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CN111341800A - 制造显示装置的方法和显示装置及制造半导体器件的方法 - Google Patents

制造显示装置的方法和显示装置及制造半导体器件的方法 Download PDF

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Abstract

提供一种制造显示装置的方法和显示装置以及制造半导体器件的方法。制造显示装置的方法包括在衬底的第一区域上形成发射层和驱动层，在衬底的第二区域上形成电连接到驱动层的曝光线，以及通过使用曝光线从发射层发射光而在驱动层上形成颜色转换层。

Description

制造显示装置的方法和显示装置及制造半导体器件的方法
技术领域
本公开涉及制造具有小像素尺寸的显示装置的方法和具有小像素尺寸的显示装置。
背景技术
液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器广泛用作显示装置。近来，通过使用微型发光二极管(LED)制造高分辨率显示装置的技术已引起关注。然而，高分辨率显示装置的制造需要高效的紧凑型LED芯片，并且需要困难的转移技术来将紧凑的LED芯片布置在适当的位置。
发明内容
提供了制造显示装置的方法，其中通过使用显示装置自身中的光发射来形成颜色转换层。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，且部分地将从该描述显而易见或者可以通过实践所给出的实施方式而获知。
根据本公开的一方面，提供一种制造显示装置的方法，该方法包括：在衬底的第一区域上形成发射层；在发射层上形成驱动层，该驱动层包括使从发射层发射光的多个驱动元件；在衬底的第二区域上形成曝光线，曝光线电连接到驱动层；以及通过使用曝光线从发射层发射光而在驱动层上形成颜色转换层。
发射层的形成可以包括形成分别对应于多个像素的多个发光区域，以及经由发射层的虚设区域将所述多个发光区域彼此连接。
驱动层的形成可以包括形成在第一方向上延伸的多条扫描线；以及形成在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条数据线，其中所述多个驱动元件分别连接到所述多条扫描线和所述多条数据线，所述多条数据线电连接到曝光线。
曝光线可以在与第二方向交叉的方向上延伸。
曝光线可以在第一方向上延伸。
曝光线的形成可以包括形成用于形成第一颜色转换层的第一曝光线；以及形成用于形成第二颜色转换层的第二曝光线，其中第一曝光线连接到所述多条数据线当中的第一组数据线，第二条曝光线连接到所述多条数据线当中的第二组数据线。
颜色转换层的形成可以包括：在驱动层上形成第一颜色转换材料；将第一信号施加到第一曝光线以从发射层的与第一组数据线对应的第一区域发射第一光；基于施加到第一曝光线的第一信号，通过硬化第一颜色转换材料的与发射层的第一区域重叠的部分而形成第一颜色转换层；以及去除第一颜色转换材料的未被硬化的部分。
该方法还可以包括：在驱动层上形成第二颜色转换材料；将第二信号施加到第二曝光线以从发射层的与第二组数据线对应的第二区域发射第二光；基于施加到第二曝光线的第二信号，通过硬化第二颜色转换材料的与发射层的第二区域重叠的部分而形成第二颜色转换层；以及去除第二颜色转换材料的未被硬化的部分。
当接通信号被施加到第一曝光线时，可以将关断信号施加到第二曝光线，并且当接通信号被施加到第二曝光线时，可以将关断信号施加到第一曝光线。
该方法还可以包括将第三信号施加到第一曝光线和第二曝光线以释放发射层和所述多个驱动元件中的电荷。
可以在将扫描信号施加到所述多条扫描线的同时执行颜色转换层的形成。
可以在将接通信号施加到所述多条扫描线的同时执行颜色转换层的形成。
曝光线可以直接连接到所述多条数据线中的一条或更多条。
曝光线可以经由开关器件电连接到所述多条数据线。
开关器件可以包括多个晶体管，其将所述多条数据线中的每条电连接到曝光线。
开关器件可以包括多路复用器。
该方法还可以包括：在形成颜色转换层之后，将衬底分离成包括发射层的第三区域和包括曝光线的第四区域，以及去除第四区域。
该方法还可以包括：在形成颜色转换层之前，在驱动层上形成限定像素的多个屏障。
所述多个屏障中的至少一个可以具有宽度从其下部到上部减小的渐缩形状。
像素的尺寸可以是500ppi或更大。
发射层、驱动层、曝光线和颜色转换层可以整体形成。
根据本公开的另一方面，提供一种显示装置，该显示装置包括：多条扫描线，在第一方向上延伸；多条数据线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个像素，分别对应于所述多条扫描线和所述多条数据线；多个第一电极焊盘，电连接到所述多条扫描线；多个第二电极焊盘，电连接到所述多条数据线；扫描驱动器，配置为通过第一电极焊盘将扫描信号施加到所述多条扫描线；数据驱动器，配置为通过所述多个第二电极焊盘将数据信号施加到所述多条数据线；多条第一虚设线，在与所述多条数据线相同的方向上从第二电极焊盘突出。
显示装置还可以包括在与所述多条扫描线相同的方向上从第一电极焊盘突出的多条第二虚设线。
根据本公开的另一方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的发射层；设置在发射层上的驱动层；自形成在驱动层上的半导体层，该半导体层基于从发射层发射的光而被硬化。
自形成的半导体层可以是颜色转换层。
半导体层可以包括量子点。
根据本公开的另一方面，提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：在衬底上提供发射层；提供设置在发射层上的驱动层；提供形成在驱动层上的半导体层；以及基于从发射层发射的光而硬化半导体层。
半导体层可以是颜色转换层。
半导体层可以包括量子点。
附图说明
从以下结合附图对实施方式的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解，其中：
图1是根据本公开的一实施方式的显示装置的示意性平面图；
图2是示出图1的显示装置的框图；
图3是包括在图1的显示装置中的像素的电路图；
图4是根据一实施方式的显示装置的显示区域的一部分的截面图；
图5是用于描述根据一实施方式的形成发射层的方法的参考图；
图6A和图6B是用于描述根据一实施方式的形成驱动层的方法的参考图；
图7A是用于描述根据一实施方式的形成屏障的方法的参考图；
图7B是示出根据一实施方式的安装扫描驱动器和曝光控制装置的方法的参考图；
图8A、图8B和图9是用于描述根据一实施方式的形成第一颜色转换层的方法的参考图；
图10A、图10B和图11是用于描述根据一实施方式的形成第一颜色转换层的方法的参考图；
