CN110857332B - 高分子树脂、高分子树脂组合物及覆铜板 - Google Patents
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Abstract
Description
技术领域
本发明涉及一种高分子树脂、高分子树脂组合物及覆铜板。
背景技术
在大数据时代,电子产品的信息处理不断向着信号传输高频化和高速数字化的方向发展。若要保证电子产品在高频信号传输的条件下同时具有良好的信号传输质量,需要柔性电路板的导电铜箔中的传输线与其所连接的电子元件之间处于阻抗匹配状态,避免造成信号反射、散射、衰减及延迟等现象。柔性电路板中与导电线路相接触的胶层的材料的介电常数及介电损耗因子是影响高频传输阻抗匹配的一重要因素。现有技术中常采用高频材料聚苯醚树脂添加到胶层中,以使得胶层具有低介电常数及低介电损耗因子。但是,聚苯醚树脂的结构太刚硬,过量添加有易脆风险,并不适于作为软板高频基板应用。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种低介电常数且适于做为软板高频基板应用的高分子树脂组合物、高分子树脂组合物及覆铜板。
一种高分子树脂,所述高分子树脂包括由式I与式II重复单元所构成的共聚合高分子;其中,式I的化学结构式为:式II的化学结构式为:X1为直碳链二元醇二甲酸酯基,X2为环碳链二元醇二甲酸酯基;Y1、Y2均包括苯酯基。
进一步地,在所述高分子树脂中,式I重复单元的摩尔分率为10%~95%。
进一步地,在所述高分子树脂中,式I重复单元中的X1与式II重复单元中的X2的摩尔比为0.11~19。
进一步地,所述高分子树脂是由至少一种带有直碳链二元醇二甲酸酯基的二酸酐单体、至少一种带有环碳链二元醇二甲酸酯基的二酸酐单体及至少一种带有苯酯基的二胺单体经由高分子共聚合高温闭环反应生成的。
一种高分子树脂组合物,其特征在于,所述高分子树脂组合物包括如上所述的高分子树脂、无机粉体及溶剂,其中,所述无机粉体与所述高分子树脂组合物之间的重量比率为0.5~20,所述溶剂与所述高分子树脂组合物之间的重量比率为60~90。
一种覆铜板,该覆铜板包括一如上所述的高分子树脂组合物及一铜箔层,该高分子树脂组合物形成在该铜箔层上。
本发明提供的高分子树脂及高分子树脂组合物具有较低的介电常数Dk,较好的耐热性及铜剥离强度,适合软性电路板制程压合应用需求。
具体实施方式
为能进一步阐述本发明达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合具体实施方式对本发明提供的高分子树脂及高分子树脂组合物的结构、特征、功效及制备方法作出如下详细说明。
本发明较佳实施方式提供一种高分子树脂组合物,所述高分子树脂组合物具有热可塑性或可溶性,可用于电路板(例如刚挠结合板、柔性电路板)的基材、胶层或覆盖膜中。
其中,所述高分子树脂组合物包括高分子树脂、无机粉体及溶剂。其中,所述无机粉体与所述高分子树脂组合物之间的重量比率为0.5~20,所述溶剂与所述高分子树脂组合物之间的重量比率为60~90。
其中,Y1和Y2可以相同,也可以不同。
其中,在所述高分子树脂中,式I重复单元的摩尔分率为10%~95%。
其中,在所述高分子树脂中,式I重复单元中的X1与式II重复单元中的X2的摩尔比为0.11~19。
其中,所述高分子树脂是由至少一种带有直碳链二元醇二甲酸酯基的二酸酐单体、至少一种带有环碳链二元醇二甲酸酯基的二酸酐单体及至少一种带有苯酯基的二胺单体经由高分子共聚合高温闭环反应生成的。
在本实施例中,所述带有环碳链二元醇二甲酸酯基的二酸酐单体的化学结构式可以选自但并不局限于
其中,所述无机粉体可选自但不局限于二氧化硅、碳酸钙、滑石粉、煅烧高岭土等。
其中,所述二氧化硅可以为熔融态、非熔融态、多孔质或中空型的二氧化硅。
优选地,所述无机粉体可选自但不局限于日铁矿业公司的纳米中空二氧化硅、太阳化学纳米中空二氧化硅、Grandex纳米中空二氧化硅。
其中,所述溶剂可选自但不局限于化学结构式为的1,3-二甲基-2-咪唑啉酮(1,3-Dimethyl-2-imidazolidinone;DMI)、化学结构式为的N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone;NMP)、化学结构式为的γ-丁内酯(γ-butyrolactone;GBL)、化学结构式为的N,N-二甲基乙酰胺(N,N-dimethylacetamide;DMAC)、化学结构式为的二甲苯(Xylene)、化学结构式为的甲苯(Toluene)或化学结构式为的环己酮(cyclohexanone)中的至少一种。
其中,由二酸酐单体及二胺单体制备所述高分子树脂的反应机制为:
本发明还涉及一种覆铜板,该覆铜板包括一如上所述的高分子树脂组合物及一铜箔层,该高分子树脂组合物形成在该铜箔层上。
其中,该覆铜板可以是双面覆铜板,也可以是单面覆铜板。该高分子树脂组合物可以直接形成在该铜箔层上,也可以间接形成在该铜箔层上,例如:该铜箔层与该高分子树脂组合物之间还形成有绝缘基材层或是绝缘基材层与胶层。
下面通过实施例及比较例来对本发明进行具体说明。
实施例1
首先将120g化学结构式为的N-甲基-2-吡咯烷酮加入反应瓶中,先加入3g无机SiO2粉体,均匀搅拌溶解后,再加入10.23g化学结构式为的4-氨基苯甲酸-4-氨基苯酯,充分搅拌溶解,再加入6.5g化学结构式为(R为包含有6-12个碳原子的碳链)的二酸酐单体,搅拌2小时,再加入13.25g化学结构式为的二酸酐单体,搅拌4小时,即可得到具有热塑性的高分子树脂组合物。将上述高分子树脂组合物经脱泡后,将其涂布在铜箔基材上,通氮气并分两阶段烘烤,第一段温度210摄氏度,升温速率1.6摄氏度/分钟,以去除残留溶剂,恒温半小时;再升温至第二段温度350摄氏度,升温速率1摄氏度/分钟,所述高分子树脂组合物于350摄氏度脱水环化,生成高分子膜。然后降温、冷却成为单面软性铜箔基板;进一步将单面软性铜箔基板热压合,成为双面软性铜箔基板。热压温度是:280摄氏度,热压力为:30千克力/毫米,热压时间为:60分钟。
实施例2
首先将120g化学结构式为的N-甲基-2-吡咯烷酮加入反应瓶中,先加入3g无机SiO2粉体,均匀搅拌溶解后,再加入10.39g化学结构式为的4-氨基苯甲酸-4-氨基苯酯,充分搅拌溶解,再加入11.36g化学结构式为(R为包含有6-12个碳原子的碳链)的二酸酐单体,搅拌2小时,再加入10.39g化学结构式为的二酸酐单体,搅拌4小时,即可得到具有热塑性的高分子树脂组合物。将上述高分子树脂组合物经脱泡后,将其涂布在铜箔基材上,通氮气并分两阶段烘烤,第一段温度210摄氏度,升温速率1.6摄氏度/分钟,以去除残留溶剂,恒温半小时;再升温至第二段温度350摄氏度,升温速率1摄氏度/分钟,所述高分子树脂组合物于350摄氏度脱水环化,生成高分子膜。然后降温、冷却成为单面软性铜箔基板;进一步将单面软性铜箔基板热压合,成为双面软性铜箔基板。热压温度是:280摄氏度,热压力为:30千克力/毫米,热压时间为:60分钟。
实施例3
首先将120g化学结构式为的N-甲基-2-吡咯烷酮加入反应瓶中,先加入3g无机SiO2粉体,均匀搅拌溶解后,再加入4.69g化学结构式为的4-氨基苯甲酸-4-氨基苯酯及7.16g化学机构式为的1,4-双(4-氨基苯甲酰氧基)苯,充分搅拌溶解,再加入5.99g化学结构式为(R为包含有6-12个碳原子的碳链)的二酸酐单体,搅拌2小时,再加入12.16g化学结构式为的二酸酐单体,搅拌4小时,即可得到具有热塑性的高分子树脂组合物。将上述高分子树脂组合物经脱泡后,将其涂布在铜箔基材上,通氮气并分两阶段烘烤,第一段温度210摄氏度,升温速率1.6摄氏度/分钟,以去除残留溶剂,恒温半小时;再升温至第二段温度350摄氏度,升温速率1摄氏度/分钟,所述高分子树脂组合物于350摄氏度脱水环化,生成高分子膜。然后降温、冷却成为单面软性铜箔基板;进一步将单面软性铜箔基板热压合,成为双面软性铜箔基板。热压温度是:280摄氏度,热压力为:30千克力/毫米,热压时间为:60分钟。
实施例4
首先将120g化学结构式为的N-甲基-2-吡咯烷酮加入反应瓶中,先加入3g无机SiO2粉体,均匀搅拌溶解后,再加入6.58g化学结构式为化学机构式为的1,4-双(4-氨基苯甲酰氧基)苯及6.76g化学结构式为化学机构式为的双-(4-氨基苯基)-1,4-酯基环己烷,充分搅拌溶解,再加入5.5g化学结构式为(R为包含有6-12个碳原子的碳链)的二酸酐单体,搅拌2小时,再加入11.16g化学结构式为的二酸酐单体,搅拌4小时,即可得到具有热塑性的高分子树脂组合物。将上述高分子树脂组合物经脱泡后,将其涂布在铜箔基材上,通氮气并分两阶段烘烤,第一段温度210摄氏度,升温速率1.6摄氏度/分钟,以去除残留溶剂,恒温半小时;再升温至第二段温度350摄氏度,升温速率1摄氏度/分钟,所述高分子树脂组合物于350摄氏度脱水环化,生成高分子膜。然后降温、冷却成为单面软性铜箔基板;进一步将单面软性铜箔基板热压合,成为双面软性铜箔基板。热压温度是:280摄氏度,热压力为:30千克力/毫米,热压时间为:60分钟。
实施例5
首先将120g化学结构式为的N-甲基-2-吡咯烷酮加入反应瓶中,先加入3g无机SiO2粉体,均匀搅拌溶解后,再加入4.66g化学结构式为的4-氨基苯甲酸-4-氨基苯酯及7.32g化学结构式为化学机构式为的双-(4-氨基苯基)-1,4-酯基环己烷,充分搅拌溶解,再加入5.95g化学结构式为(R为包含有6-12个碳原子的碳链)的二酸酐单体,搅拌2小时,再加入12.07g化学结构式为的二酸酐单体,搅拌4小时,即可得到具有热塑性的高分子树脂组合物。将上述高分子树脂组合物经脱泡后,将其涂布在铜箔基材上,通氮气并分两阶段烘烤,第一段温度210摄氏度,升温速率1.6摄氏度/分钟,以去除残留溶剂,恒温半小时;再升温至第二段温度350摄氏度,升温速率1摄氏度/分钟,所述高分子树脂组合物于350摄氏度脱水环化,生成高分子膜。然后降温、冷却成为单面软性铜箔基板;进一步将单面软性铜箔基板热压合,成为双面软性铜箔基板。热压温度是:280摄氏度,热压力为:30千克力/毫米,热压时间为:60分钟。
比较例1
将一市售的聚酰亚胺膜压合在铜箔基板上,形成单面软性铜箔基板;进一步将单面软性铜箔基板热压合,成为双面软性铜箔基板。热压温度是:280摄氏度,热压力为:30千克力/毫米,热压时间为:60分钟。
比较例2
将一市售的环氧胶系膜压合在铜箔基板上,形成单面软性铜箔基板;进一步将单面软性铜箔基板热压合,成为双面软性铜箔基板。热压温度是:280摄氏度,热压力为:30千克力/毫米,热压时间为:60分钟。
对上述实施例1~5对应形成的高分子膜1~5及比较例1~2对应形成的聚酰亚胺膜及环氧胶系膜的介电常数Dk和介电损失Df分别进行测试,并对上述五种高分子膜及一种聚酰亚胺膜及一种环氧胶系膜进行铜剥离强度测试及漂锡耐热性测试。
检测结果请参照表1的性能检测数据。其中,若漂锡耐热性测试条件大于等于300摄氏度、10秒时,胶层不产生起泡、剥离等现象,则漂锡耐热性测试结果为“通过”,表明电路板达到耐热性的要求。
表1关于上述各电路板中胶层的相关数据的测量值
由表一可以看出,相较于比较例1~2的聚酰亚胺膜及环氧胶系膜,本发明实施例1~5的高分子树脂组合物分别形成的5种高分子膜具有较低的介电常数Dk,加热并具有较好的耐热性及铜剥离强度。
本发明提供的高分子树脂组合物及高分子膜由具长碳链酯基二酸酐单体与具酯基二胺单体,经由高分子共聚合高温闭环后形成的,藉由分子设计控制所述高分子树脂组合物的玻璃转移温度Tg(设计在温度250摄氏度~350摄氏度范围),高分子融溶流动并藉由热压合可形成低介电软性铜箔基板,并具有较低的介电常数Dk,较好的耐热性及铜剥离强度,适合软性电路板制程压合应用需求。
以上所述,仅是本发明的较佳实施方式而已,并非对本发明任何形式上的限制,虽然本发明已是较佳实施方式揭露如上,并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式,但凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施方式所做的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (11)
2.如权利要求1所述的高分子树脂,其特征在于,在所述高分子树脂中,式I重复单元的摩尔分率为10%~95%。
3.如权利要求1所述的高分子树脂,其特征在于,在所述高分子树脂中,式I重复单元中的X1与式II重复单元中的X2的摩尔比为0.11~19。
6.如权利要求1所述的高分子树脂,其特征在于,所述高分子树脂是由至少一种带有直碳链二元醇二甲酸酯基的二酸酐单体、至少一种带有环碳链二元醇二甲酸酯基的二酸酐单体及至少一种带有苯酯基的二胺单体经由高分子共聚合高温闭环反应生成的。
10.一种高分子树脂组合物,其特征在于,所述高分子树脂组合物包括如权利要求1-9任一项所述的高分子树脂、无机粉体及溶剂,其中,所述无机粉体与所述高分子树脂组合物之间的重量比率为0.5~20,所述溶剂与所述高分子树脂组合物之间的重量比率为60~90。
11.一种覆铜板,该覆铜板包括一如权利要求10所述的高分子树脂组合物及一铜箔层,该高分子树脂组合物形成在该铜箔层上。
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