CN112368635A - 液晶显示装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开的液晶显示装置包括：第一基板，其上形成有像素电极和第一取向膜；第二基板，其上形成有公共电极和第二取向膜；以及设置在第一取向膜和第二取向膜之间的液晶层。在显示区域中的液晶层中，具有对盒厚度的形成没有贡献的突起。突起由与下层膜相同的无机材料制成。本公开的电子设备具有上述构造的液晶显示装置。

Description

液晶显示装置及电子设备

技术领域

本公开涉及液晶显示装置和电子设备。

背景技术

因为液晶畴(由像素之间的横向电场引起的取向紊乱)在黑白之间的显示边界处是可视的，所以液晶显示装置的图像质量劣化。为了抑制由上述畴引起的图像质量下降，采用了通过使用液晶的盒厚度间隔件来物理断开畴连接的方法。

但是，例如在将倾斜蒸镀膜用作取向膜的情况下，在盒厚度间隔件上也形成倾斜蒸镀膜。这会导致液晶取向紊乱，从而降低对比度(导致漏光)。通过减小盒厚度间隔件的直径，可以有效地减少漏光。然而，通常，盒厚度间隔件是通过使用有机材料光刻形成的。因此，难以在保持盒厚度的高度的同时减小盒厚度间隔件的直径。

在上述情况下，常规上，在与盒厚度间隔件相同的处理步骤中形成具有比盒厚度间隔件小的高度的畴抑制突起结构，并且通过使用畴抑制突起结构，在使畴断裂的同时使突起的高度和平面尺寸小于盒厚度间隔件的高度和平面尺寸，从而减少了漏光(参见例如专利文献1)。

[引用列表]

[专利文献]

[专利文献1]

日本专利公开第2001-201750号

发明内容

[技术问题]

在以上专利文献1中描述的传统技术中使用的突起是由以低于分辨率极限的分辨率被图案化光刻的有机材料得到的。因此，形状可控性不足，并且尺寸的小型化受到限制。此外，使突起的尺寸最小化使与由无机材料形成的下层膜的界面粘合性降低。例如，由于液晶的初始清洗，这可能导致突起的不良形成(塌陷或消失的突起)。然后，如果突起塌陷，则由于缺陷像素而导致成品率下降。如果突起消失，则失去畴抑制的效果。因此，在使用在专利文献1中描述的传统技术的情况下，对于要求元件的小型化的狭窄间隔的像素的开口的增加存在局限性。

本公开涉及用于抑制畴的突起。本公开的目的是提供一种液晶显示装置，其具有在形状控制性和与由无机材料形成的下层膜的界面粘合性方面均优异的突起。本公开的另一个目的是提供一种具有液晶显示装置的电子设备。

[解决问题的技术方案]

为了实现上述目的，根据本公开的一方面，提供了一种液晶显示装置，其包括第一基板、第二基板和液晶层。在第一基板上形成像素电极和第一取向膜。在第二基板上形成公共电极和第二取向膜。液晶层设置在第一取向膜和第二取向膜之间。在显示区域内，液晶层包含对盒厚度的形成没有贡献的突起。突起由与下层膜相同的无机材料形成。

为了实现上述目的，根据本公开的另一方面，提供一种配备有具有上述构造的液晶显示装置的电子设备。

附图说明

图1是示出有源矩阵液晶显示装置的系统配置的示例的系统配置图。

图2是示出液晶显示装置中的显示部的基本结构的示例的局部示意截面图。

图3A是示出根据传统示例的突起结构的平面图。图3B是沿着图3A的虚线A-A截取的截面图。

图4A是示出根据第一实施例的突起结构的平面图。图4B是沿着图4A的虚线B-B截取的截面图。

图5是示出根据第一实施例的形成突起结构的过程的一组处理图(部分1)。

图6是示出根据第一实施例的形成突起结构的过程的一组处理图(部分2)。

图7是示出在层间绝缘膜具有多层结构的情况下执行的部分处理的一组处理图。

图8是示出根据第二实施例的形成突起结构所执行的过程的主要部分的一组处理图。

图9是示出根据第三实施例的形成突起结构所执行的过程的主要部分的一组处理图。

图10A是示出根据第四实施例的突起结构的突起形状的第一示例的平面图。图10B是示出突出形状的第二示例的平面图。

图11A是示出根据第五实施例的突起结构的平面图。图11B是示出图11A的主要部分的截面结构的截面端视图。

图12A是示出根据第六实施例的突起结构的非显示区域的截面结构的截面端视图。图12B是示出图12A的主要部分的平面图。

图13是示出根据第七实施例的突起结构的非显示区域的截面结构的截面端视图。

图14是示出根据第八实施例的突起结构的非显示区域的截面结构的截面端视图。

图15A是示出根据第九实施例的突起结构的第一示例布置的平面图。图15B是示出根据第九实施例的突起结构的第二示例布置的平面图。

图16是示出根据第九实施例的突起结构与取向膜的气相沉积方向之间的关系的示图。

图17是示出基于根据本公开的电子设备的第一具体示例的投影显示设备(投影仪)的基本配置的示意性配置图。

图18A是示出基于根据本公开的电子设备的第二具体示例的智能电话的第一示例的外观图。图18B是示出智能电话的第二示例的外观图。

图19是示出根据本公开的电子设备的第三具体示例的头戴式显示器的外观图。

图20A是示出基于根据本公开的电子设备的第四具体示例的数码相机的正视图。图20B是示出数码相机的后视图。

具体实施方式

现在将参考附图详细描述用于实现根据本公开的技术的方式(以下称为实施例)。根据本公开的技术不限于实施例。结合实施例提及的各种数值和材料是说明性的而非限制性的。在下面的描述中，相同的元件或具有相同功能的元件由相同的附图标记表示，并且将不再赘述。将按照以下顺序给出描述。

1.根据本公开的液晶显示装置和电子设备的总体描述

2.应用了根据本公开的技术的液晶显示装置

3.液晶显示装置的基本配置

3-1.系统配置

3-2.液晶面板的配置

3-3.液晶畴

4.根据实施例的液晶显示装置

4-1.第一实施例(基本突起结构的示例)

4-2.第二实施例(包括凹陷部的突起的示例)

4-3.第三实施例(其中，突起的底部平坦面比位于像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面更靠近基板上表面的示例)

4-4.第四实施例(其他突起形状的示例)

4-5.第五实施例(从上方观察时，与盒厚度间隔件重叠形成突起的示例)

4-6.第六实施例(在与显示区域相同的处理步骤中在非显示区域中另外形成突起的示例)

