[go: up one dir, main page]

CN112151413B - 液体供应单元和基板处理装置 - Google Patents

液体供应单元和基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112151413B
CN112151413B CN202010592248.7A CN202010592248A CN112151413B CN 112151413 B CN112151413 B CN 112151413B CN 202010592248 A CN202010592248 A CN 202010592248A CN 112151413 B CN112151413 B CN 112151413B
Authority
CN
China
Prior art keywords
microwave
liquid
liquid supply
filter
application member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010592248.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112151413A (zh
Inventor
梁承太
郑富荣
赵乘桓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN112151413A publication Critical patent/CN112151413A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112151413B publication Critical patent/CN112151413B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明构思涉及液体供应单元和基板处理装置。根据一实施方式，基板处理装置包括：壳体，其在其中具有工艺空间；支承单元，其在所述壳体中支承所述基板；喷嘴，其将处理液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；和液体供应单元，其将所述处理液体供应到所述喷嘴，其中，所述液体供应单元包括：容器，其具有存储空间，所述处理液体存储在所述存储空间中；液体供应管，其使所述处理液体从所述容器流至所述喷嘴；和微波施用构件，其在所述处理液体被供应到喷嘴之前、将微波施用至所述处理液体。

Description

液体供应单元和基板处理装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月27日提交的、申请号为10-2019-0076767的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及用于通过将液体分配到基板上来处理基板的基板处理装置和方法。
背景技术
为了制造半导体元件，在基板上执行各种工艺，例如光刻、沉积、灰化、蚀刻和离子注入等。在这些工艺之前和之后，执行清洁工艺以清洁残留在基板上的颗粒。
使用各种类型的清洁溶液执行清洁工艺。在用于基板清洁工艺的清洁溶液中，异丙醇(以下称为“IPA”)由于其低表面张力而广泛用于清洁基板。
使用IPA的基板清洁装置包括IPA供应单元和清洁单元。IPA供应单元包括中央化学品供应系统(central chemical supply system,CCSS)。例如，中央化学品供应系统包括各种类型的化学品罐和供应管线，供应管线用于从化学品罐向清洁单元供应IPA。
通过将加压气体(例如氮气)供应到化学品罐中，将化学品罐中的IPA供应到清洁单元，并且为了升高IPA的温度，将加热器插入化学品罐或供应管线中。加热丝主要用作加热器。清洁单元通过将从IPA供应单元供应的IPA分配到基板上来去除基板上的异物。
然而，如上所述的基板清洁装置具有的问题在于，IPA中的杂质和IPA的温度难以控制。
例如，当基板清洁工艺不在基板清洁装置中执行时，由于用于将IPA供应到清洁单元的供应管线中的IPA的停滞，可能产生有机杂质。此外，在加热器位于供应管线中或用于储存IPA的罐中的情况下，加热器可能会污染IPA。
在有机杂质或被污染的IPA中，存在未被安装在供应管线中的过滤器过滤的颗粒，并且当包含颗粒的IPA被分配到基板上时，颗粒粘附到基板，使得基板不能被有效地清洁。
在加热器包括加热丝的情况下，需要相当长的时间来升高IPA的温度。此外，很难将期望温度的IPA分配到基板上。例如，当IPA沿着供应管线移动时，IPA的温度逐渐降低，并且温度低于设定温度的IPA被分配到基板上。
当IPA中包含颗粒或者IPA的温度不够高时，基板清洁效率降低。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于提高清洁效率的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于有效去除清洁溶液中杂质的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施方式提供了一种用于在短时间内将清洁溶液的温度升高到所需温度的基板处理装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员从以下描述中将清楚地理解本文未提及的任何其他技术问题。
根据一示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：壳体，其在其中具有工艺空间；支承单元，其在所述壳体中支承所述基板；喷嘴，其将处理液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；和液体供应单元，其将所述处理液体供应到所述喷嘴，其中，所述液体供应单元包括：容器，其具有存储空间，所述处理液体存储在所述存储空间中；液体供应管，其使所述处理液体从所述容器流至所述喷嘴；和微波施用构件，其在所述处理液体被供应到所述喷嘴之前、将微波施用至所述处理液体。
