CN110943177A - 发光器件及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 72
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 14
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 18
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 18
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 claims description 18
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- IRAGENYJMTVCCV-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethanamine;hydrobromide Chemical compound [Br-].[NH3+]CCC1=CC=CC=C1 IRAGENYJMTVCCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical compound NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWANGZFTSGZRPZ-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;bromide Chemical compound Br.NC=N QWANGZFTSGZRPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- NQMRYBIKMRVZLB-UHFFFAOYSA-N methylamine hydrochloride Chemical compound [Cl-].[NH3+]C NQMRYBIKMRVZLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
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Abstract
本申请提供一种发光器件及其制备方法，所述发光器件包括：层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极；其中，所述空穴传输层通过高沸点极性溶液处理，以减弱所述空穴传输层库伦相互作用力。本申请提供的发光器件，能够提高发光器件的发光效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板中发光器件及其制备方法。
背景技术
现有的发光器件中，由于空穴传输层的导电率低，限制了空穴的传输速率，从而导致电子和空穴的注入速率和传输速率不平衡，所以发光器件的发光效率大大降低。
发明内容
本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法，能够提高发光器件的发光效率。
第一方面，本申请提供了一种发光器件，包括：层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极；
其中，所述空穴传输层通过高沸点极性溶液处理，以减弱所述空穴传输层库伦相互作用力。
在本申请所提供的发光器件中，所述空穴传输层包括3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐；其中，所述空穴传输层通过高沸点极性溶液处理，以减弱所述3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐之间的库伦相互作用力。
在本申请所提供的发光器件中，所述空穴传输层朝向所述发光层的表面包括多个第一区域和多个第二区域；
其中，所述第一区域设置有3，4-乙烯二氧噻吩单体，所述第二区域设置有聚苯乙烯磺酸盐，所述第一区域的数量之和大于所述第二区域的数量之和。
在本申请所提供的发光器件中，所述第一区域的面积之和大于所述第二区域的面积之和。
在本申请所提供的发光器件中，所述高沸点极性溶液为二甲基甲酰胺溶液、丁内酯溶液或二甲基亚砜溶液。
在本申请所提供的发光器件中，所述空穴传输层的厚度介于30纳米至50纳米之间。
在本申请所提供的发光器件中，所述发光层的材料包括钙钛矿材料。
在本申请所提供的发光器件中，所述空穴传输层朝向所述发光层的表面为粗糙化结构。
在本申请所提供的发光器件中，所述粗糙化结构包括多个间隔排布的突起，其中，相邻所述突起之间的距离介于1纳米至3纳米之间。
在本申请所提供的发光器件中，所述发光层的材料包括钙钛矿材料。
第二方面，本申请提供一种发光器件的制备方法，包括：
提供一阳极；
在所述阳极上形成空穴传输层；
采用高沸点极性溶液对所述空穴传输层远离所述阳极的表面进行处理；
在所述空穴传输层远离所述阳极的表面上依次形成电子传输层以及阴极。
本申请提供一种发光器件及其制备方法，所述发光器件包括：层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极；其中，所述空穴传输层通过高沸点极性溶液处理，以减弱所述空穴传输层库伦相互作用力。本申请提供的发光器件，能够提高发光器件的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请提供的发光器件的第一种实施方式的结构示意图；
图2为图1所示的发光器件的空穴传输层朝向发光层的一面的平面示意图；
图3为本申请提供的发光器件的第二种实施方式的结构示意图；
图4为本申请提供的发光器件的制备方法的流程示意图；
图5为本申请提供的发光器件的最大亮度的测试图；
