CN111052316A - 薄型化板状部件的制造方法以及制造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 101
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 101
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 138
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 8
- 101100135609 Arabidopsis thaliana PAP10 gene Proteins 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Dicing (AREA)
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Abstract
薄型化板状部件的制造方法具备:向第一硬质支承体(110)的支承面(111)粘贴第一双面粘接片(AT1)的第一粘接面(AT11),向板状部件(WF)的整个第一表面(WF1)粘贴第二粘接面(AT12)的工序;在所述板状部件(WF)的内部形成边界层(CR)的工序;以第一保持单元(130)夹着第一硬质支承体(110)位于所述板状部件(WF)的相反侧的方式,将所述第一保持单元(130)和第一硬质支承体(110)拆装自如地固定的工序;利用第二保持单元(160)从第二表面(WF2)侧保持所述板状部件(WF)的工序;使所述第一保持单元(130)和所述第二保持单元(160)相对移动,从而以所述边界层(CR)为界,将所述板状部件(WF)分割为具有第一表面(WF1)的第一薄型化板状部件以及具有第二表面(WF2)的第二薄型化板状部件的工序。
Description
技术领域
本发明涉及薄型化板状部件的制造方法以及制造装置。
背景技术
以往,已知加工被加工物的方法(例如,参照专利文献1)。
专利文献1的方法向由保持单元保持的被加工物照射激光,在被加工物的内部形成改质面。然后,以该改质面为边界,将被加工物的一部分剥离。
在该专利文献1中,还公开了能够将作为被加工物的晶圆从一般的厚度加工得较薄。该情况下,利用卡盘工作台的上表面直接吸附保持晶圆的第一表面,使吸盘的吸附面接触晶圆的第二表面。然后,可考虑通过使吸盘吸引晶圆,从而以改质面为边界,将晶圆分割为具有第一表面的第一薄型化晶圆和具有第二表面的第二薄型化晶圆。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-30005号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而,在专利文献1的方法中,在仅通过吸盘的吸引不能分割晶圆的情况下,考虑利用驱动设备使吸盘上升,但有可能发生以下的不良情况。
卡盘工作台的上表面一般形成为多孔状。因此,在晶圆的第一表面,会存在由卡盘工作台吸附的部分(以下称为“吸附部分”)和未被吸附的部分(以下称为“非吸附部分”)。
若吸盘上升,则对吸附部分作用与吸盘的上升相伴的上侧方向的力以及因卡盘工作台吸附而产生的向下侧方向的力,但对非吸附部分不会作用向下侧方向的力。另外,在大气压环境中,吸附力存在极限。而且,由于晶圆较薄,容易变形,因此有可能导致非吸附部分向上侧方向挠曲,使得晶圆未经分割就发生破损。
本发明的目的在于提供一种能够适当地制造薄型化板状部件的薄型化板状部件的制造方法以及制造装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的薄型化板状部件的制造方法的特征在于,具备:向第一硬质支承体的支承面粘贴第一双面粘接片的第一粘接面,向板状部件的整个第一表面粘贴所述第一双面粘接片的第二粘接面的工序;在所述板状部件的内部形成与所述第一表面平行的边界层的工序;以第一保持单元隔着所述第一硬质支承体位于所述板状部件的相反侧的方式,将所述第一保持单元和所述第一硬质支承体拆装自如地固定的工序;利用第二保持单元从所述板状部件的第二表面侧保持该板状部件的工序;使所述第一保持单元和所述第二保持单元相对移动,从而以所述边界层为界,将所述板状部件分割为具有所述第一表面的第一薄型化板状部件以及具有所述第二表面的第二薄型化板状部件的工序。
