CN112558365B - 一种走线结构及液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种走线结构及液晶显示面板。本申请技术方案通过在基板上设置了两条平行的第一短路棒和第二短路棒，第一短路棒和第二短路棒间隔设置，并在基板上设置用于点灯测试的焊接引线，其中，第一短路棒位于第二短路棒和焊接引线之间，而第一短路棒上开设有第一开口，第一开口可通过干蚀刻将第一半导体硅层去除，以裸露所述第一短路棒，而转接线的一端与第二短路棒连接，转接线的另一端经过第一短路棒与焊接引线连接。可在第一开口靠近焊接引线一侧的第一半导体硅层上开设第二开口，使第二开口朝向焊接引线方向延伸至基板的边缘，使第一半导体硅层完全被阻断，进而阻断寄生薄膜晶体效应。

Description

一种走线结构及液晶显示面板

技术领域

本申请涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种走线结构及液晶显示面板。

背景技术

目前在显示面板行业覆晶薄膜晶体的绑定作业(COF bonding)前，需要通过短路棒(shorting bar)点灯的方式来进行点灯测试。在完成测试后，需要将短路棒(shortingbar)的走线用激光器(laser)切掉。而一般的短路棒(shorting bar)走线结构M1以及焊接引线(bonding lead)之间的走线结构M2分别是金属层，该金属层存在坡度角，在半导体硅(AS)干刻蚀时时间不足或干刻蚀能量不足，则容易导致坡度角上的AS有残留，残留的AS会导致M1和两条相邻M2之间形成寄生薄膜晶体(TFT)，从而导致相邻M2之间讯号相互影响。

发明内容

本申请的主要目的是提供一种走线结构及液晶显示面板，旨在解决相邻M2之间讯号相互影响的技术问题。

为实现上述目的，本申请提出的一种走线结构，所述走线结构包括：

基板；

两条焊接引线，两条所述焊接引线间隔设置于所述基板上；

第一短路棒，所述第一短路棒设置于所述基板上；

第二短路棒，所述第二短路棒设置于所述基板上，且与所述第一短路棒间隔、平行设置，所述第一短路棒包覆有第一半导体硅层，所述第一半导体硅层上开设有第一开口，以裸露所述第一短路棒，所述第一短路棒位于所述第二短路棒和所述焊接引线之间；

两条转接线，所述转接线的数量与所述焊接引线的数量一致，所述转接线的一端与所述焊接引线连接，所述转接线的另一端交替地与所述第一短路棒和所述第二短路棒连接，所述第一开口靠近焊接引线一侧的第一半导体硅层开设有第二开口，所述第二开口位于相邻的两条所述转接线之间，所述第二开口朝向所述焊接引线方向延伸至基板的边缘，以使相邻的两条所述转接线之间第一半导体硅层阻断。

优选的，在所述第一短路棒的长度方向上，所述第二开口的间隙大于5um。

优选地，所述第二短路棒包覆有第二半导体硅层，所述第二半导体硅层上开设有第三开口，以裸露所述第二短路棒，所述走线结构还包括：

若干转接件，若干所述转接件间隔设置于所述第三开口内的第二短路棒上，两条所述焊接引线间隔设置，所述转接线的一端与所述转接件连接，相邻的两条所述转接线之间的第二半导体硅层形成漏电路径，所述第三开口靠近所述焊接引线一侧的所述第二半导体硅层与所述转接件间隔设置。

优选地，所述第三开口靠近所述焊接引线一侧的第二半导体硅层开设有间隔缺口，所述间隔缺口与所述第三开口连通，在所述第二短路棒的长度方向上，所述间隔缺口的长度大于所述转接件的长度。

优选地，所述间隔缺口具有第一侧边和两条第二侧边，所述第一侧边的两端分别连接两所述第二侧边，两所述第二侧边远离所述第一侧边的一端分别连接所述第二半导体硅层，在所述第二短路棒的长度方向上，所述第一侧边与所述转接件之间设置有第一间隙，所述第二侧边远离所述第一侧边的一端与所述转接件之间设置有第二间隙。

优选地，所述第三开口靠近所述焊接引线一侧的所述第二半导体硅层设置有第四开口，所述第四开口与所述第三开口连通，所述第四开口沿所述第二短路棒的长度方向延伸设置，所述第四开口朝向所述焊接引线的侧边与所述转接件间隔设置，以形成第三间隙。