4-7.第七实施例(从上方观察时，非显示区域中的突起形成为与盒厚度间隔件重叠并且包含盒厚度间隔件的示例)

4-8.第八实施例(非显示区域中的突起形成在密封区域中的示例)

4-9.第九实施例(从上方观察时，突起为矩形形状的示例)

5.根据本公开的电子设备

5-1.第一具体示例(投影显示设备的示例)

5-2.第二具体示例(智能手机的示例)

5-3.第三具体示例(头戴式显示器的示例)

5-4.第四具体示例(数码相机的示例)

6.本公开支持的配置

<根据本公开的液晶显示装置和电子设备的总体描述>

根据本公开的液晶显示装置和电子设备可以被配置为使得突起的底部平坦面形成为与像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面齐平，或者被配置为使得突起的底部平坦面比像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面更靠近液晶层。此外，从上方观察时，突起可以可替代地构造成部分地包括凹陷部。

关于包括上述优选构造的根据本公开的液晶显示装置和电子设备，突起可以构造成从上方观察时与显示区域的遮光部重叠布置。此外，突起可以被配置为从上方观察时与盒厚度间隔件重叠。盒厚度间隔件决定盒厚度。

此外，关于包括上述优选构造的根据本公开的液晶显示装置和电子设备，突起可以被配置为以与显示区域相同的处理步骤在非显示区域中另外形成。此外，非显示区域中的突起可以被配置为当从上方观察时，形成为与布线不重叠，该布线在与像素电极相同的处理步骤中形成。另外，非显示区域中的突起可以被构造为从上方观察时形成为与盒厚度间隔件重叠并且包含盒厚度间隔件，或者被构造为形成在液晶层的密封区域中。

此外，关于包括上述优选构造的根据本公开的液晶显示装置和电子设备，，突起可以构造为从上方观察时具有矩形形状，且在像素周围的遮光部中沿着像素的水平和垂直的两边布置。此外，突起可以被构造成从上方观察时沿着取向膜的气相沉积方向布置，以悬置于像素的开口的一部分上。

<应用了根据本公开的技术的液晶显示装置>

首先，以下给出的描述涉及应用了根据本公开的技术的液晶显示装置。

根据显示方法，液晶显示装置被分为透射型、反射型和半透射型。此外，硅、透明氧化物半导体(TOS)、有机半导体等可以例示为用作像素的薄膜晶体管(TFT)的材料。

此外，作为硅材料，透射型液晶显示装置通常使用非晶硅(非晶半导体)或多晶硅(多晶硅半导体)。反射型液晶显示装置通常使用单晶硅。应当注意，多晶硅分为高温多晶硅(HTPS)和低温多晶硅(LTPS)。HTPS在温度为1000℃或更高的环境中形成薄膜。LTPS在温度为600℃或更低的环境中形成薄膜。

对于液晶面板，使用诸如石英基板、玻璃基板或硅基板的基板作为布置液晶的基板。通常，非晶硅透射型液晶面板和低温多晶硅透射型液晶面板使用玻璃基板，高温多晶硅透射型液晶面板使用石英基板，而单晶硅反射型液晶面板使用硅基板。通常将具有设置在硅基板上的液晶的装置称为LCOS(硅上液晶)。

VA(垂直排列)模式和TN(扭曲向列)模式可用作液晶模式(液晶分子排列)。在通常为黑色的VA模式下，当没有电压施加到液晶时，透射率或反射率将最小化以显示黑屏。在通常为白色的TN模式下，当没有电压施加到液晶时，透射率或反射率将最大化以显示白屏。

此外，可选择高温多晶硅工艺、低温多晶硅工艺或非晶硅(a-Si)工艺作为TFT工艺。关于用于投影显示设备(投影仪)的液晶面板，通常选择VA模式作为液晶模式，并且通常选择HTPS(高温多晶硅)工艺作为TFT工艺(这就是通常所说的HTPS液晶面板)。对于中小尺寸的直视液晶面板，通常选择VA模式作为液晶模式，通常选择LTPS(低温多晶硅)工艺作为TFT工艺(这就是通常所说的LTPS液晶面板)。对于大尺寸的直视液晶面板，通常选择VA模式作为液晶模式，并且通常选择非晶硅工艺作为TFT工艺(这就是通常所说的a-Si液晶面板)。

以下描述的根据本公开的技术适用于透射、反射和半透射显示方法中的任何一种，并且还适用于VA或TN液晶模式中的任一种。此外，无论使用硅、透明氧化物半导体或有机半导体中的哪一种作为薄膜晶体管的材料，都可以应用根据本公开的技术。

<液晶显示装置的基本配置>

现在将参考其中液晶显示装置是有源矩阵型的示例来描述根据本公开的液晶显示装置的基本配置。有源矩阵液晶显示装置通常被称为有源矩阵驱动型显示装置。有源矩阵驱动型显示装置被配置为使得针对每个像素设置独立的像素电极，并且将开关元件连接至每个像素电极以选择性地驱动像素。

在有源矩阵液晶显示装置中，通过在两个基板即第一基板和第二基板之间注入液晶来形成液晶面板。第一基板是通过形成例如TFT(薄膜晶体管)作为开关元件而获得的TFT基板。第二基板是通过形成滤色器、对置电极等而获得的对置基板，并且与TFT基板相对设置。最终，液晶面板通过根据开关控制和视频信号施加电压来控制液晶的取向，由此改变光的透射率，以显示图像，其中，由开关元件执行开关控制。

[系统配置]

图1示出了有源矩阵液晶显示装置的系统配置的示例。如图1所示，根据本示例的有源矩阵液晶显示装置1包括像素阵列部20和像素驱动部。像素阵列部20被配置为使得像素10在行和列方向上二维地布置。像素驱动部驱动像素阵列部20中的每个像素10。像素驱动部包括扫描线驱动部30、信号线驱动部40等。

像素阵列部20被配置为使得像素以m行和n列的矩阵布置。关于m行像素和n列像素，对于各个像素行布线相应的扫描线51₁至51_m，并且对于各个像素列布线相应的信号线52₁至52_n。每条扫描线51的一端连接到扫描线驱动部30中相关行的输出端。每条信号线52的一端连接到信号线驱动部40中相关列的输出端。

[液晶面板的配置]

接下来，将参照图2描述以示例的方式透射型液晶显示装置1中的显示部(液晶面板)的基本构造。图2是示出液晶显示装置1中的显示部的基本结构的示例的局部示意截面图。

如图2所示，液晶显示装置1被构造为在第一基板23与第二基板26之间夹有液晶层27。在第一基板23的内侧形成有像素电极21和第一取向膜22。在第二基板26的内侧形成有公共电极24和第二取向膜25。液晶显示装置1具有周围被密封材料27A密封的面板结构(液晶面板)。应当注意，在第一基板23上形成有布线层29。布线层29包括扫描线51₁至51_m、信号线52₁至52_n等。此外，由无机材料(例如氧化硅和氮化硅)形成的层间绝缘膜28一方面位于布线层29和第一取向膜22之间，另一方面位于布线层29和像素电极21之间。

第一基板23是通过形成例如TFT(薄膜晶体管)作为开关元件而获得的TFT基板。第二基板26是与第一基板23相对设置的对置基板。第一基板23和第二基板26由诸如玻璃基板的透明基板形成。应当注意，尽管未示出，但是偏振片将被布置在第一基板23的外侧和第二基板26的外侧。

通过将液晶注入第一基板23和第二基板26之间的间隙中来形成液晶层27。像素电极21和公共电极24分别布置在第一基板23和第二基板26的相对侧上。优选地，像素电极21和公共电极24由诸如ITO(氧化铟锡)，IZO(氧化铟锌)或ZnO(氧化锌)的透明导体形成。

第一取向膜22和第二取向膜25设置在第一基板23和第二基板26的内侧面上，即，设置为覆盖与液晶层27相邻的一侧的表面，从而液晶层27中包含的液晶分子沿预定方向取向。

具有上述构造的液晶面板通过根据开关控制和视频信号在像素电极21和公共电极24之间施加电压以控制液晶的取向，从而改变光的透射率，由此来显示图像，其中由开关元件执行的开关控制。

[液晶畴]

由于由像素之间的横向电场引起的取向失调的结果，即在黑白之间的显示边界处可看到液晶畴，因此液晶显示装置的图像质量劣化。通过将包括像素部布线等的遮光部与液晶畴出现的区域重叠，可以使得液晶畴几乎不可见。

另一方面，非常需要液晶显示装置实现更高的亮度。特别地，透射型液晶显示装置必须增加像素开口率。像素开口率的增加减小了用于使液晶畴几乎不可见的遮光部的面积。因此，特别是对于狭窄间隔的像素，液晶畴与像素开口率是此消彼长的关系。

此外，通过在液晶层中形成具有一定高度的突起结构，可以破坏取向失调链。但是，该结构同时引起周围液晶的取向失调。由于这会导致漏光，因此在显示黑色时对比度会降低。通过与包括像素部布线等的遮光部重叠地布置突出结构，即漏光区域，可以抑制对比度的降低。但是，与液晶畴一样，对比度也与像素开口率具有此消彼长的关系。因此，特别是当窄间距像素的开口较大时，需要在液晶畴和对比度之间实现良好的平衡。

此外，存在一种通过使用液晶的盒厚度间隔件来物理断开畴连接以抑制由液晶畴引起的图像质量劣化的方法。但是，例如在将倾斜蒸镀膜用作取向膜的情况下，在盒厚度间隔件上也形成倾斜蒸镀膜。这会扰乱液晶的方向，从而降低对比度(导致漏光)。减小盒厚度间隔件的直径对于减少光泄漏是有效的。然而，通常，盒厚度间隔件通过使用有机材料光刻形成。因此，难以在保持盒厚度之间的距离的同时减小盒厚度间隔件的直径。

另一方面，如图3A和图3B所示，通常，与用于决定第一基板23和第二基板26之间的距离(以下称为“盒厚度”)的盒厚度间隔件61不同的突起62以与盒厚度间隔件61相同的处理步骤形成(参照专利文献1)。此外，通过使突起62的高度和平面尺寸小于盒厚度间隔件61的高度和平面尺寸，同时通过使用上述突起结构破坏液晶畴的连接，减少了光泄漏。

然而，即使在采用根据上述传统示例的突起结构的情况下，例如，在将倾斜蒸镀膜用作第一取向膜22的情况下，在盒厚度间隔件61上也形成倾斜蒸镀膜。因此，液晶的取向被扰乱，从而降低了对比度。此外，以低于分辨率极限的分辨率光刻图案化的有机材料用作突起62。因此，突起62的形状的可控制性不足，并且尺寸的小型化受到限制。此外，突起62的尺寸最小化会使与由无机材料形成的下层的层间绝缘膜28或像素电极21的界面附接性降低。例如，由于液晶的初步清洗，这可能导致突起的不良形成(突起塌陷或消失)。

<根据实施例的液晶显示装置>

鉴于以上情况，本公开的实施例被配置为使得通过使用与用于取向膜正下方的下层膜相同的无机材料在显示区域内的液晶层中形成对盒厚度的形成没有贡献的突起。更具体地，直接处理由无机材料形成的下层膜，以便通过在CMOS半导体工艺中使用无机材料在显示区域内的液晶层中形成用于畴抑制的突起。

在此，“对盒厚度的形成没有贡献的突起”是指与用于决定盒厚度(即有助于盒厚度的形成)的盒厚度间隔件61不同的突起。更具体地，由无机材料形成的突起的形状为其高度和平面尺寸(从上方观察时的尺寸)小于盒厚度间隔件61的高度和平面尺寸。在不使用盒厚度间隔件61的情况下，由无机材料形成的突起的高度小于显示部的盒厚度的高度。通过该突起的作用可以实现畴抑制。

当将基于通常使用的无机膜处理技术的突起形成方法用于CMOS半导体工艺时，与不使用上述突起形成方法的传统技术相比，可以形成更加小型化的突起结构。这提供了突起形状的极好的可控制性并且使突起的尺寸最小化。因此，可以减少漏光。此外，通过使用与下层膜相同的无机材料来形成突起，可以形成用于畴抑制的突起结构，该突起结构与突起正下方的膜的界面附接性优异。结果，可以实现畴抑制以抑制畴引起的图像质量劣化。这不仅可以提高图像质量，而且可以解决液晶畴与对比度和像素开口率之间的此消彼长。

以下详细描述涉及本公开的实施例的用于实现畴抑制的突起结构，该突起结构在用于畴抑制的突起的形状的可控制性以及与由无机材料形成的下层膜的界面附接性方面是优异的。

将参考其中在作为TFT基板的第一基板23的一侧上形成用于畴抑制的突起结构的示例情况来描述以下实施例。然而，可替代地，突起结构可以形成在作为对置基板的第二基板26的一侧上，或者形成在两侧上。

[第一实施例]

第一实施例是根据本公开的基本突起结构的示例。图4A是示出根据第一实施例的突起结构的平面图。图4B是沿着图4A的虚线B-B截取的截面图。

在被配置为使得第一基板23和第二基板26彼此相对设置并且通过向第一基板23与第二基板26之间的间隙注入液晶来形成液晶层27的这样的液晶显示装置中，液晶层27包含以预定间隔设置的用于确定盒厚度(即，有助于形成盒厚度)的盒厚度间隔件61。

在根据本实施例的具有上述构造的液晶显示装置中，通过使用与用于下方的层间绝缘膜28的无机材料相同的无机材料，在液晶层27中形成用于畴抑制的突起62。如图4A中所示，当从上方观察时，在显示区域(有效像素区域)中，在像素10的周围与遮光部重叠地形成有多个突起62。氧化硅、氮化硅等可以用作用于层间绝缘膜28和突起62的无机材料。

通过以使突起62的高度和平面尺寸小于盒厚度间隔件61的高度和平面尺寸的方式应用通常使用的无机膜处理技术，在CMOS半导体工艺中形成突起62。由于突起62的高度小于盒厚度隔离件61的高度，因此突起62对盒厚度的形成没有贡献。优选的是，突起62的尺寸设置成具有大约等于或小于盒厚度间隔件61的高度的一半的高度，并且具有大约等于或小于盒厚度间隔件61的平面尺寸的一半的平面尺寸。

当将通常使用的无机膜处理技术应用于CMOS半导体工艺时，根据第一实施例的突起结构使得可以提供突起62的形状的优异的可控制性并且使突起62的尺寸最小化。因此可以减少光泄漏。此外，由于可以实现微细加工，因此如图4A所示，在包括布线层29的遮光部中也可以形成大量的突起62，该突起62通过增大像素10的开口而被小型化。这增强了畴抑制的效果。此外，可以通过直接处理包括无机材料的层间绝缘膜28并形成包括无机材料的突起62来减少突起62的不良形成。这使得可以改善图像质量和成品率。

现在将参考图5和图6中的过程图描述形成根据第一实施例的突起结构的处理。通过将通常使用的无机膜处理技术应用于CMOS半导体工艺来执行以下描述的突起结构形成处理。对于稍后描述的其他实施例也是如此。

(处理步骤1)

CVD(化学气相沉积)法、溅射法等用于在图2所示的TFT基板(第一基板23)上形成金属膜，例如钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)或铜(Cu)膜的金属膜，或形成包括这些金属的合金膜，然后进行图案化以形成布线层29。

随后，使用CVD法等形成无机膜，例如氧化硅膜或氮化硅膜，或形成包括这些物质的多层膜，从而获得具有例如大约200至2000nm的膜厚度的层间绝缘膜28。通过使用诸如CMP(化学机械抛光)的方法根据需要使层间绝缘膜28平坦化。

(处理步骤2)

接下来，在层间绝缘膜28上形成抗蚀剂63以覆盖突起形成区域。然后将抗蚀剂63用作掩模以通过RIE(反应性离子蚀刻)或湿法蚀刻形成突起62。优选地，从上方观察时，突起62形成为与遮光部重叠，并且突起62的平面尺寸大致等于或小于遮光宽度。在本示例中，布线层29用作遮光部，从而使突起62与布线层29重叠地设置。但是，重叠对象不限于布线层29。突起62可以可替代地设置成与任何遮光区域重叠。

(处理步骤3)

接下来，剥离用于形成突起62的抗蚀剂63，然后将抗蚀剂64用作掩模，以在层间绝缘膜28中形成到达布线层29的接触孔65。突起62和接触孔65的形成顺序可以颠倒。然而，在形成突起62之后形成接触孔65在工艺方面是有利的，因为可以减小层间绝缘膜28的厚度。

(处理步骤4)

接下来，剥离用于形成接触孔65的抗蚀剂64，然后将像素电极材料形成膜并进行图案化以形成像素电极21。在本示例中，像素电极材料用于连接至布线层29。然而，一种替代方案是在接触孔65中形成附加的导电膜(未示出)，并且经由附加的导电膜将像素电极21连接到布线层29。此外，在本示例中，以像素电极材料保留在突起62上的方式执行图案化。然而，替代方式是去除像素电极材料或将其连接至像素电极21。

(处理步骤5)

接下来，形成盒厚度间隔件61，然后形成第一取向膜22。根据相对于图2所示的对置基板(第二基板26)的盒厚度形成的过程，不必总是形成盒厚度间隔件61。即使在形成盒厚度间隔件61的情况下，也可以仅在有效像素区域以外的区域中形成。

从以上说明显而易见的是，根据第一实施例的突起结构被构造为通过使用与层间绝缘膜28相同的无机材料，与取向膜(第一取向膜22)的正下方的层间绝缘膜28一体地形成用于抑制畴的突起62。从图6明显可见，这确保了突起62的底部平坦面形成为与层间绝缘膜28(其是位于像素电极21正下方的下层膜)的平坦表面齐平。

应当注意，在根据第一实施例的突起结构中，由无机材料形成的层间绝缘膜28具有单层结构。然而，层间绝缘膜28的结构不限于单层结构。替代方案是采用通过层叠多个层间绝缘膜而形成的多层结构。例如，如图7所示，在通过层叠由无机材料形成的第一层间绝缘膜28₁和第二层间绝缘膜28₂而形成采用的多层结构的情况下，通过利用上述两个层间绝缘膜28₁和28₂之间的蚀刻选择性差异，可以容易地控制突起62的高度。图7是示出在层间绝缘膜28具有多层结构的情况下执行的部分处理的一组处理图。图7中的处理步骤1和2对应于图5中的处理步骤1和2。

[第二实施例]

第二实施例是第一实施例的修改示例。在第二实施例中，从上方观察时，在突起62的中央布置有凹陷部。图8是示出根据第二实施例的形成突起结构所执行的处理的主要部分的一组处理图。下面的描述涉及根据第二实施例的形成突起结构的过程。

(处理步骤1)

与第一实施例中的处理步骤1相同，使用诸如CVD或溅射的方法形成诸如W、Mo、Ti、Al或Cu膜的金属膜或包括这些金属的合金膜，然后，进行图案化以形成布线层29。接下来，通过在无机膜或由该无机膜得到的多层膜上进行CVD法等而形成层间绝缘膜28。随后，通过使用诸如CMP的方法根据需要使层间绝缘膜28平坦化。

(处理步骤2)

接下来，在层间绝缘膜28上形成抗蚀剂63，以覆盖形成有突起62的区域。然后将抗蚀剂63用作掩模以通过RIE或湿法蚀刻形成突起部分62A。从上方观察时，突起部分62A形成为与遮光部重叠。在这方面，第二实施例类似于第一实施例。

(处理步骤3)

接下来，与第一实施例中的处理步骤3一样，通过使用抗蚀剂64作为掩模来在层间绝缘膜28中形成到达布线层29的接触孔65。在这种情况下，从上方观察时，抗蚀剂64被开孔以在突起部分62A中形成与在处理步骤2中形成的突起部分62A重叠的凹陷部66。结果，在通过从突起部分62A去除凹陷部66而限定的区域中形成了用于畴抑制的突起62。

随后，执行处理以形成像素电极21、盒厚度间隔件61和第一取向膜22。该处理基本上与第一实施例中的处理步骤4和5中执行的处理相同。

从以上说明显而易见的是，根据第二实施例的突起结构被构造为使得通过组合形成突起62的处理和形成接触孔65的处理，从上方观察时在突起62的中心设置凹陷部66。应当注意，这里举例说明从上面观察，凹陷部66布置在中心的情况。然而，从上方观察时，凹陷部66的布置位置不限于中心。例如，凹陷部66可以可替代地以仅保留图中所示的左侧部分的方式布置。简而言之，从上方观察时，突起62的一部分包括凹陷部66就足够了。如上所述，通过在突起62上布置凹陷部66，可以将用于畴抑制的突起62的尺寸最小化。因此，可以更可靠地减少漏光。

[第三实施例]

第三实施例是第一实施例的修改示例。在第三实施例中，突起62的底部平坦面比像素电极21正下方的层间绝缘膜28的平坦表面更靠近上基板表面(更靠近液晶层27)。图9是示出根据第三实施例的形成突起结构所执行的处理的主要部分的一组处理图。下面的描述涉及根据第三实施例的形成突起结构的过程。

(处理步骤1)

与第一实施例中的处理步骤1相同，使用诸如CVD或溅射的方法形成诸如W、Mo、Ti、Al或Cu膜的金属膜或包括这些金属的合金膜，然后，进行图案化以形成布线层29。随后，通过在无机膜或由该无机膜衍生的多层膜上进行CVD法等而形成层间绝缘膜28。

(处理步骤2)

接下来，与第一实施例中的处理步骤3一样，通过使用抗蚀剂64作为掩模来在层间绝缘膜28中形成到达布线层29的接触孔65。

(处理步骤3)

接下来，与第一实施例中的处理步骤4的情况一样，剥离抗蚀剂64，然后将像素电极材料形成为膜并且对其进行图案化以形成像素电极21。

(处理步骤3)

接下来，使用CVD法等形成无机膜，例如氧化硅膜或氮化硅膜，或形成包括这些物质的多层膜，从而获得具有例如大约200至2000nm的膜厚度的层间绝缘膜28A。通过使用诸如CMP的方法，根据需要使层间绝缘膜28A平坦化。

(处理步骤4)

接下来，与第一实施例中的处理步骤2的情况相同，在层间绝缘膜28A上形成抗蚀剂63，以覆盖形成有突起62的区域。然后将抗蚀剂63用作掩模以通过RIE或湿法蚀刻形成突起62。

从以上说明显而易见的是，根据第三实施例的突起结构被构造为使得通过使用形成在像素电极21上的层间绝缘膜28A来形成突起62。因此，突起62的底部平坦面比层间绝缘膜28(其是位于像素电极21正下方的下层膜)的平坦表面更靠近液晶层27。如上所述，以这样的方式形成突起62，使得突起62的底部平坦面比层间绝缘膜28的平坦表面更靠近液晶层27。因此，突起62位于形成有像素电极21的层的上方的层中。这使得可以减轻对突起62相对于像素电极21的位置的限制。

[第四实施例]

第四实施例是第一实施例至第三实施例的修改示例。第四实施例涉及从上方观察时与显示区域(有效像素区域)的遮光部重叠布置的突起62的形状的示例。图10A和图10B是示出根据第四实施例的突起结构的突起62的形状的第一示例和第二示例的平面图。

(第一示例)

如图10A中所示，根据第一示例的突起的形状被构造为使得，在显示区域中的像素10周围的遮光部中的盒厚度间隔件61被布置在像素10的角部中的一条对角线上的位置，从上方观察时形状像圆形的突起62a设置在像素10的角部中的另一对角线上的位置。此外，从上方观察时，呈椭圆形的突起62b位于与像素10的四条边对应的位置。换句话说，根据第一示例的突起形状被构造为使得从上方观察时呈圆形的突起62a与从上方观察时呈椭圆形的突起62b组合。

(第二示例)

如图10B所示，根据第二示例的突起形状被构造为使得，当盒厚度间隔件61设置在像素10的角部中的一条对角线上的位置时，从上方观察时为十字形的突起62c设置在像素10的角部中的另一条对角线上的位置。此外，从上方观察时形状像圆形的突起62a布置在与像素10的四条边相对应的位置处。换句话说，根据第二示例的突起形状被构造为使得从上方观察时呈圆形的突起62a与从上方观察时呈十字形的突起62c结合。

如上所述，通过在显示区域中与像素10周围的遮光部重叠布置从上方观察为各种形状的突起62a、62b和62c，可以减少漏光。此外，可以通过针对每个像素形成多个突起62(62a，62b和62c)来增强畴抑制的效果。

应当注意，从上方观察时的突起62的形状在第一示例中是圆形和椭圆形的组合，在第二示例中是圆形和十字形的组合。然而，从上方观察时的突起62的形状不限于这些组合。可替代地，从上方观察时的圆形、椭圆形和十字形的组合可以用作突起62的形状。此外，从上方观察时的突起62的形状不限于圆形、椭圆形和十字形。另一种选择是使用不同的形状(例如矩形)或使用通过将不同的形状与上述组合相结合而获得的形状。

[第五实施例]

第五实施例是第一实施例的修改示例。在第五实施例中，当从上方观察时，突起62形成为与盒厚度间隔件61重叠。图11A是示出根据第五实施例的突起结构的平面图。图11B是示出图11A的主要部分的截面端视图。

如图11A和图11B所示，根据第五实施例的突起结构被构造为使得从上方观察时，例如呈圆形的突起62与盒厚度间隔件61(其例如设置在像素10的角部的一条对角线上的位置)重叠设置。对于采用的结构如上所述的情况，与使用根据第一实施例的突起结构的情况(参见图4)相比，可以将布置的突起62的数量增加盒厚度间隔件61的数量。

应当注意，参考图11B，突起62上的像素电极材料可以留在突起62上，可以被去除或可以连接到像素电极21。

通过以上述方式从上方观察将突起62设置成与盒厚度间隔件61重叠，可以增加与盒厚度间隔件61下方的膜的接触面积。这使得可以在例如液晶的初步清洁期间抑制盒厚度间隔件61塌陷。此外，由于这使得更容易使盒厚度间隔件61小型化，所以可以更可靠地减少漏光。

[第六实施例]

第六实施例是在与显示区域相同的处理步骤中在非显示区域中另外形成用于畴抑制的突起62的示例。图12A是示出根据第六实施例的突起结构的非显示区域的截面结构的截面端视图。图12B是示出图12A的主要部分的平面图。

如图12A和图12B所示，根据第六实施例的突起结构被配置为使得突起62在与显示区域相同的处理步骤中形成在非显示区域中。虚拟像素等形成在非显示区域中，这对图像显示没有贡献。从上方观察时，非显示区域中的突起62形成为与非显示区域中的布线67不重叠。在与像素电极21相同的处理步骤中形成布线67。

由于通过以上述方式与用于显示区域的处理步骤相同的处理步骤在非显示区域中另外形成突起62，从而能够提高在形成突起62时的抗蚀剂的覆盖范围，因此，可以增强突起62的处理的可控制性。可以理解，在上述情况下，如果像素电极布线悬在突起部分上，则可能发生断开。因此，以从上方观察时在非显示区域中不与布线67重叠布置的方式形成突起62。顺便提及，在第三实施例中，对突起62相对于像素电极布线的位置没有施加限制。例如，在蚀刻SiO₂膜的情况下，当通过使用CF自由基进行处理时，产生SiFx和O₂。在这种情况下，O₂与抗蚀剂反应以提高抗蚀剂处理速率。因此，如果抗蚀剂覆盖范围小，则不能保持抗蚀剂。这导致可加工性不足。

[第七实施例]

第七实施例是第六实施例的修改示例。在第七实施例中，当从上方观察时，非显示区域中的突起62形成为与盒厚度间隔件61重叠并且包含盒厚度间隔件61。图13是示出根据第七实施例的突起结构的非显示区域的截面端视图。

如图13所示，根据第七实施例的突起结构被配置为使得用于确定盒厚度并且形成在用于在非显示区域中进行畴抑制的突起62(其不对图像显示贡献)上的盒厚度间隔件61具有比突起62更小的平面尺寸。因此，突起62和盒厚度间隔件61之间的关系使得从上方观察时突起62包含盒厚度间隔件61。用于密封液晶的密封材料27A布置在作为对置基板的第二基板26的外围(密封区域)上。

通过以上述方式，通过在突起62上形成盒厚度间隔件61并利用突起62的阶层差来形成盒厚度，可以改善盒厚度的可控性。

[第八实施例]

第八实施例是第六实施例的修改示例。在第八实施例中，非显示区域中的突起62形成在非显示区域的外周处的密封区域中。图14是示出根据第八实施例的突起结构的非显示区域的截面端视图。

如图14所示，根据第八实施例的突起结构被配置为使得非显示区域中的突起62形成在液晶层27的密封区域(其具有密封材料27A并设置在非显示区域的外围)中。此外，用于密封液晶的密封材料27A的一部分与突起62重叠布置。

通过以上述方式，将突起62布置在密封区域中并且沿着突起62的轮廓放置作为对置基板的第二基板26，可以改善盒厚度的可控性。

[第九实施例]

第九实施例是第一实施例的变形例。在第九实施例中，从上方观察时，突起62的形状呈矩形。图15A和图15B是分别示出根据第九实施例的突起结构的第一示例布置和第二示例布置的平面图。在第一示例布置和第二示例布置中，从上方观察时，突起62的形状呈矩形。

(第一示例布置)

如图15A所示，第一示例布置被配置为使得在像素10周围的遮光部11中，沿着像素的水平和垂直的两边布置从上方观察时形状呈矩形的突起62。在下面的描述中，假定沿着像素10的垂直边布置的突起62是突起62A，并且假设沿着像素10的水平边布置的突起62是突起62B。优选的是，突起62A和突起62B在像素10的角部处连接。此外，从上方观察时，突起62A和突起62B可以与相邻的像素连接。在第一示例布置中，当从上方观察时，盒厚度间隔件61可以与突起62A和突起62B重叠地布置。

在根据第九实施例的突起结构的第一示例布置中，由于从上方观察时突起62A和突起62B的形状呈矩形，所以可以水平和垂直地连接扰乱液晶取向的区域，即引起光泄漏的区域。因此，可以更有效地实现畴抑制。

此外，由于突起62A和突起62B的形状呈矩形，并且被连接到像素10的水平和垂直边，在光刻图案化和液晶的初步清洁期间，可以抑制图案塌陷。因此，突起62A和突起62B可以形成为具有更加小型化的突起线宽。这使得可以减少由突起62A和突起62引起的漏光。

(第二示例布置)

如图15B中所示，第二示例布置被配置为使得从上方观察时，围绕像素10设置在遮光部11中的突起62A和突起62B被布置为悬置在像素10的开口10a的一部分上。更具体地，如图16所示，从上方观察时，突起62A和突起62B沿着取向膜的气相沉积方向布置，从而悬置(overhang)在像素10的开口10a的一部分上。

在根据第九实施例的突起结构的第二示例布置中，从上方观察时，突起62A和突起62B沿着取向膜的气相沉积方向配置，从而悬置于开口10a的一部分上。因此，不仅可以提供上述作用和优点，而且还可以通过在像素10周围使用遮光部11来有效地遮挡由突起62A和突起62B引起的漏光。结果，可以使对比度劣化最小化。

<根据本公开的电子设备>

上面已经描述的根据本公开的液晶显示装置可以用作在输入到电子设备或在电子设备中生成的视频信号被显示为静止图像或视频图像的所有领域中使用的电子设备的显示部(显示装置)。例如，根据本公开的液晶显示装置可以用作投影显示设备(投影仪)、智能电话、头戴式显示器，、数码相机、摄像机、移动终端设备(诸如移动电话)、笔记本个人计算机、电视机等设备的显示部。

根据本公开的液晶显示装置可以被成形为具有密封构造的模块。例如，根据本公开的液晶显示装置可以是通过将诸如透明玻璃部的相对部附接到像素阵列部而形成的显示模块。应当注意，显示模块可以包括用于从外部向像素阵列部输入/输出信号等的电路部、柔性印刷电路(FPC)等。

根据本公开的液晶显示装置能够抑制液晶畴，并且因此抑制由液晶畴引起的图像质量劣化。因此，当根据本公开的液晶显示装置在所有领域中用作电子设备的显示部(显示装置)时，可以显示高质量的图像。

作为使用根据本公开的液晶显示装置的电子设备的具体示例，下面描述投影显示设备(投影仪)、智能电话、头戴式显示器和数码相机。但是，下面给出的具体示例仅是说明性的，而不是限制性的。

[第一具体示例：投影显示设备的示例]

投影显示设备(通常称为投影仪)执行加色混合以实现彩色显示，并且一般通过使用三个液晶面板采用三面板方法，分别将液晶面板用于红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)这三种原色光，以生成各个原色的图像，并使用棱镜来组合生成的图像。投影显示设备通常使用约1.0英寸大小的液晶面板。图17是示出根据本公开的电子设备的第一具体示例的三面板投影显示设备(投影仪)100的光学系统的示意图。

参照图17，从光源101(例如白灯)发出的白光通过偏振转换元件102从P偏振光转换为S偏振光，然后透射到复眼透镜103以提供均匀的照明，并入射在二向色镜104上。随后，仅特定的颜色分量(例如，R(红色)的光分量)透射通过二向色镜104，其余颜色的光分量从二向色镜104反射。透过二向色镜104的R光分量的光路由反射镜105改变。然后，R光分量穿过透镜106R并入射在R的液晶面板107R上。

关于从二向色镜104反射的光分量，例如，G(绿色)的光分量从二向色镜108反射，并且B(蓝色)的光分量透射过二向色镜108。从二向色镜108反射的G光分量穿过透镜106G，然后入射在G的液晶面板107G上。透射过二向色镜108的B光分量通过透镜109。然后，通过反射镜110改变B光分量的光路。此外，B光分量穿过透镜111，然后通过反射镜112改变B光分量的光路。最终，B光分量穿过透镜106B，然后入射到B的液晶面板107B上。

应当注意，尽管未在图17中示出，但是在液晶面板107R、107G和107B的光入射侧和光发射侧均设置有偏振片。众所周知，当在光入射侧和光出射侧上的一对偏振片以其偏振方向相互垂直的方式(正交偏光镜)布置时，设定为常白模式，而当一对偏振片以其偏振方向彼此平行的方式(平行偏光镜)布置时，设定位常黑模式。

分别通过液晶面板107R、107G和107B的R、G和B光分量入射在交叉棱镜113上并由交叉(棱镜113组合。由交叉棱镜113组合的光入射在投影透镜上114。投影透镜114将组合的光投射到屏幕(未显示)上。

在具有上述构造的三面板投影显示设备100中，根据本公开的液晶显示装置可以用作作为光调制装置(光阀)的液晶面板107R、107G和107B。换句话说，通过使用根据本公开的液晶显示装置作为液晶面板107R、107G和107B来制造根据上述第一具体示例的投影显示设备100。

[第二具体示例：智能手机的示例]

图18描绘了示出根据本公开的电子设备的第二具体示例的智能电话的外部视图。图18A是示出智能电话的第一示例的外观图。图18B是示出智能电话的第二示例的外观图。

第一示例中的智能电话200A和第二示例中的智能电话200B均包括显示部210和操作部220。对于第一示例中的智能电话200A，操作部220在壳体230上布置在显示部210下方。对于第二示例中的智能电话200B，操作部f220设置在壳体230的顶表面上。此外，根据本公开的液晶显示装置可以用作智能电话200A和200B的显示部210。换句话说，通过使用根据本公开的液晶显示装置作为它们的显示部210来制造根据上述第二具体示例的智能电话200A和200B。

[第三具体示例：头戴式显示器的示例]

图19是示出根据本公开的电子设备的第三具体示例的头戴式显示器的外观图。

根据第三具体示例的头戴式显示器300被配置为透射式头戴式显示器，其包括主体部301、臂部302和镜筒303。主体部301连接到臂部302和眼镜310。更具体地说，主体部301的长边方向的一端附接至臂部302上。另外，主体部301的侧面的一端经由连接部件(未描述)与眼镜310连接。应当注意，主体部301可以直接戴在人头上。

主体部301包括显示部和用于控制头戴式显示器300的操作的控制电路板。通过将主体部301联接到镜筒303，臂部302相对于主体部301支撑镜筒303。更具体地，当臂部302与主体部301的一端和镜筒303的一端耦接时，臂部302将镜筒303固定于主体部301。此外，臂部302包括有信号线，用于发送关于要从主体部301提供给镜筒303的图像的数据。

镜筒303将从主体部301经由臂部302提供的图像光通过眼镜310的透镜311投射到佩戴有头戴式显示器300的使用者的眼睛上。在头戴式显示器300中，根据本公开的液晶显示装置可以用作结合在主体部301中的显示部。换言之，通过使用根据本公开的液晶显示装置作为头戴式显示器300的显示部来制造根据上述第三具体示例的头戴式显示器300。

[第四具体示例：数码相机的示例]

图20描绘了示出根据本公开的电子设备的第四具体示例的可交换的单镜头反光数码相机的外部视图。图20A是示出可交换的单镜头反光数码相机的正视图。图20B是示出可交换的单镜头反光数码相机的后视图。

可交换的单镜头反光数码相机400包括例如可交换的摄影镜头单元(可交换的镜头)412和握持部413。可交换的摄影镜头单元412布置在相机主体(相机主体)411的右前侧。握持部413配置在相机主体411的左前侧，并适于被摄影者握持。另外，在相机主体411的背面的大致中央配置有监视器414。在监视器414的上方配置有取景器(目镜窗)415。通过取景器415观察，摄影者能够在视觉上识别由摄影镜头单元412引入的物体的光图像并确定构图。

根据本公开的液晶显示装置可以用作具有上述构造的可交换的单镜头反光数码相机400的取景器415。换句话说，通过使用根据本公开的液晶显示装置作为可交换的单镜头反光数码相机400的取景器415，来制造根据上述第四具体示例的可交换的单镜头反光数码相机400。

<本公开内容支持的配置>

应当注意，本公开也可以具有以下配置。

<<A.液晶显示装置>>

[A-1]一种液晶显示装置，包括：

第一基板，其上形成有像素电极和第一取向膜；

第二基板，其上形成有公共电极和第二取向膜；以及

设置在第一取向膜和第二取向膜之间的液晶层，

其中，在显示区域中，液晶层包含对盒厚度的形成没有贡献的突起，并且

突起由与下层膜相同的无机材料形成。

[A2]根据[A-1]的液晶显示装置，其中，突起的底部平坦面与像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面齐平。

[A-3]根据[A-1]的液晶显示装置，其中，从上方观察时，突起部分地具有凹陷部。

[A-4]根据[A-1]的液晶显示装置，其中，突起的底部平坦面比位于像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面更靠近液晶层。

[A-5]根据[A-1]至[A-4]中任一项的液晶显示装置，其中，从上方观察时，突起与显示区域的遮光部重叠布置。

[A-6]根据[A-1]的液晶显示装置，

其中，设置有用于决定盒厚度的盒厚度间隔件，以及

从上方观察时，突起与盒厚度间隔件重叠布置。

[A-7]根据[A-1]的液晶显示装置，其中，突起在与显示区域相同的处理步骤中在非显示区域中另外形成。

[A-8]根据[A-7]的液晶显示装置，其中，从上方观察时，非显示区域中的突起形成为与像素电极相同的处理步骤中形成的布线不重叠。

[A-9]根据[A-7]的液晶显示装置，

其中，设置有用于决定盒厚度的盒厚度间隔件，以及

从上方观察时，非显示区域中的突起形成为与盒厚度间隔件重叠并包含盒厚度间隔件。

[A-10]根据[A-7]的液晶显示装置，其中，非显示区域中的突起形成在液晶层的密封区域。

[A-11]根据[A-1]的液晶显示装置，其中，从上方观察时，突起呈矩形形状，且在像素周围的遮光部中沿着像素的水平和垂直的两边布置。

[A-12]根据[A-11]的液晶显示装置，其中，从上方观察时，突起沿着取向膜的气相沉积方向布置为悬置于像素的开口的一部分上。

<<B.电子设备>>

[B-1]电子设备包括：

液晶显示装置，包括：

第一基板，其上形成有像素电极和第一取向膜，

第二基板，其上形成有公共电极和第二取向膜，以及

设置在第一取向膜和第二取向膜之间的液晶层，

其中，在显示区域中，液晶层包含对盒厚度的形成没有贡献的突起，并且

突起由与下层膜相同的无机材料形成。

[B-2]根据[B-1]的电子设备，其中，突起的底部平坦面与像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面齐平。

[B-3]根据[B-1]的电子设备，其中，从上方观察时，突起部分地具有凹陷部。

[B-4]根据[B-1]的电子设备，其中，突起的底部平坦面比位于像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面更靠近液晶层。

[B-5]根据[B-1]至[B-4]中任一项的电子设备，其中，从上方观察时，突起与显示区域的遮光部重叠布置。

[B-6]根据[B-1]的电子设备，

其中，设置有用于决定盒厚度的盒厚度间隔件，以及

从上方观察时，突起与盒厚度间隔件重叠布置。

[B-7]根据[B-1]的电子设备，其中，突起在与显示区域相同的处理步骤中在非显示区域中另外形成。

[B-8]根据[B-7]的电子设备，其中，从上方观察时，非显示区域中的突起形成为与像素电极相同的处理步骤中形成的布线不重叠。

[B-9]根据[B-7]的电子设备，

其中，设置有用于决定盒厚度的盒厚度间隔件，以及

从上方观察时，非显示区域中的突起形成为与盒厚度间隔件重叠并包含盒厚度间隔件。

[B-10]根据[B-7]的电子设备，其中，非显示区域中的突起形成在液晶层的密封区域。

[B-11]根据[B-1]的电子设备，其中，从上方观察时，突起呈矩形形状，且在像素周围的遮光部中沿着像素的水平和垂直的两边布置。

[B-12]根据[B-11]的电子设备，其中，从上方观察时，突起沿着取向膜的气相沉积方向布置，以悬置于像素的开口的一部分上。

[参考符号列表]

1液晶显示装置，10像素，20像素阵列部，21像素电极，22第一取向膜，23第一基板(TFT基板)，24公共电极，25第二取向膜，26第二基板(对置基板)，27液晶层，28层间绝缘膜(下层膜)，29布线层，30扫描线驱动部，40信号线驱动部，51₁-51_m扫描线，52₁-52_n信号线，61盒厚度间隔件，62、62a、62b、62c、62A、62B突起。

Claims (13)

1.一种液晶显示装置，包括：

第一基板，像素电极和第一取向膜形成在所述第一基板上；

第二基板，公共电极和第二取向膜形成在所述第二基板上；以及

液晶层，设置在所述第一取向膜和所述第二取向膜之间，

其中，在显示区域内，所述液晶层包含对盒厚度的形成没有贡献的突起，并且

所述突起由与下层膜相同的无机材料形成。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述突起的底部平坦面与所述像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面齐平。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，从上方观察时，所述突起部分地包括凹陷部。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述突起的底部平坦面比位于所述像素电极正下方的层间绝缘膜的平坦表面更靠近所述液晶层。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，从上方观察时，所述突起被布置为与所述显示区域中的遮光部重叠。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，

其中，设置有用于决定所述盒厚度的盒厚度间隔件，以及

从上方观察时，所述突起被布置为与所述盒厚度间隔件重叠。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，在与所述显示区域相同的处理步骤中在非显示区域中另外形成所述突起。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中，从上方观察时，所述非显示区域中的所述突起形成为与所述像素电极相同的处理步骤中形成的布线不重叠。

9.根据权利要求7所述的液晶显示装置，

其中，设置有用于决定所述盒厚度的盒厚度间隔件，以及

从上方观察时，所述非显示区域中的所述突起形成为与所述盒厚度间隔件重叠并包含所述盒厚度间隔件。

10.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中，所述非显示区域中的所述突起形成在所述液晶层的密封区域。

11.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，从上方观察时，所述突起呈矩形形状且在像素周围的遮光部中沿着所述像素的水平和垂直的两边布置。

12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中，从上方观察时，所述突起沿着取向膜的气相沉积方向布置为悬置于所述像素的开口的一部分上。

13.电子设备，包括：

液晶显示装置，包括：

第一基板，像素电极和第一取向膜形成在所述第一基板上，

第二基板，公共电极和第二取向膜形成在所述第二基板上，以及

液晶层，设置在所述第一取向膜和所述第二取向膜之间，

其中，在显示区域内，所述液晶层包含对盒厚度的形成没有贡献的突起，并且

所述突起由与下层膜相同的无机材料形成。

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