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CN112489599B - Amoled像素驱动电路、驱动方法及显示面板 - Google Patents

Amoled像素驱动电路、驱动方法及显示面板 Download PDF

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CN112489599B CN202011537086.3A CN202011537086A CN112489599B CN 112489599 B CN112489599 B CN 112489599B CN 202011537086 A CN202011537086 A CN 202011537086A CN 112489599 B CN112489599 B CN 112489599B
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Abstract

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板，所述AMOLED像素驱动电路包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、存储电容(C)及有机发光二极管(OLED)；其中，所述AMOLED像素驱动电路仅仅具有数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A1)及发光阶段(A2)；本发明实施例采用6T1C结构的像素驱动电路设计，通过数据信号写入同时完成补偿和AMOLED阳极复位，简化了驱动时序，降低了扫描信号线的负载，减小了信号衰减，进一步实现了AMOLED像素驱动电路的高刷新频率。

Description

AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Display，OLED)显示面板，具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。AMOLED显示面板内具有呈阵列式排布的多个像素，每一像素通过一OLED像素驱动电路来进行驱动。由于驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth容易漂移，导致驱动电流发生变化，容易造成AMOLED显示面板的亮度不均，出现显示不良，影响画质。目前显示器生产厂家提出了能够补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的7T1C结构的像素驱动电路。
如图1A所示，传统的AMOLED像素驱动电路为7T1C结构，包括7个薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7)以及1个存储电容(C1)。如图1B所示，为像素驱动电路是7T1C结构的各种信号工作时序图。7T1C结构的像素驱动电路的工作时序分为三个阶段，第一个阶段为复位阶段(Step1)，通过第四薄膜晶体管T4以及第七薄膜晶体管T7的开启实现对OLED阳极和驱动薄膜晶体管T1栅极复位的作用；第二阶段为补偿和写数据阶段(Step2)，此时驱动薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2以及第三薄膜晶体管T3开启，驱动薄膜晶体管T1的阈值电压Vth和数据信号DATA电压被写入第一节点A；第三个阶段为发光阶段(Step3)，第五薄膜晶体管T5以及第六薄膜晶体管T6开启，完成发光。由于上述三个阶段依次进行才能完成一行像素的发光，因此很难提高像素的刷新频率。还有一方面原因为目前像素电路中的薄膜晶体管数量很多，每个像素至少需要三条扫描线(扫描信号线Scan、发光控制线EM以及复位信号线Reset)，导致每根扫描线和数据线上的寄生电容较大，走线的负载过大易导致信号衰减大，也是无法提高刷新率的一个原因。
因此，如何提高现有技术中AMOLED像素驱动电路的刷新频率，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板，用以提高AMOLED像素驱动电路的刷新频率。
为达到上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：
本发明实施例提供一种AMOLED像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、存储电容(C)及有机发光二极管(OLED)，其中所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)电性连接第一节点(P1)，源极(s)电性连接第二节点(P2)，漏极(d)电性连接第三节点(P3)；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极接入电源正电压(VDD)，漏极电性连接所述第二节点(P2)；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入扫描控制信号(Scan)，源极电性连接所述第一节点(P1)，漏极电性连接所述第三节点(P3)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入所述发光控制信号(EM)，源极电性连接所述第三节点(P3)，漏极电性连接第四节点(P4)；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入所述扫描控制信号(Scan)，源极接入数据信号(DATA)，漏极电性连接所述第四节点(P4)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入所述扫描控制信号(Scan)，源极接入所述数据信号(DATA)，漏极电性连接所述第二节点(P2)；
所述存储电容(C)的一端电性连接所述第一节点(P1)，另一端电性连接所述第二节点(P2)；
所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接所述第四节点(P4)，阴极接入电源负电压(VSS)；
其中，所述AMOLED像素驱动电路具有数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A1)及发光阶段(A2)；当所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A1)时，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)导通，所述第二薄膜晶体管(T2)与所述第四薄膜晶体管(T4)断开；当所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段(A2)时，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)与所述第四薄膜晶体管(T4)导通，所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第五薄膜晶体管(T5)与所述第六薄膜晶体管(T6)断开。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第四薄膜晶体管(T4)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)均为P型薄膜晶体管；在所述数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A1)，所述扫描控制信号(Scan)为低电位，所述发光控制信号(EM)为高电位；在所述发光阶段(A2)，所述发光控制信号(EM)为低电位，所述扫描控制信号(Scan)为高电位。
在一些实施例中，所述扫描控制信号(Scan)与所述发光控制信号(EM)均通过外部时序控制器产生。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第四薄膜晶体管(T4)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
本发明实施例又提供一种AMOLED像素驱动方法，用于驱动上述AMOLED像素驱动电路，所述方法包括如下步骤：
S10，控制所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A1)；所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)导通，所述第二薄膜晶体管(T2)与所述第四薄膜晶体管(T4)断开；所述数据信号(DATA)被写入所述第一节点(P1)以及所述第四节点(P4)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)与漏极(d)短接，形成二极管结构；所述数据信号(DATA)写入所述第一薄膜晶体管(T1)的源极(s)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)进行充电；与此同时，所述有机发光二极管(OLED)的阳极的电位复位至所述数据信号(DATA)；
S20，控制所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段(A2)；所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)与所述第四薄膜晶体管(T4)导通，所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第五薄膜晶体管(T5)与所述第六薄膜晶体管(T6)断开；所述第三薄膜晶体管(T3)阻断所述第四薄膜晶体管(T4)与所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)的连接路径；驱动电流流过所述有机发光二极管(OLED)驱动所述有机发光二极管(OLED)发光，且所述驱动电流与所述第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压无关。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第四薄膜晶体管(T4)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)均为P型薄膜晶体管；所述S10中，所述扫描控制信号(Scan)为低电位，所述发光控制信号(EM)为高电位；所述S20中，所述发光控制信号(EM)为低电位，所述扫描控制信号(Scan)为高电位。
在一些实施例中，所述S10中，所述第一节点(P1)的电压为所述数据信号(DATA)的电压(Vdata)与所述第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压(Vth_T1)之和，所述第四节点(P4)的电压为所述数据信号(DATA)的电压(Vdata)。
在一些实施例中，所述S20中，所述有机发光二极管(OLED)的驱动电流为k*(Vdata–VDD)2，其中，k为所述第一薄膜晶体管(T1)的电流放大系数，Vdata为所述数据信号(DATA)的电压，VDD为电源正电压。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第四薄膜晶体管(T4)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)分别选自低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的任意一种。
本发明还提供一种显示面板，包括如上所述的AMOLED像素驱动电路。
本发明实施例所提供的AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板，采用6T1C结构的像素驱动电路设计，通过数据信号写入同时完成补偿和AMOLED阳极复位，简化了驱动时序，降低了扫描信号线的负载，减小了信号衰减，进一步实现了AMOLED像素驱动电路的高刷新频率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式进行详细描述。
图1A为现有技术提供的7T1C结构的像素驱动电路的等效电路图。
图1B为现有技术提供的7T1C结构的像素驱动电路的信号时序图。
图2为本发明实施例提供的6T1C结构的像素驱动电路的等效电路图。
图3为本发明实施例提供的6T1C结构的像素驱动电路的信号时序图。
