CN112292616A - 放射线检测器及放射线图像摄影装置 - Google Patents

Abstract

本发明的放射线检测器具有依次设置有如下结构的部分：基板，在像素区域形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；转换层，将放射线转换为光；反射性粘合层，反射被转换层转换的光；及粘接层，覆盖包括从粘合层的端部至基板的表面的区域在内的区域。

Description

放射线检测器及放射线图像摄影装置

技术领域

本发明涉及一种放射线检测器及放射线图像摄影装置。

背景技术

以往，已知有以医疗诊断为目的而进行放射线拍摄的放射线图像摄影装置。这种放射线图像摄影装置中使用用于检测透射被摄体的放射线而生成放射线图像的放射线检测器。

作为放射线检测器，已知有具备形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素的基板和将放射线转换为光的转换层的放射线检测器。这种放射线检测器中，已知有作为具有反射被转换层转换的光的功能的层例如具备反射层的技术(参考日本特开2018-009804号公报及日本特开2017-187424号公报)。

发明内容

发明要解决的技术课题

上述以往的技术的放射线检测器中，具有反射光的功能的层不能说被充分固定于基板及转换层的端部，从而存在剥离的忧虑。尤其，在基板具有挠性的情况下，因基板挠曲，具有反射光的功能的层变得容易剥离。因此，期待将具有反射光的功能的层固定于基板及转换层的技术。

因此，可考虑在具有反射光的功能的层与转换层之间设置具有粘合性的层等，并通过具有粘合性的层将具有反射光的功能的层固定于基板及转换层。然而，在具有反射光的功能的层与转换层之间设置粘合层的情况下，存在使通过放射线检测器而得的放射性图像的画质降低的忧虑。

本发明提供一种与在具有反射光的功能的层与转换层之间设置具有粘合性的层的情况相比，能够在不使放射线图像的画质降低的情况下抑制具有反射光的功能的层的剥离的放射线检测器及放射线图像摄影装置。

用于解决技术课题的手段

本发明的第1方式为放射线检测器，具有依次设置有如下结构的部分：基板，在像素区域形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；转换层，将放射线转换为光；反射性粘合层，反射被转换层转换的光；及粘接层，覆盖包括从粘合层的端部至基板的表面的区域在内的区域。

本发明的第2方式在第1方式中，粘合层可以形成于基材，粘合层可以配置于转换层侧。

本发明的第3方式在第2方式中，基材可以具有反射性。

本发明的第4方式在第1方式至第3方式中的任一方式中，粘合层可以为分散有无机白色粉末的粘合性树脂。

本发明的第5方式在第4方式中，粉末可以含有氧化钛、硫酸钡、氧化铝、氧化镁及氧化钙中的至少1个。

本发明的第6方式在第1方式中，粘合层可以具有将反射性的金属性第1粘合膜和反射性的树脂性第2粘合膜层叠而成的层叠结构，第2粘合膜可以配置于转换层侧。

本发明的第7方式在第1方式至第6方式中的任一方式中，可以进一步具备覆盖粘合层及转换层的保护层。

本发明的第8方式在第7方式中，保护层可以具有将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜和铝膜层叠而成的层叠结构。

本发明的第9方式在第1方式至第8方式中的任一方式中，转换层的周缘部可以具有随着朝向外侧厚度变薄的倾斜，粘合层的外周可以位于转换层的周缘部。

本发明的第10方式为放射线检测器，其具有依次设置有如下结构的部分：基板，在像素区域形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；转换层，将放射线转换为光；及反射性粘合层，反射被转换层转换的光，且覆盖包括整个转换层及直至基板的表面的区域在内的区域。

本发明的第11方式在第10方式中，粘合层可以为分散有无机白色粉末的热塑性树脂。

本发明的第12方式在第11方式中，粉末可以含有氧化钛、硫酸钡、氧化铝、氧化镁及氧化钙中的至少1个。

本发明的第13方式在第10方式至第12方式中的任一方式中，可以进一步具备覆盖粘合层的保护层。

本发明的第14方式在第13方式中，保护层可以具有将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜和铝膜层叠而成的层叠结构。

本发明的第15方式在第13方式或第14方式中，保护层的外周可以被密封剂密封。

本发明的第16方式在第7方式、第8方式、第13方式、第14方式及第15方式中的任一方式中，可以进一步具备设置于包括基板、转换层、粘合层及保护层在内的层叠体的保护层侧及基板侧中的至少一侧的加固基板。

本发明的第17方式在第16方式中，加固基板的刚性可以高于基板的刚性。

本发明的第18方式在第16方式或第17方式中，加固基板的厚度可以厚于基板的厚度。

本发明的第19方式在第1方式至第15方式中的任一方式中，转换层的中央部的区域可以覆盖基板的像素区域且大于基板的像素区域。

本发明的第20方式在第1方式至第19方式中的任一方式中，转换层的中央部的区域可以覆盖基板的像素区域且小于基板的像素区域。

本发明的第21方式在第1方式至第20方式中的任一方式中，基板可以具有挠性。

本发明的第22方式在第21方式中，基板可以在与转换层侧相反的一侧的面具有含有平均粒径为0.05μm以上且25μm以下的无机微粒的层。

本发明的第23方式在第1方式至第22方式中的任一方式中，转换层可以含有CsI柱状晶体。

并且，本发明的第24方式为放射线检测器，其具有依次设置有如下结构的部分：基板，在像素区域形成有积蓄根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素；转换层，将放射线转换为光；及保护层，具有在至少覆盖转换层的反射性粘合膜层叠保护膜而成的层叠结构，且覆盖包括整个转换层及直至基板的表面的区域在内的区域，保护层的粘合膜配置于转换层侧。

并且，本发明的第25方式为放射线图像摄影装置，其具备：第1方式至第24方式中的任一方式的放射线检测器；控制部，输出用于读取积蓄于多个像素的电荷的控制信号；驱动部，根据控制信号从多个像素读取电荷；及信号处理部，输入与从多个像素读取的电荷对应的电信号，并生成与所输入的电信号对应的图像数据而向控制部输出。

发明效果

根据上述方式，与在具有反射光的功能的层与转换层之间设置有具有粘合性的层的情况相比，本发明的放射线检测器及放射线图像摄影装置能够在不使放射线图像的画质降低的情况下抑制具有反射光的功能的层的剥离。

附图说明

图1是表示第1示例性实施方式的放射线检测器中的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板的结构的一例的结构图。

图2是从设置有转换层的一侧观察第1示例性实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。

图3是图2所示的放射线检测器的A-A线剖视图。

图4是用于说明本示例性实施方式的转换层中的周缘部和中央部的剖视图。

图5是表示第1示例性实施方式的放射线检测器中的TFT基板、转换层、粘合层、粘接层及保护层的层叠状态的一例的剖视图。

图6是示意性地表示第1～第3示例性实施方式的粘合层、粘接层及保护层的一例的剖面的剖视图。

图7是说明第1示例性实施方式的放射线检测器的制造方法的一例的图。

图8是表示具有粘合性的层的厚度与放射线检测器的性能之间的对应关系的一例的图表。

图9是从设置有转换层的一侧观察第2示例性实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。

图10是图9所示的放射线检测器的A-A线剖视图。

图11是从设置有转换层的一侧观察第3示例性实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。

图12是图11所示的放射线检测器的A-A线剖视图。

图13是从设置有转换层的一侧观察第4示例性实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。

图14是图13所示的放射线检测器的A-A线剖视图。

图15是示意性地表示第4示例性实施方式的粘合层及保护层的一例的剖面的剖视图。

图16是第4示例性实施方式的放射线检测器的另一例的剖视图。

图17是从设置有转换层的一侧观察第5示例性实施方式的放射线检测器的一例的俯视图。

图18是图17所示的放射线检测器的A-A线剖视图。

图19是第5示例性实施方式的放射线检测器的另一例的A-A线剖视图。

图20是第5示例性实施方式的放射线检测器的另一例的A-A线剖视图。

图21是作为像素区域的大小的变形例表示像素区域的大小小的放射线检测器的一例的剖面的剖视图。

图22是表示适用示例性实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的一例的剖面的剖视图。

图23是表示适用示例性实施方式的放射线检测器的放射线图像摄影装置的另一例的剖面的剖视图。

具体实施方式

以下，参考附图对本发明的示例性实施方式进行详细说明。另外，本示例性实施方式并不限定本发明。

[第1示例性实施方式]

本示例性实施方式的放射线检测器具有检测透射被摄体的放射线而输出表示被摄体的放射线图像的图像信息的功能。本示例性实施方式的放射线检测器具备TFT(ThinFilm Transistor)基板和将放射线转换为光的转换层(参考图3的放射线检测器10的TFT基板12及转换层14)。

首先，参考图1对本示例性实施方式的放射线检测器中的TFT基板12的结构的一例进行说明。另外，本示例性实施方式的TFT基板12为在基材11的像素区域35上形成有包括多个像素30的像素阵列31的基板。因此，以下以与“像素阵列31”相同的含义使用“像素区域35”这一表述。本示例性实施方式的TFT基板12为公开技术的基板的一例。

基材11例如为无碱玻璃等玻璃基板或含有聚酰亚胺等塑料的树脂片等。作为树脂片的具体例，可举出XENOMAX(注册商标)。并且，基材11优选具有挠性，在该情况下，作为基材11，优选上述树脂片或比较薄的玻璃基板等。

基材11的厚度只要根据材质的硬度及TFT基板12的大小等而可获得所期望的挠性的厚度即可，例如基材11为树脂片的情况下，厚度为5μm～125μm即可，更优选厚度为20μm～50μm。并且，例如基材11为玻璃制基板的情况下，通常一个边的尺寸为43cm左右时，若厚度为0.3mm以下则具有挠性，且与树脂制基材11相同地具有弯曲的倾向，因此厚度为0.3mm以下即可。

另外，作为基材11，优选具有300℃～400℃下的热膨胀率为20ppm/K以下、厚度为25μm的状态下400℃下的MD(Machine Direction，纵向)方向上的热收缩率为0.5％以下及500℃下的弹性模量为1GPa以上的特性。作为具有这种特性的树脂片的具体例，可举出在与设置有转换层14的一侧相反的一侧的面具有含有平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机微粒的层的上述XENOMAX(注册商标)。

另外，本示例性实施方式中的上述厚度、热膨胀率、弹性模量及平均粒径等的测量方法中适用了日本特开2010-076438号公报中记载的评价方法。例如，热膨胀率的测量方法是在下述条件下对MD方向及TD(Transverse Direction，横向)方向的伸缩率进行测量，测量以90℃～100℃、100℃～110℃、……的10℃的间隔的伸缩率及温度，将该测量进行至400℃为止，并将作为100℃至350℃为止的所有测量值的平均值而导出的热膨胀率(ppm/℃)换算为(ppm/K)。关于热膨胀率的测量条件，使用了MAC Science公司制TMA4000S装置，样品长度设为10mm，样品宽度设为2mm，初荷重设为34.5g/mm²，升温开始温度设为25℃，升温结束温度设为400℃，升温速度设为5℃/min，且环境气体设为氩气。

各像素30包括根据由转换层转换的光而产生电荷并将其积蓄的传感器部34及读取通过传感器部34积蓄的电荷的开关元件32。本示例性实施方式中，作为一例，将薄膜晶体管(TFT)用作开关元件32。因此，以下将开关元件32称为“TFT32”。

多个像素30在TFT基板12的像素区域35沿一方向(与图1的横向对应的扫描配线方向，以下也称为“行方向”)及与行方向交叉的方向(与图1的纵向对应的信号配线方向，以下也称为“列方向”)二维状配置。图1中，简化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向和列方向上配置有1024个×1024个。

并且，放射线检测器10中彼此交叉设置有用于控制TFT32的开关状态(导通及关断)的多个扫描配线38和针对像素30的每一列设置的读取积蓄于传感器部34中的电荷的多个信号配线36。多个扫描配线38的每一个分别经由设置于TFT基板12上的焊盘(省略图示)与放射线检测器10的外部的驱动部(参考图22及图23的驱动部103)连接，由此从驱动部输出的控制TFT32的开关状态的控制信号流经多个扫描配线38的每一个。并且，多个信号配线36的每一个分别经由设置于TFT基板12上的焊盘(省略图示)与放射线检测器10的外部的信号处理部(参考图22及图23的信号处理部104)连接，由此从各像素30读取的电荷输出至信号处理部。

并且，为了对各像素30施加偏压，各像素30的传感器部34中，在信号配线36的配线方向上设置有共用配线39。共用配线39经由设置于TFT基板12上的焊盘(省略图示)与放射线检测器10的外部的偏压电源连接，由此从偏压电源对各像素30施加偏压。

本示例性实施方式的放射线检测器10中，在TFT基板12上形成有转换层。图2是从形成有转换层14的一侧观察本示例性实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图3是图2中的放射线检测器10的A-A线剖视图。另外，以下在放射线检测器10的结构中称为“上”的情况下，表示在以TFT基板12侧为基准的位置关系中位于上方。

如图2及图3所示，本示例性实施方式的转换层14设置于TFT基板12的包括像素区域35的一部分区域上。如此，本示例性实施方式的转换层14未设置于TFT基板12的外周部的区域上。

本示例性实施方式中，作为转换层14的一例，使用了含有CsI(碘化铯)的闪烁器。作为这种闪烁器，例如优选含有照射X射线时的发光光谱为400nm～700nm的CsI:Tl(添加有铊的碘化铯)或CsI:Na(添加有钠的碘化铯)。另外，CsI:Tl的可见光区域内的发光峰值波长为565nm。

本示例性实施方式的放射线检测器10中，如图5所示的一例，转换层14通过真空蒸镀法、溅射法及CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法等气相沉积法直接在TFT基板12上形成为长条状的柱状晶体14A。作为转换层14的形成方法，例如可举出真空蒸镀法，其在作为转换层14使用CsI:Tl的情况下，在真空度0.01Pa～10Pa的环境下通过电阻加热式坩埚等加热机构对CsI:Tl进行加热而使其气化，并使TFT基板12的温度成为室温(20℃)～300℃而使CsI:Tl沉积于TFT基板12上。作为转换层14的厚度，优选100μm～800μm。

另外，本示例性实施方式中，将转换层14的柱状晶体14A的生长方向上的基点侧(本示例性实施方式中为TFT基板12侧)的端部称为“根部”，将与生长方向上的根部相反的一侧的尖锐的端部称为“末端”。

并且，如上所述，本示例性实施方式的转换层14通过气相沉积法形成，因此如图3所示，整体而言，转换层14的外周的区域随着朝向外侧厚度趋于变薄，因此，具有随着朝向外侧厚度变薄的倾斜。本示例性实施方式中，以若忽视制造误差及测量误差则可视为厚度大致恒定的、离转换层14的中央在规定的范围内的转换层14的厚度的平均值为基准，作为一例，如图4所示，将相对于基准厚度的相对膜厚(以下，称为“相对膜厚”)为90％以下的外周的区域称为“周缘部(周缘部14C)”。并且，如图4所示，将被周缘部14C包围的转换层14的区域称为“中央部(中央部14B)”。换言之，“中央部”是指，至少包括转换层14的厚度大致恒定的部分，也包括相对膜厚超过90％的部分的区域。另外，本示例性实施方式中，如图2及图3所示，像素区域35小于中央部14B，且像素区域35被中央部14B覆盖。

本示例性实施方式中，作为具体例，将离转换层14的外周在5mm以内的区域内且相对膜厚为90％以下的外周的区域称为“周缘部(周缘部14C)”。因此，如图3及图4等所示，周缘部14C中，转换层14的厚度趋于朝向外周(缘)逐渐变薄。

另外，本示例性实施方式中，作为转换层14的厚度朝向外周变薄的例子，例示了具有倾斜角度为θ的恒定的倾斜且厚度逐渐变薄的方式，但并不限定于该方式，例如也可以为厚度阶梯状发生变化的方式。

另外，上述倾斜角度θ的测量方法并无特别限定，但本示例性实施方式中，作为一例，关于倾斜角度θ的测量方法，在矩形转换层14的1个边上的等间隔的4个位置，从TFT基板12剥离转换层14的端部的一部分作为各样品。对4个样品进行抛光而使剖面暴露之后，通过使用光学显微镜进行观察而进行了测量。将4个样品的测量值的平均值作为制作样品的转换层14的边上的倾斜角度θ。

而且，如图2～图6所示，本示例性实施方式的放射线检测器10具备粘合层16、粘接层20及保护层22。图6中示出示意地表示本示例性实施方式的粘合层16、粘接层20及保护层22的一例的剖面的剖视图。

作为一例，如图2及图3所示，粘合层16设置于包括转换层14的周缘部14C的一部分及中央部14B的整体的区域上。换言之，粘合层16覆盖转换层14的中央部14B及周缘部14C的一部分。并且，如图5所示，本示例性实施方式的放射线检测器10中，转换层14的末端侵入到粘合层16中。

本示例性实施方式的粘合层16为反射被转换层14转换的光的反射性粘合层。本示例性实施方式中，作为粘合层16的一例，使用了在粘合性树脂中分散有无机白色粉末的白色粘合层。另外，本示例性实施方式中，“白色”是指，所有波长的可见光被漫反射的状态，光被具有指向性地反射的情况称为“镜面”。并且，粘合层16等的反射光的“反射性”是指，500nm～550nm的光的反射率的平均为80％以上的状态。

并且，“粘合层”及“粘接层”是指，具有使直接接触的层(本示例性实施方式中为转换层14及基材18(参考图6))难以从粘合层16分离的功能的层。并且，“粘合层”及“粘接层”是指，具有通过不限定于化学结合的任意的力量与固体的表面结合的状态的层。

作为粘合性树脂，例如可举出丙烯酸糊。作为无机白色粉末，可举出含有氧化钛(TiO2)、硫酸钡(BaSO4)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)及氧化钙(CaO)等中的至少一个的粉末。作为一例本示例性实施方式中，通过在透明的糊(树脂)中分散白色粉末作为填充剂，获得了白色粘合层。

如图6所示，本示例性实施方式的粘合层16形成于基材18上，基材18配置于粘接层20侧，粘合层16配置于转换层14(图6中省略图示)侧。作为基材18的材料的例子，可举出反射光的反射性白PET(PolyEthylene Terephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等。基材18并不限定于本示例性实施方式，也可以不具有反射性，具体而言，可以使用不反射被转换层14转换的光的材料(例如，透光性材料)，但如本示例性实施方式优选使用反射性材料。在该情况下，能够通过基材18反射未被粘合层16反射完的(漏出的)光，因此能够作为粘合层16及基材18的整体而提高反射率。

另外，所谓白色PET，是在PET中添加TiO₂或硫酸钡等白色颜料而成。并且，聚酯系高反射片是指，具有重叠多个薄聚酯片而成的多层结构的薄片(薄膜)。并且，发泡白色PET是指，表面为多孔质的白色PET。

另外，若粘合层16及基材18的总计厚度变厚，则粘合层16及基材18的外周部的上表面与转换层14的上表面之间的阶梯差会变大。若上述阶梯差大，则在将贴合有保护层22的粘合层16粘接于形成有转换层14的TFT基板12的情况下，有时会在该阶梯差部分导致保护层22浮起。并且，若粘合层16及基材18的总计厚度变厚，则会成为所谓具有韧性的状态，因此有时难以沿转换层14的周缘部14C的倾斜弯曲，从而难以进行加工。另一方面，随着粘合层16的厚度变薄，反射率会下降。若反射率下降，则通过放射线检测器10获得的放射线图像的画质也会趋于降低。因此，粘合层16及基材18的厚度优选根据基于通过放射线检测器10获得的放射线图像的画质的观点的所期望的反射率(例如，80％)和制造及加工等观点确定。

作为一例，如图2及图3所示，粘接层20覆盖包括从粘合层16的端部至TFT基板12的表面的区域在内的区域，具体而言，覆盖整个设置有粘合层16的转换层14及TFT基板12的表面的一部分。换言之，本示例性实施方式的放射线检测器10中，覆盖整个设置有粘合层16的转换层14的粘接层20直接固定(粘接)于TFT基板12的表面的一部分。粘接层20具有将粘合层16及保护层22固定于TFT基板12及转换层14的功能。作为粘接层20的材料，例如可举出丙烯酸系粘合剂、热熔粘合剂及硅酮系粘接剂等。作为丙烯酸系粘合剂，例如可举出聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯及环氧丙烯酸酯等。作为热熔粘合剂，例如可举出EVA(乙烯/乙酸乙烯酯共聚树脂)、EAA(乙烯与丙烯酸的共聚树脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚树脂)及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚体)等热塑性塑料。另外，本示例性实施方式中，粘接层20具有的粘接力强于粘合层16具有的粘接力。

作为一例，如图2及图3所示，保护层22设置于粘接层20上。本示例性实施方式的保护层22具有从湿气等水分保护转换层14的功能。并且，本示例性实施方式的保护层22具有与粘接层20一同将粘合层16固定于TFT基板12及转换层14的功能。作为保护层22的材料，例如可举出有机膜，具体而言，可举出由PET、PPS(PolyPhenylene Sulfide，聚苯硫)、OPP(Oriented PolyPropylene，延伸聚丙烯)、PEN(PolyEthylene Naphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)、PI(PolyImide，聚酰亚胺)等形成的单层膜或层叠膜。并且，作为保护层22，可以使用在PET等绝缘性薄片(薄膜)粘接铝箔等而层叠有铝的Alpet(注册商标)薄膜。本示例性实施方式中，作为一例，如图6所示，将保护层22制成了PET膜22A、铝箔膜22B及PET膜22C层叠而成的层叠膜。

作为图2～图6所示的本示例性实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例可举出以下方法。

预先将粘合层16涂布于制作成与放射线检测器10匹配的所期望的大小的基材18上。将保护层22涂布于制作成与放射线检测器10匹配的所期望的大小的粘接层20上。然后，通过贴合涂布有粘合层16的基材18和涂布有粘接层20的保护层22，准备图6所示的状态的层叠膜。本示例性实施方式中，如图6所示，基材18及粘合层16小于粘接层20及保护层22，粘接部21设置于基材18及粘合层16的周围。

另一方面，如上所述，通过气相沉积法直接在TFT基板12上形成转换层14。

然后，在形成有转换层14的TFT基板12上以覆盖整个转换层14的状态配置上述层叠膜，并将粘接部21贴合于TFT基板12，由此密封转换层14。另外，当进行上述贴合时，会在大气压下或减压下(真空下)进行，但为了抑制空气等进入到所贴合的部位之间，优选在减压下进行。

另外，在为基材11的厚度比较厚的玻璃基板等的情况下，如上所述，图2～图6所示的本示例性实施方式的放射线检测器10只要在TFT基板12上依次形成转换层14、粘合层16、粘接层20及保护层22即可。另一方面，在基材11为比较薄的基板(例如，具有挠性的基板)的情况下，如图7所示的一例，例如通过层叠法等经由剥离层52在厚度厚于基材11的玻璃基板等支撑体50上形成TFT基板12。而且，与上述相同地，依次形成转换层14、粘合层16、粘接层20及保护层22之后，通过剥离层52从支撑体50剥离TFT基板12。剥离方法并无特别限定，例如，在机械剥离法中，只要以TFT基板12(基材11)的四个边中的任一个边为剥离的起点，并从成为起点的边朝向对向的边逐渐从支撑体50剥离TFT基板12即可。并且，例如，在激光剥离(laser Lift Off)法中，只要从支撑体50的背面(与设置有TFT基板12的面相反的一侧的面)照射激光，并利用透射支撑体50的激光分解剥离层52，由此从支撑体50剥离TFT基板12即可。

如此，在本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘接层20及保护层22覆盖整个粘合层16。并且，粘接层20及保护层22直接固定在TFT基板12上。

为了在TFT基板12中聚集(反射)更多的被转换层14转换的光，因使具有反射光的功能的粘合层16进一步覆盖转换层14的周缘部14C，在倾斜的周缘部14C，粘合层16趋于容易从转换层14剥离。并且，在TFT基板12的基材11具有挠性的情况下，因TFT基板12挠曲，粘合层16趋于容易从转换层14剥离。

相对于此，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，可通过上述结构抑制粘合层16的剥离，即使在TFT基板12具有挠性的情况下，也可抑制粘合层16的剥离。

并且，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，粘合层16具备具有反射光的功能的层及具有粘合性的层这两者的功能，因此与将各自设为不同的层的情况相比，能够增加厚度。因此，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，能够提高粘合力，因此更加难以剥离粘合层16。

并且，本发明中，发现转换层14与具有反射光的功能的层(本示例性实施方式中为粘合层16)之间的间隔和与通过放射线检测器10获得的放射线图像的画质相关的性能(以下，简称为放射线检测器的“性能”)之间存在关系。参考图8以如下放射线检测器为例对上述关系进行说明，该放射线检测器是与本示例性实施方式不同地，在转换层14与具有反射光的功能的层之间设置具有粘合性的层而固定具有反射光的功能的层的方式的放射线检测器、换言之，与本示例性实施方式的粘合层16不同地，将具有反射性的层与具有粘合性的层分开设置的放射线检测器。图8中示出表示透明粘合层的厚度X与放射线检测器的性能之间的对应关系的一例的图表。

图8所示的对应关系中，作为放射线检测器10的性能，评价了灵敏度、MTF(Modulation Transfer Function，调制传递函数)及DQE(Detective QuantumEfficiency，量子检测效率)。并且，性能是遵照IEC(International ElectrotechnicalCommission，国际电工委员会)标准的IEC62220-1，在RQA5条件下且将放射线的剂量(吸收剂量)设为2.5μGy而测量放射线的质量，并以由仅设置有具有反射光的功能的层的(未设置具有粘合性的层的)情况的比较例的放射线检测器检测的测量值作为100的相对值进行了评价。

并且，性能的测量中，相对于在具备四个边为150μm的大小的像素30的TFT基板12上使用CsI形成转换层14的状态器件，使用了贴合有透明粘合层、具有反射光的功能的层、基材18、粘接层20及保护层22层叠而成的层叠膜的放射线检测器。作为具有粘合性的层的薄片，使用了从100m的卷状的粘合片中切取的薄片，因此具有粘合性的层的厚度是使用SEM(Scanning Electron Microscope，扫描电子显微镜)对分别针对该卷的前头及最后尾在宽度方向上的不同的3个位置(总计6个位置)的厚度进行测量，并将测量值的平均值作为粘合层的厚度X。并且，作为具有粘合性的层，使用了以丙烯酸系粘合剂为材料的层。另外，即使在作为具有粘合性的层使用以热熔粘合剂为材料的层的情况下，关于具有粘合性的层的厚度X与放射线检测器的性能之间的对应关系，也获得与图8相同的倾向。

随着具有粘合性的层的厚度X变厚，即，随着转换层14与具有反射光的功能的层之间的间隔变宽，被转换层14转换的光在具有粘合性的层内变模糊，其结果，通过放射线检测器获得的放射线图像成为模糊的图像。因此，如图8所示，随着具有粘合性的层的厚度X变厚，MTF及DQE下降，并且其下降的程度也变大。

如上所述，从抑制上述光的模糊的观点考虑，优选转换层14与具有反射光的功能的层之间的间隔窄。本示例性实施方式的放射线检测器10中，在转换层14上直接形成了具有反射光的功能的反射性粘合层16。因此，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，能够进一步缩小转换层14与具有反射光的功能的层之间的间隔。因此，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，与在具有反射光的功能的层与转换层之间设置有具有粘合性的层的情况相比，能够在不使放射线图像的画质降低的情况下抑制具有反射光的功能的层的剥离。

[第2示例性实施方式]

接着，对第2示例性实施方式进行说明。另外，本示例性实施方式的放射线检测器10中，设置粘合层16的区域不同于第1示例性实施方式，因此参考附图对设置粘合层16的区域进行说明。

图9是从形成有转换层14的一侧观察本示例性实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图10是图9中的放射线检测器10的A-A线剖视图。

如图9及图10所示，本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘合层16设置于整个包括中央部及周缘部的转换层14上的区域。换言之，本示例性实施方式的粘合层16覆盖整个转换层14的上表面。

本示例性实施方式的放射线检测器10例如能够通过与在第1示例性实施方式中已述的放射线检测器10的制造方法相同的制造方法来制造。

如此，与第1示例性实施方式的放射线检测器10相同地，图9及图10所示的本示例性实施方式的放射线检测器10中，也由粘接层20及保护层22覆盖整个粘合层16。并且，粘接层20及保护层22直接固定在TFT基板12上。并且，与第1示例性实施方式的放射线检测器10相同地，本示例性实施方式的放射线检测器10中，也在转换层14上直接形成了具有反射光的功能的反射性粘合层16。因此，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，与在具有反射光的功能的层与转换层之间设置有具有粘合性的层的情况相比，能够在不使放射线图像的画质降低的情况下抑制具有反射光的功能的层的剥离。

并且，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，与第1示例性实施方式的放射线检测器10相比，粘合层16大，且覆盖整个转换层14的上表面，因此容易反射来自转换层14的光。

[第3示例性实施方式]

接着，对第3示例性实施方式进行说明。另外，本示例性实施方式的放射线检测器10中，设置粘接层20的区域不同于第1示例性实施方式，因此参考附图对设置粘接层20的区域进行说明。

图11是从形成有转换层14的一侧观察本示例性实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图12是图11中的放射线检测器10的A-A线剖视图。

如图11及图12所示，本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘接层20设置于转换层14的周缘部附近的TFT基板12至粘合层16的外周部的区域。即，本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘接层20未覆盖整个粘合层16。

本示例性实施方式的放射线检测器10例如能够通过与在第1示例性实施方式中已述的放射线检测器10的制造方法相同的制造方法来制造。

如此，根据图11及图12所示的本示例性实施方式的放射线检测器10，粘接层20覆盖粘合层16的端部即外周部。并且，粘接层20及保护层22直接固定在TFT基板12上。因此，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，可通过粘接层20抑制粘合层16的剥离，尤其可抑制端部的剥离。

并且，与第1示例性实施方式的放射线检测器10相同地，本示例性实施方式的放射线检测器10中，也在转换层14上直接形成了具有反射光的功能的反射性粘合层16。因此，本示例性实施方式的放射线检测器10中，与在具有反射光的功能的层与转换层之间设置有具有粘合性的层的情况相比，也能够在不使放射线图像的画质降低的情况下抑制具有反射光的功能的层的剥离。

并且，根据本示例性实施方式的放射线检测器10，粘接层20未覆盖整个转换层14的上表面，因此能够抑制放射线从保护层22侧照射而到达转换层14为止因透射粘接层20而衰减。

如上所述，第1～第3示例性实施方式的放射线检测器10具有依次设置有如下结构的部分：TFT基板12，在像素区域35形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素30；转换层14，将放射线转换为光；反射性粘合层16，反射被转换层14转换的光；及粘接层20，覆盖包括从粘合层16的端部至TFT基板12的表面的区域在内的区域。

因此，如上所述，根据第1～第3示例性实施方式的放射线检测器10，与在具有反射光的功能的层与转换层之间设置有具有粘合性的层的情况相比，能够在不使放射线图像的画质降低的情况下抑制具有反射光的功能的层的剥离。

并且，若粘合层16剥离，则湿气等水分容易从所剥离的部分渗入到放射线检测器10的内部。在为转换层14、尤其为使用CsI的转换层14的情况下，不耐水分，因此在水分渗入到放射线检测器10的内部的情况下，有可能使通过放射线检测器10获得的放射线图像的画质降低。相对于此，根据第1～第3示例性实施方式的放射线检测器10，通过抑制粘合层16的剥离，能够抑制水分的渗入，因此能够抑制通过放射线检测器10获得的放射线图像的画质的降低。

并且，在粘合层16的侧面暴露的情况下，湿气等水分有可能从所暴露的部位渗入到放射线检测器10的内部，但第1～第3示例性实施方式的放射线检测器中，粘合层16的侧面被粘接层20及保护层22覆盖，因此能够提高防湿效果。

[第4示例性实施方式]

接着，对第4示例性实施方式进行说明。另外，本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘合层16的结构及设置粘合层16的区域不同于上述第1～第3示例性实施方式，因此参考附图对粘合层16的结构及设置粘合层16的区域进行说明。

图13是从形成有转换层14的一侧观察本示例性实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图14是图13中的放射线检测器10的A-A线剖视图。并且，图15中示出示意地表示本示例性实施方式的粘合层16及保护层22的一例的剖面的剖视图。

如图13及图14所示，本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘合层16设置于整个包括中央部14B及周缘部14C的转换层14上的区域及转换层14的外周附近的TFT基板12上的区域。并且，如图14及图15所示，本示例性实施方式的放射线检测器10中，在保护层22直接设置在粘合层16上而未设置粘接层20这一点上不同于第1～第3示例性实施方式的放射线检测器10。

本示例性实施方式中，作为粘合层16的一例，使用了分散有无机白色粉末的由热塑性树脂形成的粘合层。作为该情况下的热塑性树脂，能够使用所谓被称为热熔的树脂，作为具体例，能够使用聚烯烃系、聚酯系及EVA等。与在第1～第3示例性实施方式中已述的粘合层16相同地，作为无机白色粉末，可举出含有氧化钛(TiO2)、硫酸钡(BaSO4)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)及氧化钙(CaO)等中的至少1个的粉末。

如图15所示，作为一例，关于本示例性实施方式的放射线检测器10中的保护层22也制成了PET膜22A、铝箔膜22B及PET膜22C层叠而成的层叠膜。

作为本示例性实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例可举出以下方法。

预先准备在制作成与放射线检测器10匹配的所期望的大小的保护层22上直接涂布粘合层16的保护层。另外，本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘合层16进一步担负密封保护层22的端部的作用，因此在保护层22的整个面上涂布粘合层16。另一方面，如上所述，通过气相沉积法直接在TFT基板12上形成转换层14。然后，将涂布于保护层22上的粘合层16贴合于TFT基板12，由此密封转换层14。

如此，图13～图15所示的本示例性实施方式的放射线检测器10具有依次设置有如下结构的部分：TFT基板12，在像素区域35形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素30；转换层14，将放射线转换为光；及反射性粘合层16，反射被转换层14转换的光，且覆盖包括整个转换层14及直至TFT基板12的表面的区域在内的区域。

并且，本示例性实施方式的放射线检测器10具有依次设置有如下结构的部分：TFT基板12，在像素区域35形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素30；转换层14，将放射线转换为光；及保护层22，具有在至少覆盖转换层14的反射性粘合层16上层叠有保护层22的层叠结构，且覆盖包括整个转换层14及直至TFT基板12的表面的区域在内的区域，保护层22的粘合层16配置于转换层14侧。

本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘合层16覆盖整个转换层14，且进一步覆盖基材11的表面，因此能够将粘合层16充分固定于TFT基板12及转换层14的端部。并且，本示例性实施方式的放射线检测器10中，粘合层16直接设置于转换层14。因此，与上述第1～第3示例性实施方式的放射线检测器10相同地，本示例性实施方式的放射线检测器10中，与在具有反射光的功能的层与转换层14之间设置具有粘合性的层的情况相比，也能够在不使放射线图像的画质降低的情况下抑制粘合层16的剥离。

另外，本示例性实施方式的放射线检测器10中，也可以如图16所示的一例制作成通过密封剂25密封保护层22及粘合层16的外周的方式。密封剂25优选进一步覆盖保护层22及粘合层16的侧面，优选设置于从TFT基板12的表面直至保护层22的表面且未覆盖像素区域35的区域。密封剂优选将树脂用作材料，更优选使用热塑性树脂。作为密封剂的例子，可举出丙烯酸糊及氨基甲酸酯系糊等。

如图16所示的一例，通过设置密封剂25，能够进一步抑制粘合层16的端部的剥离。

[第5示例性实施方式]

本示例性实施方式中，对具备加固基材11的加固基板的放射线检测器10进行说明。图17是从形成有转换层14的一侧观察本示例性实施方式的放射线检测器10的俯视图。并且，图18是图17中的放射线检测器10的A-A线剖视图。

如图17及图18所示，在TFT基板12、缓冲层13、转换层14及保护层22层叠而成的层叠体19的转换层14侧的面即第1面19A上通过粘合层48设置有加固基板40。

加固基板40的刚性高于基材11的刚性，且相对于沿垂直方向施加于与第1面19A对向的面的力的尺寸变化(变形)小于相对于沿垂直方向施加于基材11的第1面19A的力的尺寸变化。并且，本示例性实施方式的加固基板40的厚度厚于基材11的厚度。

加固基板40为将塑料用作材料的基板。成为加固基板40的材料的塑料优选为热塑性树脂，可举出聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、苯乙烯、丙烯酸、聚乙酸酯、尼龙、聚丙烯、ABS、工程塑料、聚对苯二甲酸乙二醇酯及聚苯醚中的至少一个。另外，在这些中，加固基板40优选为聚丙烯、ABS、工程塑料、聚对苯二甲酸乙二醇酯及聚苯醚中的至少一个，更优选为苯乙烯、丙烯酸、聚乙酸酯及尼龙中的至少一个，更优选为聚碳酸酯及聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一个。

如图3及图4所示，本示例性实施方式的加固基板40设置于宽于TFT基板12的第1面12A上的设置有转换层14的区域的区域。因此，如图3及图4所示，加固基板40的端部比转换层14的外周部更向外侧(TFT基板12的外周部侧)突出。

TFT基板12的外周部连接有详细内容将在后面叙述的柔性电缆112。在加固基板40与TFT基板12的第1面12A之间，隔着柔性电缆112、防湿剂44及粘合层45设置有密封转换层14的侧面的间隔物46。本示例性实施方式的间隔物46为本发明的密封部件的一例。

设置间隔物46的方法并无特别限定，例如可以在加固基板40的端部的粘合层48上贴附间隔物46，并将设置有间隔物46的状态的加固基板40贴附于设置有层叠体19、柔性电缆112、防湿剂44及粘合层45的状态的TFT基板12，由此将间隔物46设置于TFT基板12与加固基板40之间。另外，间隔物46的宽度(与层叠体19的层叠方向交叉的方向)并不限定于图18所示的例子。例如，也可以将间隔物46的宽度扩展至比图18所示的例子更靠近转换层14的位置。

并且，在本示例性实施方式的层叠体19的TFT基板12侧的面即第2面19B上设置有具有防止湿气等水分的功能的保护膜42。作为保护膜42的材料，例如可举出与保护层22相同的材料。