图12A、图12B和图13是用于描述根据一实施方式的形成第二颜色转换层的方法的参考图；
图14是用于描述根据一实施方式的将显示单元与曝光线分离的方法的参考图；
图15示出根据一实施方式的包括曝光线的显示装置；
图16示出根据一实施方式的在其上形成多个预显示区域的衬底；
图17是示出根据一实施方式的在不使用扫描驱动器的情况下形成颜色转换层的方法的参考图；
图18示出在图17的实施方式中的被切割的衬底的一示例；
图19是用于描述根据另一实施方式的形成颜色转换层的方法的参考图；
图20示出在图19的实施方式中的被切割的衬底的一示例；
图21是示出根据另一实施方式的在包括开关电路的显示装置中形成颜色转换层的方法的参考图；和
图22是示出根据另一实施方式的将信号施加到曝光线的方法的参考图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式，其示例在附图中示出，其中，相同的附图标记始终表示相同的元件。在这方面，实施方式可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施方式以解释多个方面。诸如“……中的至少一个”的表述在一列元素之前时，修饰整列元素而不修饰该列中的单独元素。
现在将参考附图更充分地描述本公开，附图中示出了本公开的实施方式。在附图中，相同的附图标记表示相同的元件，并且为了清楚和方便描述，附图中的元件的尺寸可能被夸大。这里描述的实施方式仅是示例，并且可以包括各种修改。
在整个说明书中，还将理解，当元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。
除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数形式使用的表达包括复数形式的表达。将理解，诸如“包括”等的术语旨在表示组件的存在，并且不旨在排除可以添加一个或更多个其它组件的可能性。
虽然这里可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语，但是以上术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
图1是根据本公开的一实施方式的显示装置1的示意性平面图。图2是示出图1的显示装置1的框图。图3是包括在图1的显示装置1中的像素的电路图。
参考图1，根据一实施方式，显示装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。根据一实施方式，显示装置1可以被划分为显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是显示图像的区域，并且可以被称为显示单元。显示区域DA可以包括多个像素P以显示图像，每个像素可以包括发射不同颜色的光的多个子像素，并且每个子像素可以包括电容器、发光区域、用于驱动的晶体管等。在下文中，为了便于描述，将每个子像素描述为像素。
参考图2，显示装置1可以包括显示单元10、扫描驱动器20、数据驱动器30和处理器40。显示单元10可以布置在图1的显示区域DA上，扫描驱动器20、数据驱动器30和处理器40可以布置在非显示区域NDA上。
显示单元10可以包括通过其传输扫描信号的扫描线S、响应于来自扫描线S的扫描信号而通过其传输数据信号的数据线D、以及相应于数据线D和扫描线S的多个像素P。根据一实施方式，所述多个像素P可以由数据线D和扫描线S限定。扫描线S和数据线D分别从布置在非显示区域NDA中的扫描驱动器20和数据驱动器30接收信号，因此可以延伸到非显示区域NDA。
虽然在图2中扫描线S在第一方向X上延伸并且数据线D在与第一方向X交叉的第二方向Y上延伸，但是本公开不限于此。也就是说，可以交换数据线D和扫描线S延伸的方向。
参考图3，每个像素P可以包括发光部分L和用于向发光部分L供给电流的像素电路C。
发光部分L的第一电极连接到像素电路C，发光部分L的第二电极连接到第二电源VSS。第一电极可以被称为像素电极，第二电极可以被称为相对电极或公共电极。发光部分L根据从像素电路C供给的电流产生特定亮度的光。
像素电路C包括至少两个晶体管和至少一个电容器，详细地，像素电路C包括用于传输数据信号的开关晶体管MS、用于根据数据信号驱动有机发光器件的驱动晶体管MD、和用于保持数据电压的电容器Cgs。晶体管和电容器的数量不限于上述，也可以包括更多的晶体管和更多的电容器，这是显然的。
驱动晶体管MD连接到发光部分L以供给用于发光的电流。可以基于经由开关晶体管MS施加的数据信号来控制驱动晶体管MD的电流量。电容器Cgs用于将所施加的电压保持特定时段，并且连接在驱动晶体管MD的源极和栅极之间。
根据数据信号，可以基于从第一电源VDD通过发光部分L供给到第二电源VSS的电流量来控制每个像素P。然后在发光区域中发射特定亮度的光。
扫描驱动器20将扫描信号施加到扫描线S，并且可以用作开关，使得经由数据线D根据扫描信号施加的数据信号被施加到每个像素P中的驱动晶体管MD。
处理器40可以生成RGB图像数据，该RGB图像数据是基于从外部接收的或自身生成的图像信号的数字图像数据。
数据驱动器30可以生成与由处理器40提供的RGB图像数据相对应的数据信号，并将该数据信号施加到数据线D。根据一实施方式，数据驱动器30可以包括锁存电路、电平转换器电路等。锁存电路可以存储串行接收的RGB图像数据并存储该RGB图像数据以并行地将数据信号施加到显示单元10。电平转换器电路可以调节施加到显示单元10的实际电压的电平。锁存电路和电平转换器电路的详细结构对于本领域普通技术人员来说是明显的，因此将省略其详细描述。
图4是根据一实施方式的显示装置1的显示单元10的一部分的截面图。参考图4，显示装置1可以包括多个像素PR、PG和PB，像素PR、PG和PB可以包括发射红光的第一像素PR、发射绿光的第二像素PG和发射蓝光的第三像素PB。
显示装置1可以包括衬底110、布置在衬底110上的发射层120、布置在发射层120上并包括多个驱动元件132的驱动层130、以及布置在驱动层130上的多个颜色转换层140R、140G和140B。
衬底110可以包括用于生长发射层120的衬底。衬底110可以包括在一般半导体工艺中使用的各种材料。例如，硅衬底或蓝宝石衬底可以用作衬底110。然而，这仅仅是一示例，其它各种材料也可以用作衬底110。
