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CN111432106B - 摄像单元以及摄像装置 - Google Patents

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CN111432106B
CN111432106B CN202010359930.1A CN202010359930A CN111432106B CN 111432106 B CN111432106 B CN 111432106B CN 202010359930 A CN202010359930 A CN 202010359930A CN 111432106 B CN111432106 B CN 111432106B
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power supply
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frame
camera unit
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菅沼亮一
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Nikon Corp
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Abstract

本发明的摄像单元具有：摄像芯片；电源电路部，其输出向摄像芯片供给的电力；电源线，其从电源电路部向摄像芯片供电；切断部，其设于电源线，在测定摄像芯片的漏电流的情况下将电源电路部与摄像芯片之间断开；电源电路部；摄像芯片；以及安装基板，其安装有电源线和切断部。

Description

摄像单元以及摄像装置
本发明申请是国际申请日为2014年12月26日、国际申请号为PCT/JP2014/084581、进入中国国家阶段的国家申请号为201480075749.0、发明名称为“摄像单元、摄像装置以及基板”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种摄像单元以及摄像装置。
背景技术
已知有一种将摄像芯片安装于陶瓷封装内的封装构造的摄像单元。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2007-019423号公报
发明内容
具有在将摄像芯片安装于安装基板的状态下无法以高精度测定摄像芯片的漏电流这一问题。
在第一方案中，摄像单元可以具有拍摄被拍摄体的摄像芯片。摄像单元可以具有安装摄像芯片的安装基板。摄像单元可以具有设于安装基板并用于驱动摄像芯片的电子部件。摄像单元可以具有连接电子部件与摄像芯片的布线。摄像单元可以具有调节部，该调节部设于布线，在测定摄像芯片的漏电流的情况下，将从电子部件流向摄像芯片的电流调节为比没有测定摄像芯片的漏电流的情况电流小。
摄像芯片可以配置于由安装基板的第一面、框架和透光基板形成的空间，框架配置于第一面且包围摄像芯片的至少一部分，透光基板与摄像芯片相对配置。调节部可以调节部设于安装基板的与第一面为相反侧的第二面。
摄像单元可以还具有第一电极，第一电极与布线连接、且在测定摄像芯片的漏电流的情况下使用。调节部可以在布线上相对于第一电极设置于电子部件一侧。
摄像单元可以还具有电阻，该电阻设于布线，并以与调节部并联连接的方式配置。摄像单元可以还具有第二电极，该第二电极与布线连接、且在测定摄像芯片的漏电流的情况下使用。第一电极可以与电阻的第一端部电连接。第二电极可以与电阻的第二端部电连接。
调节部可以在测定摄像芯片的漏电流的情况下，使电子部件与摄像芯片之间的电阻比没有测定摄像芯片的漏电流的情况电阻高。
电子部件可以具有电源电路部，电源电路部输出向摄像芯片供给的电力。
电子部件可以具有电压变动抑制电路，电压变动抑制电路抑制基于电源电路部产生的电压随时间的变动。
电子部件可以具有放电电路，放电电路释放在摄像芯片中蓄积的电荷。
在第二方案中，摄像装置可以具有上述的任意的摄像单元。
在第三方案中，摄像单元可以具有拍摄被拍摄体的摄像芯片。摄像单元可以具有安装摄像芯片的安装基板。摄像单元可以具有电源电路部，该电源电路部设于安装基板，并输出向摄像芯片供给的电力。摄像单元可以具有从电源电路部向摄像芯片供给电力的供给线。摄像单元可以具有限制部，该限制部设于供给线，并在测定摄像芯片的漏电流的情况下限制从电源电路部流向摄像芯片的电流。
摄像芯片可以配置于由安装基板的第一面、框架和透光基板形成的空间，框架配置于第一面且包围摄像芯片的至少一部分，透光基板与摄像芯片相对配置。限制部可以设于安装基板的与第一面为相反侧的第二面。
摄像单元可以还具有第一电极，第一电极与将用于驱动摄像芯片的电子部件和摄像芯片连接的布线连接，第一电极在测定摄像芯片的漏电流的情况下使用。限制部可以在布线上相对于第一电极设置于电子部件一侧。
摄像单元可以还具有电阻，该电阻设于布线上，并以与限制部并联连接的方式配置。摄像单元可以还具有第二电极，与布线连接，并在测定摄像芯片的漏电流的情况下使用。第一电极可以与电阻的第一端部电连接。第二电极可以与电阻的第二端部电连接。
限制部可以在测定摄像芯片的漏电流的情况下，使用于驱动摄像芯片的电子部件与摄像芯片之间的电阻比没有测定摄像芯片的漏电流的情况电阻高。
摄像单元可以还具有用于驱动摄像芯片的电子部件。电子部件可以具有电源电路部，电源电路部输出向摄像芯片供给的电力。
电子部件可以具有电压变动抑制电路，电压变动抑制电路抑制基于电源电路部产生的电压随时间的变动。
电子部件可以具有放电电路，放电电路释放在摄像芯片中蓄积的电荷。
在第四方案中，摄像装置可以具有上述的任意的摄像单元。
在第五方案中，基板可以具有用于驱动摄像芯片的电子部件。基板可以具有连接电子部件与摄像芯片的布线。基板可以具有调节部，该调节部设于布线上，并在测定摄像芯片的漏电流的情况下，将从电子部件流向摄像芯片的电流调节为比没有测定摄像芯片的漏电流的情况电流小。
基板可以具有安装摄像芯片的第一面。基板可以具有与第一面为相反侧的第二面。调节部可以设于第二面。
在第六方案中，基板可以具有用于驱动摄像芯片的电子部件。基板可以具有连接电子部件与摄像芯片的布线。基板可以具有限制部，该限制部设于布线上，在测定摄像芯片的漏电流的情况下限制从电子部件流向摄像芯片的电流。
基板可以具有安装摄像芯片的第一面。基板可以具有与第一面为相反侧的第二面。限制部可以设于第二面。
