CN112041994B - 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 - Google Patents
晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112041994B CN112041994B CN201880000355.7A CN201880000355A CN112041994B CN 112041994 B CN112041994 B CN 112041994B CN 201880000355 A CN201880000355 A CN 201880000355A CN 112041994 B CN112041994 B CN 112041994B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystalline silicon
- silicon solar
- solar cell
- oxide etchant
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 185
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 40
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 95
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 32
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 93
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 74
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 56
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 36
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 31
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- -1 lauryl alcohol ester Chemical class 0.000 claims description 25
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims description 19
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 17
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 17
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical group CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 17
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 17
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 17
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 claims description 17
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 claims description 17
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 6
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 6
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 6
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 5
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 5
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000013538 functional additive Substances 0.000 claims description 3
- 239000004200 microcrystalline wax Substances 0.000 claims description 3
- 235000019808 microcrystalline wax Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004698 Polyethylene Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 claims description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 claims description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001921 poly-methyl-phenyl-siloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Chemical class 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 41
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 31
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 21
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 18
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 15
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910018070 Li 2 O 10 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 4
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N octadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(N)=O LYRFLYHAGKPMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEUCQOBUZPQUMQ-UHFFFAOYSA-N Glycolone Chemical compound COC1=C(CC=C(C)C)C(=O)NC2=C1C=CC=C2OC XEUCQOBUZPQUMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWIULCYKVGIOPW-UHFFFAOYSA-N Glycolone Natural products CCOC1=C(CC=CC)C(=O)N(C)c2c(O)cccc12 UWIULCYKVGIOPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N oleamide Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(N)=O FATBGEAMYMYZAF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003021 phthalic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229940037312 stearamide Drugs 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