发射光的发射层120布置在衬底110的上表面上。发射层120可以包括分别对应于多个像素的多个发光区域，并且所述多个发光区域可以经由部分发射层120相互连接。例如，发射层120可以包括与第一像素PR对应的第一发光区域120R、与第二像素PG对应的第二发光区域120G、以及与第三像素PB对应的第三发光区域120B。第一发光区域120R可以经由发射层120的第一虚设区域120D连接到第二发光区域120G，第二发光区域120G可以经由发射层120的第二虚设区域120E连接到第三发光区域120B。根据一实施方式，第一发光区域120R、第二发光区域120G和第三发光区域120B由后面将描述的第一电极131限定。根据一实施方式，第一发光区域120R、第二发光区域120G和第三发光区域120B以及第一和第二虚设区域120D和120E可以由基本相同的材料形成。
发射层120可以是基于无机材料的发光二极管(LED)层。发射层120可以发射例如蓝光。然而，发射层120不限于此。发射层120可以基于发射层120中包括的材料而发射特定波长的光。发射层120可以通过在衬底110的上表面上依次形成第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123而形成。
第一半导体层121可以布置在衬底110的上表面上。第一半导体层121可以包括例如n型半导体。然而，第一半导体层121不限于此，根据情况可以包括p型半导体。第一半导体层121可以包括诸如n-GaN的III-V族n型半导体。第一半导体层121可以具有单层或多层结构。
有源层122可以布置在第一半导体层121的上表面上。当电子和空穴彼此复合时，有源层122可以发射光。有源层122可以具有多量子阱(MQW)结构。然而，有源层122不限于此，也可以具有单量子阱(SQW)结构。有源层122可以包括III-V族半导体，例如GaN。同时，虽然示出了形成为二维薄膜的有源层122作为一示例，但是有源层122不限于此，也可以具有通过使用掩模而生长的三维形状，诸如棒形或金字塔形结构。
第二半导体层123可以布置在有源层122的上表面上。第二半导体层123可以包括例如p型半导体。然而，第二半导体层123不限于此，根据情况可以包括n型半导体。第二半导体层123可以包括III-V族p型半导体，诸如p-GaN。第二半导体层123可以具有单层或多层结构。
布置在发射层120上的驱动层130可以包括用于使从发射层120发射光的驱动元件132。驱动层130可以包括与发射层120接触的电极对(例如，第一电极131和第二电极)、连接到电极对的多个驱动元件132、以及连接到驱动元件132的栅极线、数据线D等。
第一电极131的数量可以等于像素的数量。第一电极131可以被称为像素电极。多个第一电极131可以在部分发射层120上彼此间隔开，以分别对应于多个颜色转换层140R、140G和140B。每个第一电极131可以与发射层120接触，例如，与第二半导体层123接触，并且可以延伸到与第二半导体层123接触的绝缘层的上表面。
当每个第一电极131穿过孔与发射层120接触时，第一电极131和第二半导体层123之间的接触面积会受到限制。因此，从第一电极131供应到第二半导体层123的电流会受限于这些孔。因此，光可以主要从某些颜色的颜色转换层140R、140G和140B下方的有源层122的区域产生。光可以仅入射到光对应的某些颜色的颜色转换层140R、140G和140B，并且不太可能行进到附近的其它像素。根据一实施方式，即使当光沿另一方向而不是朝向孔行进时，光也被一个或更多个具有小于发射层120的折射率的绝缘层133全内反射，因此，在某个像素内产生的光不通过其它像素发射，因此可以减少颜色质量的下降。
所述多个第一电极131可以被布置为以一一对应的方式分别对应于所述多个像素PR、PG和PB，也就是，所述多个颜色转换层140R、140G和140B。例如，第一电极131可以分别布置在第一颜色转换层140R、第二颜色转换层140G和第三颜色转换层140B下方。
第一电极131可以包括透明导电材料。例如，第一电极131可以包括铟锡氧化物(ITO)、ZnO、铟锌氧化物(IZO)、Ag、Au、Ni、石墨烯或纳米线。然而，第一电极131不限于此。以上述方式，当在发射层120中产生的光通过第一电极131入射到光对应的颜色的颜色转换层140R、140G和140B时，可以减少光损失。
所述多个第一电极131中的每一个也可以以一一对应的方式电连接到所述多个驱动元件132中的每一个。驱动元件132选择性地驱动像素PR、PG和PB当中的至少一个期望像素。虽然在附图中晶体管被示为驱动元件132，但驱动元件132不限于此。驱动元件132可以包括两个或更多个晶体管和一个或更多个电容器。
根据一实施方式，驱动层130可以包括多个绝缘层133。所述多个绝缘层133可以防止像素之间的电流泄漏以及构成驱动元件132的导电材料之间的电流泄漏。另外，绝缘层133也可以全内反射以大于临界角的角度从发射层120入射在其上的光。绝缘层133可以包括SiO2、SiN、Al2O3或TiO2等，但不限于此。
将发射层120的有源层122中产生的光转换为特定颜色的光以发射光的所述多个颜色转换层140R、140G和140B布置在驱动层130上。所述多个颜色转换层140R、140G和140B中的每个可以布置在部分发射层120的部分上。因此，所述多个颜色转换层140R、140G和140B可以共用一个发射层120。所述多个颜色转换层140R、140G和140B可以使用光刻法等形成。
例如，所述多个颜色转换层140R、140G和140B可以包括第一颜色转换层140R、第二颜色转换层140G和第三颜色转换层140B。因此，第一颜色转换层140R与发射层120和驱动层130的在第一颜色转换层140R下方的部分可以是红色像素PR的组成部分，第二颜色转换层140G与发射层120和驱动层130的在第二颜色转换层140G下方的部分可以是绿色像素PG的组成部分，第三颜色转换层140B与发射层120和驱动层130的在第三颜色转换层140B下方的部分可以是蓝色像素PB的组成部分。
第一颜色转换层140R可以将有源层122中产生的光转换为红光R并将其发射。在有源层122中产生的光可以是蓝光。第一颜色转换层140R可以包括具有特定尺寸并被蓝光激发以发射红光R的量子点(QD)。QD可以具有有核部分和壳部分的核-壳结构，或者无壳粒子结构。核-壳结构可以具有单壳或多壳。多壳可以是例如双壳。
QD可以包括例如II-VI族半导体量子点、III-V族半导体量子点、IV-VI族半导体量子点、IV族半导体量子点和石墨烯量子点中的至少一种。详细地，QD可以包括Cd、Se、Zn、S和InP中的至少一种，但不限于此。每个量子点可以具有几十纳米或更小的直径，例如，10nm或更小的直径。另外，
第一颜色转换层140R可以包括通过被有源层122中产生的蓝光激发而发射红光R的磷光体。第一颜色转换层140R还可以包括具有高透射特性的光致抗蚀剂或者均匀发射红光R的光散射剂。