此外，上述的发明的概要并未列举出本发明的全部必要特征。另外，这些特征群的子组合也可以另成为发明。
附图说明
图1是作为摄像装置的一个例子的相机10的示意剖视图。
图2是示意地示出摄像单元40的俯视图。
图3是示意地示出图2的A-A截面的剖视图。
图4是示意地示出第一安装例中的供电电路490的电路图。
图5示意地示出漏电流测定系统590。
图6是示意地示出第二安装例中的供电电路690的电路图。
图7是示意地示出漏电流测定系统790。
图8是示意地示出第三安装例中的供电电路890的电路图。
图9示意地示出连接用端点(land)841以及连接用端点842的安装例。
图10示意地示出连接用端点841以及连接用端点842的另一安装例。
图11示意地示出第三安装例中的漏电流测定系统1190。
其中，附图标记说明如下：
10 相机
20 镜头单元
22 光轴
24 镜头接口
26 机身接口
30 相机机身
31 反光镜单元
32 主反光镜
33 副反光镜
38 快门单元
40 摄像单元
51 MPU
52 ASIC
60 反光镜箱
62 基板
70 成像光学系统
72 焦点检测传感器
80 对焦板
82 五棱镜
84 取景器光学系统
86 取景器视窗
88 显示部
100 摄像芯片
101 摄像区域
102 周围区域
110 线
111 第一主面
112 第二主面
120 安装基板
121 第一层
122 第二层
131 连接柱
132 绝缘体
138 开口部
140 框架
141 第一面
142 第二面
143 第三面
144 第四面
145 第五面
146 第六面
147 定位孔
148 安装孔
149 螺钉
150 托架
160 盖板玻璃
180 电子部件
201、211 阻焊层
202、204、212、214 布线层
203、205、213、215 绝缘层
207 芯层
210、220、230 粘接部
240 键合焊盘
400 电源线
410 电源电路
411 控制端子
412 接地端子
413 噪声通过端子
414 输出端子
415 输入端子
416 调节器
419 电容器
420 电压变动抑制电路
421 第一电容器
422 第二电容器
423 电阻
430 放电电路
431 电阻
432 FET
433 漏极端子
434 源极端子
435 栅极端子
440 FET
441 源极端子
442 漏极端子
443 栅极端子
444 控制用端点
445 控制线
446 下拉电阻
450 测定用电阻
451 测定用端点
452 测定用端点
453 测定用线
454 测定用线
480 接地线
490 供电电路
具体实施方式
以下，通过发明的实施方式来说明本发明，但是以下的实施方式并不限定权利要求书所述的发明。另外，在实施方式中说明的特征的组合未必全部都是发明的解决方式所必须的。
图1是作为摄像装置的一个例子的相机10的示意剖视图。相机10具有镜头单元20以及相机机身30。在相机机身30上安装有镜头单元20。镜头单元20在其镜筒内具有沿着光轴22排列的光学系统，镜头单元20将入射的被拍摄体光束导向相机机身30的摄像单元40。
在本实施方式中，将沿着光轴22的方向规定为z轴方向。即，将被拍摄体光束向摄像单元40所具有的摄像芯片100入射的方向规定为z轴方向。具体地，将被拍摄体光束入射的方向规定为z轴负方向，将其相反方向规定为z轴正方向。将摄像芯片100的长边方向规定为x轴方向。将摄像芯片100的短边方向规定为y轴方向。具体地，将x轴方向以及y轴方向决定为图1中图示的方向。x轴、y轴、z轴是右手正交坐标系。此外，为了便于说明，有时将z轴正方向称为前方、前侧等。另外，有时将z轴负方向称为后方、后侧等。有时将z轴负方向一侧称为背面侧等。
相机机身30在比与镜头接口24结合的机身接口26偏z轴负方向的位置，具有反光镜单元31。反光镜单元31包含主反光镜32以及副反光镜33。主反光镜32以可旋转的方式轴支承在进入位置与避让位置之间，该进入位置是主反光镜32进入到镜头单元20所射出的被拍摄体光束的光路的位置，该避让位置是主反光镜32从被拍摄体光束的光路退出的位置。副反光镜33以可旋转的方式轴支承于主反光镜32。副反光镜33与主反光镜32一起进入到进入位置，与主反光镜32一起避让到避让位置。如此，反光镜单元31具有进入了被拍摄体光束的光路中的进入状态和避开了被拍摄体光束的避让状态。
在反光镜单元31处于进入状态的情况下，入射至主反光镜32的被拍摄体光束的一部分被主反光镜32反射而导向对焦板80。对焦板80被配置于与摄像单元40所具有的摄像芯片100的摄像面共轭的位置，使由镜头单元20的光学系统形成的被拍摄体像可视化。从取景器视窗86通过五棱镜82以及取景器光学系统84来观察在对焦板80上形成的被拍摄体像。
在反光镜单元31处于进入状态的情况下，入射至主反光镜32的被拍摄体光束中的除了由主反光镜32反射了的被拍摄体光束以外的光束入射至副反光镜33。具体地，主反光镜32具有半反光镜区域，从主反光镜32的半反光镜区域透射的被拍摄体光束入射至副反光镜33。副反光镜33将从半反光镜区域入射的光束向成像光学系统70反射。成像光学系统70将入射光束导向用于检测焦点位置的焦点检测传感器72。焦点检测传感器72向MPU51输出焦点位置的检测结果。
对焦板80、五棱镜82、主反光镜32、副反光镜33以及取景器光学系统84被作为支撑构件的反光镜箱60支撑。若反光镜单元31处于避让状态且快门单元38的前帘和后帘处于开状态，则透过镜头单元20的被拍摄体光束到达摄像芯片100的摄像面。
在摄像单元40的z轴负方向的位置依次配置基板62以及显示部88。作为显示部88，例如能够应用液晶面板等。显示部88的显示面出现在相机机身30的背面。显示部88显示根据来自摄像芯片100的输出信号而生成的图像。
在基板62上安装MPU51、ASIC52等电子电路。MPU51负责相机10的整体的控制。来自摄像芯片100的输出信号经由柔性印刷基板等被输出至ASIC52。ASIC52处理从摄像芯片100输出的输出信号。
ASIC52基于来自摄像芯片100的输出信号，生成显示用的图像数据。显示部88基于ASIC52所生成的显示用的图像数据，来显示图像。ASIC52基于来自摄像芯片100的输出信号，生成记录用的图像数据。ASIC52对摄像芯片的输出信号施加例如图像处理或者压缩处理，由此生成记录用的图像数据。ASIC52所生成的记录用的图像数据被记录于相机机身30中安装的记录介质。记录介质构成为相对于相机机身30可拆装。
图2是示意地示出摄像单元40的俯视图。图3是示意地示出图2的A-A截面的剖视图。摄像单元40具有摄像芯片100、安装基板120、框架140和盖板玻璃160。