根据一实施方式，所述装置还可包括：过滤器，其安装在所述液体供应管中，以从待供应到所述喷嘴的所述处理液体中过滤杂质。
根据一实施方式，所述微波施用构件可设置在所述过滤器的上游，以凝结所述处理液体中的所述杂质。
根据一实施方式，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游可安装有阀，且所述微波施用构件可安装在所述阀的下游。
根据一实施方式，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游可安装有泵，且所述微波施用构件可安装在所述泵的下游。
根据一实施方式，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游可安装有流量计，且所述微波施用构件可安装在所述流量计的下游。
根据一实施方式，所述微波施用构件可设置在所述过滤器的下游，以加热所述处理液体。
根据一实施方式，所述微波施用构件可邻近所述喷嘴来设置。
根据一实施方式，所述微波施用构件可安装在所述容器中，以将微波施用到所述容器中的所述处理液体。
根据一实施方式，所述装置还可包括：盖，其设置在所述容器中并围绕所述微波施用构件。所述盖可由所述微波能够透过的材料形成；所述容器可由所述微波不能透过的材料形成、并且可阻止所述微波向所述容器的外部的发射。
根据一实施方式，所述微波施用构件可安装在所述液体供应管中。
根据一实施方式，所述微波施用构件可包括：第一微波施用构件，其施用第一微波以凝结所述处理液体中的杂质；和第二微波施用构件，其施用第二微波以加热所述处理液体，并且所述第二微波施用构件可提供具有比所述第一微波施用构件低的输出的微波。
根据一实施方式，所述装置还可包括：过滤器，其安装在所述液体供应管中，以从待供应到所述喷嘴的所述处理液体中过滤杂质。所述第一微波施用构件可设置在所述过滤器的上游，第二微波施用构件可设置在所述过滤器的下游。
根据一实施方式，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游可安装有阀，且所述第一微波施用构件可安装在所述阀的下游。
根据一实施方式，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游可安装有泵，且所述第一微波施用构件可安装在所述泵的下游。
根据一实施方式，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游可安装有流量计，且所述第一微波施用构件可安装在所述流量计的下游。
根据一示例性实施方式，一种液体供应单元包括：容器，其具有存储空间，处理液体存储在所述存储空间中；液体供应管，其使所述处理液体从所述容器流至喷嘴；和第一微波施用构件，其在所述处理液体被供应到所述喷嘴之前、将第一微波施用至所述处理液体以凝结所述处理液体中的杂质。
根据一实施方式，所述液体供应单元还可包括：第二微波施用构件，其施用第二微波以加热所述处理液体，且所述第二微波施用构件可提供具有比所述第一微波施用构件低的输出的微波。
根据一实施方式，所述液体供应单元还可包括：过滤器，其安装在所述液体供应管中，以从待供应到所述喷嘴的所述处理液体中过滤杂质。所述第一微波施用构件可设置在所述过滤器的上游，所述第二微波施用构件可设置在所述过滤器的下游。
根据一实施方式，所述第二微波施用构件可邻近所述喷嘴来设置。
根据一实施方式，所述处理液体可包括有机溶剂。
根据一示例性实施方式，一种用于处理基板的方法包括：通过将处理液体分配到所述基板上来处理所述基板，其中，将第一微波施用到所述处理液体以凝结所述处理液体中的杂质，然后在将所述处理液体分配到基板上之前，通过过滤器过滤所述处理液体中凝结的杂质。
根据一实施方式，在将所述处理液体分配到基板上之前，可将第二微波施用到所述处理液体以加热所述处理液体。
根据一实施方式，所述第二微波可具有比所述第一微波低的输出。
根据一实施方式，在将通过所述过滤器的所述处理液体分配到所述基板上之前，可将所述第二微波施用到所述处理液体。
根据一实施方式，所述处理液体可以是有机溶剂。
根据一实施方式，所述处理液体可以是异丙醇(IPA)。
附图说明
参照以下附图，从以下描述中，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中除非另有说明，否则在各个附图中相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性平面图；
图2是示出图1的液体处理腔室的一个实施方式的示意图；
图3至图5是示出根据本发明构思的实施方式的液体供应单元的示意图；和
图6是示出根据本发明构思的实施方式的容器的内部的示意图，容器内部中接收处理液体。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明构思的实施方式。然而，本发明构思可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为受限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整，并且将本发明构思的范围完全传达给本领域技术人员。在附图中，为了说明清楚，放大了组件的尺寸。
在该实施方式中，作为示例，将描述使用化学品和冲洗溶液处理基板的清洁工艺。然而，不限于清洁工艺，该实施方式能够应用于使用处理液体处理基板的工艺(例如，蚀刻工艺、灰化工艺或显影工艺等)。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性平面图。参照图1，基板处理装置包括索引模块10和工艺模块20。根据一个实施方式，索引模块10和工艺模块20沿着一个方向设置。在下文中，设置索引模块10和工艺模块20的方向被称为第一方向92，当从上方观察时垂直于第一方向92的方向被称为第二方向94，并且垂直于第一方向92和第二方向94的方向被称为第三方向96。
