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CN112233975B - 一种研磨时间控制方法、装置、设备及可读存储介质 - Google Patents

一种研磨时间控制方法、装置、设备及可读存储介质 Download PDF

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CN112233975B
CN112233975B CN202010924345.1A CN202010924345A CN112233975B CN 112233975 B CN112233975 B CN 112233975B CN 202010924345 A CN202010924345 A CN 202010924345A CN 112233975 B CN112233975 B CN 112233975B
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崔凯
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Beijing Jingyi Precision Technology Co ltd
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Abstract

本发明公开了一种研磨时间控制方法、装置、设备及可读存储介质，其中，该方法包括：获取在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目；判断待研磨物质数目是否达到预设值；当待研磨物质数目到达预设值时，对待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。通过实施本发明，保证了待研磨物质在第二抛光盘的研磨时间处于预设研磨时间范围内，提高了待研磨物质的研磨效率，降低了加工成本。

Description

一种研磨时间控制方法、装置、设备及可读存储介质
技术领域
本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体涉及一种研磨时间控制方法、装置、设备及可读存储介质。
背景技术
随着半导体集成电路(Integrated circuit，IC)制造技术的不断发展，最小线宽越来越小，互连层数越来越多，晶圆直径不断増大，若要实现多层布线，晶圆表面必须具有极高的平整度、光滑度和洁净度。现有技术中，为保证晶圆表面具有极高的平整度、光滑度和洁净度，通常通过将不同产品放在同一个化学机械抛光(Chemical mechanicalpolishing,CMP)机台上，采用终点检测检测技术(endpoint detection，简称EPD)进行研磨以控制研磨去除量的精确性。然而，由于同一种产品采用同样的EPD算法导致不同批次的被研磨产品的厚度存在差异，可能超出EPD所能覆盖的时间范围；伴随着研磨耗材的消耗或者耗材批次的不同，研磨速率会产生变化，也可能超出EPD所能覆盖的时间范围。如果研磨时间超出EPD所能覆盖的时间范围，则需要根据后续测量得到的厚度，重新进行加工，进而增加了生产成本。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中研磨时间超出EPD覆盖范围而导致生产成本增加的缺陷，从而提供一种研磨时间控制方法、装置、设备及可读存储介质。
根据第一方面，本发明实施例提供一种研磨时间控制方法，包括：获取在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目；判断所述待研磨物质数目是否达到预设值；当所述待研磨物质数目到达所述预设值时，对所述待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。
结合第一方面，在第一方面的第一实施方式中，当所述预设研磨时间为在所述第二抛光盘上的最小研磨时间时，所述获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目，包括：判断所述实际研磨时间是否小于最小研磨时间；统计所述实际研磨时间小于所述最小研磨时间的待研磨物质数目。
结合第一方面第一实施方式，在第一方面的第二实施方式中，所述对所述待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整，包括：在所述初始研磨时间上减少时间调节量。
结合第一方面，在第一方面的第三实施方式中，当所述预设研磨时间为在所述第二抛光盘上的最大研磨时间时，所述获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目，包括：判断所述实际研磨时间是否大于最大研磨时间；统计所述实际研磨时间大于所述最大研磨时间的待研磨物质数目。
结合第一方面第三实施方式，在第一方面的第四实施方式中，所述对所述待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整包括：在所述初始研磨时间上增加时间调节量。
结合第一方面，在第一方面的第五实施方式中，还包括：获取所述待研磨物质在所述第一抛光盘上的第一标准去除率以及在所述第二抛光盘上的第二标准去除率；根据所述第一标准去除率、所述第二标准去除率、最小研磨时间和最大研磨时间，确定所述初始研磨时间的时间调节量。
结合第一方面第五实施方式，在第一方面的第六实施方式中，根据所述第一标准去除率、所述第二标准去除率、所述最小研磨时间和所述最大研磨时间，确定所述初始研磨时间的时间调节量，包括：
其中，t时间调节量；Tmax为最大研磨时间；Tmin为最小研磨时间；R1为第一标准去除率；R2为第二标准去除率；k为比例系数。
结合第一方面第一实施方式，在第一方面的第七实施方式中，所述研磨时间控制方法还包括：当所述待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间时，发出报警信息。
根据第二方面，本发明实施例提供一种研磨时间控制装置，包括：获取模块，用于获取在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目；判断模块，用于判断所述待研磨物质数目是否达到预设值；调整模块，用于当所述待研磨物质数目到达所述预设值时，对所述待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。
根据第三方面，本发明实施例提供一种计算机设备，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行第一方面或第一方面任一实施方式所述的研磨时间控制方法。
根据第四方面，本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行第一方面或第一方面任一实施方式所述的研磨时间控制方法。
本发明技术方案，具有如下优点：
本发明提供的研磨时间控制方法、装置、设备及可读存储介质，通过获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间，统计在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目，判断超出预设研磨时间的待研磨物质数目是否达到预设值，当待研磨物质数目到达预设值时，对待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。通过调整待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间，使待研磨物质在第二抛光盘的研磨时间处于预设研磨时间范围内，保证待研磨物质符合研磨厚度要求，无需重新加工，提高了待研磨物质的研磨效率，降低了待研磨物质的加工成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中研磨时间控制方法的流程图；
图2为本发明实施例中研磨时间控制装置的原理框图；
图3为本发明实施例中计算机设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1
本实施例提供一种研磨时间控制方法，应用于化学机械抛光技术的研磨工艺中，以精确控制待研磨物质的研磨去除量。如图1所示，该研磨时间控制方法包括如下步骤：
S11，获取在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目。
示例性地，待研磨物质为需要研磨的半导体器件，例如晶圆，本申请对待研磨物质不作限定，本领域技术人员可以根据实际需要确定。实际研磨时间为待研磨物质在第二抛光盘上的研磨时间，可以通过时间传感器进行获取；预设研磨时间为待研磨物质在第二抛光上的研磨时间范围，预设研磨时间可以采用终点检测检测技术(endpoint detection，EPD)进行获取。具体地，采用EPD算法可以确定待研磨物质在第二抛光盘上的研磨时间范围为(Tmin，Tmax)，则预设研磨时间为(Tmin，Tmax)，其中Tmin为最小研磨时间，Tmax为最大研磨时间。获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间，确定实际待研磨时间超出预设研磨时间的晶圆数目即为统计实际研磨时间小于最小研磨时间的待研磨物质数目或统计实际研磨时间大于最大研磨时间的待研磨物质数目。
可选地，当预设研磨时间为最小研磨时间时，步骤S11可以包括：
首先，判断实际研磨时间是否小于最小研磨时间。
示例性地，获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间，判断实际研磨时间是否小于最小研磨时间。以晶圆为例，若晶圆在第二抛光盘上的实际研磨时间为T，通过EPD算法确定晶圆在第二抛光盘上的最小研磨时间为Tmin，将实际研磨时间T与最小研磨时间Tmin进行比较，确定实际研磨时间T与最小研磨时间Tmin之间的大小关系。
其次，统计实际研磨时间小于最小研磨时间的待研磨物质数目。
示例性地，若确定实际研磨时间小于最小研磨时间后，则对实际研磨时间小于最小研磨时间的待研磨物质的数目进行统计，得到在第二抛光盘上的实际研磨时间小于最小研磨时间的待研磨物质数目。
可选地，当预设研磨时间为最大研磨时间时，步骤S11可以包括：
首先，判断实际研磨时间是否大于最小研磨时间。
示例性地，获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间，判断实际研磨时间是否大于最小研磨时间。以晶圆为例，若晶圆在第二抛光盘上的实际研磨时间为T，通过EPD算法确定晶圆在第二抛光盘上的最小研磨时间为Tmax，将实际研磨时间T与最大研磨时间Tmax进行比较，确定实际研磨时间T与最大研磨时间Tmax之间的大小关系。
其次，统计实际研磨时间大于最大研磨时间的待研磨物质数目。
示例性地，若确定实际研磨时间大于最大研磨时间后，则对实际研磨时间大于最大研磨时间的待研磨物质的数目进行统计，得到在第二抛光盘上的实际研磨时间大于最大研磨时间的待研磨物质数目。
S12，判断待研磨物质数目是否达到预设值。
示例性地，预设值为待研磨物质超出预设研磨时间的设定值。将实际待研磨时间超出预设研磨时间的晶圆数目进行累加，判断累加得到的晶圆数目是否到达预设值。
具体地，在第二抛光盘上进行晶圆研磨过程中，获取晶圆在第二抛光盘上的实际研磨时间，当实际待研磨时间超出预设研磨时间时，可以发出报警信息，同时对超出预设研磨时间的待研磨晶圆进行计数。
S13，当待研磨物质数目到达预设值时，对待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。
示例性地，当累加得到的晶圆数目是否到达预设值时，则表征当前第二抛光盘的研磨时间无法符合晶圆研磨的厚度要求，需要进行重新加工。为了使得晶圆在第二抛光盘上的实际研磨时间符合预设研磨时间，则对晶圆在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。
本实施例提供的研磨时间控制方法，通过获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间，统计在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目，判断超出预设研磨时间的待研磨物质数目是否达到预设值，当待研磨物质数目到达预设值时，对待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。通过调整待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间，使待研磨物质在第二抛光盘的研磨时间处于预设研磨时间范围内，保证待研磨物质符合研磨厚度要求，无需重新加工，提高了待研磨物质的研磨效率，降低了待研磨物质的加工成本。
作为一个可选的实施方式，当实际研磨时间小于最小研磨时间的待研磨物质数目达到预设值时，上述步骤S13，包括：在初始研磨时间上减少时间调节量。
示例性地，当实际研磨时间小于最小研磨时间的待研磨物质数目达到预设值时，则说明待研磨物质在第一抛光盘上的研磨时间较长，为了保证待研磨物质的研磨厚度则无需第二抛光盘上研磨较多时间，因此会出现在第二抛光盘上的实际研磨时间小于最小研磨时间的情况，此时则需要在第一抛光盘上的初始研磨时间基础上减少时间调节量，以增加待研磨物质在第二抛光盘上的研磨时间，使待研磨物质在第二抛光盘上的研磨时间处于预设研磨时间内。
同样地，当实际研磨时间大于最大研磨时间的待研磨物质数目达到预设值时，上述步骤S13，包括：在初始研磨时间上减少时间调节量。
示例性地，当实际研磨时间大于最大研磨时间的待研磨物质数目达到预设值时，则说明待研磨物质在第一抛光盘上的研磨时间较短，为了保证待研磨物质的研磨厚度则需要在第二抛光盘上研磨较多时间，因此会出现在第二抛光盘上的实际研磨时间超过最大研磨时间的情况，此时则需要在第一抛光盘上的初始研磨时间基础上增加时间调整量，以降低待研磨物质在第二抛光盘上的研磨时间，使待研磨物质在第二抛光盘上的研磨时间处于预设研磨时间内。
具体地，时间调整量的计算方法包括：
首先，获取待研磨物质在第一抛光盘上的第一标准去除率以及在第二抛光盘上的第二标准去除率。
示例性地，待研磨物质在研磨过程中，首先在第一抛光盘上研磨一固定时间，使待研磨物质的厚度达到适当的厚度范围，然后在第二抛光盘上采用动态时间研磨，根据EPD算法计算研磨结束时间点。第一标准去除率为待研磨位置在第一抛光盘上研磨去除量；第二标准去除率为待研磨位置在第二抛光盘上研磨去除量。第一标准去除率和第二标准去除率可以根据待研磨物质的最终研磨去除量进行设定，本申请对此不作限定。
其次，根据第一标准去除率、第二标准去除率、最小研磨时间和最大研磨时间，确定初始研磨时间的时间调节量。
示例性地，若待研磨物质的最终研磨去除量为R，则可以设定在第一抛光盘上的第一标准去除率为R1，初始研磨时间为T1，在第二抛光盘上的第二标准去除率为R2，根据EPD算法得到的最小研磨时间为Tmin，最大研磨时间为Tmax，其中，R1+R2＝R。
根据第一标准去除率R1、第二标准去除率R2、最小研磨时间Tmin和最大研磨时间Tmax得到时间调节量其中，k为比例系数，其取值范围为0<k<0.5，具体可以根据实际需要进行确定。
本实施例提供的研磨时间控制方法，根据待研磨物质在第二抛光盘上EPD时间对待研磨物质在第一抛光盘上的研磨时间进行动态调整，从而有效避免了同种待研磨物质在第二抛光盘上的研磨时间超出预设研磨时间所覆盖时间范围的限制，进而提高了待研磨物质的研磨效率，降低了加工成本。
实施例2
本实施例提供一种研磨时间控制装置，应用于化学机械抛光技术的研磨系统，以精确控制待研磨物质的研磨去除量。如图2所示，该研磨时间控制装置包括：
获取模块21，用于获取在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目。详细内容参见上述方法实施例对应步骤S11的相关描述，此处不再赘述。
判断模块22，用于判断待研磨物质数目是否达到预设值。详细内容参见上述方法实施例对应步骤S12的相关描述，此处不再赘述。
调整模块23，用于当待研磨物质数目到达预设值时，对待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。详细内容参见上述方法实施例对应步骤S13的相关描述，此处不再赘述。
本实施例提供的研磨时间控制装置，通过获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间，统计在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目，判断超出预设研磨时间的待研磨物质数目是否达到预设值，当待研磨物质数目到达预设值时，对待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。通过调整待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间，使待研磨物质在第二抛光盘的研磨时间处于预设研磨时间范围内，保证待研磨物质符合研磨厚度要求，无需重新加工，提高了待研磨物质的研磨效率，降低了待研磨物质的加工成本。
作为一个可选的实施方式，上述获取模块21包括：
第一判断子模块，用于判断实际研磨时间是否小于最小研磨时间。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
第一统计子模块，用于统计实际研磨时间小于最小研磨时间的待研磨物质数目。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
作为一个可选的实施方式，上述调整模块23包括：
第一调节子模块，用于在初始研磨时间上减少时间调节量。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
作为一个可选的实施方式，上述获取模块21包括：
第二判断子模块，用于判断实际研磨时间是否大于最大研磨时间。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
第二统计子模块，用于统计实际研磨时间大于最大研磨时间的待研磨物质数目。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
作为一个可选的实施方式，上述调整模块23包括：
第二调节子模块，用于在初始研磨时间上增加时间调节量。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
作为一个可选的实施方式，该研磨时间控制装置还包括：
去除率获取模块，用于获取待研磨物质在第一抛光盘上的第一标准去除率以及在第二抛光盘上的第二标准去除率。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
计算子模块，用于根据第一标准去除率、第二标准去除率、最小研磨时间和最大研磨时间，确定初始研磨时间的时间调节量。该时间调节量的表达式具体为：
其中，t为时间调节量；Tmax为最大研磨时间；Tmin为最小研磨时间；R1为第一标准去除率；R2为第二标准去除率；k为比例系数。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
作为一个可选的实施方式，该研磨时间控制装置还包括：
报警装置，用于当待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间时，发出报警信息。详细内容参见上述方法实施例对应的相关描述，此处不再赘述。
本实施例提供的研磨时间控制装置，根据待研磨物质在第二抛光盘上EPD时间对待研磨物质在第一抛光盘上的研磨时间进行动态调整，从而有效避免了同种待研磨物质在第二抛光盘上的研磨时间超出预设研磨时间所覆盖时间范围，进而提高了待研磨物质的研磨效率，降低了加工成本。
实施例3
本实施例提供一种计算机设备，如图3所示，该设备包括处理器31和存储器32，其中处理器31和存储器32可以通过总线或者其他方式连接，图3中以通过总线连接为例。
处理器31可以为中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。处理器31还可以为其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)、嵌入式神经网络处理器(Neural-network ProcessingUnit，NPU)或者其他专用的深度学习协处理器、专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等芯片，或者上述各类芯片的组合。
存储器32作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序、非暂态计算机可执行程序以及模块，如本发明实施例中的研磨时间控制方法对应的程序指令/模块(如图2所示的获取模块21、判断模块22和调整模块23)。处理器31通过运行存储在存储器32中的非暂态软件程序、指令以及模块，从而执行处理器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的研磨时间控制方法。
存储器32可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储处理器31所创建的数据等。此外，存储器32可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施例中，存储器32可选包括相对于处理器31远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器31。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
所述一个或者多个模块存储在所述存储器32中，当被所述处理器31执行时，执行如图1所示实施例中的研磨时间控制方法。
通过获取待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间，统计在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目，判断超出预设研磨时间的待研磨物质数目是否达到预设值，当待研磨物质数目到达预设值时，对待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整。通过调整待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间，使待研磨物质在第二抛光盘的研磨时间处于预设研磨时间范围内，保证待研磨物质符合研磨厚度要求，无需重新加工，降低了待研磨物质的加工成本。
上述计算机设备的具体细节可以对应参阅图1至图3所示的实施例中对应的相关描述和效果进行理解，此处不再赘述。未在本实施例中详尽描述的技术细节，具体可参见如图1至图3所示的实施例中的相关描述。
本发明实施例还提供一种非暂态计算机存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令可执行上述任意方法实施例中的研磨时间控制方法。其中，所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)、随机存储记忆体(Random Access Memory，RAM)、快闪存储器(Flash Memory)、硬盘(Hard DiskDrive，缩写：HDD)或固态硬盘(Solid-State Drive，SSD)等；所述存储介质还可以包括上述种类的存储器的组合。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (7)

1.一种研磨时间控制方法，其特征在于，包括：
获取在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目，包括：当所述预设研磨时间为在所述第二抛光盘上的最小研磨时间时，判断所述实际研磨时间是否小于最小研磨时间；统计所述实际研磨时间小于所述最小研磨时间的待研磨物质数目；当所述预设研磨时间为在所述第二抛光盘上的最大研磨时间时，判断所述实际研磨时间是否大于最大研磨时间；统计所述实际研磨时间大于所述最大研磨时间的待研磨物质数目；
判断所述待研磨物质数目是否达到预设值；
当所述待研磨物质数目到达所述预设值时，对所述待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整；
获取所述待研磨物质在所述第一抛光盘上的第一标准去除率以及在所述第二抛光盘上的第二标准去除率；
根据所述第一标准去除率、所述第二标准去除率、最小研磨时间和最大研磨时间，确定所述初始研磨时间的时间调节量，其中，时间调节量的确定方式为：
其中，时间调节量；/>为第二抛光盘上的最大研磨时间；/>为第二抛光盘上的最小研磨时间；/>为第一标准去除率；/>为第二标准去除率；/>为比例系数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整，包括：
在所述初始研磨时间上减少时间调节量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整包括：
在所述初始研磨时间上增加时间调节量。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
当所述待研磨物质在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间时，发出报警信息。
5.一种研磨时间控制装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取在第二抛光盘上的实际研磨时间超出预设研磨时间的待研磨物质数目；
判断模块，用于判断所述待研磨物质数目是否达到预设值；
调整模块，用于当所述待研磨物质数目到达所述预设值时，对所述待研磨物质在第一抛光盘上的初始研磨时间进行调整；
去除率获取模块，用于获取所述待研磨物质在所述第一抛光盘上的第一标准去除率以及在所述第二抛光盘上的第二标准去除率；
计算子模块，用于根据所述第一标准去除率、所述第二标准去除率、最小研磨时间和最大研磨时间，确定所述初始研磨时间的时间调节量，其中，时间调节量的确定方式为：
其中，时间调节量；/>为第二抛光盘上的最大研磨时间；/>为第二抛光盘上的最小研磨时间；/>为第一标准去除率；/>为第二标准去除率；/>为比例系数；
其中，所述获取模块包括：第一判断子模块，用于判断所述实际研磨时间是否小于最小研磨时间；第一统计子模块，用于统计所述实际研磨时间小于所述最小研磨时间的待研磨物质数目；第二判断子模块，用于判断所述实际研磨时间是否大于最大研磨时间；第二统计子模块，用于统计所述实际研磨时间大于所述最大研磨时间的待研磨物质数目。
6.一种计算机设备，其特征在于，包括：存储器和处理器，所述存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1-4中任一项所述的研磨时间控制方法。
7.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使所述计算机执行权利要求1-4中任一项所述的研磨时间控制方法。
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