- C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
- B22F2301/25—Noble metals, i.e. Ag Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru
- B22F2301/255—Silver or gold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按照重量份计,所述晶硅太阳能电池正面导电浆料包括以下原料组分:金属粉80.0~93.0份;有机载体6.0~15.0份;氧化物刻蚀剂1.0~5.0份;其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔百分含量为100计,至少含有以下含量的组分,MgO 10.0~40.0%,B2O30.1‑5.0%,PbO 0.1~5%;按摩尔比MgO与PbO的比例为10:5~40:0.1,MgO与Li2O的比例为10:30~40:10。该正面导电浆料在烧结过程中可以使得金属粉与硅形成良好的欧姆接触,极大的降低电阻,最终获得接触电阻低,导电性能好,附着力高的正面电极。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池。
背景技术
太阳能是一种取之不尽,用之不竭的清洁型能源。随着煤炭、石油等不可再生能源的日益枯竭,开发并利用太阳能成为大热点。基于这种思路开发的太阳能电池就是利用太阳能的一种重要手段,目前,实现产业化的晶硅太阳能电池已经成为太阳能电池应用的典范。
电池片作为晶硅太阳能电池合金的组成部分,为了将光照下产生的电流收集并导出,需要在电池片的正面及背面上分别制作一个电极。制造电极的方法多种多样,其中丝网印刷及共烧是目前最为普遍的一种生产工艺。如正面电极的制造中,采用丝网印刷的方式将导电浆料涂覆于硅片上,并通过烧结在硅片正面上形成正面电极。烧结后的晶硅太阳能电池正面电极需要在硅片上附着牢固,栅线窄而高,遮光面积小,易于焊接,硅太阳能电池正面电极用导电浆料要具备在烧结过程中穿透氮化硅减反射膜的能力,与硅电池片形成良好的欧姆接触。
常见的晶硅太阳能电池正面导电浆料由银粉、玻璃粉、有机载体组成,经过烧结形成正面电极。在烧结过程中,导电浆料中的氧化物刻蚀剂蚀刻并穿透晶硅太阳能电池正面或光照面的减反射绝缘层如氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化硅或氧化硅/氧化钛,使银粉与晶硅太阳能电池基体接触,形成正面电极。随着太阳能电池方阻的提升,传统的正面导电浆料以及使用的玻璃粉不能很好的刻蚀电池片表面的减反射绝缘层,其形成的正面电极与硅片表面接触电阻高,从而影响了电池片的光电转化效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法,以解决现有正面导电浆料存在的不能有效的对电池片表面的减反射绝缘层进行刻蚀,从而导致正面电极与硅片表面接触的电阻值升高,最终使得电池片光电转化效率降低等问题。
进一步地,本发明还提供一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法及太阳能电池。
为实现上述发明目的,本发明的技术方案如下:
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按照重量份为100计,包括以下原料组分:
金属粉 80.0~93.0份;
有机载体 6.0~15.0份;
氧化物刻蚀剂 1.0~5.0份;
其中,所述氧化物刻蚀剂至少含有MgO、PbO、Li2O,按摩尔比,所述MgO与PbO的比例为10:5~40:0.1,所述MgO与Li2O的摩尔比例为10:30~40:10,所述PbO占所述氧化物刻蚀剂总摩尔量的0.1~5%。
相应地,一种晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法,至少包括以下步骤:
步骤S01.将氧化物刻蚀剂原料组分进行熔融得到氧化物刻蚀剂熔液,对所述熔液进行骤冷处理,得到氧化物刻蚀剂颗粒,并经过破碎获得粒径为0.1~5.0μm的氧化物刻蚀剂粉末;
步骤S02.将有机载体原料置于40~100℃环境中进行混合处理,得到有机载体;
步骤S03.将金属粉与步骤S01得到的氧化物刻蚀剂粉末、步骤S02得到的有机载体三者进行混料处理,获得晶硅太阳能电池正面导电浆料。
相应地,一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,至少包括以下步骤:
提供表面叠设有绝缘膜的晶体硅半导体元件;
通过印制的方式将如上所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料印制于所述绝缘膜表面,依次进行干燥、烧结、冷却处理,得到晶硅太阳能电池正面电极。
以及,一种晶硅太阳能电池,所述晶硅太阳能电池采用如上所述的晶硅太阳能电池正面电极。
本发明的有益效果为:相对于现有技术,本发明提供的晶硅太阳能电池正面导电浆料,由于氧化物刻蚀剂中含有特定比例的MgO、PbO、Li2O,使得氧化物刻蚀剂在烧结过程中能够溶解足够的银,溶解了银的所述氧化物刻蚀剂液体一部分用于润湿金属粉并促使其烧结,另一部分则流动至太阳能电池表面与减反射层反应,能够有效的刻蚀减反射层,在冷却过程中,溶解在氧化物刻蚀剂液体中的银析出形成微小的纳米银颗粒,使金属粉与硅形成良好的欧姆接触,极大的降低正面电极的电阻,最终获得接触电阻低,导电性能好,附着力高的正面电极。
本发明提供的晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法,工艺条件简单,获得的正面导电浆料组分均匀且性能良好,适于工业大规模生产。
本发明提供的晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,由于采用了上述提供的晶硅太阳能电池正面导电浆料,氧化物刻蚀剂在烧结过程中能够溶解足够的银,溶解了银的所述氧化物刻蚀剂液体一部分用于润湿金属粉并促使其烧结,另一部分则流动至太阳能电池表面与减反射层反应,能够有效的刻蚀减反射层,在冷却过程中,溶解在氧化物刻蚀剂液体中的银析出形成微小的纳米银颗粒,使金属粉与硅形成良好的欧姆接触,极大的降低正面电极的电阻,最终获得接触电阻低,导电性能好,附着力高的正面电极。
本发明提供的晶硅太阳能电池,由于采用了上述的晶硅太阳能电池正面电极结构,太阳能电池结构表现出良好的附着力,同时银电极和硅片具有良好的欧姆接触,使得太阳能电池的转换效率得到提高。
附图说明
为更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法工艺流程示意图;
图2为本发明提供的晶硅太阳能电池正面电极的制作方法工艺流程示意图;
图3为本发明提供的在表面具有绝缘膜的晶体硅半导体元件上印刷了本发明所述的正面导电浆料的示意图;
图4为本发明图3中印刷了正面和背面浆料的晶体硅半导体元件烧结后的示意图;
图5为180度拉伸测试示意图。
其中,100-晶体硅电池片;200-P/N结;300-绝缘膜;400-印刷的正面导电浆料,401-金属粉,402-有机载体,403-氧化物刻蚀剂;500-印刷的背面银浆;600-印刷的背面铝浆;700-正面电极;800-焊带;900-拉伸机;901-拉伸机样品第一固定螺栓;902-拉伸机样品第二固定螺栓;F-拉力方向。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按照重量份为100计,包括以下原料组分:
金属粉 80.0~93.0份;
有机载体 6.0~15.0份;
氧化物刻蚀剂 1.0~5.0份;
其中,所述氧化物刻蚀剂至少含有MgO、PbO、Li2O,以所述氧化物刻蚀剂摩尔百分含量为100计,MgO 10.0~40.0%,B2O3 0.1-5.0%,PbO 0.1~5%;按摩尔比所述MgO与PbO的比例为10:5~40:0.1,所述MgO与Li2O的摩尔比例为10:30~40:10。
下面对本发明的晶硅太阳能电池正面导电浆料做进一步的解释说明。
以所述氧化物刻蚀剂摩尔量为100%计,所述氧化物刻蚀剂包括以下组分:
添加元素的氧化物0~5.0%。
其中,添加元素的氧化物中添加元素为钛、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钴、铪、镧、钇、镱、铁、钡、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗等中的一种或者两种及以上。
本发明所述氧化物刻蚀剂不仅包括使用化学方法制成的氧化物和经过高温处理后得到的氧化物,还包括其含有阳离子的碳酸盐、磷酸盐、氟化物等,例如所述的锂的氧化物Li2O可以使用Li2CO3取代。
优选地,所述氧化物刻蚀剂为晶体、非晶体或者非晶体与晶体的混合物。
本发明中,氧化物刻蚀剂在烧结过程中熔融为液体进而使得银在其中溶解的量足够多,溶解了银的所述氧化物刻蚀剂液体的一部分用于对金属粉进行润湿并促使金属粉烧结;另一部分溶解了银的氧化物刻蚀剂液体流动至太阳能电池表面与减反射层反应,能够有效的刻蚀减反射层,烧结后在冷却过程中,溶解在氧化物刻蚀剂液体中的银析出形成微小的纳米银颗粒,使金属粉与硅形成良好的欧姆接触,降低了电阻,形成接触电阻低、导电性能好、附着力高的正面电极。
优选地,所述金属粉为银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰、钯、铑中的至少一种。
进一步优选地,所述金属粉为银包覆的铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰中的至少一种,其中,银包覆层的厚度为10~50nm。
优选地,所述金属粉为非银包覆的金属粉和银包覆的金属粉的混合体,其中,所述非银包覆的金属粉与银包覆的金属粉的重量比为5/95~95/5,非银包覆的金属粉为银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰、钯、铑中的至少一种;银包覆的金属粉为铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰中的至少一种,所述银包覆层的厚度为10~200nm。
本发明中所述有机载体包括有机溶剂、聚合物、润湿分散剂、触变剂及其他功能助剂等。
以所述有机载体重量为100份计,包括以下组分:有机溶剂50~95份;聚合物1~40份;润湿分散剂0.1~10份;触变剂1~20份。
其中,所述有机溶剂选自松油醇、乙二醇丁醚醋酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、十二醇酯、二乙二醇丁醚、三乙二醇丁醚、三丙二醇甲醚、萜烯类等高沸点的溶剂中的至少一种。
所述聚合物选自乙基纤维素、甲基纤维素、纤维素及其衍生物、丙烯酸树脂、醇酸树脂、聚酯树脂中的至少一种。
所述润湿分散剂选自脂肪酸(油酸、硬酯酸等)、脂肪酸的酰胺衍生物(油酸酰胺、硬脂酰胺等)、脂肪酸的酯类衍生物、聚乙烯蜡、聚乙二醇中的一种或者两种以上,主要用于帮助无机粉体在有机载体中的分散。
所述触变剂选自氢化蓖麻油衍生物、聚酰胺蜡、聚脲、气相二氧化硅中的一种或者两种以上,主要用于增加浆料在印刷过程中的触变性,使银浆在印刷过程中受到剪切时,稠度变小,容易丝网印刷,停止剪切时,稠度又增加,以保证电极有优异的高宽比。
进一步地,有机载体还可以包括其他功能助剂,所述其他功能助剂的重量份为0.1-20份,选自聚甲基苯基硅氧烷、聚苯基硅氧烷、邻苯二甲酸酯类(如邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丁酯等)、微晶蜡、聚二甲基硅氧烷、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚醚聚酯改性有机硅氧烷、烷基改性有机硅氧烷中的一种或者两种以上。所述其他功能助剂可根据需要选择添加,如加入微晶蜡等以降低表面张力,加入邻苯二甲酸二丁酯(DBP)等以改善浆料的柔韧性,加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)等改善黏附力。
如图1所示,本发明所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
S01.氧化物刻蚀剂的制备步骤如下:按照如上的原料比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至900~1100℃,并在900-1100℃下保温60-180min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述熔融的液态氧化物刻蚀剂进行骤冷处理,得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述氧化物刻蚀剂颗粒置于60~80℃温度中烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行破碎处理得到粒度0.5-5.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在80~100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
优选地,所述骤冷方式为将熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入5~25℃水中冷却或者在流动的冷空气中冷却,流动的冷空气温度在25℃及以下。
上述对氧化物刻蚀颗粒的破碎,可以采用球磨机进行球磨处理,也可以使用其他方式使得氧化物刻蚀剂颗粒粒径变小。
S02.有机载体的制备如下:以上所述有机载体原料重量比例依次称取有机载体的原料,将称取的有机载体原料放入容器,在40~100℃的温度下搅拌混合120min,得到有机载体。
S03.正面浆料的制备,将金属粉与上述制备的氧化物刻蚀剂、有机载体进行混合、研磨得到所述正面导电银浆。
本发明所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制作方法还有如下替换方法:
在一个实施方案中,先将氧化物刻蚀剂和金属粉进行混合,得到第一混合物,再将该第一混合物与有机载体进行混合,然后进行研磨处理,得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
在另一个实施方案中,先将上述氧化物刻蚀剂和有机载体进行混合,得到第一混合物,再往该第一混合物中加入金属粉,然后进行研磨处理,得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
在又一个实施方案中,先将金属粉和有机载体进行混合,得到第一混合物,再向该第一混合物中加入氧化物刻蚀剂,然后进行研磨处理,得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
在再一个实施方案中,分别以金属粉、有机载体、氧化物刻蚀剂各自重量份为100计,先将20~60重量份的金属粉和20~60重量份的有机载体进行混合,得到第一混合物;再将40~80重量份氧化物刻蚀剂和部分有机载体进行混合,得到第二混合物,然后再将该第一混合物和第二混合物进行混合,研磨处理,得到晶硅太阳能电池正面电极导电浆料。
请参考图2、图3及图4,本发明还提供一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法。
所述制作方法涉及表面叠设有绝缘膜的晶体硅半导体元件,所述晶体硅半导体元件的结构如图3所示,100为具有相对第一表面和第二表面的晶体硅电池片,在第一表面向外依次叠设有P/N结200、绝缘膜300,在第一表面上印刷有背面银浆500、背面铝浆600,其中,绝缘膜300可以是氮化硅膜、氧化钛膜、氧化铝膜、氧化硅膜中的至少一种。
具体地,所述晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,至少包括以下步骤:
步骤S04.提供表面叠设有绝缘膜300的晶体硅半导体元件;
步骤S05.通过印制的方式将如上所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料400(其中,401为金属粉、402为有机载体、403为氧化物刻蚀剂)印制于所述绝缘膜300表面;
步骤S06.对步骤S05处理后的晶体硅半导体元件依次进行干燥、烧结、冷却处理,得到晶硅太阳能电池正面电极700。
具体地,干燥温度为80~400℃,烧结温度为700~820℃,冷却条件为自然冷却。
本发明还进一步地提供一种晶硅太阳能电池,所述晶硅太阳能电池采用如上所述的晶硅太阳能电池正面电极。
为了更好的说明本发明实施例提供的晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法,下面通过多个实施例进一步解释说明。
实施例1
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 1.0%、TeO2 33%、Li2O 30%、SiO2 10.9%、B2O3 0.1%、Bi2O3 5%、MgO10%、ZnO 10%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例1中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于770℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例2
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 2.0%、TeO2 30%、Li2O 10%、SiO2 5%、B2O3 1.0%、Bi2O3 2%、MgO 40%、ZnO 10%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例2中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例3
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 4.0%、TeO2 44%、Li2O 10%、SiO2 6%、B2O3 3.0%、Bi2O3 6%、MgO 12%、ZnO 15%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例3中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于780℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例4
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 2.0%、TeO2 30%、Li2O 16%、SiO2 6%、B2O3 2.0%、Bi2O3 4%、MgO 15%、ZnO 25%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例4中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于780℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例5
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 1.5%、TeO2 30%、Li2O 10%、SiO2 24%、B2O3 4.5%、Bi2O3 4%、MgO 16%、ZnO 10%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例5中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于790℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例6
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 1.2%、TeO2 35%、Li2O 20%、SiO2 7%、B2O3 5.0%、Bi2O3 4%、MgO 20%、ZnO 7.8%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例6中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例7
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 3.0%、TeO2 35%、Li2O 15%、SiO2 7%、B2O3 2.0%、Bi2O3 2%、MgO 19%、ZnO 17%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例7中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例8
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 0.1%、TeO2 31%、Li2O 10%、SiO2 5%、B2O3 3.5%、Bi2O3 10%、MgO 30%、ZnO 10%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃下进行烘干,得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例8中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例9
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 2.0%、TeO2 36%、Li2O 16%、SiO2 9%、B2O3 10.0%、Bi2O3 4%、MgO 5.0%、ZnO 18%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例9中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例10
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 2.0%、TeO2 25%、Li2O 33%、SiO2 6%、B2O3 8.0%、Bi2O3 3%、MgO 3.0%、ZnO 20%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例10中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例11
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 2.0%、TeO2 44%、Li2O 5.0%、SiO2 3.0%、B2O3 6.0%、Bi2O3 3.0%、MgO7.0%、ZnO 30%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例11中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例12
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 2.0%、TeO2 49%、Li2O 6.0%、SiO2 3.0%、B2O3 7.0%、Bi2O3 3.0%、MgO2.0%、ZnO 28%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例12中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于770℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例13
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 5.0%、TeO2 23%、Li2O 14%、SiO2 3.0%、B2O3 8.0%、Bi2O3 3.0%、MgO32%、ZnO 12%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例13中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例14
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 3.0%、TeO2 30%、Li2O 10%、SiO2 3.0%、B2O3 8.0%、Bi2O3 3.0%、MgO35%、ZnO 8.0%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例14中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
实施例15
一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,按总重量为100份计算,包括如下配方比例的组分:银粉88.5份;有机载体9.0份;氧化物刻蚀剂2.5份。
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔总量为100%计,包括以下组分:
PbO 3.0%、TeO2 15%、Li2O 22%、SiO2 3.0%、B2O3 8.0%、Bi2O3 3.0%、MgO40%、ZnO 6.0%。
所述氧化物刻蚀剂的制备方法为:按照以上所述的比例称取氧化物刻蚀剂原料并且进行均匀混合;将所述的均匀混合的氧化物刻蚀剂原料放入加热炉加热至1000℃,并在1000℃下保温120min,得到熔融的液态氧化物刻蚀剂;将所述的熔融的液态氧化物刻蚀剂倒入常温(25℃)水中冷得到氧化物刻蚀剂颗粒;将所述的氧化物刻蚀剂颗粒置于干燥箱中在80℃烘干;将所述的干燥的氧化物刻蚀剂颗粒置于球磨机中进行研磨得到粒度0.5~7.0μm的氧化物刻蚀剂粉,然后置于干燥箱中在100℃烘干得到干燥的氧化物刻蚀剂粉。
以所述有机载体重量为100%计,所述有机载体含有以下组分:松油醇、十二醇酯、萜烯三者的混合物70%;乙基纤维素10%、松香树脂15%、聚酰胺蜡5%。
所述晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法包括以下步骤:
按照以上所述配方重量比例称取银粉88.5份,有机载体9.0份,和所述氧化物刻蚀剂粉2.5份,进行均匀混合和研磨处理,得到所述晶硅太阳能电池正面导电浆料。
一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,包括以下步骤:
通过丝网印制的方式,将实施例15中晶硅太阳能电池正面导电浆料印制在具有绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后于800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极。
测试获得的所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
对比例
将市场上广泛使用的一种晶硅太阳能电池正面导电浆料PVMB丝网印制在和实施案例具有完全相同的绝缘膜的晶硅太阳能电池正面,其太阳能电池背面丝网印制了背银和背铝,然后加热到800℃进行烧结,得到所述的晶硅太阳能电池正面电极,然后测试所述电池片的效率,I-V测试结果汇总在表1中。
性能测试:
(1)I-V测试
将实施例1~15的电池片和比较案例的电池片在HALM IV测试仪上进行了I-V测试,结果如表1所示。
(2)拉力测试
将焊带焊接到主栅上180度拉伸测试拉力,主栅宽度是0.7mm,将0.9mm宽的焊带焊接到主栅上,焊带宽度为0.9mm,厚度为0.23mm,焊带材料是96.5%Sn3.5%Ag。图5是180度拉伸测试示意图,具体是先将焊带800焊接于主栅表面,然后通过第一固定螺栓901和第二固定螺栓902将晶体硅电池片100固定于拉伸机900上,按照拉力F的方向进行拉力测试。拉力测试结果如表1所示。
表1实施例1~15及对比例获得的晶硅太阳能电池性能测试数据统计
从表1可知,实施例1~8的太阳能电池转化率高于对比例的太阳能电池转化率,但是实施例9~15的转化率低于对比例的太阳能电池转化率,其实施例1~15中,太阳能电池片转化率的差异主要是由其所使用的氧化物刻蚀剂的不同引起。因为这些实施例中的银粉和有机载体相同,且实施例1~8的氧化物刻蚀剂由于采用了本发明独特的氧化物组分比例,使得获得的太阳能电池具有较好的性能。由此也可见,本发明中,按照摩尔比MgO与PbO的比例为10:5~40:0.1且MgO与Li2O的摩尔比例在10:30~40:10范围内时,可以使得其氧化物刻蚀剂在烧结过程中能够溶解足够的银,能够充分刻蚀透电池片表面的绝缘层但是又不过分腐蚀硅电池片,使得银电极和硅片不但形成很好的欧姆接触和高转换率,同时具有很好的附着力。
而实施例9~15的转换率明显低于对比例的转换率,也低于实施例1~8的转换率,其开路电压Voc明显低于实施例1~8的开路电压Voc,其串联电阻Rs明显高于实施例1~8的串联电阻Rs,因为实施例9~12中,MgO的摩尔含量低于10%,实施例13~15中B2O3的摩尔含量高于5%,不在最佳摩尔含量范围内,导致电池片转换率比较低。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包括在本发明的保护范围之内。
Claims (14)
1.一种晶硅太阳能电池正面导电浆料,其特征在于,按照重量份为100计,所述晶硅太阳能电池正面导电浆料包括以下原料组分:
金属粉 88.5~93.0份;
有机载体 6.0~9.0份;
氧化物刻蚀剂 1.0~5.0份;
其中,以所述氧化物刻蚀剂摩尔百分含量为100计,至少含有以下含量的组分,MgO30.0~40.0%,B2O3 0.1-5.0%,PbO 0.1~5%;按摩尔比,所述MgO与PbO的比例为30:5~40:0.1,所述MgO与Li2O的比例为30:30~40:5。
3.如权利要求2所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料,其特征在于,所述添加元素的氧化物中添加元素为钛、铝、银、铬、钪、铜、铌、钒、钠、钽、锶、溴、钴、铪、镧、钇、镱、铁、钡、锰、钨、镍、锡、砷、锆、钾、磷、铟、镓、锗中的一种或者两种及以上。
4.如权利要求1或2所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料,其特征在于,所述氧化物刻蚀剂为晶体、非晶体中的至少一种。
5.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料,其特征在于,所述金属粉为银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰、钯、铑中的至少一种。
6.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料,其特征在于,所述金属粉为银包覆的铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰中的至少一种,其中,银包覆层的厚度为10~50nm。
7.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料,其特征在于,所述金属粉为非银包覆的金属粉和银包覆的金属粉的混合体,其中,所述非银包覆的金属粉与银包覆的金属粉的重量比为5/95~95/5,所述非银包覆的金属粉为银、金、铂、铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰、钯、铑中的至少一种;所述银包覆的金属粉为铜、铁、镍、锌、钛、钴、铬、铝、锰中的至少一种,所述银包覆层的厚度为10~200nm。
8.如权利要求1所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料,其特征在于,所述有机载体包括有机溶剂、聚合物、润湿分散剂、触变剂、其他功能助剂;
以所述有机载体重量为100份计,有机溶剂50~95份;聚合物1~40份;润湿分散剂0.1~10份;触变剂1~20份;其他功能助剂0.1-20份。
9.如权利要求8所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料,其特征在于,所述有机溶剂为松油醇、乙二醇丁醚醋酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、十二醇酯、二乙二醇丁醚、三乙二醇丁醚、三丙二醇甲醚、萜烯类中的至少一种;
所述聚合物选自乙基纤维素、甲基纤维素、纤维素及其他衍生物、丙烯酸树脂、醇酸树脂、聚酯树脂中的至少一种;
所述润湿分散剂选自脂肪酸、脂肪酸的酰胺衍生物、脂肪酸的酯类衍生物、聚乙烯蜡、聚乙二醇中的一种或者两种以上混合物;
所述触变剂选自氢化蓖麻油衍生物、聚酰胺蜡、聚脲、气相二氧化硅中的至少一种;
所述其他功能助剂选自聚甲基苯基硅氧烷、聚苯基硅氧烷、邻苯二甲酸酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二丁酯、微晶蜡、聚二甲基硅氧烷、聚乙烯醇缩丁醛、聚醚聚酯改性有机硅氧烷、烷基改性有机硅氧烷中的一种或者两种以上。
10.如权利要求1~9任一项所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
步骤S01.将氧化物刻蚀剂原料组分进行熔融得到氧化物刻蚀剂熔液,对所述熔液进行骤冷处理,得到氧化物刻蚀剂颗粒,并经过破碎处理获得粒径在0.1~5.0μm的氧化物刻蚀剂粉末;
步骤S02.将有机载体原料置于40~100℃环境中进行混合处理,得到有机载体;
步骤S03.将金属粉与步骤S01得到的氧化物刻蚀剂粉末、步骤S02得到的有机载体三者进行混料处理,获得晶硅太阳能电池正面导电浆料。
11.如权利要求10所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料的制备方法,其特征在于,所述骤冷处理为水冷处理或者冷空气处理。
12.一种晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
提供表面叠设有绝缘膜的晶体硅半导体元件;
通过印制的方式将如权利要求10~11任一项所述的晶硅太阳能电池正面导电浆料印制于所述绝缘膜表面,依次进行干燥、烧结、冷却处理,得到晶硅太阳能电池正面电极。
13.如权利要求12所述的晶硅太阳能电池正面电极的制作方法,其特征在于,所述烧结温度为700~820℃;和/或所述干燥温度为80~400℃。
14.一种晶硅太阳能电池,其特征在于,所述晶硅太阳能电池采用如权利要求12~13任一项所述的晶硅太阳能电池正面电极的制作方法制作的晶硅太阳能电池正面电极。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2018/081374 WO2019183931A1 (zh) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112041994A CN112041994A (zh) | 2020-12-04 |
CN112041994B true CN112041994B (zh) | 2022-06-21 |
Family
ID=68057308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880000355.7A Active CN112041994B (zh) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10658090B2 (zh) |
CN (1) | CN112041994B (zh) |
WO (1) | WO2019183931A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019183932A1 (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 |
KR20210103850A (ko) * | 2020-02-14 | 2021-08-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지, 그리고 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법 |
CN113257482B (zh) * | 2021-06-10 | 2022-02-01 | 四川蜀汉智博科技有限公司 | 一种耐老化高附着力高温烧结型导电银浆的制备方法 |
CN114049985B (zh) * | 2021-08-18 | 2022-12-02 | 中南大学 | 一种导电浆料有机载体及其制备和应用 |
CN114409248B (zh) * | 2022-01-06 | 2023-04-07 | 江苏日御光伏新材料科技有限公司 | 一种低热损的碲-锂-硅-锆体系玻璃料及其导电浆料与应用 |
CN114464346A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-05-10 | 浙江晶科新材料有限公司 | 应用于晶体硅太阳能电池栅线电极的铜浆及其制备方法 |
CN116199252B (zh) * | 2023-03-07 | 2024-06-07 | 厦门大学 | 一种改性Cu2GeS3单粒粉体及其制备方法和应用、单粒太阳能电池及其制备方法 |
CN116913575B (zh) * | 2023-06-30 | 2024-09-06 | 晶科能源(上饶)有限公司 | TOPCon电池银铝浆的添加剂、其制备方法及银铝浆 |
CN118629690A (zh) * | 2024-04-08 | 2024-09-10 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种光伏镍浆、制备方法及其在制备光伏电池镍栅线中的应用 |
CN119008076B (zh) * | 2024-10-12 | 2025-02-11 | 深圳市深云基新材料科技有限公司 | 一种低温共烧陶瓷基体用导电银浆及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102280161A (zh) * | 2011-08-18 | 2011-12-14 | 陈晓东 | 一种晶硅太阳能电池正面电极用导电浆料及其制备方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5855820A (en) * | 1997-11-13 | 1999-01-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Water based thick film conductive compositions |
JP4300786B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2009-07-22 | 昭栄化学工業株式会社 | ガラスおよびこれを用いた導体ペースト |
DE102004033652B4 (de) * | 2004-07-12 | 2011-11-10 | Schott Ag | Verwendung eines Borsilikatglases zur Herstellung von Gasentladungslampen |
US7771623B2 (en) * | 2005-06-07 | 2010-08-10 | E.I. du Pont de Nemours and Company Dupont (UK) Limited | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof |
US7824579B2 (en) * | 2005-06-07 | 2010-11-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof |
US20100096014A1 (en) * | 2006-12-25 | 2010-04-22 | Hideyo Iida | Conductive paste for solar cell |
TWI370552B (en) * | 2007-06-08 | 2012-08-11 | Gigastorage Corp | Solar cell |
EP2191479A1 (en) * | 2007-10-18 | 2010-06-02 | E. I. du Pont de Nemours and Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: flux materials |
WO2009052266A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive |
CN101271928B (zh) * | 2008-05-04 | 2012-02-29 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 一种高粘度太阳能电池正面银浆的制备方法 |
TW201007773A (en) * | 2008-06-06 | 2010-02-16 | Du Pont | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
WO2009154314A1 (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-23 | 日本電気硝子株式会社 | 太陽電池用基板および色素増感型太陽電池用酸化物半導体電極 |
US8076777B2 (en) * | 2008-06-26 | 2011-12-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
US8231934B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for solar cell electrode |
JP5059042B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2012-10-24 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
US8017428B2 (en) * | 2009-06-10 | 2011-09-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process of forming a silicon solar cell |
CN101609849B (zh) * | 2009-07-13 | 2010-11-03 | 中南大学 | 太阳能电池正面电极用银导体浆料及其制备工艺 |
US8252204B2 (en) * | 2009-12-18 | 2012-08-28 | E I Du Pont De Nemours And Company | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
KR20130016346A (ko) | 2010-05-04 | 2013-02-14 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 납- 및 텔루륨-산화물을 함유하는 후막 페이스트, 및 반도체 디바이스의 제조에 있어서의 그의 용도 |
JP5609319B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2014-10-22 | セントラル硝子株式会社 | 低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料 |
US8815637B2 (en) * | 2010-09-30 | 2014-08-26 | Kyocera Corporation | Conductive paste for photovoltaic cell and method of producing photovoltaic cell element using the same |
KR101199194B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2012-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지 |
US9129725B2 (en) * | 2010-12-17 | 2015-09-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition containing lithium, and articles made therefrom |
US8704087B2 (en) * | 2011-06-01 | 2014-04-22 | E I Du Pont De Nemours And Company | Solderable polymer thick film conductive electrode composition for use in thin-film photovoltaic cells and other applications |
EP2764000A4 (en) * | 2011-08-26 | 2015-10-14 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | FIRE ALUMINUM PASTE FOR SINX AND BETTER BSF EDUCATION |
CN102354544B (zh) * | 2011-09-21 | 2013-03-06 | 江苏泓源光电科技有限公司 | 晶硅太阳能电池正面电极用银导体浆料及其制备方法 |
JP5856178B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2016-02-09 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用無鉛導電性ペースト組成物 |
JP6096468B2 (ja) * | 2011-10-25 | 2017-03-15 | ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー | 金属ナノ粒子を含有する電気伝導性ペースト組成物 |
WO2013096715A1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Ferro Corporation | Solar cell pastes for low resistance contacts |
WO2013109466A1 (en) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Ferro Corporation | Aluminum conductor paste for back surface passivated cells with locally opened vias |
CN102881350B (zh) * | 2012-09-25 | 2015-07-22 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 太阳能电池正面电极浆料及玻璃粉 |
WO2014117409A1 (zh) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | 深圳首创光伏有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法 |
CN103545015B (zh) * | 2013-10-21 | 2016-08-24 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池正面电极导电浆料及其制备方法 |
US9761348B2 (en) * | 2014-03-10 | 2017-09-12 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste used for solar cell electrodes |
TWI521548B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-02-11 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿(四) |
TWI521546B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-02-11 | 碩禾電子材料股份有限公司 | 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿(三) |
EP3387653A4 (en) * | 2015-12-10 | 2019-07-17 | Sun Chemical Corporation | SILBERLEITPASTENZUSAMMENSETZUNG |
US10134925B2 (en) * | 2016-04-13 | 2018-11-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
US9847437B1 (en) * | 2017-03-21 | 2017-12-19 | Jiun Pyng You | Method of forming conductive electrode grids over silicon wafer surfaces |
-
2018
- 2018-03-30 CN CN201880000355.7A patent/CN112041994B/zh active Active
- 2018-03-30 WO PCT/CN2018/081374 patent/WO2019183931A1/zh active Application Filing
-
2019
- 2019-03-09 US US16/297,620 patent/US10658090B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-04 US US16/840,344 patent/US10902971B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102280161A (zh) * | 2011-08-18 | 2011-12-14 | 陈晓东 | 一种晶硅太阳能电池正面电极用导电浆料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112041994A (zh) | 2020-12-04 |
US10658090B2 (en) | 2020-05-19 |
US20200286642A1 (en) | 2020-09-10 |
WO2019183931A1 (zh) | 2019-10-03 |
US10902971B2 (en) | 2021-01-26 |
US20190304619A1 (en) | 2019-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112041994B (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
CN110603648B (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
CN106816199B (zh) | 一种高方阻晶体硅太阳能电池正面电极银浆及其制备方法 | |
CN107195354A (zh) | 一种背钝化硅太阳能电池用正电极银浆及其制备方法 | |
CN108766618A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池正面银浆及其制备方法 | |
CN111302638B (zh) | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 | |
CN101118932A (zh) | 太阳能电池正面电极用导电浆料 | |
CN106477897A (zh) | 玻璃粉及应用该玻璃粉制得的正电极银浆、太阳能电池 | |
CN107274963A (zh) | 硅太阳能电池正面导电银浆及其制备方法 | |
CN110364286A (zh) | 一种单晶双面perc电池背面电极银浆及其制备方法 | |
WO2019205223A1 (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电银浆及其制备方法和太阳能电池 | |
CN112289481B (zh) | 一种太阳能电池正面电极浆料及其制备方法和应用 | |
CN111403077A (zh) | 一种perc单面双面电池通用背电极银浆及制备方法 | |
CN117038145A (zh) | TOPCon晶体硅太阳电池用背面细栅银浆及其制备方法与应用 | |
WO2019085576A1 (zh) | 用于制备太阳能电池电极的多元纳米材料、包括其的糊剂组合物及太阳能电池电极和电池 | |
CN112585765B (zh) | 用于半导体元件的导电浆料及其制备方法和perc太阳能电池 | |
CN114283963B (zh) | 导电浆料组合物及其制备方法和应用、晶硅太阳能电池 | |
CN107673624A (zh) | 用于制备太阳能电池电极的玻璃粉料、包括其的糊剂组合物、太阳能电池电极和太阳能电池 | |
CN114716150A (zh) | 一种TOPCon电池正面电极浆料用玻璃粉及其制备方法、应用 | |
CN114898911A (zh) | 一种电极浆料及制备方法、光伏电池 | |
WO2019183933A1 (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
CN110603606B (zh) | 晶硅太阳能电池正面导电浆料及其制备方法和太阳能电池 | |
CN115862926B (zh) | 一种电极浆料及制备方法、光伏电池 | |
CN112824470B (zh) | 一种基于含磷高分子树脂的有机粘结剂及其制备方法和用途 | |
CN118073003B (zh) | 一种TOPcon电池正面银浆的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |