CN111628747A

CN111628747A - 一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置

Info

Publication number: CN111628747A
Application number: CN202010336621.2A
Authority: CN
Inventors: 虞成城; 曹艳杰; 王伟
Original assignee: Shenzhen Sunway Communication Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Sunway Communication Co Ltd
Priority date: 2020-04-26
Filing date: 2020-04-26
Publication date: 2020-09-04
Anticipated expiration: 2040-04-26
Also published as: CN111628747B; WO2021217749A1

Abstract

本发明提供一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置。其中，滤波装置包括：基底、无源装置及至少一个谐振装置；其中，无源装置包括第一侧及第一侧相对的第二侧，基底位于第一侧，至少一个谐振装置位于第二侧。将谐振装置(例如，SAW或BAW谐振装置)及无源装置(例如，IPD)集成到一个晶片中形成射频滤波装置，可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用射频前端芯片中的空间。

Description

一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，本发明涉及一种滤波装置、一种射频前端装置及一种无线通信装置。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括：压电声表面(SurfaceAcoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)滤波器、IPD(Integrated Passive Devices)滤波器等。

SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。由SAW谐振器和BAW谐振器制作的滤波器受制于压电材料的机电耦合系数，通带宽度有限，而IPD具有较SAW滤波器和BAW滤波器更宽的通带(passband)。

结合谐振器(例如，SAW或BAW谐振器)和IPD形成的滤波器可以拓宽通带宽度并同时具有高带外抑制。然而，电连接单片谐振器和单片IPD(例如，SAW或BAW谐振器位于一个晶片中，IPD位于另一个晶片中)会占用更多RF前端芯片中的空间，及引入更高的制作成本。随着5G时代的到来，RF前端芯片会包括更多的RF前端模组，每个模组包括多个RF滤波器，芯片的尺寸却需要进一步缩小，因此空间优化会是RF滤波器设计中的一个重要考虑因素。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种滤波装置，所述滤波装置包括至少一个谐振装置(例如，BAW或SAW谐振装置)及无源装置(例如，IPD)，其中，所述至少一个谐振装置和所述无源装置位于一个晶片(die)中，从而可以拓宽通带宽度，同时具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。此外，与电连接单片谐振装置和单片无源装置相比，将谐振装置及无源装置集成到一个晶片中形成滤波装置可以减少电传输的损耗，从而提高滤波装置的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种滤波装置，包括：基底、无源装置及至少一个谐振装置；其中，所述无源装置包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述至少一个谐振装置位于所述第二侧。所述基底、所述无源装置及所述至少一个谐振装置位于一个晶片中。所述至少一个谐振装置与所述无源装置电连接。需要说明的是，所述至少一个谐振装置与所述无源装置通过所述滤波装置内部的通孔电连接，缩短了电传输距离，从而减少了电传输损耗。

在一些实施例中，所述无源装置包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。在一些实施例中，所述无源装置包括但不限于集成无源装置(IPD)，其中，所述集成无源装置通过半导体工艺形成。

在一些实施例中，所述至少一个谐振装置包括但不限于以下至少之一：表声波谐振装置、体声波谐振装置。

在一些实施例中，所述至少一个谐振装置包括第一谐振装置；其中，所述第一谐振装置包括：第一中间层，所述第一中间层包括第三侧及所述第三侧相对的第四侧，所述无源装置位于所述第三侧。在一些实施例中，所述第一中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

在一些实施例中，所述第一中间层还包括位于所述第四侧的第一空腔。在一些实施例中，所述第一谐振装置还包括：第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述第一空腔内；第一压电层，位于所述第四侧，位于所述第一电极层上；其中，所述第一压电层为平层，至少覆盖所述第一空腔；以及第二电极层，位于所述第一压电层上；其中，所述第一电极层和所述第二电极层分别位于所述第一压电层两侧。

在一些实施例中，所述第一中间层还包括位于所述第四侧的第一空腔。在一些实施例中，所述第一谐振装置还包括：第三电极层，位于所述第一空腔上，覆盖所述第一空腔；第二压电层，位于所述第四侧，位于所述第一中间层上方，至少覆盖所述第三电极层；以及第四电极层，位于所述第二压电层上；其中，所述第三电极层和所述第四电极层分别位于所述第二压电层两侧。

在一些实施例中，所述第一谐振装置还包括：第一反射层，位于所述第四侧，位于所述第一中间层上；其中，所述第一反射层的形状包括但不限于以下至少之一：梯形、拱形、矩形。在一些实施例中，所述第一反射层包括第二空腔。

在一些实施例中，所述第一谐振装置还包括：第一有源层，位于所述第一中间层上，覆盖所述第一反射层；其中，所述第一有源层包括：第三压电层及分别位于所述第三压电层两侧的第五电极层和第六电极层。在一些实施例中，所述第五电极层包括第一突起部，位于所述第一反射层上；其中，所述第一突起部的形状包括但不限于以下至少之一：梯形、拱形、矩形。在一些实施例中，所述第三压电层包括第二突起部，位于所述第一突起部上方；其中，所述第二突起部的形状包括但不限于以下至少之一：梯形、拱形、矩形。

在一些实施例中，所述第一中间层还包括：第一子反射层和第二子反射层，所述第一子反射层和所述第二子反射层交替设置；其中，所述第一子反射层和所述第二子反射层的材料不同。在一些实施例中，所述第一子反射层和所述第二子反射层的厚度不同。在一些实施例中，所述第一中间层还包括布拉格反射层。

在一些实施例中，所述第一谐振装置还包括：第二有源层，位于所述第四侧，位于所述第一中间层上；其中，所述第二有源层包括：第四压电层及分别位于所述第四压电层两侧的第七电极层和第八电极层；其中，所述第七电极层位于所述第一子反射层或所述第二子反射层上。在一些实施例中，所述第四压电层包括第三突起部，位于所述第七电极层上方。

在一些实施例中，所述至少一个谐振装置包括第二谐振装置；其中，所述第二谐振装置包括：第二中间层，所述第二中间层包括第五侧及所述第五侧相对的第六侧，所述无源装置位于所述第五侧。在一些实施例中，所述第二谐振装置还包括：第五压电层，位于所述第六侧，位于所述第二中间层上；第九电极层，位于所述第五压电层上；其中，所述第二中间层和所述第九电极层分别位于所述第五压电层的两侧。

在一些实施例中，所述第二中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

在一些实施例中，所述第九电极层包括第一电极条和第二电极条，交替设置；其中，所述第一电极条和所述第二电极条的极性不同。在一些实施例中，所述第九电极层包括叉指换能器。

在一些实施例中，所述第二谐振装置还包括：第三中间层，位于所述第五侧，位于所述无源装置与所述第二中间层之间，用于阻隔漏波。所述第二中间层和所述第三中间层的材料不同。在一些实施例中，所述第三中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

在一些实施例中，所述第二中间层还包括：第三子反射层和第四子反射层，所述第三子反射层和所述第四子反射层交替设置；其中，所述第三子反射层和所述第四子反射层的材料不同。在一些实施例中，所述第三子反射层和所述第四子反射层的厚度不同。在一些实施例中，所述第二中间层还包括布拉格反射层。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：至少一个上述实施例其中之一提供的第一滤波装置；功率放大装置，与所述第一滤波装置连接。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：至少一个上述实施例其中之一提供的第二滤波装置；低噪声放大装置，与所述第二滤波装置连接。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：多工装置，所述多工装置包括至少一个上述实施例其中之一提供的第三滤波装置。

本发明实施例还提供一种无线通信装置，包括但不限于：上述实施例其中之一所述的射频前端装置；天线，与所述射频前端装置的第一端连接；以及基带处理装置，与所述射频前端装置的第二端连接。

附图说明

图1是本发明实施例的一种滤波装置100的剖面A结构示意图；

图2a是本发明实施例的一种滤波装置200的剖面A结构示意图；

图2b是一种六方晶系晶体的结构示意图；

图2c(i)是一种正交晶系晶体的结构示意图；

图2c(ii)是一种四方晶系晶体的结构示意图；

图2c(iii)是一种立方晶系晶体的结构示意图；

图3是本发明实施例的一种滤波装置300的剖面A结构示意图；

图4是本发明实施例的一种滤波装置400的剖面A结构示意图；

图5是本发明实施例的一种滤波装置500的剖面A结构示意图；

图6是本发明实施例的一种滤波装置600的剖面A结构示意图；

图7是本发明实施例的一种滤波装置700的剖面A结构示意图；

图8是本发明实施例的一种滤波装置800的剖面A结构示意图；

图9是本发明实施例的一种滤波装置900的剖面A结构示意图；

图10是本发明实施例的一种滤波装置1000的剖面A结构示意图；

图11是本发明实施例的一种滤波装置1100的剖面A结构示意图；

图12是本发明实施例的一种滤波装置1200的剖面A结构示意图；

图13a是本发明实施例的一种滤波装置1300的剖面A结构示意图；

图13b是本发明实施例的一种滤波装置1300的等效电路示意图；

图14a是本发明实施例的一种滤波装置1400的剖面A结构示意图；

图14b是本发明实施例的一种滤波装置1400的等效电路示意图；

图14c是本发明实施例的一种滤波装置1400的剖面B结构示意图；

图15a是本发明实施例的一种滤波装置1500的剖面A结构示意图；

图15b是本发明实施例的一种滤波装置1500的等效电路示意图；

图16a是本发明实施例的一种滤波装置1600的剖面A结构示意图；

图16b是本发明实施例的一种滤波装置1600的等效电路示意图；以及

图17是本发明实施例的一种滤波装置的性能示意图1700。

需要说明的是，所述剖面A和所述剖面B为互相正交的两个剖面。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

如背景技术部分所述，电连接单片谐振装置及单片无源装置(例如，SAW或BAW谐振装置位于一个晶片中，IPD位于另一个晶片中)会占用更多RF前端芯片中的空间，及引入更高的制作成本。

本发明的发明人发现，可以将谐振装置(例如，SAW或BAW谐振装置)及无源装置(例如，IPD)集成到一个晶片中形成RF滤波装置，从而可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。

本发明的发明人还发现，与电连接单片谐振装置和单片无源装置相比，将谐振装置和无源装置集成到一个晶片中可以减少电传输的损耗，从而提高滤波性能。

本发明实施例提供一种滤波装置，包括：基底、无源装置及至少一个谐振装置；其中，所述无源装置包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述至少一个谐振装置位于所述第二侧。所述基底、所述无源装置及所述至少一个谐振装置位于一个晶片中。所述至少一个谐振装置与所述无源装置电连接。

需要说明的是，将所述至少一个谐振装置及所述无源装置集成到一个晶片中形成所述滤波装置，可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。此外，所述至少一个谐振装置与所述无源装置通过所述滤波装置内部的通孔电连接，缩短了电传输距离，从而减少了电传输损耗。

图1至图12示出了本发明的多个具体实施例，所述多个具体实施例采用不同结构的谐振装置，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

图1是本发明实施例的一种滤波装置100的剖面A结构示意图。

如图1所示，本发明实施例提供一种滤波装置100包括：基底101，所述基底101为晶片基底；无源装置103，位于所述基底101上方；以及至少一个谐振装置105，位于所述无源装置103上方。

本实施例中，所述基底101位于所述无源装置103的第一侧103a，所述至少一个谐振装置105位于所述无源装置的第二侧103b。本实施例中，所述基底101、所述无源装置103、以及所述至少一个谐振装置105位于一个晶片中。本实施例中，所述至少一个谐振装置105与所述无源装置103电连接。

本实施例中，所述基底101的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置103包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述至少一个谐振装置105包括但不限于以下至少之一：SAW谐振装置、BAW谐振装置。

需要说明的是，将谐振装置及无源装置集成到一个晶片中形成滤波装置，可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。

图2a是本发明实施例的一种滤波装置200的剖面A结构示意图。

如图2a所示，本发明实施例提供一种滤波装置200包括：基底210，所述基底210为晶片基底；无源装置230，位于所述基底210上方；以及BAW谐振装置250，位于所述无源装置230上方。

本实施例中，所述基底210和所述BAW谐振装置250分别位于所述无源装置230的两侧。本实施例中，所述基底210、所述无源装置230及所述BAW谐振装置250位于一个晶片中。本实施例中，所述BAW谐振装置250与所述无源装置230电连接。

本实施例中，所述基底210的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置230包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述BAW谐振装置250包括：中间层251，位于所述无源装置230上，其中，所述中间层251的上表面侧包括空腔253；电极层255，位于所述空腔253内；压电层257，位于所述电极层255上，所述无源装置230和所述压电层257分别位于所述中间层251的两侧，其中，所述压电层257为平层，覆盖所述空腔253；以及电极层259，位于所述压电层257上；其中，谐振区(即，所述电极层255和所述电极层259的重合区域)相对于所述空腔253悬空，与所述中间层251没有重合部。

本实施例中，所述中间层251的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述电极层255的第一端255a位于所述空腔253内，所述电极层255的第二端255b也位于所述空腔253内，接触所述空腔253的侧壁，其中，所述第二端255b与所述第一端255a相对。在另一个实施例中，下电极层的第二端位于空腔内，与所述空腔的侧壁无接触。本实施例中，所述电极层255的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述压电层257还覆盖所述中间层251的上表面侧。本实施例中，所述压电层257的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述压电层257包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图2b所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图2c所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。

本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。

本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。

本实施例中，所述压电层257包括多个晶体，所述多个晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶格质量，半峰宽角度越小说明晶格质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。

需要说明的是，在平面上形成所述压电层257可以使所述压电层257不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。

本实施例中，所述电极层259的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

需要说明的是，将BAW谐振装置和无源装置集成到一个晶片中形成滤波装置，可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。

图3是本发明实施例的一种滤波装置300的剖面A结构示意图。

如图3所示，本发明实施例提供一种滤波装置300包括：基底310，所述基底310为晶片基底；无源装置330，位于所述基底310上方；以及BAW谐振装置350，位于所述无源装置330上方。

本实施例中，所述基底310和所述BAW谐振装置350分别位于所述无源装置330的两侧。本实施例中，所述基底310、所述无源装置330及所述BAW谐振装置350位于一个晶片中。本实施例中，所述BAW谐振装置350与所述无源装置330电连接。

本实施例中，所述基底310的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置330包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述BAW谐振装置350包括：中间层351，位于所述无源装置330上，其中，所述中间层351的上表面侧包括空腔352及凹槽353，所述凹槽353位于所述空腔352的一侧并和所述空腔352相通，所述凹槽353的深度小于所述空腔352的深度；电极层354，所述电极层354的第一端354a位于所述空腔352内，所述电极层354的第二端354b位于所述凹槽353内，其中，所述第二端354b与所述第一端354a相对；压电层355，位于所述电极层354上，所述无源装置330和所述压电层355分别位于所述中间层351的两侧，其中，所述压电层355为平层，覆盖所述空腔352；以及电极层356，位于所述压电层355上；其中，谐振区(即，所述电极层354和所述电极层356的重合区域)相对于所述空腔352悬空，与所述中间层351没有重合部。

本实施例中，所述中间层351的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述凹槽353的深度等于所述电极层354的厚度。

本实施例中，所述电极层354的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述压电层355还覆盖所述中间层351的上表面侧。本实施例中，所述压电层355的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述压电层355包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。

本实施例中，所述压电层355包括多个晶体，所述多个晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。

需要说明的是，在平面上形成所述压电层355可以使所述压电层355不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。

本实施例中，所述电极层356的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

图4是本发明实施例的一种滤波装置400的剖面A结构示意图。

如图4所示，本发明实施例提供一种滤波装置400包括：基底410，所述基底410为晶片基底；无源装置430，位于所述基底410上方；以及BAW谐振装置450，位于所述无源装置430上方。

本实施例中，所述基底410和所述BAW谐振装置450分别位于所述无源装置430的两侧。本实施例中，所述基底410、所述无源装置430及所述BAW谐振装置450位于一个晶片中。本实施例中，所述BAW谐振装置450与所述无源装置430电连接。

本实施例中，所述基底410的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置430包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述BAW谐振装置450包括：中间层451，位于所述无源装置430上，其中，所述中间层451的上表面侧包括空腔453；电极层455，位于所述空腔453上，覆盖所述空腔453，所述无源装置430和所述电极层455分别位于所述中间层451的两侧；压电层457，位于所述电极层455上；以及电极层459，位于所述压电层457上；其中，谐振区(即，所述电极层455和所述电极层459的重合区域)与所述中间层451有重合部，其中，所述重合部分别位于所述空腔453的两侧。

本实施例中，所述中间层451的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述电极层455还位于所述中间层451上。本实施例中，所述电极层455的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述压电层457的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述电极层459的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

图5是本发明实施例的一种滤波装置500的剖面A结构示意图。

如图5所示，本发明实施例提供一种滤波装置500包括：基底510，所述基底510为晶片基底；无源装置530，位于所述基底510上方；以及BAW谐振装置550，位于所述无源装置530上方。

本实施例中，所述基底510和所述BAW谐振装置550分别位于所述无源装置530的两侧。本实施例中，所述基底510、所述无源装置530及所述BAW谐振装置550位于一个晶片中。本实施例中，所述BAW谐振装置550与所述无源装置530电连接。

本实施例中，所述基底510的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置530包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述BAW谐振装置550包括：中间层551，位于所述无源装置530上，其中，所述中间层551的上表面侧包括空腔553；电极层555，位于所述空腔553上，覆盖所述空腔553，所述无源装置530和所述电极层555分别位于所述中间层551的两侧；压电层557，位于所述中间层551上，覆盖所述电极层555，其中，所述压电层557包括突起部557a，位于所述电极层555上方；以及电极层559，位于所述压电层557上，所述电极层559包括突起部559a，位于所述突起部557a上；其中，谐振区(即，所述电极层555和所述电极层559的重合区域)与所述中间层551有重合部，其中，所述重合部位于所述空腔553的一侧。

本实施例中，所述中间层551的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述电极层555还位于所述中间层551上。本实施例中，所述电极层555的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。本实施例中，所述电极层555的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，下电极层的剖面A呈矩形。

本实施例中，所述压电层557还覆盖所述中间层551的上表面侧。本实施例中，所述压电层557的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述突起部557a的突起高度大于或等于所述电极层555的厚度。本实施例中，所述突起部557a的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈矩形。

本实施例中，所述电极层559的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述突起部559a的突起高度大于或等于所述电极层555的厚度。本实施例中，所述突起部559a的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈矩形。

图6是本发明实施例的一种滤波装置600的剖面A结构示意图。

如图6所示，本发明实施例提供一种滤波装置600包括：基底610，所述基底610为晶片基底；无源装置630，位于所述基底610上方；以及BAW谐振装置650，位于所述无源装置630上方。

本实施例中，所述基底610和所述BAW谐振装置650分别位于所述无源装置630的两侧。本实施例中，所述基底610、所述无源装置630及所述BAW谐振装置650位于一个晶片中。本实施例中，所述BAW谐振装置650与所述无源装置630电连接。

本实施例中，所述基底610的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置630包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述BAW谐振装置650包括：中间层651，位于所述无源装置630上，用于阻隔漏波；反射层653，位于所述中间层651上，所述无源装置630和所述反射层653分别位于所述中间层651的两侧；电极层655，位于所述中间层651上，所述电极层655包括突起部655a，位于所述反射层653上；压电层657，位于所述中间层651上，所述压电层657包括突起部657a，位于所述突起部655a上方；以及电极层659，位于所述压电层657上，所述电极层659包括突起部659a，位于所述突起部657a上；其中，谐振区(即，所述电极层655和所述电极层659的重合区域)位于所述反射层653上方；其中，所述电极层655、所述压电层657及所述电极层659形成所述BAW谐振装置650的有源层，所述有源层覆盖所述反射层653。

本实施例中，所述中间层651的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述反射层653的剖面A呈梯形。本实施例中，所述反射层653为空腔。在另一个实施例中，反射层包括反射声波的材料或结构。

本实施例中，所述电极层655的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述突起部655a的突起高度大于或等于所述反射层653的厚度(即，所述空腔653的深度)。本实施例中，所述突起部655a的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈矩形。

本实施例中，所述压电层657的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述突起部657a的突起高度大于或等于所述反射层653的厚度(即，所述空腔653的深度)。本实施例中，所述突起部657a的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈矩形。

本实施例中，所述电极层659的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述突起部659a的突起高度大于或等于所述反射层653的厚度(即，所述空腔653的深度)。本实施例中，所述突起部659a的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第三突起部的剖面A呈矩形。

图7是本发明实施例的一种滤波装置700的剖面A结构示意图。

如图7所示，本发明实施例提供一种滤波装置700包括：基底710，所述基底710为晶片基底；无源装置730，位于所述基底710上方；以及BAW谐振装置750，位于所述无源装置730上方。

本实施例中，所述基底710和所述BAW谐振装置750分别位于所述无源装置730的两侧。本实施例中，所述基底710、所述无源装置730及所述BAW谐振装置750位于一个晶片中。本实施例中，所述BAW谐振装置750与所述无源装置730电连接。

本实施例中，所述基底710的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置730包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述BAW谐振装置750包括：中间层751，位于所述无源装置730上，用于阻隔漏波；反射层753，位于所述中间层751上，所述无源装置730和所述反射层753分别位于所述中间层751的两侧；电极层755，位于所述中间层751上，所述电极层755包括突起部755a，位于所述反射层753上；压电层757，位于所述中间层751上，所述压电层757包括突起部757a，位于所述突起部755a上方；以及电极层759，位于所述压电层757上，所述电极层759包括突起部759a，位于所述突起部757a上；其中，谐振区(即，所述电极层755和所述电极层759的重合区域)位于所述反射层753上方；其中，所述电极层755、所述压电层757及所述电极层759形成所述BAW谐振装置750的有源层，所述有源层覆盖所述反射层753；其中，所述反射层753的剖面A呈拱形。

本实施例中，所述中间层751的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述反射层753为空腔。在另一个实施例中，反射层包括反射声波的材料或结构。

本实施例中，所述电极层755的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述突起部755a的突起高度大于或等于所述反射层753的厚度(即，所述空腔753的深度)。本实施例中，所述突起部以755a的剖面A呈拱形。

本实施例中，所述压电层757的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述突起部757a的突起高度大于或等于所述反射层753的厚度(即，所述空腔753的深度)。本实施例中，所述突起部757a的剖面A呈拱形。

本实施例中，所述电极层759的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述突起部759a的突起高度大于或等于所述反射层753的厚度(即，所述空腔753的深度)。本实施例中，所述突起部759a的剖面A呈拱形。

图8是本发明实施例的一种滤波装置800的剖面A结构示意图。

如图8所示，本发明实施例提供一种滤波装置800包括：基底810，所述基底810为晶片基底；无源装置830，位于所述基底810上方；以及BAW谐振装置850，位于所述无源装置830上方。

本实施例中，所述基底810和所述BAW谐振装置850分别位于所述无源装置830的两侧。本实施例中，所述基底810、所述无源装置830及所述BAW谐振装置850位于一个晶片中。本实施例中，所述BAW谐振装置850与所述无源装置830电连接。

本实施例中，所述基底810的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置830包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述BAW谐振装置850包括：反射层851，位于所述无源装置830上；电极层853，位于所述反射层851上，所述无源装置830和所述电极层853分别位于所述反射层851的两侧；压电层855，位于所述电极层853上；以及电极层857，位于所述压电层855上；其中，所述反射层851包括多个子反射层851a及多个子反射层851b，所述子反射层851a和所述子反射层851b交替堆叠。

本实施例中，所述子反射层851a与所述子反射层851b的材料不同，从而所述子反射层851a与所述子反射层851b的声阻抗不同。本实施例中，所述子反射层851a的材料包括但不限于以下至少之一：碳氧化硅、氮化硅、二氧化硅、氮化铝、钨、钼。本实施例中，所述子反射层851b的材料包括但不限于以下至少之一：碳氧化硅、氮化硅、二氧化硅、氮化铝、钨、钼。

本实施例中，所述反射层851为四分之一波布拉格反射镜(quarter-wave Braggmirror)。本实施例中，所述子反射层851a的厚度是所述子反射层851b的厚度的两倍。在另一个实施例中，子反射层的厚度一致。需要说明的是，本实施例中的四分之一波布拉格反射镜仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他声反射层也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述电极层853的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述压电层855的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述电极层857的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

图9是本发明实施例的一种滤波装置900的剖面A结构示意图。

如图9所示，本发明实施例提供一种滤波装置900包括：基底910，所述基底910为晶片基底；无源装置930，位于所述基底910上方；以及BAW谐振装置950，位于所述无源装置930上方。

本实施例中，所述基底910和所述BAW谐振装置950分别位于所述无源装置930的两侧。本实施例中，所述基底910、所述无源装置930及所述BAW谐振装置950位于一个晶片中。本实施例中，所述BAW谐振装置950与所述无源装置930电连接。

本实施例中，所述基底910的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置930包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述BAW谐振装置950包括：反射层951，位于所述无源装置930上；电极层953，位于所述反射层951上，所述无源装置930和所述电极层953分别位于所述反射层951的两侧；压电层955，位于所述反射层951上，所述压电层955包括突起部955a，位于所述电极层953上方；以及电极层957，位于所述压电层955上，所述电极层957包括突起部957a，位于所述突起部955a上；其中，所述电极层953与所述突起部957a部分重合；其中，所述反射层951包括多个子反射层951a及多个子反射层951b，所述子反射层951a和所述子反射层951b交替堆叠。

本实施例中，所述子反射层951a与所述子反射层951b的材料不同，从而所述子反射层951a与所述子反射层951b的声阻抗不同。本实施例中，所述子反射层951a的材料包括但不限于以下至少之一：碳氧化硅、氮化硅、二氧化硅、氮化铝、钨、钼。本实施例中，所述子反射层951b的材料包括但不限于以下至少之一：碳氧化硅、氮化硅、二氧化硅、氮化铝、钨、钼。

本实施例中，所述反射层951为四分之一波布拉格反射镜(quarter-wave Braggmirror)。本实施例中，所述子反射层951a的厚度是所述子反射层951b的厚度的两倍。在另一个实施例中，子反射层的厚度一致。需要说明的是，本实施例中的四分之一波布拉格反射镜仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他声学反射层也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述电极层953的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。本实施例中，所述电极层953的剖面A呈矩形。在另一个实施例中，下电极层的剖面A呈梯形。

本实施例中，所述压电层955的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述突起部955a的高度大于或等于所述电极层953的厚度。本实施例中，所述突起部955a的剖面A呈矩形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈梯形。

本实施例中，所述电极层957的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。

本实施例中，所述突起部957a的高度大于或等于所述电极层953的厚度。本实施例中，所述突起部957a的剖面A呈矩形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈梯形。

图10是本发明实施例的一种滤波装置1000的剖面A结构示意图。

如图10所示，本发明实施例提供一种滤波装置1000包括：基底1010，所述基底1010为晶片基底；无源装置1030，位于所述基底1010上方；以及SAW谐振装置1050，位于所述无源装置1030上方。

本实施例中，所述基底1010和所述SAW谐振装置1050分别位于所述无源装置1030的两侧。本实施例中，所述基底1010、所述无源装置1030及所述SAW谐振装置1050位于一个晶片中。本实施例中，所述SAW谐振装置1050与所述无源装置1030电连接。

本实施例中，所述基底1010的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置1030包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述SAW谐振装置1050包括：中间层1051，位于所述无源装置1030上，用于阻隔漏波；压电层1053，位于所述中间层1051上，所述无源装置1030和所述压电层1053分别位于所述中间层1051两侧；电极层1055，位于所述压电层1053上，其中，所述电极层1055包括多个电极条1055a和多个电极条1055b。

本实施例中，所述中间层1051的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述压电层1053的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述多个电极条1055a与所述多个电极条1055b的极性不同。本实施例中，所述电极条1055a与所述电极条1055b交替设置。本实施例中，相邻的所述电极条1055a和所述电极条1055b之间的间隔一致。

本实施例中，所述电极层1055包括叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)。

需要说明的是，将SAW谐振装置和无源装置集成到一个晶片中形成滤波装置，可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。

图11是本发明实施例的一种滤波装置1100的剖面A结构示意图。

如图11所示，本发明实施例提供一种滤波装置1100包括：基底1110，所述基底1110为晶片基底；无源装置1130，位于所述基底1110上方；以及SAW谐振装置1150，位于所述无源装置1130上方。

本实施例中，所述基底1110和所述SAW谐振装置1150分别位于所述无源装置1130的两侧。本实施例中，所述基底1110、所述无源装置1130及所述SAW谐振装置1150位于一个晶片中。本实施例中，所述SAW谐振装置1150与所述无源装置1130电连接。

本实施例中，所述基底1110的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置1130包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述SAW谐振装置1150包括：中间层1151，位于所述无源装置1130上；中间层1153，位于所述中间层1151上，所述无源装置1130和所述中间层1154分别位于所述中间层1151两侧；压电层1155，位于所述中间层1153上；电极层1157，位于所述压电层1155上，其中，所述电极层1157包括多个电极条1157a和多个电极条1157b；其中，所述中间层1151和所述中间层1153的材料不同，从而声阻抗不同，用于阻隔漏波。

本实施例中，所述中间层1151的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述中间层1153的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述压电层1155的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述多个电极条1157a与所述多个电极条1157b的极性不同。本实施例中，所述电极条1157a与所述电极条1157b交替设置。本实施例中，相邻的所述电极条1157a和所述电极条1157b之间的间隔一致。

本实施例中，所述电极层1157包括叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)。

图12是本发明实施例的一种滤波装置1200的剖面A结构示意图。

如图12所示，本发明实施例提供一种滤波装置1200包括：基底1210，所述基底1210为晶片基底；无源装置1230，位于所述基底1210上方；以及SAW谐振装置1250，位于所述无源装置1230上方。

本实施例中，所述基底1210和所述SAW谐振装置1250分别位于所述无源装置1230的两侧。本实施例中，所述基底1210、所述无源装置1230及所述SAW谐振装置1250位于一个晶片中。本实施例中，所述SAW谐振装置1250与所述无源装置1230电连接。

本实施例中，所述基底1210的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置1230包括但不限于以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的无源装置(例如，IPD)可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述SAW谐振装置1250包括：反射层1251，位于所述无源装置1230上；压电层1253，位于所述反射层1251上，所述无源装置1230和所述压电层1253分别位于所述反射层1251两侧；电极层1255，位于所述压电层1253上，其中，所述电极层1255包括多个电极条1255a和多个电极条1255b；其中，所述反射层1251包括多个子反射层1251a及多个子反射层1251b，其中，所述子反射层1251a和所述子反射层1251b交替堆叠。

本实施例中，所述子反射层1251a与所述子反射层1251b的材料不同，从而所述子反射层1251a与所述子反射层1251b的声阻抗不同。本实施例中，所述子反射层1251a的材料包括但不限于以下至少之一：碳氧化硅、氮化硅、二氧化硅、氮化铝、钨、钼。本实施例中，所述子反射层1251b的材料包括但不限于以下至少之一：碳氧化硅、氮化硅、二氧化硅、氮化铝、钨、钼。

本实施例中，所述反射层1251为四分之一波布拉格反射镜(quarter-wave Braggmirror)。本实施例中，所述子反射层1251a的厚度是所述子反射层1251b的厚度的两倍。在另一个实施例中，子反射层的厚度一致。需要说明的是，本实施例中的四分之一波布拉格反射镜仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他声学反射层也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述压电层1253的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述多个电极条1255a与所述多个电极条1255b的极性不同。本实施例中，所述电极条1255a与所述电极条1255b交替设置。本实施例中，相邻的所述电极条1255a和所述电极条1255b之间的间隔一致。

本实施例中，所述电极层1255包括叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)。

图13至图15示出了本发明的多个具体实施例，采用不同的无源装置，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

图13a是本发明实施例的一种滤波装置1300的剖面A结构示意图。

如图13a所示，本发明实施例提供一种滤波装置1300包括：基底1310，所述基底1310为晶片基底；无源装置1330，位于所述基底1310上方；以及谐振装置1350，位于所述无源装置1330上方。

本实施例中，所述基底1310位于所述无源装置1330的第一侧1330a，所述谐振装置1350位于所述无源装置1330的第二侧1330b。本实施例中，所述基底1310、所述无源装置1330及所述谐振装置1350位于一个晶片中。

本实施例中，所述基底1310的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置1330包括：电容1331，位于所述基底1310上；中间层1333，位于所述基底1310上，覆盖所述电容1331。

本实施例中，所述电容1331为金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容。本实施例中，所述电容1331通过半导体工艺形成。需要说明的是，本实施例中的MIM电容仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他半导体工艺制作的电容，例如，金属-氧化物-金属(Metal-Oxide-Metal，MOM)电容，也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述中间层1333的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述谐振装置1350包括但不限于以下至少之一：SAW谐振装置、BAW谐振装置。本实施例中，所述谐振装置1350包括有源区1351，所述有源区1351包括压电层及至少一个电极层。

本实施例中，所述滤波装置1300还包括：通孔1371及通孔1373；其中，所述通孔1371的第一端电连接所述至少一个电极层中的一个或多个电极层，所述通孔1371的第二端电连接所述电容1331的第一端，所述通孔1373的第一端电连接所述电容1331的第二端，所述通孔1373的第二端连接至接地。

图13b是本发明实施例的一种滤波装置1300的等效电路示意图。

如图13b所示，所述滤波装置1300的等效电路包括：所述谐振装置1350及所述电容1331；其中，所述谐振装置1350的第一端连接至输入端in；所述谐振装置1350的第二端连接所述电容1331的第一端；所述谐振装置1350的第二端还连接至输出端out；所述电容1331的第一端还连接至所述输出端out；所述电容1331的第二端连接至接地。

需要说明的是，将谐振装置和无源装置集成到一个晶片中形成滤波装置，可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。此外，与电连接单片谐振装置和单片无源装置相比，将谐振装置和无源装置集成到一个晶片中可以减少电传输的损耗(电传输路径更短的缘故)，从而提高滤波性能。

图14a是本发明实施例的一种滤波装置1400的剖面A结构示意图。

如图14a所示，本发明实施例提供一种滤波装置1400包括：基底1410，所述基底1410为晶片基底；无源装置1430，位于所述基底1410上方；以及谐振装置1450，位于所述无源装置1430上方。

本实施例中，所述基底1410位于所述无源装置1430的第一侧1430a，所述谐振装置1450位于所述无源装置1430的第二侧1430b。本实施例中，所述基底1410、所述无源装置1430及所述谐振装置1450位于一个晶片中。

本实施例中，所述基底1410的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置1430包括：电感1431，位于所述基底1410上；中间层1433，位于所述基底1410上；其中，所述电感1431嵌入所述中间层1433中。

本实施例中，所述电感1431为螺旋电感(spiral inductor)。本实施例中，所述电感1431通过半导体工艺形成。需要说明的是，本实施例中的螺旋电感仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他半导体工艺制作的电感也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述电感1431的厚度等于所述中间层1433的厚度。在另一个实施例中，电感的厚度小于中间层的厚度。

本实施例中，所述中间层1433的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述谐振装置1450包括但不限于以下至少之一：SAW谐振装置、BAW谐振装置。本实施例中，所述谐振装置1450包括有源区1451，所述有源区1451包括压电层及至少一个电极层。

本实施例中，所述滤波装置1400还包括：通孔1471及通孔1473；其中，所述通孔1471的第一端电连接所述至少一个电极层中的一个或多个电极层，所述通孔1471的第二端电连接所述电感1431的第一端，所述通孔1473的第一端电连接所述电感1431的第二端，所述通孔1473的第二端连接至接地。

图14b是本发明实施例的一种滤波装置1400的等效电路示意图。

如图14b所示，所述滤波装置1400的等效电路包括：所述谐振装置1450及所述电感1431；其中，所述谐振装置1450的第一端连接至输入端in；所述谐振装置1450的第二端连接所述电感1431的第一端；所述谐振装置1450的第二端还连接至输出端out；所述电感1431的第一端还连接至所述输出端out；所述电感1431的第二端连接至接地。

图14c是本发明实施例的一种滤波装置1400的剖面B结构示意图(即，所述无源装置1430的俯视图)。

如图14c所示，本实施例中，所述电感1431的剖面B呈四边形。在另一个实施例中，电感的剖面B形状包括但不限于以下至少之一：五边形、六边形、八边形、圆形、椭圆形。本实施例中，所述电感1431包括两层线圈。在另一个实施例中，电感包括三层或三层以上线圈。需要说明的是，本实施例中的螺旋电感仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他螺旋电感也可以应用于本发明实施例。

图15a是本发明实施例的一种滤波装置1500的剖面A结构示意图。

如图15a所示，本发明实施例提供一种滤波装置1500包括：基底1510，所述基底1510为晶片基底；无源装置1530，位于所述基底1510上方；以及谐振装置1550，位于所述无源装置1530上方。

本实施例中，所述基底1510位于所述无源装置1530的第一侧1530a，所述谐振装置1550位于所述无源装置1530的第二侧1530b。本实施例中，所述基底1510、所述无源装置1530及所述谐振装置1550位于一个晶片中。

本实施例中，所述基底1510的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述无源装置1530包括：电阻1531，位于所述基底1510上；中间层1533，位于所述基底1510上，覆盖所述电阻1531；其中，所述电阻1531包括电阻层1531a，位于所述中间层1533与所述基底1510之间。在另一个实施例中，电阻层位于基底上，覆盖所述基底，中间层位于所述电阻层上。本实施例中，所述电阻1531通过半导体工艺形成。需要说明的是，本实施例中的电阻仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他半导体工艺制作的电阻也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述中间层1533的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述谐振装置1550包括但不限于以下至少之一：SAW谐振装置、BAW谐振装置。本实施例中，所述谐振装置1550包括有源区1551，所述有源区1551包括压电层及至少一个电极层。

本实施例中，所述滤波装置1500还包括：通孔1571及通孔1573；其中，所述通孔1571的第一端电连接所述至少一个电极层中的一个或多个电极层，所述通孔1571的第二端电连接所述电阻1531的第一端，所述通孔1573的第一端电连接所述电阻1531的第二端，所述通孔1573的第二端连接至接地。

图15b是本发明实施例的一种滤波装置1500的等效电路示意图。

如图15b所示，所述滤波装置1500的等效电路包括：所述谐振装置1550及所述电阻1531；其中，所述谐振装置1550的第一端连接至输入端in；所述谐振装置1550的第二端连接所述电阻1531的第一端；所述谐振装置1550的第二端还连接至输出端out；所述电阻1531的第一端还连接至所述输出端out；所述电阻1531的第二端连接至接地。

图16示出了本发明的一个具体实施例，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

图16a是本发明实施例的一种滤波装置1600的剖面A结构示意图。

如图16a所示，本发明实施例提供一种滤波装置1600包括：基底1610，所述基底1610为晶片基底；集成无源装置(IPD)1630，位于所述基底1610上方；以及至少一个谐振装置1650，位于所述IPD 1630上方。

本实施例中，所述基底1610及所述至少一个谐振装置1650分别位于所述IPD 1630的两侧。本实施例中，所述基底1610、所述IPD 1630及所述至少一个谐振装置1650位于一个晶片中。

本实施例中，所述基底1610的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、二氧化硅、砷化镓、氮化镓、氧化铝、氧化镁、陶瓷、聚合物。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。

本实施例中，所述IPD 1630包括：电容1631、电容1632及电容1633，位于所述基底1610上；中间层1634，位于所述基底1610上，覆盖所述电容1631、所述电容1632及所述电容1633；电感1635，位于所述中间层1634上；中间层1636，位于所述中间层1634上；其中，所述电感1635嵌入所述中间层1636中。

本实施例中，所述电容1631、所述电容1632及所述电容1633为MIM电容。本实施例中，所述电容1631、所述电容1632及所述电容1633通过半导体工艺形成。需要说明的是，本实施例中的MIM电容仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他半导体工艺制作的电容，例如，MOM电容，也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述中间层1634的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述电感1635为螺旋电感。本实施例中，所述电感1635通过半导体工艺形成。需要说明的是，本实施例中的螺旋电感仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他半导体工艺制作的电感也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，所述电感1635的厚度等于所述中间层1636的厚度。在另一个实施例中，电感的厚度小于中间层的厚度。

本实施例中，所述中间层1636的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述至少一个谐振装置1650包括BAW谐振装置1651和BAW谐振装置1653；其中，所述BAW谐振装置1651包括第一有源区(未标引)，所述第一有源区包括压电层(未标引)及位于所述压电层两侧的电极层1651a和电极层1651b；其中，所述BAW谐振装置1653包括第二有源区(未标引)，所述第二有源区包括所述压电层及位于所述压电层两侧的电极层1653a和电极层1653b。

需要说明的是，本实施例中的所述BAW谐振装置1651和1653仅是具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，所属技术领域的技术人员知晓的其他BAW谐振装置或SAW谐振装置也可以应用于本发明实施例。

在另一个实施例中，滤波装置包括3个或3个以上BAW或SAW谐振装置。

本实施例中，所述滤波装置1600还包括多个通孔1670；所述电极层1651a用于连接输入端；所述电极层1651b通过所述通孔1670分别电连接所述电容1631的第一端、所述电容1632的第一端及所述电感1635的第一端；所述电容1631的第二端通过所述通孔1670连接接地；所述电容1632的第二端及所述电感1635的第二端通过所述通孔1670电连接所述电极层1653b；所述电极层1653b通过所述通孔1670还电连接所述电容1633的第一端；所述电容1633的第二端通过所述通孔1670连接接地；所述电极层1653a用于连接输出端。

图16b是本发明实施例的一种滤波装置1600的等效电路示意图。

如图16b所示，所述滤波装置1600的等效电路包括：所述BAW谐振装置1651、所述电容1631、所述电容1632、所述电感1635、所述电容1633及所述BAW谐振装置1653；所述谐振装置1651的第一端连接至输入端in；所述谐振装置1651的第二端分别电连接所述电容1631的第一端、所述电容1632的第一端及所述电感1635的第一端；所述电容1631的第一端还电连接所述电容1632的第一端及所述电感1635的第一端；所述电容1631的第二端连接至接地；所述电容1632的第一端还连接所述电感1635的第一端；所述电容1632的第二端分别电连接所述电感1635的第二端、所述BAW谐振装置1653的第一端及所述电容1633的第一端；所述电感1635的第二端还电连接所述BAW谐振装置1653的第一端及所述电容1633的第一端；所述电容1633的第一端还电连接所述BAW谐振装置1653的第一端；所述电容1633的第二端连接至接地；所述BAW谐振装置1653的第二端连接至输出端out。

本实施例中，所述电容1631、所述电容1632、所述电容1633及所述电感1635形成的所述IPD 1630的等效电路为带通滤波器(band-pass filter)电路。在另一个实施例中，IPD的等效电路包括但不限于以下至少之一：低通滤波器(low-pass filter)电路、高通滤波器(high-pass filter)电路、带阻滤波器(band-stop filter)电路。

需要说明的是，本实施例中的电路仅是一个具体实施例，本发明不受所述具体实施例的限制，本发明实施例可以采用所属技术领域的技术人员知晓的其他电路。

图17示出了本发明实施例的一种滤波装置的性能示意图1700，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的滤波装置来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

本发明实施例提供一种滤波装置(未图示)包括：晶片基底、带通滤波装置(例如，图16中的IPD 1630)、第一BAW谐振装置(例如，图16中的BAW谐振装置1651)、以及第二BAW谐振装置(例如，图16中的BAW谐振装置1653)；其中，所述第一BAW谐振装置和所述第二BAW谐振装置位于所述带通滤波装置的第一侧，所述晶片基底位于所述带通滤波装置的第二侧，所述第一侧与所述第二侧相对。

本实施例中，所述第一BAW谐振装置、所述第二BAW谐振装置、所述带通滤波装置、以及所述晶片基底位于一个晶片中。

所述滤波装置的等效电路(未图示)中，所述第一BAW谐振装置和所述第二BAW谐振装置分别位于所述带通滤波装置两侧；其中，信号由第一端输入，先通过所述第一BAW谐振装置，然后通过所述带通滤波装置，最后通过所述第二BAW谐振装置，滤波后的信号由第二端输出。

如图17所示，所述滤波装置的性能示意图1700包括插入损耗(insertion loss)曲线，所述插入损耗曲线的横坐标表示频率(单位为GHz)，纵坐标表示插入损耗(单位为dB)。所述插入损耗曲线包括：第一带外抑制区1701、带通区1703、第二带外抑制区1705；其中，所述第一带外抑制区1701主要基于所述第一BAW谐振装置，所述带通区1703主要基于所述带通滤波装置，所述第二带外抑制区1705主要基于所述第二BAW谐振装置。

本实施例中，所述第一带外抑制区1701包括高带外抑制，所述第二带外抑制区1705包括高带外抑制。

需要说明的是，基于所述插入损耗曲线，所述滤波装置可以应用于5G n79 band(4.4to 5GHz)。

需要说明的是，将谐振装置和无源装置集成到一个晶片中形成滤波装置，可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。

综上所述，可以将谐振装置(例如，SAW或BAW谐振装置)及无源装置(例如，IPD)集成到一个晶片中形成RF滤波装置，从而可以拓宽通带宽度，具有高带外抑制，且减少占用RF前端芯片中的空间。

此外，与电连接单片谐振装置和单片无源装置相比，将谐振装置和无源装置集成到一个晶片中可以减少电传输的损耗，从而提高滤波性能。

应该理解，此处的例子和实施例仅是示例性的，本领域技术人员可以在不背离本申请和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，做出各种修改和更正。

Claims

1.一种滤波装置，其特征在于，包括：

基底、无源装置及至少一个谐振装置；

其中，所述无源装置包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述基底位于所述第一侧，所述至少一个谐振装置位于所述第二侧。

2.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述基底、所述无源装置及所述至少一个谐振装置位于一个晶片中。

3.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述无源装置包括以下至少之一：电容、电感、电阻、通孔。

4.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述无源装置包括集成无源装置，其中，所述集成无源装置通过半导体工艺形成。

5.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置包括以下至少之一：表声波谐振装置、体声波谐振装置。

6.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置与所述无源装置电连接。

7.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置包括第一谐振装置；其中，所述第一谐振装置包括：第一中间层，所述第一中间层包括第三侧及所述第三侧相对的第四侧，所述无源装置位于所述第三侧。

8.如权利要求7所述的滤波装置，其特征在于，所述第一中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

9.如权利要求7所述的滤波装置，其特征在于，所述第一中间层还包括位于所述第四侧的第一空腔。

10.如权利要求9所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述第一空腔内；第一压电层，位于所述第四侧，位于所述第一电极层上；其中，所述第一压电层为平层，至少覆盖所述第一空腔；以及第二电极层，位于所述第一压电层上；其中，所述第一电极层和所述第二电极层分别位于所述第一压电层两侧。

11.如权利要求9所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第三电极层，位于所述第一空腔上，覆盖所述第一空腔；第二压电层，位于所述第四侧，位于所述第一中间层上方，至少覆盖所述第三电极层；以及第四电极层，位于所述第二压电层上；其中，所述第三电极层和所述第四电极层分别位于所述第二压电层两侧。

12.如权利要求7所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第一反射层，位于所述第四侧，位于所述第一中间层上；其中，所述第一反射层的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。

13.如权利要求12所述的滤波装置，其特征在于，所述第一反射层包括第二空腔。

14.如权利要求12所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第一有源层，位于所述第一中间层上，覆盖所述第一反射层；其中，所述第一有源层包括：第三压电层及分别位于所述第三压电层两侧的第五电极层和第六电极层。

15.如权利要求14所述的滤波装置，其特征在于，所述第五电极层包括第一突起部，位于所述第一反射层上；其中，所述第一突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。

16.如权利要求15所述的滤波装置，其特征在于，所述第三压电层包括第二突起部，位于所述第一突起部上方；其中，所述第二突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。

17.如权利要求7所述的滤波装置，其特征在于，所述第一中间层还包括：第一子反射层和第二子反射层，所述第一子反射层和所述第二子反射层交替设置；其中，所述第一子反射层和所述第二子反射层的材料不同。

18.如权利要求17所述的滤波装置，其特征在于，所述第一子反射层和所述第二子反射层的厚度不同。

19.如权利要求7所述的滤波装置，其特征在于，所述第一中间层还包括布拉格反射层。

20.如权利要求17所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振装置还包括：第二有源层，位于所述第四侧，位于所述第一中间层上；其中，所述第二有源层包括：第四压电层及分别位于所述第四压电层两侧的第七电极层和第八电极层；其中，所述第七电极层位于所述第一子反射层或所述第二子反射层上。

21.如权利要求20所述的滤波装置，其特征在于，所述第四压电层包括第三突起部，位于所述第七电极层上方。

22.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述至少一个谐振装置包括第二谐振装置；其中，所述第二谐振装置包括：第二中间层，所述第二中间层包括第五侧及所述第五侧相对的第六侧，所述无源装置位于所述第五侧。

23.如权利要求22所述的滤波装置，其特征在于，所述第二中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

24.如权利要求22所述的滤波装置，其特征在于，所述第二谐振装置还包括：第五压电层，位于所述第六侧，位于所述第二中间层上；第九电极层，位于所述第五压电层上；其中，所述第二中间层和所述第九电极层分别位于所述第五压电层的两侧。

25.如权利要求24所述的滤波装置，其特征在于，所述第九电极层包括第一电极条和第二电极条，交替设置；其中，所述第一电极条和所述第二电极条的极性不同。

26.如权利要求24所述的滤波装置，其特征在于，所述第九电极层包括叉指换能器。

27.如权利要求24所述的滤波装置，其特征在于，所述第二谐振装置还包括：第三中间层，位于所述第五侧，所述无源装置与所述第二中间层之间，用于阻隔漏波。

28.如权利要求27所述的滤波装置，其特征在于，所述第二中间层和所述第三中间层的材料不同。

29.如权利要求27所述的滤波装置，其特征在于，所述第三中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

30.如权利要求24所述的滤波装置，其特征在于，所述第二中间层还包括：第三子反射层和第四子反射层，所述第三子反射层和所述第四子反射层交替设置；其中，所述第三子反射层和所述第四子反射层的材料不同。

31.如权利要求30所述的滤波装置，其特征在于，所述第三子反射层和所述第四子反射层的厚度不同。

32.如权利要求24所述的滤波装置，其特征在于，所述第二中间层还包括布拉格反射层。

33.一种射频前端装置，其特征在于，包括：功率放大装置和至少一个如权利要求1至32其中之一所述的滤波装置；所述功率放大装置与所述滤波装置连接。

34.一种射频前端装置，其特征在于，包括：低噪声放大装置和至少一个如权利要求1至32其中之一所述的滤波装置；所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。

35.一种射频前端装置，其特征在于，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如权利要求1至32其中之一所述的滤波装置。

36.一种无线通信装置，其特征在于，包括：天线、基带处理装置和如权利要求33至35其中之一所述的射频前端装置；所述天线与所述射频前端装置的第一端连接；所述基带处理装置与所述射频前端装置的第二端连接。