CN112251738A - 一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法 - Google Patents
一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112251738A CN112251738A CN202011059598.3A CN202011059598A CN112251738A CN 112251738 A CN112251738 A CN 112251738A CN 202011059598 A CN202011059598 A CN 202011059598A CN 112251738 A CN112251738 A CN 112251738A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit board
- reaction chamber
- metal substrate
- plasma
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 94
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 41
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 claims abstract description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005067 remediation Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
本发明公开了一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其制备方法步骤如下：步骤一：利用丙酮和酒精对线路板金属基材表面进行清洗，步骤二：利用干燥箱对清洗后的线路板金属基材进行干燥；步骤三：将干燥后的线路板金属基材置于冷却箱内进行冷却；步骤四：将步骤二中冷却后的线路板金属基材置于等离子反应室内，步骤五：在等离子反应室低真空度的环境下，通过离子源放电处理系统进行表面放电处理；步骤六：将带有高侵蚀性气体的混合气体通过等离子反应室的导气管送入等离子反应室内；步骤七：将镀膜材料和等离子气体一同送入等离子反应室内，在线路板金属基材表面沉积形成纳米膜，制备方法简单，生产周期短、成本较低。
Description
技术领域
本发明涉及一种基材表面加工技术领域，具体是一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法。
背景技术
线路板的名称有：陶瓷线路板，氧化铝陶瓷线路板，氮化铝陶瓷线路板，线路板，PCB板，铝基板，高频板，厚铜板，阻抗板，PCB，超薄线路板，超薄线路板，印刷线路板等。线路板使电路迷你化、直观化，对于固定电路的批量生产和优化用电器布局起重要作用。线路板可称为印刷线路板或印刷线路板，英文名称为(Printed Circuit Board)PCB、(FlexiblePrinted Circuit board)FPC线路板(FPC线路板又称柔性线路板柔性线路板是以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的一种具有高度可靠性，绝佳的可挠性印刷线路板。具有配线密度高、重量轻、厚度薄、弯折性好的特点。)和软硬结合板(reechas，Soft and hardcombination plate)-FPC与PCB的诞生与发展，催生了软硬结合板这一新产品。因此，软硬结合板，就是柔性线路板与硬性线路板，经过压合等工序，按相关工艺要求组合在一起，形成的具有FPC特性与PCB特性的线路板。
线路板金属基材产品表面一般经过阳极氧化等工艺处理，在其表面会形成一层金属氧化物保护膜，该保护膜在一定程度上会起到保护金属基底免受外界水汽等物质的侵蚀，具有一定的耐腐蚀性。但由于生产过程中，往往由于产品质量管控的差异，容易造成阳极氧化膜的厚度不均匀，同时，如果需要进行商标的镭雕处理等情况，会造成线路板金属基材表面的阳极氧化膜层疏松，甚至雕穿阳极氧化膜层，导致金属基底直接暴露在外界环境之中。此时，在镭雕等特殊处理过的部位，容易受到外界环境物质的侵蚀，引起局部腐蚀，当局部腐蚀产生后，腐蚀范围会逐渐扩大，最终形成一定片区的腐蚀，严重影响线路板金属基材产品的外观、机械性能和使用寿命。
现有的一些补救方法还有表面喷涂/浸泡处理液和重新阳极氧化处理，都属于传统的物理化学方法，存在生产过程时间长、成本高、附着力不足、质量不稳定、环保友好性差等问题，因此目前亟需一种能在线路板金属基材表面沉积纳米膜的制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其制备方法步骤如下：
步骤一：利用丙酮和酒精对线路板金属基材表面进行清洗，