优选地，所述第一间隙大于或者等于3um，所述第二间隙大于或者等于3um。

优选地，所述第三间隙大于或者等于3um。

优选地，所述转接件由金属材料制作而成。

本申请提出的一种液晶显示面板，包括上述所述的走线结构，以及

阻光层，所述阻光层涂覆于所述基板上，所述第一短路棒设置于所述阻光层上。

本申请技术方案通过在基板上设置了两条平行的第一短路棒和第二短路棒，第一短路棒和第二短路棒间隔设置，并在基板上设置用于点灯测试的焊接引线，其中，第一短路棒位于第二短路棒和焊接引线之间，而第一短路棒上开设有第一开口，第一开口可通过干蚀刻将第一半导体硅层去除，以裸露所述第一短路棒，而转接线的一端与第二短路棒连接，转接线的另一端经过第一短路棒与焊接引线连接。可在第一开口靠近焊接引线一侧的第一半导体硅层上开设第二开口，使第二开口朝向焊接引线方向延伸至基板的边缘，使第一半导体硅层完全被阻断，进而阻断寄生薄膜晶体效应。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本申请走线结构一实施例的结构示意图；

图2为图1中N的局部放大图；

图3为图2中K-K的截面图；

图4为图3经过干蚀刻后的截面图；

图5为本申请走线结构再一实施例的结构示意图；

图6为本申请走线结构再一实施例的结构示意图；

图7为图6中N2的局部放大图；

图8为本申请走线结构又一实施例的结构示意图；

图9为图8中N3的局部放大图。

附图标号说明：

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明，本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本申请中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。

如图1至图9所示，本申请提出了一种走线结构100，所述走线结构100包括：基板10；两条焊接引线40，两条所述焊接引线40间隔设置于所述基板10上；第一短路棒21，所述第一短路棒21设置于所述基板10上；第二短路棒31，所述第二短路棒31设置于所述基板10上，且与所述第一短路棒21间隔、平行设置，所述第一短路棒21包覆有第一半导体硅层22，所述第一半导体硅层22上开设有第一开口A，以裸露所述第一短路棒21，所述第一短路棒21位于所述第二短路棒31和所述焊接引线40之间；两条转接线50，所述转接线50的数量与所述焊接引线40的数量一致，所述转接线50的一端与所述第二短路棒31连接，且另一端经过所述第一短路棒21与所述焊接引线40连接，所述第一开口A靠近焊接引线40一侧的第一半导体硅层22开设有第二开口B，所述第二开口B位于相邻的两条所述转接线50之间，所述第二开口B朝向所述焊接引线40方向延伸至基板10的边缘，以使相邻的两条所述转接线50之间第一半导体硅层22阻断。

目前在显示面板行业覆晶薄膜晶体的绑定作业(COF bonding)前，需要通过短路棒(shorting bar)点灯的方式来进行点灯测试。在完成测试后，需要将短路棒(shortingbar)的走线用激光器(laser)切掉。而一般的短路棒(shorting bar)以及焊接引线40(bonding lead)是金属层，该金属层(及短路棒)存在坡度角，在半导体硅(AS)干刻蚀时，若时间不足或干刻蚀能量不足，则容易导致短路棒坡度角上的半导体硅有残留。当转接线50的一端连接其中一条短路棒，另一端经过另一条短路棒与焊接引线40连接的过程中，转接线50会与经过的短路棒上的半导体硅连接，导致相邻的两条转接线50之间造成信号干扰。

鉴于此，本申请通过在基板10上设置了两条平行的第一短路棒21和第二短路棒31，第一短路棒21和第二短路棒31间隔设置，并在基板10上设置用于点灯测试的焊接引线40，其中，第一短路棒21位于第二短路棒31和焊接引线40之间，而第一短路棒21上开设有第一开口A，第一开口A可通过干蚀刻将第一半导体硅层去除，以裸露所述第一短路棒21，而转接线50的一端与第二短路棒31连接，转接线50的另一端经过第一短路棒21与焊接引线40连接。由于第一开口A靠近焊接引线40的第一半导体硅层22与转接线50连接，为了阻断相邻的两条转接线50之间的第一半导体硅层22形成寄生薄膜晶体(即寄生TFT)，对两条相邻的转接线50的讯号造成干扰，因此，可在第一开口A靠近焊接引线40一侧的第一半导体硅层22上开设第二开口B，使第二开口B朝向焊接引线40方向延伸至基板10的边缘，使第一半导体硅层22完全被阻断，进而阻断寄生薄膜晶体效应。

