CN111128952A - 金属-氧化物-金属电容结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种金属‑氧化物‑金属(MOM)电容结构，其包含一第一金属层与一第二金属层。第一金属层包含多个第一金属条与第二金属条，沿着一第一方向延伸。第一金属层还包括多个第一金属侧凸与多个第二金属侧凸沿着第二方向延伸，各第一金属侧凸分别连接于其中一个第一金属条，各第二金属侧凸分别连接于其中一个第二金属条。第二金属层包含多个第三金属条与第四金属条沿着该第一方向延伸，并包含第三金属侧凸与第四金属侧凸。各第三金属侧凸分别连接于其中一个第三金属条，各第四金属侧凸分别连接于其中一个第四金属条。

Description

金属-氧化物-金属电容结构

技术领域

本发明涉及一种金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容结构，尤其是涉及一种三维(3-dimentional，3D)MOM电容结构。

背景技术

MOM电容为一导体-介电质-导体(conductor-dielectric-conductor)的电容结构，常见于集成电路。在现有技术中，MOM电容的上、下电极常是以具有平整表面的金属条所构成，并以一维或二维方式穿插排列。然而，为了提高元件集成度，业界需要持续研发，以在有限的空间中制作出更高电容密度与电容存储量的电容元件。

发明内容

因此，本发明的主要目的在于提供一种MOM电容结构，其包含三个方向极性相反穿插排列的3D结构，并具有以金属侧凸及金属插塞的电连接设计，以解决前述问题。

本发明提供一种金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容结构，其包含一第一金属层与一第二金属。第一金属层包含：多个第一金属条(stripe)与多个第二金属条，沿着一第一方向延伸，该多个第一金属条与该多个第二金属条沿着一第二方向交错并排，其中第一方向与第二方向相交；多个第一金属侧凸(metal jog)，沿着该第二方向延伸，各该第一金属侧凸分别连接于该多个第一金属条的其中一个；以及多个第二金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第二金属侧凸分别连接于该多个第二金属条的其中一个。第二金属层设于该第一金属层之上，包含：多个第三金属条与多个第四金属条，沿着该第一方向延伸，该多个第三金属条与该多个第四金属条沿着该第二方向交错并排；多个第三金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第三金属侧凸分别连接于该多个第三金属条的其中一个；以及多个第四金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第四金属侧凸分别连接于该多个第四金属条的其中一个。其中，在一投影平面上，各该第三金属条的投影对应于该多个第二金属条的其中一个的投影，各该第四金属条的投影对应于该多个第一金属条的其中一个的投影，该多个第一金属条电连接于该多个第三金属条但不电连接于该多个第二金属条，且该多个第二金属条电连接于该多个第四金属条。

本发明的MOM电容结构还包括多个第一连接元件与多个第二连接元件。第一连接元件分别设置于其中一个第一金属侧凸以及其中一个第三金属侧凸之间，用来电连接位于该第一连接元件上、下两端的第一金属侧凸与该第三金属侧凸。第二连接元件分别设置于其中一个第二金属侧凸以及其中一个第四金属侧凸之间，用来电连接位于该第二连接元件上、下两端的第二金属侧凸与第四金属侧凸。第一连接元件与第二连接元件可以为金属插塞。

本发明的MOM电容结构在同一金属层中包含具有相反极性的两种金属条，且各金属条另连接多个金属侧凸，通过金属侧凸及以电连接金属插塞的设计可以增加原本金属条的表面积，进而提高电容存储量。

