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CN112117224B - 承载装置及半导体加工设备 - Google Patents

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CN112117224B CN202011001678.3A CN202011001678A CN112117224B CN 112117224 B CN112117224 B CN 112117224B CN 202011001678 A CN202011001678 A CN 202011001678A CN 112117224 B CN112117224 B CN 112117224B
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Abstract

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，其中，承载装置包括位置调整机构、驱动机构、用于承载待加工件的托盘和用于承载托盘的卡盘，位置调整机构用于使托盘与卡盘相分离或者相接触；驱动机构用于在托盘与卡盘相分离时与托盘相配合，以驱动托盘旋转。本发明提供的承载装置及半导体加工设备能够改善刻蚀均匀性。

Description

承载装置及半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种承载装置及半导体加工设备。
背景技术
目前，在采用等离子设备制造半导体芯片的领域中，干法刻蚀机台已广泛应用于各种半导体芯片的加工过程中。其中，图形化蓝宝石衬底(Patterned SapphireSubstrate，简称PSS)干法刻蚀机台中设置有射频线圈、托盘、卡盘和压环，在刻蚀工艺中，卡盘用于承载托盘，托盘上承载有多个衬底，压环用于向下将托盘按压在卡盘上，射频线圈用于将工艺气体电离形成等离子体，以通过等离子体对承载于卡盘上的多个衬底进行刻蚀工艺。
在现有的图形化蓝宝石衬底干法刻蚀机台中，由于射频线圈的设计缺陷，造成射频线圈的馈入点瞬时电压高，或者由于工艺气体的进气和抽气方式的设计缺陷，造成工艺气体的流场不均匀，再或者由于地磁场偏转方向，造成等离子体受力不均匀，这些因素都会对等离子体的分布造成影响，从而导致刻蚀结果在整个托盘上，表现出刻蚀不均匀的问题，具体表现为同一托盘上的某一区域内的衬底刻蚀速率快，而另一区域内的衬底刻蚀速率慢，从而导致衬底良率的降低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种承载装置及半导体加工设备，其能够改善刻蚀均匀性。
为实现本发明的目的而提供一种承载装置，包括用于承载待加工件的托盘和用于承载所述托盘的卡盘，所述承载装置还包括位置调整机构和驱动机构，其中，所述位置调整机构用于使所述托盘与所述卡盘相分离或者相接触；
所述驱动机构用于在所述托盘与所述卡盘相分离时与所述托盘相配合，以驱动所述托盘旋转。
优选的，所述驱动机构包括驱动源和传动部件，其中，所述驱动源与所述传动部件连接，用于驱动所述传动部件旋转；
所述传动部件设置有第一环形齿槽，所述第一环形齿槽沿所述传动部件的周向设置，所述托盘设置有能够与所述第一环形齿槽相啮合的第二环形齿槽，所述第二环形齿槽沿所述托盘的周向设置。
优选的，所述托盘包括用于承载所述待加工件的托盘承载面，所述托盘承载面上设置有至少一个用于容纳所述待加工件的第一容纳槽，所述第二环形齿槽设置在所述托盘承载面上，并环绕在所有所述第一容纳槽的周围。
优选的，所述承载装置还包括环绕所述托盘和所述卡盘设置的可升降的压环，且所述压环能够与所述托盘承载面的边缘相接触，所述驱动机构设置在所述压环上；
所述压环用于带动所述驱动机构升降至第一预设位置、第二预设位置和第三预设位置中的任意一个，所述第一预设位置满足所述压环与所述托盘承载面相分离，且所述第一环形齿槽与所述第二环形齿槽相分离，所述第二预设位置满足所述压环与所述托盘承载面相分离，且所述第一环形齿槽与所述第二环形齿槽相啮合，所述第三预设位置满足所述压环与所述托盘承载面的边缘相接触，且所述托盘与所述卡盘相接触。
优选的，所述压环带动所述驱动机构下降至所述第二预设位置时，相啮合的所述第一环形齿槽的齿顶与所述第二环形齿槽的槽底之间具有第一预设距离，所述第一预设距离大于所述压环与所述托盘承载面相分离时的距离。
优选的，所述位置调整机构包括可升降的支撑结构，所述卡盘中设置有第二容纳槽，所述卡盘包括与所述托盘相接触的卡盘承载面，所述支撑结构设置在所述第二容纳槽中，用于上升伸出所述第二容纳槽以对所述托盘进行支撑，使所述托盘与所述卡盘承载面相分离，或者下降至所述第二容纳槽中，使所述托盘与所述卡盘承载面相接触。
优选的，所述支撑结构包括可伸缩的支撑柱，所述支撑柱能够在未受到向下压力时，伸出所述第二容纳槽，以对所述托盘进行支撑，使所述托盘与所述卡盘承载面相分离，并能够在受到向下压力时，收缩至所述第二容纳槽中，以使所述托盘与所述卡盘承载面相接触。
优选的，所述支撑柱设置在所述第二容纳槽中，且可旋转，其中，所述支撑柱与所述卡盘同轴。
优选的，所述支撑结构还包括支撑盘，所述支撑盘设置在所述支撑柱上，且与所述托盘相接触，所述支撑盘的径向尺寸大于所述支撑柱的径向截面尺寸，且所述支撑盘与所述托盘相接触的接触面上设置有防滑部件。
本发明还提供一种半导体加工设备，包括本发明提供的所述承载装置。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的承载装置，在半导体工艺过程中，借助位置调整机构可以使用于承载待加工件的托盘与用于承载托盘的卡盘相接触，以通过卡盘对托盘进行承载，从而对承载于托盘上的待加工件进行承载，以对待加工件进行半导体工艺，并且，借助位置调整机构还可以使托盘与卡盘相分离，并在托盘与卡盘相分离时，借助驱动机构与托盘相配合，可以驱动托盘旋转，从而带动承载于托盘上的待加工件旋转，通过在半导体工艺过程中使待加工件旋转，以使待加工件与分布不均匀的等离子体的相对位置发生改变，即，可以将原先位于等离子体分布较少或者刻蚀速率较慢的区域中的待加工件，旋转至等离子体分布较多或者刻蚀速率较快的区域，将原先位于等离子体分布较多或者刻蚀速率较快的区域中的待加工件，旋转至等离子体分布较少或者刻蚀速率较慢的区域，从而能够改善刻蚀均匀性，当对待加工件的旋转结束后，借助位置调整机构可以使托盘与卡盘相接触，以通过卡盘对承载于托盘上的待加工件进行承载，从而继续对待加工件进行半导体工艺。
本发明提供的半导体加工设备，借助本发明提供的承载装置能够改善刻蚀均匀性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的承载装置中压环位于第三预设位置时的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的承载装置中压环位于第二预设位置时的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的承载装置中压环位于第一预设位置时的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的承载装置中托盘的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的承载装置中驱动机构与托盘相配合时的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的承载装置中支撑盘的结构示意图；
附图标记说明：
11-托盘；111-第二环形齿槽；112-第一容纳槽；113-托盘承载面；12-卡盘；121-卡盘承载面；122-第二容纳槽；13-位置调整机构；131-支撑柱；132-支撑盘；133-接触面；134-防滑部件；14-驱动机构；141-驱动源；142-传动部件；143-第一环形齿槽；15-压环。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的承载装置及半导体加工设备进行详细描述。
如图1-图3所示，本实施例提供一种承载装置，包括用于承载待加工件的托盘11和用于承载托盘11的卡盘12，该承载装置还包括位置调整机构13和驱动机构14，其中，位置调整机构13用于使托盘11与卡盘12相分离或者相接触；驱动机构14用于在托盘11与卡盘12相分离时与托盘11相配合，以驱动托盘11旋转。
本实施例提供的承载装置，在半导体工艺过程中，借助位置调整机构13可以使用于承载待加工件的托盘11与用于承载托盘11的卡盘12相接触，以通过卡盘12对托盘11进行承载，从而对承载于托盘11上的待加工件进行承载，以对待加工件进行半导体工艺，并且，借助位置调整机构13还可以使托盘11与卡盘12相分离，并在托盘11与卡盘12相分离时，借助驱动机构14与托盘11相配合，可以驱动托盘11旋转，从而带动承载于托盘11上的待加工件旋转，通过在半导体工艺过程中使待加工件旋转，以使待加工件与分布不均匀的等离子体的相对位置发生改变，即，可以将原先位于等离子体分布较少或者刻蚀速率较慢的区域中的待加工件，旋转至等离子体分布较多或者刻蚀速率较快的区域，将原先位于等离子体分布较多或者刻蚀速率较快的区域中的待加工件，旋转至等离子体分布较少或者刻蚀速率较慢的区域，从而能够改善刻蚀均匀性，当对待加工件的旋转结束后，借助位置调整机构13可以使托盘11与卡盘12相接触，以通过卡盘12对承载于托盘11上的待加工件进行承载，从而继续对待加工件进行半导体工艺。
具体的，如图1所示，当待加工件进行半导体工艺时，位置调整机构13使托盘11与卡盘12相接触，卡盘12对托盘11进行承载，托盘11对待加工件进行承载，此时，驱动机构14可以与托盘11相接触，也可以不与托盘11相接触。如图2所示，当需要旋转待加工件时，位置调整机构13使托盘11与卡盘12相分离，以使托盘11可以相对于卡盘12旋转，此时，驱动机构14与托盘11相配合，驱动托盘11旋转，以带动托盘11上的待加工件旋转，当待加工件的旋转结束后，如图1所示，位置调整机构13再使托盘11与卡盘12相接触，卡盘12对托盘11进行承载，托盘11对待加工件进行承载，以继续对待加工件进行半导体工艺。如图3所示，当需要对待加工件进行取放时，即，需要将承载有待加工件的托盘11从工艺腔室(图中未示出)内取出，或者将承载有待加工件的托盘11放入至工艺腔室内时，驱动机构14与托盘11相分离，以避免驱动机构14对托盘11的移动造成干涉。
可选的，当需要对待加工件进行旋转时，驱动机构14可以驱动托盘11旋转180°，以使承载于托盘11上的待加工件旋转180°。但是，驱动机构14驱动托盘11的旋转角度并不以此为限，可以根据半导体工艺中，待加工件刻蚀不均匀的实际情况进行调整。
可选的，驱动机构14驱动托盘11旋转，以对承载于托盘11上的待加工件进行旋转，可以是在半导体工艺进行到完整工艺时长的一半时进行。但是，驱动机构14驱动托盘11的旋转的时刻并以此为限，可以根据半导体工艺中，待加工件刻蚀不均匀的实际情况进行调整。
可选的，待加工件可以为衬底。
如图1-图5所示，在本发明一优选实施例中，驱动机构14可以包括驱动源141和传动部件142，其中，驱动源141与传动部件142连接，用于驱动传动部件142旋转；传动部件142可以设置有第一环形齿槽143，第一环形齿槽143沿传动部件142的周向设置，托盘11可以设置有能够与第一环形齿槽143相啮合的第二环形齿槽111，第二环形齿槽111沿托盘11的周向设置。
具体的，如图2和图5所示，当需要旋转待加工件时，传动部件142的第一环形齿槽143与托盘11的第二环形齿槽111相啮合，以实现驱动机构14与托盘11相配合，此时，通过驱动源141提供旋转驱动力，驱动传动部件142旋转，以通过第一环形齿槽143带动第二环形齿槽111转动，由于第一环形齿槽143沿传动部件142的周向设置，且第二环形齿槽111沿托盘11的周向设置，因此，可以通过传动部件142的旋转带动托盘11的旋转，从而使承载于托盘11上的待加工件旋转。但是，驱动机构14的形式并不以此为限。
可选的，驱动源141可以采用旋转电机。
可选的，传动部件142可以采用直齿轮、斜齿轮和锥齿轮中的任意一种，当传动部件142采用直齿轮时，第二环形齿槽111为能够与直齿轮上的齿槽相啮合的直齿槽，当传动部件142采用斜齿轮时，第二环形齿槽111为能够与斜齿轮上的齿槽相啮合的斜齿槽，当传动部件142采用锥齿轮时，第二环形齿槽111为能够与斜齿轮上的齿槽相啮合的锥形齿槽。
如图4所示，在本发明一优选实施例中，托盘11包括用于承载待加工件的托盘承载面113，托盘承载面113上设置有至少一个用于容纳待加工件的第一容纳槽112，第二环形齿槽111设置在托盘承载面113上，并环绕在所有第一容纳槽112的周围。但是，第二环形齿槽111的设置位置并不以此为限，例如，第二环形齿槽111还可以沿托盘11的周向，环绕设置在托盘11的外周壁上。
可选的，如图4所示，托盘11的托盘承载面113上可以设置有多个用于容纳待加工件的第一容纳槽112，这样可以在一次半导体工艺中，同时对多个待加工件进行半导体工艺，此时，第二环形齿槽111设置在托盘承载面113上，并环绕在所有第一容纳槽112的周围，当需要旋转多个待加工件时，传动部件142的第一环形齿槽143与托盘承载面113上的第二环形齿槽111相啮合，带动托盘11旋转，以带动承载于托盘11上的多个待加工件同时旋转，将原先位于等离子体分布较少或者刻蚀速率较慢的区域中的一个或多个待加工件，旋转至等离子体分布较多或者刻蚀速率快的区域，将原先位于等离子体分布较多或者刻蚀速率较快的区域中的一个或多个待加工件，旋转至等离子体分布较少或者刻蚀速率较慢的区域，从而可以提高同一工艺批次中，多个待加工件之间的刻蚀均匀性。
可选的，在本实施例中，托盘11的托盘承载面113上也可以只设置有一个用于容纳待加工件的第一容纳槽112，这样在一次半导体工艺中，就只是对一个待加工件进行半导体工艺，此时，第二环形齿槽111设置在托盘承载面113上，并环绕在该第一容纳槽112的周围，当需要旋转该待加工件时，传动部件142的第一环形齿槽143与托盘承载面113上的第二环形齿槽111相啮合，带动托盘11旋转，以带动承载于托盘11上的该待加工件旋转，将该待加工件原先位于等离子体分布较少或者刻蚀速率较慢的区域中的部分，旋转至等离子体分布较多或者刻蚀速率较快的区域，将该待加工件原先位于等离子体分布较多或者刻蚀速率较快的区域中的部分，旋转至等离子体分布较少或者刻蚀速率较慢的区域，从而可以提高该待加工件上不同位置之间的刻蚀均匀性。
如图1-图3所示，在本发明一优选实施例中，承载装置还可以包括环绕托盘11和卡盘12设置的可升降的压环15，且压环15能够与托盘承载面113的边缘相接触，驱动机构14设置在压环15上；压环15用于带动驱动机构14升降至第一预设位置、第二预设位置和第三预设位置中的任意一个，第一预设位置满足压环15与托盘承载面113相分离，且第一环形齿槽143与第二环形齿槽111相分离，第二预设位置满足压环15与托盘承载面113相分离，第一环形齿槽143与第二环形齿槽111相啮合，第三预设位置满足压环15与托盘承载面113的边缘相接触，且托盘11与卡盘12相接触。
通过将驱动机构14设置在可升降的压环15上，以借助压环15的升降带动设置在其上的驱动机构14升降，借助压环15的升降带动驱动机构14升降，可以减少承载装置的成本，并且可以便于驱动机构14在承载装置中的设置。但是，驱动机构14的升降并不限于依靠可升降的压环15，还可以在承载装置中单独设置用于升降驱动机构14的升降机构。
具体的，如图1所示，借助压环15带动驱动机构14下降至第三预设位置，使压环15与托盘承载面113的边缘相接触，并使托盘11与卡盘12相接触，以当待加工件进行半导体工艺时，使托盘11与卡盘12能够紧密接触，以避免在待加工件进行半导体工艺时，托盘11相对于卡盘12旋转，从而提高承载装置的使用稳定性。如图2所示，借助压环15带动驱动机构14下降至第二预设位置，使压环15与托盘承载面113相分离，并使第一环形齿槽143与第二环形齿槽111相啮合，以当需要旋转待加工件时，使托盘11可以相对于压环15旋转，并使驱动机构14能够与托盘11相配合，以能够驱动托盘11旋转，从而带动承载于托盘11上的待加工件旋转，而当待加工件旋转结束后，再借助压环15带动驱动机构14下降至第三预设位置，使压环15与托盘承载面113的边缘相接触，并使托盘11与卡盘12相接触，使托盘11与卡盘12能够紧密接触，以能够继续对待加工件进行半导体工艺。如图3所示，借助压环15带动驱动机构14上升至第一预设位置，使压环15与托盘承载面113相分离，且第一环形齿槽143与第二环形齿槽111相分离，以当需要对待加工件进行取放时，即，需要将承载有待加工件的托盘11从工艺腔室内取出，或者将承载有待加工件的托盘11放入至工艺腔室内时，使驱动机构14能够与托盘11相分离，并使压环15能够与托盘承载面113相分离，以避免驱动机构14和压环15对托盘11在待加工件取放过程中的移动造成干涉，从而提高承载装置的使用稳定性。
可选的，第二预设位置可以低于第一预设位置10mm，第三预设位置可以低于第一预设位置30mm。
如图5所示，在本发明一优选实施例中，压环15带动驱动机构14下降至第二预设位置时，相啮合的第一环形齿槽143的齿顶与第二环形齿槽111的槽底之间可以具有第一预设距离，第一预设距离可以大于压环15与托盘承载面113相分离时的距离。
具体的，压环15带动驱动机构14下降至第二预设位置时，第一环形齿槽143与第二环形齿槽111相啮合，但是第一环形齿槽143的齿顶与第二环形齿槽111的槽底并不接触，而是具有第一预设距离(如图5中所示的距离a)，且第一预设距离大于此时压环15与托盘承载面113相分离的距离(如图5中所示的距离b)，以避免当驱动机构14带动托盘11旋转时，压环15与托盘承载面113的边缘之间摩擦，对托盘11的旋转造成干扰。并且，通过使第一预设距离大于压环15与托盘承载面113相分离时的距离，以当压环15带动驱动机构14下降至第三预设位置时，仅使压环15与托盘承载面113的边缘相接触，而第一环形齿槽143的齿顶与第二环形齿槽111的槽底不接触，以仅通过压环15将托盘11下压至与卡盘12相接触，避免第一环形齿槽143与第二环形齿槽111相接触，从而避免在托盘11自第二预设位置下降至第三预设位置时，由于第一环形齿槽143与第二环形齿槽111之间的接触，造成托盘11被驱动机构14带动旋转，进而提高承载装置的使用稳定性。
如图1-图3所示，在本发明一优选实施例中，位置调整机构13可以包括可升降的支撑结构，卡盘12中设置有第二容纳槽122，卡盘12包括与托盘11相接触的卡盘承载面121，支撑结构设置在第二容纳槽122中，用于上升伸出第二容纳槽122以对托盘11进行支撑，使托盘11与卡盘承载面121相分离，或者下降至第二容纳槽122中，使托盘11与卡盘承载面121相接触。
具体的，如图1所示，卡盘12承载托盘11时，与托盘11相接触的表面为卡盘承载面121，当待加工件进行半导体工艺时，支撑结构下降至第二容纳槽122中，使托盘11与卡盘承载面121相接触。如图2所示，当需要旋转待加工件时，支撑结构上升伸出第二容纳槽122对托盘11进行支撑，此时，支撑结构凸出于卡盘承载面121，使托盘11与卡盘承载面121相分离，当待加工件旋转结束后，支撑结构下降至第二容纳槽122中，使托盘11与卡盘承载面121相接触。如图3所示，当需要对待加工件进行取放时，支撑结构上升伸出第二容纳槽122对托盘11进行支撑，使托盘11与卡盘承载面121分离。
如图1-图3所示，在本发明一优选实施例中，支撑结构可以包括可伸缩的支撑柱131，支撑柱131能够在未受到向下压力时，伸出第二容纳槽122，以对托盘11进行支撑，使托盘11与卡盘承载面121相分离，并能够在受到向下压力时，收缩至第二容纳槽122中，以使托盘11与卡盘承载面121相接触。
具体的，如图1所示，当待加工件进行半导体工艺时，由于压环15与托盘承载面113的边缘相接触，对托盘11施加向下的压力，因此，支撑柱131会受到压环15施加的向下压力而收缩至第二容纳槽122中，以使托盘11与卡盘承载面121相接触。如图2所示，当需要待加工件旋转时，由于压环15上升而不对托盘11施加向下的压力，因此，支撑柱131能够伸出第二容纳槽122对托盘11进行支撑，以使托盘11与卡盘承载面121分离。如图3所示，当需要对待加工件进行取放时，即，需要将承载有待加工件的托盘11从工艺腔室内取出，或者将承载有待加工件的托盘11放入至工艺腔室内时，由于压环15上升而不对托盘11施加向下的压力，因此，支撑柱131能够伸出第二容纳槽122对托盘11进行支撑，以使托盘11与卡盘承载面121分离。但是，支撑结构的升降方式并不以此为限，例如，支撑结构也可以包括自身能够提供升降驱动力的升降驱动机构。
在本发明一优选实施例中，支撑柱131可以设置在第二容纳槽122中，且可旋转，其中，支撑柱131可以与卡盘12同轴。这样的设计是为了在驱动机构14带动托盘11旋转时，对托盘11进行支撑的支撑柱131，能够随托盘11的旋转而旋转，以避免托盘11会相对于支撑柱131发生转动，并且，由于支撑柱131与卡盘12同轴，从而避免托盘11在承载装置中的位置发生变化，以避免待加工件在承载装置中的位置发生变化，进而能够提高承载装置的使用稳定性。
如图1-图3及图6所示，在本发明一优选实施例中，支撑结构可以还包括支撑盘132，支撑盘132设置在支撑柱131上，且与托盘11相接触，支撑盘132的径向尺寸大于支撑柱131的径向截面尺寸，且支撑盘132与托盘11相接触的接触面133上设置有防滑部件134。
通过设置在支撑柱131上的支撑盘132与托盘11相接触，由于支撑盘132的径向尺寸大于支撑柱131的径向截面尺寸，因此，可以增大托盘11与支撑结构的接触面积，从而增加托盘11与支撑结构之间的摩擦力，以在托盘11旋转的过程中，进一步避免托盘11相对于支撑结构发生转动，从而进一步避免托盘11在承载装置中的位置发生变化，以进一步避免待加工件在承载装置中的位置发生变化，进而能够进一步提高承载装置的使用稳定性。
可选的，防滑部件134可以采用环形橡胶圈，通过将环形橡胶圈嵌入在支撑盘132与托盘11相接触的接触面133中，以增加托盘11与支撑盘132之间的摩擦力。
本发明实施例还提供一种半导体加工设备，采用如本发明实施例提供的承载装置。
本实施例提供的半导体加工设备，借助本发明实施例提供的承载装置能够改善刻蚀均匀性。
综上所述，本发明实施例提供的承载装置及半导体加工设备能够改善刻蚀均匀性。
可以解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种承载装置，包括用于承载待加工件的托盘和用于承载所述托盘的卡盘，其特征在于，所述承载装置还包括位置调整机构和驱动机构，其中，所述位置调整机构用于使所述托盘与所述卡盘相分离或者相接触；
所述驱动机构用于在所述托盘与所述卡盘相分离时与所述托盘相配合，以驱动所述托盘旋转；
所述驱动机构包括驱动源和传动部件，其中，所述驱动源与所述传动部件连接，用于驱动所述传动部件旋转；
所述传动部件设置有第一环形齿槽，所述第一环形齿槽沿所述传动部件的周向设置，所述托盘设置有能够与所述第一环形齿槽相啮合的第二环形齿槽，所述第二环形齿槽沿所述托盘的周向设置。
2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述托盘包括用于承载所述待加工件的托盘承载面，所述托盘承载面上设置有至少一个用于容纳所述待加工件的第一容纳槽，所述第二环形齿槽设置在所述托盘承载面上，并环绕在所有所述第一容纳槽的周围。
3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括环绕所述托盘和所述卡盘设置的可升降的压环，且所述压环能够与所述托盘承载面的边缘相接触，所述驱动机构设置在所述压环上；
所述压环用于带动所述驱动机构升降至第一预设位置、第二预设位置和第三预设位置中的任意一个，所述第一预设位置满足所述压环与所述托盘承载面相分离，且所述第一环形齿槽与所述第二环形齿槽相分离，所述第二预设位置满足所述压环与所述托盘承载面相分离，且所述第一环形齿槽与所述第二环形齿槽相啮合，所述第三预设位置满足所述压环与所述托盘承载面的边缘相接触，且所述托盘与所述卡盘相接触。
4.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述压环带动所述驱动机构下降至所述第二预设位置时，相啮合的所述第一环形齿槽的齿顶与所述第二环形齿槽的槽底之间具有第一预设距离，所述第一预设距离大于所述压环与所述托盘承载面相分离时的距离。
5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述位置调整机构包括可升降的支撑结构，所述卡盘中设置有第二容纳槽，所述卡盘包括与所述托盘相接触的卡盘承载面，所述支撑结构设置在所述第二容纳槽中，用于上升伸出所述第二容纳槽以对所述托盘进行支撑，使所述托盘与所述卡盘承载面相分离，或者下降至所述第二容纳槽中，使所述托盘与所述卡盘承载面相接触。
6.根据权利要求5所述的承载装置，其特征在于，所述支撑结构包括可伸缩的支撑柱，所述支撑柱能够在未受到向下压力时，伸出所述第二容纳槽，以对所述托盘进行支撑，使所述托盘与所述卡盘承载面相分离，并能够在受到向下压力时，收缩至所述第二容纳槽中，以使所述托盘与所述卡盘承载面相接触。
7.根据权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述支撑柱设置在所述第二容纳槽中，且可旋转，其中，所述支撑柱与所述卡盘同轴。
8.根据权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述支撑结构还包括支撑盘，所述支撑盘设置在所述支撑柱上，且与所述托盘相接触，所述支撑盘的径向尺寸大于所述支撑柱的径向截面尺寸，且所述支撑盘与所述托盘相接触的接触面上设置有防滑部件。
9.一种半导体加工设备，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的承载装置。
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