CN110699649A - 一种用于电子封装的吸氢材料及其制备方法 - Google Patents
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- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 109
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 108
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004523 catalytic cracking Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 37
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 34
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 14
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 3
- 239000008399 tap water Substances 0.000 claims description 3
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- FAUWSVSZYKETJJ-UHFFFAOYSA-N palladium titanium Chemical compound [Ti].[Pd] FAUWSVSZYKETJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于电子封装的吸氢材料及其制备方法，主要针对于密封电子器件、组件内部氢含量的控制，吸氢材料包括发挥储氢作用的Ti基体和结合在Ti基体上的起催化裂解渗透作用的Pd膜；制备方法包括对储氢Ti基体的前处理、磁控溅射Pd膜层两个过程。本发明可以在各类密封电子器件、组件中应用，吸收密封器件组件中的氢，从而防止密封器件中的芯片等受到氢影响而导致的失效，生产效率和可靠性高，且无需对封装壳体、封装的元器件进行额外除氢处理。
Description
技术领域
本发明涉及电子封装用吸气材料，特别是一种用于电子封装的吸氢材料及其制备方法。
背景技术
密封电子器件组件内的气体组成和含量对器件本身的性能、寿命及可靠性都有极大影响，容易造成电子器件组件性能降低和寿命减短等严重后果。其中氢造成的失效主要表现为：(1)加速电子器件腐蚀；(2)造成电子元器件氧化、短路、烧毁失效；(3)GaAs芯片氢中毒，芯片和器件的功能严重退化。因此，对密封电子器件组件中氢含量的严格控制是十分必要的。
密封电子器件组件中的氢含量主要来源是金属外壳、内部元件、吸波材料等，具体表现为：(1)外壳材料在制造过程中本身会引入氢；(2)退火、烧结等工艺过程可能在氢气氛中进行从而引入氢；(3)金属外壳电镀过程也会引入氢；(4)芯片等焊接过程同样可能在氢气保护下进行；(5)内部元件如钽电容、环形器等等，都含有氢。这些引入氢的过程不能完全避免，随着器件的使用，外壳、各封装元件中的氢会缓慢释放，由于在密封外壳环境下，这些氢无法释放到器件组件外部，所以氢在密封腔体内部聚集，易造成器件功能失效。所以需要采取一定措施来降低密封电子器件组件中的氢含量。
目前常见的方法是在器件组件密封前在氮气气氛下进行长时间的烘烤，从而排除封装材料中吸附的氢气。长期的高温烘烤，一方面对设备有较高要求，同时也增加了生产周期；另一方面，有研究人员发现，镀金壳体经长时间高温烘烤，镀层底部的镍会扩散至顶部金层表面从而发生氧化，造成组装过程的可焊性降低。同时，对于环形器、钽电容等需封装的元件无法进行高温烘烤除氢，在使用过程中极易造成密封电子器件组件氢含量超标失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于电子封装的吸氢材料及其制备方法。
实现本发明目的的技术解决方案为：一种用于电子封装的吸氢材料，包括储氢基体和结合在储氢基体表面的起催化裂解渗透作用的Pd膜，其中储氢基体为Ti基体。
进一步的，Ti基体为厚度0.1～0.5mm的Ti片，纯度大于99％。
进一步的，Pd膜厚度为纯度大于99.99％。
本发明还提供一种用于电子封装的吸氢材料制备方法，包括以下步骤：
1)定制基片：采用纯度大于99％的纯钛，厚度为0.1～0.5mm规格的薄片，以此作为溅射基片；
2)对Ti基体进行除油、蚀刻和粗化的前处理；
3)对基片进行加热，温度范围为150～350℃之间；
4)氩气分压：溅射气体为氩气，压力在0.01～1Pa范围内；
5)预溅射：溅射前进行预溅射，去除靶材表面氧化膜；
6)溅射：溅射过程中基片可在±15°的范围内摆动，溅射厚度为
进一步的，基片除油的具体工艺为：先用碱性超声除油清洗2～10min，自来水清洗1～3min，去离子水清洗1～3min。
进一步的，蚀刻和粗化的具体工艺为：将清洗干净后的钛基片放入100～800ml/L的氢氟酸溶液中清洗1～4min，去除钛基片表面氧化物，同时对表面进行蚀刻和粗化，去离子水清洗1～3min，放入烘箱烘干。
进一步的，基片加热前进行抽真空，真空控制在2×10-4Pa以下。
进一步的，溅射气体为99.999％高纯氩气。
进一步的，氩气分压的气体流量为30sccm，溅射功率约为100W。
进一步的，预溅射时间为2～10min。
与现有技术相比，本发明的显著优点为：(1)本发明可以在各类密封电子器件组件中应用，吸收密封器件组件中的氢，从而防止密封器件组件中的芯片等受到氢的影响而导致失效；(2)该方法生产效率高、可靠性高，且无需对封装壳体、封装的元器件进行额外的烘烤；(3)本发明设计的用于密封电子器件组件的吸氢材料，能够在-65℃～+250℃范围内具有良好的吸氢能力，最大吸收氢气的质量约为吸氢材料质量的1.8％，且在该温度范围内不会出现已吸收的氢再次释放出来的现象。
附图说明
图1是本发明中吸氢材料的结构图。
图2是本发明中吸氢材料的吸氢原理图。
图3是本发明中磁控溅射工艺流程图。
图4是本发明中实验用可伐外壳结构图。
具体实施方式
Ti及其合金做为一种储氢材料可用于吸氢，但其在约400℃的高温才可以固溶氢，不能用于密封电子器件组件的吸氢。Pd可吸收氢气并将其裂解为氢原子，氢原子在其原子间隙中可自由通行，但这一过程为可逆过程，在较低温度即可双向进行，其吸附的氢会释放出来，故不可单独用于密封电子器件组件的吸氢。
本发明提出一种用于电子封装的吸氢材料及其制备方法，适用于各类密封电子器件、组件内部氢含量的控制。
如图1所示，吸氢材料包括发挥储氢作用的Ti基体和结合在Ti基体上的起催化裂解渗透作用的Pd膜。
Ti基体是尺寸规格为厚度0.1～0.5mm的Ti片，纯度大于99％。结合在Ti基体表面的Pd膜厚度为
Pd钯纯度大于99.99％。
本发明还提供一种用于电子封装的吸氢材料制备方法，包括对储氢Ti基体的前处理、磁控溅射Pd膜层两个过程；将纯Ti金属作为储氢基体，在基体上通过磁控溅射制一层Pd膜作为催化层。如图3所示，具体的制备工艺如下：
1)定制基片：采用纯度大于99％的纯钛，厚度为0.1～0.5mm规格的薄片，以此作为溅射基片；
2)基片清洗：先用碱性超声除油清洗2～10min，自来水清洗1～3min，去离子水清洗1～3min；
3)表面蚀刻：将除油清洗干净后的钛基片放入100～800ml/L的氢氟酸溶液中清洗1～4min，以去除钛基片表面氧化物，同时对表面进行蚀刻和粗化，去离子水清洗1～3min，放入烘箱烘干；
4)抽真空：真空需控制在2×10-4Pa以下，以保证薄膜纯度；
5)加热基片：为除去基片表面水分，提高膜与基片的结合力，需对基片进行加热，温度范围为150～350℃之间；
6)氩气分压：溅射气体为99.999％高纯氩气，压力在0.01～1Pa范围内，气体流量为30sccm，溅射功率约为100W；
7)预溅射：靶材选用纯度为99.99％的纯钯，溅射前进行2～10min的预溅射，以去除靶材表面氧化膜，避免影响薄膜质量；
8)溅射：溅射过程中基片可在±15°的范围内摆动以保证薄膜的均匀性，溅射厚度为
本发明的吸氢材料能够在-65℃～+250℃范围内具有良好的吸氢能力，最大吸收氢气的质量约为吸氢材料质量的1.8％，且在该温度范围内不会出现已吸收的氢再次释放出来的现象。如图2所示，本发明的吸氢原理如下：
1)膜层外部氢分子运动到吸氢材料表面吸附于Pd膜表面；
2)由于Pd的4d电子层为缺电子状态，能与氢形成不稳定的化学键，氢分子解离为两个氢原子，该过程遵循n＝0.5的Sieverts定律；
3)随着氢分子在Pd表层的吸附和解离，同时Pd膜层两侧具有一定的氢浓度(氢分压)差。氢原子从氢浓度高的一侧向浓度低的一侧(Ti基体侧)扩散，该过程遵循n＝1的Fick定律；
4)透过钯钛界面的氢原子向Ti基体内部渗透，并和Ti基体发生固溶。
气态氢分子在Ti基体表面裂解能较高，所以钛在约400℃的条件下才可吸收固溶氢原子。通过Pd对氢分子的解离作用，氢原子在常温即可透过钯钛界面向钛基体固溶渗透。
本发明将纯Ti金属作为储氢基体，在基体上通过磁控溅射制一层Pd膜作为催化层，制得的吸氢材料能够有效的消除密封电子器件、组件中的氢，从而防止氢中毒引起的各类失效。
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
实施例
一种用于电子封装的吸氢材料，结构如图1所示。采用纯度大于99％的钛片作为溅射基片，厚度为0.2mm。溅射钯层厚度为按照上述的制备方法进行制备，溅射时真空需控制在2×10-4Pa以下。
本发明制定的Ti基材厚度，Pd催化层厚度，溅射工艺参数，是在众多试验后得出的综合考虑效率和效果的较优参数，能保证密封电子器件组件内部气氛中的氢被有效吸收。
将本发明的吸氢材料和常见控氢方法进行除氢效果的对比。选用的实验用可伐封装外壳如图4所示，1#外壳样品镀金前后均不进行高温烘烤除氢处理。2#外壳样品使用常见的高温烘烤的控氢方法，镀前不进行除氢处理，镀金后在250℃氮气气氛下烘烤48h进行除氢，然后进行封帽。3#外壳样品使用本发明中吸氢材料，外壳镀金前后均不进行除氢处理，将吸氢材料置于镀金外壳中，然后进行封帽。三种样品均在封帽后在250℃的烘箱内进行48h的高温储存激发后，按GJB548B-2005方法1018.1检测管壳内部气氛。4#和5#外壳样品镀金前后均不进行高温烘烤除氢处理，其中A腔不放置吸氢材料，B腔放置吸氢材料，封帽后在100℃的烘箱内进行1000h的高温储存激发后，检测管壳内部气氛。
表1.可伐外壳不同方法控氢后气氛含量检测结果(250℃，48h激发)
内部气氛检测结果如表1、表2所示，1#样品为未进行除氢处理的外壳气氛检测结果，氢含量大于5％；2#样品为高温烘烤控氢方法后外壳的气氛检测结果，氢含量约1.6％；3#样品为未进行除氢处理的外壳使用本发明方法吸氢材料的气氛检测结果，氢含量小于100ppm。4#和5#A腔未放置吸氢材料，氢含量接近4％；4#和5#B腔放置吸氢材料，氢含量未检出。
表2.可伐外壳气氛含量检测结果(100℃，1000h激发)
通过对比可以发现，本发明方法所制备的吸氢材料，其控氢效果要远远优于常见的控氢方法。
Claims (10)
1.一种用于电子封装的吸氢材料，其特征在于，包括储氢基体和结合在储氢基体表面的起催化裂解渗透作用的Pd膜，其中储氢基体为Ti基体。
2.根据权利要求1所述的用于电子封装的吸氢材料，其特征在于，Ti基体为厚度0.1～0.5mm的Ti片，纯度大于99％。
3.根据权利要求1所述的用于电子封装的吸氢材料，其特征在于，Pd膜厚度为10～
纯度大于99.99％。
4.一种用于电子封装的吸氢材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)定制基片：采用纯度大于99％的纯钛，厚度为0.1～0.5mm规格的薄片，以此作为溅射基片；
2)对Ti基体进行除油、蚀刻和粗化的前处理；
3)对基片进行加热，温度范围为150～350℃之间；
4)氩气分压：溅射气体为氩气，压力在0.01～1Pa范围内；
5)预溅射：溅射前进行预溅射，去除靶材表面氧化膜；
6)溅射：溅射过程中基片可在±15°的范围内摆动，溅射厚度为
5.根据权利要求4所述的用于电子封装的吸氢材料制备方法，其特征在于，基片除油的具体工艺为：先用碱性超声除油清洗2～10min，自来水清洗1～3min，去离子水清洗1～3min。
6.根据权利要求4所述的用于电子封装的吸氢材料制备方法，其特征在于，蚀刻和粗化的具体工艺为：将清洗干净后的钛基片放入100～800ml/L的氢氟酸溶液中清洗1～4min，去除钛基片表面氧化物，同时对表面进行蚀刻和粗化，去离子水清洗1～3min，放入烘箱烘干。
7.根据权利要求4所述的用于电子封装的吸氢材料制备方法，其特征在于，基片加热前进行抽真空，真空控制在2×10-4Pa以下。
8.根据权利要求4所述的用于电子封装的吸氢材料制备方法，其特征在于，溅射气体为99.999％高纯氩气。
9.根据权利要求4所述的用于电子封装的吸氢材料制备方法，其特征在于，氩气分压的气体流量为30sccm，溅射功率约为100W。
10.根据权利要求4所述的用于电子封装的吸氢材料制备方法，其特征在于，预溅射时间为2～10min。
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