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CN111463236A - 显示设备 - Google Patents

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CN111463236A
CN111463236A CN201911361600.XA CN201911361600A CN111463236A CN 111463236 A CN111463236 A CN 111463236A CN 201911361600 A CN201911361600 A CN 201911361600A CN 111463236 A CN111463236 A CN 111463236A
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李亨燮
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

显示设备包括：基板，其包括显示区、围绕显示区的第一非显示区以及被显示区围绕的第二非显示区；布置在第二非显示区中的通过部分，在通过部分中的基板被移除；以及布置在基板中的第二非显示区中以围绕通过部分的第一槽。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年1月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0007576号的权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备的最近趋势是消除显示设备的前表面上的物理按钮，并且扩大显示图像的显示区。例如，已经引入了摄像机被放置在显示区中以加宽显示区的显示设备。为了将诸如摄像机的附加构件放置在显示区中，形成了可以将附加构件设置在显示区中的槽或通过部分。然而，形成在显示区中的槽或通过部分会成为新的渗透路径，水分通过新的渗透路径从外部渗透到显示区中。
发明内容
一个或多个实施方式包括一种防止水分从外部通过显示区中的通过部分渗透的显示设备。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中成为明显的，或者可以通过所提出的实施方式的实践来领会。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：基板，其包括显示区、围绕显示区的第一非显示区以及被显示区围绕的第二非显示区；布置在第二非显示区中的通过部分，在通过部分中的基板被移除；以及布置在基板中的第二非显示区中以围绕通过部分的第一槽。
基板可以包括依次地布置的第一基底层、第一屏障层、第二基底层和第二屏障层，第一槽在基板的深度方向上从第二屏障层延伸到第二基底层的至少一部分，第二屏障层包括一对第一尖端，一对第一尖端在截面图中布置在形成在第二基底层中的底切部分上，并且增强层和无机屏障层依次地布置在一对第一尖端上。
无机屏障层可以完全覆盖第一槽的被暴露的表面。
第一槽的底部上的无机屏障层可以直接接触第一屏障层。
增强层和无机屏障层可以布置在与第二非显示区对应的区域中。
显示设备可以进一步包括布置在第一槽与通过部分之间并且围绕通过部分的第二槽，并且第二屏障层包括一对第二尖端，一对第二尖端在截面图中布置在形成在第二基底层中的底切部分上，并且增强层和无机屏障层依次地布置在一对第二尖端上。
无机屏障层可以完全覆盖第二槽的被暴露的表面。
显示设备可进一步包括：在显示区中，布置在基板上的薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的显示元件；以及布置在显示元件上并且延伸到第二非显示区的封装层，其中封装层包括依次地布置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，有机封装层填充第一槽，并且第一无机封装层与第二无机封装层在第二槽中彼此接触。
无机屏障层与第一无机封装层可以在第一槽和第二槽中彼此接触。
显示设备在显示区中可以进一步包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的显示元件，薄膜晶体管布置在基板上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，其中布置在半导体层与栅电极之间的第一无机绝缘层、布置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二无机绝缘层、布置在薄膜晶体管与显示元件之间的平坦化层以及布置在平坦化层上的像素限定层布置在显示区中，并且第一无机绝缘层、第二无机绝缘层、平坦化层和像素限定层延伸到第二非显示区，并且与第一槽相邻的第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的端部在显示区与第一槽之间的第一区中被平坦化层或像素限定层覆盖。
从基板向上突出的阻挡部分可以布置在第一槽与第二槽之间的第二区中，阻挡部分包括第一层和第二层，第一层包括与平坦化层相同的材料，第二层布置在第一层上并且包括与像素限定层相同的材料。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：基板和通过部分，基板包括显示区、围绕显示区的第一非显示区以及被显示区围绕的第二非显示区，通过部分布置在第二非显示区中，在通过部分中的基板被移除；布置在基板中的第二非显示区中并且围绕通过部分的第一槽；布置在基板中的第一槽与通过部分之间并且围绕通过部分的第二槽；以及布置在与第二非显示区对应的区域上的无机屏障层。基板可以包括依次地布置的第一基底层、第一屏障层、第二基底层和第二屏障层，第一槽和第二槽在基板的深度方向上分别从第二屏障层延伸到第二基底层，并且无机屏障层完全覆盖第一槽的被暴露的表面和第二槽的被暴露的表面，并且直接接触第一槽的底部和第二槽的底部上的第一屏障层。
第一槽和第二槽在截面图中包括形成在第二基底层中的底切部分。
第二屏障层可以包括一对第一尖端和一对第二尖端，一对第一尖端在截面图中布置在形成在第二基底层中的底切部分上，一对第二尖端在截面图中布置在形成在第二基底层中的底切部分上，其中增强层进一步布置在一对第一尖端与无机屏障层之间以及一对第二尖端与无机屏障层之间。
增强层可以包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(ITZO)、氧化锌镓(GZO)和氧化铟锌镓(IGZO)组成的组中的至少一种材料。
增强层可以布置在与第二非显示区对应的区域上。
显示设备可进一步包括：在显示区中，布置在基板上的薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的显示元件；以及布置在显示元件上并且延伸到第二非显示区的封装层，其中封装层包括依次地布置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中有机封装层填充第一槽。
无机屏障层与第一无机封装层以及第一无机封装层与第二无机封装层可以在第二槽中彼此直接接触。
无机屏障层与第一无机封装层可以在第一槽中以及在第二槽中彼此直接接触。
显示设备在显示区中可以进一步包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的显示元件，薄膜晶体管布置在基板上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，其中布置在半导体层与栅电极之间的第一无机绝缘层、布置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二无机绝缘层、布置在薄膜晶体管与显示元件之间的平坦化层以及布置在平坦化层上的像素限定层布置在显示区中，并且第一无机绝缘层、第二无机绝缘层、平坦化层和像素限定层延伸到第二非显示区，并且与第一槽相邻布置的第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的端部在显示区与第一槽之间的第一区中被平坦化层或像素限定层覆盖。
从基板向上突出的阻挡部分可以布置在第一槽与第二槽之间的第二区中，其中阻挡部分包括第一层和第二层，第一层包括与平坦化层相同的材料，第二层布置在第一层上并且包括与像素限定层相同的材料。
除了上述细节之外，其他方面、特征和优点将从下面的附图、权利要求书和具体描述中变得清楚。
附图说明
根据以下结合附图对实施方式的描述，这些和/或其它方面将变得明显以及更易于理解，其中：
图1是根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是根据示例的沿图1的线I-I’和线II-II’截取的截面的示意性截面图；
图3是图1的区域A的示意性放大平面图；
图4是根据示例的图3的通过部分的示意性平面图；
图5是根据示例的沿图4的线III-III’截取的截面的示意性截面图；
图6是图5的第一槽的示意性截面图；
图7是根据另一示例的沿图4的线III-III’截取的截面的示意性截面图；并且
图8是根据另一示例的沿图4的线III-III’截取的截面的示意性截面图。
具体实施方式
由于本公开可以具有不同的改进和实施方式，因此在附图中显示并将具体描述代表性的实施方式。将参考下面具体描述的实施方式以及附图一起详细说明效果、特征及其实现方法。然而，实施方式可以具有不同的形式并且不应解释为限于本文阐述的描述。
虽然可以利用如“第一”、“第二”等术语来描述不同的部件，但这样的部件不一定限于上述术语。使用上述术语仅仅是为了将一个部件与另一个部件区别开来。
使用单数形式的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
在说明书中，应当理解，诸如“包括”或“具有”的术语旨在指示说明书中公开的特征或部件的存在，并且不旨在排除一个或多个其他特征或部件可被添加的可能性。
将理解，当层、区域或部件被称为“形成在”另一层、区域或部件“上”时，其可以直接或间接形成在另一层、区域或部件上。也就是，例如，可以存在中间层、区域或部件。
为便于解释，可以夸大附图中的部件的尺寸。换句话说，附图中部件的尺寸和厚度为了便于说明而被任意地示出，但是下面的实施方式不限于此。
当某一实施方式可以被不同地实现时，特定工艺顺序可以以不同于所描述的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。诸如“……中的至少一个”的表达，在位于元件列表之后时，修饰整个元件列表并且不修饰列表中的个别元件。
下面将参考附图更具体地描述实施方式。无论图号如何，相同或相对应的那些部件都被赋予相同的附图标记。
图1是根据实施方式的显示设备10的示意性平面图。图2是根据示例的沿图1的线I-I’和线II-II’截取的截面的示意性截面图。
参见图1和图2，根据本公开的实施方式的显示设备10包括显示图像的显示区DA、在显示区DA的外面部分中的第一非显示区PA1以及被显示区DA至少部分地围绕的第二非显示区PA2。换言之，基板100包括显示区DA、第一非显示区PA1和第二非显示区PA2。
显示元件位于显示区DA中，并且第一非显示区PA1可以围绕显示区DA并且包括焊盘区等，各种电子设备、印刷电路板等在焊盘区等中电附接。
显示元件和电连接到显示元件的薄膜晶体管210可以位于显示区DA中。图2图示了作为显示元件包含在显示区DA中的有机发光器件300。有机发光器件300可以包括电连接到薄膜晶体管210的像素电极310。
第二非显示区PA2被显示区DA至少部分地围绕，并且基板100可以包括位于第二非显示区PA2内的至少一个通过部分H。尽管图1示出了位于显示区DA内的第二非显示区PA2被显示区DA完全围绕，但本公开并不限于此。例如，第二非显示区PA2的一部分可以布置成与第一非显示区PA1相邻。第二非显示区PA2的一部分可以直接接触第一非显示区PA1。另外，两个或更多个通过部分H可以形成在第二非显示区PA2内。
通过部分H可以是其中可以布置用于执行显示设备10的功能的附加构件或能够向显示设备10增加新功能的附加构件的空间。例如，传感器、光源、摄像机模块等可以位于通过部分H中。
同时，由于通过部分H可以是其中基板100和布置在基板100上的多个层被移除的部分，因此来自外部的水分或氧可以通过被通过部分H暴露的显示设备10的截面渗透到显示设备10中。然而，根据本公开，形成围绕通过部分H的至少一个槽，并且形成无机屏障层以覆盖至少一个槽，因而可以有效防止如上所述的渗透。稍后将参考图3至图8具体描述槽。首先，将参考图2描述显示设备10的结构。
基板100可以包括各种材料。当显示设备是其中图像在朝向基板100的方向上实现的底发射型时，基板100可以由透明材料形成。然而，当显示设备是图像在反方向上显示的顶发射型时，在远离基板100的方向上，基板100不一定由透明材料形成。在此情况下，基板100可以由金属形成。当使用金属形成基板100时，基板100可以包括例如铁、铬、锰、镍、钛、钼以及不锈钢(SUS)、因瓦合金、因科镍合金或可伐合金。
例如，基板100可以具有第一基底层101、第一屏障层102、第二基底层103和第二屏障层104依次地堆叠在其中的多层结构。
第一基底层101和第二基底层103可以由例如包括SiO2作为主要成分的透明玻璃材料形成。然而，第一基底层101和第二基底层103并不限于此，并且也可以由透明的塑料材料形成。塑料材料可以是例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等。
第一基底层101和第二基底层103可以具有相等或不同的厚度。例如，第一基底层101和第二基底层103可以各自包括聚酰亚胺，并且各自具有约3μm至约20μm的厚度。
第一屏障层102和第二屏障层104防止外部异物通过基板100渗透到显示设备10中，并且可以是包括诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层或多层。例如，第一屏障层102可以是包括氧化硅层和非晶硅层的多层，以增加相邻的层之间的粘合力，并且第二屏障层104可以是氧化硅层。另外，第一屏障层102和第二屏障层104可以各自具有约
Figure BDA0002337303010000061
至约
Figure BDA0002337303010000062
的厚度，但本公开并不限于此。
缓冲层可以进一步形成在基板100上。缓冲层可以在基板100上提供平坦的表面，并且阻挡异物或水分通过基板100渗透到显示设备10中。例如，缓冲层可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料或诸如聚酰亚胺、聚酯或亚克力的有机材料，或者是上述材料堆叠在其中的堆叠结构。在一些实施方式中，上述基板100的第二屏障层104可以被认为是具有多层结构的缓冲层的一部分。
薄膜晶体管210设置在基板100的显示区DA中，并且电连接到薄膜晶体管210的显示元件也设置在除薄膜晶体管210之外的显示区DA中。图2示出了作为显示元件的有机发光器件300。薄膜晶体管(未示出)也可以设置在基板100的第一非显示区PA1中。位于第一非显示区PA1中的薄膜晶体管可以是例如控制施加到显示区DA的电信号的电路的一部分。
薄膜晶体管210包括包含非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层211，栅电极213，源电极215和漏电极217。当缓冲层设置在基板100上时，半导体层211可以布置在缓冲层上。
栅电极213设置在半导体层211上方，以与半导体层211重叠。当导通薄膜晶体管210的栅信号被施加到栅电极213时，源电极215和漏电极217通过形成在源电极215与漏电极217之间的沟道彼此电连接。栅电极213可以包括例如选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种材料，并且可具有单层或多层结构。为了将半导体层211与栅电极213绝缘，由诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机材料形成的第一无机绝缘层120可以布置在半导体层211与栅电极213之间。
第二无机绝缘层130可以设置在栅电极213上。第二无机绝缘层130可以具有由诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机材料形成的单层或多层结构。
源电极215和漏电极217设置在第二无机绝缘层130上。源电极215和漏电极217分别通过形成在第二无机绝缘层130和第一无机绝缘层120中的接触孔电连接到半导体层211。考虑到导电性能，源电极215和漏电极217可以包括例如选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种材料，并且可以具有单层或多层结构。
例如，可以设置覆盖薄膜晶体管210的保护层(未示出)以保护薄膜晶体管210。保护层可以由诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅的无机材料形成。保护层可以是单层或多层。
平坦化层140可以设置在薄膜晶体管210上。例如，如图2所示，当有机发光器件300设置在比薄膜晶体管210高的水平处时，平坦化层140可以覆盖薄膜晶体管210以平坦化由于薄膜晶体管210而形成的不均匀表面。平坦化层140可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅醚(HMDSO)的有机绝缘材料。图2所示的平坦化层140是单层，但也可以是多层或者以其他各种方式进行改进。根据本实施方式的显示设备10也可以包括保护层和平坦化层140两者，或者根据需要仅包括平坦化层140。
在基板100的显示区DA中，包括像素电极310、对电极330以及布置在像素电极310与对电极330之间的中间层320的有机发光器件300设置在平坦化层140上。
暴露薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217中的至少一个的开口部分形成在平坦化层140中，并且通过开口部分接触源电极215和漏电极217中的一个以电连接到薄膜晶体管210的像素电极310设置在平坦化层140上。
像素电极310可以包括(半)透明电极或反射电极。当像素电极310包括(半)透明电极时，像素电极310可以包括例如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。当像素电极310包括反射电极时，像素电极310可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成的层以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。然而，本公开并不限于此，并且像素电极310可以包括各种材料并且具有单层或多层结构或其他各种改进的结构。
像素限定层150可以设置在像素电极上。像素限定层150具有与每个子像素对应的开口，以暴露像素电极310的中心部分以限定像素。另外，如图2所示，像素限定层150可以增加像素电极310的边缘与布置在像素电极310上方的对电极330之间的距离，从而防止在像素电极310的边缘处产生电弧等。像素限定层150可以包括诸如聚酰亚胺或HMDSO的有机绝缘材料。
有机发光器件300的中间层320可以包括发射层。发射层可以包括发射预定颜色的光的聚合物或低分子量有机材料。另外，中间层320可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个功能层。这些功能层可以包括有机材料。同时，构成中间层320的多个层中的一些层(例如，功能层)可以贯穿多个有机发光器件300一体地形成。
对电极330可以设置成覆盖显示区DA。对电极330可以贯穿多个有机发光器件300一体地形成，并且与多个像素电极310对应。对电极330可以包括(半)透明电极或反射电极。当对电极330包括(半)透明电极时，对电极330可以具有金属以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3等形成的(半)透明导电层，该金属具有小的功函数(即，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物)。当对电极330包括反射电极时，对电极330可以具有由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物形成的层。对电极330的结构和材料不限于此，并且还可以进行各种改进。
同时，为了使显示设备10显示图像，预定的电信号被施加到对电极330。为此，电压线420位于第一非显示区PA1中，以将预定的电信号传输到对电极330。电压线420可以是公共电力电压ELVSS线。
当在显示区DA中形成各种导电层时，电压线420可以由与导电层相同的材料与导电层同时形成。与位于显示区DA中的第二无机绝缘层130上的薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217类似，电压线420被示出为位于第一非显示区PA1中的第二无机绝缘层130上。在此情况下，当在显示区DA中的第二无机绝缘层130上形成薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217时，电压线420由与第一非显示区PA1中的第二无机绝缘层130上的源电极215和漏电极217相同的材料形成。因此，电压线420具有与源电极215和漏电极217相同的结构。本公开不限于此，并且也可以进行各种改进；例如，当形成栅电极213时，电压线420可以由与第一无机绝缘层120上的栅电极213相同的材料与第一无机绝缘层120上的栅电极213同时形成。
对电极330可以与电压线420直接接触，或者可以通过如图2所示的保护导电层421电连接到电压线420。保护导电层421可以位于平坦化层140上，并且延伸到电压线420，以将电压线420电连接到对电极330。因此，对电极330可以接触第一非显示区PA1中的保护导电层421，并且保护导电层421也可以接触第一非显示区PA1中的电压线420。
如图2所示，保护导电层421位于平坦化层140上，因而保护导电层421可以由与位于显示区DA中的平坦化层140上的部件相同的材料与位于显示区DA中的平坦化层140上的部件同时形成。具体地，当在显示区DA中的平坦化层140上形成像素电极310时，保护导电层421可以由与显示区DA中的平坦化层140上的像素电极310相同的材料与显示区DA中的平坦化层140上的像素电极310同时形成。因此，保护导电层421具有与像素电极310相同的结构。保护导电层421可以接触电压线420的未被平坦化层140覆盖但被暴露的部分，如图2所示。为此，可以防止在第一限制堤坝610或第二限制堤坝620的形成期间对暴露于平坦化层140外部的电压线420的损坏。
同时，为了防止诸如氧或水分的异物从外部渗透到平坦化层140中并且因此进入显示区DA中，平坦化层140可以在第一非显示区PA1中具有开口140b，如图2所示。开口140b可以围绕显示区DA。另外，当形成保护导电层421时，保护导电层421可以填充在开口140b中。因此，可以有效地防止已经渗透到第一非显示区PA1的平坦化层140中的异物渗透到显示区DA中的平坦化层140中。
具有提高有机发光器件300中产生的光的效率的功能的封盖层160可以位于对电极330上。封盖层160可以覆盖对电极330，并且延伸超过对电极330，以接触对电极330下方的保护导电层421。当对电极330覆盖显示区DA并且延伸超过显示区DA时，封盖层160也覆盖显示区DA并且延伸到显示区DA的外部中的第一非显示区PA1。封盖层160包括无机或有机材料。
如上所述，封盖层160提高了在有机发光器件300中产生的光的效率。例如，封盖层160可以提高到外部的光提取效率。通过使用封盖层160，可以在显示区DA中均匀地实现效率的提高。考虑到这一点，封盖层160可以具有与封盖层160下方的层的上表面的弯曲对应的上表面。也就是说，如图2所示，位于对电极330上的封盖层160的一部分中的封盖层160的上表面可以具有与对电极330的上表面的弯曲相对应的形状。
封装层500位于封盖层160上方。封装层500保护有机发光器件300免受来自外部的水分或氧的影响。为此，封装层500不仅可以覆盖有机发光器件300所在的显示区DA，而且可以覆盖显示区DA的外部中的第一非显示区PA1。封装层500可以具有多层结构。具体地，如图2所示，封装层500可以包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530。
第一无机封装层510覆盖封盖层160，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅等。
由于第一无机封装层510根据其下方的结构形成，因此第一无机封装层510的上表面可以不是平坦的，如图2所示。有机封装层520覆盖第一无机封装层510，并且具有足够的厚度，因而在整个显示区DA上方，有机封装层520的上表面可以是基本平坦的。有机封装层520可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅醚、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或这些中的任意的组合。
第二无机封装层530可以覆盖有机封装层520，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅等。第二无机封装层530可以延伸超过有机封装层520，以接触第一无机封装层510，从而防止有机封装层520暴露于外部。
由于封装层500包括第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530，因此即使在封装层500中产生裂缝时，通过使用如上所述的多层结构，裂缝也可以不在第一无机封装层510与有机封装层520之间连接，或者不在有机封装层520与第二无机封装层530之间连接。因此，可以防止或最小化来自外部的水、氧等渗透到显示区DA中的路径。
同时，在形成封装层500时，封装层500下方的结构可能被损坏。例如，第一无机封装层510可以使用化学气相沉积方法来形成，并且当通过使用化学气相沉积方法形成第一无机封装层510时，直接在第一无机封装层510下方的层可能被损坏。因此，当第一无机封装层510形成在封盖层160上时，具有提高在有机发光器件300中产生的光的效率的功能的封盖层160可能被损坏，降低显示设备10的光效率。因此，为了防止在形成封装层500时对封盖层160的损坏，保护层170可以布置在封盖层160与封装层500之间。保护层170可以包括LiF。
如上所述，封盖层160不仅延伸到显示区DA，而且延伸到显示区DA的外部中的第一非显示区PA1。因此，由于保护层170延伸超过封盖层160，因此封盖层160和封装层500可以彼此不直接接触。在此情形下，保护层170覆盖封盖层160的端部160a，并且保护层170的端部170a位于平坦化层140上。具体地，如图2所示，保护层170的端部170a直接接触平坦化层140上的保护导电层421。
因此，作为封装层500的最下层的第一无机封装层510可以不直接接触由有机材料形成的封盖层160，并且与由诸如LiF的无机材料形成的保护层170接触，从而保持封装层500与其下面的层之间的高粘合力。因此，在显示设备10的制造工艺和其他后续使用工艺中，可以有效地防止或最小化封装层500与封装层500下面的层的剥离。
在形成有机封装层520时，期望仅在预定区中形成有机封装层520。为此，如图2所示，第一限制堤坝610可以位于第一非显示区PA1中。具体地，第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130以及平坦化层140不仅可以形成在基板100的显示区DA中，而且可以形成在第一非显示区PA1中，如图2所示。第一限制堤坝610位于第一非显示区PA1中，以与平坦化层140间隔开。
第一限制堤坝610可以具有多层结构。也就是说，第一限制堤坝610可以包括在远离基板100的方向上依次地布置的第一层611和第二层613。第一层611可以在形成显示区DA的平坦化层140时使用与平坦化层140相同的材料与平坦化层140同时形成，并且第二层613可以在形成显示区DA的像素限定层150时使用与像素限定层150相同的材料与像素限定层150同时形成。
如图2所示，除了第一限制堤坝610之外，第二限制堤坝620也可以存在于第一限制堤坝610与平坦化层140的端部140a之间。第二限制堤坝620可以位于电压线420上的保护导电层421的一部分上。第二限制堤坝620也与平坦化层140间隔开，并且位于第一非显示区PA1中。第二限制堤坝620也可以具有和第一限制堤坝610一样的多层结构，并且可以包括比第一限制堤坝610少的层，使得第二限制堤坝620可以具有从基板100开始的比第一限制堤坝610低的高度。在图2中，图示了由与第一限制堤坝610的第二层613相同的材料形成并且与第一限制堤坝610的第二层613同时形成的第二限制堤坝620。
因此，有机封装层520的位置由第二限制堤坝620限制，因而可以防止用于形成有机封装层520的材料从第二限制堤坝620溢出。即使在用于形成有机封装层520的材料从第二限制堤坝620部分地溢出时，有机封装层520的位置也被第一限制堤坝610限制，因而有机封装层520可以不布置在基板100的边缘100a上。此外，使用化学气相沉积法形成的第一无机封装层510和第二无机封装层530覆盖第二限制堤坝620和第一限制堤坝610，以完全覆盖第一限制堤坝610，如图2所示。
同时，裂缝预防部分630位于第一非显示区PA1中。裂缝预防部分630可以沿基板100的边缘100a的至少一部分延伸。例如，裂缝预防部分630可以被形成为完全围绕显示区DA。在一些部分中，裂缝预防部分630也可以具有不连续的形状。裂缝预防部分630可以防止裂缝在显示设备10的制造工艺期间切割母基板时或者由于在使用显示设备10期间施加的冲击而到达显示区DA，裂缝可以形成在由无机材料形成的第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130中。
裂缝预防部分630可以具有各种形状，并且可以由与形成在显示区DA中的一些部件相同的材料与形成在显示区DA中的一些部件同时形成，如图2所示，或可以具有多层结构。在图2中，图示了具有多层结构的裂缝预防部分630，该多层结构包括下层630’以及位于下层630’上的上层630”。具体地，在图2中，图示了包括下层630’和上层630”的裂缝预防部分630，下层630’包括与第一无机绝缘层120相同的材料，上层630”包括与第一无机绝缘层120上的第二无机绝缘层130相同的材料。当在基板100上形成缓冲层时，裂缝预防部分630还可以包括包含与缓冲层相同的材料的层。此外，如图2所示，还可以包括彼此间隔开的多个裂缝预防部分630。
裂缝预防部分630可以被理解为通过移除第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的部分而形成。也就是说，如图2所示，通过移除第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130形成的槽形成在裂缝预防部分630的至少一侧处，并且裂缝预防部分630可以包括与槽相邻的第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的剩余部分。
裂缝预防部分630可以被覆盖层650覆盖，如图2所示。当例如在显示区DA中形成平坦化层140时，覆盖层650可以由与平坦化层140相同的材料与平坦化层140同时形成。也就是说，覆盖层650也可以由覆盖包括无机材料的裂缝预防部分630的有机材料形成。覆盖层650可以覆盖第一无机绝缘层120和/或第二无机绝缘层130的朝向基板100的边缘100a的端部，并且还可以覆盖裂缝预防部分630。
图3是图1的区域A的示意性放大平面图。图4是根据示例的图3的通过部分的示意性平面图。图5是根据示例的沿图4的线III-III’截取的截面的示意性截面图。图6是图5的第一槽的示意性截面图。
图3图示了通过部分H和围绕通过部分H的区。参见图3，电连接到数据线DL的多个有机发光器件300设置在通过部分H周围的显示区DA中，并且第二非显示区PA2可以被定义为通过部分H与显示区DA之间的不显示图像的区。
数据线DL可以在第一方向上延伸，并且电连接到数据驱动器1100。例如，数据驱动器1100可以是面板上芯片(COP)类型，并且设置在第一非显示区PA1(图1)中，或者设置在电连接到包含在第一非显示区PA1(图1)中的端子的柔性电路板(未示出)上。
同时，由于通过部分H设置在显示区DA中，因此在第一方向上延伸的数据线DL中的一些可能不在第一方向上笔直地延伸。在此情况下，数据线DL中的一些可以被形成为绕过通过部分H，并且绕过通过部分H的数据线DL位于通过部分H周围的第二非显示区PA2中。
同时，尽管未在图3中示出，但扫描线可以在第二方向上延伸，并且与数据线DL相交，并且扫描线中的一些可以被形成为在形成通过部分H的区中绕过通过部分H。可替代地，由于显示设备10(图1)包括分别设置在显示区DA的两侧上的两个扫描驱动器，因此扫描线可以不绕过通过部分H。也就是说，电连接到设置在通过部分H的左侧上的有机发光器件300的扫描线和电连接到设置在通过部分H的右侧上的有机发光器件300的扫描线可以连接到与彼此不同的扫描驱动器。
参见图4和图6，其中具体示出了通过部分H，围绕通过部分H的至少两个槽G1和G2可以被形成为围绕基板100中的通过部分H。同时，虽然在图4和图5中示出了围绕通过部分H的第一槽G1和第二槽G2，但本公开并不限于此，并且也可以形成三个或更多个槽。在下文中，描述了被形成为围绕通过部分H的两个槽(第一槽G1和第二槽G2)。在平面图中，第二槽G2可以围绕通过部分H，并且第一槽G1可以围绕第二槽G2。也就是说，距离通过部分H最远的槽被称为第一槽G1。
第一槽G1围绕通过部分H，并且被布置成与通过部分H隔开预定距离。第二槽G2围绕通过部分H，并且布置在第一槽G1与通过部分H之间。第一槽G1和第二槽G2可以具有底切结构。例如，第一槽G1和第二槽G2可以形成在基板100的第二屏障层104和第二基底层103中。第一槽G1中的第二屏障层104可以包括一对第一尖端T1，并且第二槽G2中的第二屏障层104可以包括一对第二尖端T2，在截面图中，底切形成在一对第一尖端T1和一对第二尖端T2之下。
第一槽G1和第二槽G2中的每个可以通过例如以下步骤形成：通过使用掩模对第二屏障层104进行图案化在第二屏障层104中形成开口，并且然后使用各向异性刻蚀(例如，湿法刻蚀或等离子刻蚀)对暴露的第二基底层103进行刻蚀。因此，通过使用各向异性刻蚀，第二基底层103可以被移除比第二屏障层104的开口大的宽度，从而形成底切。
也就是说，第一槽G1和第二槽G2可以具有的在第二屏障层104中的宽度小于在第二基底层103中的宽度，并且第二屏障层104可以包括在截面图中各自具有悬臂形状并且在第一槽G1和第二槽G2的开口的上部处彼此面对一对第一尖端T1和一对第二尖端T2，。第一槽G1的宽度和第二槽G2的宽度分别是指在垂直于第一槽G1和第二槽G2的长度方向的方向上测量的距离。例如，当第一槽G1和第二槽G2中的每个具有圆环形状时，第一槽G1和第二槽G2的宽度是指圆形形状的径向。另外，当在基板100上进一步形成缓冲层时，缓冲层可以用于与第二屏障层104结合形成一对第一尖端T1和一对第二尖端T2。
在截面图中，增强层180和无机屏障层190被堆叠在一对第一尖端T1和一对第二尖端T2上。
用于通过图案化第二屏障层104在第二屏障层104中形成开口的掩模在图案化第二屏障层104之后从显示区DA被移除，但保留在第二非显示区PA2中，从而形成增强层180。也就是说，增强层180可以布置在与第二非显示区PA2对应的区域上。增强层180可以布置在一对第一尖端T1和一对第二尖端T2上，以提高一对第一尖端T1和一对第二尖端T2的机械强度。
因此，即使在冲击被施加到一对第一尖端T1和一对第二尖端T2时，也可以防止对一对第一尖端T1和一对第二尖端T2的损坏，从而防止在无机屏障层190和/或封装层500的第一无机封装层510中由于对一对第一尖端T1的损坏而导致的裂缝。如上所述的增强层180可以包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(ITZO)、氧化锌镓(GZO)和氧化铟锌镓(IGZO)组成的组中的至少一种材料。
另外，无机屏障层190可以进一步形成在第二非显示区PA2中。当从显示区DA移除用于在第二屏障层104中形成开口的掩模时，形成在第二非显示区PA2中的无机屏障层190可以被用作刻蚀掩模。另外，无机屏障层190可以连续地形成在第二非显示区PA2中而不断开。
增强层180可以形成在除了第一槽G1和第二槽G2之外的整个第二非显示区PA2上。无机屏障层190可以形成在包括第一槽G1和第二槽G2的整个第二非显示区PA2上。无机屏障层190可以覆盖增强层180、第二屏障层104和第二基底层103的在第一槽G1和第二槽G2中的被暴露的部分。无机屏障层190可以覆盖一对第一尖端T1和一对第二尖端T2的下表面。如上所述的无机屏障层190可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的共形无机膜。
同时，如上所述，构成中间层320的多个层中的一些层(例如，功能层)可以贯穿多个有机发光器件300一体地形成(图2)，因而不仅形成在显示区DA中，而且形成在第二非显示区PA2中。然而，由于由一对第一尖端T1和一对第二尖端T2形成的底切结构，中间层320可以不形成在第一槽G1的内壁表面上，而是仅形成在第一槽G1的底部表面的一部分上。因此，包含在中间层320中的有机层被第一槽G1断开，从而防止来自外部的水分或氧通过被通过部分H暴露的有机层渗透到显示区DA中。另外，由于第一槽G1和第二槽G2的内表面中的每个被无机屏障层190覆盖，并且布置在无机屏障层190上的有机层在第一槽G1的底部上具有断开的部分，因此可以有效地防止水分或氧从外部沿有机层经通过部分H渗透到显示区DA中。
封装层500布置在像素限定层150上的无机屏障层190上。如上所述，由于第一槽G1和第二槽G2的底切结构，中间层320未形成在第一槽G1和第二槽G2的内壁表面上。然而，使用化学气相沉积法等形成的封装层500的第一无机封装层510是共形地形成的，因而第一无机封装层510和无机屏障层190一样，可以连续地形成在第二非显示区PA2中。因此，由于第一无机封装层510在第二非显示区PA2中与无机屏障层190接触并且因此保持高粘合力，因此可以有效地防止或最小化在显示设备10(图1)的制造工艺或显示设备10随后的使用期间封装层500的剥离。
有机封装层520可以形成在第一无机封装层510上，以填充第一槽G1。因此，增强层180、无机屏障层190等被堆叠以分散集中在一对第一尖端T1上的应力，从而防止对一对第一尖端T1的损坏。另外，当形成有机封装层520时，由于用于形成有机封装层520的材料被填充在第一槽G1中，因此可以防止用于形成有机封装层520的材料朝向第二槽G2溢出，因此限制了形成有机封装层520的区。
第二无机封装层530可以以与第一无机封装层510类似的方式形成。因此，由于第二无机封装层530和第一无机封装层510在第二槽G2中彼此接触，因此可以有效地防止水分和氧从外部渗透。
作为示例示出了包括第一槽G1和第二槽G2的第二非显示区PA2因此包括三个区，第一至第三区D1、D2和D3。然而，当形成三个或更多个槽时，第二非显示区PA2可以包括四个或更多个区。同时，当形成三个或更多个槽时，除了第一槽G1之外的槽可以具有与第二槽G2相同的形状。
第一区D1布置在第一槽G1与显示区DA之间，并且可以是在第二非显示区PA2处的一对第一尖端T1的端部与显示区DA之间的区。绕过通过部分H的数据线DL中的一些可以设置在第一区D1中。第二区D2布置在第一槽G1与第二槽G2之间，并且指示从一对第一尖端T1的与第二槽G2相邻的端部到一对第二尖端T2的与第一槽G1相邻的端部的区。第三区D3为从一对第二尖端T2的与通过部分H相邻的端部到通过部分H的区，并且在形成通过部分H的操作中提供切割容限。
如上所述，不仅可以存在于显示区DA中而且可以存在于非显示区(图1中的PA1和PA2)中的诸如第一无机绝缘层120和第二无机绝缘层130的无机绝缘层也可以存在于第一区D1、第二区D2和第三区D3中。面对被布置成与显示区DA相邻的第一区D1中的通过部分H的无机绝缘层的末端部分可以被平坦化层140覆盖。因此，在一对第一尖端T1的上表面上未产生由于无机绝缘层引起的台阶，因而可以防止由于台阶引起的诸如第一无机封装层510中的裂缝等的缺陷。可替代地，无机绝缘层的末端部分E1可以暴露于平坦化层140外，并且无机绝缘层的被暴露的末端部分E1可以被像素限定层150覆盖。
图7是根据另一示例的沿图4的线III-III’截取的截面的示意性截面图。在下文中，将不再重复描述上述细节，并且描述将集中于与先前实施方式的不同之处。
参见图7，阻挡部分660可以位于第二区D2中。当形成有机封装层520时，阻挡部分660可以有效地阻挡填充在第一槽G1中的用于形成有机封装层520的材料溢出到第二槽G2。例如，阻挡部分660可以具有多层结构。也就是说，阻挡部分660可以包括在远离基板100的方向上的依次地层压的第一层661和第二层663。第一层661可以与平坦化层140同时形成，并且可以由与平坦化层140相同的材料形成，并且第二层663可以与像素限定层150同时形成，并且可以由与像素限定层150相同的材料形成。可替代地，阻挡部分660可以具有单层结构，并且当阻挡部分660具有单层结构时，阻挡部分660可以仅包括上述第一层661或第二层663。作为另一示例，阻挡部分660可以进一步包括第三层，第三层形成在第二层663上并且由与像素限定层150相同的材料形成。
图8是根据另一示例的沿图4的线III-III’截取的截面的示意性截面图。在下文中，将不再重复描述上述细节，并且描述将集中于与先前实施方式的不同之处。
参见图8，通过部分H被第一槽G1和第二槽G2围绕，并且第一槽G1和第二槽G2可以通过完全移除基板100(其包括第一基底层101、第一屏障层102、第二基底层103和第二屏障层104)的第二屏障层104和第二基底层103来形成。具体地，第一槽G1和第二槽G2可以具有等于第二屏障层104的厚度和第二基底层103的厚度的和的深度。也就是说，第一屏障层102可以暴露在第一槽G1和第二槽G2的底部上，因而覆盖第一槽G1和第二槽G2的内表面的无机屏障层190可以直接接触第一槽G1和第二槽G2的底部上的第一屏障层102。
因此，可以有效地防止氧或水分从通过部分H通过第二基底层103渗透到显示设备10(图1)中。另外，由于第二屏障层104由无机材料形成，因此无机屏障层190可以以高粘合力粘合到第二屏障层104，因而可以有效地防止在显示设备10(图1)的制造工艺期间或在显示设备10随后的使用期间，无机屏障层190从第二屏障层104剥离。
根据本公开的实施方式，显示设备包括其中设置有诸如摄像机的附加构件的通过部分以及围绕通过部分的至少一个槽，因而可以扩大显示图像的显示区，并且可以阻挡来自外部等的水分经通过部分渗透。然而，本公开的范围并不限于上述效果。
应理解，本文中描述的实施方式应被视为仅是描述性的而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述应典型地被认为可用于其它实施方式中其它相似特征或方面。
尽管已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不背离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，对其进行形式上和细节上的各种修改。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
基板，包括显示区、围绕所述显示区的第一非显示区以及被所述显示区围绕的第二非显示区；
布置在所述第二非显示区中的通过部分，在所述通过部分中的所述基板被移除；以及
布置在所述基板中的所述第二非显示区中以围绕所述通过部分的第一槽，
其中所述基板包括依次地布置的第一基底层、第一屏障层、第二基底层和第二屏障层，
所述第一槽在所述基板的深度方向上从所述第二屏障层延伸到所述第二基底层的至少一部分，
所述第二屏障层包括一对第一尖端，所述一对第一尖端在截面图中布置在形成在所述第二基底层中的底切部分上，并且
增强层和无机屏障层依次地布置在所述一对第一尖端上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述无机屏障层完全覆盖所述第一槽的被暴露的表面。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一槽的底部上的所述无机屏障层直接接触所述第一屏障层。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述增强层和所述无机屏障层布置在与所述第二非显示区对应的区域中。
5.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：布置在所述第一槽与所述通过部分之间并且围绕所述通过部分的第二槽，
其中所述第二屏障层包括一对第二尖端，所述一对第二尖端在截面图中布置在形成在所述第二基底层中的所述底切部分上，并且
所述增强层和所述无机屏障层依次地布置在所述一对第二尖端上。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述无机屏障层完全覆盖所述第二槽的被暴露的表面。
7.根据权利要求5所述的显示设备，进一步包括：
在所述显示区中布置在所述基板上的薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的显示元件；以及
布置在所述显示元件上并且延伸到所述第二非显示区的封装层，
其中所述封装层包括依次地布置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
所述有机封装层填充所述第一槽，并且
所述第一无机封装层与所述第二无机封装层在所述第二槽中彼此接触。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述无机屏障层与所述第一无机封装层在所述第一槽和所述第二槽中彼此接触。
9.根据权利要求5所述的显示设备，在所述显示区中进一步包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的显示元件，所述薄膜晶体管布置在所述基板上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，
其中布置在所述半导体层与所述栅电极之间的第一无机绝缘层、布置在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的第二无机绝缘层、布置在所述薄膜晶体管与所述显示元件之间的平坦化层以及布置在所述平坦化层上的像素限定层布置在所述显示区中，
所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层、所述平坦化层和所述像素限定层延伸到所述第二非显示区，并且
与所述第一槽相邻的所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的端部在所述显示区与所述第一槽之间的第一区中被所述平坦化层或所述像素限定层覆盖。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，从所述基板向上突出的阻挡部分布置在所述第一槽与所述第二槽之间的第二区中，并且
所述阻挡部分包括第一层和第二层，所述第一层包括与所述平坦化层相同的材料，所述第二层布置在所述第一层上并且包括与所述像素限定层相同的材料。
11.一种显示设备，包括：
基板和通过部分，所述基板包括显示区、围绕所述显示区的第一非显示区以及被所述显示区围绕的第二非显示区，所述通过部分布置在所述第二非显示区中，在所述通过部分中的所述基板被移除；
布置在所述基板中的所述第二非显示区中并且围绕所述通过部分的第一槽；
布置在所述基板中的所述第一槽与所述通过部分之间并且围绕所述通过部分的第二槽；以及
布置在与所述第二非显示区对应的区域上的无机屏障层，
其中所述基板包括依次地布置的第一基底层、第一屏障层、第二基底层和第二屏障层，
所述第一槽和所述第二槽在所述基板的深度方向上分别从所述第二屏障层延伸到所述第二基底层，并且
所述无机屏障层完全覆盖所述第一槽的被暴露的表面和所述第二槽的被暴露的表面，并且直接接触所述第一槽的底部和所述第二槽的底部上的所述第一屏障层。
12.根据权利要求11所述的显示设备，
其中，所述第一槽和所述第二槽在截面图中包括形成在所述第二基底层中的底切部分。
13.根据权利要求11所述的显示设备，
其中，所述第二屏障层包括一对第一尖端和一对第二尖端，所述一对第一尖端在截面图中布置在形成在所述第二基底层中的底切部分上，所述一对第二尖端在截面图中布置在形成在所述第二基底层中的所述底切部分上，并且
其中增强层进一步布置在所述一对第一尖端与所述无机屏障层之间以及所述一对第二尖端与所述无机屏障层之间。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述增强层包括选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锌锡、氧化锌镓和氧化铟锌镓组成的组中的至少一种材料。
15.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述增强层布置在与所述第二非显示区对应的区域上。
16.根据权利要求11所述的显示设备，
进一步包括：
在所述显示区中布置在所述基板上的薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的显示元件；以及
布置在所述显示元件上并且延伸到所述第二非显示区的封装层，
其中所述封装层包括依次地布置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，并且
其中所述有机封装层填充所述第一槽。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述无机屏障层与所述第一无机封装层以及所述第一无机封装层与所述第二无机封装层在所述第二槽中彼此直接接触。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述无机屏障层与所述第一无机封装层在所述第一槽中以及在所述第二槽中彼此直接接触。
19.根据权利要求11所述的显示设备，
在所述显示区中进一步包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的显示元件，所述薄膜晶体管布置在所述基板上并且包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，
其中布置在所述半导体层与所述栅电极之间的第一无机绝缘层、布置在所述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的第二无机绝缘层、布置在所述薄膜晶体管与所述显示元件之间的平坦化层以及布置在所述平坦化层上的像素限定层布置在所述显示区中，
所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层、所述平坦化层和所述像素限定层延伸到所述第二非显示区，并且
与所述第一槽相邻布置的所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层的端部在所述显示区与所述第一槽之间的第一区中被所述平坦化层或所述像素限定层覆盖。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，从所述基板向上突出的阻挡部分布置在所述第一槽与所述第二槽之间的第二区中，并且
所述阻挡部分包括第一层和第二层，所述第一层包括与所述平坦化层相同的材料，所述第二层布置在所述第一层上并且包括与所述像素限定层相同的材料。
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