第二颜色转换层140G可以将有源层122中产生的光转换为绿光G并将其发射。有源层122可以产生蓝光B。第二颜色转换层140G可以包括具有特定尺寸并被蓝光B激发以发射绿光G的QD。此外，第二颜色转换层140G可以包括通过被有源层122中产生的蓝光B激发而发射绿光G的磷光体。第二颜色转换层140G可以包括光致抗蚀剂或光散射剂。
第三颜色转换层140B可以将有源层122中产生的光转换为蓝光B并将其发射。当在有源层122中产生蓝光B时，第三颜色转换层140B可以包括透射层，有源层122中产生的蓝光B在没有波长转换的情况下透过该透射层。当第三颜色转换层140B是透射层时，第三颜色转换层140B可以不包括QD，并且可以包括光致抗蚀剂或诸如TiO2的光散射剂。
同时，显示装置1还可以包括一个或更多个屏障150，其在空间上将所述多个颜色转换层140R、140G和140B彼此分开。例如，屏障150可以设置在第一颜色转换层140R和第二颜色转换层140G之间、第二颜色转换层140G和第三颜色转换层140B之间、以及第三颜色转换层140B和第一颜色转换层140R之间。屏障150可以具有渐缩形状，其宽度从其下部到其上部减小。具有渐缩形状的屏障150可以增加像素的开口率。屏障150可以防止从第一至第三颜色转换层140R、140G和140B发射的光之间的颜色混合，从而提高对比度。屏障150可以包括黑矩阵材料、树脂和聚合物中的至少一种。
在上述结构中，例如，当驱动对应于第一像素PR的薄膜晶体管并且在作为公共电极的第二电极和对应于第一像素PR的第一电极131之间施加特定电压时，在有源层122的位于第一颜色转换层140R下方的部分中产生光。当光入射在第一颜色转换层140R上时，第一颜色转换层140R可以将所述光转换为红光R并将其发射。
此外，当驱动对应于第二像素PG的驱动元件132以在作为公共电极的第二电极和对应于第二像素PG的第一电极131之间施加特定电压时，在有源层122的位于第二颜色转换层140G下方的部分中产生光。当光入射在第二颜色转换层140G上时，第二颜色转换层140G可以将所述光转换为绿光G向外发射绿光G。
此外，当驱动对应于第三像素PB的驱动元件132以在作为公共电极的第二电极与对应于第三像素PB的第一电极131之间施加特定电压时，在有源层122的位于第三颜色转换层140B下方的部分中产生光。所述光可以透射通过第三颜色转换层140B以发射到外部。
根据一实施方式，可以实现具有高分辨率和增加的光效率的显示装置1。根据现有技术，对应于像素PR、PG和PB的小尺寸LED芯片将被单独制造以实现具有高分辨率的显示装置1，并且需要在适当的位置处转移该小尺寸LED芯片。在这种情况下，作为发光区域的有源层122相对于每个像素彼此分离，因此增加了有源层122的曝光区域并降低了光效率。另外，难以将小尺寸LED芯片转移到准确位置。
根据一实施方式，由于多个像素PR、PG和PB布置在一个发射层120上，所以可以在不用转移操作的情况下容易地制造显示装置1。例如，所述多个像素PR、PG和PB可以在不用转移操作的情况下布置在一个有源层122上。另外，由于作为发光区域的有源层122不在每个像素中暴露，所以可以提高光效率。如上所述，在衬底110上顺序堆叠发射层120、驱动层130、屏障150以及第一至第三颜色转换层140R、140G和140B可以被称为整体形成。
如上所述，可以通过组合发射层120、驱动层130以及第一至第三颜色转换层140R、140G和140B来形成像素。仅具有发射层120和驱动层130而没有第一至第三颜色转换层140R、140G和140B，像素是未完成的，因此，仅由发射层120和驱动层130形成的层可以被称为预像素(pre-pixel)。例如，发射层120和驱动层130的位于第一颜色转换层140R下方的部分可以被称为第一预像素PPR；发射层120和驱动层130的位于第二颜色转换层140G下方的部分可以被称为第二预像素PPG；发射层120和驱动层130的位于第三颜色转换层140B下方的部分可以被称为第三预像素PPB(参见图6A)。
同时，在像素尺寸为500ppi(每英寸像素)或更大的显示装置1中，由于非常小的像素尺寸，难以通过使用掩模来图案化第一至第三颜色转换层140R、140G和140B。在下文中，将描述通过使用发光区域自身的曝光来图案化第一至第三颜色转换层140R、140G和140B而制造显示装置1的方法。
图5至图14是关于制造显示装置1的方法的参考图。如图5所示，发射层120可以形成在衬底110的一部分上。衬底110可以用于生长发射层120。衬底110可以包括在一般半导体工艺中使用的各种材料。例如，硅衬底或蓝宝石衬底可以用作衬底110。然而，这仅仅是一示例，其它各种材料也可以用作衬底110。发射层120可以包括基于无机材料的LED层。发射层120可以发射例如蓝光。然而，发射层120不限于此。发射层120可以基于发射层120中包括的材料而发射特定波长的光。
可以通过在衬底110的上表面上顺序地形成第一半导体层121、有源层122和第二半导体层123来形成发射层120。第一半导体层121可以布置在衬底110的上表面上。第一半导体层121可以包括例如n型半导体。有源层122可以布置在第一半导体层121的上表面上。当电子和空穴彼此复合时，有源层122可以发射光。有源层122可以具有MQW结构。然而，有源层122不限于此，根据另一实施方式也可以具有SQW结构。第二半导体层123可以布置在有源层122的上表面上。第二半导体层123可以包括例如p型半导体。发射层120的表面面积可以大于像素尺寸。发射层120可以形成在衬底110的整个显示区域DA上。
如图6A所示，驱动层130可以形成在发射层120上。驱动层130可以包括与发射层120接触的电极对(例如，第一电极131和第二电极)、连接到电极对的多个驱动元件132、连接到驱动元件132的扫描线、数据线等。第一电极131的数量可以等于像素的数量。第一电极131可以被称为像素电极。多个第一电极131可以被布置为以一一对应的方式分别对应于所述多个像素PR、PG和PB。驱动层130还可以包括以一一对应的方式分别对应于所述多个像素PR、PG和PB的多个驱动元件132，并且可以包括防止电极对和驱动元件132之间的电流泄漏的一个或更多个绝缘层133。根据一实施方式，所述一个或更多个绝缘层133可以包括多个绝缘层。
仅具有图6A中所示的发射层120和驱动层130，像素是未完成的。因此，发射层120和驱动层130的其上将要形成第一颜色转换层140R的部分可以被称为第一预像素PPR；发射层120和驱动层130的其上将要形成第二颜色转换层140G的部分可以被称为第二预像素PPG；发射层120和驱动层130的其上将要形成第三颜色转换层140B的部分可以被称为第三预像素PPB。另外，存在第一至第三预像素PPR、PPG和PPR的区域被称为预显示区域PDA。