具体的，在所述第一短路棒21的长度方向上，所述第二开口B的间隙大于5um。本实施例中，为了完全阻断寄生薄膜晶体效应，可使第二开口B的间隙大于5um。

具体的，所述第二短路棒31包覆有第二半导体硅层32，所述第二半导体硅层32上开设有第三开口C，以使所述第二短路棒31裸露所述第三开口C内，所述走线结构100还包括：若干转接件60，若干所述转接件60间隔设置于所述第三开口C内的第二短路棒31上，所述转接线50与所述转接件60的数量一致，所述转接线50的一端与所述转接件60连接，相邻的两条所述转接线50之间的第二半导体硅层32形成漏电路径，所述第三开口C靠近所述焊接引线40一侧的所述第二半导体硅层32与所述转接件60间隔设置。

由于第二短路棒31上也包覆有第二半导体硅层32，因此，需要通过干蚀刻在第二半导体硅层32上开设第三开口C，以使第二短路棒31裸露第三开口C内，由于一般的短路棒以及焊接引线40是金属层，该金属层(即第二短路棒31)存在坡度角，在第二半导体硅层32干刻蚀时，若时间不足或干刻蚀能量不足，则容易导致第二短路棒31坡度角上的第二半导体硅层32有残留，转接件60的一端设置于第三开口C内的第二短路棒31上，且由于TFT生产工艺的要求，转接线50连接转接件60后，会与第二短路棒31坡度角部分的第二半导体硅层32抵接，使得相邻的两条转接线50通过第二半导体硅层32连接形成漏电路径，进而导致第二短路棒31和两条相邻转接线50之间形成寄生薄膜晶体，使相邻两条转接线50之间的讯号相互影响。

因此，本实施例中，由于相邻的两个转接件60通过靠近焊接引线40的第二半导体硅层32连接，设定两个转接件60的相向侧边之间的第二半导体硅层32的长度为L1，为了减轻寄生薄膜晶体对相邻的两条转接线50之间的讯号造成干扰，可使靠近焊接引线40的第二半导体硅层32与转接件60间隔设置，使得转接件60与第三开口C朝向焊接引线40一侧的第二半导体硅层32分开，设定相邻的两条转接线50之间的第二半导体硅层32的长度为L2，此时L2大于L1，漏电路径的长度加长，使得相邻的两条转接线50受到寄生薄膜晶体的影响降低，提高讯号的稳定性。

具体的，所述第三开口C靠近所述焊接引线40一侧的第二半导体硅层32开设有间隔缺口D，所述间隔缺口D与所述第三开口C连通，在所述第二短路棒31的长度方向上，所述间隔缺口D的长度大于所述转接件60的长度。本实施例中，在干蚀刻第二半导体硅层32时，可通过改变光罩的遮影面积，使第二短路棒31表面形成间隔缺口D的遮影部分，经过干蚀刻后，该遮影部分的第二半导体硅层32被去除，间隔缺口D内的第二短路棒31裸露。当转接件60贴设于第三开口C内的第二短路棒31后，转接件60朝向焊接引线40的侧边与间隔缺口D朝向焊接引线40一侧的第二半导体硅层32间隔设置，避免间隔缺口D朝向焊接引线40一侧的第二半导体硅层32直接与转接件60抵接，进而加长漏电路径的长度。

具体的，所述间隔缺口D具有第一侧边E2和两条第二侧边E1，所述第一侧边E2的两端分别连接两所述第二侧边E1，两所述第二侧边E1远离所述第一侧边E2的一端分别连接所述第二半导体硅层32，在所述第二短路棒31的长度方向上，所述第一侧边E2与所述转接件60之间设置有第一间隙a，所述第二侧边E1远离所述第一侧边E2的一端与所述转接件60之间设置有第二间隙b。本实施例中，为了进一步增加两条转接线50之间的漏电路径，可使第一侧边E2的长度大于转接件60的长度，且第一侧边E2在第二短路棒31长度方向的两端均延伸至转接件60的外部，避免第一侧边E2与转接件60抵接，形成第一间隙a和第二间隙b，可防止转接件60的侧边与间隔缺口D的边缘抵接，进而使相邻的两条转接线50之间的漏电路径加长。

具体的，所述第三开口C靠近所述焊接引线40一侧的所述第二半导体硅层32设置有第四开口F，所述第四开口F与所述第三开口C连通，所述第四开口F沿所述第二短路棒31的长度方向延伸设置，所述第四开口F朝向所述焊接引线40的侧边与所述转接件60间隔设置，以形成第三间隙c。本实施例中，可以直接加宽第三开口C的整体宽度，例如，在第二短路棒31朝向焊接引线40的侧边开设第四开口F，第四开口F与第三开口C连通，当转接件60贴设在第三开口C后，使转接件60朝向焊接引线40的侧边完全与第四开口F朝向焊接引线40的侧边的第二半导体硅层32完全分隔开，进而使相邻的两条转接线50之间的漏电路径加长。

具体的，所述第一间隙a大于或者等于3um，所述第二间隙b大于或者等于3um。本实施例中，第一间隙a大于或者等于3um，第二间隙b大于或者等于3um，以保证转接线50不与间隔缺口D边缘的第二半导体硅层32连接。

具体的，所述第三间隙c大于或者等于3um。本实施例中，第三间隙c大于或者等于3um，以保证转接线50不与第四开口F边缘的第二半导体硅层32连接。

具体的，所述转接件60由金属材料制作而成。

本申请提出一种液晶显示面板(图中未示出)，包括上述所述的走线结构100，以及阻光层(图中未示出)，所述阻光层涂覆于所述基板10上，所述第一短路棒21设置于所述阻光层上。该走线结构100的具体结构参照上述实施例，由于液晶显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是在本申请的构思下，利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种走线结构，其特征在于，所述走线结构包括：

基板；

两条焊接引线，两条所述焊接引线间隔设置于所述基板上；

第一短路棒，所述第一短路棒设置于所述基板上；

第二短路棒，所述第二短路棒设置于所述基板上，且与所述第一短路棒间隔、平行设置，所述第一短路棒包覆有第一半导体硅层，所述第一半导体硅层上开设有第一开口，以裸露所述第一短路棒，所述第一短路棒位于所述第二短路棒和所述焊接引线之间；

两条转接线，所述转接线的数量与所述焊接引线的数量一致，所述转接线的一端交替地与所述第一短路棒和所述第二短路棒连接，所述转接线的另一端与所述焊接引线连接，所述第一开口靠近焊接引线一侧的第一半导体硅层开设有第二开口，所述第二开口位于相邻的两条所述转接线之间，所述第二开口朝向所述焊接引线方向延伸至基板的边缘，以使相邻的两条所述转接线之间第一半导体硅层阻断。

2.如权利要求1所述的走线结构，其特征在于，在所述第一短路棒的长度方向上，所述第二开口的间隙大于5um。

3.如权利要求1所述的走线结构，其特征在于，所述第二短路棒包覆有第二半导体硅层，所述第二半导体硅层上开设有第三开口，以裸露所述第二短路棒，所述走线结构还包括：

若干转接件，若干所述转接件间隔设置于所述第三开口内的第二短路棒上，所述转接线与所述转接件的数量一致，所述转接线的一端与所述转接件连接，相邻的两条所述转接线之间的第二半导体硅层形成漏电路径，所述第三开口靠近所述焊接引线一侧的所述第二半导体硅层与所述转接件间隔设置。

4.如权利要求3所述的走线结构，其特征在于，所述第三开口靠近所述焊接引线一侧的第二半导体硅层开设有间隔缺口，所述间隔缺口与所述第三开口连通，在所述第二短路棒的长度方向上，所述间隔缺口的长度大于所述转接件的长度。

5.如权利要求4所述的走线结构，其特征在于，所述间隔缺口具有第一侧边和两条第二侧边，所述第一侧边的两端分别连接两所述第二侧边，两所述第二侧边远离所述第一侧边的一端分别连接所述第二半导体硅层，在所述第二短路棒的长度方向上，所述第一侧边与所述转接件之间设置有第一间隙，所述第二侧边远离所述第一侧边的一端与所述转接件之间设置有第二间隙。

6.如权利要求3所述的走线结构，其特征在于，所述第三开口靠近所述焊接引线一侧的所述第二半导体硅层上开设有第四开口，所述第四开口与所述第三开口连通，所述第四开口沿所述第二短路棒的长度方向延伸设置，所述第四开口朝向所述焊接引线的侧边与所述转接件间隔设置，以形成第三间隙。

7.如权利要求5所述的走线结构，其特征在于，所述第一间隙大于或者等于3um，所述第二间隙大于或者等于3um。

8.如权利要求6所述的走线结构，其特征在于，所述第三间隙大于或者等于3um。

9.如权利要求3所述的走线结构，其特征在于，所述转接件由金属材料制作而成。

10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的走线结构，以及

阻光层，所述阻光层涂覆于所述基板上，所述第一短路棒设置于所述阻光层上。

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