CN110854287A - Oled显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，OLED显示面板包括衬底、驱动电路层、第一电极、发光功能层、第二电极、保护层和封装层，驱动电路层形成在衬底一侧；第一电极形成在驱动电路层远离衬底的一侧；发光功能层形成在第一电极远离驱动电路层的一侧；第二电极形成在发光功能层远离第一电极的一侧；保护层形成在第二电极远离发光功能层的一侧，且覆盖第二电极；封装层形成在保护层远离第二电极的一侧，且覆盖保护层。通过在第二电极上形成保护层，保护层覆盖第二电极，后续在进行封装时，无机封装层的含氧前驱气体会直接与保护层接触将其氧化，而第二电极不与含氧前驱气体直接接触，因此不会被氧化，从而保护了OLED显示面板的测试可靠性。

Description

OLED显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管) 显示面板具有响应速度快、结构简单、主动发光、低功耗等优点，在智能手机、平板电脑、电视等领域有着广泛的应用。

现有的OLED显示面板在制备过程中，为降低成本，去掉了阴极层中的LiF，然而在后续进行封装时，无机封装层成膜时需要用到含氧的前驱气体，由于没有了LiF的阻挡作用，含氧的前驱气体会直接氧化OLED显示面板的阴极层，影响其电性，从而导致 OLED显示面板的可靠性测试失败。

因此，现有的OLED显示面板存在阴极层易被氧化的技术问题，需要改进。

发明内容

本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，以缓解现有的OLED显示面板中阴极层易被氧化的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种OLED显示面板，包括：

衬底；

驱动电路层，形成在所述衬底一侧；

第一电极，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；

发光功能层，形成在所述第一电极远离所述驱动电路层的一侧；

第二电极，形成在所述发光功能层远离所述第一电极的一侧；

保护层，形成在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，且覆盖所述第二电极；

封装层，形成在所述保护层远离所述第二电极的一侧，且覆盖所述保护层。

在本发明的OLED显示面板中，所述保护层材料为单质金属。

在本发明的OLED显示面板中，所述保护层材料为镁、铝、银、镓中的任意一种。

在本发明的OLED显示面板中，所述OLED显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区中设置有挡墙，所述挡墙围绕所述显示区设置，所述保护层设置在所述显示区，并延伸覆盖所述显示区与所述挡墙之间的区域。

在本发明的OLED显示面板中，所述保护层材料为无定形硅和无定形碳中的任意一种。

在本发明的OLED显示面板中，所述OLED显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区中设置有挡墙，所述挡墙围绕所述显示区设置，所述保护层设置在所述显示区、所述显示区与所述挡墙之间的区域，并延伸覆盖所述挡墙。

本发明还提供一种OLED显示面板的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧制备驱动电路层；

在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧制备第一电极；

在所述第一电极远离所述驱动电路层的一侧制备发光功能层；

在所述发光功能层远离所述第一电极的一侧制备第二电极；

在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧制备保护层，所述保护层覆盖所述第二电极；

在所述保护层远离所述第二电极的一侧制备封装层，所述封装层覆盖所述保护层。

在本发明的OLED显示面板的制备方法中，所述在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧制备保护层，所述保护层覆盖所述第二电极的步骤包括：在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，制备材料为单质金属的保护层。

在本发明的OLED显示面板的制备方法中，所述在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧制备保护层，所述保护层覆盖所述第二电极的步骤包括：在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，制备材料为无定形硅和无定形碳中的任意一种的保护层。

本发明还提供一种显示装置，包括OLED显示面板，所述OLED 显示面板包括：

衬底；

驱动电路层，形成在所述衬底一侧；

第一电极，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；

发光功能层，形成在所述第一电极远离所述驱动电路层的一侧；

第二电极，形成在所述发光功能层远离所述第一电极的一侧；

保护层，形成在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，且覆盖所述第二电极；

封装层，形成在所述保护层远离所述第二电极的一侧，且覆盖所述保护层。

本发明的有益效果为：本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，OLED显示面板包括衬底、驱动电路层、第一电极、发光功能层、第二电极、保护层和封装层，驱动电路层形成在所述衬底一侧；第一电极形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；发光功能层形成在所述第一电极远离所述驱动电路层的一侧；第二电极形成在所述发光功能层远离所述第一电极的一侧；保护层形成在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，且覆盖所述第二电极；封装层形成在所述保护层远离所述第二电极的一侧，且覆盖所述保护层。通过在第二电极上形成保护层，保护层覆盖第二电极，后续在进行封装时，无机封装层的含氧前驱气体会直接与保护层接触将其氧化，而第二电极不与含氧前驱气体直接接触，因此不会被氧化，从而保护了OLED显示面板的测试可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的OLED显示面板的第一种结构示意图；

图2为本发明实施例提供的OLED显示面板的第二种结构示意图；

图3为本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法流程示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、 [下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相近的单元是用以相同标号表示。

本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，以缓解现有的OLED显示面板中阴极层易被氧化的技术问题。

在以往的OLED显示面板制备过程中，通常在衬底上依次制备驱动电路层、阳极层、发光功能层、阴极层，然后再进行封装。其中阴极层的材料中会使用到LiF。

现有的OLED显示面板在制备过程中，为降低成本，将阴极层中的LiF去掉，保留阴极层中的其他金属成分。然而在后续进行封装时，无机封装层成膜时需要用到含氧的前驱气体，由于没有了LiF的阻挡作用，含氧的前驱气体会直接氧化OLED显示面板的阴极层，影响其电性，从而导致OLED显示面板的可靠性测试失败。

因此，现有的OLED显示面板存在阴极层易被氧化的技术问题，需要改进。

如图1所示，为本发明实施例提供的OLED显示面板的第一种结构示意图。OLED显示面板包括衬底100、驱动电路层200、第一电极300、发光功能层400、第二电极500、保护层600、封装层 700。

当OLED显示面板为刚性面板时，衬底100为刚性衬底，如玻璃、透明树脂等；当OLED显示面板为柔性面板时，衬底100为柔性衬底，如聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、多芳基化合物或玻璃纤维增强塑料等，先通过涂布的方式形成在一玻璃基板上，后续完成显示面板的制备后，再将玻璃基板剥离，剥离的方法可采用激光剥离。

驱动电路层200形成在衬底100一侧，包括多个薄膜晶体管，以底栅型薄膜晶体管为例，驱动电路层自下而上依次包括缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层(图均未示出)、源漏极层201和平坦化层202。

缓冲层形成在衬底100的一侧，缓冲层的材料可为氧化硅、氮化硅等无机材料。

有源层形成在缓冲层上，有源层的材料为金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(IGZO)，但不以此为限，还可以是铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、硼掺杂氧化锌 (BZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)中的一种或多种。此外，有源层还可以是多晶硅材料或其它材料。

栅极绝缘层形成在有源层上，栅极绝缘层的材料可为氧化硅、氮化硅等无机材料。

栅极层形成在栅极绝缘层上，栅极层的材料可为钼、铝、铜，但不以此为限，还可以是铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料，在此不对其材料做特殊限定。栅极层经过蚀刻工艺图案化形成栅极。

层间介质层形成在栅极层上，层间介质层材料可为氧化硅或氮化硅等无机材料。

源漏极层201形成在层间介质层上，源漏极层的材料可为钼、铝、铜，但不以此为限，还可以是铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料，经蚀刻工艺图案化形成源极和漏极，源极和漏极通过第一过孔与有源层连接。

平坦化层202形成在源漏极层201上，平坦化层202的材料可以是光刻胶，通过涂布的方式形成在源漏极层201上。

对上述驱动电路层中各膜层结构的说明以底栅型薄膜晶体管为例，当然，驱动电路层的结构不以此为限，还可以包括顶栅型薄膜晶体管。

第一电极300形成在驱动电路层200远离衬底200的一侧，通过贯穿平坦化层202的第二过孔与薄膜晶体管的漏极连接。本发明的OLED显示面板为顶发射结构，第一电极300为阳极。第一电极300的材料可以是金属或金属氧化物，如ITO(氧化铟锡)、 IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、IGO(氧化铟镓)、In₂O₃(氧化铟)、 AZO(铝参杂氧化锌)以及石墨烯中的至少一种，均选择高功函数材质。