摄像芯片100是CMOS图像传感器或者CCD图像传感器。摄像芯片100具有摄像区域101和周围区域102。摄像区域101形成于摄像芯片100的中央部分。在摄像芯片100的摄像区域101，由对被拍摄体光进行光电转换的多个光电转换元件形成有摄像面。摄像芯片100的周围区域102位于摄像区域101的周围。在摄像芯片100的周围区域102具有处理电路，该处理电路读出通过光电转换元件进行光电转换而得到的像素信号来进行信号处理。处理电路具有将输出的像素信号转换为数字信号的AD转换电路。
摄像芯片100安装于安装基板120。摄像芯片100通过例如倒装芯片安装而被安装于安装基板120。摄像芯片100经由键合接线110与安装基板120电连接。由摄像芯片100的AD转换电路转换为数字信号的像素信号经由键合接线110被输出至安装基板120。摄像芯片100通过粘接剂粘接于安装基板120。摄像芯片100容置于框架140的开口部138。框架140是环绕摄像芯片100的环绕构件的一个例子。
安装基板120安装摄像芯片100。安装基板120具有第一层121、芯层207和第二层122。第一层121包含阻焊层201、布线层202、绝缘层203、布线层204和绝缘层205。第二层122包含绝缘层215、布线层214、绝缘层213、布线层212和阻焊层211。安装基板120是作为核心层而具有芯层207的多层核心基板。
在安装基板120上，沿着光轴22按照如下的顺序配置：摄像芯片100、阻焊层201、布线层202、绝缘层203、布线层204、绝缘层205、芯层207、绝缘层215、布线层214、绝缘层213、布线层212和阻焊层211。
绝缘层203、绝缘层205、绝缘层215以及绝缘层213例如是树脂层。绝缘层203、绝缘层205、绝缘层215以及绝缘层213各自的厚度是20μm～50μm。此外，厚度是指在z轴方向上的长度。
布线层202、布线层204、布线层214以及布线层212包括布线图案。作为布线层202、布线层204、布线层214以及布线层212的材料，能够使用镍和铁的合金(例如42合金、56合金)、铜或者铝等。布线层202、布线层204、布线层214以及布线层212所具有的布线图案各自的厚度是10μm～50μm左右。
芯层207由金属形成。在由金属形成芯层207的情况下，可以使用例如镍和铁的合金(例如42合金、56合金)、铜或者铝等作为芯层207的材料。芯层207的厚度比布线层202、布线层204、布线层214以及布线层212中的任一个布线层的厚度更厚。芯层207的厚度比绝缘层203、绝缘层205、绝缘层215以及绝缘层213中的任一个绝缘层的厚度更厚。具体地，芯层207的厚度是0.1mm～0.8mm左右。芯层207的刚性比布线层202、布线层204、布线层214以及布线层212中的任一个布线层的刚性更高。芯层207的刚性也可以比第一层121的刚性更高。芯层207的刚性也可以比第二层122的刚性更高。
此外，芯层207也可以由树脂形成。在由树脂形成芯层207的情况下，芯层207也可以使用例如FR4、比FR4的弹性模量更高的材料来形成。在芯层207由树脂形成的情况下，芯层207在z轴方向上被布线层夹着。例如，在芯层207由树脂形成的情况下，可以沿着光轴22按照如下的顺序配置：摄像芯片100、阻焊层201、布线层202、绝缘层203、布线层204、芯层207、布线层214、绝缘层213、布线层212和阻焊层211。在通过追加来配置两层布线层的情况下，在布线层204与芯层207之间，沿着光轴22按照顺序配置与布线层204接触的追加的绝缘层和与芯层207接触的追加的布线层，在芯层207与布线层214之间，沿着光轴22按照顺序配置与芯层207接触的追加的布线层和与布线层214接触的追加的绝缘层。
如此，安装基板120是具有金属核心或者树脂核心的多层核心基板。安装基板120的厚度在整体上可以是0.3mm～1.0mm左右。
布线层202的至少一部分用于接受从摄像芯片100经由键合接线110输出的像素信号的布线图案。布线层202具有连接键合接线110的键合焊盘240。
布线层204中包含的布线图案以及布线层214中包含的布线图案能够用于例如接地线、电源线等。
摄像芯片100安装在阻焊层201上。摄像芯片100通过键合接线110与键合焊盘240电连接。键合焊盘240与布线层212通过从第一层121和芯层207贯穿的连接柱(via)131而电连接。连接柱131被绝缘体132覆盖。从摄像芯片100输出的像素信号经由布线层202和连接柱131被传输至布线层212。
在阻焊层211上设置电子部件180。即，电子部件180安装于安装基板120的与安装有摄像芯片100的第一主面111相反一侧的第二主面112。电子部件180具有例如连接器、电容器、电阻、调节器(regulator)、晶体管等。电子部件180的一部分部件构成后述的电源电路410。电子部件180的一部分部件构成后述的电压变动抑制电路420。电子部件180的一部分部件构成后述的放电电路430。
作为电子部件180的一部分的连接器与例如柔性基板连接。作为电子部件180的一部分的连接器与布线层212连接，传输至布线层212的像素信号经由连接器以及柔性基板被传输至ASIC52等外部的电子电路。
电子部件180与布线层212通过引线构件电连接。电子部件180的引线构件由焊锡等固定于布线层212。布线层212的一部分从形成于阻焊层211的开口露出到外部，来提供端点(land)等的电极。
摄像芯片100以COB(Chip On Board：板上芯片)安装方式安装于安装基板120。摄像芯片100通过利用例如粘接部210粘接的方式来安装于安装基板120。具体地，摄像芯片100由粘接部210粘接于安装基板120的阻焊层201。粘接部210由例如粘接剂形成。具体地，粘接部210是通过使热固化性粘接剂热固化而形成的。摄像芯片100经过摄像芯片安装工序安装于安装基板120。在摄像芯片安装工序中，在将摄像芯片100安装于安装基板120的情况下，加热安装基板120。摄像芯片100通过热压焊而被安装于加热了的安装基板120。
键合接线110安装于摄像芯片100以及键合焊盘240。键合接线110经过线键合工序(键合接线安装工序)将摄像芯片100与键合焊盘240电连接。在线键合工序中，在将键合接线110安装于键合焊盘240的情况下，键合焊盘240被加热，键合接线110通过热压焊被安装于加热了的键合焊盘240。在线键合工序中，键合接线110也可以通过超声波压焊被安装于键合焊盘240。