附图说明

图1为本发明MOM电容结构的第一实施例的第一金属层的俯视示意图；

图2为本发明MOM电容结构的第一实施例的第二金属层的俯视示意图；

图3为本发明MOM电容结构的第一实施例包含堆叠的第一金属层与第二金属层的俯视示意图；

图4为本发明MOM电容结构的第一实施例的变化实施例的第一金属层的俯视示意图；

图5为MOM电容结构的第一实施例的变化实施例的第二金属层的俯视示意图；

图6为本发明MOM电容结构的第二实施例的第一金属层的俯视示意图；

图7为本发明MOM电容结构的第二实施例的第二金属层的俯视示意图；

图8为本发明MOM电容结构的第二实施例包含堆叠的第一金属层与第二金属层的俯视示意图；

图9为本发明MOM电容结构的第二实施例的变化实施例的第一金属层的俯视示意图；

图10为本发明MOM电容结构的第二实施例的变化实施例的第二金属层的俯视示意图。

符号说明

100 第一金属层

102 第一金属条

1021、1022 第一金属侧凸

1023 第一总线

104 第二金属条

1041、1042 第二金属侧凸

1043 第二总线

200 第二金属层

202 第三金属条

2021、2022 第三金属侧凸

2023 第三总线

204 第四金属条

2041、2042 第四金属侧凸

2043 第四总线

302、304 连接元件

CP MOM电容结构

D1 第一方向

D2 第二方向

D3 第三方向

EIN 输入端口

EL1、EL2、EL3、EL4 延伸线

EOU 输出端口

具体实施方式

为使熟习本发明所属技术领域的一般技术者能更进一步了解本发明，下文特列举优选实施例，并配合所附的附图，详细说明本发明存储器结构与制作方法及所欲达成的功效。

请参考图1到图3，图1为本发明MOM电容结构的第一实施例的第一金属层的俯视示意图，图2为本发明MOM电容结构的第一实施例的第二金属层的俯视示意图，图3为本发明MOM电容结构的第一实施例包含堆叠的第一金属层与第二金属层的俯视示意图。本发明MOM电容结构为一3维(3-dimension，3D)电容结构，其包括两层以上的金属层，例如有三层、四层或更多层金属层。为简化说明，本实施例先以具有两层金属层来举例介绍。首先请参考图1，本发明MOM电容结构CP包含第一金属层100，第一金属层100的材料可为任何适合用于电容结构的金属材料，例如铜、铝、银、钨等，不以此为限。第一金属层100包含多个第一金属条102、多个第二金属条104、多个第一金属侧凸1021、1022及多个第二金属侧凸1041、1042。第一金属条102与第二金属条104沿着一第一方向D1延伸，且第一金属条102与第二金属条104沿着一第二方向D2交错并排，其中第一方向D1与第二方向D2相交，本实施例是以第一方向D1垂直于第二方向D1为例，但不限于此。再者，第一金属条102与第二金属条104彼此不互相电连接。

第一金属侧凸1021、1022沿着第二方向D2延伸，且各第一金属侧凸1021、1022分别连接于其中一个第一金属条102而电连接。如图1所示，第一金属侧凸1021与第一金属侧凸1022分别位于所相连的第一金属条102两侧，且任一个第一金属侧凸1021对应于一个第一金属侧凸1022，使得第一金属侧凸1021与对应的第一金属侧凸1022和所连接的第一金属条102在相交处呈现「十」字型图案。换句话说，位于第一金属条102一侧的第一金属侧凸1021和位于第一金属条102另一侧的第一金属侧凸1022以第一金属条102当作对称线而镜像对称。类似的，第二金属侧凸1041、1042沿着第二方向D2延伸，且各第二金属侧凸1041、1042分别连接于其中一个第二金属条104而电连接。第二金属侧凸1041与第二金属侧凸1042分别位于所相连的第二金属条104两侧，且任一个第二金属侧凸1041对应于一个第二金属侧凸1042，使得第二金属侧凸1041与对应的第二金属侧凸1042和所连接的第二金属条104在相交处呈现「十」字型图案。换言之，位于第二金属条104一侧的第二金属侧凸1041和位于第二金属条104另一侧的第二金属侧凸1042以第二金属条104当作对称线而镜像对称。

另一方面，相邻的第一金属条102与第二金属条104之间设有多个第一金属侧凸1021或1022与第二金属侧凸1041或1042，两者沿着第一方向D1交错并排。不同第一金属条102所连接的第一金属侧凸1021、1022会沿着第二方向D2彼此对准，亦即其中一个第一金属侧凸1021或1022在沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL1)会重叠于另一个第一金属条102所连接的第一金属侧凸1021、1022。不同第二金属条104所连接的第二金属侧凸1041、1042也有类似的对准关系，不再赘述。此外，在本实施例中，任一个第一金属侧凸1021或1022沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL1)与任一个第二金属侧凸1041或1042沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL2)互相错位。也就是说，在第二方向D2上，第一金属侧凸1021、1022与第二金属侧凸1041、1042不互相重叠。

在本实施例中，第一金属层100还包括一第一总线1023沿着第二方向D2延伸，并电连接于多个第一金属条102。图1中所示的第一金属条102都沿着第一方向D1往左延伸连接于第一总线1023，有此以电连接于第一总线1023，也就是说第一金属条102与第一金属侧凸1021、1022都通过第一总线1023而彼此电连接，可构成MOM电容结构CP的一第一电极，例如作为电容上电极。举例来说，第一总线1023的下部可电连接于一输入端口EIN，用来输入电压或电荷至第一总线1023、第一金属条102与所连接的第一金属侧凸1021、1022。在变化实施例中，第一总线1023的下部可电连接于一输出端口。类似的，第一金属层100还包括一第二总线1043沿着第二方向D2延伸，并电连接于多个第二金属条104。图1所示的第二金属条104都沿着第一方向D1往右延伸连接于第二总线1043，有此以电连接于第二总线1043，也就是说第二金属条104与第二金属侧凸1041、1042通过第二总线1043而彼此电连接，可构成MOM电容结构CP的一第二电极，例如作为电容下电极。举例来说，第二总线1043的上部可电连接于一输出端口EOU，用来将第二金属条104与所连接的第二金属侧凸1041、1042所存储的电压或电荷经由第二总线1043输出。在变化实施例中，第二总线1043的上部可电连接于一输入端口。由图1可知，第一金属条102、第一金属侧凸1021、1022、第二金属条104及第二金属侧凸1041、1042都位于第一总线1023与第二总线1043之间。再者，本实施例第一金属条102、第一金属侧凸1021、1022所具有的电性极性相反于第二金属条104及第二金属侧凸1041、1042的电性极性。

请参考图2，图2为本发明MOM电容结构的第一实施例的第二金属层200的俯视示意图。第二金属层200的材料可参考前述有关第一金属层100的材料，不再赘述。第二金属层200包括多个第三金属条202与多个第四金属条204，沿着第一方向D1延伸，且第三金属条202与第四金属条204沿着第二方向D2交错并排。第二金属层200另包括多个第三金属侧凸2021、2022，沿着第二方向D2延伸，各第三金属侧凸2021、2022分别连接于其中一个第三金属条202。再者，第二金属层200还包括多个第四金属侧凸2041、2042，沿着第二方向D2延伸，各第四金属侧凸2041、2042分别连接于其中一个第四金属条204。在第二金属层200中，第三金属侧凸2021、2022与第三金属条202以及第四金属侧凸2041、2042与第四金属条204的相对设置方式类似于第一金属层100。例如，第三金属侧凸2021与第三金属侧凸2022分别位于所相连的第三金属条202两侧，且任一个第三金属侧凸2021对应于一个第三金属侧凸2022，使得第三金属侧凸2021与对应的第三金属侧凸2022和所连接的第三金属条202在相交处呈现「十」字型图案。换句话说，位于第三金属条202一侧的第三金属侧凸2021和位于第三金属条202另一侧的第三金属侧凸2022以第三金属条202当作对称线而镜像对称。类似的，第四金属侧凸2041、2042分别连接于其中一个第四金属条204，彼此电连接。第四金属侧凸2041与第四金属侧凸2042分别位于所相连的第四金属条204两侧，且任一个第四金属侧凸2041对应于一个第四金属侧凸2042，使得第四金属侧凸2041与对应的第四金属侧凸2042和所连接的第四金属条204在相交处呈现「十」字型图案。换言之，位于第四金属条204两侧的第四金属侧凸2041和第四金属侧凸2042以第四金属条204当作对称线而镜像对称。

另一方面，相邻的第三金属条202与第四金属条204之间设有多个第三金属侧凸2021或2022与第四金属侧凸2041或2042，两者沿着第一方向D1交错并排。不同第三金属条202所连接的第三金属侧凸2021、2022会沿着第二方向D2彼此对准，亦即其中一个第三金属侧凸2021或2022在沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL3)会重叠于另一个第三金属条202所连接的第三金属侧凸2021、2022。不同第四金属条204所连接的第四金属侧凸2041、2042也有类似的对准关系，不再赘述。此外，在本实施例中，任一个第三金属侧凸2021或2022沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL3)与任一个第四金属侧凸2041或2042沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL4)互相错位。也就是说，在第二方向D2上，第三金属侧凸2021、2022与第四金属侧凸2041、2042不互相重叠。