根据一实施方式，如图6B所示，驱动层130可以包括扫描线S和数据线D，扫描线S分别电连接到所述多个驱动元件132以传输扫描信号，数据线D分别电连接到驱动元件132以响应于扫描信号传输数据信号。扫描线S和数据线D可以不仅形成在预显示区域PDA中，而且还可以延伸到非显示区域NDA。另外，在非显示区域NDA中，可以形成具有与扫描线S接触的第一端的第一电极焊盘EP1，并且可以形成具有与数据线D接触的第一端的第二电极焊盘EP2。第一电极焊盘EP1可以被扫描驱动器20接触，第二电极焊盘EP2可以被数据驱动器30接触。
同时，第二电极焊盘EP2可以形成为与数据线D重叠，并且数据线D可以延伸超出第二电极焊盘EP2。数据线D和第二电极焊盘EP2可以由相同的材料形成，并且可以形成为单个单元。
另外，在衬底110的非显示区域NDA中，可以形成连接到数据线D的曝光线E1、E2和E3。曝光线E1、E2和E3指的是被施加用于形成第一至第三颜色转换层140R、140G和140B的信号的线。曝光线E1、E2和E3可以由导电材料形成。例如，曝光线E1、E2和E3也可以由与用于形成扫描线S或数据线D的材料相同的材料形成。
例如，曝光线E1、E2和E3可以包括用于形成第一颜色转换层140R的第一曝光线E1、用于形成第二颜色转换层140G的第二曝光线E2、以及用于形成第三颜色转换层140B的第三曝光线E3。第一至第三曝光线E1、E2和E3可以在与数据线D交叉的方向上(例如，在第一方向上)布置，并且可以不彼此电连接。
第一曝光线E1可以连接到数据线D当中的连接到将成为发射红光的像素的预像素(也就是，第一预像素PPR)的数据线D。曝光线E2可以连接到数据线D当中的连接到将成为发射绿光的像素的预像素(也就是，第二预像素PPG)的数据线D。第三曝光线E3可以连接到数据线D当中的连接到将成为发射蓝光的像素的预像素(也就是，第三预像素PPB)的数据线D。
第一至第三曝光线E1、E2和E3与数据线D之间的电连接可以基于显示装置1的像素类型确定。例如，当显示器是其中RGB颜色被顺序地重复并且包括3m条数据线D(m是整数)的像素类型时，第一曝光线E1可以电连接到第一、第四、……、第3k+1、……、第3m-2数据线D，第二曝光线E2可以电连接到第二、第五、……、第3k+2、……和第3m-1数据线D，第三曝光线E3可以电连接到第三、第六、第3k+3、……和第3m数据线D，其中k是大于1的整数。
第三电极焊盘EP3可以布置在第一至第三曝光线E1、E2和E3中的每一个上，并且第四电极焊盘EP4和与第四电极焊盘EP4重叠的导电线可以布置在非显示区域NDA中。第三电极焊盘EP3可以被曝光控制装置接触，第四电极焊盘EP4可以被曝光控制装置或处理器接触。
另外，如图7A所示，可以在衬底110的显示区域DA上形成限定像素尺寸的屏障150。屏障150可以具有渐缩形状，其宽度从其下部到其上部减小。屏障150可以包括黑矩阵材料、树脂和聚合物中的至少一种。
然后，如图7B所示，扫描驱动器20和曝光控制装置200可以安装在衬底110的非显示区域NDA中。扫描驱动器20可以邻近于第一电极焊盘EP1布置。扫描驱动器20还可以与重叠第四电极焊盘EP4的导线接触。
曝光控制装置200可以被布置为与第三电极焊盘EP3和第四电极焊盘EP4接触。因此，曝光控制装置200可以将扫描驱动器20电连接到第一、第二和第三曝光线E1、E2和E3。曝光控制装置200将电信号施加到扫描驱动器20和曝光线E1、E2和E3，使得光从发射层120的特定区域(也就是，第一、第二和第三预像素PPR、PPG和PPB)发射。所发射的光可用于形成第一至第三颜色转换层140R、140G和140B。
接下来，将根据一实施方式描述通过使用曝光线E1、E2和E3形成第一至第三颜色转换层140R、140G和140B的方法。如图8A所示，可以在驱动层130上形成第一颜色转换材料310。第一颜色转换材料310可以形成在驱动层130的整个部分上。根据一实施方式，第一颜色转换材料310可以仅形成第一预像素PPR。作为形成第一颜色转换材料310的方法，可以应用旋涂或喷涂方法等。
另外，如图8B所示，曝光控制装置200可以将扫描控制信号施加到扫描驱动器20，将接通信号Von施加到第一曝光线E1(VE1)，并且将关断信号Voff施加到第二和第三曝光线E2和E3(VE2和VE3)。然后，扫描驱动器20可以根据扫描控制信号分别并顺序地将扫描信号Vs1、Vs2、……、Vsn施加到扫描线。然后，如图8A所示，从发射层120的电连接到第一曝光线E1和扫描线(扫描信号被施加到其)的发光区域发射光。布置在从其发射光的区域上方的第一颜色转换材料310可以被硬化为第一颜色转换层140R。
如图9中所示，可以从衬底110去除未被硬化的第一颜色转换材料310。可以通过使用显影溶液从衬底110去除未被硬化的第一颜色转换材料310。显影溶液可以是水。随着被硬化的第一颜色转换材料310转变为第一颜色转换层140R，可以完成第一像素PR。第一像素PR可以是发射红光的红色像素。
另外，如图10A所示，可以在驱动层130上形成第二颜色转换材料320。根据一实施方式，第二颜色转换材料320可以整体形成在驱动层130上。根据一实施方式，第二颜色转换材料320可以仅形成在第二预像素PPG上。作为形成第二颜色转换材料320的方法，可以应用旋涂或喷涂方法等。
另外，如图10B所示，曝光控制装置200可以将扫描控制信号施加到扫描驱动器20，将接通信号Von施加到第二曝光线E2(VE2)，并且将关断信号Voff施加到第一和第三曝光线E1和E3(VE1和VE3)。然后，扫描驱动器20可以根据扫描控制信号分别并顺序地将扫描信号Vs1、Vs2、……、Vsn施加到扫描线。然后，如图10A所示，从发射层120的电连接到第二曝光线E2和扫描线(扫描信号被施加到该扫描线)的发光区域发射光。布置在从其发射光的区域上方的第二颜色转换材料320可以被硬化为第二颜色转换层140G。
如图11所示，可以从衬底110去除未被硬化的第二颜色转换材料320。可以通过使用显影溶液从衬底110去除未被硬化的第二颜色转换材料320。显影溶液可以是水。随着被硬化的第二颜色转换材料320转变为第二颜色转换层140G，可以完成第二像素PG。第二像素PG可以是发射绿光的绿色像素。
同样地，如图12A和图12B所示，曝光控制装置200可以将扫描控制信号施加到扫描驱动器20，将接通信号Von施加到第三曝光线E3(VE3)，并将关断信号Voff施加到第一和第二曝光线E1和E2(VE1和VE2)。然后，扫描驱动器20可以根据扫描控制信号分别并顺序地将扫描信号Vs1、Vs2、……、Vsn施加到扫描线。然后，如图12A所示，从发射层120的电连接到第三曝光线E3和扫描线(扫描信号被施加到该扫描线)的发光区域发射光。布置在从其发射光的区域上方的第三颜色转换材料330可以被硬化为第三颜色转换层140B。
如图13所示，可以从衬底110去除未被硬化的第三颜色转换材料330。可以通过使用显影溶液从衬底110去除未被硬化的第三颜色转换材料330。显影溶液可以是水。随着被硬化的第三颜色转换材料330转变为第三颜色转换层140B，可以完成第三像素PB。第三像素PB可以是发射蓝光的蓝色像素。
根据一实施方式，在形成第一像素PR、第二像素PG和第三像素PB之后，可以去除曝光控制装置200。例如，如图14所示，衬底110可以分离成在该处形成显示单元10的区域和在该处形成第一至第三曝光线E1、E2和E3的区域，并且可以去除在该处形成第一至第三曝光线E1、E2和E3的区域。可以切割第二电极焊盘EP2与第一至第三曝光线E1、E2和E3之间的数据线D以去除第一至第三曝光线E1、E2和E3。
数据线D可以仍然保留在第二电极焊盘EP2的外部中。每个第二电极焊盘EP2可以包括面对显示单元10并且相对靠近显示单元10的第一侧I1和相对远离显示单元10的第二侧O1。数据线D可以延伸以朝向第一电极焊盘EP1的第二侧O1突出。数据线D的如上所述突出的部分对显示操作没有贡献，因此可以被称为虚设线dD。接下来，通过组合数据驱动器30和其它组件，可以完成显示装置1。
如上所述，由于颜色转换层140R、140G和140B通过被从发射层120的区域发射的光硬化而形成，所以第一至第三颜色转换层140R、140G和140B的厚度、面积和形状中的至少一个可能受到所发射的光的特性的影响。光的性质可以是光的发射时间、发射强度、发光面积和发光范围中的至少一个。
例如，所发射的光的发光时间越长，越多的颜色转换材料可以被硬化。或者，发光时间越长，第一至第三颜色转换层140R、140G和140B在厚度方向上可以越厚。类似地，发射强度越高，颜色转换材料的硬化程度可以越高。例如，发射强度越高，第一至第三颜色转换层140R、140G和140B在厚度方向上可以越厚。此外，所发射的光的发光面积越大，被硬化的颜色转换材料在水平方向上的面积可以越大。
在第一至第三颜色转换材料310、320和330被从发射层120发射的光硬化时，不需要用于硬化第一至第三颜色转换材料310、320和330的附加曝光装置，因而提高了制造显示装置的效率。另外，由于光转换材料被从发射层120发射的光硬化，所以第一至第三颜色转换材料310、320和330从其下部曝光，因此，可以防止第一至第三颜色转换层140R、140G和140B与驱动层130分离的缺陷。
另外，由于使用作为显示装置1的重要组成部分的扫描驱动器20而不为了显示装置1的自曝光改变，所以可以精确地控制曝光时间和曝光强度。由于一条曝光线(第一、第二或第三曝光线E1、E2或E3)用于形成一个颜色转换层(第一、第二或第三颜色转换层140R、140G或140B)，所以控制曝光信号会是容易的。
虽然参考图14描述了通过切割衬底110去除第一至第三曝光线E1、E2和E3，但是本公开不限于此。第一至第三曝光线E1、E2和E3可以被包括在显示装置1中。图15示出根据一实施方式的包括第一至第三曝光线E1、E2和E3的显示装置。如图15所示，在非显示区域NDA中，可以进一步设置分别电连接到数据线D的第一连接线CL1、分别电连接到第一连接线CL1和第一到第三曝光线E1、E2和E3中的一条的开关器件SW、连接到开关器件SW的第二连接线CL2、以及布置在第二连接线CL2上的第五电极焊盘EP5。第一连接线CL1可以布置在与数据线D相同的方向上，并且可以由与数据线D的材料相同的材料形成。然后，第二连接线CL2可以布置在与扫描线S相同的方向上，并且可以由与扫描线S的材料相同的材料形成。开关器件SW可以是晶体管。
每个开关器件SW可以电连接到每条数据线D，并且可以电连接到第一至第三曝光线E1、E2和E3中的任何一条。连接到第一曝光线E1的开关器件SW可以被称为第一组开关器件；连接到第二曝光线E2的开关器件SW可以被称为第二组开关器件，连接到第三曝光线E3的开关器件SW可以被称为第三组开关器件。
在曝光控制装置200已经经由第二连接线CL2向开关器件SW施加接通信号并且向扫描驱动器20施加扫描控制信号时，曝光控制装置200可以将接通信号Von施加到第一曝光线E1。然后，可以接通连接到第一曝光线E1的第一组开关器件。然后，第一曝光线E1的接通信号Von可以经由第一组开关器件SW被施加到第一预像素PPR，从而发射光。因此，可以形成第一颜色转换层140R。
同样地，在曝光控制装置200已经通过第二连接线CL2向开关器件SW施加接通信号并且向扫描驱动器20施加扫描控制信号时，曝光控制装置200可以施加接通信号Von到第二曝光线E2，由此接通连接到第二曝光线E2的第二组开关器件。然后第二曝光线E2的接通信号Von可以通过第二组开关器件SW被施加到第二预像素PPG，从而发射光。因此，可以形成第二颜色转换层140G。第三颜色转换层140B也可以以相同的方式形成。
当完成第一至第三颜色转换层140R、140G和140B的形成时，曝光控制装置200可以关断开关器件SW。接下来，可以使用处理器40来控制开关器件SW，使得开关器件SW保持在关断状态。
虽然第一至第三曝光线E1、E2和E3被描述为连接在一个显示区域中，但是本公开不限于此。也可以在一个衬底110上制造多个显示区域DA。图16示出了衬底110，多个预显示区域PDA形成在衬底110上。如图16所示，可以在衬底110上形成彼此间隔开的多个发射层和驱动层。衬底110的在该处形成发射层和驱动层的区域可以被称为预显示区域PDA，除了显示区域DA之外的区域可以是非显示区域NDA。驱动层130的一些元件，也就是，扫描线S和数据线D，可以延伸到非显示区域NDA。在非显示区域NDA中，可以布置连接到分别包括在所述多个驱动层中的扫描线S的多个扫描驱动器20。
另外，在非显示区域NDA中，可以布置电连接到数据线D的第一到第三曝光线E1、E2和E3。数据线D可以被分为多个组，并且每个组的数据线D可以电连接到第一到第三曝光线E1、E2和E3中的每一条。例如，用于发射红光的第一组数据线可以连接到第一曝光线E1，用于发射绿光的第二组数据线可以连接到第二曝光线E2，用于发射蓝光的第三组数据线可以连接到第三曝光线E3。所述多个驱动层可以共用曝光线E1、E2和E3。
另外，连接到所述多个扫描驱动器20的扫描控制线E5可以布置在非显示区域NDA中。所述多个扫描驱动器20可以共用扫描控制线。因此，一个曝光控制装置200可以在多个驱动层上分别且同时地形成颜色转换层。形成每个颜色转换层的方法与在一个驱动层上形成颜色转换层的方法相同，因此，将省略其详细描述。
在形成颜色转换层时，可以在一个衬底110上形成彼此间隔开的显示单元。可以以显示单元为单位切割衬底110，并且可以去除衬底110的在其上形成有第一至第三曝光线E1、E2和E3以及扫描控制线E5的部分。
虽然以上描述了通过使用扫描驱动器20形成颜色转换层，但是本公开不限于此。图17是示出根据一实施方式的在不使用扫描驱动器的情况下形成颜色转换层的方法的参考图。如图17所示，可以在衬底110上形成预显示区域PDA。预显示区域PDA可以包括发射层和驱动层。在衬底110上布置在同一行中的多个预显示区域PDA可以共用扫描线S。扫描线S可以连接到曝光控制装置200。因此，曝光控制装置200可以直接施加扫描信号到所述多个预显示区域PDA。或者，在扫描线S接通时，曝光控制装置200可以顺序地将接通信号Von施加到第一至第三曝光线E1、E2和E3，以形成第一至第三颜色转换层140R、140G和140B。在形成第一至第三颜色转换层140R、140G和140B时，可以在衬底110上形成多个显示单元10。
在完成第一至第三颜色转换层140R、140G和140B之后，可以以显示单元10为单位切割衬底110。图18示出图17的实施方式中的被切割的衬底110的一示例。如图18所示，当以显示单元10为单位切割衬底110时，扫描线S可以从第一电极焊盘EP1和显示单元10突出并保留。
例如，第一电极焊盘EP1可以包括面对显示单元10并且相对靠近显示单元10的第一侧I2和相对远离显示单元10的第二侧O2。扫描线S可以保持从第一电极焊盘EP1的第二侧O2突出。另外，显示单元10可以包括面对第一电极焊盘EP1并且相对靠近第一电极焊盘EP1的第一侧I3和相对远离第一电极焊盘EP1的第二侧O3。扫描线S可以通过从显示单元10的第二侧O3突出而保留。扫描线S的通过从第一电极焊盘EP1的第二侧O2突出而保留的区域以及扫描线S的通过从显示单元10的第二侧O3突出而保留的区域对显示操作没有贡献，因此这些区域可以被称为虚设线dS1和dS2。
图19是用于描述根据另一实施方式的形成颜色转换层的方法的参考图。当比较图17和图19时，在图19中示出的衬底110上布置在同一列中的多个预显示区域PDA可以共用数据线D。因此，曝光控制装置200可以通过使用一个曝光信号不仅在布置在同一行的驱动层130上形成颜色转换层而且在布置在同一列的驱动层130上形成颜色转换层。因此，曝光控制装置200可以直接将扫描信号施加到多个驱动层130。或者，在扫描线S接通时，曝光控制装置200可以顺序地将接通信号Von施加到第一到第三曝光线E1、E2和E3，从而形成颜色转换层。在形成颜色转换层时，可以在衬底110上形成多个显示单元。
在完成颜色转换层之后，可以以显示单元为单位切割衬底110。图20示出在图19的实施方式中被切割的衬底110的一示例。如图20所示，在以显示单元10为单位切割衬底110时，数据线D可以从显示单元10突出并保持。
例如，显示单元10可以包括面对第二电极焊盘EP2且相对靠近第二电极焊盘EP2的第三侧I4和相对远离第二电极焊盘EP2的第四侧O4。数据线D可以通过从显示单元10的第四侧O4突出而保留。数据线D的通过从显示单元10的第四侧O4突出而保留的区域对显示操作没有贡献，因此可以被称为虚设线dD2。
图21是示出根据另一实施方式的在包括开关电路50的显示装置中形成颜色转换层的方法的参考图。如图21所示，显示装置可以包括开关电路50。开关电路50可以以3：1MUX(即，多路复用器)的形式实现。数据线D可以连接到开关电路50，因为连接到用于获得白平衡的像素的那些数据线D被分组。然后，开关电路50可以经由第三连接线CL3电连接到一条曝光线E。可以在第三连接线CL3中形成可与数据驱动器接触的第六焊盘电极EP6。当接通信号Von被施加到曝光线E时，开关电路50可以为每种颜色接通开关器件SW，从而形成颜色转换层。
曝光控制装置200可以通过在将接通信号Von施加到曝光线E时控制开关电路50和扫描驱动器20而形成颜色转换层。然而，本公开不限于此，并且开关电路也可以以n：1的MUX的形式实现(其中n是大于2的整数)。显然，根据开关电路50的形式，可以包括多条曝光线。在形成颜色转换层之后，可以切割第三连接线CL3，从而去除曝光线E。第三连接线CL3可以突出到第六电极焊盘EP6的外部并保留。
例如，第六电极焊盘EP6可以包括面对显示单元10且相对靠近显示单元10的第一侧I5和相对远离显示单元10的第二侧O5。第三连接线CL3可以通过朝向第六电极焊盘EP6的第二侧O5突出而保留。第三连接线CL3的通过从第六电极焊盘EP6的第二侧O5突出而保留的区域对显示操作没有贡献，因此可以被称为虚设线dCL3。
图22是示出根据另一实施方式的将信号施加到第一至第三曝光线E1、E2和E3的方法的参考图。在将接通信号Von施加到第一至第三曝光线E1、E2和E3之前，可以将放电信号Vd施加到第一至第三曝光线E1、E2和E3。例如，在通过将接通信号Von施加到第一曝光线E1而形成第一颜色转换层140R之后，可以将放电信号Vd施加到第一至第三曝光线E1、E2和E3以释放存在于发射层120和驱动层130中的电荷。然后，在通过将接通信号Von施加到第二曝光线E2而形成第二颜色转换层140G之后，可以将放电信号Vd施加到第一至第三曝光线E1、E2和E3以释放存在于发射层120和驱动层130中的电荷。此外，在通过将接通信号Von施加到第三曝光线E3而形成第三颜色转换层140B之后，可以将放电信号Vd施加到第一至第三曝光线E1、E2和E3以释放存在于发射层120和驱动层130中的电荷。
放电信号Vd的幅度可以等于被施加到显示装置的公共电压的幅度。当存在于发射层120和驱动层130中的电荷被释放时，可以防止来自未施加曝光信号的发光区域的光的发射。
以上描述了关于RGB像素形成颜色转换层的方法。然而，该方法不限于此。相同的方法也可以应用于RGGR像素。相同的曝光线可以连接到相同的预像素。基于曝光信号和扫描信号的组合，可以从特定发光区域发射光。可以形成诸如RGBW像素的各种像素类型的颜色转换层。
根据一实施方式，可以提供半导体器件，该半导体器件具有衬底、设置在衬底上的发射层、设置在发射层上的驱动层和在驱动层上的自形成的半导体层，该半导体层基于从发射层发出的光被硬化。
自形成的半导体层可以是颜色转换层。
半导体层可以包括量子点。
根据一实施方式，可以提供制造半导体器件的方法。该方法可以包括在衬底上提供发射层、提供设置在发射层上的驱动层、提供形成在驱动层上的半导体层、以及基于从发射层发射的光来硬化半导体层。
尽管已经参考本公开的实施方式具体示出和描述了本公开，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以其中进行形式和细节上的各种改变。因此，实施方式应仅在描述性意义上被考虑，而不是为了限制目的。因此，本公开的范围不是由本公开的详细描述限定，而是由权利要求限定，并且该范围内的所有改变将被解释为包括在本公开中。
应当理解，在这里描述的实施方式应仅以描述性意义被理解，而不是为了限制目的。通常应当认为每个实施方式内的特征或方面的描述可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。
尽管已经参考附图描述了一个或更多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以其中进行形式和细节上的各种改变。
本申请基于并要求2018年12月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0165370的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。

Claims (29)

1.一种制造显示装置的方法，该方法包括：
在衬底的第一区域上形成发射层；
在所述发射层上形成驱动层，所述驱动层包括用于使从所述发射层发射光的多个驱动元件；
在所述衬底的第二区域上形成曝光线，所述曝光线电连接到所述驱动层；和
通过使用所述曝光线从所述发射层发射光而在所述驱动层上形成颜色转换层。
2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述发射层包括：
形成分别对应于多个像素的多个发光区域，和
经由所述发射层的虚设区域将所述多个发光区域彼此连接。
3.如权利要求1所述的方法，其中形成所述驱动层包括：
形成在第一方向上延伸的多条扫描线；和
形成在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多条数据线，
其中所述多个驱动元件分别连接到所述多条扫描线和所述多条数据线，以及
所述多条数据线电连接到所述曝光线。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述曝光线在与所述第二方向交叉的方向上延伸。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述曝光线在所述第一方向上延伸。
6.如权利要求3所述的方法，其中形成所述曝光线包括：
形成用于形成第一颜色转换层的第一曝光线；和
形成用于形成第二颜色转换层的第二曝光线，
其中所述第一曝光线连接到所述多条数据线当中的第一组数据线，以及
所述第二曝光线连接到所述多条数据线当中的第二组数据线。
7.如权利要求6所述的方法，其中形成所述颜色转换层包括：
在所述驱动层上形成第一颜色转换材料；
将第一信号施加到所述第一曝光线以从所述发射层的与所述第一组数据线对应的第一区域发射第一光；
基于施加到所述第一曝光线的所述第一信号，通过硬化所述第一颜色转换材料的与所述发射层的所述第一区域重叠的部分而形成第一颜色转换层；和
去除所述第一颜色转换材料的未被硬化的部分。
8.如权利要求7所述的方法，还包括：
在所述驱动层上形成第二颜色转换材料；
将第二信号施加到所述第二曝光线以从所述发射层的与所述第二组数据线对应的第二区域发射第二光；
基于施加到所述第二曝光线的所述第二信号，通过硬化所述第二颜色转换材料的与所述发射层的所述第二区域重叠的部分而形成第二颜色转换层；和
去除所述第二颜色转换材料的未被硬化的部分。
9.如权利要求6所述的方法，其中，当接通信号被施加到所述第一曝光线时，关断信号被施加到所述第二曝光线，以及
当接通信号被施加到所述第二曝光线时，关断信号被施加到所述第一曝光线。
10.如权利要求6所述的方法，还包括将第三信号施加到所述第一曝光线和所述第二曝光线以释放所述发射层和所述多个驱动元件中的电荷。
11.如权利要求3所述的方法，其中，在将扫描信号施加到所述多条扫描线的同时，执行所述颜色转换层的形成。
12.如权利要求3所述的方法，其中，在将接通信号施加到所述多条扫描线的同时，执行所述颜色转换层的形成。
13.如权利要求3所述的方法，其中所述曝光线直接连接到所述多条数据线中的一条或更多条。
14.如权利要求3所述的方法，其中所述曝光线经由开关器件电连接到所述多条数据线。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述开关器件包括多个晶体管，所述多个晶体管将所述多条数据线中的每条电连接到所述曝光线。
16.如权利要求14所述的方法，其中，所述开关器件包括多路复用器。
17.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述颜色转换层之后，将所述衬底分离成包括所述发射层的第三区域和包括所述曝光线的第四区域，并去除所述第四区域。
18.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述颜色转换层之前，在所述驱动层上形成限定像素的多个屏障。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述多个屏障中的至少一个具有宽度从其下部到上部减小的渐缩形状。
20.如权利要求18所述的方法，其中所述像素的尺寸是500ppi或更大。
21.如权利要求1所述的方法，其中所述发射层、所述驱动层、所述曝光线和所述颜色转换层是整体形成的。
22.一种显示装置，包括：
多条扫描线，在第一方向上延伸；
多条数据线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；
多个像素，分别对应于所述多条扫描线和所述多条数据线；
多个第一电极焊盘，电连接到所述多条扫描线；
多个第二电极焊盘，电连接到所述多条数据线；
扫描驱动器，配置为通过所述第一电极焊盘将扫描信号施加到所述多条扫描线；
数据驱动器，配置为通过所述多个第二电极焊盘将数据信号施加到所述多条数据线；和
多条第一虚设线，在与所述多条数据线相同的方向上从所述第二电极焊盘突出。
23.如权利要求22所述的显示装置，还包括多条第二虚设线，所述多条第二虚设线在与所述多条扫描线相同的方向上从所述第一电极焊盘突出。
24.一种半导体器件，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的发射层；
设置在所述发射层上的驱动层；
在所述驱动层上的自形成的半导体层，所述半导体层基于从所述发射层发射的光而被硬化。
25.如权利要求24所述的半导体器件，其中所述自形成的半导体层是颜色转换层。
26.如权利要求24所述的半导体器件，其中所述半导体层包括量子点。
27.一种制造半导体器件的方法，包括：
在衬底上提供发射层；
提供设置在所述发射层上的驱动层；
提供形成在所述驱动层上的半导体层；和
基于从所述发射层发射的光，硬化所述半导体层。
28.如权利要求27所述的方法，其中所述半导体层是颜色转换层。
29.如权利要求27所述的方法，其中所述半导体层包括量子点。
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