图4为本发明实施例提供的AMOLED像素驱动电路的驱动方法流程图。
具体实施方式
本发明提供一种AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本发明。
本发明实施例针对现有的能够补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的7T1C结构的像素驱动电路刷新频率低的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
请同时参阅图2与图3，本发明实施例首先提供一种6T1C(6个薄膜晶体管以及1个存储电容)结构的像素驱动电路。所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、存储电容C及有机发光二极管OLED，其中所述第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管T1的栅极g电性连接第一节点P1，源极s电性连接第二节点P2，漏极d电性连接第三节点P3；
所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入发光控制信号EM，源极接入电源正电压VDD，漏极电性连接所述第二节点P2；
所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入扫描控制信号Scan，源极电性连接所述第一节点P1，漏极电性连接所述第三节点P3；
所述第四薄膜晶体管T4的栅极接入所述发光控制信号EM，源极电性连接所述第三节点P3，漏极电性连接第四节点P4；
所述第五薄膜晶体管T5的栅极接入所述扫描控制信号Scan，源极接入数据信号DATA，漏极电性连接所述第四节点P4；
所述第六薄膜晶体管T6的栅极接入所述扫描控制信号Scan，源极接入所述数据信号DATA，漏极电性连接所述第二节点P2；
所述存储电容C的一端电性连接所述第一节点P1，另一端电性连接所述第二节点P2；
所述有机发光二极管OLED的阳极电性连接所述第四节点P4，阴极接入电源负电压VSS；
其中，所述AMOLED像素驱动电路具有数据信号写入与阈值电压补偿阶段A1及发光阶段A2；当所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段A1时，所述第一薄膜晶体管T1、所述第三薄膜晶体管T3、所述第五薄膜晶体管T5以及所述第六薄膜晶体管T6导通，所述第二薄膜晶体管T2与所述第四薄膜晶体管T4断开；当所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段A2时，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2与所述第四薄膜晶体管T4导通，所述第三薄膜晶体管T3、所述第五薄膜晶体管T5与所述第六薄膜晶体管T6断开。
请参阅图3，所述AMOLED像素驱动电路具有数据信号写入与阈值电压补偿阶段A1及发光阶段A2。
具体结合图2与图3可知，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5以及所述第六薄膜晶体管T6均为P型薄膜晶体管。
在所述数据信号写入与阈值电压补偿阶段A1：所述扫描控制信号Scan保持低电位，所述发光控制信号EM保持高电位，所述电源负电压VSS保持高电位；所述第三薄膜晶体管T3、所述第五薄膜晶体管T5与所述第六薄膜晶体管T6开启，所述数据信号DATA分别被写入所述第一节点P1以及所述第四节点P4，此时所述第一薄膜晶体管T1开启；所述发光控制信号EM为高电位，所述第二薄膜晶体管T2与第四薄膜晶体管T4断开。
所述第一薄膜晶体管T1的栅极g与漏极d通过导通的所述第三薄膜晶体管T3短接，形成二极管结构；所述数据信号DATA经由导通的所述第六薄膜晶体管T6写入所述第一薄膜晶体管T1的源极s，通过所述第一薄膜晶体管T1的二极管结构，所述第一薄膜晶体管T1的栅极电压得到补偿，所述第一薄膜晶体管T1的栅极g充电至：Vg＝VDATA+Vth_T1；
其中Vg表示所述第一薄膜晶体管T1的栅极g的电位，VDATA表示数据信号DATA的电位，Vth_T1表示所述第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压。
与此同时，所述有机发光二极管OLED的阳极的电位通过导通的第五薄膜晶体管T5复位至所述数据信号DATA的电位。
在所述发光阶段A2：所述扫描控制信号Scan转变为高电位，所述发光控制信号EM转变为低电位，所述电源负电压VSS转变为低电位；所述第三薄膜晶体管T3、所述第五薄膜晶体管T5以及所述第六薄膜晶体管T6关闭，所述第二薄膜晶体管T2以及所述第四薄膜晶体管T4开启，所述第一薄膜晶体管T1开启。
由于所述第二薄膜晶体管T2导通，所述第一薄膜晶体管T1的源极s的电位为电源正电压VDD；驱动电流经由导通的所述第四薄膜晶体管T4流向有机发光二极管OLED，驱动有机发光二极管OLED发光，已知的计算驱动电流的公式为：IOLED＝k*(Vgs_T1–Vth_T1)2；
其中IOLED表示所述AMOLED像素驱动电路的驱动电流，k为所述第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的电流放大系数，由所述第一薄膜晶体管T1自身的电学特性决定，Vgs_T1表示所述第一薄膜晶体管T1的栅极g与源极s之间的电压差，Vth_T1表示所述第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压。
由于所述第一薄膜晶体管T1的栅极g电压为Vg＝VDATA+Vth_T1，所述第一薄膜晶体管T1的源极s电压为电源正电压VDD，因此所述AMOLED像素驱动电路的驱动电流为：
IOLED＝k*(VDATA+Vth_T1–VDD–Vth_T1)2＝k*(VDATA–VDD)2；
可见，所述AMOLED像素驱动电路的驱动电流IOLED与所述第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth_T1无关，所以本发明的AMOLED像素驱动电路能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移。
优选地，所述扫描控制信号Scan与所述发光控制信号EM均通过外部时序控制器产生。