步骤二：利用干燥箱对清洗后的线路板金属基材进行干燥；
步骤三：将干燥后的线路板金属基材置于冷却箱内进行快速冷却；
步骤四：将步骤二中冷却后的线路板金属基材置于等离子反应室内，
步骤五：在等离子反应室低真空度的环境下，通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，以达到活化线路板金属基材表面的目的；
步骤六：进一步将带有高侵蚀性气体的混合气体通过等离子反应室的导气管送入等离子反应室内，对线路板金属基材表面进行侵蚀，提高了后续纳米膜的在线路板金属基材表面的形成效果；
步骤七：在真空度下，将镀膜材料和等离子气体一同送入等离子反应室内，镀膜材料和等离子气体进行碰撞反应，在线路板金属基材表面沉积形成纳米膜；
步骤八：关闭等离子反应室，待等离子反应室恢复大气压后，取出覆有纳米膜的线路板金属基材；
步骤九：对取出的覆有纳米膜的线路板金属基材进行包装。
作为本发明进一步的方案：所述步骤一中利用丙酮和酒精对线路板金属基材进行超声波清洗，清洗时间为20-30min，利用丙酮和酒精清洗完成后，进一步将线路板金属基材放入去离子水中进行二次超声清洗处理，清洗时间为15-30min。
作为本发明再进一步的方案：所述步骤二中干燥箱的干燥温度为60-75℃，并保持干燥箱内湿度为6-8％，干燥时间为30-45min。
作为本发明再进一步的方案：所述步骤三中冷却箱的冷却温度为20-25℃，并保持干燥箱内湿度为6-8％，冷却时间为40-60min。
作为本发明再进一步的方案：所述步骤五中等离子反应室低真空度为6-8pa，放电处理时间为30-35min。
作为本发明再进一步的方案：所述步骤六中高侵蚀性气体为二氧化氮，侵蚀时间为20-30min。
作为本发明再进一步的方案：所述线路板金属基材的材质为铝或合金材料。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明在线路板金属基材表面纳米膜的制备方法简单，生产周期短、成本较低，同时通过对线路板金属基材预先活化和侵蚀处理，提高了线路板金属基材表面沉积纳米膜的效果。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例中，一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其制备方法步骤如下：
步骤一：利用丙酮和酒精对线路板金属基材表面进行清洗，
步骤二：利用干燥箱对清洗后的线路板金属基材进行干燥；
步骤三：将干燥后的线路板金属基材置于冷却箱内进行快速冷却；
步骤四：将步骤二中冷却后的线路板金属基材置于等离子反应室内，
步骤五：在等离子反应室低真空度的环境下，通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，以达到活化线路板金属基材表面的目的；
步骤六：进一步将带有高侵蚀性气体的混合气体通过等离子反应室的导气管送入等离子反应室内，对线路板金属基材表面进行侵蚀，提高了后续纳米膜的在线路板金属基材表面的形成效果；
步骤七：在真空度下，将镀膜材料和等离子气体一同送入等离子反应室内，镀膜材料和等离子气体进行碰撞反应，在线路板金属基材表面沉积形成纳米膜；
步骤八：关闭等离子反应室，待等离子反应室恢复大气压后，取出沉积纳米膜的线路板金属基材；
步骤九：对取出的覆有纳米膜的线路板金属基材进行包装。
所述步骤一中利用丙酮和酒精对线路板金属基材进行超声波清洗，清洗时间为20-30min，利用丙酮和酒精清洗完成后，进一步将线路板金属基材放入去离子水中进行二次超声清洗处理，清洗时间为15-30min；
所述步骤二中干燥箱的干燥温度为60-75℃，并保持干燥箱内湿度为6-8％，干燥时间为30-45min；
所述步骤三中冷却箱的冷却温度为20-25℃，并保持干燥箱内湿度为6-8％，冷却时间为40-60min；
所述步骤五中等离子反应室低真空度为6-8pa，放电处理时间为30-35min；
所述步骤六中高侵蚀性气体为二氧化氮，侵蚀时间为20-30min；
所述线路板金属基材的材质为铝或合金材料。
实施例一
一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其制备方法步骤如下：
步骤一：利用丙酮和酒精对线路板金属基材表面进行清洗，
步骤二：利用干燥箱对清洗后的线路板金属基材进行干燥；
步骤三：将干燥后的线路板金属基材置于冷却箱内进行快速冷却；
步骤四：将步骤二中冷却后的线路板金属基材置于等离子反应室内，
步骤五：在等离子反应室低真空度的环境下，通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，以达到活化线路板金属基材表面的目的；
步骤六：进一步将带有高侵蚀性气体的混合气体通过等离子反应室的导气管送入等离子反应室内，对线路板金属基材表面进行侵蚀，提高了后续纳米膜的在线路板金属基材表面的形成效果；
步骤七：在真空度下，将镀膜材料和等离子气体一同送入等离子反应室内，镀膜材料和等离子气体进行碰撞反应，在线路板金属基材表面沉积形成纳米膜；
步骤八：关闭等离子反应室，待等离子反应室恢复大气压后，取出沉积纳米膜的线路板金属基材；
步骤九：对取出的覆有纳米膜的线路板金属基材进行包装。
所述步骤一中利用丙酮和酒精对线路板金属基材进行超声波清洗，清洗时间为20min，利用丙酮和酒精清洗完成后，进一步将线路板金属基材放入去离子水中进行二次超声清洗处理，清洗时间为15min；
所述步骤二中干燥箱的干燥温度为60℃，并保持干燥箱内湿度为6％，干燥时间为30min；
所述步骤三中冷却箱的冷却温度为20℃，并保持干燥箱内湿度为6％，冷却时间为40min；
所述步骤五中等离子反应室低真空度为6pa，放电处理时间为30min；
所述步骤六中高侵蚀性气体为二氧化氮，侵蚀时间为20min；
所述线路板金属基材的材质为铝或合金材料。
实施例二
一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其制备方法步骤如下：
步骤一：利用丙酮和酒精对线路板金属基材表面进行清洗，
步骤二：利用干燥箱对清洗后的线路板金属基材进行干燥；
步骤三：将干燥后的线路板金属基材置于冷却箱内进行快速冷却；
步骤四：将步骤二中冷却后的线路板金属基材置于等离子反应室内，
步骤五：在等离子反应室低真空度的环境下，通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，以达到活化线路板金属基材表面的目的；
步骤六：进一步将带有高侵蚀性气体的混合气体通过等离子反应室的导气管送入等离子反应室内，对线路板金属基材表面进行侵蚀，提高了后续纳米膜的在线路板金属基材表面的形成效果；
步骤七：在真空度下，将镀膜材料和等离子气体一同送入等离子反应室内，镀膜材料和等离子气体进行碰撞反应，在线路板金属基材表面沉积形成纳米膜；
步骤八：关闭等离子反应室，待等离子反应室恢复大气压后，取出沉积纳米膜的线路板金属基材；
步骤九：对取出的覆有纳米膜的线路板金属基材进行包装。
所述步骤一中利用丙酮和酒精对线路板金属基材进行超声波清洗，清洗时间为30min，利用丙酮和酒精清洗完成后，进一步将线路板金属基材放入去离子水中进行二次超声清洗处理，清洗时间为30min；
所述步骤二中干燥箱的干燥温度为75℃，并保持干燥箱内湿度为8％，干燥时间为45min；
所述步骤三中冷却箱的冷却温度为25℃，并保持干燥箱内湿度为8％，冷却时间为60min；
所述步骤五中等离子反应室低真空度为8pa，放电处理时间为35min；
所述步骤六中高侵蚀性气体为二氧化氮，侵蚀时间为30min；
所述线路板金属基材的材质为铝或合金材料。
实施例三
一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其制备方法步骤如下：
步骤一：利用丙酮和酒精对线路板金属基材表面进行清洗，
步骤二：利用干燥箱对清洗后的线路板金属基材进行干燥；
步骤三：将干燥后的线路板金属基材置于冷却箱内进行快速冷却；
步骤四：将步骤二中冷却后的线路板金属基材置于等离子反应室内，
步骤五：在等离子反应室低真空度的环境下，通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，以达到活化线路板金属基材表面的目的；
步骤六：进一步将带有高侵蚀性气体的混合气体通过等离子反应室的导气管送入等离子反应室内，对线路板金属基材表面进行侵蚀，提高了后续纳米膜的在线路板金属基材表面的形成效果；
步骤七：在真空度下，将镀膜材料和等离子气体一同送入等离子反应室内，镀膜材料和等离子气体进行碰撞反应，在线路板金属基材表面沉积形成纳米膜；
步骤八：关闭等离子反应室，待等离子反应室恢复大气压后，取出沉积纳米膜的线路板金属基材；
步骤九：对取出的覆有纳米膜的线路板金属基材进行包装。
所述步骤一中利用丙酮和酒精对线路板金属基材进行超声波清洗，清洗时间为25min，利用丙酮和酒精清洗完成后，进一步将线路板金属基材放入去离子水中进行二次超声清洗处理，清洗时间为25min；
所述步骤二中干燥箱的干燥温度为70℃，并保持干燥箱内湿度为7％，干燥时间为40min；
所述步骤三中冷却箱的冷却温度为22℃，并保持干燥箱内湿度为7％，冷却时间为50min；
所述步骤五中等离子反应室低真空度为7pa，放电处理时间为33min；
所述步骤六中高侵蚀性气体为二氧化氮，侵蚀时间为25min；
所述线路板金属基材的材质为铝或合金材料。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其特征在于：其制备方法步骤如下：
步骤一：利用丙酮和酒精对线路板金属基材表面进行清洗，
步骤二：利用干燥箱对清洗后的线路板金属基材进行干燥；
步骤三：将干燥后的线路板金属基材置于冷却箱内进行快速冷却；
步骤四：将步骤二中冷却后的线路板金属基材置于等离子反应室内，
步骤五：在等离子反应室低真空度的环境下，通过离子源放电处理系统进行表面放电处理，以达到活化线路板金属基材表面的目的；
