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CN110706647A - 显示装置 - Google Patents

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CN110706647A
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边敏雨
金阳完
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本发明公开一种显示装置。具有改善的发光均匀性的显示装置包括像素。该像素包括：驱动薄膜晶体管(TFT)；存储电容器；驱动半导体层；第一电极层；第二电极层；像素电极；限定发光区域的像素限定层；以及介于第一电极层与像素电极之间并且包括延伸部分的导电层，延伸部分在平面图中与发光区域至少部分地重叠，以经过发光区域的中心部分。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年7月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0079571号的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的一个或多个实施例涉及显示装置，并且更具体地，涉及具有改善的发光均匀性的显示装置。
背景技术
通常，显示装置包括显示器件以及用于控制施加到显示器件的电信号的各种电路元件。这样的电路元件的示例包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器以及多个布线。
为了精确地控制显示器件的发光和发光程度，已经增加了电连接到显示器件的TFT的数量以及用于将电信号传输到TFT的布线的数量。
发明内容
在根据相关技术的小尺寸或具有高分辨率的显示装置中，包含在显示装置中的薄膜晶体管(TFT)的元件和/或布线之间的间隔减小，并且因此，出现了由于增加的驱动TFT的寄生电容而导致的劣化的发光均匀性的问题。
为了解决包括上述问题的各种问题，本公开的一个或多个实施例包括具有改善的发光均匀性的显示装置。然而，本文中公开的实施例仅仅是示例，并且本公开的范围并不限于此。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中明白，或者可以通过所提供的实施例的实践来领会。
根据一个或多个实施例，显示装置包括像素，像素包括驱动薄膜晶体管(TFT)和存储电容器，驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层和第一电极层，驱动半导体层包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区，第一电极层在平面图中与驱动沟道区至少部分地重叠，其中像素进一步包括：位于第一电极层上并且在平面图中与第一电极层重叠的第二电极层；位于第二电极层上的像素电极；位于像素电极上并且具有开口的像素限定层，开口暴露像素电极的上表面的至少一部分并且限定发光区域；以及位于第一电极层与像素电极之间并且包括延伸部分的导电层，延伸部分与发光区域至少部分地重叠，以经过发光区域的中心部分。
在平面图中，发光区域可以具有与延伸部分重叠的重叠区域、位于重叠区域的一侧的第一区域以及位于重叠区域的另一侧的第二区域，其中第一区域的面积可以等于第二区域的面积。
第一区域和第二区域可以相对于重叠区域彼此对称。
延伸部分可以与发光区域完全重叠。
驱动电压可以被施加到导电层。
像素可以进一步包括位于导电层下方和第二电极层上方的下驱动电压线，并且下驱动电压线供给驱动电压。
像素可以进一步包括位于下驱动电压线与导电层之间的绝缘层，其中下驱动电压线和导电层可以通过限定在绝缘层中的接触孔彼此电连接。
像素可以进一步包括位于导电层与第二电极层之间并且具有连接到第一电极层的第一侧的节点连接线。
在平面图中，节点连接线可以与发光区域重叠，并且延伸部分可以覆盖节点连接线和发光区域彼此重叠的区域。
延伸部分可以完全覆盖节点连接线。
第一电极层可以具有岛状。
像素可以进一步包括：连接到扫描线和数据线的开关TFT；以及被配置为响应于扫描线的扫描信号而被导通并且二极管连接驱动TFT的补偿TFT，其中节点连接线的第二侧可以连接到补偿TFT。
像素可以进一步包括补偿TFT，补偿TFT可以包括：包括补偿沟道区、补偿源区和补偿漏区的补偿半导体层；以及与补偿沟道区重叠的补偿栅电极，其中补偿源区和补偿漏区中的一个可以电连接到驱动源区和驱动漏区中的一个。
导电层可以与补偿栅电极的至少一部分重叠。
导电层可以进一步包括沿第一方向延伸并且被施加有驱动电压的布线部分，其中布线部分可以与发光区域不重叠。
延伸部分可以沿与第一方向交叉的第二方向延伸。
布线部分和延伸部分可以一体地形成。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：发射第一颜色的光并且包括第一像素电极的第一像素，发射第二颜色的光并且包括第二像素电极的第二像素，以及发射第三颜色的光并且包括第三像素电极的第三像素，其中第一像素至第三像素中的每个包括驱动薄膜晶体管(TFT)和存储电容器；具有第一开口、第二开口和第三开口的像素限定层，第一开口暴露第一像素电极的上表面的至少一部分并且限定第一发光区域，第二开口暴露第二像素电极的上表面的至少一部分并且限定第二发光区域，第三开口暴露第三像素电极的上表面的至少一部分并且限定第三发光区域；位于第一像素电极下方并且包括第一布线部分和第一延伸部分的第一导电层，其中第一布线部分沿第一方向延伸，并且第一延伸部分从第一布线部分沿与第一方向交叉的第二方向延伸，并且在平面图中与第一发光区域至少部分地重叠，以经过第一发光区域的中心部分；以及位于第二像素电极下方并且包括第二布线部分和第二延伸部分的第二导电层，其中第二布线部分与第一布线部分隔开第一距离并且沿第一方向延伸，并且第二延伸部分从第二布线部分沿第二方向延伸，其中第一延伸部分将第一布线部分连接到第二布线部分。
第一像素、第二像素和第三像素可以以蜂窝状(PenTile)的形式被布置。
显示装置可以进一步包括：位于第三像素电极下方并且包括第三布线部分和第三延伸部分的第三导电层，其中第三布线部分与第二布线部分隔开第二距离并且沿第一方向延伸，并且第三延伸部分从第三布线部分沿第二方向延伸，并且在平面图中与第三发光区域至少部分地重叠，以经过第三发光区域的中心部分，其中第二延伸部分可以将第二布线部分连接到第三布线部分。
第二延伸部分可以与第二发光区域不重叠。
供给到第一像素、第二像素和第三像素的驱动电压可以被施加到第一导电层、第二导电层和第三导电层，并且其中第一布线部分、第二布线部分和第三布线部分可以分别与第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域不重叠。
根据一个或多个实施例，显示装置包括：多个驱动薄膜晶体管(TFT)，多个驱动薄膜晶体管中的每个包括驱动半导体层和第一电极层，其中驱动半导体层包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区，并且第一电极层在平面图中与驱动沟道区部分地重叠；位于第一电极层上的多个存储电容器，存储电容器中的每个包括在平面图中与第一电极层重叠的第二电极层；位于第二电极层上的多个像素电极；位于多个像素电极上并且具有多个开口的像素限定层，多个开口暴露多个像素电极的上表面的至少部分并且限定多个发光区域；以及位于第二电极层与多个像素电极之间的多个布线层，多个布线层沿第一方向延伸并且避免在平面图中与多个发光区域重叠。
驱动电压可以被施加到多个布线层。
显示装置可以进一步包括：与多个布线层位于同一层上的多个网格连接层，其中多个网格连接层沿与第一方向交叉的第二方向延伸并且将多个布线层彼此连接，其中多个网格连接层的至少部分网格连接层与多个发光区域的至少部分发光区域重叠，并且经过多个发光区域的中心部分。
在平面图中，多个发光区域的至少部分发光区域可以具有与多个网格连接层的至少部分网格连接层重叠的重叠区域、位于重叠区域的一侧的第一区域以及位于重叠区域的另一侧的第二区域，其中第一区域和第二区域可以相对于重叠区域彼此对称。
多个网格连接层的至少部分网格连接层可以与多个发光区域的至少部分发光区域完全重叠。
显示装置可以进一步包括：位于第二电极层上的多个节点连接线，节点连接线中的每个节点连接线的第一侧电连接到第一电极层，其中多个节点连接线的至少部分节点连接线可以与多个发光区域的至少部分发光区域重叠。
在平面图中，多个网格连接层与多个节点连接线重叠并覆盖多个节点连接线。
多个布线层和多个网格连接层可以一体地形成并且具有网格结构。
通过参考以下附图、权利要求和实施例的具体实施方式，可以更容易地理解除了前述描述之外的方面、特征和优点。
附图说明
根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显以及更易于理解，其中：
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是提供在图1的显示装置中的多个像素中的一个像素的等效电路图；
图3是示意性地图示图2的像素中的多个薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和像素电极的位置的布局图；
图4是图3中的层当中的一个层的平面图；
图5是图3中的层当中的另一个层的平面图；
图6是图3中的层当中的另一个层的平面图；
图7是图3中的层当中的另一个层的平面图；
图8是图3中的层当中的另一个层的平面图；
图9是图3中的层当中的另一个层的平面图；
图10是沿图3的线A-A和B-B截取的截面图；
图11是图示图7至图10的部件中的仅仅一些部件的平面图；
图12和图13图示了从图11的实施例修改的实施例；并且
图14至图21图示了从图11的实施例修改的其他实施例。
具体实施方式
由于本公开考虑到各种改变和大量实施例，因此，本公开的具体实施例将在附图中图示并且在书面描述中具体描述。本公开的效果和特征及其实现方法可以通过参考下面示例性实施例的具体描述和附图更容易得到理解。然而，本公开可以以许多不同的形式体现，并且不应被解释为局限于本文所阐述的示例性实施例。
现在将具体参考实施例，这些实施例的示例被图示在附图中，其中除非另有明确说明，否则在整个附图中相同或相对应的部件被赋予相同的附图标记，并且冗余的说明被省略。
在整个说明书中，如“第一”、“第二”等术语可以不用于限制的目的，而是可以用于将一个部件与另一个部件区分开。
在整个说明书中，单数形式可以包括复数形式，除非存在与其相反的具体描述。
在整个说明书中，将进一步理解，术语“包括”、“包含”和/或“具有”当在说明书中使用时指定存在所陈述的特征和/或部件，但不排除一个或多个其他特征和/或部件的存在或附加。
将理解，当膜、区域或元件被称为在另一部分“上”时，其可以直接地或间接地在另一部分上。也就是说，例如，可以存在中间膜、区域或元件。
在附图中，为了清晰起见，夸大了层和区域的厚度。例如，为了便于描述，附图中的元件的厚度和尺寸是任意示出的，因此，本公开的精神和范围不必由附图限定。
另外，还应注意，在一些可替代的实施方式中，本文描述的所有方法的步骤可以以不同的顺序发生。例如，连续图示的两个步骤实际上可以基本同时执行，或者这两个步骤有时可以以相反的顺序执行。
在整个说明书中，还将理解，当层、区域或元件等被称为“连接到”或“耦接于”另一层、区域或元件时，其可以直接连接到或耦接于另一层、区域或元件，或者其可以通过使一个或多个中间层、区域或元件介于其与另一层、区域或元件之间，而间接连接到或耦接于另一层、区域或元件。例如，在整个说明书中，当层、区域或元件等被称为“电连接到”或“电耦接于”另一层、区域或元件时，其可以以直接的方式电连接到或电耦接于另一层、区域或元件，或者其可以通过使一个或多个中间层、区域或元件介于其与另一层、区域或元件之间，而以间接的方式电连接到或电耦接于另一层、区域或元件。
如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。诸如“中的至少一个”的表述在位于一列元件之后时，可以修饰整列元件，并且可以不修饰该列中的单独元件。
显示装置是用于显示图像的装置，并且可以是液晶显示装置、电泳显示装置、有机发光显示装置、无机发光显示装置、场发射显示装置、表面传导电子发射显示装置、等离子体显示装置、阴极射线显示装置等。
在下文中，作为根据实施例的显示装置，有机发光显示装置将作为示例被描述。然而，本公开的显示装置并不限于此，并且可以是各种类型的显示装置中的一种，而不脱离本公开的范围。
图1是根据实施例的显示装置的平面图。
参考图1，显示装置包括基板110。基板110具有显示区域DA以及位于显示区域DA外部的外围区域PA。
包括诸如有机发光二极管(OLED)的各种显示器件或元件的多个像素PX可以被布置在基板110的显示区域DA中。用于将电信号传输到显示区域DA的各种布线可以被放置在基板110的外围区域PA中。在下文中，为便于说明，描述了包括OLED作为显示器件或元件的显示装置。然而，本公开并不限于此。
图2是提供在图1的显示装置中的像素PX中的一个像素的等效电路图。
参考图2，像素PX中的一个像素可以包括：多条信号线121、122、123和171，连接到信号线的多个薄膜晶体管(TFT)T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7，存储电容器Cst，初始化电压线124，驱动电压线172以及OLED。
图2图示了为每个像素PX提供了信号线121、122、123和171以及驱动电压线172的示例，但是本公开并不限于此。在另一实施例中，信号线121、122、123和171中的至少一条和/或驱动电压线172可以在相邻像素之间共享。
TFT T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线121、122、123和171可以包括用于传输扫描信号Sn的扫描线121、用于将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7的前一扫描线122、用于将发射控制信号En传输到操作控制TFT T5和发射控制TFT T6的发射控制线123以及用于传输数据信号Dm的数据线171，数据线171与扫描线121交叉。驱动电压线172传输驱动电压ELVDD并且被形成为与数据线171基本平行，并且初始化电压线124传输初始化电压Vint，以初始化驱动TFT T1。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一存储电容器极板Cst1。驱动TFT T1的驱动源电极S1通过操作控制TFT T5连接到作为下驱动电压线的驱动电压线172。驱动TFT T1的驱动漏电极D1通过发射控制TFT T6电连接到OLED的像素电极。根据开关TFT T2的开关操作，驱动TFT T1接收数据信号Dm并将驱动电流IOLED供给到OLED。
开关TFT T2的开关栅电极G2连接到扫描线121。开关TFT T2的开关源电极S2连接到数据线171。开关TFT T2的开关漏电极D2连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1，并且通过操作控制TFT T5连接到驱动电压线172。开关TFT T2响应于通过扫描线121接收的扫描信号Sn而被导通，并执行将通过数据线171接收的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3连接到扫描线121。补偿TFT T3的补偿源电极S3连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1，并通过发射控制TFT T6连接到OLED的像素电极。补偿TFTT3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一存储电容器极板Cst1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFT T3响应于通过扫描线121接收的扫描信号Sn而被导通，并且电连接驱动TFT T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1，从而使驱动TFT T1二极管连接。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线122。第一初始化TFTT4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线124。第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一存储电容器极板Cst1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。第一初始化TFT T4响应于通过前一扫描线122接收的前一扫描信号Sn-1而被导通，并且通过将初始化电压Vint传输到驱动TFT T1的驱动栅电极G1来执行初始化操作，以初始化驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压。
操作控制TFT T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线123。操作控制TFT T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线172。操作控制TFT T5的操作控制漏电极D5连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线123。发射控制TFT T6的发射控制源电极S6连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3。发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和OLED的像素电极。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6响应于通过发射控制线123接收的发射控制信号En而同时被导通，并且因此驱动电压ELVDD被传输到OLED，并且驱动电流IOLED流过OLED。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线122。第二初始化TFTT7的第二初始化源电极S7连接到发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6和OLED的像素电极。第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线124。第二初始化TFT T7响应于通过前一扫描线122接收的前一扫描信号Sn-1而被导通，并初始化OLED的像素电极。
尽管图2图示了第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到前一扫描线122的示例，但本公开并不限于此。在另一实施例中，第一初始化TFT T4可以连接到前一扫描线122并由前一扫描信号Sn-1驱动，并且第二初始化TFT T7可以连接到单独的信号线(例如，后一扫描线)并由传输到该单独的信号线的信号驱动。
存储电容器Cst的第二存储电容器极板Cst2连接到驱动电压线172，并且OLED的对电极连接到公共电压ELVSS。因此，OLED可以通过接收来自驱动TFT T1的驱动电流IOLED并发光，来显示图像。
尽管图2图示了补偿TFT T3和第一初始化TFT T4中的每个具有双栅电极的示例，但本公开并不限于此。例如，补偿TFT T3和第一初始化TFT T4中的每个可以具有单栅电极。另外，可以进行各种修改，使得驱动TFT T1、开关TFT T2、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7中的至少一个可以具有双栅电极。
下面描述根据实施例的每个像素PX的具体操作。
在初始化时段期间，当前一扫描信号Sn-1通过前一扫描线122被供给时，第一初始化TFT T4响应于前一扫描信号Sn-1而被导通，并且驱动TFT T1被通过初始化电压线124供给的初始化电压Vint初始化。
在数据编程时段期间，当扫描信号Sn通过扫描线121被供给时，开关TFT T2和补偿TFT T3响应于扫描信号Sn而被导通。在此情况下，驱动TFT T1通过导通的补偿TFT T3而二极管连接，并且正向偏置。
然后，补偿电压Dm+Vth被施加到驱动TFT T1的驱动栅电极G1。通过从数据线171的数据信号Dm中减去驱动TFT T1的阈值电压Vth来获得补偿电压Dm+Vth。
驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth被施加到存储电容器Cst的两端，并且与两端之间的电压差相对应的电荷存储在存储电容器Cst中。
在发射时段期间，操作控制TFT T5和发射控制TFT T6被通过发射控制线123供给的发射控制信号En导通。生成根据驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压与驱动电压ELVDD之间的电压差的驱动电流IOLED，并且驱动电流IOLED通过发射控制TFT T6被供给到OLED。
在下文中，参考图3至图10描述图2所示的像素PX的具体结构。
图3是示意性地图示图2的像素PX中的多个TFT、存储电容器和像素电极的位置的布局图。图4至图9是示意性地逐层图示诸如图3所示的多个TFT、存储电容器和像素电极的元件的布局图。图10是沿图3的线A-A和B-B截取的截面图。
图4至图9中的每一个图示了位于同一层上的布线、电极、半导体层等的布置，并且绝缘层可以介于图4至图9所示的层之间。例如，第一栅绝缘层141(参见图10)介于图4所示的层与图5所示的层之间，并且第二栅绝缘层143(参见图10)介于图5所示的层与图6所示的层之间。第一层间绝缘层150(参见图10)介于图6所示的层与图7所示的层之间，并且第二层间绝缘层160(参见图10)介于图7所示的层与图8所示的层之间。平坦化绝缘层180(参见图10)介于图8所示的层与图9所示的层之间。通过在上述绝缘层中的至少一些中限定的接触孔，图4至图9所示的层可以彼此电连接。
参考图3，像素PX包括扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124，扫描信号Sn、前一扫描信号Sn-1、发射控制信号En和初始化电压Vint分别被施加到扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124。像素PX包括沿第二方向(x方向，下文中也被称为“行方向”)延伸的扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124。像素PX可以包括沿第一方向(y方向，下文中也被称为“列方向”)延伸以与扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和初始化电压线124交叉的数据线171和驱动电压线172。数据信号Dm和驱动电压ELVDD分别被施加到数据线171和驱动电压线172。像素PX包括用于防止或减少寄生电容的产生的导电层178。像素PX进一步包括TFT T1至TFT T7、存储电容器Cst以及电连接到TFT T1至TFT T7和存储电容器Cst的OLED(参见图10)。在下文中，为便于说明，根据堆叠顺序提供描述。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，关于图3至图10图示的堆叠顺序可以改变。
参考图3、图4和图10，半导体层130a至130g，即驱动TFT T1的驱动半导体层130a、开关TFT T2的开关半导体层130b、补偿TFT T3的补偿半导体层130c、第一初始化TFT T4的第一初始化半导体层130d、操作控制TFT T5的操作控制半导体层130e、发射控制TFT T6的发射控制半导体层130f和第二初始化TFT T7的第二初始化半导体层130g，被布置在同一层中。
半导体层130a至130g被布置在位于基板110上的缓冲层111上。基板110可以包括玻璃材料、金属材料或诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料材料。缓冲层111可以包括诸如氧化硅(SiOx)的氧化物膜和/或诸如氮化硅(SiNx)的氮化物膜。
驱动TFT T1的驱动半导体层130a、开关TFT T2的开关半导体层130b、补偿TFT T3的补偿半导体层130c、第一初始化TFT T4的第一初始化半导体层130d、操作控制TFT T5的操作控制半导体层130e、发射控制TFT T6的发射控制半导体层130f和第二初始化TFT T7的第二初始化半导体层130g可以彼此连接并且被弯曲成各种形状。
半导体层130a至130g可以包括多晶硅。可替代地，半导体层130a至130g可以包括非晶硅或诸如G-I-Z-O层[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c层](其中a、b和c为分别满足a≥0、b≥0和c＞0的条件的实数)的氧化物半导体层。在下文中，为便于说明，描述了半导体层130a至130g包括多晶硅的示例。
半导体层130a至130g可以包括沟道区以及提供在沟道区的两侧的源区和漏区。例如，源区和漏区可以掺杂有杂质，并且杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区和漏区分别电连接到源电极和漏电极，并且因此分别与源电极和漏电极相对应。在下文中，源电极和漏电极分别被称为源区和漏区。
驱动半导体层130a包括驱动沟道区131a以及提供在驱动沟道区131a的两侧的驱动源区176a和驱动漏区177a。驱动沟道区131a可以形成得比其他沟道区131b至131g长。例如，由于驱动沟道区131a具有诸如“S”或“Ω”的多重弯曲形状，因此可以在狭窄空间中获得长的沟道长度。由于驱动沟道区131a形成为长的，因此施加到第一电极层125a(即，驱动TFTT1的驱动栅电极G1)的栅电压的驱动范围增加，并且因此可以更加精确地控制从OLED发射的光的灰度，从而提高显示质量。
开关半导体层130b包括开关沟道区131b以及提供在开关沟道区131b的两侧的开关源区176b和开关漏区177b。开关漏区177b连接到驱动源区176a。
补偿半导体层130c包括补偿沟道区131c1和131c3以及提供在补偿沟道区131c1和131c3的两侧的补偿源区176c和补偿漏区177c。包括补偿半导体层130c的补偿TFT T3是双TFT，并且包括两个补偿沟道区131c1和131c3。补偿沟道区131c1与131c3之间的区域131c2为杂质掺杂区，并且局部地与双TFT中的一个晶体管的源区以及双TFT中的另一个晶体管的漏区相对应。
第一初始化半导体层130d包括第一初始化沟道区131d1和131d3以及提供在第一初始化沟道区131d1和131d3的两侧的第一初始化源区176d和第一初始化漏区177d。包括第一初始化半导体层130d的第一初始化TFT T4为双TFT，并且包括两个第一初始化沟道区131d1和131d3。第一初始化沟道区131d1与131d3之间的区域131d2为杂质掺杂区，并且局部地与双TFT中的一个晶体管的源区以及双TFT中的另一个晶体管的漏区相对应。
操作控制半导体层130e包括操作控制沟道区131e以及提供在操作控制沟道区131e的两侧的操作控制源区176e和操作控制漏区177e。操作控制漏区177e可以连接到驱动源区176a。
发射控制半导体层130f包括发射控制沟道区131f以及提供在发射控制沟道区131f的两侧的发射控制源区176f和发射控制漏区177f。发射控制源区176f可以连接到驱动漏区177a。
第二初始化半导体层130g包括第二初始化沟道区131g以及提供在第二初始化沟道区131g的两侧的第二初始化源区176g和第二初始化漏区177g。
参考图10，第一栅绝缘层141位于半导体层130a至130g上。第一栅绝缘层141可以包括无机材料，无机材料包括氧化物或氮化物。例如，第一栅绝缘层141可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
参考图3、图5和图10，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a位于第一栅绝缘层141上。在一个实施例中，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a可以包括相同的材料。例如，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等，并且可以包括单层或多层。
扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a的部分或突出部分分别与TFT T1至TFT T7的栅电极相对应。也就是说，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a的与半导体层130a至130g重叠的部分被限定为栅电极。
扫描线121的与开关沟道区131b重叠的区域与开关栅电极125b相对应，并且扫描线121的与补偿沟道区131c1和131c3重叠的区域与补偿栅电极125c1和125c2相对应。前一扫描线122的与第一初始化沟道区131d1和131d3重叠的区域与第一初始化栅电极125d1和125d2相对应，并且前一扫描线122的与第二初始化沟道区131g重叠的区域与第二初始化栅电极125g相对应。发射控制线123的与操作控制沟道区131e重叠的区域与操作控制栅电极125e相对应，并且发射控制线123的与发射控制沟道区131f重叠的区域与发射控制栅电极125f相对应。
补偿栅电极125c1和125c2与包括第一补偿栅电极125c1和第二补偿栅电极125c2的双栅电极相对应，并且可以防止或减少漏电流的发生。
第一电极层125a的与驱动沟道区131a重叠的部分与驱动TFT T1的驱动栅电极G1相对应。第一电极层125a用作驱动TFT T1的驱动栅电极G1和存储电容器Cst的第一存储电容器极板Cst1。换句话说，可以理解的是，驱动TFT T1的驱动栅电极G1和存储电容器Cst的第一存储电容器极板Cst1一体地形成。
参考图10，第二栅绝缘层143位于扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a上。第二栅绝缘层143可以包括无机材料，无机材料包括氧化物或氮化物。例如，第二栅绝缘层143可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
参考图3、图6和图10，初始化电压线124、极板126和第二电极层127位于第二栅绝缘层143上。在一个实施例中，初始化电压线124、极板126和第二电极层127可以包括相同的材料。例如，初始化电压线124、极板126和第二电极层127可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等，并且可以包括单层或多层。
初始化电压线124的与第一初始化沟道区131d1、131d3以及第二初始化沟道区131g重叠的部分分别与第一初始化栅电极125d1、125d2和第二初始化栅电极125g相对应。
极板126通过接触孔159电连接到驱动电压线172，如图3所示，并且可以覆盖开关源区176b的一部分。在一些实施例中，极板126可以覆盖第二初始化漏区177g和/或第一初始化源区176d。电连接到被施加恒定电压(即，驱动电压ELVDD)的驱动电压线172的极板126可以减小或阻止由其他外围电信号对开关TFT T2以及第一初始化TFT T4和第二初始化TFTT7的影响。
第二电极层127与第一电极层125a重叠，第二栅绝缘层143在第二电极层127与第一电极层125a之间。第二电极层127与存储电容器Cst的第二存储电容器极板Cst2相对应。
第二电极层127包括暴露第一电极层125a的一部分的开口27。节点连接线174的一端通过开口27电连接到第一电极层125a。
参考图10，第一层间绝缘层150位于初始化电压线124、极板126和第二电极层127上。第一层间绝缘层150可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。
参考图3、图7和图10，数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175位于第一层间绝缘层150上。
数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175可以包括相同的材料。例如，数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含导电材料的单层或多层。例如，数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线171沿列方向(y方向)延伸，并且通过限定在第一层间绝缘层150中的接触孔154连接到开关TFT T2的开关源区176b。
驱动电压线172沿列方向(y方向)延伸，并且分别通过限定在第一层间绝缘层150中的接触孔155和158连接到操作控制TFT T5的操作控制源区176e和第二电极层127。驱动电压线172可以通过限定在第一层间绝缘层150中的接触孔159连接到极板126。
初始化连接线173通过限定在第一层间绝缘层150中的接触孔151和152将第一初始化TFT T4的第一初始化源区176d连接到初始化电压线124。
节点连接线174通过接触孔156和157将第一电极层125a连接到补偿TFT T3的补偿漏区177c。具有岛形状的第一电极层125a可以通过节点连接线174电连接到补偿TFT T3。
中间连接层175通过接触孔153连接到发射控制TFT T6。例如，中间连接层175可以连接到发射控制TFT T6的发射控制漏区177f。
参考图10，第二层间绝缘层160位于数据线171、驱动电压线172、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175上。第二层间绝缘层160可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。在一些实施例中，第二层间绝缘层160可以包括包含上述无机绝缘材料的膜和包含有机绝缘材料的膜。
参考图3、图8和图10，导电层178和辅助连接层179位于第二层间绝缘层160上。导电层178和辅助连接层179可以包括相同的材料。例如，导电层178和辅助连接层179可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含导电材料的单层或多层。例如，导电层178和辅助连接层179可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
导电层178包括沿列方向(y方向)延伸的布线部分178a以及从布线部分178a沿行方向(x方向)延伸的延伸部分178b。延伸部分178b在与第一电极层125a和补偿TFT T3的至少一部分重叠的同时，覆盖第一电极层125a和补偿TFT T3。例如，延伸部分178b可以与第一电极层125a的一部分重叠。延伸部分178b可以与补偿半导体层130c的补偿沟道区131c1、补偿栅电极125c1的至少一部分以及补偿源区176c重叠并覆盖它们。在此情况下，补偿沟道区131c3以及连接到第一初始化TFT T4的补偿漏区177c可以与导电层178不重叠。
导电层178可以连接到被施加恒定电压的布线。在实施例中，导电层178可以通过限定在第二层间绝缘层160中的接触孔161电连接到导电层178下方的驱动电压线172。换句话说，导电层178可以与上驱动电压线相对应，并且驱动电压线172可以与下驱动电压线相对应。
提供高质量图像的显示装置将需要防止在驱动电压线172中发生电压降等。如图7所示，驱动电压线172与数据线171、初始化连接线173、节点连接线174和中间连接层175等位于同一层中，并且因此驱动电压线172的面积在该层中可以被扩展的程度在空间上受到限制。然而，根据本实施例，由于作为上驱动电压线的导电层178和作为下驱动电压线的驱动电压线172彼此电连接，因此可以解决电压降的问题。
在本实施例中，导电层178与被施加驱动电压ELVDD的布线相对应。近年来，随着显示装置的分辨率增加，需要在特定区域中包含更多像素，使得重叠部件可能是不可避免的。
作为比较示例，当沿列方向(y方向)延伸的布线部分178a经过发光区域EM下方时，根据视角的颜色异常缺陷可能由于位于发光区域EM下方的布线部分178a的不对称性而发生。换句话说，当布线部分178a经过发光区域EM下方时，发光区域EM在平面图中被布线部分178a不对称地划分，并且这种不对称性可能导致根据视角的颜色异常缺陷。
参考图3，在本实施例中，布线部分178a被提供为与发光区域EM不重叠。因此，本显示装置可以不表现出由于经过发光区域EM下方的布线部分178a的不对称性而可能发生的发光区域EM的颜色异常缺陷。
导电层178的延伸部分178b可以介于像素电极210与第一电极层125a之间，与像素电极210和第一电极层125a重叠，并且因此防止或减小像素电极210与驱动TFT T1的驱动栅电极G1之间的寄生电容。
当如图3所示，节点连接线174连接到第一电极层125a时，像素电极210与节点连接线174之间的寄生电容对应于像素电极210与驱动TFT T1的驱动栅电极G1之间的寄生电容。延伸部分178b与节点连接线174重叠，同时与像素电极210重叠，并且因此可以防止或减小寄生电容。
作为比较示例，当未提供延伸部分178b时，由于寄生电容，驱动电流IOLED在饱和区域中可能不恒定，并且可能意外地增加。为了实现提供高质量图像的显示装置，理想的是驱动电流IOLED在饱和区域中具有恒定值。然而，在没有延伸部分178b的情况下，由于寄生电容等，驱动电流IOLED可能在饱和区域中意外地增加，引起电流偏差。在此情况下，OLED可能以与最初预期不同的亮度发光。
根据本实施例，由于寄生电容被延伸部分178b防止或减小，因此在饱和区域中驱动电流IOLED的增加被抑制。因此，可以防止OLED以与最初预期不同的亮度发光，并且可以减少颜色偏差，从而防止由显示装置提供的图像质量的劣化。
参考图10，辅助连接层179通过接触孔163连接到中间连接层175，并且平坦化绝缘层180位于导电层178和辅助连接层179上。平坦化绝缘层180可以包括有机材料，诸如压克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅醚(HMDSO)。
参考图3、图9和图10，像素电极210位于平坦化绝缘层180上。像素电极210通过限定在平坦化绝缘层180中的接触孔185连接到辅助连接层179。像素电极210通过辅助连接层179和中间连接层175连接到发射控制TFT T6的发射控制漏区177f。
像素电极210可以是反射电极。例如，像素电极210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物的反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。
参考图10，暴露像素电极210的像素限定层190位于像素电极210上。像素限定层190可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种有机绝缘材料。
像素限定层190覆盖像素电极210的边缘，并且具有暴露像素电极210的上表面的至少一部分的开口OP。发光区域EM由像素限定层190的开口OP限定。
发射层220位于被像素限定层190的开口OP暴露的像素电极210上。发射层220可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。发射层220可以包括低分子有机材料或聚合物有机材料。
尽管在附图中未示出，但是诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)的功能层可以被选择性地布置。
对电极230可以是透光电极。例如，对电极230可以是透明或半透明电极，并且可以包括具有低功函数并且包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物的金属薄膜。另外，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物(TCO)膜可以进一步位于金属薄膜上。
图11是图示图7至图10所示的部件中的包括节点连接线174、导电层178、像素电极210和像素限定层190的仅仅一些部件的平面图。
像素限定层190通过用于暴露像素电极210的上表面的开口OP来限定发光区域EM。导电层178位于像素电极210下方。导电层178具有沿列方向(y方向)延伸的布线部分178a以及从布线部分178a沿与列方向(y方向)交叉的行方向(x方向)延伸的延伸部分178b。
布线部分178a被放置为与发光区域EM不重叠。作为比较示例，当布线部分178a与发光区域EM重叠并且经过发光区域EM下方时，发光区域EM可能在平面图中被布线部分178a不对称地划分，并且这种不对称性可能导致根据视角的颜色异常缺陷。由于导电层178位于放置在像素电极210下方的导电层中的最靠近像素电极210的顶部，因此相比于其他导电层，导电层178对发光区域EM的发光均匀性具有更大的影响。
因此，在本实施例中，布线部分178a被布置成使得其避开发光区域EM并且与发光区域EM不重叠，从而防止颜色异常缺陷。
延伸部分178b位于像素电极210下方和节点连接线174上方，并且与像素电极210和节点连接线174重叠。位于节点连接线174的一侧的接触孔157连接到第一电极层125a，并且位于节点连接线174的另一侧的接触孔156连接到补偿TFT T3。因此，第一电极层125a可以通过节点连接线174电连接到补偿TFT T3。
在传统显示装置的电路结构中，可能在像素电极210与驱动TFT T1的驱动栅电极G1之间产生寄生电容，并且在发光区域EM中可能发生颜色偏差缺陷。如上所述，当节点连接线174连接到第一电极层125a时，像素电极210与节点连接线174之间的寄生电容可以对应于像素电极210与驱动TFT T1的驱动栅电极G1之间的寄生电容。节点连接线174与发光区域EM重叠，并且像素电极210与节点连接线174之间的寄生电容可能引起发光区域EM中的颜色偏差缺陷。
在本实施例中，延伸部分178b在与像素电极210重叠的同时，与节点连接线174重叠，并且因此本显示装置可以防止或减少寄生电容的产生。
具体地，延伸部分178b可以沿行方向(x方向)延伸并且穿过发光区域EM。在平面图中，发光区域EM可以被划分成与延伸部分178b重叠的重叠区域OA、位于重叠区域OA的一侧的第一区域1A以及位于重叠区域OA的另一侧的第二区域2A。在此情况下，第一区域1A的尺寸可以等于第二区域2A的尺寸，并且第一区域1A和第二区域2A可以相对于重叠区域OA彼此对称。
延伸部分178b位于发光区域EM下方，以阻止或减小像素电极210与节点连接线174之间的寄生电容。在此情况下，当延伸部分178b经过发光区域EM、同时不对称地划分发光区域EM时，这种不对称性可能引起根据发光区域EM的视角的颜色异常缺陷。因此，延伸部分178b被布置成当延伸部分178b经过发光区域EM下方时在平面图中经过发光区域EM的几何中心。换句话说，延伸部分178b被布置成在平面图中对称地划分发光区域EM，使得可以解决反之可能由不对称性引起的根据发光区域EM的视角的颜色异常缺陷。
图12和图13图示了从图11的实施例修改的实施例。图12的实施例与图11的实施例的不同在于延伸部分178b的结构。除了延伸部分178b之外的所有其他部件与关于图11的实施例描述的部件基本相同。
参考图12，延伸部分178b从布线部分178a沿行方向(x方向)延伸，并且与发光区域EM完全重叠。也就是说，延伸部分178b与发光区域EM的整个表面重叠，使得发光区域EM可以从发光区域EM的整个表面发射相同亮度的光，而不管可能引起寄生电容的节点连接线174的位置如何。
作为另一实施例，图13图示了第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一至第三像素PX1、PX2和PX3中的每个类似于图10的实施例，并且图13示出了延伸部分178b被连续布置在第一至第三像素PX1、PX2和PX3中的结构。
第一像素PX1包括第一像素电极211和第一导电层178-1，第二像素PX2包括第二像素电极212和第二导电层178-2，并且第三像素PX3包括第三像素电极213和第三导电层178-3。像素限定层190具有分别暴露第一至第三像素电极211、212和213的上表面的至少一部分的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3，并且第一至第三像素PX1、PX2和PX3中的第一至第三发光区域EM1、EM2和EM3分别由第一至第三开口OP1、OP2和OP3限定。在实施例中，第一像素PX1的第一发光区域EM1发射红色波长的光，第二像素PX2的第二发光区域EM2发射绿色波长的光，并且第三像素PX3的第三发光区域EM3发射蓝色波长的光。
第一像素PX1的第一导电层178-1包括第一布线部分178a-1和第一延伸部分178b-1，第二像素PX2的第二导电层178-2包括第二布线部分178a-2和第二延伸部分178b-2，并且第三像素PX3的第三导电层178-3包括第三布线部分178a-3和第三延伸部分178b-3。第一至第三布线部分178a-1、178a-2和178a-3沿列方向(y方向)彼此平行地延伸，并且第一至第三延伸部分178b-1、178b-2和178b-3沿行方向(x方向)延伸。
第一延伸部分178b-1覆盖第一像素电极211下方的第一节点连接线174-1，并且从第一布线部分178a-1的一部分沿行方向(x方向)延伸，以在平面图中对称地划分第一发光区域EM1。同样，第二延伸部分178b-2覆盖第二像素电极212下方的第二节点连接线174-2，并且从第二布线部分178a-2的一部分沿行方向(x方向)延伸，以在平面图中对称地划分第二发光区域EM2。同样，第三延伸部分178b-3覆盖第三像素电极213下方的第三节点连接线174-3，并且从第三布线部分178a-3的一部分沿行方向(x方向)延伸，以在平面图中对称地划分第三发光区域EM3。
第一延伸部分178b-1延伸到第二像素PX2，以将第一布线部分178a-1连接到第二布线部分178a-2。第二延伸部分178b-2延伸到第三像素PX3，以将第二布线部分178a-2连接到第三布线部分178a-3。第三延伸部分178b-3还将第三布线部分178a-3连接到与第三像素PX3相邻的像素(未示出)的布线部分(未示出，例如，第一布线部分)。
第一至第三延伸部分178b-1、178b-2和178b-3可以被连续布置并且一体地形成。在多个像素以矩阵形式被布置的显示装置中，由于第一至第三布线部分178a-1、178a-2和178a-3通过第一至第三延伸部分178b-1、178b-2和178b-3彼此电连接且物理连接，因此第一至第三导电层178-1、178-2和178-3可以具有网格结构。
尽管图11至图13图示了发光区域EM是矩形的示例，但发光区域EM在平面图中可以被提供为各种形状。例如，发光区域EM可以具有诸如多边形、椭圆形和具有圆角的多边形的各种形状。
另外，尽管图1至图13图示了多个像素被提供为条带的形式的示例，但多个像素可以被提供为正方形形式或蜂窝状(PenTile)形式，并且以上描述可以同样适用于正方形形式或蜂窝状形式的像素。
作为另一实施例，图14至图16图示了发光区域EM被形成为菱形形状的示例。在图14至图16中，仅节点连接线174、导电层178、像素电极210和像素限定层190被示出，并且其他配置与关于上述实施例描述的配置基本相同。
参考图14，像素PX包括节点连接线174、位于节点连接线174上的导电层178、位于导电层178上的像素电极210以及位于像素电极210上的像素限定层190。像素限定层190通过用于暴露像素电极210的上表面的至少一部分的开口OP来限定发光区域EM。在本实施例中，发光区域EM可以被形成为菱形形状。
当发光区域EM被形成为菱形时，沿行方向(x方向)的宽度可大于具有沿列方向(y方向)形成的矩形形状发光区域的像素中的沿行方向(x方向)的宽度，并且因此，可能不容易设计能够避开发光区域EM的布线部分178a。
在图14所示的实施例中，布线部分178a与发光区域EM重叠，并且延伸部分178b以一重叠宽度被提供。也就是说，布线部分178a可以以最小的第一宽度w1至最大的第二宽度w2(沿列方向)与发光区域EM重叠，并且延伸部分178b可以具有宽度w3，宽度w3等于布线部分178a与发光区域EM重叠的最大的第二宽度w2。
在此情况下，延伸部分178b在平面图中经过发光区域EM的几何中心O。当发光区域EM在平面图中是多边形时，发光区域EM的几何中心O可以被限定为连接各边缘的线相交的点。发光区域EM可以具有与延伸部分178b重叠的重叠区域OA，并且位于重叠区域OA的一侧的第一区域1A和位于重叠区域OA的另一侧的第二区域2A可以彼此对称。
在图14中，节点连接线174被示出为被延伸部分178b完全覆盖。然而，当节点连接线174和发光区域EM彼此重叠的区域未被延伸部分178b完全覆盖时，延伸部分178b的宽度可以增加，使得节点连接线174和发光区域EM彼此重叠的区域被延伸部分178b完全覆盖。
参考图15，布线部分178a在平面图中被布置成避开发光区域EM。因此，可以通过布线部分178a解决发光区域EM的可视性颜色偏差问题。然而，在此情况下，由于节点连接线174的一部分与发光区域EM重叠，因此由于在节点连接线174与像素电极210之间可能产生的寄生电容，而可能发生发光区域EM的颜色偏差的问题。
延伸部分178b可以经过发光区域EM的几何中心O，并且覆盖节点连接线174的一部分与发光区域EM重叠的区域。在此情况下，经过发光区域EM下方的延伸部分178b被布置成在平面图中对称地划分发光区域EM。因此，延伸部分178b可以阻止在节点连接线174与像素电极210之间可能产生的寄生电容，从而防止发光区域EM的颜色偏差缺陷。
图16与图15基本相同，除了延伸部分178b被布置成与发光区域EM完全重叠之外。当延伸部分178b与发光区域EM的整个表面重叠时，可以完全阻止在节点连接线174与像素电极210之间可能产生的寄生电容。尽管图16图示了延伸部分178b的面积大于发光区域EM的面积的示例，但本公开并不限于此。只要延伸部分178b与发光区域EM的整个表面重叠，延伸部分178b的尺寸可以等于发光区域EM的尺寸。
延伸部分178b的一侧178b1可以连接到布线部分178a，并且另一侧178b2可以延伸到像素PX的外围。尽管在图16中未示出，但延伸部分178b的另一侧178b2可以连接到与像素PX相邻的另一像素的布线部分。
作为另一实施例，图17至图21图示了多个像素被提供为蜂窝状类型的示例。在图17至图20中，仅节点连接线174-1和174-2、导电层178-1和178-2、像素电极211'和212'以及像素限定层190被示出，并且其他配置与关于上述实施例描述的配置基本相同。
图17至图19图示了彼此相邻的第一像素PX1'和第二像素PX2'。图20图示了第一像素PX1'、第二像素PX2'、第三像素PX3'和第四像素PX4'，并且图21示出了包括第一至第四像素PX1'、PX2'、PX3'和PX4'的图20的结构重复的结构。在图17至图20中，第一至第四像素PX1'、PX2'、PX3'和PX4'可以是发射不同颜色的光的像素。在图17至图20中，第二像素PX2'和第四像素PX4'中的第二发光区域EM2和第四发光区域EM4的面积小于第一像素PX1'和第三像素PX3'中的第一发光区域EM1和第三发光区域EM3的面积。然而，本公开并不限于图17至图20所示的第一发光区域EM1至第四发光区域EM4的形状或面积，并且可以在不脱离本公开的范围的情况下，自由地修改第一发光区域EM1至第四发光区域EM4的形状或面积。
在图17至图19中，第一像素PX1'包括依次堆叠的第一节点连接线174-1、第一导电层178-1、第一像素电极211'和具有第一开口OP1的像素限定层190。像素限定层190通过用于暴露第一像素电极211'的上表面的至少一部分的第一开口OP1来限定第一发光区域EM1。在本实施例中，第一像素PX1'的第一发光区域EM1可以被形成为菱形形状。第一导电层178-1包括可以一体地形成的第一布线部分178a-1和第一延伸部分178b-1。换句话说，第一延伸部分178b-1可以是从第一布线部分178a-1延伸的一部分。
第二像素PX2'包括依次堆叠的第二节点连接线174-2、包括第二布线部分178a-2和第二延伸部分178b-2的第二导电层178-2、第二像素电极212'和具有第二开口OP2的像素限定层190。像素限定层190通过用于暴露第二像素电极212'的上表面的至少一部分的第二开口OP2来限定第二发光区域EM2。在本实施例中，第二像素PX2'的第二发光区域EM2可以被形成为倾斜布置的矩形形状。第二导电层178-2包括可以一体地形成的第二布线部分178a-2和第二延伸部分178b-2。换句话说，第二延伸部分178b-2可以是从第二布线部分178a-2延伸的一部分。
参考图17，第一布线部分178a-1和第二布线部分178a-2沿列方向(y方向)彼此平行地延伸。第一延伸部分178b-1可以从第一布线部分178a-1沿行方向(x方向)延伸，以将第一布线部分178a-1连接到第二布线部分178a-2。第一布线部分178a-1和第二布线部分178a-2可以通过第一延伸部分178b-1彼此电连接。类似地，第二延伸部分178b-2可以从第二布线部分178a-2沿行方向(x方向)延伸，以将第二布线部分178a-2连接到相邻像素(未示出)的第三布线部分(未示出)。
第一延伸部分178b-1覆盖第一节点连接线174-1与第一发光区域EM1重叠的区域，并且因此阻止在第一节点连接线174-1与第一像素电极211'之间可能产生的寄生电容。在此情况下，第一延伸部分178b-1可以沿行方向(x方向)延伸、同时在平面图中对称地划分第一发光区域EM1。
第一延伸部分178b-1与第一发光区域EM1重叠以阻止寄生电容。然而，如果第一延伸部分178b-1在不对称地划分第一发光区域EM1的同时延伸，则由于第一延伸部分178b-1可能在第一发光区域EM1中出现可视性颜色偏差的问题。因此，第一延伸部分178b-1在平面图中对称地划分第一发光区域EM1的同时，与第一发光区域EM1重叠，从而阻止寄生电容并且使第一像素PX1'的发光亮度均匀。第一布线部分178a-1和第二布线部分178a-2可以彼此电连接，使得导电层整体上具有网格结构。
在第二像素PX2'中，第二像素电极212'和第二节点连接线174-2彼此不重叠，并且因此可不产生寄生电容。在此情况下，第二延伸部分178b-2与第二节点连接线174-2重叠而不与第二像素电极212'重叠。第二延伸部分178b-2可以用来通过将第二布线部分178a-2电连接到相邻像素(未示出)的第三布线部分(未示出)来形成网格结构。
作为另一实施例，图18图示了第二节点连接线174-2和第二像素电极212'彼此重叠的结构。在此情况下，与第一延伸部分178b-1类似，第二延伸部分178b-2可以覆盖第二节点连接线174-2与第二像素电极212'重叠的区域。也就是说，在各种实施例中，第二延伸部分178b-2可以被布置成偏离第一延伸部分178b-1的延伸方向。
参考图19，第一延伸部分178b-1与第一发光区域EM1完全重叠。在图19中，第一延伸部分178b-1的尺寸大于第一发光区域EM1的尺寸并且小于第一像素电极211'的尺寸，但本公开并不限于此。第一延伸部分178b-1与第一发光区域EM1完全重叠，并且将第一布线部分178a-1连接到第二布线部分178a-2。
第一延伸部分178b-1的一侧178b-11连接到第一布线部分178a-1，并且另一侧178b-12连接到第二布线部分178a-2。第一布线部分178a-1和第二布线部分178a-2可以通过第一延伸部分178b-1彼此电连接。
同样，第二延伸部分178b-2与第二发光区域EM2完全重叠。第二延伸部分178b-2的一侧178b-21连接到第二布线部分178a-2，并且另一侧178b-22连接到相邻像素(未示出)的第三布线部分(未示出)。第二布线部分178a-2和第三布线部分(未示出)可以通过第二延伸部分178b-2彼此电连接。
如图19所示，第一延伸部分178b-1和第二延伸部分178b-2分别与第一发光区域EM1和第二发光区域EM2重叠，因此可以阻止在第一发光区域EM1和第二发光区域EM2下方可能产生的寄生电容，并且可以解决颜色偏差问题。
图20图示了沿行方向(x方向)彼此相邻地被布置的第一像素PX1'、第二像素PX2'、第三像素PX3'和第四像素PX4'。第一至第四像素PX1'、PX2'、PX3'和PX4'中的各个像素可以是发射不同颜色的光的像素。例如，第一至第四像素PX1'、PX2'、PX3'和PX4'可以发射红光、绿光和蓝光中的一种。在实施例中，第一发光区域EM1可以发射红色(R)波长的光，第二发光区域EM2可以发射绿色(G)波长的光，第三发光区域EM3可以发射蓝色(B)波长的光，并且第四发光区域EM4可以发射绿色(G)波长的光。
第一布线部分178a-1至第四布线部分178a-4可以沿列方向(y方向)彼此平行地延伸，并且第一延伸部分178b-1至第四延伸部分178b-4可以沿行方向(x方向)延伸。第一延伸部分178b-1至第四延伸部分178b-4可以依次连接第一布线部分178a-1至第四布线部分178a-4，并且因此，第一导电层178-1至第四导电层178-4可以一体地形成。
第一延伸部分178b-1和第三延伸部分178b-3可以延伸以分别与第一发光区域EM1和第三发光区域EM3重叠。在平面图中，第一延伸部分178b-1和第三延伸部分178b-3可以被布置成分别对称地划分第一发光区域EM1和第三发光区域EM3。第二延伸部分178b-2和第四延伸部分178b-4分别与第二发光区域EM2和第四发光区域EM4不重叠。然而，本公开并不限于此，并且第二延伸部分178b-2和第四延伸部分178b-4可以被布置成分别与第二发光区域EM2和第四发光区域EM4重叠。
图21图示了其中图20的结构被重复布置的显示区域DA的一部分。
参考图21，像素限定层190具有用于限定各像素的发光区域EM的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第四开口OP4。第一至第四开口OP1、OP2、OP3和OP4可以分别暴露位于像素限定层190下方的第一像素电极至第四像素电极(参见图20)的上表面的至少一部分。
布线部分178a沿列方向(y方向)延伸，发光区域EM被布置在它们之间，并且延伸部分178b连接布线部分178a。布线部分178a具有厚度d2，并且延伸部分178b具有厚度d1。布线部分178a通过延伸部分178b电连接，并且导电层178整体上具有网格结构。
延伸部分178b中的一些可以与多个像素中的一些像素的发光区域EM重叠，并且延伸部分178b中的其余可以与多个像素中的其余像素的发光区域EM不重叠。图21图示了像素被布置成之字形图案的蜂窝状类型的像素布置，并且延伸部分178b可以与对应的发光区域EM重叠或者不重叠。在延伸部分178b和发光区域EM彼此重叠的像素中，节点连接线(未示出)位于像素电极(未示出)下方，并且因此在像素电极与节点连接线之间可能产生寄生电容。延伸部分178b被布置成与发光区域EM重叠以阻止寄生电容。在此情况下，延伸部分178b被布置成在平面图中对称地划分发光区域EM，因此，本显示装置可以不表现出由于发光区域EM下方的导电层178的不对称布置而导致的可视性颜色偏差。
根据如上所述的实施例，可以实现具有改善的发光均匀性的显示装置。
应理解，本文中描述的实施例应被视为是仅仅描述性的而非限制目的。对每个实施例中的特征或方面的描述应被认为适用于其它实施例中的其它相似特征或方面。
尽管参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不背离如所附的权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，对其进行形式上和细节上的各种修改。

Claims (30)

1.一种显示装置，包括像素，所述像素包括驱动薄膜晶体管和存储电容器，所述驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层和第一电极层，所述驱动半导体层包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区，所述第一电极层在平面图中与所述驱动沟道区至少部分地重叠，
其中所述像素进一步包括：
位于所述第一电极层上并且在所述平面图中与所述第一电极层重叠的第二电极层；
位于所述第二电极层上的像素电极；
位于所述像素电极上并且具有开口的像素限定层，所述开口暴露所述像素电极的上表面的至少一部分并且限定发光区域；以及
位于所述第一电极层与所述像素电极之间并且包括延伸部分的导电层，所述延伸部分与所述发光区域至少部分地重叠，以经过所述发光区域的中心部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述平面图中，所述发光区域具有与所述延伸部分重叠的重叠区域、位于所述重叠区域的一侧的第一区域以及位于所述重叠区域的另一侧的第二区域，
其中所述第一区域的面积等于所述第二区域的面积。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一区域和所述第二区域相对于所述重叠区域彼此对称。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述延伸部分与所述发光区域完全重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，驱动电压被施加到所述导电层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素进一步包括：
位于所述导电层下方和所述第二电极层上方的下驱动电压线，其中所述下驱动电压线供给驱动电压。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述像素进一步包括：
位于所述下驱动电压线与所述导电层之间的绝缘层，
其中所述下驱动电压线和所述导电层通过限定在所述绝缘层中的接触孔彼此电连接。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素进一步包括：
位于所述导电层与所述第二电极层之间并且具有连接到所述第一电极层的第一侧的节点连接线。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，在所述平面图中，所述节点连接线与所述发光区域重叠，并且所述延伸部分覆盖所述节点连接线和所述发光区域彼此重叠的区域。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述延伸部分完全覆盖所述节点连接线。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一电极层具有岛状。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述像素进一步包括：
连接到扫描线和数据线的开关薄膜晶体管；以及
被配置为响应于所述扫描线的扫描信号而被导通并且二极管连接所述驱动薄膜晶体管的补偿薄膜晶体管，
其中所述节点连接线的第二侧连接到所述补偿薄膜晶体管。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素进一步包括补偿薄膜晶体管，所述补偿薄膜晶体管包括：
包括补偿沟道区、补偿源区和补偿漏区的补偿半导体层；以及
与所述补偿沟道区重叠的补偿栅电极，
其中所述补偿源区和所述补偿漏区中的一个电连接到所述驱动源区和所述驱动漏区中的一个。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述导电层与所述补偿栅电极的至少一部分重叠。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层进一步包括沿第一方向延伸并且被施加有驱动电压的布线部分，
其中所述布线部分与所述发光区域不重叠。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述延伸部分沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述布线部分和所述延伸部分一体地形成。
18.一种显示装置，包括：
发射第一颜色的光并且包括第一像素电极的第一像素，发射第二颜色的光并且包括第二像素电极的第二像素，以及发射第三颜色的光并且包括第三像素电极的第三像素，其中所述第一像素至所述第三像素中的每个包括驱动薄膜晶体管和存储电容器；
具有第一开口、第二开口和第三开口的像素限定层，所述第一开口暴露所述第一像素电极的上表面的至少一部分并且限定第一发光区域，所述第二开口暴露所述第二像素电极的上表面的至少一部分并且限定第二发光区域，所述第三开口暴露所述第三像素电极的上表面的至少一部分并且限定第三发光区域；
位于所述第一像素电极下方并且包括第一布线部分和第一延伸部分的第一导电层，其中所述第一布线部分沿第一方向延伸，并且所述第一延伸部分从所述第一布线部分沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且在平面图中与所述第一发光区域至少部分地重叠，以经过所述第一发光区域的中心部分；以及
位于所述第二像素电极下方并且包括第二布线部分和第二延伸部分的第二导电层，其中所述第二布线部分与所述第一布线部分隔开第一距离并且沿所述第一方向延伸，并且所述第二延伸部分从所述第二布线部分沿所述第二方向延伸，
其中所述第一延伸部分将所述第一布线部分连接到所述第二布线部分。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素以蜂窝状的形式被布置。
20.根据权利要求18所述的显示装置，进一步包括：
位于所述第三像素电极下方并且包括第三布线部分和第三延伸部分的第三导电层，其中所述第三布线部分与所述第二布线部分隔开第二距离并且沿所述第一方向延伸，并且所述第三延伸部分从所述第三布线部分沿所述第二方向延伸，并且在所述平面图中与所述第三发光区域至少部分地重叠，以经过所述第三发光区域的中心部分，
其中所述第二延伸部分将所述第二布线部分连接到所述第三布线部分。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第二延伸部分与所述第二发光区域不重叠。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，供给到所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素的驱动电压被施加到所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层，并且
其中所述第一布线部分、所述第二布线部分和所述第三布线部分分别与所述第一发光区域、所述第二发光区域和所述第三发光区域不重叠。
23.一种显示装置，包括：
多个驱动薄膜晶体管，所述多个驱动薄膜晶体管中的每个包括驱动半导体层和第一电极层，其中所述驱动半导体层包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区，并且所述第一电极层在平面图中与所述驱动沟道区部分地重叠；
位于所述第一电极层上的多个存储电容器，所述多个存储电容器中的每个包括在所述平面图中与所述第一电极层重叠的第二电极层；
位于所述第二电极层上的多个像素电极；
位于所述多个像素电极上并且具有多个开口的像素限定层，所述多个开口暴露所述多个像素电极的上表面的至少部分并且限定多个发光区域；以及
位于所述第二电极层与所述多个像素电极之间的多个布线层，所述多个布线层沿第一方向延伸并且避免在所述平面图中与所述多个发光区域重叠。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，驱动电压被施加到所述多个布线层。
25.根据权利要求23所述的显示装置，进一步包括：
与所述多个布线层位于同一层上的多个网格连接层，其中所述多个网格连接层沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸并且将所述多个布线层彼此连接，
其中所述多个网格连接层的至少部分网格连接层与所述多个发光区域的至少部分发光区域重叠，并且经过所述多个发光区域的中心部分。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，在所述平面图中，所述多个发光区域的所述至少部分发光区域具有与所述多个网格连接层的所述至少部分网格连接层重叠的重叠区域、位于所述重叠区域的一侧的第一区域以及位于所述重叠区域的另一侧的第二区域，
其中所述第一区域和所述第二区域相对于所述重叠区域彼此对称。
27.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述多个网格连接层的所述至少部分网格连接层与所述多个发光区域的所述至少部分发光区域完全重叠。
28.根据权利要求25所述的显示装置，进一步包括：
位于所述第二电极层上的多个节点连接线，所述多个节点连接线中的每个节点连接线的第一侧电连接到所述第一电极层，
其中所述多个节点连接线的至少部分节点连接线与所述多个发光区域的至少部分发光区域重叠。
29.根据权利要求28所述的显示装置，其中，在所述平面图中，所述多个网格连接层与所述多个节点连接线重叠并覆盖所述多个节点连接线。
30.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述多个布线层和所述多个网格连接层一体地形成并且具有网格结构。
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