类似于第一金属层100，本实施例的第二金属层200还包括一第三总线2023与一第四总线2043沿着第二方向D2延伸，其中第三总线2023连接于多个第三金属条202，第四总线2043连接于多个第四金属条204。举例来说，第三总线2023的下部可电连接于一输入端口EIN，用来输入信号或电流，第四总线2043的上部可电连接于一输出端口EOU，用来输出信号或电流。在变化实施例中，第三总线2023的下部可电连接于一输出端口，而第四总线2043的上部可电连接于一输入端口。第三金属条202与第三金属侧凸2021、2022通过第三总线2023而彼此电连接，可构成MOM电容结构CP的第一电极，第四金属条204与第四金属侧凸2041、2042通过第四总线2043而彼此电连接，可构成MOM电容结构CP的第二电极，第一电极与第二电极可具有相反的电性极性。

请参考图3，本实施例MOM电容结构的第一实施例在立体堆叠时，第二金属层200与第一金属层100是沿着一第三方向D3堆叠，例如第二金属层200是位于第一金属层100的上侧，但不以此为限。在变化实施例中，第二金属层200也可为位于第一金属层100的下侧。本发明的MOM电容结构CP可包括多层金属层，例如包括多个第一金属层100与多个第二金属层200，彼此沿着第三方向D3交错堆叠，亦即当第一金属层100为第n层时，第二金属层200可为第n-1层或第n+1层。根据本发明，当第二金属层200堆叠于第一金属层100之上时，在一投影平面上，各第三金属条202的投影对应重叠于其中一个第二金属条104的投影，各第四金属条204的投影对应重叠于其中一个第一金属条102，也就是一个第三金属条202与一个第二金属条104互相对应重叠，而一个第四金属条204与一个第一金属条102互相对应重叠。再者，本实施例第一金属层100的第一金属条102电连接于第二金属层的第三金属条202，而第一金属层100的第二金属条104电连接于第二金属层的第四金属条204，使得第一金属条102与第三金属条202可构成MOM电容结构CP的第一电极，第二金属条104与第四金属条204构成第二电极，两者可形成具有立体结构的MOM电容结构CP。详细而言，在第三方向D3上，与第一金属条102相连的第一金属侧凸1022会部分重叠于与第三金属条202相连的第三金属侧凸2021，并且两者之间设置有一连接元件302，例如为金属插塞，用来电连接其两侧的第一金属侧凸1022与第三金属侧凸2021，亦即，连接元件302、第一金属侧凸1022和第三金属侧凸2021在第三方向上彼此部分重叠而电连接。类似的，在第三方向D3上，与第一金属条102相连的第一金属侧凸1021也会部分重叠于与第三金属条202相连的第三金属侧凸2022，并且两者之间通过连接元件302而彼此电连接。另一方面，在第三方向D3上，与第二金属条104相连的第二金属侧凸1042会部分重叠于与第四金属条204相连的第四金属侧凸2041，两者之间通过一连接元件304(例如为金属插塞)而彼此电连接，与第二金属条104相连的第二金属侧凸1041会部分重叠于与第四金属条204相连的第四金属侧凸2042，两者之间通过一连接元件304而彼此电连接，在此设计下，第一金属层100的多个第二金属条104便可通过连接元件304而电连接第二金属层200的多个第四金属条204，第一金属层100的多个第一金属条102可通过连接元件302而电连接第二金属层200的多个第三金属条202，分别形成MOM电容结构CP的第二电极与第一电极。此外，在一投影平面上，第一总线1023与第三总线2023的投影至少部分重叠，而第二总线1043与第四总线2043的投影至少部分重叠。