步骤六：进一步将带有高侵蚀性气体的混合气体通过等离子反应室的导气管送入等离子反应室内，对线路板金属基材表面进行侵蚀，提高了后续纳米膜的在线路板金属基材表面的形成效果；
步骤七：在真空度下，将镀膜材料和等离子气体一同送入等离子反应室内，镀膜材料和等离子气体进行碰撞反应，在线路板金属基材表面沉积形成纳米膜；
步骤八：关闭等离子反应室，待等离子反应室恢复大气压后，取出覆有纳米膜的线路板金属基材；
步骤九：对取出的覆有纳米膜的线路板金属基材进行包装。
2.根据权利要求1所述的等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其特征在于：所述步骤一中利用丙酮和酒精对线路板金属基材进行超声波清洗，清洗时间为20-30min，利用丙酮和酒精清洗完成后，进一步将线路板金属基材放入去离子水中进行二次超声清洗处理，清洗时间为15-30min。
3.根据权利要求1所述的等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其特征在于：所述步骤二中干燥箱的干燥温度为60-75℃，并保持干燥箱内湿度为6-8％，干燥时间为30-45min。
4.根据权利要求1所述的等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其特征在于：所述步骤三中冷却箱的冷却温度为20-25℃，并保持干燥箱内湿度为6-8％，冷却时间为40-60min。
5.根据权利要求1所述的等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其特征在于：所述步骤五中等离子反应室低真空度为6-8pa，放电处理时间为30-35min。
6.根据权利要求1所述的等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其特征在于：所述步骤六中高侵蚀性气体为二氧化氮，侵蚀时间为20-30min。
7.根据权利要求1所述的等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法，其特征在于：所述线路板金属基材的材质为铝或合金材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011059598.3A CN112251738A (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011059598.3A CN112251738A (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112251738A true CN112251738A (zh) | 2021-01-22 |
Family
ID=74234700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011059598.3A Pending CN112251738A (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112251738A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1340835A2 (en) * | 1996-06-27 | 2003-09-03 | Nissin Electric Co., Ltd. | Object coated with carbon film and method of manufacturing the same |
| CN101298676A (zh) * | 2007-04-30 | 2008-11-05 | 汉达精密电子(昆山)有限公司 | 绝缘导热金属基材的制造方法 |
| CN101298673A (zh) * | 2007-04-30 | 2008-11-05 | 汉达精密电子(昆山)有限公司 | 绝缘导热金属基板的制备方法 |
| CN108425101A (zh) * | 2018-02-13 | 2018-08-21 | 浙江银之源贵金属有限公司 | 一种贵金属制品镀膜处理工艺 |
| CN110306166A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-10-08 | 佛山市思博睿科技有限公司 | 一种等离子化学气相沉积金属基材表面纳米膜的制备方法 |
-
2020
- 2020-09-30 CN CN202011059598.3A patent/CN112251738A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1340835A2 (en) * | 1996-06-27 | 2003-09-03 | Nissin Electric Co., Ltd. | Object coated with carbon film and method of manufacturing the same |
| CN101298676A (zh) * | 2007-04-30 | 2008-11-05 | 汉达精密电子(昆山)有限公司 | 绝缘导热金属基材的制造方法 |
| CN101298673A (zh) * | 2007-04-30 | 2008-11-05 | 汉达精密电子(昆山)有限公司 | 绝缘导热金属基板的制备方法 |
| CN108425101A (zh) * | 2018-02-13 | 2018-08-21 | 浙江银之源贵金属有限公司 | 一种贵金属制品镀膜处理工艺 |
| CN110306166A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-10-08 | 佛山市思博睿科技有限公司 | 一种等离子化学气相沉积金属基材表面纳米膜的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103167731B (zh) | 一种无胶软板基材及其制备方法 | |
| US5462771A (en) | Method of manufacturing electromagnetic wave shielding plastic molding | |
| JP2001277424A (ja) | 金属化ポリイミドフィルムおよびその製造方法 | |
| JPH046115B2 (zh) | ||
| US4711822A (en) | Metal core printed circuit boards | |
| CN113179586A (zh) | 一种提高cof基挠性覆铜板剥离强度的方法 | |
| CN102762037B (zh) | 一种陶瓷电路板及其制造方法 | |
| CN112251738A (zh) | 一种等离子化学气相沉基材表面纳米膜的制备方法 | |
| CN113278971B (zh) | 一种基于喷射打印的曲面印制板制备方法 | |
| US4913789A (en) | Sputter etching and coating process | |
| CN114206003A (zh) | 一种电路板沉铜工序除胶方法 | |
| JP5246521B2 (ja) | ウェットエッチングを採用した電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション | |
| KR101203308B1 (ko) | 2층 필름, 2층 필름의 제조 방법 및 인쇄 기판의 제조 방법 | |
| JP2817891B2 (ja) | 電磁波シールドプラスチック成形品の製造方法 | |
| CN101572997A (zh) | 绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法 | |
| JPH04267597A (ja) | フレキシブルプリント配線板の製造方法 | |
| TW202112913A (zh) | 聚芳硫醚系樹脂薄膜、金屬積層體、聚芳硫醚系樹脂薄膜之製造方法、及金屬積層體之製造方法 | |
| KR101211559B1 (ko) | 전자파 차폐 필름의 제조 방법 | |
| RU2806799C1 (ru) | Способ изготовления микрополосковых плат СВЧ-диапазона с переходными металлизированными отверстиями на основе микроволновых диэлектрических подложек, изготовленных из высокочастотных керамических материалов с высокой диэлектрической проницаемостью | |
| CN112584627B (zh) | 一种用石墨烯对陶瓷表面粗化的方法及覆铜板的制作方法 | |
| CN114229790B (zh) | 基于mems槽孔壁的复合式处理工艺 | |
| JPS63303730A (ja) | 金属薄膜蒸着ポリエ−テルイミドフィルム | |
| CN112888158B (zh) | 一种软板盲孔板及其制作方法 | |
| JP2008071802A (ja) | 高耐食性電磁波シールド成形体およびその製造方法 | |
| US20220087027A1 (en) | Multi-layer substrate structure which can be peeled off precisely and a method for manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210122 |