图6为本申请提供的发光器件的最大电流密度的测试图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
请参阅图1，图1为本申请提供的发光器件的第一种实施方式的结构示意图。本申请提供一种发光器件1，包括层叠设置的阳极10、空穴传输层20、发光层30、电子传输层40以及阴极50。其中，空穴传输层20通过高沸点极性溶液处理，以减弱空穴传输层20的库伦相互作用力。
进一步的，空穴传输层包括3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐。空穴传输层20通过高沸点极性溶液处理，以减弱空穴传输层20中3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐之间的库伦相互作用力。通过减弱3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐之间的库伦相互作用力，提升了空穴传输层20的导电能力，即，提高了空穴传输层20的空穴传输速率，进而提高发光器件1的发光效率。
请参阅图2，图2为图1所示的发光器件的空穴传输层朝向发光层的一面的平面示意图。空穴传输层20朝向发光层30的表面包括多个第一区域201和多个第二区域202。，第一区域201设置有3，4-乙烯二氧噻吩单体，第二区域202设置有聚苯乙烯磺酸盐，第一区域201的数量之和大于第二区域202的数量之和。在此，需要说明的是，本申请的空穴传输层20的材料包括3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐，以下称为导电聚合物。该导电聚合物由于其柔韧性以及伸展性十分优异，一般会作为空穴传输层20的主要材料。但是，聚苯乙烯磺酸盐与3，4-乙烯二氧噻吩单体之间的库伦相互作用会影响空穴传输层20的导电能力，从而降低了空穴传输层20的空穴传输速率，而空穴传输层20朝向发光层30的表面经过高沸点极性溶液处理后，该空穴传输层20朝向发光层30的表面的3，4-乙烯二氧噻吩单体比聚苯乙烯磺酸盐更加活跃，即，减弱了3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐之间的库伦相互作用力，也即，第一区域201的数量之和大于第二区域202的数量之和，因此，提高了空穴传输层20的空穴传输速率，进而提高发光器件1的发光效率。进一步的，第一区域201的面积之和大于第二区域202的面积之和。
在一些实施例中，高沸点极性溶液为二甲基甲酰胺溶液、丁内酯溶液或二甲基亚砜溶液。比如，本申请可选用二甲基亚砜溶液作为本申请的高沸点极性溶液，二甲基亚砜溶液具有高介电常数、热稳定性良好且低毒性，适合大规模的工业生产。
在一些实施例中，空穴传输层20的厚度介于30纳米至50纳米之间。
在一些实施例中，发光层30的材料包括钙钛矿材料。当然，发光层30的材料也可以为别的材料，本申请采用钙钛矿材料，可以进一步提高发光器件的发光效率。
请参阅图3，在一些实施例中，空穴传输层20朝向发光层30的表面为粗糙化结构。进一步的，该粗糙化结构包括多个间隔排布的突起21A，其中，相邻突击21A之间的距离介于1纳米至3纳米之间。比如，相邻突击21A之间的距离可以为1.84纳米。
通过高沸点极性溶液对空穴传输层20进行处理，以在空穴传输层20朝向发光层30的表面形成粗糙化结构，不仅可以减弱3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐之间的库伦相互作用力，进而提升空穴传输层20的导电能力，还可以增大空穴传输层20与发光层30的接触面积，从而提高空穴传输层20与发光层30结合能力，因此，提高了发光器件1的产品良率。
相应的，请参阅图4，图4为本申请提供的发光器件的制备方法的流程示意图。本申请还提供一种发光器件的制备方法，包括：
110、提供一阳极。
120、在阳极上形成空穴传输层。
130、采用高沸点极性溶液对空穴传输层远离阳极的表面进行处理。
140、在空穴传输层远离阳极的表面上依次形成电子传输层以及阴极。
具体的，可以提供一制备好的阳极，首先在阳极10的表面上涂敷3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐的溶液，然后采用加热的方式对该溶液进行热退火处理，以在阳极上形成空穴传输层20。接着，利用高极性沸点溶液对空穴传输层20远离阳极10的表面进行处理，以减弱3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐之间的库伦相互作用力，并在空穴传输层20远离阳极10的表面形成粗糙化结构。比如，在空穴传输层上每平方厘米滴加20微升的高沸点极性溶液，静置1分钟后，空气中退火，温度为150摄氏度，时间为20分钟。然后，制备ABX3钙钛矿溶液，其中A为甲胺(MA+)，甲脒(FA+)，铯(Cs+)或有机大分子等，B为铅(Pb2+)，锡(Sn2+)等，X为卤素氯(Cl-)，溴(Br-)，碘(I-)等。。具体的，将0.4毫摩尔苯乙胺溴盐、0.06毫摩尔甲胺氯、0.04毫摩尔甲脒氢溴酸盐以及0.6毫摩尔溴化铅溶于1毫升的二甲基亚砜溶液中，得到钙钛矿前驱液。然后，在空穴传输层上旋涂并沉积钙钛矿发光层，具体的，在空穴传输层上每平方厘米滴加10微升的钙钛矿前驱液，在第40秒时滴加300微升的氯苯，并在氮气的保护下退火1小时，退火温度为90摄氏度。最后，依次在发光层30上形成电子传输层40以及阴极50。
另外，请参阅图5以及图6，图5为本申请提供的发光器件的最大亮度的测试图，图6为本申请提供的发光器件的最大电流密度的测试图。在图5中，A线表示本申请的发光器件，B线表示一般的发光器件，纵轴表示最大亮度，横轴表示电压，可以看出，本申请的发光器件的最大亮度可以达到562坎德拉每平方米，而一般的发光器件的最大亮度只能达到306坎德拉每平方米。在图6中，A线表示本申请的发光器件，B线表示一般的发光器件，纵轴表示最大电流密度，横轴表示电压，可以看出，本申请的发光器件的最大电流密度可以达到0.66坎德拉每安培，而一般的发光器件的最大亮度只能达到0.42坎德拉每安培。
需要说明的是，在制备阳极之前，还可以对阳极的基底进行预处理，即，在提供一阳极之前，还可以包括：
(21)提供一基底。
(22)对基底的表面进行预处理，以得到阳极。
例如，具体的，阳极的材料可以是ITO导电玻璃，对该导电玻璃进行去离子水操作，然后分别用丙酮以及酒精进行超声波清洗15分钟，之后，用氮气吹干，并进行紫外光照射处理10分钟。
本申请提供一种发光器件的制备方法，包括提供一阳极，在阳极上形成空穴传输层，对空穴传输层远离阳极的表面进行处理，得到空穴传输层，在空穴传输层上依次形成电子传输层以及阴极。采用高沸点极性溶液对空穴传输层20朝向阳极30的表面进行处理，以减弱3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐之间的库伦相互作用力，因此，提高了空穴传输层20的空穴传输速率，进而提高发光器件1的发光效率。
以上对本申请实施例提供的发光器件及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种发光器件，其特征在于，包括：层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层以及阴极；其中，所述空穴传输层通过高沸点极性溶液处理，以减弱所述空穴传输层的库伦相互作用力。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层包括3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐；
其中，所述空穴传输层通过高沸点极性溶液处理，以减弱所述3，4-乙烯二氧噻吩单体和聚苯乙烯磺酸盐之间的库伦相互作用力。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层朝向所述发光层的表面包括多个第一区域和多个第二区域；
其中，所述第一区域设置有3，4-乙烯二氧噻吩单体，所述第二区域设置有聚苯乙烯磺酸盐，所述第一区域的数量之和大于所述第二区域的数量之和。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一区域的面积之和大于所述第二区域的面积之和。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述高沸点极性溶液为二甲基甲酰胺溶液、丁内酯溶液或二甲基亚砜溶液。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度介于30纳米至50纳米之间。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料包括钙钛矿材料。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层朝向所述发光层的表面为粗糙化结构。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述粗糙化结构包括多个间隔排布的突起，其中，相邻所述突起之间的距离介于1纳米至3纳米之间。
10.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一阳极；
在所述阳极上形成空穴传输层；
采用高沸点极性溶液对所述空穴传输层远离所述阳极的表面进行处理；
在所述空穴传输层远离所述阳极的表面上依次形成电子传输层以及阴极。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911166762.8A CN110943177A (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 发光器件及其制备方法 |
| PCT/CN2019/126231 WO2021103208A1 (zh) | 2019-11-25 | 2019-12-18 | 发光器件及其制备方法 |
| US16/626,540 US11374190B2 (en) | 2019-11-25 | 2019-12-18 | Light-emitting device having surface-treated hole transport layer and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911166762.8A CN110943177A (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110943177A true CN110943177A (zh) | 2020-03-31 |
Family
ID=69907991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911166762.8A Pending CN110943177A (zh) | 2019-11-25 | 2019-11-25 | 发光器件及其制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11374190B2 (zh) |
| CN (1) | CN110943177A (zh) |
| WO (1) | WO2021103208A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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