作为本示例性实施方式的放射线检测器10的制造方法的一例可举出以下方法。

预先在制作成与放射线检测器10匹配的所期望的大小的加固基板40上涂布粘合层48，并在粘合层48上设置间隔物46。另一方面，与第1示例性实施方式(参考图7)相同地，例如通过层叠法等在厚度厚于基材11的玻璃基板等支撑体50上经由剥离层52形成TFT基板12。而且，如上所述，通过气相沉积法在TFT基板12上直接形成转换层14，并且，设置柔性电缆112、防湿剂44及粘合层45。然后，将设置有间隔物46的加固基板40贴合于形成有转换层14的TFT基板12，由此密封转换层14。

在此，当从支撑体50剥离TFT基板12时，由于基材11具有挠性，因此TFT基板12容易挠曲。在TFT基板12较大地挠曲的情况下，TFT基板12也较大地挠曲，其结果，有可能会导致转换层14被破坏。并且，并不限定于从支撑体50剥离TFT基板12的情况，在放射线图像摄影装置1的制造工序的中途等单独处理放射线检测器10的情况下，因TFT基板12挠曲，有可能会导致转换层14被破坏。相对于此，本示例性实施方式的放射线检测器10中，加固基板40设置于层叠体19的转换层14侧的面即第1面19A，因此能够抑制TFT基板12较大地挠曲，从而能够抑制转换层14被破坏。

另外，加固基板40并不限定于图17及图18所示的方式，只要在层叠体19的第1面19A及第2面19B中的至少一个面上设置加固基板即可。例如，也可以如图19所示的一例制作成在层叠体19的第1面19A上设置有加固基板40且在第2面19B上设置有加固基板41的方式。在该情况下，加固基板41的厚度薄于加固基板40的厚度。并且，也可以如图20所示的一例制作成在TFT基板12的第1面12A与加固基板40之间的空间内的至少一部分填充有填充材料72的方式。

如此，本示例性实施方式的放射线检测器10中，通过具备加固基板40及加固基板41中的至少一个面，即使为放射线检测器10单体，也能够抑制TFT基板12较大地挠曲，从而能够抑制转换层14被破坏。

另外，基于本发明的技术的放射线检测器10并不限定于上述各示例性实施方式。像素阵列31(像素区域35)的大小并不限定于上述各示例性实施方式。例如，上述各示例性实施方式中，对像素阵列31(像素区域35)的大小小于转换层14的中央部14B的大小，且像素阵列31(像素区域35)的外周位于中央部14B内的方式进行了说明。然而，像素阵列31(像素区域35)并不限定于上述方式，也可以为如图21所示的一例的放射线检测器10，像素阵列31(像素区域35)的大小大于转换层14的中央部14B的大小，且像素阵列31(像素区域35)的外周直至转换层14的周缘部14C的方式。另外，被转换层14从放射线转换的光量随着转换层14的厚度变薄趋于减少，因此与上述各示例性实施方式的放射线检测器10相同地，为像素阵列31(像素区域35)的外周位于中央部14B内的方式时，像素阵列31(像素区域35)上的转换层14的厚度会变得大致均匀，因此提高像素区域35的灵敏度特性。

并且，如图1所示，上述各示例性实施方式中，对像素30二维排列成矩阵状的方式进行了说明，但并不限定于此，例如可以为一维排列，也可以为蜂窝排列。并且，像素的形状也无限定，可以为矩形，也可以为六边形等多边形。而且，当然像素阵列31(像素区域35)的形状也无限定。

并且，转换层14的形状等也不限定于上述各示例性实施方式。上述各示例性实施方式中，对转换层14的形状与像素阵列31(像素区域35)的形状相同地为矩形的方式进行了说明，但转换层14的形状也可以为不同于像素阵列31(像素区域35)的形状。并且，像素阵列31(像素区域35)的形状例如可以为其他的多边形，也可以为圆形，而非矩形。

另外，上述各示例性实施方式中，作为一例，对放射线检测器10的转换层14为含有CsI的闪烁器的方式进行了说明，但转换层14也可以为在树脂等粘合剂中分散有GOS等的闪烁器。使用GOS的转换层14例如通过将分散有GOS的粘合剂直接涂布于TFT基板12或剥离层等上之后使其干燥并固化而形成。作为转换层14的形成方法，例如可以采用控制涂布膜的厚度的同时在形成转换层14的区域涂布涂布液的Giza法。另外，在该情况下，可以在涂布分散有GOS的粘合剂之前，进行用于活化像素阵列31的表面的表面处理。并且，在像素阵列31的表面上可以设置层间绝缘膜作为表面保护膜。

若在像素阵列31的表面上直接涂布使用GOS的转换层14，则会导致端部松弛，与上述的使用CsI的转换层14相同地，在转换层14的端部产生倾斜部，粘合层16会变得容易剥离。相对于此，如上所述，利用具有比粘合层16所具有的粘接力更强的粘接力的粘接层20覆盖整个粘合层16或其外周部，由此能够更加牢固地固定粘合层16。因此，具有使用GOS的转换层14的放射线检测器10中，也能够抑制粘合层16端部的剥离。

另外，上述各示例性实施方式的放射线检测器10可以适用于从TFT基板12侧照射放射线的ISS(Irradiation Side Sampling，照射侧采集)方式的放射线图像摄影装置，也可以适用于从转换层14侧照射放射线的PSS(Penetration Side Sampling，透过侧采集)方式的放射线图像摄影装置。

图22中示出在表面读取方式的放射线图像摄影装置1中适用第1示例性实施方式的放射线检测器10的状态的一例的剖视图。

如图22所示，在框体120内沿与放射线的入射方向交叉的方向并排设置有放射线检测器10、电源部108及控制基板110。放射线检测器10设置成像素阵列31的未设置转换层14的一侧与透射被摄体的放射线所照射的框体120的摄影面120A侧对向。

控制基板110为形成有存储与从像素阵列31的像素30读取的电荷对应的图像数据的图像存储器210和控制来自像素30的电荷的读取等的控制部212等的基板，其通过包括多个信号配线的柔性电缆112与像素阵列31的像素30电连接。另外，图22所示的放射线图像摄影装置1中，控制基板110制成了通过控制部212的控制而控制像素30的TFT32的开关状态的驱动部103及生成并输出与从像素30读取的电荷对应的图像数据的信号处理部104设置在柔性电缆112上的所谓COF(Chip On Film，覆晶薄膜)，但也可以驱动部103及信号处理部104中的至少一个形成于控制基板110。