框架140由粘接部220粘接于安装基板120。具体地，框架140由粘接部220粘接于安装基板120的阻焊层201。粘接部220由例如粘接剂形成。具体地，粘接部220是通过使热固化性粘接剂热固化而形成的。在框架安装工序中，框架140被安装于安装基板120。在框架安装工序中，在将框架140安装于安装基板120的情况下，框架140被加热，框架140通过热压焊被安装于加热了的安装基板120。
如此，在摄像芯片100、键合接线110以及框架140的安装工序中，对摄像芯片100加热。即，在摄像单元40的制造工序中，对摄像芯片100加热。经过制造工序而制造出的摄像单元40在摄像单元40的检查工序中，进行包含摄像芯片100的漏电流的测定的检查。
框架140具有第一面141、第二面142、第三面143、第四面144、第五面145、第六面146。第六面146形成开口部138。第六面146形成框架140的内壁面。开口部138形成于例如xy面内的中央部分。
第一面141是通过粘接部230与盖板玻璃160粘接的面。第一面141是与第六面146的端部相接的面。第一面141沿着第六面146的外缘形成。第一面141是与xy平面大致平行的面。
第二面142是与第一面141的端部相接的面。第二面142是沿着第一面141的外缘形成的面。第二面142具有与yz平面大致平行的面和与xz平面大致平行的面。
第三面143是与第二面142的端部相接的面。第三面143是与xy平面大致平行的面，且是与第一面141大致平行的面。
第四面144是与第三面143的端部相接的面。第四面144是沿着第三面143的外缘形成的面。第四面144具有与yz平面大致平行的面和与xz平面大致平行的面。
第五面145是与第四面144的端部相接的面。第五面145是沿着第四面144的外缘形成的面。第五面145是与xy平面大致平行的面。第五面145是与第一面141以及第三面143大致平行的面。第五面145是通过粘接部220与安装基板120的阻焊层201粘接的面。第五面145面向粘接部220。第五面145是与第六面146的端部相接的面。第五面145沿着第六面146的外缘而形成。
框架140具有由第一面141、第二面142和第三面143形成的层差部。框架140作为安装部而具有安装孔148。框架140具有例如3个安装孔148。3个安装孔148中的任一个都是从第三面143贯穿到第五面145的孔。3个安装孔148中的任一个都用于将摄像单元40安装于反光镜箱60等其他构造体。
框架140是通过经由3个安装孔148由例如螺钉149螺合拧紧来被固定于托架150。托架150通过例如被螺合拧紧而固定于反光镜箱60。由此，摄像单元40被固定于反光镜箱60。
在使用安装孔148且使用例如金属的螺钉149将框架140和托架150螺合拧紧的情况下，能够形成用于使在摄像芯片100动作的情况下产生的热量经由螺钉149向反光镜箱60释放的导热路径。
框架140具有定位孔147。框架140具有例如两个定位孔147。两个定位孔147中的任一个都是从第三面143贯穿到第五面145的孔。定位孔147中的任一个都是用于对摄像单元40进行定位的。两个定位孔147中的一个定位孔是由嵌合孔形成的，另一个定位孔147是由长孔形成的。
框架140是使用两个定位孔147来相对于托架150进行定位的。例如将设于托架150的两个定位销插入至两个定位孔147，由此来定位框架140和托架150。框架140以被定位的状态固定于托架150。因此，摄像单元40以被定位的状态固定于反光镜箱60。此外，框架140和托架150也可以被固定于除了反光镜箱60以外的其他构造体。
此外，摄像单元40还可以不经由托架150而固定于反光镜箱60。摄像单元40还可以通过用例如螺钉拧紧到3个安装孔148的方式固定于反光镜箱60。
盖板玻璃160用于封装摄像芯片100。盖板玻璃160以覆盖框架140的开口部138的方式被固定于框架140。盖板玻璃160与框架140及安装基板120一起使开口部138成为密封空间。
盖板玻璃160通过粘接部230与框架140粘接。粘接部230由粘接剂形成。具体地，粘接部220是通过使光固化型粘接剂固化而形成的。例如，粘接部230是通过用紫外线使紫外线固化型粘接剂固化的方式形成的。作为盖板玻璃160的材料，能够使用硼硅酸玻璃、石英玻璃、无碱玻璃、耐热玻璃等。盖板玻璃160具有透光性。盖板玻璃160的厚度是0.5mm～0.8mm。
盖板玻璃160在将摄像芯片100、键合接线110和框架140安装于安装基板120之后被固定于框架140。由于盖板玻璃160具有透光性，所以能够使用光固化型粘接剂将盖板玻璃160与框架140之间粘接。此外，盖板玻璃160是透光性构件的一个例子。作为透光性构件，除了玻璃以外，还能够应用水晶等。
如此，由安装基板120、框架140和盖板玻璃160形成密封空间。摄像芯片100配置于由安装基板120、框架140和盖板玻璃160形成的密封空间内。由此，摄像芯片100不易受到外部环境的影响。例如，摄像芯片100不易受到存在于密封空间外的水分的影响。因此，能够防止摄像芯片100的性能变差。
图4是示意地示出第一安装例中的供电电路490的电路图。供电电路490具有电源线400、接地线480、电源电路410、电压变动抑制电路420、放电电路430、FET440、控制线445、控制用端点444、下拉电阻446、测定用电阻450、测定用端点451、测定用端点452、测定用线453和测定用线454。
电源电路410、电压变动抑制电路420、放电电路430、FET440、控制用端点444、下拉电阻446、测定用电阻450、测定用端点451、测定用端点452作为电子部件180的一部分而被包含于供电电路490中。电源线400、接地线480、控制线445、测定用线453、测定用线454由布线层212中包含的布线图案形成。
电源线400由布线层212中包含的布线图案中的向摄像芯片100供电的电源图案形成。接地线480由布线层214中包含的布线图案中的提供摄像单元40的接地电位的接地图案形成。
电源电路410输出向摄像芯片100供给的电力。电源电路410所输出的电力通过电源线400供给至摄像芯片100。
电源电路410具有调节器416和电容器419。调节器416是输出恒定电压的电压输出电路的一个例子。作为一个例子，调节器416是串联调节器。调节器416具有控制端子411、GND端子412、噪声通过端子413、输出端子414和输入端子415。
向输入端子415施加电源电压V+。电源电压V+由相机10所具有的电源单元提供。电源单元是利用在相机10中安装的电池中蓄积的电力来生成的。向控制端子411施加对调节器416的动作进行控制的电压。向控制端子411施加与向输入端子415施加的电压相同的电压。