在本发明的薄型化板状部件的制造方法中,优选的是,利用所述第二保持单元从所述第二表面侧保持所述板状部件的工序为:向第二硬质支承体的支承面粘贴第二双面粘接片的第一粘接面,向所述板状部件的整个第二表面粘贴所述第二双面粘接片的第二粘接面,以第二保持单元隔着所述第二硬质支承体位于所述板状部件的相反侧的方式,将所述第二保持单元和所述第二硬质支承体拆装自如地固定。
另外,在本发明的薄型化板状部件的制造方法中,优选的是,所述板状部件是晶圆。
本发明的薄型化板状部件的制造装置的特征在于,具备:第一硬质支承体,其向支承面粘贴第一双面粘接片的第一粘接面;边界层形成单元,其在第一表面整体被粘贴于所述第一双面粘接片的第二粘接面的板状部件的内部,形成与所述第一表面平行的边界层;第一保持单元;第一固定单元,其以所述第一保持单元隔着所述第一硬质支承体位于所述板状部件的相反侧的方式,将所述第一保持单元和所述第一硬质支承体拆装自如地固定;第二保持单元,其从第二表面侧保持所述板状部件;相对移动手单元,其使所述第一保持单元和所述第二保持单元相对移动,从而以所述边界层为界,将所述板状部件分割为具有所述第一表面的第一薄型化板状部件以及具有所述第二表面的第二薄型化板状部件。
在本发明的薄型化板状部件的制造装置中,优选的是,具备:第二硬质支承体,其向支承面粘贴第二双面粘接片的第一粘接面;第二固定单元,其以所述第二保持单元隔着所述第二硬质支承体位于所述板状部件的相反侧的方式,将所述第二保持单元和所述第二硬质支承体拆装自如地固定;所述第二双面粘接片的第二粘接面形成为能够粘贴所述板状部件的整个所述第二表面的大小。
根据本发明,可以提供能够适当地制造薄型化板状部件的薄型化板状部件的制造方法以及制造装置。
附图说明
图1A是本发明的实施方式的薄型化晶圆的制造装置的动作说明图。
图1B是所述实施方式的薄型化晶圆的制造装置的动作说明图,示出了跟在图1A后面的状态。
图1C是所述实施方式的薄型化晶圆的制造装置的动作说明图,示出了跟在图1B后面的状态。
图2A是所述实施方式的薄型化晶圆的制造装置的动作说明图,示出了跟在图1C后面的状态。
图2B是所述实施方式的薄型化晶圆的制造装置的动作说明图,示出了跟在图2A后面的状态。
图3是通过本发明的实施方式的变形形成了多个改质部后的晶圆的纵剖面概略图。
图4是通过所述变形形成了多个改质部后的晶圆的横截面概略图。
图5是通过本发明的实施方式另一变形形成了多个改质部后的晶圆的纵剖面概略图。
图6是通过所述另一变形形成了多个改质部后的晶圆的横截面概略图。
具体实施方式
[实施方式]
以下,基于附图说明本发明一实施方式。
注意,本实施方式中的X轴、Y轴、Z轴分别是正交关系,X轴以及Y轴是规定平面内的轴,Z轴是与所述规定平面正交的轴。而且,在本实施方式中,在表示方向的情况下,“上”为Z轴的箭头方向,“下”为其相反方向“左”为X轴的箭头方向,“右”为其相反方向,“前”为Y轴的箭头方向,“后”为其相反方向。
在图1A~图1C以及图2A、图2B中,作为薄型化板状部件的薄型化晶圆的制造装置100具备:第一硬质支承体110,其向支承面111粘贴第一双面粘接片AT1的第一粘接面AT11;边界层形成单元120,其在第一表面WF1整体被粘贴于第一双面粘接片AT1的第二粘接面AT12的作为板状部件的晶圆WF的内部,形成与第一表面WF1平行的作为边界层的断裂层CR;作为第一保持单元的下工作台130;第一固定单元140,其以下工作台130隔着第一硬质支承体110位于晶圆WF的相反侧的方式,将下工作台130和第一硬质支承体110拆装自如地固定;第二硬质支承体150,其向支承面151粘贴第二双面粘接片AT2的第一粘接面AT21;作为第二保持单元的上工作台160,其从与第一表面WF1相反的一侧的第二表面WF2侧保持晶圆WF;第二固定单元170,其以上工作台160隔着第二硬质支承体150位于晶圆WF的相反侧的方式,将上工作台160和第二硬质支承体150拆装自如地固定;相对移动手单元180,其使下工作台130和上工作台160相对移动,从而以断裂层CR为边界,将晶圆WF分割为具有第一表面WF1的作为第一薄型化板状部件的第一薄型化晶圆WT1以及具有第二表面WF2的作为第二薄型化板状部件的第二薄型化晶圆WT2。
晶圆WF没有特殊限定,只要是由可通过激光照射来改质的材质构成的晶圆即可。激光优选为在隐形切割法中照射的激光。晶圆WF的材质优选例如可从由硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、SiC(碳化硅)、蓝宝石以及玻璃组成的群组中选择。晶圆WF的材质更优选为硅,进一步优选为单晶硅。另外,晶圆WF优选由具有结晶方位的材质形成。
根据本实施方式的晶圆的制造方法,能够使厚度小的板状部件(晶圆)进一步薄型化,而不是钢锭那样厚度大的处理对象物。晶圆WF的厚度优选为3mm以下。分割晶圆WF而形成的第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2的厚度中的至少一方优选为10μm以上,更优选为30μm以上。
第一硬质支承体110以及第二硬质支承体150优选为板状,其材料和形状可以考虑机械强度适当决定。作为材料,例如可列举:SUS等金属材料;玻璃、硅晶圆等非金属无机材料;聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等树脂材料;玻璃环氧树脂等复合材料等,其中尤其优选SUS、玻璃、硅晶圆等。
第一硬质支承体110以及第二硬质支承体150的厚度可以考虑机械强度、处理性等适当确定,例如优选为100μm以上50mm以下。
就第一硬质支承体110而言,如后所述,只要在通过上工作台160的旋转而对晶圆WF作用朝向离开第一双面粘接片AT1的方向的力时不发生变形即可,例如弯曲强度优选为50MPa以上。
另外,就第二硬质支承体150的硬度而言,如后所述,只要在通过上工作台160的旋转而对第二双面粘接片AT2作用朝向离开晶圆WF的方向的力时不发生变形即可,例如弯曲强度优选为50MPa以上。
边界层形成单元120具备激光照射器121。
第一固定单元140具有由减压泵、真空发生器等构成的下侧减压单元141,构成为,通过使经由配管142连接的下工作台130的内部空间减压,能够利用下工作台130的保持面131吸附保持第一硬质支承体110。
第二固定单元170具备与下侧减压单元141相同结构的上侧减压单元171,构成为,通过使经由配管172连接的上工作台160的内部空间减压,能够利用上工作台160的保持面161吸附保持第二硬质支承体150。
相对移动手单元180具备配置在下工作台130的侧方的作为驱动设备的旋转马达181。旋转马达181的输出轴182与从上工作台160的端部向下方延伸的延伸部162连接。
对以上的薄型化晶圆的制造装置100从晶圆WF制造第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2的步骤进行说明。
首先,如图1A所示,准备向支承面111粘贴了第一双面粘接片AT1的第一粘接面AT11的第一硬质支承体110,将该图中用双点划线表示的晶圆WF的第一表面WF1整体如实线所示粘贴于第二粘接面AT12。此时,以不形成气泡的方式将第一表面WF1粘贴于第二粘接面AT12。注意,第一粘接面AT11中的与第一表面WF1对应的区域整体也优选以不形成气泡的方式粘贴于第一硬质支承体110。另外,将第一双面粘接片AT1粘贴于第一硬质支承体110以及第一表面WF1的方法和顺序不做特别限定,例如,可以在将第一双面粘接片AT1粘贴于晶圆WF后,将其粘贴于第一硬质支承体110。
接着,如图1B所示,作业人员或者多关节机械臂、带式输送机等未图示的输送单元将晶圆WF以及第一硬质支承体110移动到边界层形成单元120的下方,边界层形成单元120驱动激光照射器121,未图示的相对移动机构使激光照射器121以及第一硬质支承体110沿水平方向相对地移动。激光照射器121的激光LB的焦点会聚在晶圆WF的内部,因此通过激光照射器121以及第一硬质支承体110的相对移动,如图1C所示,在晶圆WF的整个内部形成沿着X-Y平面的断裂层CR。若在晶圆WF的整个内部形成了断裂层CR,则边界层形成单元120停止对激光照射器121的驱动。
之后,如图2A所示,设为如下状态:下工作台130隔着第一硬质支承体110位于晶圆WF的相反侧,向第二硬质支承体150粘贴第二双面粘接片AT2的第一粘接面AT21,向晶圆WF的整个第二表面WF2粘贴第二双面粘接片AT2的第二粘接面AT22,上工作台160隔着第二硬质支承体150位于晶圆WF的相反侧。此时,以不形成气泡的方式将第二表面WF2粘贴于第二粘接面AT22。注意,第一粘接面AT21中的与第二表面WF2对应的区域整体也优选以不形成气泡的方式粘贴于第二硬质支承体150。
然后,第一固定单元140以及第二固定单元170分别驱动下侧减压单元141以及上侧减压单元171,利用下工作台130的保持面131吸附保持第一硬质支承体110,利用上工作台160的保持面161吸附保持第二硬质支承体150。注意,使第一硬质支承体110位于下工作台130上、或是将第二双面粘接片AT2粘贴于第二硬质支承体150以及第二表面WF2、或是使第二硬质支承体150位于上工作台160的下方的方法和顺序不做特别限定,例如,既可以在将第二双面粘接片AT2粘贴于第二硬质支承体150后将其粘贴于第二表面WF2,也可以为与之相反的粘贴顺序。
之后,如图2B所示,相对移动手单元180驱动旋转马达181,使上工作台160向顺时针旋转方向旋转,以断裂层CR为界分割晶圆WF,由此形成薄型化的第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2。
此时,由于在晶圆WF的整个第一表面WF1上粘贴有第一双面粘接片AT1的第二粘接面AT12,在第一硬质支承体110上粘接有第一粘接面AT11,因此在通过上工作台160的旋转而对晶圆WF作用朝向离开第一双面粘接片AT1的方向的力时,上工作台160在利用第一硬质支承体110抑制晶圆WF整体的挠曲的状态下旋转。因而,能够将晶圆WF无破损地分割开,能够适当地制造第一薄型化晶圆WT1。
另外,由于在晶圆WF的整个第二表面WF2上粘贴有第二双面粘接片AT2的第二粘接面AT22,在第二硬质支承体150上粘接有第一粘接面AT21,因此在通过上工作台160的旋转而对第二双面粘接片AT2作用朝向离开晶圆WF的方向的力时,上工作台160在利用第二硬质支承体150抑制晶圆WF整体的挠曲的状态下旋转。因而,能够将晶圆WF无破损地分割开,能够适当地制造第二薄型化晶圆WT2。
而且,由于利用第一硬质支承体110以及第二硬质支承体150支承第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2,因此通过保持第一硬质支承体110以及第二硬质支承体150,第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2的输送较为容易。
接着,若作业人员或者未图示的输送单元保持第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2,则第一固定单元140以及第二固定单元170分别停止对下侧减压单元141以及上侧减压单元171的驱动,将支持第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2的第一硬质支承体110以及第二硬质支承体150的吸附保持解除。
在本实施方式中,作为第一固定单元140以及第二固定单元170,应用了通过吸附保持来固定第一硬质支承体110以及第二硬质支承体150的结构,因此,例如,不需要像利用粘接剂进行固定的情况那样在解除吸附保持后将分别附着在下工作台130的保持面131以及上工作台160的保持面161上的粘接成分去除,能够抑制作业性的下降。
之后,若未图示的输送单元将第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2输送到下一工序,则各单元驱动各个驱动设备,使各部件返回到初始位置,以后重复与上述相同的动作。
根据以上的实施方式,能够适当地制造第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2。
[实施方式的变形]
以上通过所述记载公开了用于实施本发明的最佳的结构、方法等,但本发明并不限定于此。即,本发明主要是对特定实施方式特别进行了图示以及说明,但本领域技术人员不脱离本发明的技术思想以及目的的范围就能够对以上所述的实施方式在形状、材质、数量、其它详细结构方面进行各种变形。另外,上述公开的对形状、材质等进行限定的记载是为了容易理解本发明而例示地记载的内容,并不限定本发明,因此将这些形状、材质等的限定的一部分或者全部限定去除掉的部件的名称下的记载也包含于本发明。
例如,如果应用了第一硬质支承体110,则也可以不应用第二硬质支承体150,而是利用上工作台160的保持面161直接或者经由第二双面粘接片AT2吸附保持晶圆WF。
如果应用了第二硬质支承体150,则也可以不应用第一硬质支承体110,而是利用下工作台130的保持面131直接或者经由第一双面粘接片AT1吸附保持晶圆WF,该情况下,第二硬质支承体150、第二双面粘接片AT2分别相当于本发明的第一硬质支承体、第一双面粘接片。
边界层形成单元120只要向分割前的晶圆WF照射激光LB即可,例如,也可以向粘贴第一双面粘接片AT1前的晶圆WF照射激光LB。
边界层形成单元120既可以从第一双面粘接片AT1侧对粘贴了第一双面粘接片AT1的晶圆WF照射激光LB,又可以从第一双面粘接片AT1侧或者第二双面粘接片AT2侧对粘贴了第二双面粘接片AT2的晶圆WF照射激光LB,也可以从晶圆WF的外周面侧照射激光LB,还可以从第一薄型化晶圆WT1侧、第二薄型化晶圆WT2侧以及外周面侧中的两个或者全部方向照射激光LB。
在第一硬质支承体110以及第二硬质支承体150中的至少一方由透过激光LB的材料形成的情况下,边界层形成单元120也可以从由该透过激光LB的材料形成的支承体侧照射激光LB。
边界层形成单元120也可以对由下工作台130或者上工作台160吸附保持着的晶圆WF照射激光LB。
边界层形成单元120既可以采用可照射焦点为线状的激光(线状激光)或焦点为面状的激光(面状激光)的激光照射器,也可以采用多个激光照射器。
边界层形成单元120能够任意确定焦点的位置,所形成的第一薄型化晶圆WT1与第二薄型化晶圆WT2的厚度之比既可以为50比50,也可以为1比99,还可以为1000比1,能够按照所希望的薄型化晶圆的厚度确定其焦点。
边界层形成单元120也可以施加X射线、紫外线等能量线、振动、脉动等而在晶圆WF的厚度方向中间部形成断裂层CR。
边界层形成单元120除了可以形成断裂层以外,还可以形成改质层、空隙等。注意,所谓断裂层,是指以化学方式或者物理方式使晶圆WF产生了龟裂、裂纹的层,所谓改质层,是指以化学方式或者物理方式改变晶圆WF的性质、强度而进行了脆弱化或者软化的层,所谓空隙,是指什么都没有的空间,或者包含夹着实质上什么都没有的该空隙的两者接触的状态。
边界层形成单元120也可以在晶圆WF的内部局部地形成沿着X-Y平面的边界部。
边界层形成单元120也可以形成图3以及图4所示的由多个改质部RP构成的边界层,以此来代替断裂层CR。注意,在图3、图4以及后述图5、图6中,出于附图的视认性的考虑,省略了剖面线。
边界层形成单元120只要是照射可使半导体晶圆改质的激光LB的单元即可,没有特别限定。作为边界层形成单元120,例如,还能够使用隐形切割法中所采用的装置。
在形成边界层的激光照射工序中,也可以从晶圆WF的第二表面WF2侧照射激光LB。通过该激光LB的照射,沿晶圆WF的内部的分割面DP形成多个改质部RP。即,存在多个改质部RP的晶圆内部的面状区域相当于分割面DP。以改质部RP为起点,分割晶圆WF。
在晶圆WF由具有结晶方位的材质形成的情况下,分割面DP和结晶方位优选一致。如果分割面DP和结晶方位一致,则能够使通过分割晶圆WF而出现的第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2的表面(与分割面DP对应的面)更加光滑。
激光照射器121的激光照射条件被设定为能够在晶圆WF的内部形成改质部RP。作为激光照射条件,例如可列举激光输出功率、激光频率、激光照射位置以及激光波长等,但并不限定于此。
在本说明书中,改质部是使晶圆WF的性质、强度变化而进行了脆弱化或者软化的部位。在本说明书中,改质部是指包含晶圆内部的照射了激光的激光照射点、以及以该激光照射点为中心部形成在该中心部的周边的周边部的区域。晶圆内部的改质强度在激光照射点处最大。周边部的改质强度越远离激光照射点越降低。
在图3以及图4中,示出了截面为圆形的改质部RP,但本说明书中的改质部的形状和大小并不限定于图3以及图4所示的形状。
改质部RP还优选遍及整个分割面DP形成。所形成的改质部RP的个数不做特别限定。例如,还能够根据晶圆WF的材质以及激光的改质强度来设定所形成的改质部RP的个数,以便容易分割成第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2。另外,还能够考虑半导体晶圆的生产性来设定所形成的改质部RP的个数。
再如,如图3以及图4所示,多个改质部RP也可以相互重叠。
此时,优选沿分割面DP以1μm以上350μm以下的间隔照射激光LB。即,优选以被照射激光LB的点(激光照射点)彼此的间隔D为1μm以上350μm以下的方式照射激光LB。如果激光照射点的间隔D为1μm以上,则生产性提高。如果激光照射点的间隔为350μm以下,则能够抑制沿晶圆WF的厚度方向容易出现龟裂的不良情况。激光照射点的间隔D可以在全部的改质部RP都相同,也可以不同,只要在1μm以上350μm以下的范围内即可。
另外,如图5以及图6所示,多个改质部RP也可以相互分离。
此时,优选沿分割面DP以1μm以上350μm以下的间隔照射激光LB。即,优选以被照射激光LB的点(激光照射点)彼此的间隔D1为1μm以上350μm以下的方式照射激光LB。如果激光照射点的间隔D1为1μm以上,则生产性提高。如果激光照射点的间隔为350μm以下,则能够抑制沿晶圆WF的厚度方向容易出现龟裂的不良情况。激光照射点的间隔D1可以在全部的改质部RP都相同,也可以不同,只要在1μm以上350μm以下的范围内即可。
相邻的改质部RP彼此的间隔(一个改质部的端部与另一个改质部的端部的间隔)只要是能够沿晶圆WF的面方向分割开的间隔即可,不做特别限定。
在图3、图4、图5以及图6的结构中,激光照射点的间隔例如能够通过使保持第一硬质支承体110的未图示的工作台以及激光照射器32中的至少任一方的移动速度变化来调整到规定的距离。
并且,在图3、图4、图5以及图6的结构中,通过以形成了多个改质部RP的分割面DP为边界分割晶圆WF,形成第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2。
如图3以及图4所示,如果使多个改质部RP相互重叠地形成,则沿分割面DP将存在更多的改质部RP,容易分割晶圆WF。
如图5以及图6所示,如果使多个改质部RP不相互重叠地形成,则能够减少激光照射点的个数,薄型化板状部件的生产性提高。
注意,改质部的形状和大小并不限定于图3、图4、图5以及图6所示的形状。作为改质部的形状,例如可列举球状、椭圆球状、圆柱状、棱柱状、圆锥状以及棱锥状等。改质部的大小只要是能够将板状部件分割为多个薄型化板状部件的大小即可,不做特别限定。改质部优选为考虑了分割前的板状部件的厚度的大小。这是因为,若改质部沿板状部件的厚度方向过大,则有可能沿厚度方向产生龟裂。因此,改质部只要形成为能够在沿着分割面的面方向上进行分割即可。
另外,以能够将板状部件分割为两个薄型化板状部件的方式为例进行了说明,但作为其它方式,可列举将板状部件分割为三个以上的薄型化板状部件的方式。例如,在分割为三个薄型化板状部件的情况下,当在板状部件的内部设定分割面时,设定两个分割面(第一分割面以及第二分割面),沿第一分割面形成多个改质部RP,且沿第二分割面形成多个改质部RP即可。另外,作为其它方式,还可列举使用薄型化板状部件实施激光照射以及分割而形成进一步薄型化的板状部件的方式。
第一固定单元140可以为通过机械卡盘、卡盘缸等卡盘单元、库仑力、粘结剂、粘接剂、磁力、伯努利吸附、驱动设备等将第一硬质支承体110固定于下工作台130的结构,第二固定单元170也可以为相同结构。
相对移动手单元180在分割晶圆WF时既可以使下工作台130和上工作台160沿上下方向相对移动,沿晶圆WF的厚度方向使该晶圆WF分离,也可以沿与下工作台130的保持面131和上工作台160的保持面161平行的面方向直线地相对移动、或者在与保持面131、保持面161平行的面内沿圆周方向相对旋转,还可以使下工作台130以及上工作台160中的至少一方移动或旋转。
晶圆WF也可以具有电路面,该电路面既可以在第一表面WF1侧,也可以在第二表面WF2侧,还可以在这两个面侧,在后续的工序中形成电路面的情况下,也可以是分割为第一薄型化晶圆WT1以及第二薄型化晶圆WT2的分割面(形成有断裂层CR的面)。
此外,在所述实施方式以及实施方式的变形中,还能应用以下各点。
第一双面粘接片AT1、第二双面粘接片AT2以及板状部件的材质、种类、形状等不做特别限定。例如,第一双面粘接片AT1以及第二双面粘接片AT2既可以是圆形、椭圆形、三角形、四边形等多边形以及其它形状,也可以是感压粘接性以及感热粘接性等粘接方式的粘接片,在采用感热粘接性的第一双面粘接片AT1以及第二双面粘接片AT2的情况下,通过设置对该第一双面粘接片AT1以及第二双面粘接片AT2进行加热的适当的盘管加热器或热管的加热侧等的加热单元的适当方法进行粘接即可。另外,这样的第一双面粘接片AT1以及第二双面粘接片AT2可以是具有仅为粘接剂层的单层或者多层中间层的粘接片、不具有中间层的单层或者多层的粘接片。另外,作为板状部件,例如,食品、树脂容器、半导体晶圆(硅半导体晶圆以及化合物半导体晶圆等)、电路基板、信息记录基板(光盘等)、玻璃板、钢板、陶器、木板以及树脂板等,还有任意形态的部件和物品等都可以设为对象。注意,可以将第一双面粘接片AT1以及第二双面粘接片AT2改变为功能性的、用途性的读法,例如,可以将信息记载用标签、装饰用标签、保护片、划片胶带、芯片粘结膜、芯片焊接带以及记录层形成树脂片等任意形状的任意的片、膜、带等粘贴于前述的任意的板状部件。
本发明中的单元以及工序在能够实现针对这些单元以及工序所说明的动作、功能或者工序的限度内不受任何限制,更不会完全限制于所述实施方式中给出的仅一实施方式的结构物和工序。例如,第一硬质支承体只要能够向支承面粘贴第一双面粘接片的第一粘接面即可,对照申请时的技术常识,只要在其技术范围内就不做任何限定(省略对其它单元以及工序的说明)。
另外,所述实施方式中的驱动设备除了能够采用旋转马达、直动马达、线性马达、单轴机械臂、多关节机械臂等电动设备、气缸、液压缸、无杆气缸以及回转缸等促动器等以外,还能够采用将它们直接地或者间接地组合而成的设备(也有与实施方式中例示的设备重复的设备)。
附图标记说明
100 制造装置
110 第一硬质支承体
111 支承面
120 边界层形成单元
130 下工作台(第一保持单元)
140 第一固定单元
150 第二硬质支承体
160 上工作台(第二保持单元)
170 第二固定单元
180 相对移动手单元
AT1 第一双面粘接片
AT11 第一粘接面
AT12 第二粘接面
AT2 第二双面粘接片
AT21 第一粘接面
AT22 第二粘接面
CR 断裂层(边界层)
WF 晶圆(板状部件)
WF1 第一表面
WF2 第二表面
WT1 第一薄型化晶圆
WT2 第二薄型化晶圆
Claims (5)
1.一种薄型化板状部件的制造方法,其特征在于,具备:
向第一硬质支承体的支承面粘贴第一双面粘接片的第一粘接面,向板状部件的整个第一表面粘贴所述第一双面粘接片的第二粘接面的工序;
在所述板状部件的内部形成与所述第一表面平行的边界层的工序;
以第一保持单元隔着所述第一硬质支承体位于所述板状部件的相反侧的方式,将所述第一保持单元和所述第一硬质支承体拆装自如地固定的工序;
利用第二保持单元从所述板状部件的第二表面侧保持该板状部件的工序;
使所述第一保持单元和所述第二保持单元相对移动,从而以所述边界层为界,将所述板状部件分割为具有所述第一表面的第一薄型化板状部件以及具有所述第二表面的第二薄型化板状部件的工序。
2.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法,其特征在于,
利用所述第二保持单元从所述第二表面侧保持所述板状部件的工序为:向第二硬质支承体的支承面粘贴第二双面粘接片的第一粘接面,向所述板状部件的整个第二表面粘贴所述第二双面粘接片的第二粘接面,以第二保持单元隔着所述第二硬质支承体位于所述板状部件的相反侧的方式,将所述第二保持单元和所述第二硬质支承体拆装自如地固定。
3.如权利要求1或2所述的薄型化板状部件的制造方法,其特征在于,
所述板状部件是晶圆。
4.一种薄型化板状部件的制造装置,其特征在于,具备:
第一硬质支承体,其向支承面粘贴第一双面粘接片的第一粘接面;
边界层形成单元,其在第一表面整体被粘贴于所述第一双面粘接片的第二粘接面的板状部件的内部,形成与所述第一表面平行的边界层;
第一保持单元;