并且，控制基板110通过电源线114与向形成于控制基板110的图像存储器210和控制部212等供给电源的电源部108连接。

图22所示的放射线图像摄影装置1的框体120内，在射出透射放射线检测器10的放射线的一侧进一步设置有薄片116。作为薄片116，例如可举出铜制薄片。铜制薄片不易因入射放射线而产生二次放射线，因此具有防止散射到后方即转换层14侧的功能。另外，薄片116至少覆盖整个转换层14的射出放射线的一侧的面，并且，优选覆盖整个转换层14。

并且，图22所示的放射线图像摄影装置1的框体120内，在放射线所入射的一侧(摄影面120A侧)进一步设置有保护层117。作为保护层117，能够适用在绝缘性薄片(薄膜)上粘接铝箔等而层叠有铝的Alpet(注册商标)的薄片、派瑞林(注册商标)膜及聚对苯二甲酸乙二醇酯等绝缘性薄片等防湿膜。保护层117对像素阵列31具有防湿功能及防静电功能。因此，保护层117优选至少覆盖整个像素阵列31的放射线所入射的一侧的面，且优选覆盖整个放射线所入射的一侧的TFT基板12的面。

另外，图22中示出了将电源部108和控制基板110这两者设置于放射线检测器10的一侧、具体而言设置于矩形像素阵列31的一个边侧的方式，但设置电源部108及控制基板110的位置并不限定于图22所示的方式。例如，可以将电源部108及控制基板110分开设置于像素阵列31的对向的2个边的各边，也可以分开设置于相邻的2个边的各边。

并且，图23中示出在表面读取方式的放射线图像摄影装置1中适用第1示例性实施方式的放射线检测器10的状态的另一例的剖视图。

如图23所示，在框体120内沿与放射线的入射方向交叉的方向并排设置有电源部108及控制基板110，沿放射线的入射方向并排设置有放射线检测器10和电源部108及控制基板110。

并且，图23所示的放射线图像摄影装置1中，在控制基板110及电源部108与薄片116之间设置有支撑放射线检测器10和控制基板110的基座118。基座118例如使用碳等。

此外，上述各示例性实施方式中说明的放射线检测器10等的结构和制造方法等为一例，当然在不脱离本发明的宗旨的范围内根据状况能够进行变更。

日本专利申请2018-119355公开的全部内容可通过参考并入于本说明书中。

本说明书中记载的所有文献、专利申请以及技术标准，与具体且分别记载通过参考而被并入的各个文献、专利申请以及技术标准的情况相同程度地，通过参考引用于本说明书中。

Claims (25)

1.一种放射线检测器，其具有依次设置有如下结构的部分：

基板，在像素区域形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；

转换层，将所述放射线转换为光；

反射性粘合层，反射被所述转换层转换的光；及

粘接层，覆盖包括从所述粘合层的端部至所述基板的表面的区域在内的区域。

2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，

所述粘合层形成于基材，

所述粘合层配置于所述转换层侧。

3.根据权利要求2所述的放射线检测器，其中，

所述基材具有反射性。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述粘合层为分散有无机白色粉末的粘合性树脂。

5.根据权利要求4所述的放射线检测器，其中，

所述粉末含有氧化钛、硫酸钡、氧化铝、氧化镁及氧化钙中的至少1个。

6.根据权利要求1所述的放射线检测器，其中，

所述粘合层具有将反射性的金属制第1粘合膜和反射性的树脂制第2粘合膜层叠而成的层叠结构，

所述第2粘合膜配置于所述转换层侧。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述放射线检测器进一步具备覆盖所述粘合层及所述转换层的保护层。

8.根据权利要求7所述的放射线检测器，其中，

所述保护层具有将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜和铝膜层叠而成的层叠结构。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述转换层的周缘部具有随着朝向外侧厚度变薄的倾斜，

所述粘合层的外周位于所述转换层的周缘部。

10.一种放射线检测器，其具有依次设置有如下结构的部分：

基板，在像素区域形成有积蓄根据从放射线转换的光而产生的电荷的多个像素；

转换层，将所述放射线转换为光；及

反射性粘合层，反射被所述转换层转换的光，且覆盖包括整个所述转换层及直至所述基板的表面的区域在内的区域。

11.根据权利要求10所述的放射线检测器，其中，

所述粘合层为分散有无机白色粉末的热塑性树脂。

12.根据权利要求11所述的放射线检测器，其中，

所述粉末含有氧化钛、硫酸钡、氧化铝、氧化镁及氧化钙中的至少1个。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述放射线检测器进一步具备覆盖所述粘合层的保护层。

14.根据权利要求13所述的放射线检测器，其中，

所述保护层具有将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜和铝膜层叠而成的层叠结构。

15.根据权利要求13或14所述的放射线检测器，其中，

所述保护层的外周被密封剂密封。

16.根据权利要求7、8、13、14及15中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述放射线检测器进一步具备设置于包括所述基板、所述转换层、所述粘合层及所述保护层在内的层叠体的所述保护层侧及所述基板侧中的至少一侧的加固基板。

17.根据权利要求16所述的放射线检测器，其中，

所述加固基板的刚性高于所述基板的刚性。

18.根据权利要求16或17中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述加固基板的厚度厚于所述基板的厚度。

19.根据权利要求1至18中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述转换层的中央部的区域覆盖所述基板的像素区域且大于所述基板的所述像素区域。

20.根据权利要求1至19中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述转换层的中央部的区域覆盖所述基板的像素区域且小于所述基板的所述像素区域。

21.根据权利要求1至20中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述基板具有挠性。

22.根据权利要求21所述的放射线检测器，其中，

所述基板在与所述转换层侧相反的一侧的面具有含有平均粒径为0.05μm以上且2.5μm以下的无机微粒的层。

23.根据权利要求1至22中任一项所述的放射线检测器，其中，

所述转换层含有CsI柱状晶体。

24.一种放射线检测器，其具有依次设置有如下结构的部分：

基板，在像素区域形成有积蓄根据从放射线转换的光产生的电荷的多个像素；

转换层，将所述放射线转换为光；及

保护层，具有在至少覆盖所述转换层的反射性粘合膜层叠保护膜而成的层叠结构，且覆盖包括整个所述转换层及直至所述基板的表面的区域在内的区域，

所述保护层的所述粘合膜配置于所述转换层侧。

25.一种放射线图像摄影装置，其具备：

权利要求1至24中任一项所述的放射线检测器；

控制部，输出用于读取积蓄于所述多个像素中的电荷的控制信号；

驱动部，根据所述控制信号从所述多个像素读取电荷；及

信号处理部，输入与从所述多个像素读取的电荷对应的电信号，并生成与所输入的电信号对应的图像数据而向所述控制部输出。

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