滤波器电路等中使用的表面弹性波元件、边界弹性波元件、体波元件等的弹性波元件等。
以下，对一实施方式所涉及的复合基板1的详细内容进行说明。复合基板1具有：具备对置的第1面2a以及第2面2b的压电基板2、具备对置的第3面3a以及第4面3b的蓝宝石基板3。并且，第2面2b与第3面3a相互对置，而被直接接合。在压电基板2的第1面2a形成元件电极，被用作为表面弹性波元件等的压电元件用的复合基板1。以下的说明中，为了方便，列举压电基板2是弹性表面波元件用的基板的例子来进行说明。压电基板2并不限于此，也可以是振动传感器等的传感器用基板、或者发送器用的基板等的其他用途或者功能的基板。
所谓直接接合，是指压电基板2与蓝宝石基板3不经由粘合剂等而直接接触来进行接合。作为具体的接合方式，列举扩散接合等。
复合基板1的第1面2a是元件电极等的元件形成面，第2面2b以及第3面3a是接合面，第4面3b是背面。元件形成面是如上述那样元件电极等的功能部分所在的部分。元件电极例如是位于相互啮合的位置的梳齿状电极。通过梳齿电极间的表面弹性波，进行在梳齿电极间传送的信号的滤波等。
以往，在具备复合基板的表面弹性波元件中，存在如下问题：在比通带(带通滤波器不使信号衰减而使其通过的频带)高的频率产生被称为杂散的噪声。该噪声因压电基板2与蓝宝石基板3(支承基板3)的接合界面处的体波的反射而引起。
本公开的复合基板1在蓝宝石基板3的与压电基板2接合的接合面3a具有台阶群。台阶群是具有特定的结晶方位的切面(Faceted face)的、大致等间隔的台阶构造。由于在蓝宝石基板3的接合面3a具有台阶群，因此体波的一部分在接合面3a被吸收。其结果，朝向元件形成面2a(即元件电极等的功能部分)的反射体波被减少。因此，能够有效地减少噪声的产生。
再有，通过台阶构造，也能够提高蓝宝石基板3与压电基板2的接合的强度。因此，能够提供压电基板2与蓝宝石基板3的接合强度高、且减少了接合面3a处的体波的反射的复合基板1。
第3面3a的X射线摇摆曲线的半值宽度例如是0.1°以下即可，还可以是0.05°以下。也就是说，结晶缺陷以及残留应力比较小。由此，能够更为有效地减少压电基板2与蓝宝石基板3的接合强度的下降，能够进一步减少体波的反射。X射线摇摆曲线能够使用X射线衍射装置(XRD装置)来进行测定。
在适当的条件下，对具备相对于c面、a面、m面、r面等的特定的结晶面而具有规定的偏离角的第3面3a的蓝宝石基板3进行热处理，从而能够形成台阶群。例如，通过对具备相对于c面具有规定的偏离角的第3面3a的蓝宝石基板3进行热处理，从而形成上表面为c面的台阶群。
图2中表示具有台阶群的蓝宝石基板2的原子力显微镜(AFM)图像。与图像(照片)一并表示了沿着图像的三角图形所示的线的解析图表。在图2所示的蓝宝石基板2中，以约200nm的台阶宽度、约2nm的台阶高度形成有台阶群。台阶宽度是解析图表的测定线上的各台阶的宽度(间隔)的平均值、即测定线的长度除以台阶数而得到的值，台阶高度是解析图表的测定线上的相邻的台阶彼此的纵轴方向的距离的平均值。
在第3面3a，特别优选将台阶大致垂直地横切的方向的线粗糙度曲线中的算术平均粗糙度Ra为0.05nm～2.0nm。所谓将台阶大致垂直地横切的方向，是台阶间的横向距离最小的方向、即第3面3a相对于特定的结晶方位面(例如c面)最倾斜的方向。该情况下的垂直未必限定于几何学上的定义的垂直的情况(交叉角准确是90°的情况)，包含±5°左右的偏差的情况。通过偏离角和热处理条件的控制，能够进行台阶群的台阶形状(宽度与高度)的控制。相对于c面、a面、m面、或者r面的偏离角为2°以下，特别优选是1°以下。台阶的宽度和高度分别是50nm～2μm以及0.2nm～10nm。
算术平均粗糙度Ra、台阶的宽度以及高度例如使用原子力显微镜(AFM)将测定范围设为约4μm2而能够测定。台阶的宽度以及高度可以根据在测定范围内将多个台阶大致垂直地横切的直线上的各台阶的宽度(间距)与高度(阶梯差)的平均值来求取。
压电基板2包含钽酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、氧化锌、水晶等具有压电性的材料。支承基板3是蓝宝石基板3。蓝宝石在机械强度、绝缘性、散热性方面优异，作为支承基板是合适的。若压电基板2的第1面2a的算术平均粗糙度Ra为1nm以下，则可获得良好的元件特性。若蓝宝石基板3的第4面3b的算术平均粗糙度Ra为1μm以上，则能够减少第4面3b处的体波的反射，因此对于元件特性的提高是有效的。
<复合基板的制造方法>
以下，对本公开所涉及的复合基板的制造方法进行说明。本公开的一实施方式所涉及的复合基板的制造方法具备：准备工序，准备压电基板2、以及具备相对于c面、a面、m面、r面等的特定的结晶面而具有规定的偏离角的第3面3a的蓝宝石基板3；热处理工序，在氧化环境中对蓝宝石基板3进行热处理，在第3面3a形成台阶群；以及接合工序，将压电基板2与蓝宝石基板3的第3面3a直接接合。通过以上工序，能够制作例如图1所示的这种复合基板。由于各工序中使用的部件与图1所示的部件相同，因此关于制造方法的图示省略。
以下，对一实施方式所涉及的复合基板的制造方法的详细内容进行说明。首先，准备具有对置的第1面2a以及第2面2b的压电基板2、具有对置的第3面3a以及第4面3b的蓝宝石基板3。第1面2a为元件形成面，第2面2b以及第3面3a为接合面，第4面3b为背面。蓝宝石基板3是将通过适当的生长方法而生长的锭状或带状的蓝宝石单晶体切断以使得相对于c面、a面、m面、r面等的特定的结晶面具有规定的偏离角而制作的。压电基板2的第2面2b以及蓝宝石基板3的第3面3a使用研磨装置等而进行平坦化加工。若第3面3a的算术平均粗糙度Ra加工为0.1μm以下，则获得高品质的台阶群。
接下来，在大气环境等的氧化环境中，对蓝宝石基板3的至少第3面3a进行热处理。例如，如果是大气环境处理，则以1000℃～1400℃实施1小时～24小时的热处理。通过该处理，在第3面3a形成台阶群。通过适当选择第3面3a的偏离角、处理温度和处理时间，能够获得具有所希望的形状(宽度和高度)的台阶群形状。
相对于在研磨加工等机械加工中，在加工表面存在包含大量的结晶缺陷、残留应力的加工变质层，具备台阶群的第3面3a的结晶缺陷、残留应力比较少，因此，与基于研磨加工等机械加工的凹凸构造相比，复合基板1的接合强度变大。台阶群与基于各向异性蚀刻的凹凸构造不同，基板的材质、结晶方位的选择的自由度高。再有，通过偏离角的控制还能够进行台阶形状(宽度和高度)的控制。
接下来，通过等离子处理等的方法，对压电基板2的第2面2b以及蓝宝石基板3的第3面3a的至少一方进行活性化处理。然后，将压电基板2与蓝宝石基板3通过不使用粘合材料的直接接合而进行接合。例如，在真空中、大气中或者规定的环境中对压电基板2与蓝宝石基板3进行加热以及(或者)加压从而使接合界面的原子扩散，来进行扩散接合。通过之前的活性化处理，能够降低接合时的温度，因此，能够减少因压电基板2与蓝宝石基板3的热膨胀率差引起的、损坏或者加工精度不良的原因。
在压电基板2与蓝宝石基板3的直接接合中，使用基于压电基板2与蓝宝石基板3之间的原子扩散的扩散接合。若蓝宝石基板3在第3面3a具有台阶群，则接合强度提高。在将压电基板2与蓝宝石基板3接合之后，也可以通过研磨加工等而使蓝宝石基板3的厚度变薄。该情况下，从第4面3b侧通过上述加工来除去蓝宝石基板3。也可以通过研磨加工等，使得压电基板2的厚度变薄。优选压电基板2的第1面2a通过CMP加工等而加工成算术平均粗糙度Ra为1nm以下。
以上，对本公开的实施方式进行了说明。但是，本公开并不限定于上述实施方式，在不脱离本公开的主旨的范围内可以进行各种的改良以及变更。
符号说明
1：复合基板
2：压电基板
2a：第1面(元件形成面)
2b：第2面(压电基板的接合面)
3：蓝宝石基板
3a：第3面(蓝宝石基板的接合面)
3b：第4面(背面)。
Claims (7)
1.一种复合基板，其是通过压电基板与蓝宝石基板被直接接合而成的，
在所述蓝宝石基板的与所述压电基板的接合面具有台阶群，
在所述接合面，将所述台阶群大致垂直地横切的方向的线粗糙度曲线中的算术平均粗糙度Ra为0.05～2.0nm。
2.一种复合基板，其是通过压电基板与蓝宝石基板被直接接合而成的，
在所述蓝宝石基板的与所述压电基板的接合面具有台阶群，
所述台阶群的各台阶的宽度为50nm～2μm，高度为0.2nm～10nm。
3.一种复合基板，其是通过压电基板与蓝宝石基板被直接接合而成的，
在所述蓝宝石基板的与所述压电基板的接合面具有台阶群，
所述接合面相对于c面、a面、m面、或者r面的偏离角为2°以下。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的复合基板，其中，
所述接合面的X射线摇摆曲线的半值宽度为0.1°以下。
5.一种压电元件，具备权利要求1至4的任意一项所述的复合基板。
6.根据权利要求5所述的压电元件，其中，
所述压电元件是表面弹性波元件。
7.一种复合基板的制造方法，具备：
准备工序，准备压电基板、以及具备相对于c面、a面、m面、或者r面而具有规定的偏离角的表面的蓝宝石基板；
热处理工序，在氧化环境中对所述蓝宝石基板进行热处理，在该蓝宝石基板的所述表面形成台阶群；以及
接合工序，将所述压电基板与所述蓝宝石基板的所述表面直接接合，
在所述准备工序中，准备相对于c面、a面、m面、或者r面的偏离角为2°以下的所述蓝宝石基板，在所述热处理工序中，通过大气环境处理以1000℃～1400℃进行1小时～24小时的热处理。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0883802A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-03-26 | Res Dev Corp Of Japan | 表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法 |
| CN105340178A (zh) * | 2013-07-02 | 2016-02-17 | 日本碍子株式会社 | 弹性波装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4522013B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2010-08-11 | 京セラ株式会社 | 単結晶サファイア基板の熱処理方法 |
| JP4278996B2 (ja) | 2003-01-29 | 2009-06-17 | 並木精密宝石株式会社 | ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法 |
| JP4593890B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-12-08 | 京セラ株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP4077805B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2008-04-23 | 松下電器産業株式会社 | 共振器の製造方法 |
| US20060160345A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Xing-Quan Liu | Innovative growth method to achieve high quality III-nitride layers for wide band gap optoelectronic and electronic devices |
| JP5145488B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2013-02-20 | 住友金属鉱山株式会社 | サファイア単結晶基板及びその製造方法 |
| JP4316632B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2009-08-19 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置及び分波器 |
| JP5443151B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-03-19 | 株式会社ディスコ | 複合基板の製造方法 |
| US9653313B2 (en) * | 2013-05-01 | 2017-05-16 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Stress relieving semiconductor layer |
| KR101636220B1 (ko) * | 2012-07-12 | 2016-07-04 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판, 압전 디바이스 및 복합 기판의 제법 |
| CN202931261U (zh) * | 2012-11-28 | 2013-05-08 | 日本碍子株式会社 | 用于弹性波装置的复合基板 |
| JP2014147054A (ja) | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 圧電基板及び弾性表面波素子 |
| WO2017111170A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
| JP6250856B1 (ja) | 2016-07-20 | 2017-12-20 | 信越化学工業株式会社 | 表面弾性波デバイス用複合基板及びその製造方法とこの複合基板を用いた表面弾性波デバイス |
| EP3942595A1 (en) * | 2019-03-18 | 2022-01-26 | Hexagem AB | Semiconductor template and fabrication method |
-
2019
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0883802A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-03-26 | Res Dev Corp Of Japan | 表面特性を改善するサファイア単結晶基板の熱処理方法 |
| CN105340178A (zh) * | 2013-07-02 | 2016-02-17 | 日本碍子株式会社 | 弹性波装置 |
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