根据本发明，在第一金属层100中，由于第一金属条102两侧连接有第一金属侧凸1021、1022，因此第一金属条102至第一金属侧凸1021、1022的表面呈现锯齿状不平整的表面，类似的，第二金属条104两侧连接有第二金属侧凸1041、1042，因此第二金属条104至第二金属侧凸1041、1042的表面也呈现锯齿状不平整的表面，此设计使得第一金属条102、第一金属侧凸1021、1022与第二金属条104、第二金属侧凸1041、1042之间相对面的表面较大，亦即增加了两者之间的相对面的表面积。再者，通过使第一金属侧凸1021、1022和第二金属侧凸1041、1042互相穿插错位设计，可进一步增加两者之间相对面的表面积。与现有只有直条状金属条而不具有金属侧凸的电容结构相比，本发明具有第一金属侧凸1021、1022与第二金属侧凸1041、1042的设计能大幅增加第一电极与第二电极之间的相对面的表面积，因此能增加单位体积或面积中的电容存储容量。本发明的第二金属层200也有类似的设计，第三金属条202两侧的第三金属侧凸2021、2022及第四金属条204两侧的第四金属侧凸2041、2042同样能增加第一电极与第二电极的相对表面的表面积，能提高单位体积或面积中的电容存储容量。

请参考图4与图5，图4与图5为本发明MOM电容结构的第一实施例的变化实施例的示意图，其中图4绘示出MOM电容结构的第一金属层的俯视示意图，而图5绘示出MOM电容结构的第二金属层的俯视示意图。本变化实施例与第一实施例的差异处主要在于省略了设置于最外侧的第一金属侧凸1021、第二金属侧凸1042以及第三金属侧凸2021。如图4所示，图中最上侧的第一金属条102的上侧没有设置第一金属侧凸1021而仅具有位于其下侧的第一金属侧凸1022；最下侧的第二金属条104的下侧没有设置第二金属侧凸1042而仅具有位于其上侧的第二金属侧凸1042。由于最上侧的第一金属条102与最下侧的第二金属条104的外侧没有设置电容结构的其他电极元件，因此不需设置第一金属侧凸1022与第二金属侧凸1042以增加电极表面积。在此设计下，最上侧的第一金属条102与最下侧的第二金属条104的外侧都具有平整的条状表面。另一方面，如图5所示，最上侧第四金属条204的上侧也不设置第四金属侧凸2041，使得该第四金属条204的外侧具有平整的条状表面。

请参考图6到图8，图6为本发明MOM电容结构的第二实施例的第一金属层的俯视示意图，图7为本发明MOM电容结构的第二实施例的第二金属层的俯视示意图，图8为本发明MOM电容结构的第二实施例包含堆叠的第一金属层与第二金属层的俯视示意图。本实施例与第一实施例的差异处主要在于金属侧凸的排列位置。首先请参考图6，根据本实施例，在第一金属层100中，连接于同一条第一金属条102的第一金属侧凸1021、1022在第二方向D2上互相错位而不重叠，亦即任一个第一金属侧凸1021或1022沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL1)彼此错位，换言之，第一金属条102两侧的第一金属侧凸1021与1022是以第一金属条102作为反向对称线。类似的，连接于同一条第二金属条104的第二金属侧凸1041、1042在第二方向D2上互相错位而不重叠，也就是任一个第二金属侧凸1041或1042沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL2)彼此错位，换言之，第二金属条104两侧的第二金属侧凸1041与1042是以第二金属条104作为反向对称线。再者，在本实施例中，位于第一金属102上侧的第一金属侧凸1021在第二方向D2上对齐于位于第二金属104上侧的第二金属侧凸1041，第一金属侧凸1021沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL1)重叠于至少一个第二金属侧凸1041。类似的，位于第一金属102下侧的第一金属侧凸1022在第二方向D2上对齐于位于第二金属104下侧的第二金属侧凸1042，第二金属侧凸1042沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL2)重叠于至少一个第一金属侧凸1022。

请参考图7，图7所示的第二金属层200在第三金属侧凸2021、2022及第四金属侧凸2041、2042的相对位置设计上类似于第一金属层100。第三金属侧凸2021、2021在第二方向D2上互相错位设置，第四金属侧凸2041、2042在第二方向D2上互相错位设置，并且第三金属侧凸2021与第四金属侧凸2041在第二方向D2上互相重叠对齐，第三金属侧凸2021沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL3)会重叠于数个第四金属侧凸2041，而第三金属侧凸2022与第四金属侧凸2042在第二方向D2上互相重叠对齐，第四金属侧凸2042沿着第二方向D2的延伸线(例如延伸线EL4)会重叠于数个第三金属侧凸2022。

请参考图8，本发明MOM电容结构CP的第二实施例包括沿着第三方向D3堆叠的第一金属层100与第二金属层200，在某些实施例中，MOM电容结构CP可包括两层以上的第一金属层100与两层以上的第二金属层200互相交错堆叠。图8仅绘示出一层第一金属层100与一层第二金属层200作为示意。如同第一实施例，在垂直于第三方向D3的一投影平面上，第一金属条102与第三金属条202互相错位，第二金属条104与第四金属条204互相错位，而一条第一金属条102的投影可对应重叠于一条第四金属条204的投影，一条第二金属条104的投影可对应重叠于一条第三金属条202的投影。再者，第一金属侧凸1022会部分重叠于第三金属侧凸2021，且两者之间可通过连接元件302之间电连接，而第一金属侧凸1021部分重叠于第三金属侧凸2022，且两者之间可通过连接元件302之间电连接，有此使得第一金属条102通过第一金属侧凸1021、1022、连接元件302及第三金属侧凸2021、2022而电连接第三金属条202，以构成MOM电容结构CP的第一电极。类似的，第二金属侧凸1042会部分重叠于第四金属侧凸2041，且两者之间可通过连接元件304之间电连接，而第二金属侧凸1041部分重叠于第四金属侧凸2042，且两者之间可通过连接元件304之间电连接，有此使得第二金属条104通过第二金属侧凸1041、1042、连接元件304及第四金属侧凸2041、2042而电连接第四金属条204，以构成MOM电容结构CP的第二电极。此外，需注意的是，在本实施例的第一金属层100中，用来作为第一电极的第一金属条102与第一金属侧凸1021、1022可通过第一总线1023而往下侧电连接输入端口EIN，用来作为第二电极的第二金属条104与第二金属侧凸1041、1042可通过第二总线1043而往上侧电连接输出端口EOU，然而，在第二金属层200中，连接输入端口EIN与输出端口EOU的位置则与第一金属层100相反，亦即作为第一电极的第三金属条202与第三金属侧凸2021、2022可通过第三总线2023往上侧电连接输入端口EIN，而作为第二电极的第四金属条204与第四金属侧凸2041、2042可通过第四总线2043而往下侧电连接输出端口EOU。根据本实施例，在垂直于第三方向D3的投影平面上，第一总线1023与第四总线2043的投影至少部分重叠，而第二总线1043与第三总线2023的投影至少部分重叠。

请参考图9与图10，图9与图10为本发明MOM电容结构的第二实施例的变化实施例的示意图，其中图9绘示出MOM电容结构的第一金属层的俯视示意图，而图10绘示出MOM电容结构的第二金属层的俯视示意图。本变化实施例与第二实施例的差异处主要在于省略了设置于最外侧的第一金属侧凸1021、第二金属侧凸1042及第三金属侧凸2022。如图9所示，图中最上侧的第一金属条102的上侧没有设置第一金属侧凸1021而仅具有位于其下侧的第一金属侧凸1022；最下侧的第二金属条104的下侧没有设置第二金属侧凸1042而仅具有位于其上侧的第二金属侧凸1042。由于最上侧的第一金属条102与最下侧的第二金属条104的外侧没有设置电容结构的其他电极元件，因此不需设置第一金属侧凸1022与第二金属侧凸1042以增加电极表面积。在此设计下，最上侧的第一金属条102与最下侧的第二金属条104的外侧具有平整的条状表面。另一方面，如图10所示，最上侧第三金属条202的上侧仍保留第三金属侧凸2021，以在堆叠于第一金属层100的一侧时，通过连接元件302而电连接于第一金属层100的第一金属侧凸1022。然而，最下侧的第三金属条202的下侧没有设置第三金属侧凸2022，使得该第三金属条202的外侧具有平整的条状表面。

由上述可知，本发明MOM电容结构通过在金属条之间设置金属侧凸，且在不同电极之间的金属侧凸可互相错位并穿插设置，以增加第一电极与第二电极之间的相对面面积(或称电极表面积)，进而达到增加每单位空间中的电极面积，以及增加电容存储容量的效果。本发明提供了两种以上的金属侧凸排列方式，两如金属条两侧的金属侧凸可互相镜像对称或呈反向对称，MOM电容结构可依照产品需求设计所需的金属侧凸排列方式。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。