优选地，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5以及所述第六薄膜晶体管T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
值得注意的是，本发明的AMOLED像素驱动电路相比于现有技术的7T1C结构的像素驱动电路，将薄膜晶体管的数量减少到6个，扫描线较少到2条(扫描控制信号Scan与发光控制信号EM)，降低了信号线的负载，减小了信号衰减。同时，本发明的AMOLED像素驱动电路只有两个驱动阶段，即数据信号写入与阈值电压补偿阶段A1和发光阶段A2，数据信号写入与阈值电压补偿阶段A1中补偿和复位同步完成，互不干扰，驱动时序简单，易于实现AMOLED像素驱动电路的高刷新频率。
如图4所示，本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，用于驱动上述AMOLED像素驱动电路，包括如下步骤：
S10，控制所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段A1；所述第三薄膜晶体管T3、所述第五薄膜晶体管T5以及所述第六薄膜晶体管T6导通，所述第二薄膜晶体管T2与所述第四薄膜晶体管T4断开；所述数据信号DATA被写入所述第一节点P1以及所述第四节点P4，所述第一薄膜晶体管T1的栅极g与漏极d短接，形成二极管结构；所述数据信号DATA写入所述第一薄膜晶体管T1的源极s，所述第一薄膜晶体管T1的栅极g进行充电；与此同时，所述有机发光二极管OLED的阳极的电位复位至所述数据信号DATA；
S20，控制所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段A2；所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2与所述第四薄膜晶体管T4导通，所述第三薄膜晶体管T3、所述第五薄膜晶体管T5与所述第六薄膜晶体管T6断开；所述第三薄膜晶体管T3阻断所述第四薄膜晶体管T4与所述第一薄膜晶体管T1的栅极g的连接路径；驱动电流流过所述有机发光二极管OLED驱动所述有机发光二极管OLED发光，且所述驱动电流与所述第一薄膜晶体管T1的阈值电压无关。
本发明实施例提供的AMOLED像素驱动方法，其具体驱动方法参见前述实施例即可，本实施例对此不再赘述。
优选地，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5以及所述第六薄膜晶体管T6均为P型薄膜晶体管；所述S10中，所述扫描控制信号Scan为低电位，所述发光控制信号EM为高电位；所述S20中，所述发光控制信号EM为低电位，所述扫描控制信号Scan为高电位。
优选地，所述S10中，所述第一节点P1的电压为所述数据信号DATA的电压Vdata与所述第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth_T1之和，所述第四节点P4的电压为所述数据信号DATA的电压Vdata。
优选地，所述S20中，所述所述有机发光二极管OLED的驱动电流为k*(Vdata–VDD)2，其中，k为所述第一薄膜晶体管T1的电流放大系数，Vdata为所述数据信号DATA的电压，VDD为电源正电压。
优选地，所述第一薄膜晶体管T1、所述第二薄膜晶体管T2、所述第三薄膜晶体管T3、所述第四薄膜晶体管T4、所述第五薄膜晶体管T5以及所述第六薄膜晶体管T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
本发明还提供一种显示面板，该显示面板可以但不限于为OLED显示面板，包括上述如图2与图3所示的AMOLED像素驱动电路。由于所述AMOLED像素驱动电路既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，也能够通过数据信号DATA写入同时完成补偿和有机发光二极管OLED的阳极复位，简化了驱动时序，易于实现高刷新频率。
综上所述，本发明实施例所提供的AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板，采用6T1C结构的像素驱动电路设计，通过数据信号写入同时完成补偿和AMOLED阳极复位，简化了驱动时序，降低了扫描信号线的负载，减小了信号衰减，进一步实现了AMOLED像素驱动电路的高刷新频率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、存储电容(C)及有机发光二极管(OLED)，其中所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)电性连接第一节点(P1)，源极(s)电性连接第二节点(P2)，漏极(d)电性连接第三节点(P3)；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极接入电源正电压(VDD)，漏极电性连接所述第二节点(P2)；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入扫描控制信号(Scan)，源极电性连接所述第一节点(P1)，漏极电性连接所述第三节点(P3)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入所述发光控制信号(EM)，源极电性连接所述第三节点(P3)，漏极电性连接第四节点(P4)；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入所述扫描控制信号(Scan)，源极接入数据信号(DATA)，漏极电性连接所述第四节点(P4)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入所述扫描控制信号(Scan)，源极接入所述数据信号(DATA)，漏极电性连接所述第二节点(P2)；
所述存储电容(C)的一端电性连接所述第一节点(P1)，另一端电性连接所述第二节点(P2)；
所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接所述第四节点(P4)，阴极接入电源负电压(VSS)；
其中，所述AMOLED像素驱动电路具有数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A1)及发光阶段(A2)；
当所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A1)时，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)导通，所述第二薄膜晶体管(T2)与所述第四薄膜晶体管(T4)断开，所述扫描控制信号(Scan)为低电位，所述发光控制信号(EM)为高电位，所述数据信号(DATA)写入所述第一薄膜晶体管(T1)的源极(s)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)进行充电；与此同时，所述有机发光二极管(OLED)的阳极的电位复位至所述数据信号(DATA)；
当所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段(A2)时，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)与所述第四薄膜晶体管(T4)导通，所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第五薄膜晶体管(T5)与所述第六薄膜晶体管(T6)断开；所述发光控制信号(EM)为低电位，所述扫描控制信号(Scan)为高电位。
2.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第四薄膜晶体管(T4)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)均为P型薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述扫描控制信号(Scan)与所述发光控制信号(EM)均通过外部时序控制器产生。
4.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第四薄膜晶体管(T4)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
5.一种AMOLED像素驱动方法，用于驱动如权利要求1-4中任一项所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S10，控制所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A1)；所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)导通，所述第二薄膜晶体管(T2)与所述第四薄膜晶体管(T4)断开；所述数据信号(DATA)被写入所述第一节点(P1)以及所述第四节点(P4)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)与漏极(d)短接，形成二极管结构；所述数据信号(DATA)写入所述第一薄膜晶体管(T1)的源极(s)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)进行充电；与此同时，所述有机发光二极管(OLED)的阳极的电位复位至所述数据信号(DATA)；
S20，控制所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段(A2)；所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)与所述第四薄膜晶体管(T4)导通，所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第五薄膜晶体管(T5)与所述第六薄膜晶体管(T6)断开；所述第三薄膜晶体管(T3)阻断所述第四薄膜晶体管(T4)与所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)的连接路径；驱动电流流过所述有机发光二极管(OLED)驱动所述有机发光二极管(OLED)发光，且所述驱动电流与所述第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压无关。
6.根据权利要求5所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第四薄膜晶体管(T4)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)均为P型薄膜晶体管；所述S10中，所述扫描控制信号(Scan)为低电位，所述发光控制信号(EM)为高电位；所述S20中，所述发光控制信号(EM)为低电位，所述扫描控制信号(Scan)为高电位。
7.根据权利要求5所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述S10中，所述第一节点(P1)的电压为所述数据信号(DATA)的电压(Vdata)与所述第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压(Vth_T1)之和，所述第四节点(P4)的电压为所述数据信号(DATA)的电压(Vdata)。
8.根据权利要求5所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述S20中，所述有机发光二极管(OLED)的驱动电流为k*(Vdata–VDD)2，其中，k为所述第一薄膜晶体管(T1)的电流放大系数，Vdata为所述数据信号(DATA)的电压，VDD为电源正电压。
9.根据权利要求5所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)、所述第三薄膜晶体管(T3)、所述第四薄膜晶体管(T4)、所述第五薄膜晶体管(T5)以及所述第六薄膜晶体管(T6)分别选自低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的任意一种。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的AMOLED像素驱动电路。
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