发光功能层400形成在第一电极300远离驱动电路层200的一侧，包括像素定义层401、发光单元402和共通层403。

OLED显示面板包括显示区10和非显示区20，非显示区30围绕显示区10设置，在显示区10和非显示区20内均设置有第一电极300和发光功能层400。

在显示区10内，第一电极300包括多个开口区，像素定义层 401形成在第一电极300的开口区内，定义出多个子像素区域，在子像素区域中形成有发光单元402。发光单元402包括空穴注入层、空穴传输层和发光材料层，共通层403包括电子传输层和电子注入层。在形成发光单元402时，需要使用精细掩膜板，仅在子像素区域内形成发光单元402,而形成共通层403时，可直接一次性在子像素区域和像素定义层401上形成，因此不需使用精细掩膜板，节省了工序和成本。但也可以不设置共通层403，此时发光单元402包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。本发明对发光功能层400的结构不做限定，本领域的工作人员可根据需要设计发光功能层400的结构。

第二电极500形成在发光功能层400远离第一电极300的一侧。第二电极500的材料为金属合金，如镁铝合金、镁银合金、以及钙铝合金等，采用蒸镀或溅射等方式形成。本实施例中OLED 显示面板为顶发射结构，第二电极500为阴极。

保护层600形成在第二电极500远离发光功能层400的一侧，且覆盖第二电极400。在本实施例中，保护层600的材料为单质金属，可以是镁、铝、银、镓中的任意一种，也可以是其他活泼的金属单质，保护层600采用蒸镀或溅射的方法形成，在用蒸镀法时只开启一个金属蒸发源，用溅射法时采用单质金属靶材即可。

在非显示区20内，也形成有像素定义层401，一部分像素定义层401对应平坦化层202设置，另一部分对应平坦化层202中的第二过孔设置，两部分像素定义层401和对应的平坦化层202 共同构成了挡墙800，挡墙800围绕显示区10设置。在后续进行封装时，挡墙800用于限制有机封装层在指定区域流平。

在本实施例中，保护层600采用蒸镀或溅射的方式形成，因此形成的厚度较小，保护层600设置在显示区10、并延伸覆盖显示区10与挡墙800之间的区域，其中在显示区10与挡墙800之间的区域内，可以完全覆盖该区域，也可部分覆盖该区域。

封装层700形成在保护层600远离第二电极500的一侧，且覆盖保护层600。封装层700包括层叠设置的第一无机封装层701、有机封装层702和第二无机封装层703。

第一无机封装层701的制备可采用等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法或物理气相沉积法等方法，材料不仅限于 SiN_x、SiO_xN_y、SiO_x,、SiC_xN_y、ZnO、AlO_x等。第一无机封装层701 覆盖显示区10、显示区10与挡墙800之间的区域、以及挡墙800。

有机封装层702的制备可采用喷墨打印法或自动点胶法等，材料不仅限于丙烯酸脂、环氧树脂、聚酰亚胺类、有机硅类等。有机封装层702对应显示区11、以及显示区11与挡墙800之间的区域设置，且不超过挡墙800。由于有机封装层702对水氧比较敏感，因此有机封装层702设置的区域比其他封装层的区域小。

第二无机封装层703的制备可采用等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法或物理气相沉积法等方法，材料不仅限于 SiN_x、SiO_xN_y、SiO_x,、SiC_xN_y、ZnO、AlO_x等。第二无机封装层703 覆盖显示区10、显示区10与挡墙800之间的区域、以及挡墙800。

在形成第一无机封装层701时，需要用到含氧的前驱气体如N₂O等，本发明通过设置单质金属材质的保护层600，当含氧前驱气体与之接触时会直接将保护层600氧化成金属氧化物，而金属氧化物多为致密结构，这样保护层600就起到了钝化层的作用，保护了下面的第二电极500不被氧化，从而保证了阴极层的电性，提高了OLED显示面板的测试可靠性。

如图2所示，为本发明实施例提供的OLED显示面板的第二种结构示意图。OLED显示面板包括衬底100、驱动电路层200、第一电极300、发光功能层400、第二电极500、保护层600、封装层 700。

与图1中结构不同之处在于，本实施例中保护层600的材料为无定形硅(α-Si，amorphous silicon)和无定形碳(α-C， amorphous carbon)中的任意一种。

保护层600覆盖显示区10、显示区10与挡墙800之间的区域，并延伸覆盖挡墙800。本实施例中保护层采用等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法或物理气相沉积法等方法形成，即与第一无机封装层701采用同样的工艺形成，形成的保护层600厚度较大，一直延伸覆盖挡墙800，且将挡墙800完全覆盖。

在形成第一无机封装层701时，需要用到含氧的前驱气体如N₂O等，本发明通过设置材料为无定形硅或无定形碳的保护层 600，当含氧前驱气体与之接触时会直接将保护层600氧化，这样保护层600就起到了钝化层的作用，保护了下面的第二电极500 不被氧化，从而保证了阴极层的电性，提高了OLED显示面板的测试可靠性。

如图3所示，本发明还提供一种OLED显示面板的制备方法，具体步骤包括：

S1：提供衬底；

S2：在衬底一侧制备驱动电路层；

S3：在驱动电路层远离衬底的一侧制备第一电极；

S4：在第一电极远离驱动电路层的一侧制备发光功能层；

S5：在发光功能层远离第一电极的一侧制备第二电极；

S6：在第二电极远离发光功能层的一侧制备保护层，保护层覆盖第二电极；

S7：在保护层远离第二电极的一侧制备封装层，封装层覆盖保护层。

下面结合图1和图2对该方法进行具体说明。

在S1中，提供衬底100。当OLED显示面板为刚性面板时，衬底100为刚性衬底，如玻璃、透明树脂等；当OLED显示面板为柔性面板时，衬底100为柔性衬底，如聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、多芳基化合物或玻璃纤维增强塑料等，先通过涂布的方式形成在一玻璃基板上，后续完成显示面板的制备后，再将玻璃基板剥离，剥离的方法可采用激光剥离。

在S2中，在衬底一侧制备驱动电路层200。驱动电路层200 包括多个薄膜晶体管，以底栅型薄膜晶体管为例，驱动电路层自下而上依次包括缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层(图均未示出)、源漏极层201和平坦化层202。

缓冲层的材料可为氧化硅、氮化硅等绝缘材料，在此不对其材料做特殊限定。缓冲层可以通过化学气相沉积的方式形成。

有源层的材料为金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(IGZO)，但不以此为限，还可以是铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、硼掺杂氧化锌(BZO)、镁掺杂氧化锌 (MZO)中的一种或多种。此外，有源层还可以是多晶硅材料或其它材料。有源层可通过化学气相沉积、物理气相沉积或其它工艺形成。

栅极绝缘层的材料可为氧化硅、氮化硅等绝缘材料，在此不对其材料做特殊限定，栅极绝缘层采用化学气相沉积或其它工艺整面形成在有源层上。

栅极层的材料可为钼、铝、铜，但不以此为限，还可以是铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料，在此不对其材料做特殊限定。栅极层可通过物理气相沉积或其它工艺形成在在栅绝缘层上，经过蚀刻工艺图案化形成栅极。

层间介质层形成在栅极上，材料可为氧化硅或氮化硅等绝缘材料，通过化学气相沉积或其它工艺形成。

源漏极层201形成在层间介质层上，材料可为钼、铝、铜，但不以此为限，还可以是铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料，通过物理气相沉积或其他工艺形成在层间介质层上，经蚀刻工艺图案化形成源极和漏极，源极和漏极通过第一过孔与有源层连接。

平坦化层202的材料为光刻胶，通过涂布的方式形成在源漏极层201上，刻蚀平坦化层202形成第二过孔。

在S3中，在驱动电路层200远离衬底100的一侧制备第一电极300。第一电极300形成在驱动电路层200上，通过平坦化层 202中的第二过孔与薄膜晶体管的漏极连接。第一电极300可通过蒸镀或溅射的方式形成。

本发明的OLED显示面板为顶发射结构，第一电极300为阳极。第一电极300的材料可以是金属或金属氧化物，如ITO(氧化铟锡)、 IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、IGO(氧化铟镓)、In2O3(氧化铟)、 AZO(铝参杂氧化锌)以及石墨烯中的至少一种，均选择高功函数材质。

在S4中，在第一电极300远离驱动电路层200的一侧制备发光功能层400。发光功能层400包括像素定义层401、发光单元402 和共通层403。

在显示区10内，第一电极300包括多个开口区，像素定义层 401形成在第一电极300的开口区内，定义出多个子像素区域，在子像素区域中形成有发光单元402。发光单元402包括空穴注入层、空穴传输层和发光材料层，共通层403包括电子传输层和电子注入层。在形成发光单元402时，需要使用精细掩膜板，仅在子像素区域内形成发光单元402,而形成共通层403时，可直接一次性在子像素区域和像素定义层401上形成，因此不需使用精细掩膜板，节省了工序和成本。但也可以不设置共通层403，此时发光单元402包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。本发明对发光功能层400的结构不做限定，本领域的工作人员可根据需要设计发光功能层400的结构。

在S5中，在发光功能层400远离第一电极300的一侧制备第二电极500。第二电极500形成在发光功能层400远离第一电极 300的一侧。第二电极500的材料为金属合金，如镁铝合金、镁银合金、以及钙铝合金等，采用蒸镀或溅射等方式形成。本实施例中OLED显示面板为顶发射结构，第二电极500为阴极。

在S6中，在第二电极500远离发光功能层400的一侧制备保护层600，保护层600覆盖第二电极500。

在一种实施例中，保护层600的材料为单质金属，可以是镁、铝、银、镓中的任意一种，也可以是其他活泼的金属单质，保护层600采用蒸镀或溅射的方法形成，在用蒸镀法时只开启一个金属蒸发源，用溅射法时采用单质金属靶材即可。

在非显示区20内，也形成有像素定义层401，一部分像素定义层401对应平坦化层202设置，另一部分对应平坦化层202中的第二过孔设置，两部分像素定义层401和对应的平坦化层202 共同构成了挡墙800，挡墙800围绕显示区10设置。在后续进行封装时，挡墙800用于限制有机封装层在指定区域流平。

在本实施例中，保护层600采用蒸镀或溅射的方式形成，因此形成的厚度较小，保护层600设置在显示区10、并延伸覆盖显示区10与挡墙800之间的区域。其中在显示区10与挡墙800之间的区域内，可以完全覆盖该区域，也可部分覆盖该区域。

在一种实施例中，保护层600的材料为无定形硅(α-Si， amorphous silicon)和无定形碳(α-C，amorphous carbon)中的任意一种。保护层600覆盖显示区10、显示区10与挡墙800之间的区域，并延伸覆盖挡墙800。本实施例中保护层采用等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法或物理气相沉积法等方法形成，形成的保护层600厚度较大，一直延伸覆盖至挡墙800，且将挡墙800完全覆盖。

在S7中，在保护层600远离第二电极500的一侧制备封装层 700，封装层700覆盖保护层600。在保护层600形成后，需要进行封装工艺，封装层700形成在保护层600上，包括层叠设置的第一无机封装层701、有机封装层702和第二无机封装层703。

第一无机封装层701的制备可采用等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法或物理气相沉积法等方法，材料不仅限于 SiN_x、SiO_xN_y、SiO_x,、SiC_xN_y、ZnO、AlO_x等。第一无机封装层701 覆盖显示区10、显示区10与挡墙800之间的区域、以及挡墙800。

有机封装层702的制备可采用喷墨打印法或自动点胶法等，材料不仅限于丙烯酸脂、环氧树脂、聚酰亚胺类、有机硅类等。有机封装层702对应显示区11、以及显示区11与挡墙之间的区域设置，且不超过挡墙800。由于有机封装层702对水氧比较敏感，因此有机封装层702设置的区域比其他封装层的区域小。

第二无机封装层703的制备可采用等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法或物理气相沉积法等方法，材料不仅限于 SiN_x、SiO_xN_y、SiO_x,、SiC_xN_y、ZnO、AlO_x等。第二无机封装层703 覆盖显示区10、显示区10与挡墙800之间的区域、以及挡墙800。

在形成第一无机封装层701时，需要用到含氧的前驱气体如N₂O等，本发明通过设置保护层600，当含氧前驱气体与之接触时会直接将保护层600氧化，这样保护层600就起到了钝化层的作用，保护了下面的第二电极500不被氧化，从而保证了阴极层的电性，提高了OLED显示面板的测试可靠性。

本发明还提供一种显示装置，包括OLED显示面板，所述OLED 显示面板包括：

衬底；

驱动电路层，形成在所述衬底一侧；

第一电极，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；

发光功能层，形成在所述第一电极远离所述驱动电路层的一侧；

第二电极，形成在所述发光功能层远离所述第一电极的一侧；

保护层，形成在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，且覆盖所述第二电极；

封装层，形成在所述保护层远离所述第二电极的一侧，且覆盖所述保护层。

在一种实施例中，所述保护层材料为单质金属。

在一种实施例中，所述保护层材料为镁、铝、银、镓中的任意一种。

在一种实施例中，所述OLED显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区中设置有挡墙，所述挡墙围绕所述显示区设置，所述保护层设置在所述显示区，并延伸覆盖所述显示区与所述挡墙之间的区域。

在一种实施例中，所述保护层材料为无定形硅和无定形碳中的任意一种。

在一种实施例中，所述OLED显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区中设置有挡墙，所述挡墙围绕所述显示区设置，所述保护层设置在所述显示区、所述显示区与所述挡墙之间的区域，并延伸覆盖所述挡墙。

根据上述实施例可知：

本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法、显示装置，OLED 显示面板包括衬底、驱动电路层、第一电极、发光功能层、第二电极、保护层和封装层，驱动电路层形成在衬底一侧；第一电极形成在驱动电路层远离衬底的一侧；发光功能层形成在第一电极远离驱动电路层的一侧；第二电极形成在发光功能层远离第一电极的一侧；保护层形成在第二电极远离发光功能层的一侧，且覆盖第二电极，封装层形成在保护层远离第二电极的一侧，且覆盖保护层。通过在第二电极上形成保护层，保护层覆盖第二电极，后续在进行封装时，无机封装层的含氧前驱气体会直接与保护层接触将其氧化，而第二电极不与含氧前驱气体直接接触，因此不会被氧化，从而保护了OLED显示面板的测试可靠性。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

衬底；

驱动电路层，形成在所述衬底一侧；

第一电极，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；

发光功能层，形成在所述第一电极远离所述驱动电路层的一侧；

第二电极，形成在所述发光功能层远离所述第一电极的一侧；

保护层，形成在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，且覆盖所述第二电极；

封装层，形成在所述保护层远离所述第二电极的一侧，且覆盖所述保护层。

2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述保护层材料为单质金属。

3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述保护层材料为镁、铝、银、镓中的任意一种。

4.如权利要求3所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区中设置有挡墙，所述挡墙围绕所述显示区设置，所述保护层设置在所述显示区，并延伸覆盖所述显示区与所述挡墙之间的区域。

5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述保护层材料为无定形硅和无定形碳中的任意一种。

6.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区中设置有挡墙，所述挡墙围绕所述显示区设置，所述保护层设置在所述显示区、所述显示区与所述挡墙之间的区域，并延伸覆盖所述挡墙。

7.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧制备驱动电路层；

在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧制备第一电极；

在所述第一电极远离所述驱动电路层的一侧制备发光功能层；

在所述发光功能层远离所述第一电极的一侧制备第二电极；

在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧制备保护层，所述保护层覆盖所述第二电极；

在所述保护层远离所述第二电极的一侧制备封装层，所述封装层覆盖所述保护层。

8.如权利要求7所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧制备保护层，所述保护层覆盖所述第二电极的步骤包括：在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，制备材料为单质金属的保护层。

9.如权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧制备保护层，所述保护层覆盖所述第二电极的步骤包括：在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，制备材料为无定形硅和无定形碳中的任意一种的保护层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括OLED显示面板，所述OLED显示面板包括：

衬底；

驱动电路层，形成在所述衬底一侧；

第一电极，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧；

发光功能层，形成在所述第一电极远离所述驱动电路层的一侧；

第二电极，形成在所述发光功能层远离所述第一电极的一侧；

保护层，形成在所述第二电极远离所述发光功能层的一侧，且覆盖所述第二电极；

封装层，形成在所述保护层远离所述第二电极的一侧，且覆盖所述保护层。

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