索引模块10将基板W从载体80传送到工艺模块20，并将在工艺模块20中完全处理的基板W放置在载体80中。索引模块10的长度方向平行于第二方向94。索引模块10具有多个装载端口12和索引框架14。装载端口12相对于索引框架14位于工艺模块20的相对侧上。具有接收在其中的基板W的载体80放置在装载端口12上。多个装载端口12可以沿着第二方向94设置。
诸如前开式晶圆盒(front open unified pod,FOUP)的密封载体可以用作载体80。载体80可以通过诸如高架传送机、高架输送机的传送单元(未示出)、或自动导向车辆、或由操作者放置在装载端口12上。
索引机械手120设置在索引框架14中。其长度方向平行于第二方向94的导轨140设置在索引框架14中，且索引机械手120沿着导轨140可移动。索引机械手120包括手(hand)122，基板W放置在手上，并且手122向前和向后可移动、围绕面向第三方向96的轴可旋转、并且沿着第三方向96可移动。多个手122可以被设置成在竖直方向上彼此间隔开。手122可以独立地向前和向后移动。
工艺模块20包括缓冲单元200、传送腔室300和液体处理腔室400。缓冲单元200提供了一空间，其中装载到工艺模块20中的基板W和待从工艺模块20卸载的基板W暂时停留在该空间中。各液体处理腔室400通过将液体分配到基板W上来执行处理基板W的液体处理工艺。传送腔室300在缓冲单元200和液体处理腔室400之间传送基板W。
传送腔室300可以设置成使得其长度方向平行于第一方向92。缓冲单元200可以设置在索引模块10和传送腔室300之间。液体处理腔室400可以设置在传送腔室300的相对侧上。液体处理腔室400和传送腔室300可以沿着第二方向94设置。缓冲单元200可以位于传送腔室300的一端处。
根据一实施方式，在传送腔室300的一侧上，液体处理腔室400可以沿着第一方向92和第三方向96布置成A×B阵列(A和B是1或更大的自然数)。
传送腔室300具有传送机械手320。其长度方向平行于第一方向92的导轨340可设置在传送腔室300中，并且传送机械手320在导轨340上可移动。传送机械手320包括手322，基板W放置在该手322上。手322向前和向后可移动、围绕面向第三方向96的轴可旋转、并沿着第三方向96可移动。多个手322可以设置成在竖直方向上彼此间隔开。手322可以独立地向前和向后移动。
缓冲单元200包括多个缓冲器220，基板W放置在缓冲器220中。缓冲器220可以设置成沿着第三方向96彼此间隔开。缓冲单元200的正面和背面是敞开的。正面与索引模块10相对，背面与传送腔室300相对。索引机械手120可以通过正面进入缓冲单元200，并且传送机械手320可以通过背面进入缓冲单元200。
图2是示出图1的液体处理腔室400的一个实施方式的示意图。参照图2，液体处理腔室400具有壳体410、杯420、支承单元440、液体分配单元460和升降单元480。
壳体410具有大致矩形平面六面体形状(rectangular parallelepiped shape)。杯420、支承单元440和液体分配单元460设置在壳体410中。
杯420具有顶部敞开的工艺空间，并且在工艺空间中用液体处理基板W。支承单元440在工艺空间中支承基板W。液体分配单元460将液体分配到支承在支承单元440上的基板W上。多种类型的液体可以顺序地分配到基板W上。升降单元480相对于支承单元440调节杯420的高度。
根据一实施方式，杯420具有多个回收碗(recovery bowl)422、424和426。回收碗422、424和426具有回收空间，以用于回收用于处理基板W的液体。回收碗422、424和426具有围绕支承单元440的环形形状。在液体处理工艺期间，通过基板W的旋转而散落的处理液体可以通过各自的回收碗422、424和426的入口422a、424a和426a引入到回收空间中。
根据一实施方式，杯420具有第一回收碗422、第二回收碗424和第三回收碗426。第一回收碗422设置成围绕支承单元440，第二回收碗424设置成围绕第一回收碗422，第三回收碗426设置成围绕第二回收碗424。液体被引入到第二回收碗424中所通过的第二入口424a可以位于比液体被引入到第一回收碗422中所通过的第一入口422a更高的位置，并且液体被引入第三回收碗426中所通过的第三入口426a可以位于比第二入口424a更高的位置。
支承单元440具有支承板442和驱动轴444。支承板442的上表面可以具有大致圆形的形状，并且可以具有比基板W更大的直径。支承销442a设置在支承板442的中心部上，以支承基板W的背面。支承销442a从支承板442向上突出，以使基板W与支承板442间隔开预定距离。
卡盘销442b设置在支承板442的边缘部上。卡盘销442b从支承板442向上突出，并支承基板W的侧部，以防止基板W在旋转时从支承单元440脱离。驱动轴444由致动器446驱动。驱动轴444连接到支承板442的底表面的中心，并使支承板442围绕其中心轴旋转。
升降单元480在竖直方向上移动杯420。杯420和基板W之间的相对高度通过杯420的竖直运动而改变。因此，用于回收处理液体的回收碗422、424和426可以根据分配到基板W上的液体的类型而改变，因此液体可以被单独地回收。与上面的描述不同，杯420可以固定安装，并且升降单元480可以在竖直方向上移动支承单元440。
液体分配单元460将处理液体分配到基板W上。液体分配单元460包括臂461和喷嘴462，喷嘴462固定地耦接到臂461的端部，并将液体分配到基板W上。
根据一实施方式，可以设置多个液体分配单元460。多个液体分配单元460可以将不同类型的处理液体分配到基板W上。处理液体可以包括化学品、冲洗溶液和有机溶剂。化学品可以包括稀硫酸(H2SO4)、磷酸(P2O5)、氢氟酸(HF)和氢氧化铵(NH4OH)。冲洗液体可以是去离子水。
液体供应单元500将处理液体供应到液体分配单元460。在图3和以下附图中，将举例说明液体供应单元500供应诸如异丙醇的有机溶剂作为处理液体。将参照图3至图6详细描述本发明构思的实施方式。
如上所述，由液体分配单元460分配的处理液体可以包括化学品、冲洗溶液和有机溶剂。在下面的实施方式中，将举例说明分配有机溶剂以干燥基板W。在一个实施方式中，有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。
液体供应单元500可以包括处理液体源510、容器520、液体供应管540、过滤器560和微波施用构件580。
处理液体源510将IPA供应到容器520中。处理液体源510和容器520通过入口管541连接，并且阀552安装在入口管541中。阀552可以是打开/关闭阀或流速控制阀。容器520接收来自处理液体源510的IPA，并存储IPA。容器520中的处理液体被供应到喷嘴462。容器520和喷嘴462通过液体供应管540连接。
微波施用构件580向IPA施用微波，以在IPA被供应到喷嘴462之前凝结IPA中的杂质或升高IPA的温度。
图3是示出液体供应单元500的一个实施方式的示意图。参照图3，微波施用构件580设置在过滤器560的上游，并向流过液体供应管540的IPA溶液施用微波。因此，在流过液体供应管540的IPA溶液到达过滤器560之前，杂质在IPA溶液中凝结，并且杂质的尺寸增大。
一般而言，通过过滤器560过滤的颗粒的尺寸有限制，因此细小的颗粒不会被过滤器560过滤。特别地，未被过滤器560过滤的细小的有机杂质存在于IPA溶液中。因此，即使过滤器560安装在液体供应管540中，细小的杂质仍然存在于供应到喷嘴462的IPA溶液中。
微波施用构件580向过滤器560上游的IPA溶液施用微波。因此，存在于IPA溶液中的细小的有机杂质凝结，并且当IPA溶液通过过滤器560时，IPA中大部分凝结的有机杂质由过滤器560过滤。
阀554和流量计556可以安装在液体供应管540中。阀554可以调节从容器520供应的IPA溶液的流速。阀554可以是打开/关闭阀或流速控制阀。流量计556可以直接或间接测量流过液体供应管540的IPA溶液的流速。
根据一实施方式，微波施用构件580设置在过滤器560的上游，但是在安装于液体供应管540中的阀554、泵558和流量计556的下游。这允许当IPA溶液通过阀554、泵558或流量计556时产生的杂质由过滤器560过滤。
当IPA的流动停滞在液体供应管540中时，IPA中产生杂质。为了防止这种情况，传统的液体供应单元不可或缺地包括IPA循环路径，以用于IPA的连续流动。然而，本发明构思的液体供应单元500凝结过滤器560上游的IPA中的杂质，并允许杂质通过过滤器560过滤。因此，可以减少或省略IPA循环路径。
图4示出了本发明构思的液体供应单元500的另一个实施例。参照图4，微波施用构件580设置在过滤器560的下游。微波施用构件580可以加热IPA。
因为微波在分子基础上作用于IPA，所以与当IPA的温度通过配备有传统加热丝的加热器来升高时相比，减少了将IPA的温度升高到所需的工艺温度所花费的时间。此外，与传统的加热丝不同，当电源中断时，微波不会在微波施用构件580中留下余热(residualheat)，因此实现了容易的温度控制。
随着IPA沿着液体供应管540移动，IPA的温度降低。在微波施用构件580远离喷嘴462设置的情况下，在加热到工艺温度的IPA溶液沿着液体供应管540流动的情况下，IPA溶液的温度降低，并且当IPA溶液被分配到基板W上时，IPA溶液的温度低于所需的工艺温度。为了防止这种情况，微波施用构件580可以邻近喷嘴462来设置，以刚好在IPA被分配到基板W上之前，将IPA的温度升高到所需的工艺温度。
选择性地，可以通过过滤器560上游的加热器将IPA溶液加热到工艺温度，并且微波施用构件580可以补偿IPA在通过过滤器560之后被供应到喷嘴462的情况下降低的IPA溶液的温度。
图5是示出液体供应单元500的另一实施方式的示意图。参照图5，液体供应单元500包括第一微波施用构件581和第二微波施用构件582。类似于图3的微波施用构件580，第一微波施用构件581凝结IPA溶液中的杂质。类似于图4的微波施用构件580，第二微波施用构件582刚好在IPA溶液被供应到喷嘴462之前加热IPA溶液。也就是说，第一微波施用构件581设置在过滤器560的上游，第二微波施用构件582设置在过滤器560的下游。
随着微波的输出变得更高，IPA中的杂质更好地凝结，并且IPA的温度被升高到更高的温度。相反，在微波施用构件580的输出不够高的情况下，IPA中的杂质不能很好地凝结。通常，IPA溶液在约82摄氏度沸腾，并在低于约82摄氏度的温度下用于处理基板。
第二微波施用构件582在输出水平下向IPA溶液施用微波，在该输出水平下，能够将IPA溶液的温度升高到所需的工艺温度；并且第一微波施用构件581在足够高的输出水平下将微波施用至IPA溶液以凝结IPA溶液中的杂质。例如，第一微波施用构件581可以在比第二微波施用构件582更高的输出水平下将微波施用至IPA溶液。
在图3和图4中，已经描述了微波施用构件580安装在液体供应管540中。然而，如图6所示，微波施用构件580可以安装在容器520中，以将微波施用至容器520中的处理液体。
微波施用构件580可以执行凝结容器520中的IPA溶液中的杂质的功能。此外，微波施用构件580可以执行加热容器520中的IPA溶液的功能。IPA溶液中杂质的凝结和IPA溶液的加热可以同时执行。
参照图6，微波施用构件580安装在容器520中。容器520还可以包括盖522，盖522围绕插入到其中的微波施用构件580。盖522由微波能够透过的材料形成，并允许微波传输到接收在容器520中的IPA。容器520的外部可以由微波不能透过的材料形成，并可以阻止微波向容器520的外部发射。在一实施方式中，盖522可以由聚四氟乙烯形成，且容器520的外部可以由不锈钢形成。