GND端子412与接地线480电连接。例如，GND端子412通过焊锡与接地线480电连接。
噪声通过(noise pass)端子413与电容器419的一端电连接。电容器419的另一端与接地线480电连接。通过将电容器连接于噪声通过端子413，来抑制从输出端子414输出的输出电压随时间的变动。
调节器416在施加至控制端子411的电压的值超过预先决定的值的情况下，使用从输入端子415供给的电力，从输出端子414输出固定的电压。具体地，调节器416使施加至输入端子415的电压下降并稳定，从输出端子414输出恒定的电压。
输出端子414与电源线400电连接。输出端子414与摄像单元40所具有的电源线400电连接。例如，输出端子414通过焊锡与电源线400电连接。电源线400形成从输出端子414到与摄像芯片100的供电端子连接的键合焊盘240为止的供电线。
电压变动抑制电路420在与电源线400电连接的状态下被安装于安装基板120，抑制电源电路410所输出的电压随时间的变动。电压变动抑制电路420具有第一电容器421、第二电容器422和电阻423。
第一电容器421的一端与电源线400电连接，第一电容器421的另一端与接地线480电连接。第二电容器422的一端与电源线400电连接，第二电容器422的另一端与接地线480电连接。电阻423的一端与电源线400电连接，电阻423的另一端与接地线480电连接。
第一电容器421抑制比较高频率的电压变动。第一电容器421例如是陶瓷电容器。第二电容器422抑制比较低频率的电压变动。第二电容器422例如是电解电容器。
第二电容器422能够吸收比较大的电压变动。第二电容器422的容量比第一电容器421的容量大。第二电容器422的容量可以是第一电容器421的容量的大约10倍。第一电容器421的容量可以在0.1～10μF的范围内。第二电容器422的容量可以在10μF～560μF的范围内。电阻423的电阻值可以是例如1kΩ以上。此外，电压变动抑制电路420也可以仅具有第一电容器421和第二电容器422中的某一方。电压变动抑制电路420也可以不具有电阻423。
放电电路430在与电源线400电连接的状态下安装于安装基板120，对摄像芯片100中蓄积的电荷进行放电。放电电路430具有电阻431和FET432。FET432是N沟道MOSFET。FET432是对摄像芯片100的内部电路的剩余电荷的放电进行控制的开关的一个例子。电阻431的一端与电源线400电连接，电阻431的另一端与FET432的漏极端子433电连接。电阻431的电阻值例如是100Ω。电阻431的电阻值可以在例如20Ω～500Ω的范围内。FET432的源极端子434与接地线480电连接。此外，在仅进行使摄像芯片100的内部电路不残留剩余电荷的动作的情况下，也可以不将放电电路430安装于安装基板120。
向FET432的栅极端子435施加对FET432的动作进行控制的控制电压。在向栅极端子435施加了预先规定的正电压的情况下，FET432的漏极端子433与源极端子434之间处于导通状态。在这种情况下，电源线400处于经由电阻431与接地线480电连接的状态。由此，调节器416的内部电路的剩余电荷通过电源线400和放电电路430释放到接地线480。另外，电压变动抑制电路420的第一电容器421和第二电容器422中蓄积的剩余电荷通过电源线400和放电电路430释放到接地线480。另外，在后述的FET440的源极-漏极间处于导通状态的情况下，摄像芯片100的内部电路的剩余电荷通过电源线400以及放电电路430释放到接地线480。
FET440设于电源线400。FET440是P沟道MOSFET。FET440是调节部的一个例子，其使从电源电路410流向摄像芯片100的电流在测定摄像芯片100的漏电流的情况下比没有测定摄像芯片100的漏电流的情况电流小的方式进行调节。FET440使电源电路410与摄像芯片100之间的电阻在测定摄像芯片100的漏电流的情况下比没有测定摄像芯片100的漏电流的情况电阻高。
FET440的源极端子441与电源线400的电源电路410一侧电连接。FET440的漏极端子442与电源线400的摄像芯片100侧电连接。在FET440的源极端子441与漏极端子442之间处于导通状态的情况下，电源电路410与摄像芯片100电连接，处于能够从电源电路410经由电源线400向摄像芯片100供电的状态。在这种情况下，FET440的源极-漏极间的导电路径与电源线400形成从调节器416的输出端子414到与摄像芯片100的供电端子连接的键合焊盘240为止的供电线。
FET440的栅极端子443经由控制线445与控制用端点444电连接。栅极端子443经由下拉电阻446与接地线480电连接。在栅极端子443被断开的情况下，FET440的源极端子441与漏极端子442之间处于导通状态。
另一方面，在向控制用端点444施加预先规定的正电压的情况下，FET440的源极端子441与漏极端子442之间处于非导通状态。在这种情况下，电源电路410与摄像芯片100之间的经由电源线400的电连接处于被切断的状态。
测定用电阻450与FET440并联连接于电源线400。测定用电阻450用于测定摄像芯片100的漏电流。测定用电阻450的一端与测定用端点451电连接。测定用电阻450的另一端与测定用端点452电连接。测定用电阻450的一端经由测定用线453与测定用端点451电连接。测定用电阻450的另一端经由测定用线454与测定用端点452电连接。
利用FET440，来切换使测定用电阻450的一端与另一端之间电气短路的状态和电气上不短路的状态。例如，在控制用端点444悬空的情况下，FET440的源极端子441与漏极端子442之间处于导通状态，测定用电阻450的一端与另一端之间处于短路的状态。另一方面，在向控制用端点444施加预先规定的正电压的情况下，FET440的源极端子441与漏极端子442之间处于非导通状态，测定用电阻450的一端与另一端之间处于不短路的状态。
摄像芯片100的漏电流的测定在使FET440的源极端子441与漏极端子442之间处于非导通状态下进行。即，漏电流的测定在向控制用端点444施加有预先规定的正电压的状态下进行。在这种状态下，摄像芯片100与电源电路410之间不是经由电源线400电连接的，摄像芯片100与电源电路410之间是经由测定用电阻450连接的。由此，相比于摄像芯片100与电源电路410之间经由电源线400而电连接的情况，能够更准确地测定摄像芯片100的漏电流。
FET440在电源线400上相对于测定用端点451设置于电源电路410侧，在测定摄像芯片100的漏电流的情况下，切断测定用端点451与电源电路410之间的电连接。
此外，FET440在电源线400上相对于连接有放电电路430的部位设置于摄像芯片100侧。因此，放电电路430在测定摄像芯片100的漏电流的情况下，被FET440切断与摄像芯片100的电连接。因此，与将放电电路430相对于FET440设置于摄像芯片100侧的情况相比，能够更准确地测定漏电流。
FET440在电源线400上相对于连接有电压变动抑制电路420的部位设置于摄像芯片100侧。因此，电压变动抑制电路420在测定摄像芯片100的漏电流的情况下，被FET440切断与摄像芯片100的电连接。因此，与电压变动抑制电路420相对于FET440设置于摄像芯片100侧的情况相比，能够更准确地测定漏电流。
测定用电阻450具有基于摄像芯片100的漏电流的测定精度而预先设计的电阻值。例如，测定用电阻450的电阻值是1kΩ以上。测定用电阻450的电阻值也可以是10kΩ以上。测定用电阻450的电阻值优选是100kΩ以上。测定用电阻450的电阻值也可以是1MΩ以下。测定用电阻450的电阻值最好与在FET440的源极端子441与漏极端子442之间处于非导通状态的情况下的源极-漏极间电阻相比足够小。
图5示意地示出漏电流测定系统590。漏电流测定系统590具有控制部500、电压测定部510和摄像单元40。
控制部500为了测定摄像芯片100的漏电流，将摄像芯片100设置为不动作的非驱动状态。另外，控制部500向控制用端点444施加正电压。由此，使测定用电阻450处于其一端与另一端之间不短路的状态。在这种状态下，控制部500向调节器416施加电源电压，由此使调节器416动作，使电压测定部510对测定用端点451与测定用端点452之间的电压进行测定。控制部500基于由电压测定部510测定出的测定用端点451与测定用端点452之间的电压以及测定用电阻450的电阻值，来计算漏电流。
控制部500基于计算出的漏电流的电流值，判断摄像芯片100好坏。例如，控制部500在计算出的漏电流的电流值大于预先规定的值的情况下，判断摄像芯片100是疵品。控制部500在计算出的漏电流的电流值是预先规定的值以下的情况下，判断摄像芯片100是良品(合格品)。
若采用第一安装例的供电电路490，则能够使用调节器416作为漏电流的电流源，测定摄像芯片100的漏电流。因此，不必另外准备漏电流源。
图6是示意地示出第二安装例中的供电电路690的电路图。供电电路690所具有的结构要素中的、被标付有与参照图4以及图5说明了的供电电路490所具有的结构要素被标付的附图标记相同的附图标记的结构要素，具有与供电电路490所具有的对应的结构要素同样的功能、结构，有时针对供电电路690所具有的结构要素中的、与供电电路490所具有的结构要素对应的结构要素，省略其说明。有时针对供电电路690所具有的结构要素中的、与供电电路490所具有的结构要素对应的结构要素，仅说明其差异。
供电电路690具有电源线400、接地线480、电源电路410、电压变动抑制电路420、放电电路430、FET440、控制线445、控制用端点444、下拉电阻446、测定用端点651和测定用线653。
测定用端点651与测定用端点451对应。测定用线653与测定用线453对应。因此，供电电路690的结构相当于从供电电路490的结构中去除了测定用电阻450、测定用端点452以及测定用线454的结构。
摄像芯片100的漏电流的测定是在使FET440的源极端子441与漏极端子442之间处于非导通状态、而将电源电路410与摄像芯片100之间断开了的状态下进行的。摄像芯片100的漏电流的测定是通过将电流源连接于测定用端点651来进行的。
像这样，FET440在电源线400上相对于测定用端点651设置于电源电路410侧。而且，FET440在测定摄像芯片100的漏电流的情况下，将测定用端点651与电源电路410之间断开。
图7示意地示出漏电流测定系统790。漏电流测定系统790具有控制部700、电流测定部710、电流源720和摄像单元40。
控制部700为了测定摄像芯片100的漏电流，使摄像芯片100处于不动作的非驱动状态。另外，控制部700向控制用端点444施加正电压。由此，使将电源电路410与摄像芯片100处于断开的状态。在这种状态下，控制部700控制电流源720，以使得处于能够从电流源720经由测定用端点451向摄像芯片100供给电流的状态，并且使电流测定部710测定从电流源720流入测定用端点451的电流的电流值。控制部700计算由电流测定部710测定出的电流值以作为漏电流的电流值。
控制部700基于计算出的漏电流的电流值，判断摄像芯片100好坏。例如，控制部700在计算出的漏电流的电流值大于预先规定的值的情况下，判断摄像芯片100是疵品。控制部700在计算出的漏电流的电流值是预先规定的值以下的情况下，判断摄像芯片100是良品。
在测定漏电流之后，控制部700停止向控制用端点444施加正电压，使控制用端点444断开。由此，电源电路410与摄像芯片100之间电连接，变为能够经由电源线400从电源电路410向摄像芯片100供电的状态。
如参照图4～图7所说明的那样，根据施加至控制用端点444的电压，FET440使电源电路410和摄像芯片100之间在电气性断开的状态与电连接的状态进行切换。FET440是使电源电路410和摄像芯片100之间在电气性断开的状态与电连接的状态进行切换的开关部的一个例子。另外，控制用端点444用于向FET440供给对FET440的切换动作进行控制的电信号的控制用电极的一个例子。
图8是示意地示出第三安装例中的供电电路890的电路图。供电电路890所具有的结构要素中的、被标付有与参照图4以及图5说明了的供电电路490所具有的结构要素被标付的附图标记相同的附图标记的结构要素，具有与供电电路490所具有的对应的结构要素同样的功能、结构。有时针对供电电路890所具有的结构要素中的、与供电电路490所具有的结构要素对应的结构要素，省略其说明。有时针对供电电路890所具有的结构要素中的、与供电电路490所具有的结构要素对应的结构要素，仅说明其差异。
供电电路690具有电源线400、接地线480、电源电路410、电压变动抑制电路420、放电电路430、测定用端点851和测定用线853。
测定用端点851与测定用端点451对应。测定用线853与测定用线453对应。连接用端点841设于与FET440的源极端子441对应的位置。连接用端点842与FET440的漏极端子442对应。因此，供电电路890的结构相当于从供电电路490的结构中去除测定用电阻450、测定用端点452以及测定用线454，并取代FET440、控制线445、控制用端点444以及下拉电阻446而设置连接用端点841以及连接用端点842的结构。
连接用端点841与连接用端点842分开设置。连接用端点841与连接用端点842靠近设置。连接用端点841与连接用端点842被设置为在将供电电路890安装于安装基板120之后连接用端点841与连接用端点842之间仅相隔能够用焊锡连接的距离。
摄像芯片100的漏电流是在连接用端点841与连接用端点842之间未被焊锡电连接的状态下测定的。通过将电流源与测定用端点651连接，来测定摄像芯片100的漏电流。在测定漏电流之后，在判断摄像芯片100是良品的情况下，用焊锡将连接用端点841与连接用端点842之间连接。由此，从调节器416的输出端子414到与摄像芯片100的供电端子连接的键合焊盘240为止的供电线由电源线400、连接用端点841、连接用端点841与连接用端点842之间的焊锡连接以及连接用端点842形成。即，电源电路410与摄像芯片100之间电连接。
图9示意地示出连接用端点841以及连接用端点842的安装例。图9的(a)示意地示出测定漏电流之前以及测定漏电流时的状态。连接用端点841以及连接用端点842以从阻焊层211的开口940露出的方式形成。
连接用端点841的外缘是大致半圆状的。连接用端点842的外缘是大致半圆状的。连接用端点841的外缘的直线部901与连接用端点842的外缘的直线部902相对。连接用端点841的外缘的直线部901与连接用端点842的外缘的直线部902之间分离地形成。电源线400从连接用端点841的外缘的直线部901的相反侧延伸。另外，电源线400从连接用端点842的外缘的直线部902的相反侧延伸。
图9的(b)示意地示出在测定漏电流之后在连接用端点841与连接用端点842之间形成导电电桥950的状态。在测定漏电流之后，用焊锡在连接用端点841与连接用端点842之间形成导电电桥950。由此，在连接用端点841与连接用端点842之间通过导电电桥950电连接。
连接用端点842是在电源线400上相对于测定用端点851设置于电源电路410侧的电极的一个例子。连接用端点841是在与连接用端点842分开的状态下被安装的、并在电源线400上设于连接用端点842与电源电路410之间的电极的一个例子。如上所述，在连接用端点841与连接用端点842之间电气绝缘的状态下，使用测定用端点851测定摄像芯片100的漏电流。连接用端点841与连接用端点842之间在测定漏电流之后通过导体电连接。
如以上说明的那样，连接用端点841以及连接用端点842在电源线400上相对于测定用端点851设置于电源电路410侧。在测定摄像芯片100的漏电流的情况下，利用连接用端点841以及连接用端点842将测定用端点851与电源电路410之间断开。
图10示意地示出连接用端点841以及连接用端点842的另一安装例。连接用端点1041与连接用端点841对应，连接用端点1042与连接用端点842对应。图10的(a)示意地示出测定漏电流之前以及测定漏电流时的状态。连接用端点1041以及连接用端点1042以从阻焊层211的开口1040露出的方式形成。
连接用端点1041具有：区域1011，其具有与电源线400连接的缘；以及突出部1012，其从区域1011向连接用端点1042突出。连接用端点1042具有：区域1021，其具有与电源线400连接的缘；以及突出部1022，其从区域1021向连接用端点1041突出。
连接用端点1041的突出部1012与连接用端点1042的区域1021具有彼此相对的缘部。突出部1012与区域1021相对的缘部大致垂直于电源线400延伸的方向。另外，连接用端点1042的突出部1022与连接用端点1041的区域1011具有彼此相对的缘部。突出部1022与区域1011的相对的缘部大致垂直于电源线400延伸的方向。
另外，连接用端点1041的突出部1012与连接用端点1042的突出部1022具有彼此相对的缘部。突出部1012与突出部1022相对的缘部大致平行于电源线400延伸的方向。由此，能够延长连接用端点1041与连接用端点1042相对的缘部的长度。
图10的(b)示意地示出在测定漏电流之后，在连接用端点1041与连接用端点1042之间形成导电电桥1050的状态。在测定漏电流之后，用焊锡在连接用端点1041与连接用端点1042之间形成导电电桥1050。由此，连接用端点1041与连接用端点1042之间通过导电电桥1050电连接。
连接用端点1042是在电源线400上相对于测定用端点851设定于电源电路410侧的电极的一个例子。连接用端点1041是在与连接用端点1042分离的状态下被安装的、在电源线400上设于连接用端点1042与电源电路410之间的电极的一个例子。如上所述，在连接用端点1041与连接用端点1042之间电气绝缘的状态下，使用测定用端点851测定摄像芯片100的漏电流。连接用端点1041与连接用端点1042之间在测定漏电流之后通过导体电连接。
如以上说明的那样，连接用端点1041以及连接用端点1042在电源线400上相对于测定用端点851设置于电源电路410侧。在测定摄像芯片100的漏电流的情况下，利用连接用端点1041以及连接用端点1042将测定用端点851与电源电路410之间断开。
图11示意地示出第三安装例的漏电流测定系统1190。漏电流测定系统1190具有控制部1100、电流测定部1110、电流源1120和摄像单元40。此处，举出并使用参照图9等所说明的连接用端点841以及连接用端点842的安装例，来说明漏电流测定系统1190的动作。
控制部1100为了测定摄像芯片100的漏电流，使摄像芯片100处于不动作的非驱动状态。另外，控制部1100在连接用端点841与连接用端点842未被电连接的状态下，控制电流源1120，以处于能够从电流源1120经由测定用端点851向摄像芯片100供给电流的状态，并且使电流测定部1110测定从电流源1120流入测定用端点851的电流的电流值。控制部1100计算出由电流测定部1110测定出的电流值，来作为漏电流的电流值。
控制部1100基于计算出的漏电流的电流值，判断摄像芯片100好坏。例如，控制部1100在计算出的漏电流的电流值大于预先规定的值的情况下，判断摄像芯片100是疵品。控制部1100在计算出的漏电流的电流值是预先规定的值以下的情况下，判断摄像芯片100是良品。
在测定漏电流之后，在连接用端点841与连接用端点842之间形成导电电桥950，将连接用端点841与连接用端点842连接。由此，电源电路410与摄像芯片100之间电连接，变为能够经由电源线400从电源电路410向摄像芯片100供电的状态。
与参照图11说明了的漏电流测定系统1190的动作同样的动作也能够应用至参照图10等说明了的连接用端点1041以及连接用端点1042的安装例。因此，针对连接用端点1041以及连接用端点1042的安装例的漏电流测定系统，省略详细的说明。
如参照图4～图7所说明的那样，FET440发挥在测定摄像芯片100的漏电流的情况下将电源电路410与摄像芯片100之间断开的切断部的功能。另外，测定用端点451、测定用端点651以及测定用端点851在与电源线400电连接的状态下安装于安装基板120，并被用于测定摄像芯片100的漏电流。
在以上说明的实施方式的说明中，控制用端点444、测定用端点451、测定用端点452、连接用端点841、连接用端点842、连接用端点1041以及连接用端点1042是在安装了摄像单元40之后能够从外部访问的电极的一个例子。控制用端点444、测定用端点451、测定用端点452、连接用端点841、连接用端点842、连接用端点1041以及连接用端点1042并不限于端点，还能够应用各种各样的安装方式。
举出包括镜头单元20以及相机机身30在内的相机10作为摄像装置的一个例子进行了说明。但是，摄像装置也可以不具有镜头单元20。例如，相机机身30是摄像装置的一个例子。另外，摄像装置是指，除了单镜头反光相机等镜头更换式的摄像装置以外还包含非透镜更换式的摄像装置在内的概念。
以上，虽然使用实施方式对本发明进行了说明，但是本发明的技术的范围并不限定于上述实施方式所记载的范围。本领域技术人员显然能够对上述实施方式追加多种变更或者改良。根据权利要求的记载可明确得知，追加了那样的变更或者改良的方式也能够包含于本发明的技术的范围内。
应该注意的是，权利要求书、说明书以及附图中所示的装置、系统、程序以及方法中的动作、顺序、步骤以及阶段等各处理的执行顺序，只要没有特别明确表示为“之前”，“在此之前”等，另外也不是在后面的处理中使用前面的处理的输出，就能够按照任意的顺序来实现。关于权利要求的范围、说明书以及附图中的动作流程，即使为了方便而使用“首先，”、“然后，”等进行了说明，也不表示必须按照该顺序来实施。

Claims (24)

1.一种摄像单元，其具备：
拍摄被拍摄体的摄像芯片；
供给用于使所述摄像芯片驱动的电力的电源电路部；
P沟道型的晶体管，其具有与所述摄像芯片连接的漏极端子、与所述电源电路部连接的源极端子、以及与被施加规定电压的栅极端子，
将所述漏极端子和所述源极端子连接的电阻元件；
连接在所述摄像芯片与所述漏极端子之间的第一端子；
连接在所述电源电路部与所述源极端子之间的第二端子；以及
基板，其具有配置有所述摄像芯片的第一面、和与所述第一面为相反侧且配置有所述电源电路部、所述晶体管、所述电阻元件、所述第一端子以及所述第二端子的第二面。
2.根据权利要求1所述的摄像单元，其中，
所述第一端子具有第一端点，该第一端点连接于将所述摄像芯片和所述漏极端子连接的电源线，
所述第二端子具有第二端点，该第二端点连接于将所述电源电路部和所述源极端子连接的电源线。
3.根据权利要求2所述的摄像单元，其中，
所述第一端子具有第一线，该第一线用于连接将所述摄像芯片和所述漏极端子连接的电源线、与所述第一端点，
所述第二端子具有第二线，该第二线用于连接将所述电源电路部和所述源极端子连接的电源线、与所述第二端点。
4.根据权利要求1所述的摄像单元，其中，
所述电阻元件的电阻值为1kΩ以上。
5.根据权利要求4所述的摄像单元，其中，
所述电阻元件的电阻值为1MΩ以下。
6.根据权利要求1所述的摄像单元，其中，
所述电阻元件的电阻值为10kΩ以上。
7.根据权利要求6所述的摄像单元，其中，
所述电阻元件的电阻值为1MΩ以下。
8.根据权利要求1所述的摄像单元，其中，
所述电阻元件的电阻值为100kΩ以上。
9.根据权利要求8所述的摄像单元，其中，
所述电阻元件的电阻值为1MΩ以下。
10.根据权利要求1所述的摄像单元，其中，
具有框架，该框架在所述第一面配置在与配置有所述摄像芯片的区域相比位于外侧的区域，且具有用于安装其他构造体的安装部。
11.根据权利要求10所述的摄像单元，其中，
具有固定于所述框架的透光性构件，
所述摄像芯片配置在由所述基板、所述框架以及所述透光性构件形成的空间。
12.根据权利要求2所述的摄像单元，其中，
具有框架，该框架在所述第一面配置在与供所述摄像芯片配置的区域相比位于外侧的区域，且具有用于安装其他构造体的安装部。
13.根据权利要求12所述的摄像单元，其中，
具有固定于所述框架的透光性构件，
所述摄像芯片配置在由所述基板、所述框架以及所述透光性构件形成的空间。
14.根据权利要求3所述的摄像单元，其中，
具有框架，该框架在所述第一面配置在与供所述摄像芯片配置的区域相比位于外侧的区域，且具有用于安装其他构造体的安装部。
15.根据权利要求14所述的摄像单元，其中，
具有固定于所述框架的透光性构件，
所述摄像芯片配置在由所述基板、所述框架以及所述透光性构件形成的空间。
16.根据权利要求4所述的摄像单元，其中，
具有框架，该框架在所述第一面配置在与供所述摄像芯片配置的区域相比位于外侧的区域，且具有用于安装其他构造体的安装部。
17.根据权利要求16所述的摄像单元，其中，
具有固定于所述框架的透光性构件，
所述摄像芯片配置在由所述基板、所述框架以及所述透光性构件形成的空间。
18.根据权利要求6所述的摄像单元，其中，
具有框架，该框架在所述第一面配置在与供所述摄像芯片配置的区域相比位于外侧的区域，且具有用于安装其他构造体的安装部。
19.根据权利要求18所述的摄像单元，其中，
具有固定于所述框架的透光性构件，
所述摄像芯片配置在由所述基板、所述框架以及所述透光性构件形成的空间。
20.根据权利要求8所述的摄像单元，其中，
具有框架，该框架在所述第一面配置在与供所述摄像芯片配置的区域相比位于外侧的区域，且具有用于安装其他构造体的安装部。
21.根据权利要求20所述的摄像单元，其中，
具有固定于所述框架的透光性构件，
所述摄像芯片配置在由所述基板、所述框架以及所述透光性构件形成的空间。
22.根据权利要求1所述的摄像单元，其中，
具有电压变动抑制电路，该电压变动抑制电路抑制基于所述电源电路部产生的电压随时间的变动。
23.根据权利要求1所述的摄像单元，其中，
具有放电电路，该放电电路释放在所述摄像芯片中蓄积的电荷。
24.一种摄像装置，其具有权利要求1～23中任一项所述的摄像单元。
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