CN110690167A - 一种基于tft阵列基板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种基于TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：1)对待加工的玻璃基板表面进行清洗，然后采用NaOH溶液对玻璃基板表面进行喷洗，再用纯水清洗后晾干；2)在玻璃基板上真空溅射镀彩色滤光金属层；3)在ITO薄膜层的上表面覆盖涂布一层感光光阻液形成光刻胶层；4)对光阻液进行曝光处理，曝光光刻出电极图案；5)对光阻液所覆盖的基板进行显影处理，随后进行硬化；6)蚀刻ITO薄膜层，使基板表面形成ITO薄膜层电极图形；7)将步骤6)处理后的基板浸没于有机液中浸泡，去除光阻液，形成ITO成像显示电极，随后用纯水漂洗。通过一个显示图案多个图层曝光来实现可以把光阻液残留的现象彻底解决，提高生产效率及良品率，并且减少人工成本。
Description
技术领域
本发明属于电子元器件领域，具体涉及一种基于TFT阵列基板的制作方法。
背景技术
TFT阵列图案可以实现很多图形以及不限制尺寸可以根据产品的清晰度线路需求设计出对应的产品，而且结构简单、清晰度高，是当前显示成像技术发展的主流必然方向。
按现有的工艺技术曝光过程中，因环境等因素会有灰尘颗粒落到掩膜版上导致需要感光的部分被掩盖，在显影时出现光阻液残留，蚀刻时因光刻胶的残留导致光阻液底下的图案无法接受光照，光阻液残留部分需用多次清洗，镀膜，上光阻，曝光，显影蚀刻，去光阻等一系列过程来解决。
但是反复重复工序的过程很耗人工，并影响生产进度(整个生产流程上的瓶颈)，且重复工序的过程很多会被遗漏流到下一道工序。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种基于TFT阵列基板的制作方法，解决了现有技术中存在TFT阵列基板生产加工时，反复重复工序的过程很耗人工，并影响生产进度。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种基于TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
1)对待加工的玻璃基板表面进行清洗，然后采用浓度为0.4％的NaOH溶液在30℃的温度下，对玻璃基板表面进行喷洗200s，再用纯水清洗后晾干；
2)在玻璃基板上真空溅射镀彩色滤光金属层；
3)在ITO薄膜层的上表面覆盖涂布一层感光光阻液形成光刻胶层；
4)对光阻液进行曝光处理，曝光光刻出电极图案；
5)对光阻液所覆盖的基板进行显影处理，随后进行硬化，硬化的温度为 80～120℃，时间20～50min；
6)将基板浸没于蚀刻液中120～600s，并控制温度为40～60℃，蚀刻ITO薄膜层，使基板表面形成ITO薄膜层电极图形；
7)将步骤6)处理后的基板浸没于有机液中浸泡5min，去除光阻液，形成 ITO成像显示电极，随后用纯水漂洗；
进一步的，所述步骤1)中玻璃基板采用多组叠加方式清洗，其中玻璃基板之间的间距为5～10cm，转移玻璃基板的清洗速度为2-3m/min。
进一步的，所述步骤1)中真空溅射的条件为：真空度是0.01～0.5Pa，温度是220～350℃，并控制ITO薄膜层的厚度5nm～25nm。
进一步的，所述步骤2)中光刻胶层的厚度为1000～2000nm，均匀性10％以内，预烘温度：80～100℃。
进一步的，所述步骤3)中曝光条件：紫外光波长：365nm，光通量：60～150mj；同时ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板，距离基板的尺寸20～100微米。
进一步的，所述步骤4)中显影处理时采用的溶剂液为：浓度1～4％的有机碱液或者浓度为0.1～0.8％NaOH，处理时的温度为20～40℃，并将基板完全浸没在溶剂液中20～300s。
进一步的，所述步骤5)中蚀刻使用的蚀刻液采用浓度为10～20％的盐酸溶液和2～10％硝酸溶液按照1:2的比例混合而成。
进一步的，所述步骤6)中有机液按照重量份组成80～90％的二甘醇丁醚和10～20％的已醇胺。
进一步的，所述步骤1)～6)的操作重复5～7次。
本发明的有益效果：
1、本发明提供的一个显示图案多个图层曝光来实现后的产品通过新的掩膜版进行实现需要的图形，曝光后的基板产品可直接进行显影、蚀刻、脱模清洗，可直接流到下一道工序，通过一个显示图案多个图层曝光来实现可以把光阻液残留的现象彻底解决，提高生产效率及良品率，并且减少人工成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明对玻璃表面真空原子溅射的示意图
图2是本发明喷涂感光光阻液(相当于光刻胶作用)的示意图；
图3是本发明对玻璃表面光阻液曝光的示意图；
图4是本发明对玻璃表面图案蚀刻的示意图
图5是本发明去除ITO上显影的示意图；
图6是本发明的脱膜清洗的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
一种基于TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
1)对待加工的玻璃基板表面进行清洗，然后采用浓度为0.4％的NaOH溶液在30℃的温度下，对玻璃基板表面进行喷洗200s，再用纯水清洗后晾干；其中玻璃基板为多组叠加方式清洗，玻璃基板之间的间距为5～10cm，转移玻璃基板的清洗速度为2-3m/min。
2)如图1所示，在玻璃基板上真空溅射镀彩色滤光金属层，真空度0.2Pa，温度：40℃，靶材为钼，与ITO薄膜层接触的钼的厚度：15nm；空气面的钼的厚度：40nm，使得基板的上表面的连续电极和不连续电极之间覆盖绝缘层，并沉积形成薄膜。
3)如图2所示，在金属层上涂布感光光阻液，用辊轮或喷淋涂布，光阻液厚度：1000nm，均匀性10％以内，预烘温度：45℃。
4)如图3所示，利用光阻液曝光形成ITO薄膜层电极图形，紫外光波长： 365nm，光通量：100mj，金属电极图案的光罩是菲林或铬版，距离基板的尺寸 100微米。
5)如图4所示，对感光光阻液进行显影并硬化，形成电极图形；其中显影采用浓度2％为有机碱液，或者浓度为0.4％的NaOH溶液，温度：30℃，时间 200秒；硬化温度：100℃，时间40min。
6)如图5所示，将基板浸没于蚀刻液中600s，并控制温度为40℃，蚀刻 ITO薄膜层，使基板表面形成ITO薄膜层电极图形。
7)如图6所示，将步骤6)处理后的基板浸没于有机液中浸泡5min，去除光阻液，形成ITO成像显示电极，随后用纯水漂洗，其中有机液(以二甘醇丁醚(85％)和已醇胺按(15％)的混合比例组合而成)。
8)步骤1)～7)的操作重复6次，获得TFT阵列基板。
实施例2：
一种基于TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
1)对待加工的玻璃基板表面进行清洗，然后采用浓度为0.4％的NaOH溶液在30℃的温度下，对玻璃基板表面进行喷洗200s，再用纯水清洗后晾干；其中玻璃基板为多组叠加方式清洗，玻璃基板之间的间距为5～10cm，转移玻璃基板的清洗速度为2-3m/min。
2)在玻璃基板上真空溅射镀彩色滤光金属层，真空度0.2Pa，温度：40℃，与ITO薄膜层接触的钼的厚度：15nm；空气面的钼的厚度：40nm。
3)在金属层上涂布感光光阻液，用辊轮或喷淋涂布，光阻液厚度：1000nm，均匀性10％以内，预烘温度：45℃。
4)利用光阻液曝光形成ITO薄膜层电极图形，紫外光波长：365nm，光通量：100mj，金属电极图案的光罩是菲林或铬版，距离基板的尺寸100微米。
5)对感光光阻液进行显影并硬化，形成电极图形；其中显影采用浓度2％为有机碱液，或者浓度为0.4％的NaOH溶液，温度：30℃，时间200秒；硬化温度：100℃，时间40min。
6)将基板浸没于蚀刻液中600s，并控制温度为40℃，蚀刻ITO薄膜层，使基板表面形成ITO薄膜层电极图形。
7)将步骤6)处理后的基板浸没于有机液中浸泡5min，去除光阻液，形成 ITO成像显示电极，随后用纯水漂洗，其中有机液(以二甘醇丁醚(85％)和已醇胺按(15％)的混合比例组合而成)。
8)步骤1)～7)的操作重复5次，获得TFT阵列基板。
实施例3：
一种基于TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
1)对待加工的玻璃基板表面进行清洗，然后采用浓度为0.4％的NaOH溶液在30℃的温度下，对玻璃基板表面进行喷洗200s，再用纯水清洗后晾干；其中玻璃基板为多组叠加方式清洗，玻璃基板之间的间距为5～10cm，转移玻璃基板的清洗速度为2-3m/min。
2)在玻璃基板上真空溅射镀彩色滤光金属层，真空度0.2Pa，温度：40℃，与ITO薄膜层接触的钼的厚度：15nm；空气面的钼的厚度：40nm。
3)在金属层上涂布感光光阻液，用辊轮或喷淋涂布，光阻液厚度：1000nm，均匀性10％以内，预烘温度：45℃。
4)利用光阻液曝光形成ITO薄膜层电极图形，紫外光波长：365nm，光通量：100mj，金属电极图案的光罩是菲林或铬版，距离基板的尺寸100微米。
5)对感光光阻液进行显影并硬化，形成电极图形；其中显影采用浓度2％为有机碱液，或者浓度为0.4％的NaOH溶液，温度：30℃，时间200秒；硬化温度：100℃，时间40min。
6)将基板浸没于蚀刻液中600s，并控制温度为40℃，蚀刻ITO薄膜层，使基板表面形成ITO薄膜层电极图形。
7)将步骤6)处理后的基板浸没于有机液中浸泡5min，去除光阻液，形成 ITO成像显示电极，随后用纯水漂洗，其中有机液(以二甘醇丁醚(85％)和已醇胺按(15％)的混合比例组合而成)。
8)步骤1)～7)的操作重复7次，获得TFT阵列基板。
综上所述，本发明提供的一种基于TFT阵列基板的制作方法，曝光后的基板产品可直接进行显影、蚀刻、脱模清洗，可直接流到下一道工序，通过一个显示图案多个图层曝光来实现可以把光阻液残留的现象彻底解决，提高生产效率及良品率，并且减少人工成本。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (9)
1.一种基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)对待加工的玻璃基板表面进行清洗，然后采用浓度为0.4％的NaOH溶液在30℃的温度下，对玻璃基板表面进行喷洗200s，再用纯水清洗后晾干；
2)在玻璃基板上真空溅射镀彩色滤光金属层；
3)在ITO薄膜层的上表面覆盖涂布一层感光光阻液形成光刻胶层；
4)对光阻液进行曝光处理，曝光光刻出ITO薄膜层电极图形；
5)对光阻液所覆盖的基板进行显影处理，随后进行硬化，硬化的温度为80～120℃，时间20～50min；
6)将基板浸没于蚀刻液中120～600s，并控制温度为40～60℃，蚀刻ITO薄膜层，使基板表面形成ITO薄膜层电极图形；
7)将步骤6)处理后的基板浸没于有机液中浸泡5min，去除光阻液，形成ITO成像显示电极，随后用纯水漂洗。
2.根据权利要求1所述的基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1)中玻璃基板采用多组叠加方式清洗，其中玻璃基板之间的间距为5～10cm，转移玻璃基板的清洗速度为2-3m/min。
3.根据权利要求1所述的基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2)中真空溅射的条件为：真空度是0.01～0.5Pa，温度是220～350℃，并控制ITO薄膜层的厚度5nm～25nm；溅射的原料为钼原料。
4.根据权利要求1所述的基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3)中光刻胶层的厚度为1000～2000nm，均匀性10％以内，预烘温度：80～100℃。
5.根据权利要求1所述的基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4)中曝光条件：紫外光波长：365nm，光通量：60～150mj；同时ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板，距离基板的尺寸20～100微米。
6.根据权利要求1所述的基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5)中显影处理时采用的溶剂液为：浓度1～4％的有机碱液或者浓度为0.1～0.8％NaOH溶液，处理时的温度为20～40℃，并将基板完全浸没在溶剂液中20～300s。
7.根据权利要求1所述的基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤6)中蚀刻使用的蚀刻液采用浓度为10～20％的盐酸溶液和2～10％硝酸溶液按照1:2的比例混合而成。
8.根据权利要求1所述的基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤7)中有机液按照重量份组成80～90％的二甘醇丁醚和10～20％的已醇胺。
9.根据权利要求1所述的基于TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1)～7)的操作重复5～7次。
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