Claims (12)

1.一种金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容结构，其特征在于，包含：

第一金属层，其包含：

多个第一金属条(stripe)与多个第二金属条，沿着一第一方向延伸，该多个第一金属条与该多个第二金属条沿着一第二方向交错并排，其中该第一方向与该第二方向相交；

多个第一金属侧凸(metal jog)，沿着该第二方向延伸，各该第一金属侧凸分别连接于该多个第一金属条的其中一个；以及

多个第二金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第二金属侧凸分别连接于该多个第二金属条的其中一个；以及

第二金属层，设于该第一金属层之上，该第二金属层包含：

多个第三金属条与多个第四金属条，沿着该第一方向延伸，该多个第三金属条与该多个第四金属条沿着该第二方向交错并排；

多个第三金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第三金属侧凸分别连接于该多个第三金属条的其中一个；以及

多个第四金属侧凸，沿着该第二方向延伸，各该第四金属侧凸分别连接于该多个第四金属条的其中一个；

其中在一投影平面上，各该第三金属条的投影对应于该多个第二金属条的其中一个的投影，各该第四金属条的投影对应于该多个第一金属条的其中一个的投影，该多个第一金属条电连接于该多个第三金属条但不电连接于该多个第二金属条，且该多个第二金属条电连接于该多个第四金属条。

2.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容结构，其另包括：

多个第一连接元件，分别设置于该多个第一金属侧凸的其中一个以及该多个第三金属侧凸的其中一个之间，各该第一连接元件用来电连接位于该第一连接元件上、下两端的该第一金属侧凸与该第三金属侧凸；以及

多个第二连接元件，分别设置于该多个第二金属侧凸的其中一个以及该多个第四金属侧凸的其中一个之间，各该第二连接元件用来电连接位于该第二连接元件上、下两端的该第二金属侧凸与该第四金属侧凸。

3.如权利要求2所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中各该第一连接元件与各该第二连接元件分别为一金属插塞。

4.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中在相邻的一个该第一金属条与一个该第二金属条之间设置有多个该多个第一金属侧凸与多个该多个第二金属侧凸，且该多个第一金属侧凸与该多个第二金属侧凸沿着该第一方向穿插并排。

5.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中该多个第一金属条的其中一个连接于多个该多个第一金属侧凸，且该多个金属侧凸分别设置于该第一金属条的两侧并以该第一金属条当作对称线而呈镜像对称。

6.如权利要求5所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中任一个该第一金属侧凸沿着该第二方向的延伸线与任一个该第二金属侧凸沿着该第二方向的延伸线互相错位。

7.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中该多个第一金属条的其中一个连接于多个该多个第一金属侧凸，该多个第一金属侧凸分别设置于该第一金属条的两侧，且该多个第一金属侧凸沿着该第二方向的延伸线彼此错位。

8.如权利要求7所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中各该第一金属侧凸沿着该第二方向的延伸线重叠于该多个第二金属侧凸的至少其中一个。

9.如权利要求1所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中该第一金属层另包括：

第一总线，沿着该第二方向延伸并连接于该多个第一金属条；以及

第二总线，沿着该第二方向延伸并连接于该多个第二金属条；

其中该多个第一金属与该多个第二金属条位于该第一总线与该第二总线之间。

10.如权利要求9所述的金属-氧化物-金属电容结构，其中该多个第二金属层另包括：

第三总线，沿着该第二方向延伸并连接于该多个第三金属条；以及

第四总线，沿着该第二方向延伸并连接于该多个第四金属条；

其中该多个第三金属与该多个第四金属条位于该第三总线与该第四总线之间。

11.如权利要求10所述的金属-氧化物-金属电容结构，在一投影平面上，该第一总线与该第四总线的投影至少部分重叠，而该第二总线与该第三总线的投影至少部分重叠。

12.如权利要求10所述的金属-氧化物-金属电容结构，在一投影平面上，该第一总线与该第三总线的投影至少部分重叠，而该第二总线与该第四总线的投影至少部分重叠。

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