根据本发明构思的一实施方式，在处理液体通过过滤器之前，微波可以被施用至处理液体以凝结处理液体中的杂质，从而提高过滤效率。
此外，根据本发明构思的一实施方式，微波可以被施用至处理液体，以在短时间内升高处理液体的温度。
此外，根据本发明构思的一实施方式，在喷嘴附近，微波可以被施用至处理液体，从而防止清洁溶液在低于设定温度的温度下被分配到基板上的现象。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文未提及的任何其他效果。
以上描述举例说明了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，并且本发明构思可以用于各种其他组合、改变和环境中。也就是说，在不脱离说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方式描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以进行本发明构思的具体应用和目的中所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述不旨在将本发明构思限制在所公开的实施方式状态中。此外，应当理解，所附权利要求包括其他实施方式。
虽然已经参照示例性实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员来说，将显而易见的是可以在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下进行各种改变和修改。因此，应该理解，上述实施方式不是限制性的，而是说明性的。

Claims (18)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，所述壳体在其中具有工艺空间；
支承单元，所述支承单元配置为在所述壳体中支承所述基板；
喷嘴，所述喷嘴配置为将处理液体分配到支承在所述支承单元上的所述基板上；和
液体供应单元，所述液体供应单元配置为将所述处理液体供应到所述喷嘴，其中，所述液体供应单元包括：
容器，所述容器具有存储空间，所述处理液体存储在所述存储空间中；
液体供应管，所述液体供应管配置为使所述处理液体从所述容器流至所述喷嘴；
微波施用构件，所述微波施用构件配置为在所述处理液体被供应到所述喷嘴之前、将微波施用至所述处理液体；和
过滤器，所述过滤器安装在所述液体供应管中，以从待供应到所述喷嘴的所述处理液体中过滤杂质；
其中，所述微波施用构件设置在所述过滤器的上游，以凝结所述处理液体中的所述杂质。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游安装有阀，且所述微波施用构件安装在所述阀的下游。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游安装有泵，且所述微波施用构件安装在所述泵的下游。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游安装有流量计，且所述微波施用构件安装在所述流量计的下游。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括另一微波施用构件，所述另一微波施用构件设置在所述过滤器的下游，以加热所述处理液体。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述另一微波施用构件邻近所述喷嘴来设置。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述微波施用构件安装在所述容器中，以将所述微波施用到所述容器中的所述处理液体。
8.根据权利要求6所述的装置，所述装置还包括：
盖，所述盖设置在所述容器中并配置为围绕所述微波施用构件，其中所述盖由所述微波能够透过的材料形成，
其中，所述容器由所述微波不能透过的材料形成，并且配置为阻止所述微波向所述容器的外部的发射。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中，所述微波施用构件安装在所述液体供应管中。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述微波施用构件是配置为施用第一微波以凝结所述处理液体中的杂质的第一微波施用构件；并且
所述液体供应单元还包括：第二微波施用构件，所述第二微波施用构件配置为施用第二微波以加热所述处理液体，并且
其中，所述第二微波施用构件提供具有比所述第一微波施用构件低的输出的微波。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述第一微波施用构件设置在所述过滤器的上游，并且所述第二微波施用构件设置在所述过滤器的下游。
12.根据权利要求10所述的装置，其中，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游安装有阀，且所述第一微波施用构件安装在所述阀的下游。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游安装有泵，且所述第一微波施用构件安装在所述泵的下游。
14.根据权利要求10所述的装置，其中，在所述液体供应管中，在所述过滤器的上游安装有流量计，且所述第一微波施用构件安装在所述流量计的下游。
15.一种液体供应单元，所述液体供应单元包括：
容器，所述容器具有存储空间，处理液体存储在所述存储空间中；
液体供应管，所述液体供应管配置为使所述处理液体从所述容器流至喷嘴；
第一微波施用构件，所述第一微波施用构件配置为在所述处理液体被供应到所述喷嘴之前、将第一微波施用至所述处理液体以凝结所述处理液体中的杂质；和
过滤器，所述过滤器安装在所述液体供应管中，以从待供应到所述喷嘴的所述处理液体中过滤所述杂质；
其中，所述第一微波施用构件设置在所述过滤器的上游。
16.根据权利要求15所述的液体供应单元，所述液体供应单元还包括：
第二微波施用构件，所述第二微波施用构件配置为施用第二微波以加热所述处理液体，
其中，所述第二微波施用构件提供具有比所述第一微波施用构件低的输出的微波。
17.根据权利要求16所述的液体供应单元，其中，所述第二微波施用构件设置在所述过滤器的下游。
18.根据权利要求16或17所述的液体供应单元，其中，所述第二微波施用构件邻近所述喷嘴来设置。
CN202010592248.7A 2019-06-27 2020-06-24 液体供应单元和基板处理装置 Active CN112151413B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190076767A KR102288985B1 (ko) 2019-06-27 2019-06-27 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2019-0076767 2019-06-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112151413A CN112151413A (zh) 2020-12-29
CN112151413B true CN112151413B (zh) 2024-09-13

Family

ID=73887741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010592248.7A Active CN112151413B (zh) 2019-06-27 2020-06-24 液体供应单元和基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11794219B2 (zh)
JP (1) JP7410811B2 (zh)
KR (1) KR102288985B1 (zh)
CN (1) CN112151413B (zh)
TW (1) TWI800738B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102605999B1 (ko) * 2021-03-17 2023-11-23 세메스 주식회사 처리액 제공 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR102743840B1 (ko) * 2021-09-17 2024-12-18 세메스 주식회사 액 저장 유닛 및 기판 처리 장치
KR20230082739A (ko) 2021-12-01 2023-06-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1731563A (zh) * 2004-08-05 2006-02-08 松下电器产业株式会社 液体加热设备和清洗设备及方法
KR20090047251A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 세메스 주식회사 약액 공급 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2090708A1 (en) 1992-04-30 1993-10-31 Jeffrey Merritt Mckay Combination transducer/slider/suspension and method for making
JPH10340851A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置用の清浄空気供給装置
JPH11226387A (ja) * 1998-02-13 1999-08-24 Karasawa Fine:Kk 流体による処理方法および装置
JP2000124185A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20030021581A (ko) 2001-09-06 2003-03-15 씨엘디 주식회사 세정 장치 및 그를 이용한 세정 방법
AU2003246171A1 (en) * 2002-07-08 2004-01-23 Tokyo Electron Limited Processing device and processing method
TW200618108A (en) * 2004-09-07 2006-06-01 Phifer Smith Corp Copper processing using an ozone-solvent solution
JP2008066505A (ja) 2006-09-07 2008-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 流体加熱装置及びそれを利用するウエハ処理装置
TWI527129B (zh) * 2013-03-26 2016-03-21 Hitachi Int Electric Inc Semiconductor device manufacturing method, program and substrate processing device
JP6038288B2 (ja) * 2013-03-28 2016-12-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR101696194B1 (ko) * 2014-05-29 2017-01-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20160045299A (ko) * 2014-10-17 2016-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 연계 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP6742124B2 (ja) * 2016-03-30 2020-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6994307B2 (ja) * 2017-03-27 2022-01-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6993806B2 (ja) * 2017-07-31 2022-01-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR20190019230A (ko) * 2017-08-16 2019-02-27 세메스 주식회사 세정 유체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6979852B2 (ja) 2017-10-26 2021-12-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1731563A (zh) * 2004-08-05 2006-02-08 松下电器产业株式会社 液体加热设备和清洗设备及方法
KR20090047251A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 세메스 주식회사 약액 공급 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102288985B1 (ko) 2021-08-13
TW202105651A (zh) 2021-02-01
JP2021007148A (ja) 2021-01-21
US11794219B2 (en) 2023-10-24
KR20210002180A (ko) 2021-01-07
CN112151413A (zh) 2020-12-29
TWI800738B (zh) 2023-05-01
US20200406309A1 (en) 2020-12-31
JP7410811B2 (ja) 2024-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112151413B (zh) 液体供应单元和基板处理装置
US10109506B2 (en) Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit
CN112133645B (zh) 供应液体用单元、具有该单元的处理基板用设备及方法
CN113130351B (zh) 化学物质供应单元、基板处理装置和基板处理方法
US11869778B2 (en) Liquid supply unit, and apparatus and method for processing substrate
CN112071784A (zh) 用于处理基板的装置及方法
CN113921420A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
US11794220B2 (en) Fluid supply unit and substrate treating apparatus having the same
KR20180126645A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102135941B1 (ko) 기판 처리 방법
US20220199432A1 (en) Apparatus and method for supplying processing liquid
US20080163900A1 (en) Ipa delivery system for drying
KR20120016954A (ko) 기판 처리 장치
CN116264178A (zh) 基板处理设备和方法
KR102724523B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20220132096A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220095726A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230203672A1 (en) Apparatus and method of treating substrate
KR102409472B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102657673B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230212044A1 (en) Unit and method for decomposing ozone, and substrate treating apparatus including the unit
US20230201865A1 (en) Home pot and an apparatus for treating a substrate
KR20240100564A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20240003294A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20230103784A (ko) 노즐 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant