[go: up one dir, main page]

CN112435951A - 载体板的去除方法 - Google Patents

载体板的去除方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112435951A
CN112435951A CN202010841870.7A CN202010841870A CN112435951A CN 112435951 A CN112435951 A CN 112435951A CN 202010841870 A CN202010841870 A CN 202010841870A CN 112435951 A CN112435951 A CN 112435951A
Authority
CN
China
Prior art keywords
carrier plate
workpiece
starting point
outer peripheral
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010841870.7A
Other languages
English (en)
Inventor
铃木克彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN112435951A publication Critical patent/CN112435951A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1111—Using solvent during delaminating [e.g., water dissolving adhesive at bonding face during delamination, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1121—Using vibration during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y10T156/1179—Gripping and pulling work apart during delaminating with poking during delaminating [e.g., jabbing, etc.]
    • Y10T156/1184—Piercing layer during delaminating [e.g., cutting, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1922—Vibrating delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1933—Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明提供载体板的去除方法，从工件容易地去除载体板。当从在载体板的正面上借助临时粘接层而设置有工件的圆盘状的复合基板的工件将载体板剥离而去除时使用该方法，该方法包含如下的工序：阶梯差部形成工序，将工件的外周部、临时粘接层的外周部以及载体板的正面侧的外周部去除，形成载体板的背面侧比载体板的正面侧向侧方突出的阶梯差部；起点区域形成工序，形成成为从工件剥离载体板时的起点的起点区域；保持工序，在形成了阶梯差部和起点区域之后，利用保持单元从上方对工件进行保持；以及载体板去除工序，在利用保持单元对工件进行了保持之后，向阶梯差部施加朝下的力而使载体板向从工件离开的方向移动，从而将载体板从工件剥离而去除。

Description

载体板的去除方法
技术领域
本发明涉及当从借助临时粘接层而设置于载体板的正面上的工件去除载体板时使用的载体板的去除方法。
背景技术
在以移动电话或个人计算机为代表的电子设备中，具有电子电路等器件的器件芯片成为必须的构成要素。对于器件芯片，例如通过利用分割预定线(间隔道)将由硅等半导体材料形成的晶片的正面划分成多个区域且在各区域内形成器件，然后沿着该分割预定线对晶片进行分割，由此得到器件芯片。
利用上述那样的方法得到的器件芯片例如固定于CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封装)用的母基板，利用引线接合等方法与该母基板的端子等电连接后，利用模制树脂进行密封。这样，通过模制树脂对器件芯片进行密封而形成封装器件，从而能够保护器件芯片而免受冲击、光、热、水等外部原因的影响。
近年来，开始采用被称为FOWLP(Fan-Out Wafer Level Package，扇出型晶片级封装)的封装技术：使用晶片级的再布线技术在器件芯片的区域外形成封装端子(例如参照专利文献1)。另外，还提出了被称为FOPLP(Fan-Out Panel Level Packaging，扇出型面板级封装)的封装技术：利用尺寸比晶片大的面板(代表地为用于制造液晶面板的玻璃基板)级一并地制造封装器件。
在FOPLP中，例如在作为临时基板的载体板的正面上借助临时粘接层而形成布线层(RDL：Redistribution Layer)，在该布线层上接合器件芯片。接着，将器件芯片利用模制树脂进行密封，得到封装面板。然后，通过磨削等方法使封装面板变薄之后，对该封装面板进行分割，从而完成封装器件。
专利文献1：日本特开2016-201519号公报
在上述FOPLP中，例如在将封装面板分割成封装器件之后，从该封装器件去除载体板。具体而言，从载体板拾取各封装器件。但是，当封装器件的尺寸较小时，难以从载体板拾取该封装器件。
另一方面，也考虑在将封装面板分割成封装器件之前，从封装面板剥离、去除载体板。但是，临时粘接层的粘接力强到某一程度，因此难以不损伤封装面板或载体板而将载体板从封装面板剥离。
发明内容
本发明是鉴于这样的问题点而完成的，其目的在于提供载体板的去除方法，能够从封装面板等工件容易地去除载体板。
根据本发明的一个方式，提供载体板的去除方法，当从在载体板的正面上借助临时粘接层而设置有工件的圆盘状的复合基板的该工件将该载体板剥离而去除时使用该方法，其中，该载体板的去除方法包含如下的工序：阶梯差部形成工序，将该工件的外周部、该临时粘接层的外周部以及该载体板的该正面侧的外周部去除，形成该载体板的背面侧比该载体板的该正面侧向侧方突出的阶梯差部；起点区域形成工序，将与该工件的该外周部相邻的该工件的一部分的区域去除，形成成为从该工件剥离该载体板时的起点的起点区域；保持工序，在形成了该阶梯差部和该起点区域之后，在将该工件定位于该载体板的上方的状态下，利用保持单元从上方对该工件进行保持；以及载体板去除工序，在利用该保持单元对该工件进行了保持之后，利用推压部件向该阶梯差部施加朝下的力而使该载体板向从该工件离开的方向移动，从而将该载体板从该工件剥离而去除。
在本发明的一个方式中，有时在该载体板去除工序中，在对在该工件与该载体板之间露出的该临时粘接层吹送流体之后向该阶梯差部施加朝下的力，或一边对在该工件与该载体板之间露出的该临时粘接层吹送流体一边向该阶梯差部施加朝下的力，将该载体板从该工件剥离而去除。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该载体板去除工序中，在使该工件和该载体板沉入至液体中的状态下，向该阶梯差部施加朝下的力。另外，可以在该液体中包含表面活性剂。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该载体板去除工序中，在使该工件和该载体板沉入至该液体中的状态下，一边对该推压部件赋予振动一边向该阶梯差部施加朝下的力。
另外，在本发明的一个方式中，也可以是，在该载体板去除工序中，在使该工件和该载体板沉入至该液体中的状态下，一边对该液体赋予振动一边向该阶梯差部施加朝下的力。
在本发明的一个方式的载体板的去除方法中，将工件的外周部、临时粘接层的外周部以及载体板的正面侧的外周部去除，形成载体板的背面侧比载体板的正面侧向侧方突出的阶梯差部，并且将与工件的外周部相邻的工件的一部分的区域去除，形成成为从工件剥离载体板时的起点的起点区域。由此，利用保持单元从上方对工件进行保持，向阶梯差部施加朝下的力，从而能够以该起点区域为起点，从工件容易地剥离而去除载体板。另外，与施加至阶梯差部的朝下的力一起，利用作用于载体板的重力，因此在从工件去除载体板时无需较大的力。
附图说明
图1是示出包含载体板和工件在内的圆盘状的复合基板的结构例的立体图。
图2的(A)是示出复合基板的结构例的剖视图，图2的(B)是将图2的(A)的一部分放大而示出的剖视图。
图3的(A)是示出对复合基板的载体板侧进行保持的情况的剖视图，图3的(B)是示出在载体板形成阶梯差部的情况的剖视图。
图4的(A)是示出在载体板的整个外周部形成有阶梯差部的状态的俯视图，图4的(B)是示出在载体板的整个外周部形成有阶梯差部的状态的剖视图。
图5是示出在工件上形成有起点区域的状态的俯视图。
图6的(A)是示出从上方对工件进行保持的情况的剖视图，图6的(B)是示出对阶梯差部施加朝下的力的情况的剖视图，图6的(C)是示出从工件剥离了载体板的状态的剖视图。
图7是示出利用第1变形例的载体板的去除方法而形成的起点区域的俯视图。
图8的(A)是示出利用第2变形例的载体板的去除方法将载体板从工件剥离的情况的剖视图，图8的(B)是示出利用第3变形例的载体板的去除方法将载体板从工件剥离的情况的剖视图。
标号说明
1：复合基板；3：载体板；3a：第1面(正面)；3b：第2面(背面)；3c：阶梯差部；5：临时粘接层；5a：中央部；5b：外周部；5c：第1部分；5d：第2部分；7：工件；7a：第1面(正面)；7b：起点区域；7c：起点区域；9：器件芯片；11：模制树脂层；2：切削装置；4：卡盘工作台；6：框体；6a：流路；8：保持板；8a：保持面；10：阀；12：吸引源；14：切削单元；16：主轴；18：切削刀具；22：剥离装置；24：保持单元；24a：保持面；26：推压部件；32：喷嘴；34：流体；42：槽；44：液体。
具体实施方式
参照附图，对本发明的一个方式的实施方式进行说明。图1是示出在本实施方式的载体板的去除方法中使用的圆盘状的复合基板1的结构例的立体图，图2的(A)是示出复合基板1的结构例的剖视图，图2的(B)是将图2的(A)的一部分放大而示出的剖视图。
复合基板1例如包含由钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、石英玻璃等绝缘体材料形成的载体板3。该载体板3具有大致平坦的第1面(正面)3a和与第1面3a相反的一侧的第2面(背面)3b，构成为从第1面3a侧或第2面3b侧观察的形状为圆形的圆盘状。载体板3的厚度例如为2mm以下，代表地为1.1mm。
另外，在本实施方式中，使用由钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃、石英玻璃等绝缘体材料形成的载体板3，但对于载体板3的材质、构造、大小等没有特别限制。例如也可以使用由半导体、陶瓷、树脂、金属等材料形成的板作为载体板3。
在载体板3的第1面3a侧借助临时粘接层5而设置有工件7。临时粘接层5例如通过使金属膜或绝缘体膜等重叠而形成于第1面3a的大致整体上，具有将载体板3和工件7粘接的功能。另外，临时粘接层5有时也由作为粘接剂发挥功能的树脂膜等构成。
临时粘接层5的厚度例如为20μm以下，代表地为5μm。该临时粘接层5包含：将载体板3和工件7粘接的中央部5a；以及将载体板3的外周缘的第1面3a侧包覆的外周部5b。另外，临时粘接层5的外周部5b粘固于载体板3，不容易剥离。
在将载体板3从工件7剥离而去除时，临时粘接层5的中央部5a分离成紧贴于载体板3侧的第1部分5c(参照图6的(C))以及紧贴于工件7侧的第2部分5d(参照图6的(C))。在从工件7剥离载体板3之前，优选按照使该中央部5a适当地分离的方式预先将粘固于载体板3的外周部5b去除。
工件7例如也被称为封装面板或封装晶片等，该工件7包含：与临时粘接层5的中央部5a接触的布线层(RDL)(未图示)；与布线层接合的多个器件芯片9；以及对各器件芯片9进行密封的模制树脂层11。该工件7例如构成为与载体板3同样的圆盘状。另外，工件7的厚度例如为1.5mm以下，代表地为0.6mm。
另外，工件7的第1面(正面)7a侧(与临时粘接层5相反的一侧)可以利用磨削等方法进行加工。另外，在工件7内相邻的器件芯片9之间的区域内设定分割预定线。例如沿着任意的分割预定线将工件7切断，从而将工件7分割成分别包含一个或多个器件芯片9的多个工件片。
并且，若沿着所有分割预定线将工件7(或工件片)切断，则得到与各器件芯片9对应的多个封装器件。不过，对于工件7的材质、构造、大小等没有特别限制。例如工件7也有时主要由布线层构成，不包含器件芯片9或模制树脂层11等。
在本实施方式的载体板的去除方法中，首先将载体板3的第1面3a侧的外周部与工件7的外周部和临时粘接层5的外周部5b一起去除，在载体板3的外周部形成阶梯差部(阶梯差部形成工序)。图3的(A)是示出对复合基板1的载体板3侧进行保持的情况的剖视图，图3的(B)是示出在载体板3形成阶梯差部的情况的剖视图。
在载体板3的外周部形成阶梯差部时，使用图3的(A)和图3的(B)所示的切削装置2。切削装置2具有用于对复合基板1进行保持的卡盘工作台4。卡盘工作台4例如包含由以不锈钢为代表的金属材料形成的圆筒状的框体6以及由多孔质材料形成且配置于框体6的上部的保持板8。
保持板8的上表面成为用于对复合基板1的载体板3进行吸引、保持的保持面8a。该保持板8的下表面侧经由设置于框体6的内部的流路6a及阀10等而与吸引源12连接。因此，若将阀10打开，则能够使吸引源12的负压作用于保持面8a。
卡盘工作台4(框体6)与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，通过该旋转驱动源所产生的力，绕与上述保持面8a大致垂直的旋转轴旋转。另外，卡盘工作台4(框体6)通过加工进给机构(未图示)进行支承，在与上述保持面8a大致平行的加工进给方向上移动。
如图3的(B)所示，在卡盘工作台4的上方配置有切削单元14。切削单元14具有作为与保持面8a大致平行的旋转轴的主轴16。在主轴16的一端侧安装有在结合剂中分散磨粒而成的环状的切削刀具18。
在主轴16的另一端侧连结有电动机等旋转驱动源(未图示)，安装于主轴16的一端侧的切削刀具18通过该旋转驱动源所产生的力而旋转。切削单元14例如通过升降机构(未图示)和分度进给机构(未图示)进行支承，在与保持面8a大致垂直的铅垂方向以及与铅垂方向和加工进给方向大致垂直的分度进给方向上移动。
当在载体板3的外周部形成阶梯差部时，首先对复合基板1的载体板3进行保持而使工件7向上方露出。即，如图3的(A)所示，使载体板3的第2面3b与卡盘工作台4的保持面8a接触之后，将阀10打开而使吸引源12的负压作用于保持面8a。由此，通过卡盘工作台4对复合基板1的载体板3进行保持，工件7向上方露出。
接着，使切削刀具18切入至复合基板1的外周部，将工件7的外周部、临时粘接层5的外周部5b以及载体板3的第1面3a侧的外周部去除。具体而言，如图3的(B)所示，对卡盘工作台4和切削单元14的相对位置进行调整，使旋转的切削刀具18切入至复合基板1的外周部。并且，使卡盘工作台4旋转。
在本实施方式中，按照切削刀具18的下端定位于比载体板3的第1面3a低且比第2面3b高的位置的方式对卡盘工作台4和切削单元14的相对位置进行调整。另外，在本实施方式中，将卡盘工作台4的旋转量设定为1周以上。
由此，将工件7的外周部、临时粘接层5的外周部5b以及载体板3的第1面3a侧的外周部分别沿着复合基板1的整个圆周去除。并且，在载体板3的外周部形成有第2面3b侧比第1面3a侧向侧方(在载体板3的径向上朝外)突出的阶梯状的阶梯差部3c(参照图4的(A)、图4的(B)等)。
另外，在本实施方式中，利用使切削刀具18切入的方法在载体板3上形成了阶梯差部3c，但也可以利用其他方法形成阶梯差部3c。例如也可以通过使用被工件7吸收的波长的激光束的激光烧蚀加工而在载体板3上形成阶梯差部3c。在该情况下，代替切削装置2(切削单元14)而使用能够照射被载体板3等吸收的波长的激光束的激光加工装置(激光加工单元)。
图4的(A)是示出在载体板3的整个外周部形成有阶梯差部3c的状态的俯视图，图4的(B)是示出在载体板3的整个外周部形成有阶梯差部3c的状态的剖视图。另外，在本实施方式中，在载体板3的整个外周部形成有阶梯差部3c，但本发明的阶梯差部只要至少形成于载体板的外周部的一部分即可。
该阶梯差部3c的宽度(载体板3与切削刀具18重叠的宽度)例如在不对从工件7切出的封装器件等产生影响的范围内任意地设定。当考虑载体板3的去除容易性等时，优选阶梯差部3c的宽度例如设定成0.2mm以上且5mm以下。
当在载体板3的外周部形成了阶梯差部3c之后，将与工件7的新的外周缘接触的一部分的区域(即，与在形成阶梯差部3c时去除的工件7的外周部相邻的工件7的一部分的区域)进一步去除，形成成为从工件7剥离载体板3时的起点的起点区域(起点区域形成工序)。图5是示出在工件7上形成有起点区域7b的状态的俯视图。
当在工件7上形成起点区域7b时，例如使用上述切削装置2。具体而言，首先按照复合基板1的工件7侧向上方露出的方式，利用卡盘工作台4对载体板3侧进行保持。并且，一边使旋转的切削刀具18切入至工件7(和临时粘接层5)一边使卡盘工作台4和切削单元14相对地移动。
由此，将工件7的一部分的区域进一步去除而能够形成成为从工件7剥离载体板3时的起点的起点区域7b。在本实施方式中，如图5所示，将工件7在与构成工件7的轮廓的圆的弦相当的位置呈直线状切断，形成在两端部具有角部的起点区域7b。
在该情况下，剥离载体板3时的力集中于起点区域7b的角部，因此容易从工件7剥离载体板3。即，不会像未形成起点区域7b的情况那样，剥离载体板3时的力在工件7的曲线状(圆弧状)的外周缘分散而无法适当地作用。
另外，在本实施方式中，利用使切削刀具18切入至工件7的方法形成了起点区域7b，但也可以利用其他方法形成起点区域7b。例如也可以通过使用被工件7吸收的波长的激光束的激光烧蚀加工而形成起点区域7b。
在形成了起点区域7b之后，从上方对复合基板1的工件7进行保持(保持工序)。图6的(A)是示出从上方对工件7进行保持的情况的剖视图。在从上方对工件7进行保持时，使用图6的(A)等所示的剥离装置22。剥离装置22具有用于从上方对复合基板1的工件7进行保持的保持单元24。
在保持单元24的下部形成有具有与工件7的第1面7a相同程度的大小的保持面24a。吸引源(未图示)经由流路(未图示)及阀(未图示)等而与该保持面24a连接。因此，若将阀打开，则对保持面24a作用吸引源的负压。另外，保持单元24通过升降机构(未图示)进行支承，在铅垂方向上移动。
在从上方对工件7进行保持时，如图6的(A)所示，例如在将工件7定位于载体板3的上方的状态下，使保持单元24的保持面24a与该工件7的第1面7a接触。并且，将阀打开而使吸引源的负压作用于保持面24a。由此，通过保持单元24从上方对复合基板1的工件7进行保持。
另外，在本实施方式中，使工件7的第1面7a与保持单元24的保持面24a直接接触，但也可以在工件7的第1面7a与保持单元24的保持面24a之间夹设多孔片等。由此，能够防止由于与保持面24a的接触所导致的工件7的损伤或污染等。
另外，在复合基板1上残留有在形成起点区域7b时从工件7去除的端材。因此，在利用保持单元24对工件7进行保持时，对工件7的除了端材以外的部分进行保持即可。当然，也可以利用保持单元24对包含端材在内的工件7整体进行保持。
在从上方对工件7进行保持之后，对阶梯差部3c施加朝下的力，从而从工件7剥离而去除载体板3(载体板去除工序)。图6的(B)是示出向阶梯差部3c施加朝下的力的情况的剖视图，图6的(C)是示出从工件7剥离了载体板3的状态的剖视图。在从工件7剥离载体板3时，继续使用剥离装置22。
如图6的(B)所示，在保持单元24的侧方，在与该保持单元24所保持的复合基板1的阶梯差部3c相当的位置配置有棒状的推压部件26。推压部件26例如通过与使保持单元24移动的升降机构不同的升降机构(未图示)进行支承，相对于保持单元24独立地在铅垂方向上移动。
在从工件7去除载体板3时，首先使保持单元24和推压部件26一起向上方移动，提起保持单元24所保持的复合基板1。即，使载体板3的第2面3b侧向下方露出。接着，在保持着保持单元24的位置的状态下使推压部件26向下方移动，使该推压部件26的下端与阶梯差部3c接触。即，通过推压部件26向载体板3的阶梯差部3c施加朝下的力。
如上所述，复合基板1的工件7通过保持单元24从上方进行保持。因此，当利用推压部件26向载体板3的阶梯差部3c施加朝下的力时，载体板3以临时粘接层5为界而从工件7剥离、落下。即，载体板3向从工件7离开的方向移动。在本实施方式中，在形成阶梯差部3c时，将粘固于载体板3的临时粘接层5的外周部5b去除，因此能够从工件7容易地剥离而去除载体板3。
另外，在本实施方式中，在工件7上形成有具有角部的起点区域7b，因此剥离载体板3时的力集中于起点区域7b的角部。由此，能够从工件7容易地剥离载体板3。另外，为了使剥离载体板3时的力更强地作用于起点区域7b的角部，利用推压部件26向阶梯差部3c的与起点区域7b相邻的部分(在径向上位于起点区域7b的外侧的部分)施加朝下的力即可。由此，能够从工件7更容易地剥离载体板3。
如上所述，在本实施方式的载体板的去除方法中，将工件7的外周部、临时粘接层5的外周部5b以及载体板3的第1面(正面)3a侧的外周部去除而形成载体板3的第2面3b侧比载体板3的第1面3a侧向侧方突出的阶梯差部3c，并且将与工件7的新的外周缘接触的一部分的区域(即，与在形成阶梯差部3c时去除的工件7的外周部相邻的工件7的一部分的区域)去除而形成成为从工件7剥离载体板3时的起点的起点区域7b。
由此，利用保持单元24从上方对工件7进行保持并向阶梯差部3c施加朝下的力，从而能够以该起点区域7b为起点而从工件7容易地剥离而去除载体板3。另外，与施加至阶梯差部3c的朝下的力一起利用作用于载体板3的重力，因此在从工件7去除载体板3时无需较大的力。
另外，本发明不限于上述实施方式的记载，可以进行各种变更并实施。例如在上述实施方式中，在载体板3的外周部形成了阶梯差部3c之后，在工件7上形成了起点区域7b，但可以在工件7上形成了起点区域7b之后，在载体板3的外周部形成阶梯差部3c。在该情况下，将与要在形成阶梯差部3c时去除的工件7的外周部相邻的工件7的一部分的区域去除而形成起点区域7b。
另外，在上述实施方式中，在将工件7与构成工件7的轮廓的圆的弦相当的位置呈直线状切断而形成了具有角部的起点区域7b，但本发明的起点区域的形状等可以在剥离载体板时的力适当地作用的范围内进行变更。图7是示出利用第1变形例的载体板的去除方法形成的起点区域7c的俯视图。
另外，第1变形例的载体板的去除方法的步骤等除了起点区域7c的形成的步骤等以外，与上述实施方式的载体板的去除方法相同。由此，在下文中，主要对起点区域7c的形成的步骤等进行说明，省略了其他步骤等的详细说明。
图7所示的起点区域7c例如通过使用被工件7吸收的波长的激光束的激光烧蚀加工来形成。即，按照将与形成阶梯差部3c时去除的工件7的外周部(或者要在形成阶梯差部3c时去除的工件7的外周部)相邻的工件7的一部分的区域从工件7切断的方式，对工件7照射激光束。
由此，能够将工件7的一部分的区域去除而形成成为从工件7剥离载体板3时的起点的起点区域7c。在第1变形例中，如图7所示，按照将半圆状的区域从工件7去除的方式将工件7切断，形成具有角部的起点区域7c。另外，在该第1变形例中，通过使用激光束的激光烧蚀加工形成了起点区域7c，但也可以利用其他方法形成起点区域7c。
除此以外，例如也可以通过在与工件7的外周部相邻的工件7的一部分的区域形成槽而将该区域去除，能够形成具有角部的起点区域。对于形成槽的方法没有特别限制，例如使用使切削刀具切入的方法、利用被工件7吸收的波长的激光束的激光烧蚀加工等即可。
另外，上述实施方式的推压部件26构成为能够与保持单元24独立地在铅垂方向上移动，但该推压部件26只要至少能够相对于保持单元24相对地移动即可。
因此，例如可以将推压部件26固定于剥离装置22的壳体(未图示)等而仅使保持单元24移动，从而使推压部件26相对于保持单元24相对地移动。另外，在上述实施方式中，使用一个推压部件26，但也可以使用多个推压部件26。
另外，在从工件7剥离而去除载体板3时，也可以对在载体板3与工件7之间露出的临时粘接层5吹送流体。图8的(A)是示出利用第2变形例的载体板的去除方法从工件7剥离载体板3的情况的剖视图。
另外，第2变形例的载体板的去除方法的大部分与上述实施方式的载体板的去除方法相同。由此，在下文中，主要对不同点进行说明，省略了相同的部分的详细说明。如图8的(A)所示，在该第2变形例中使用的剥离装置22的保持单元24的侧方配置有喷嘴32。在喷嘴32上经由流路(未图示)及阀(未图示)等而连接有流体34的提供源(未图示)。
从该喷嘴32向在载体板3与工件7之间露出的临时粘接层5吹送流体34之后向阶梯差部3c施加朝下的力，或一边向在载体板3与工件7之间露出的临时粘接层5吹送流体34一边利用推压部件26向阶梯差部3c施加向下的力，从而能够从工件7更容易地剥离载体板3。作为向载体板3与工件7之间吹送的流体34，例如可以使用空气或水等。不过，对于流体34的种类等没有特别限制。
另外，在从工件7剥离而去除载体板3时，可以使载体板3和工件7沉入至液体中。图8的(B)是示出利用第3变形例的载体板的去除方法从工件7剥离载体板3的情况的剖视图。另外，第3变形例的载体板的去除方法的大部分与上述实施方式的载体板的去除方法相同。由此，在下文中，主要对不同点进行说明，省略了相同的部分的详细说明。
如图8的(B)所示，在该第3变形例中使用的剥离装置22的保持单元24的下方配置有能够收纳载体板3和工件7的大小的槽42。在槽42内积存有水等液体44。
当在使载体板3和工件7沉入至槽42内的液体44中的状态下，利用推压部件26向阶梯差部3c施加朝下的力而从工件7剥离载体板3时，从工件7剥离的载体板3在液体44中下落。其结果是，与使载体板3在空气中下落的情况相比，随着下落的冲击变小，能够防止载体板3的破损、剥离装置22的振动等。
另外，可以在该液体44中包含表面活性剂。作为液体44中所包含的表面活性剂，可以使用容易进入至临时粘接层5的阴离子表面活性剂或阳离子表面活性剂等。这样，通过在液体44中包含容易进入至临时粘接层5的表面活性剂，能够从表面活性剂所进入的区域容易分离临时粘接层5，从而能够从工件7更容易地剥离载体板3。
另外，在第3变形例中，在使载体板3和工件7沉入至液体44中之后，利用推压部件26向阶梯差部3c施加朝下的力时，可以对该推压部件26赋予超声波等振动。具体而言，一边将超声波等振动赋予至推压部件26，一边利用该推压部件26向阶梯差部3c施加朝下的力。在该情况下，通过从推压部件26传递的振动的作用，能够从工件7更容易地剥离载体板3。
同样地，在使载体板3和工件7沉入至液体44中之后，利用推压部件26向阶梯差部3c施加朝下的力时，可以对液体44赋予超声波等振动。具体而言，一边将超声波等振动赋予至液体44，一边利用推压部件26向阶梯差部3c施加朝下的力。在该情况下，通过从液体44传递的振动的作用，能够从工件7更容易地剥离载体板3。
另外，也可以对第3变形例进一步组合第2变形例。即，也可以在使载体板3和工件7沉入至液体44中之前或之后，向在载体板3与工件7之间露出的临时粘接层5吹送流体。在该情况下，也能够从工件7更容易地剥离载体板3。
除此以外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (8)

1.一种载体板的去除方法，当从在载体板的正面上借助临时粘接层而设置有工件的圆盘状的复合基板的该工件将该载体板剥离而去除时使用该方法，其中，
该载体板的去除方法包含如下的工序：
阶梯差部形成工序，将该工件的外周部、该临时粘接层的外周部以及该载体板的该正面侧的外周部去除，形成该载体板的背面侧比该载体板的该正面侧向侧方突出的阶梯差部；
起点区域形成工序，将与该工件的该外周部相邻的该工件的一部分的区域去除，形成成为从该工件剥离该载体板时的起点的起点区域；
保持工序，在形成了该阶梯差部和该起点区域之后，在将该工件定位于该载体板的上方的状态下，利用保持单元从上方对该工件进行保持；以及
载体板去除工序，在利用该保持单元对该工件进行了保持之后，利用推压部件向该阶梯差部施加朝下的力而使该载体板向从该工件离开的方向移动，从而将该载体板从该工件剥离而去除。
2.根据权利要求1所述的载体板的去除方法，其中，
在该载体板去除工序中，在对在该工件与该载体板之间露出的该临时粘接层吹送流体之后向该阶梯差部施加朝下的力，或一边对在该工件与该载体板之间露出的该临时粘接层吹送流体一边向该阶梯差部施加朝下的力，将该载体板从该工件剥离而去除。
3.根据权利要求1所述的载体板的去除方法，其中，
在该载体板去除工序中，在使该工件和该载体板沉入至液体中的状态下，向该阶梯差部施加朝下的力。
4.根据权利要求3所述的载体板的去除方法，其中，
在该液体中包含表面活性剂。
5.根据权利要求2所述的载体板的去除方法，其中，
在该载体板去除工序中，在使该工件和该载体板沉入至液体中的状态下，向该阶梯差部施加朝下的力。
6.根据权利要求5所述的载体板的去除方法，其中，
在该液体中包含表面活性剂。
7.根据权利要求3至6中的任意一项所述的载体板的去除方法，其中，
在该载体板去除工序中，在使该工件和该载体板沉入至该液体中的状态下，一边对该推压部件赋予振动一边向该阶梯差部施加朝下的力。
8.根据权利要求3至6中的任意一项所述的载体板的去除方法，其中，
在该载体板去除工序中，在使该工件和该载体板沉入至该液体中的状态下，一边对该液体赋予振动一边向该阶梯差部施加朝下的力。
CN202010841870.7A 2019-08-26 2020-08-20 载体板的去除方法 Pending CN112435951A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019153397A JP7262903B2 (ja) 2019-08-26 2019-08-26 キャリア板の除去方法
JP2019-153397 2019-08-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112435951A true CN112435951A (zh) 2021-03-02

Family

ID=74564709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010841870.7A Pending CN112435951A (zh) 2019-08-26 2020-08-20 载体板的去除方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11222808B2 (zh)
JP (1) JP7262903B2 (zh)
KR (1) KR102734778B1 (zh)
CN (1) CN112435951A (zh)
DE (1) DE102020210751B4 (zh)
SG (1) SG10202007436PA (zh)
TW (1) TWI845749B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023027850A (ja) * 2021-08-18 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 剥離方法、剥離装置および剥離システム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201207989A (en) * 2010-06-07 2012-02-16 Skyworks Solutions Inc Devices for methodologies for debonding and handling semiconductor wafers
CN103325733A (zh) * 2012-03-23 2013-09-25 株式会社东芝 基板的分离方法以及分离装置
US20160375672A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for manufacturing an electronic device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0165467B1 (ko) * 1995-10-31 1999-02-01 김광호 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법
US6066229A (en) * 1997-07-10 2000-05-23 Sony Corporation Method of recycling disk recording medium and apparatus for recovering metal reflective film
JP2000223683A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Canon Inc 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにｓｏｉ基板の製造方法
US7351300B2 (en) * 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP4271409B2 (ja) * 2002-05-22 2009-06-03 リンテック株式会社 脆質材料の加工方法
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
JP2010283097A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Lintec Corp 両面接着シート
US9847243B2 (en) * 2009-08-27 2017-12-19 Corning Incorporated Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
EP2523209B1 (de) * 2010-04-23 2017-03-08 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats von einem Trägersubstrat
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
JP5580805B2 (ja) * 2011-10-21 2014-08-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102437483B1 (ko) * 2013-08-30 2022-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 적층의 가공 장치 및 가공 방법
WO2015170210A1 (en) * 2014-05-03 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation apparatus for thin film stacked body
KR102305505B1 (ko) * 2014-09-29 2021-09-24 삼성전자주식회사 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 이니시에이터 및 웨이퍼 서포팅 시스템 디본딩 방법
CN107000953B (zh) * 2014-12-26 2018-09-28 Ａｇｃ株式会社 剥离开始部制作方法和制作装置及电子器件的制造方法
JP6529321B2 (ja) 2015-04-14 2019-06-12 株式会社ディスコ デバイスパッケージの製造方法
KR101898121B1 (ko) * 2015-10-22 2018-09-12 저지앙 마이크로테크 머테리얼 컴퍼니 리미티드 워크피스 처리 방법 및 그러한 방법을 위해 설계된 장치
US10155369B2 (en) * 2016-11-29 2018-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer debonding system and method
JP2018092963A (ja) 2016-11-30 2018-06-14 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10211077B2 (en) * 2017-03-17 2019-02-19 Didrew Technology (Bvi) Limited Method for debonding temporarily adhesive-bonded carrier-workpiece pair by using high pressure solvent
CN111480216B (zh) * 2017-12-19 2023-09-29 东京毅力科创株式会社 基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
JP6991673B2 (ja) * 2018-02-27 2022-01-12 株式会社ディスコ 剥離方法
JP7187112B2 (ja) * 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201207989A (en) * 2010-06-07 2012-02-16 Skyworks Solutions Inc Devices for methodologies for debonding and handling semiconductor wafers
CN103325733A (zh) * 2012-03-23 2013-09-25 株式会社东芝 基板的分离方法以及分离装置
US20160375672A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for manufacturing an electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US20210066110A1 (en) 2021-03-04
JP7262903B2 (ja) 2023-04-24
TWI845749B (zh) 2024-06-21
TW202109641A (zh) 2021-03-01
JP2021034571A (ja) 2021-03-01
US11222808B2 (en) 2022-01-11
KR20210024960A (ko) 2021-03-08
DE102020210751B4 (de) 2024-07-04
SG10202007436PA (en) 2021-03-30
DE102020210751A1 (de) 2021-03-04
KR102734778B1 (ko) 2024-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111463162B (zh) 载体板的去除方法
CN110828362B (zh) 载板的去除方法
US20210175085A1 (en) Peeling method for peeling off substrate from support plate
CN113964075A (zh) 载体板的去除方法
CN112435951A (zh) 载体板的去除方法
CN112435950B (zh) 载体板的去除方法
CN113964074A (zh) 载体板的去除方法
JP7650600B2 (ja) キャリア板の除去方法
JP2024178779A (ja) キャリア板の除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination