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CN111668076A - 一种两段式过温自恢复装置 - Google Patents

一种两段式过温自恢复装置 Download PDF

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CN111668076A CN202010537735.3A CN202010537735A CN111668076A CN 111668076 A CN111668076 A CN 111668076A CN 202010537735 A CN202010537735 A CN 202010537735A CN 111668076 A CN111668076 A CN 111668076A
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杨波
杨军
刘树林
夏增浪
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Abstract

本发明涉及电气自恢复设备领域,具体涉及一种两段式过温自恢复装置。所述两段式过温自恢复装置包括第一导电件、第二导电件、第三导电件和第四导电件,所述第三导电件为温度与阻值呈正比的导电材质且设置在第一导电件上,所述第四导电件为热膨胀系数大的材质且设置在第三导电件与第四导电件之间,所述第一导电件和第二导电件在第四导电件处于正常状态时抵触,且在第四导电件处于热膨胀状态时被膨胀撑离。本发明的有益效果在于,与现有技术相比,第一导电件与第二导电件构成第一导通支路,保持恒定的低电阻低功耗工作状态,当温度高于临界温度时,切换成第二导通支路,实现高阻值通路,降低电流大小,便于温度的降低。

Description

一种两段式过温自恢复装置
技术领域
本发明涉及电气自恢复设备领域,具体涉及一种两段式过温自恢复装置。
背景技术
在通讯及网络、电脑及多媒体、电池及便携式电子产品、工业开关电源网络、汽车等方面,通常采用高分子聚合物(PPTC)自恢复保险丝进行过流保护。
PPTC是由高分子有机聚合物在高压、高温,硫化反应的条件下,搀加导电粒子材料后,经过特殊的工艺加工而成。常温下,正常工作电流通过PPTC内部时,高分子聚合物与导电粒子材料高密度的结合在一起形成结晶状的结构,此时处于低阻值的分子状态,PPTC工作正常内阻在10mΩ-10Ω+之间;当PPTC两端出现短路、破坏性大电流时,串联中的PPTC消耗功率P=I2R开始增大,PPTC瞬间产生大量的热量,使PPTC内部高分子聚合物温度急速上升,当温度超温度临界值时,导致其急剧膨胀,同时开始结晶形成胶状体,导电粒分子健开始断裂,阻断由导电粒子材料形成的通路,此时PPTC内阻值达到KKΩ级数值。从而有效的限制短路电流、破坏性大电流通过PPTC,电路回路处于断开状态。
当故障电流排除后,PPTC内部材料温度降低,高分子聚合物重新结晶,导电粒子材料开始导通,整个工作电路恢复正常。当电路工作正常温度范围,如25℃-温度临界值之间,电阻随温度上升缓慢,由mΩ变化到10Ω左右,这对于大电流应用,这是无法容忍的损耗,例如:工作电流为10A,在70℃是PPTC的电阻值为3Ω,这时产生的损耗P=I2 R=300W。
由上可以看出,在低于保护温度临界值情况下,由于材料的正温度系数原因,电阻会不断上升,从而导致损耗产生。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种两段式过温自恢复装置,解决在低于保护温度临界值情况下,由于材料的正温度系数原因,电阻会不断上升,从而导致损耗产生的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种两段式过温自恢复装置,所述两段式过温自恢复装置包括第一导电件、第二导电件、第三导电件和第四导电件,所述第三导电件为温度与阻值呈正比的导电材质且设置在第一导电件上,所述第四导电件为热膨胀系数大的材质且设置在第三导电件与第四导电件之间,所述第一导电件和第二导电件在第四导电件处于正常状态时抵触,且在第四导电件处于热膨胀状态时被膨胀撑离;其中,所述第四导电件处于正常状态时,所述第一导电件与第二导电件构成第一导通支路;所述第四导电件处于热膨胀状态时,所述第一导电件、第三导电件、第四导电件和第二导电件依序构成第二导通支路。
其中,较佳方案是:所述第一导电件或第二导电件的一端固定设置,其另一端在第三导电的膨胀推动下可绕着固定支点摆动。
其中,较佳方案是:所述第二导电件的摆动端设有第二凸起端子,所述第一导电件设有与第二凸起端子配合抵触的第一凸起端子。
其中,较佳方案是:所述第一导电件和第二导电件之间设有第一绝缘支架,所述第一绝缘支架的一端固定且靠近第一凸起端子和第二凸起端子设置,所述第三导电件和第四导电件设置在第一绝缘支架的另一侧。
其中,较佳方案是:所述第一导电件和第二导电件中的一者可相对另一者相离相向移动。
其中,较佳方案是:所述第四导电件的两端分别与第二导电件固定;其中,所述所述第四导电件处于正常状态时平整设置,所述第四导电件处于热膨胀状态时,其中部远离与第二导电件翘曲。
其中,较佳方案是:所述两段式过温自恢复装置还包括标准封装外壳,所述第一导电件与第一引脚连接,所述第二导电件与第二引脚连接。
其中,较佳方案是:所述两段式过温自恢复装置采用半导体工艺加工形成MEMS。
其中,较佳方案是:所述所述第一导电件固定设置在底部,所述第二导电件一端固定设置并与第二引脚连接,其另一端在第三导电的膨胀推动下可绕着固定支点摆动;其中,所述两段式过温自恢复装置还包括设置在第二导电件顶部的第五导体件,所述第五导体件为抗压性强的材质。
其中,较佳方案是:所述第五导体件与第一导电件之间设有第二绝缘支架。
其中,较佳方案是:所述第三导电件的材质为温度与阻值呈正比的高分子聚合物材料。
其中,较佳方案是:所述第一导电件、第二导电件和第四导电件的阻值小于第三导电件在常温时的阻值。
本发明的有益效果在于,与现有技术相比,本发明通过一种两段式过温自恢复装置,在温度低于临界温度时,即第四导体膨胀临界温度时,第一导电件与第二导电件构成第一导通支路,保持恒定的低电阻低功耗工作状态,当温度高于临界温度时,切换成由第一导电件、第三导电件、第四导电件和第二导电件依序构成第二导通支路,实现高阻值通路,降低电流大小,便于温度的降低,同时,可在温度降低回临界温度时恢复第一导通支路;进一步地,将所述装置进行标准封装形成芯片,进而构成MEMS集成产品,适用性更广泛。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1是本发明两段式过温自恢复装置实施例一的结构示意图;
图2是图1的第二导体件移动的结构示意图;
图3是本发明两段式过温自恢复装置实施例二的结构示意图;
图4是本发明两段式过温自恢复装置实施例三的结构示意图;
图5是本发明两段式过温自恢复装置实施例四的结构示意图;
图6是图4的第二导体件移动的的结构示意图;
图7是本发明两段式过温自恢复装置实施例五的结构示意图;
图8是本发明两段式过温自恢复装置实施例六的结构示意图;
图9是本发明基于绝缘支架的两段式过温自恢复装置的结构示意图;
图10是本发明标准封装结构的结构示意图;
图11是本发明第四导体件的结构示意图;
图12是图11的第四导体件膨胀状态的结构示意图。
具体实施方式
现结合附图,对本发明的较佳实施例作详细说明。
如图1至图8所示,本发明提供一种两段式过温自恢复装置的优选实施例。
一种两段式过温自恢复装置,所述两段式过温自恢复装置包括第一导电件110、第二导电件120、所述第三导电件130为温度与阻值呈正比的导电材质且设置在第一导电件110上,所述第四导电件140为热膨胀系数大的材质且设置在第三导电件130与第四导电件140之间,所述第一导电件110和第二导电件120在第四导电件140处于正常状态时抵触,且在第四导电件140处于热膨胀状态时被膨胀撑离;其中,所述第四导电件140处于正常状态时,所述第一导电件110与第二导电件120构成第一导通支路;所述第四导电件140处于热膨胀状态时,所述第一导电件110、第三导电件130、第四导电件140和第二导电件120依序构成第二导通支路。
具体地,第一导电件110与第二导电件120可抵触设置,优选为上下位置设置,第二导电件120可在自身重力、自身应力(回弹力)或其他外力的作用下压向第一导电件110,并与第一导电件110抵触连接,当然也可以是其他方位的设置,也可以通过设置例如弹簧之类的外力结构将两者贴合。在第一导电件110与第二导电件120之间设置有第三导电件130与第四导电件140,一方面,当所述第四导电件140处于正常状态时,即第一导电件110与第二导电件120在自身重力或其他外力的作用下抵触,第一导电件110和第二导电件120形成第一导通支路,进行电流导通;另一方面,当所述第四导电件140处于热膨胀状态时,即由于高温进行膨胀,以抵消自身重力或其他外力,并使第二导电件120与第一导电件110相离移动,使两者不再抵触,此时,所述第一导电件110、第三导电件130、第四导电件140和第二导电件120依序构成第二导通支路,进行电流导通。
关于第一导通支路,为了使电流可以直接通过第一导电件110和第二导电件120进行导通且损耗变小,第一导电件110和第二导电件120的阻值可以很小,远小于处理常温状态下的第三导电件130的阻值,大部分电流均通过第一导电件110和第二导电件120进行传输,仅仅极少电流会通过第一导电件110、第三导电件130、第四导电件140和第二导电件120,实现低功耗传输电流。关于第二导通支路,存在两种状态,温度上升并达到第四导电件140的膨胀临界值时,第四导电件140膨胀并使第一导电件110和第二导电件120分离不再抵触,从而切断第一导通支路并形成第二导通支路,此时第三导电件130是随着温度升高而增加阻值,从而实现第二导通支路的阻值提高,以降低流经第二导通支路的电流;若温度不可控持续上升或温度过高,第三导电件130的阻值也持续增加,直至截止第二导通支路的电流。当然,也可以调整第三导电件130的材质,导致温度到达一定数值后,第三导电件130的阻值不会再增加,此时第二导通支路的电流处于低位却不截止。
在本实施例中,上述的“常温”、“温度上升并达到第四导电件140的膨胀临界值时”和“温度过高”等关于温度的高低修饰语,可通过常规通用知识理解,也可以是电气工程中对元器件影响情况所认为的温度范围,例如,认为20°-60°为“常温”,超过60°为“温度上升并达到第四导电件140的膨胀临界值时”,达到80°为“温度过高”。最核心是调整第三导电件130和第四导电件140的材质,从而调整“常温”和“高温”的温度值范围。
在本实施例中,所述第三导电件130的材质为温度与阻值呈正比的高分子聚合物材料,优选为PPTC,PPTC为高分子聚合物正系数温度电阻。所述第四导电件140的热膨胀系数远大于第二导电件120,所述第一导电件110具有较强的热传导性,可将热量传递至第三导电件130上,以便外部环境高温时,使第三导电件130及时反应并进行阻值的提升,同时,第二导电件120和第三导电件130也具有较强的热传导性,便于热量传递,使第四导电件140及时反应并进行热膨胀。第四导电件140的阻值也可以很小,远小于处理常温状态下的第三导电件130的阻值,以降低传输的损耗,且可至根据第三导电件130的电阻变化率知晓第一导通支路和第二导通支路的电流情况,避免过多因素的干扰。
在本实施例中,提供两种两段式过温自恢复装置的较佳方案。
方案一:并参考图1和图2(箭头为移动反向或移动路径,下述所有图的箭头均是如此理解),所述第一导电件110或第二导电件120的一端固定设置,其另一端在第三导电件130的膨胀推动下可绕着固定支点摆动。具体地,第一导电件110或第二导电件120的一者固定,另一者可摆动;例如,第一导电件110固定,第二导电件120在初始位置使(即所述第四导电件140处于正常状态时),至少有一端与第一导电件110抵触,在所述第四导电件140处于膨胀状态时,第二导电件120可绕着固定支点摆动,如上摆远离,从而使第二导电件120和第一导电件110分离不抵触。其中,固定支点可以理解为不会移动的部位,或者进行杠杆支点撬动的支点力支撑部位,如第二导电件120固定设置的一端。
同时,并参考图3和图4,提供第一导电件110和第二导电件120的多种配合结构;在图1和图2中,第二导电件120在可摆动的一端设有凸起部,并朝向第一导电件110设置且在常温下抵触第一导电件110,由于凸起部具有加大厚度,其重量可作为下压并抵触第一导电件110的下压力;在图3中,相对于图1和图2,提高第一导电件110和第二导电件120接触紧密性,第一导电件110也可以设置朝向第二导电件120设置的凸起部,与第二导电件120的凸起部配合,具体是所述第二导电件120的摆动端设有第二凸起端子121,所述第一导电件110设有与第二凸起端子121配合抵触的第一凸起端子111;在图4中,想对于图1、图2和图3,可将第一导电件110和第二导电件120的接触位置设置在中部,通过设置在端部的第四导电件140,在膨胀时直接将端部撑起,以使中部的接触位置分离。
方案二、并参考图5和图6,相对于图1至图4的方案,所述第一导电件110和第二导电件120中的一者可相对另一者相离相向移动,优选地,所述第一导电件110固定,所述第二导电件120可在第四导电件140的膨胀推动下上下移动,以远离或靠近第一导电件110;在图7和图8中,可通过设置第一凸起端子111和第二凸起端子121进行抵触,也可以在两端均设有凸起端子,也可以进在中间设置凸起端子,且两端设置有两套第三导电件130和第四导电件140的配合结构。
如图9所示,本发明还提供基于绝缘支架的两段式过温自恢复装置的较佳实施例。
所述第一导电件110和第二导电件120之间设有第一绝缘支架151,便于第一导电件110和第二导电件120之间平稳接触,所述所述第一绝缘支架151的一端固定且靠近第一凸起端子111和第二凸起端子121设置,所述第三导电件130和第四导电件140设置在第一绝缘支架151的另一侧,以实现第一导电件110和第二导电件120之间的支撑作用。
进一步的,第二导电件120的固定位置处应设置有第三绝缘支架153,一方面进行第二导电件120的固定,提高第一导电件110和第二导电件120配合程度,另一方面使第三导电件130和第四导电件140具有支撑点,再者,还可以进行第一导电件110和第二导电件120的绝缘,防止第二导通支路在导通时被无接触导致短路。
如图10所示,本发明提供一种标准封装结构的较佳实施例。
所述两段式过温自恢复装置还包括标准封装外壳200,所述第一导电件110与第一引脚112连接,所述第二导电件120与第二引脚122连接。优选地,所述第一导电件110与第一引脚112为一体式结构,所述第二导电件120与第二引脚122也为一体式结构,且第一引脚112和第一引脚112均同水平向标准封装外壳200外延伸;其中,采用表面贴的形式进行封装,根据电流大小选择陶瓷或塑料封装材料,以及,第一引脚112和第二引脚122均具有良好的导电和导热特性。
优选地,所述两段式过温自恢复装置采用半导体工艺加工形成MEMS,适用性更强,特别是在电路布局中可进行更广泛利用。微机电系统(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem),也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等,指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。微机电系统其内部结构一般在微米甚至纳米量级,是一个独立的智能系统。
进一步地,所述所述第一导电件110固定设置在底部,所述第二导电件120一端固定设置并与第二引脚122连接,其另一端在第三导电的膨胀推动下可绕着固定支点摆动;其中,所述两段式过温自恢复装置还包括设置在第二导电件120顶部的第五导体件160,所述第五导体件160为抗压性强的材质,一方面进行固定支撑,同时对内部结构进行保护,另一方面便于散热及热量传递。优选地,第五导体件160的一端与第二导电件120表面固定,其余位置与第二导电件120表面设有间隔10,便于第二导电件120的翘起。再进一步地,所述第五导体件160与第一导电件110之间设有第二绝缘支架152,以支撑第五导体件160。
当然,还可以设置散热结构,如散热垫片,提高标准封装外壳200的热量的散热。
如图11和图12所示,本发明提供第四导体件的较佳实施例。
所述第四导电件140的两端分别与第二导电件120固定;其中,所述所述第四导电件140处于正常状态时平整设置,所述第四导电件140处于热膨胀状态时,其中部远离与第二导电件120翘曲。
具体地,常温时,第四导电件140固定在第二导电件120上且表面水平平整,高温时,第四导电件140膨胀,但是由于两端均与第二导电件120固定,第四导电件140向远离第二导电件120的方向膨胀凸起,从而实现第二导电件120的移动。因此,在第四导电件140与第三导电件130之间优选非固定接触。通过第四导电件140的固定结构,提供稳定地凸起,以及提高整体结构的稳定性。
以上所述者,仅为本发明最佳实施例而已,并非用于限制本发明的范围,凡依本发明申请专利范围所作的等效变化或修饰,皆为本发明所涵盖。

Claims (12)

1.一种两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述两段式过温自恢复装置包括第一导电件、第二导电件、第三导电件和第四导电件,所述第三导电件为温度与阻值呈正比的导电材质且设置在第一导电件上,所述第四导电件为热膨胀系数大的材质且设置在第三导电件与第四导电件之间,所述第一导电件和第二导电件在第四导电件处于正常状态时抵触,且在第四导电件处于热膨胀状态时被膨胀撑离;其中,
所述第四导电件处于正常状态时,所述第一导电件与第二导电件构成第一导通支路;所述第四导电件处于热膨胀状态时,所述第一导电件、第三导电件、第四导电件和第二导电件依序构成第二导通支路。
2.根据权利要求1所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述第一导电件或第二导电件的一端固定设置,其另一端在第三导电的膨胀推动下可绕着固定支点摆动。
3.根据权利要求2所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述第二导电件的摆动端设有第二凸起端子,所述第一导电件设有与第二凸起端子配合抵触的第一凸起端子。
4.根据权利要求3所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述第一导电件和第二导电件之间设有第一绝缘支架,所述第一绝缘支架的一端固定且靠近第一凸起端子和第二凸起端子设置,所述第三导电件和第四导电件设置在第一绝缘支架的另一侧。
5.根据权利要求1所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述第一导电件和第二导电件中的一者可相对另一者相离相向移动。
6.根据权利要求1至5任一所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述第四导电件的两端分别与第二导电件固定;其中,所述所述第四导电件处于正常状态时平整设置,所述第四导电件处于热膨胀状态时,其中部远离与第二导电件翘曲。
7.根据权利要求1至5任一所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述两段式过温自恢复装置还包括标准封装外壳,所述第一导电件与第一引脚连接,所述第二导电件与第二引脚连接。
8.根据权利要求7所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述两段式过温自恢复装置采用半导体工艺加工形成MEMS。
9.根据权利要求7所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述所述第一导电件固定设置在底部,所述第二导电件一端固定设置并与第二引脚连接,其另一端在第三导电的膨胀推动下可绕着固定支点摆动;其中,所述两段式过温自恢复装置还包括设置在第二导电件顶部的第五导体件,所述第五导体件为抗压性强的材质。
10.根据权利要求9所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述第五导体件与第一导电件之间设有第二绝缘支架。
11.根据权利要求1所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述第三导电件的材质为温度与阻值呈正比的高分子聚合物材料。
12.根据权利要求1所述的两段式过温自恢复装置,其特征在于:所述第一导电件、第二导电件和第四导电件的阻值小于第三导电件在常温时的阻值。
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