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CN112328111B - 像素结构及其制造方法 - Google Patents

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CN112328111B CN202011209855.7A CN202011209855A CN112328111B CN 112328111 B CN112328111 B CN 112328111B CN 202011209855 A CN202011209855 A CN 202011209855A CN 112328111 B CN112328111 B CN 112328111B
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Abstract

本发明提供一种像素结构及其制造方法。像素结构包括基板、第一有源元件、触控信号线、透明导电层以及透明电极层。第一有源元件与触控信号线位于基板上。透明导电层包括第一电极以及桥接电极。第一电极电性连接至第一有源元件。第一电极具有多个狭缝。桥接电极重叠于触控信号线。透明电极层至少部分重叠于第一电极。触控信号线通过桥接电极而电性连接透明电极层。

Description

像素结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种像素结构，尤其涉及一种包括透明导电层的像素结构。
背景技术
随着科技的进展，触控装置在市面上的出现率逐渐增加，且各种有关的技术也层出不穷。在一些电子装置中，如：手机、平板电脑、智能手表等，时常会将触控装置与显示面板结合在一起，以提高电子装置于使用上的便利性。
在传统的显示装置中，会于显示面板的表面额外贴上一层具有触控功能的触控基板，使显示装置同时具有触控及显示的功能。举例来说，显示面板与触控基板之间会利用粘着层来贴合。然而，用这种方式制造的显示装置具有较厚的模块，且整体模块机构强度较差。
为了降低显示装置的厚度，一些显示装置的触控电极会设置于显示面板内部。然而，这种显示面板的制造流程包括了多道光掩膜工艺，使制造难度跟制造成本都明显提升。
发明内容
本发明提供一种像素结构，能减少工艺中的所需的光掩膜数目。
本发明提供一种像素结构的制造方法，能减少工艺中的所需的光掩膜数目。
本发明的至少一实施例提供一种像素结构。像素结构包括基板、第一有源元件、触控信号线、透明导电层以及透明电极层。第一有源元件与触控信号线位于基板上。透明导电层包括第一电极以及桥接电极。第一电极电性连接至第一有源元件。第一电极具有多个狭缝。桥接电极重叠于触控信号线。透明电极层至少部分重叠于第一电极。触控信号线通过桥接电极而电性连接透明电极层。
本发明的至少一实施例提供一种像素结构。像素结构包括基板、第一有源元件、第二有源元件、第三有源元件、触控信号线、透明导电层以及透明电极层。第一有源元件、第二有源元件、第三有源元件以及触控信号线位于基板上。透明导电层包括第一电极以及三个桥接电极。第一电极具有多个狭缝。第一电极电性连接触控信号线。桥接电极重叠于触控信号线。透明电极层包括三个第二电极。第二电极至少部分重叠于第一电极。三个第二电极分别电性连接至第一有源元件、第二有源元件以及第三有源元件。各第二电极包括第一部分以及通过对应的桥接电极所连接的第二部分。触控信号线位于第一部分以及第二部分之间。
本发明的至少一实施例提供一种像素结构的制造方法，包括：形成第一有源元件以及触控信号线于基板上；形成第一介电层于第一有源元件以及触控信号线上；形成透明电极层于第一介电层上；形成第二介电层于透明电极层上；进行图案化工艺以形成贯穿第一介电层与第二介电层的第一开口、贯穿第二介电层的第二开口以及贯穿第一介电层与第二介电层的第三开口；形成透明导电层于第二介电层上。透明导电层包括桥接电极以及具有多个狭缝第一电极。桥接电极通过第一开口以及第二开口而分别电性连接至触控信号线以及透明电极层。第一电极通过第三开口而电性连接至第一有源元件的漏极。
本发明的至少一实施例提供一种像素结构的制造方法，包括：形成第一有源元件、第二有源元件、第三有源元件以及触控信号线于基板上；形成透明电极层于基板上；形成介电层于第一有源元件、第二有源元件、第三有源元件、触控信号线以及透明电极层上；进行图案化工艺以形成贯穿介电层的三个第一开口、三个第二开口以及第三开口；形成透明导电层于该介电层上。透明电极层包括三个第二电极。第二电极分别电性连接至第一有源元件、第二有源元件以及第三有源元件。各第二电极包括第一部分以及第二部分。触控信号线位于第一部分以及第二部分之间。透明导电层包括重叠于触控信号线的三个桥接电极以及具有多个狭缝第一电极。桥接电极通过第一开口而分别电性连接至第一部分。桥接电极通过第二开口而分别电性连接至第二部分。第一电极通过第三开口而电性连接至触控信号线。
本发明的有益效果在于，本发明仅需一次图案化工艺就可以形成用于使触第二电极的第一部分电性连接第二电极的第二部分的第一开口与第二开口以及用于使透明导电层电性连接触控信号线的第三开口，由此可以减少光掩膜的数目。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种像素结构的俯视示意图。
图1B是依照本发明的一实施例的一种彩色滤光元件的俯视示意图。
图2A至图2F是依照本发明的一实施例的一种触控装置的制造方法的剖面示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种像素结构的俯视示意图。
图4A至图4E是依照本发明的一实施例的一种触控装置的制造方法的剖面示意图。
附图标记如下：
1、2:触控装置
10、20:像素结构
100、200:基板
110:透明导电层
112a、112b、112c:第一电极
114、114a、114b、114c:桥接电极
116:连接结构
120:透明电极层
122、1221:第一部分
124、1222:第二部分
B:蓝色滤光元件
126:连接部
BM:黑矩阵
CH1:第一半导体层
CH2:第二半导体层
CH3:第三半导体层
D1:第一漏极
D2:第二漏极
D3:第三漏极
DL:数据线
E1、E2、E3:方向
FP:转折处
G:绿色滤光元件
G1:第一栅极
G2:第二栅极
G3:第三栅极
GI:绝缘层
GP:间隙
I:介电层
I1:第一介电层
I2:第二介电层
N:凹槽
M1:第一金属层
M2:第二金属层
O1:第一开口
O2:第二开口
O3:第三开口
O4:第四开口
O5:第五开口
P1:第一接垫
P2:第二接垫
PA:接合垫
R:红色滤光元件
SL:扫描线
S1:第一源极
S2:第二源极
S3:第三源极
st:狭缝
T1:第一有源元件
T2:第二有源元件
T3:第三有源元件
TP:触控信号线
具体实施方式
应当理解，尽管术语“第一”与“第二”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。
图1A是依照本发明的一实施例的一种像素结构的俯视示意图。
请参考图1A，像素结构10包括基板100、第一有源元件T1、触控信号线TP、透明导电层110以及透明电极层120。在本实施例中，像素结构10还包括第二有源元件T2、第三有源元件T3、三条扫描线SL以及两条数据线DL。扫描线SL沿着方向E1延伸，数据线DL以及触控信号线TP沿着方向E2延伸。
第一有源元件T1、第二有源元件T2、第三有源元件T3、扫描线SL、数据线DL与触控信号线TP位于基板100上。触控信号线TP位于两条数据线DL之间。在一些实施例中，触控信号线TP与相邻两条数据线DL之间的距离大约相等。换句话说，触控信号线TP不会与其中一条数据线DL靠的太近，因此，能避免触控信号线TP干扰数据线DL的信号。
第一有源元件T1包括第一栅极G1、第一半导体层CH1、第一源极S1以及第一漏极D1。第二有源元件T2包括第二栅极G2、第二半导体层CH2、第二源极S2以及第二漏极D2。第三有源元件T3包括第三栅极G3、第三半导体层CH3、第三源极S3以及第三漏极D3。在本实施例中，第一有源元件T1、第二有源元件T2以及第三有源元件T3是以底部栅极型薄膜晶体管为例，但本发明不限于此。在其他实施例中，第一有源元件T1、第二有源元件T2以及第三有源元件T3是顶部栅极型薄膜晶体管。
第一栅极G1、第二栅极G2以及第三栅极G3分别电性连接至三条扫描线SL。第一半导体层CH1、第二半导体层CH2以及第三半导体层CH3在垂直基板100的方向上分别重叠于第一栅极G1、第二栅极G2以及第三栅极G3。
第一源极S1、第二源极S2以及第三源极S3分别电性连接至第一半导体层CH1、第二半导体层CH2以及第三半导体层CH3。第一源极S1、第二源极S2以及第三源极S3中的两个电性连接至两条数据线DL中的一条，且第一源极S1、第二源极S2以及第三源极S3中的另一个电性连接至两条数据线DL中的另一条。在本实施例中，第一源极S1与第三源极S3电性连接至相同条数据线DL，而第二源极S2电性连接至另一条数据线DL。
第一漏极D1、第二漏极D2以及第三漏极D3分别电性连接至第一半导体层CH1、第二半导体层CH2以及第三半导体层CH3。
透明导电层110包括第一电极112a、112b、112c以及桥接电极114。第一电极112a、112b、112c分别电性连接至第一漏极D1、第二漏极D2以及第三漏极D3。在本实施例中，第一电极112a、112b、112c为像素电极，且第一电极112a、112b、112c各自具有多个狭缝st。狭缝st的延伸方向实质上等于扫描线SL的延伸方向E1。各狭缝st具有转折处FP，且狭缝st的转折处FP在垂直基板100的方向上重叠于触控信号线TP。在一些实施例中，狭缝st的形状包括V字形、W字形或其他具有转折的形状。
桥接电极114位于第一电极112a、112b、112c中相邻的其中两个之间。桥接电极114在垂直基板100的方向上重叠于触控信号线TP。
透明电极层120在垂直基板100的方向上至少部分重叠于第一电极112a、112b、112c。触控信号线TP通过桥接电极114而电性连接透明电极层120，且透明电极层120为触控电极(或共用电极)。在本实施例中，桥接电极114在垂直基板100的方向上重叠于扫描线SL，由此降低桥接电极114对像素结构的开口率所造成的影响。在一些实施例中，像素结构适用于自容式触控感测装置，且自容式触控感测装置中包含多个结构上互相分离的透明电极层120，但本发明不以此为限。在其他实施例中，像素结构适用于互容式触控感测装置。
在本实施例中，透明电极层120包括第一部分122、第二部分124以及连接部126，其中第一部分122与第二部分124之间具有间隙GP，且连接部126连接第一部分122与第二部分124。触控信号线TP在垂直基板100的方向上重叠于第一部分122与第二部分124之间的间隙GP，由此降低触控信号线TP与透明电极层120之间的寄生电容。
通过第一电极112a、112b、112c与透明电极层120之间的电场，可以控制第一电极112a、112b、112c上方的液晶分子(未绘出)的转动方向。在本实施例中，狭缝st的转折处FP会出现光线很难通过的液晶光学暗区，因此，将触控信号线TP设置于重叠这些转折处FP的位置能减少触控信号线TP对像素结构10的开口率的影响，使像素结构10能维持较高的开口率。
图1B是依照本发明的一实施例的一种彩色滤光元件的俯视示意图。
在本实施例中，像素结构10还包括了基板200、红色滤光元件R、绿色滤光元件G、蓝色滤光元件B以及黑矩阵BM。红色滤光元件R、绿色滤光元件G、蓝色滤光元件B以及黑矩阵BM位于基板200上。黑矩阵BM位于红色滤光元件R、绿色滤光元件G以及蓝色滤光元件B之间。
红色滤光元件R、绿色滤光元件G以及蓝色滤光元件B在垂直基板100的方向上分别重叠于第一电极112a、112b、112c(绘于图1A)。黑矩阵BM在垂直基板100的方向上重叠于扫描线SL、数据线DL、第一有源元件T1、第二有源元件T2以及第三有源元件T3。在本实施例中，触控信号线TP在垂直基板100的方向上重叠于红色滤光元件R、绿色滤光元件G以及蓝色滤光元件B。
图2A至图2F是依照本发明的一实施例的一种触控装置的制造方法的剖面示意图，其中图2A至图2F对应了有源元件基板之用于外接其他装置的接合区BA以及图1A的线A-A’与线B-B’的位置。
请参考图2A，形成第一有源元件T1以及触控信号线TP于基板100上。在本实施例中，制造方法还包括形成三条扫描线(图2A省略绘出)、两条数据线(图2A省略绘出)、第二有源元件(图2A省略绘出)以及第三有源元件(图2A省略绘出)于基板100上。第一有源元件T1、第二有源元件、第三有源元件例如位于触控装置1的显示区。
形成第一金属层M1于基板100上，第一金属层M1包括第一栅极G1、第二栅极、第三栅极、扫描线SL以及第一接垫P1。
形成绝缘层GI于第一金属层M1以及基板100上。在本实施例中，绝缘层GI覆盖第一栅极G1、第二栅极、第三栅极、扫描线SL以及第一接垫P1。
形成第一半导体层CH1、第二半导体层以及第三半导体层于绝缘层GI上。
形成第二金属层M2于绝缘层GI上。第二金属层M2包括第一源极S1、第一漏极D1、第二源极、第二漏极、第三源极、第三漏极、数据线、触控信号线TP以及第二接垫P2。第二接垫P2在垂直基板100的方向E3上部分重叠于第一接垫P1。
请参考图2B，形成第一介电层I1于第二金属层M2以及绝缘层GI上。在本实施例中，形成第一介电层I1于第一有源元件T1、第二有源元件、第三有源元件、触控信号线TP以及第二接垫P2上。在本实施例中，第一介电层I1的材料包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类或其它合适的材料或上述的组合)或其它合适的材料或上述的组合。
请参考图2C，形成透明电极层120于第一介电层I1上。在一些实施例中，形成透明电极层120的方法包括先形成透明导电材料(例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物或其它合适的导电材料)于第一介电层I1，接着再图案化前述透明导电材料，以形成透明电极层120。
请参考图2D，形成第二介电层I2于透明电极层120上。在本实施例中，第二介电层I2的材料包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类或其它合适的材料或上述的组合)或其它合适的材料或上述的组合。
请参考图2E，进行图案化工艺以形成贯穿第一介电层I1与第二介电层I2的第一开口O1、贯穿第二介电层I2的第二开口O2以及贯穿第一介电层I1与第二介电层I2的第三开口O3。在本实施例中，前述图案化工艺还形成贯穿第一介电层I1与第二介电层I2的第四开口O4以及贯穿绝缘层GI、第一介电层I1与第二介电层I2的第五开口O5。
第三开口O3在垂直基板100的方向E3上重叠于第一漏极D1，第一开口O1的位置对应于透明电极层120的第一部分122与透明电极层120的第二部分124之间的间隙GP，第二开口O2邻近于第一开口O1，且第二开口O2在垂直基板100的方向E3上重叠于透明电极层120的第一部分122或第二部分124。第四开口O4在垂直基板100的方向E3上重叠于第二接垫P2，且第五开口O5在垂直基板100的方向E3上重叠于第一接垫P1。
在本实施例中，进行图案化工艺的方法例如包括光刻工艺。在本实施例中，第一金属层M1(包括第一接垫P1)、第二金属层M2(包括第一漏极D1、第二漏极、第三漏极以及触控信号线TP)以及透明电极层120皆可作为蚀刻停止层，因此，能于同一道蚀刻工艺中形成不同深度的开口。换句话说，不需要利用不同的光掩膜来形成不同深度的开口，由此可以减少光掩膜的数目。
请参考图1A、1B与图2F，形成透明导电层110于第二介电层I2上。透明导电层110包括第一电极112a、112b、112c以及桥接电极114。
第一电极112a、112b、112c通过三个第三开口O3而分别电性连接至第一漏极D1、第二漏极D2以及第三漏极D3。桥接电极114通过第一开口O1以及第二开口O2而分别电性连接至触控信号线TP以及透明电极层120。
在本实施例中，透明导电层110还包括连接结构116。连接结构116通过第四开口O4以及第五开口O5而分别电性连接第二接垫P2以及第一接垫P1，以构成接合垫PA。接合垫PA位于触控装置1的周边区。
红色滤光元件R、绿色滤光元件G、蓝色滤光元件B以及黑矩阵BM形成于基板200上。将基板200与基板100对组，且液晶分子LC位于基板200与基板100之间。至此，像素结构10大致完成，像素结构10位于触控装置1的显示区。
基于上述，仅需一次图案化工艺就可以形成用于使触控信号线电性连接透明电极层的第一开口与第二开口以及用于使透明导电层电性连接漏极的第三开口，由此可以减少光掩膜的数目。
图3是依照本发明的一实施例的一种像素结构的俯视示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图1的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图3，像素结构20包括基板100、第一有源元件T1、第二有源元件T2、第三有源元件T3、三条扫描线SL、两条数据线DL、触控信号线TP、透明导电层110以及透明电极层120。
透明导电层110包括第一电极112以及桥接电极114a、114b、114c。在本实施例中，第一电极112电性连接触控信号线TP，且第一电极112为触控电极(或共用电极)，且第一电极112具有多个狭缝st。狭缝st的延伸方向实质上等于扫描线SL的延伸方向E1。各狭缝st具有转折处FP。在一些实施例中，狭缝st的形状包括V字形、W字形或其他具有转折的形状。
在一些实施例中，像素结构适用于自容式触控感测装置，且自容式触控感测装置中包含多个结构上互相分离的透明导电层110，但本发明不以此为限。在其他实施例中，像素结构适用于互容式触控感测装置。
在本实施例中，第一电极112包括在垂直基板100的方向上重叠于扫描线SL的第一延伸部1121以及在垂直基板100的方向上重叠于数据线DL的第二延伸部1122。第二延伸部1122具有在垂直基板100的方向上重叠于第一有源元件T1、第二有源元件T2以及第三有源元件T3的开口，由此降低第一电极112与有源元件之间的寄生电容。
桥接电极114a、114b、114c在垂直基板100的方向上重叠于触控信号线TP。在本实施例中，第一延伸部1121在重叠于触控信号线TP的位置设置有凹槽N，而桥接电极114a、114b、114c位于凹槽N中。在本实施例中，桥接电极114a、114b、114c在垂直基板100的方向上重叠于扫描线SL，由此降低桥接电极114a、114b、114c对像素结构的开口率所造成的影响。
透明电极层120包括第二电极122a、122b、122c。第二电极122a、122b、122c在垂直基板100的方向上至少部分重叠于第一电极112。第二电极122a、122b、122c分别电性连接至第一有源元件T1的第一漏极D1、第二有源元件T2的第二漏极D2以及第三有源元件T3的第三漏极D3，且第二电极122a、122b、122c为像素电极。第二电极122a、122b、122c各自包括第一部分1221以及第二部分1222，其中第一部分1221通过对应的桥接电极114而连接第二部分1222。触控信号线TP位于第一部分1221以及第二部分1222之间。举例来说，第一部分1221与第二部分1222之间具有间隙GP，而触控信号线TP在垂直基板100的方向上重叠于间隙GP。第一部分1221以及第二部分1222之间的间隙GP以及触控信号线TP在垂直基板100的方向上重叠于转折处FP。
在本实施例中，狭缝st的转折处FP会出现光线很难通过的液晶光学暗区，因此，将触控信号线TP设置于重叠这些转折处FP的位置能减少触控信号线TP对像素结构20的开口率的影响，使像素结构20能维持较高的开口率。
在本实施例中，红色滤光元件(请参考图1B)、绿色滤光元件(请参考图1B)以及蓝色滤光元件(请参考图1B)分别重叠于第二电极122a、122b、122c，且触控信号线TP在垂直基板100的方向上重叠于红色滤光元件、绿色滤光元件以及蓝色滤光元件。
图4A至图4E是依照本发明的一实施例的一种触控装置的制造方法的剖面示意图，其中图4A至图4E对应了有源元件基板的用于外接其他装置的接合区BA以及图3的线A-A’、线B-B’与线C-C’的位置。在此必须说明的是，图4A至图4E的实施例沿用图2A至图2F的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图4A，形成第一有源元件T1以及触控信号线TP于基板100上。在本实施例中，制造方法还包括形成三条扫描线SL(图2A仅显示一条)、两条数据线(图2A省略绘出)、第二有源元件(图2A省略绘出)以及第三有源元件(图2A省略绘出)于基板100上。第一有源元件T1、第二有源元件、第三有源元件例如位于触控装置的显示区。
第一接垫P1与第二接垫P2形成于触控装置的周边区。
请参考图4B，形成透明电极层120于基板100上。在本实施例中，第一半导体层CH1、第二半导体层、第三半导体、第二金属层M2(包括第一漏极D1、第一源极S1、第二漏极、第二源极、第三漏极、第三源极、数据线、触控信号线TP以及第二接垫P2)以及透明电极层120皆形成于绝缘层GI上。透明电极层120在垂直基板100的方向E3上不重叠于触控信号线TP，由此避免透明电极层120与触控信号线TP短路。
请参考图4C，形成介电层I于透明电极层120、第二金属层M2以及绝缘层GI上。在本实施例中，形成介电层I于第一有源元件T1、第二有源元件以及第三有源元件、触控信号线TP以及透明电极层120以及绝缘层GI上。在本实施例中，介电层I的材料包括无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料(例如：聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类或其它合适的材料或上述的组合)或其它合适的材料或上述的组合。在一些实施例中，介电层I为单层或多层结构。
请参考图4D，进行图案化工艺以形成贯穿介电层I的第一开口O1、第二开口O2以及第三开口O3。在本实施例中，前述图案化工艺还形成贯穿介电层I的第四开口O4以及贯穿绝缘层GI与介电层I的第五开口O5。
第一开口O1在垂直基板100的方向E3上重叠于第一部分1221。第二开口O2在垂直基板100的方向E3上重叠于第二部分1222。第三开口O3在垂直基板100的方向E3上重叠于触控信号线TP。第四开口O4在垂直基板100的方向E3上重叠于第二接垫P2，且第五开口O5在垂直基板100的方向E3上重叠于第一接垫P1。
在本实施例中，进行图案化工艺的方法例如包括光刻工艺。在本实施例中，第一金属层M1(包括第一接垫P1)、第二金属层M2(包括触控信号线TP)以及透明电极层120皆可作为蚀刻停止层，因此，能于同一道蚀刻工艺中形成不同深度的开口。换句话说，不需要利用不同的光掩膜来形成不同深度的开口，由此可以减少光掩膜的数目。
请参考图3与图4E，形成透明导电层110于介电层I上。透明导电层110包括于垂直基板100的方向E3上重叠于触控信号线TP的桥接电极114a、114b、114c以及具有多个狭缝st第一电极112。
第一电极112通过第三开口O3而电性连接至触控信号线TP。
桥接电极114a、114b、114c通过第一开口O1而分别电性连接至第一部分1221，且桥接电极114a、114b、114c通过第二开口O2而分别电性连接至第二部分1222。
在本实施例中，透明导电层110还包括连接结构116。连接结构116通过第四开口O4以及第五开口O5而分别电性连接第二接垫P2以及第一接垫P1，以构成接合垫PA。接合垫PA位于触控装置2的周边区。
红色滤光元件R(请参考图1B)、绿色滤光元件G(请参考图1B)、蓝色滤光元件B(请参考图1B)以及黑矩阵BM形成于基板200上。将基板200与基板100对组，且液晶分子LC位于基板200与基板100之间。至此，像素结构20大致完成，像素结构20位于触控装置2的显示区。
基于上述，仅需一次图案化工艺就可以形成用于使触第二电极的第一部分电性连接第二电极的第二部分的第一开口与第二开口以及用于使透明导电层电性连接触控信号线的第三开口，由此可以减少光掩膜的数目。

Claims (9)

1.一种像素结构，包括：
一基板；
一第一有源元件，位于该基板上；
一触控信号线，位于该基板上；
一透明导电层，包括：
一第一电极，电性连接至该第一有源元件，且该第一电极具有多个狭缝；以及
一桥接电极，重叠于该触控信号线；
一透明电极层，至少部分重叠于该第一电极，其中该触控信号线通过该桥接电极而电性连接该透明电极层；
三条扫描线、两条数据线，其中该触控信号线位于该两条数据线之间；以及
一第二有源元件以及一第三有源元件，其中
该第一有源元件的栅极、该第二有源元件的栅极以及该第三有源元件的栅极分别电性连接至该三条扫描线，
该第一有源元件的源极、该第二有源元件的源极以及该第三有源元件的源极中的两个电性连接至该两条数据线中的一条，且该第一有源元件的源极、该第二有源元件的源极以及该第三有源元件的源极中的另一个电性连接至该两条数据线中的另一条，其中
该透明导电层包括三个第一电极，该三个第一电极分别电性连接至该第一有源元件的漏极、该第二有源元件的漏极以及该第三有源元件的漏极，其中该透明电极层至少部分重叠于该三个第一电极；
一第一介电层，形成于该触控信号线上，且该透明电极层形成于该第一介电层上；
一第二介电层，形成于该透明电极层上，且该透明导电层形成于该第二介电层上，该桥接电极通过贯穿该第一介电层以及该第二介电层的一第一开口而连接该触控信号线；以及
一红色滤光元件、一绿色滤光元件以及一蓝色滤光元件，分别重叠于该三个第一电极，且该触控信号线重叠于该红色滤光元件、该绿色滤光元件以及该蓝色滤光元件。
2.如权利要求1所述的像素结构，其中该桥接电极重叠于该三条扫描线中的其中一条，且该桥接电极位于该三个第一电极中相邻的其中两个之间。
3.如权利要求1所述的像素结构，其中各该狭缝具有一转折处，多个所述狭缝的延伸方向实质上等于该三条扫描线的延伸方向，且多个所述狭缝的多个所述转折处重叠于该触控信号线。
4.如权利要求1所述的像素结构，其中该桥接电极通过贯穿该第二介电层的一第二开口而连接该透明电极层。
5.如权利要求1所述的像素结构，其中该透明电极层包括一第一部分、一第二部分以及一连接部，其中该触控信号线重叠于该第一部分与该第二部分之间的间隙，且该连接部连接该第一部分与该第二部分。
6.一种像素结构，包括：
一基板；
一第一有源元件、一第二有源元件以及一第三有源元件，位于该基板上；
一触控信号线，位于该基板上；
一透明导电层，包括：
一第一电极，具有多个狭缝，其中该第一电极电性连接该触控信号线；以及
三个桥接电极，重叠于该触控信号线；以及
一透明电极层，包括：
三个第二电极，至少部分重叠于该第一电极，且分别电性连接至该第一有源元件、该第二有源元件以及该第三有源元件，其中各该第二电极包括一第一部分以及通过对应的该桥接电极所连接的一第二部分，该触控信号线位于多个所述第一部分以及多个所述第二部分之间；
三条扫描线、两条数据线，其中该触控信号线位于该两条数据线之间，其中该第一有源元件的栅极、该第二有源元件的栅极以及该第三有源元件的栅极分别电性连接至该三条扫描线，该第一有源元件的源极、该第二有源元件的源极以及该第三有源元件的源极中的两个电性连接至该两条数据线中的一条，且该第一有源元件的源极、该第二有源元件的源极以及该第三有源元件的源极中的另一个电性连接至该两条数据线中的另一条；
一绝缘层，覆盖该三条扫描线、该第一有源元件的栅极、该第二有源元件的栅极以及该第三有源元件的栅极，且该透明电极层以及该触控信号线形成于该绝缘层上；
一第一介电层，形成于该触控信号线以及该透明电极层上，其中该透明导电层形成于该第一介电层上，且各该桥接电极分别通过贯穿该第一介电层的一第一开口而连接该第一部分，各该桥接电极分别通过贯穿该第一介电层的一第二开口而连接该第二部分；以及
一红色滤光元件、一绿色滤光元件以及一蓝色滤光元件，分别重叠于该三个第二电极，且该触控信号线重叠于该红色滤光元件、该绿色滤光元件以及该蓝色滤光元件。
7.如权利要求6所述的像素结构，其中该第一电极通过贯穿该第一介电层的一第三开口而电性连接该触控信号线。
8.如权利要求6所述的像素结构，其中各该狭缝具有一转折处，多个所述狭缝的延伸方向实质上等于该三条扫描线的延伸方向，且各该第二电极的该第一部分以及该第二部分之间的间隙以及该触控信号线重叠于多个所述转折处。
9.一种像素结构的制造方法，包括：
形成一第一有源元件以及一触控信号线于一基板上；
形成一第一介电层于该第一有源元件以及该触控信号线上；
形成一透明电极层于该第一介电层上；
形成一第二介电层于该透明电极层上；
进行一图案化工艺以形成贯穿该第一介电层与该第二介电层的一第一开口、贯穿该第二介电层的一第二开口以及贯穿该第一介电层与该第二介电层的一第三开口；
形成一透明导电层于该第二介电层上，该透明导电层包括一桥接电极以及具有多个狭缝一第一电极，其中该桥接电极通过该第一开口以及该第二开口而分别电性连接至该触控信号线以及该透明电极层，且该第一电极通过该第三开口而电性连接至该第一有源元件的漏极；
形成三条扫描线、两条数据线、一第二有源元件以及一第三有源元件于该基板上，其中该触控信号线位于该两条数据线之间，其中该第一有源元件的栅极、该第二有源元件的栅极以及该第三有源元件的栅极分别电性连接至该三条扫描线，该第一有源元件的源极、该第二有源元件的源极以及该第三有源元件的源极中的两个电性连接至该两条数据线中的一条，且该第一有源元件的源极、该第二有源元件的源极以及该第三有源元件的源极中的另一个电性连接至该两条数据线中的另一条；其中
进行该图案化工艺以形成贯穿该第一介电层与该第二介电层的三个第三开口；且
该透明导电层包括三个第一电极，该三个第一电极分别通过该三个第三开口而电性连接至第一有源元件的漏极、该第二有源元件的漏极以及该第三有源元件的漏极，且该透明电极层至少部分重叠于该三个第一电极。
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