第一固定单元,其以所述第一保持单元隔着所述第一硬质支承体位于所述板状部件的相反侧的方式,将所述第一保持单元和所述第一硬质支承体拆装自如地固定;
第二保持单元,其从第二表面侧保持所述板状部件;
相对移动手单元,其使所述第一保持单元和所述第二保持单元相对移动,从而以所述边界层为界,将所述板状部件分割为具有所述第一表面的第一薄型化板状部件以及具有所述第二表面的第二薄型化板状部件。
5.如权利要求4所述的薄型化板状部件的制造装置,其特征在于,具备:
第二硬质支承体,其向支承面粘贴第二双面粘接片的第一粘接面;
第二固定单元,其以所述第二保持单元隔着所述第二硬质支承体位于所述板状部件的相反侧的方式,将所述第二保持单元和所述第二硬质支承体拆装自如地固定;
所述第二双面粘接片的第二粘接面形成为能够粘贴所述板状部件的整个所述第二表面的大小。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017169776 | 2017-09-04 | ||
JP2017-169776 | 2017-09-04 | ||
PCT/JP2018/030458 WO2019044530A1 (ja) | 2017-09-04 | 2018-08-17 | 薄型化板状部材の製造方法、及び製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111052316A true CN111052316A (zh) | 2020-04-21 |
Family
ID=65527307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880057314.1A Pending CN111052316A (zh) | 2017-09-04 | 2018-08-17 | 薄型化板状部件的制造方法以及制造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7231548B2 (zh) |
KR (1) | KR102565070B1 (zh) |
CN (1) | CN111052316A (zh) |
TW (1) | TWI783029B (zh) |
WO (1) | WO2019044530A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2018
- 2018-08-17 WO PCT/JP2018/030458 patent/WO2019044530A1/ja active Application Filing
- 2018-08-17 JP JP2019539358A patent/JP7231548B2/ja active Active
- 2018-08-17 CN CN201880057314.1A patent/CN111052316A/zh active Pending
- 2018-08-17 KR KR1020207005303A patent/KR102565070B1/ko active Active
- 2018-08-24 TW TW107129545A patent/TWI783029B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7231548B2 (ja) | 2023-03-01 |
KR102565070B1 (ko) | 2023-08-08 |
KR20200044001A (ko) | 2020-04-28 |
JPWO2019044530A1 (ja) | 2020-10-22 |
TW201921551A (zh) | 2019-06-01 |
WO2019044530A1 (ja) | 2019-03-07 |
TWI783029B (zh) | 2022-11-11 |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
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Application publication date: 20200421 |