CN110605467A - 离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置。该离子切割校准装置包括第一校准组件和第二校准组件，第一校准组件具有第一校准面，第二校准组件具有第二校准面；待校准样品和样品托板设置在第一校准面上，以调整待校准样品在样品托板上的位置，并形成初校准样品；初校准样品设置在第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置，以调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。该离子切割装置包括离子发生器、挡板以及上述的离子切割校准装置。本发明提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕，缩短了离子切割的时间，从而提高了离子切割的效率。

Description

离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置

技术领域

本发明涉及样品表面处理技术，尤其涉及一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置。

背景技术

装样校准在很多场景中发挥着极其重要的作用。例如，离子切割前需要用挡板遮挡住样品不被切割的部分，露出需要进行离子切割的部分，样品高出挡板的部分为样品的被切割部，然后利用离子对被切割部进行轰击从而获得平整的样品切割面。可见，准确的装样对离子的切割效果有很大影响。

现有技术中，通常先将样品底面用双面胶黏在样品托上，使样品的一个侧面与基准靠板贴齐，然后将样品托转移至三轴平移台上，通过三轴平移台调节样品的上下、前后及左右位置，使样品紧贴挡板并露出需要进行离子切割的部分。

然而通过上述方法校准装样不够准确，容易使校准样品表面产生离子划痕，且导致离子切割的时间过长，效率低下。

发明内容

为了解决上述的技术问题，本发明提供一种离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置，能够有效避免离子切割校准装置的校准装样不够准确的问题，减少了校准样品表面的离子划痕，并缩短了离子切割的时间，提高了离子切割的效率。

为实现上述的技术效果，第一方面，本发明提供一种离子切割校准装置，用于离子切割装置的装样校准，包括第一校准组件和第二校准组件，所述第一校准组件具有第一校准面，所述第二校准组件具有第二校准面。

待校准样品和样品托板设置在所述第一校准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品。

所述初校准样品设置在所述第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，以调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。

可选地，所述第一校准组件包括底板和设置在所述底板上的基准靠板，所述基准靠板的侧面具有表面高度不同的两个基准面；

其中，表面高度较低的所述基准面为第一基准面，表面高度较高的所述基准面为第二基准面，所述第一基准面和所述第二基准面通过位于两者之间的连接面连接，所述第一基准面和所述第二基准面共同形成所述第一校准面；

所述待校准样品和所述样品托板分别抵接所述第一基准面和所述第二基准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品。

可选地，所述底板的表面具有高度不同的第一平面和第二平面，所述第一平面和所述第二平面通过位于两者之间的侧面连接；

当所述基准靠板设置在所述底板上时，所述基准靠板位于高度较低的所述第一平面上，所述第一基准面抵接所述侧面；

所述样品托板位于高度较高的第二平面上，且所述样品托板靠近所述基准靠板一侧的端部抵接所述第一基准面，所述待校准样品靠近所述基准靠板一侧的端部抵接所述第二基准面。

可选地，所述第二校准组件包括第一基准台和与所述第一基准台连接的第二基准台，所述第二校准面位于所述第一基准台上。

可选地，所述第一基准台和所述第二基准台通过卡合组件连接，所述卡合组件包括位于所述第一基准台和所述第二基准台中一者上的卡接头，以及位于所述第一基准台和所述第二基准台中另一者上的卡接槽，当所述第一基准台和所述第二基准台连接时，所述卡接头卡设在所述卡接槽中。

可选地，所述第一基准台包括底座。

所述底座具有第一腔体，所述第一腔体内设置有第一转动件，所述第一转动件的转轴位于第一方向上；所述第一转动件内设置有第二腔体，所述第二腔体内设置有第二转动件，所述第二转动件的转轴位于第二方向上，所述第一方向和所述第二方向为空间中相互垂直的两个方向。

所述第二转动件具有沿所述第一方向延伸的滑槽，所述滑槽的槽口与所述挡板相对设置，所述样品托板位于所述滑槽中，与所述样品托板连接的所述初校准样品通过所述槽口暴露在所述滑槽的外部，并与所述挡板沿所述第二方向相对设置。

可选地，所述第二基准台包括基座和与所述基座相对设置的固定座，所述第一基准台连接在所述固定座上。

所述基座上靠近所述固定座的一侧设置有推板，所述基座上设置有调整所述推板在所述第一方向上的位置的第一调节件，以及调整所述推板在所述第二方向上的位置的第二调节件。

当所述第一基准台连接在所述第二基准台上时，所述推板的端部位于所述滑槽的第一端，并抵接所述滑槽内的所述样品托板，以推动所述样品托板在所述滑槽的相对位置的第一端和第二端之间往复滑动。

可选地，所述底座上设置有多个锁定件；其中，所述底座和所述第一转动件之间设置有至少一个用于锁定所述第一转动件在所述底座内的转动位置的第一锁定件；所述第一转动件与所述第二转动件之间设置有至少一个用于锁定所述第二转动件在所述第一转动件内的转动位置的第二锁定件。

所述滑槽和所述样品托板之间设置有弹性件，所述样品托板在所述推板的推力和所述弹性件的弹性恢复力的共同作用下，在所述滑槽内往复滑动；所述样品托板和所述滑槽之间设置有至少一个用于锁定所述样品托板在所述滑槽内的移动位置的第三锁定件。

第二方面，本发明提供一种离子切割校准方法，应用于如上所述的离子切割校准装置中，包括：

将待校准样品和样品托板安装在第一校准组件的第一校准面上，调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品。

将所述初校准样品设置在第二校准组件的第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。

第三方面，本发明还提供一种离子切割装置，包括离子发生器、挡板以及如上所述的离子切割校准装置。

待校准样品和样品托板设置在离子切割校准装置上，所述挡板位于所述待校准样品和所述离子发生器之间，且所述离子发生器的离子发射端朝向所述挡板和所述待校准样品。

本发明提供的离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置，该离子切割校准装置用于离子切割装置的装样校准，包括具有第一校准面的第一校准组件和具有第二校准面的第二校准组件。通过将待校准样品和样品托板设置在第一校准面上，以调整待校准样品在样品托板上的位置，以形成初校准样品；通过将初校准样品设置在第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置，以调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置，以形成校准样品，提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕，同时也降低了离子切割的装样难度。该离子切割装置包括离子发生器、挡板和上述的离子切割校准装置，通过将待校准样品和样品托板设置在上述离子切割校准装置上，挡板位于待校准样品和离子发生器之间，且离子发生器的离子发射端朝向挡板和待校准样品，缩短了离子切割的时间，提高了离子切割的效率。

本发明的构造以及它的其他发明目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第一校准组件的结构示意图；

图2是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件的结构示意图；

图3是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第一基准台的结构示意图；

图4是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第二基准台的结构示意图；

图5是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第一基准台的底座与第一转动件的结构示意图；

图6是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第一基准台的第一转动件和第二转动件的结构示意图；

图7是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第一基准台的第二转动件与滑槽的结构示意图；

图8是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的样品托板的结构示意图；

图9是本发明实施例二提供的离子切割校准方法的流程示意图。

附图标记说明：

1-第一校准组件；

2-第二校准组件；

3-待校准样品；

4-样品托板；

41-第一翅片；

42-第二翅片；

5-初校准样品；

6-挡板；

11-底板；

111-第一平面；

112-第二平面；

113-侧面；

12-基准靠板；

121-第一基准面；

122-第二基准面；

21-第一基准台；

211-卡接头；

212-底座；

2121-第一卡槽；

213-第一转动件；

2131-第二卡槽；

2132-第一转动件的转轴；

214-第二转动件；

2141-第三卡槽；

2142-第二转动件的转轴；

2143-紧固件；

215-滑槽；

2151-第一端；

2152-第二端；

216-第一锁定件；

217-第二锁定件；

218-导向柱；

22-第二基准台；

221-卡接槽；

222-基座；

2221-第一调节件；

2222-第二调节件；

223-固定座；

224-推板。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的优选实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，可以是直接连接，也可以是通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例一

图1是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第一校准组件的结构示意图。图2是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件的结构示意图。图3是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第一基准台的结构示意图。图4是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第二基准台的结构示意图。图5是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第一基准台的底座与第一转动件的结构示意图。图6是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第一基准台的第一转动件和第二转动件的结构示意图。图7是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的第二校准组件中第一基准台的第二转动件与滑槽的结构示意图。图8是本发明实施例一提供的离子切割校准装置的样品托板的结构示意图。

参照图1至图8所示，本发明实施例一提供一种离子切割校准装置，该离子切割校准装置用于离子切割装置的装样校准，包括第一校准组件1和第二校准组件2，第一校准组件1具有第一校准面，第二校准组件2具有第二校准面。

在实际使用中，待校准样品3和样品托板4设置在第一校准面上，以调整待校准样品3在样品托板4上的位置，并形成初校准样品5。

具体地，样品托板4用于固定待校准样品3，待校准样品3通过双面胶固定在样品托板4的承载面上。其中，双面胶可以是导电胶带，有利于后续的表面分析测试，例如扫描电镜的进行。

具体地，样品托板4可拆卸地连接在第一校准组件1的第一校准面上，可以为卡接、螺接等，本发明对此并不加以限制。

其中，第一校准组件1的结构包括但不限于以下两种可能的实现方式：一种可能的实现方式为：第一校准组件1包括底板11和设置在底板11上的基准靠板12，基准靠板12的侧面具有表面高度不同的两个基准面；其中，表面高度较低的基准面为第一基准面121，表面高度较高的基准面为第二基准面122，第一基准面121和第二基准面122通过位于两者之间的连接面连接，第一基准面121和第二基准面122共同形成所述第一校准面；

在实际使用中，待校准样品3和样品托板4分别抵接第一基准面121和第二基准面122上，以调整待校准样品3在样品托板4上的位置，并形成初校准样品5。

另一种可能的实现方式为：在上述实施例的基础上，如图1所示，底板11的表面还可以具有高度不同的第一平面111和第二平面112，第一平面111和第二平面112通过位于两者之间的侧面113连接。

当基准靠板12设置在底板11上时，基准靠板12位于高度较低的第一平面111上，第一基准面121抵接该侧面113。样品托板4位于高度较高的第二平面112上，且样品托板4靠近基准靠板12一侧的端部抵接第一基准面121，待校准样品3靠近基准靠板12一侧的端部抵接第二基准面122。

需要说明的是，基于基准靠板12位于第一平面111上，基准靠板12的两个基准面是形成在靠近第二平面112一侧的侧面上。参照图1所示，第一基准面121和第二基准面122表面高度不同可以理解为两者距离第二平面的距离不同，即第一基准面121的表面高度较低，与第二平面112之间的间距较大；第二基准面122的表面高度较高，与第二平面112之间的间距较小。

第一基准面121和第二基准面122之间的连接面可以位于水平面内，与第一平面111和第二平面112相互平行，以增加待校准样品3在样品托板4上位置调正的精确度。

需要说明的是，当底板11的表面具有高度不同的第一平面111和第二平面112时，待校准样品3和样品托板4在基准靠板12的第一基准面121和第二基准面122上的抵接会更稳定，对初校准样品5与离子切割装置的挡板6的相对位置调整会更加精准。

在上述实施例的基础上，还可以使用水平测量仪器对待校准样品3进行测量，例如水平仪、水准仪、全站仪、经纬仪等，具体类型可以根据需要设定，本实施例对此并不加以限定。

在实际使用中，初校准样品5设置在第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板6相对设置，以调整初校准样品5与离子切割装置的挡板6的相对位置，并形成校准样品。

如图2所示，第二校准组件2包括第一基准台21和与第一基准台21连接的第二基准台22，第二校准面位于第一基准台21上。

此处，第一基准台21和第二基准台22可以通过卡合组件可拆卸地连接，包括但不限于以下两种可能的实现方式：

一种可能的实现方式为：如图3和图4所示，卡合组件包括位于第一基准台21上的卡接头211，以及位于第二基准台22上的卡接槽221，当第一基准台21和第二基准台22连接时，第一基准台21上的卡接头211卡设在第二基准台22上的卡接槽221中。

另一种可能的实现方式为：(图中未示出)卡合组件包括位于第二基准台22上的卡接头211，以及位于第一基准台21上的卡接槽221，当第一基准台21和第二基准台22连接时，第二基准台22上的卡接头211卡设在第一基准台21上的卡接槽221中。

需要说明的是，第一基准台21和第二基准台22与卡合组件的卡接头211或卡接槽221之间可以使用卡接、螺接或焊接，或者也可以采用其它可拆卸或不可拆卸的连接方式进行连接，此处不再赘述。当使用可拆卸的方式连接时，更利于部件的安装和维护，当其中一个部件损坏时，只需对损坏的部件进行更换，无需更换其他部件。例如，当卡接头211损坏时，只需要更换卡接头211，不需要对第一基准台21或第二基准台22进行更换。

此外，如图3所示，第一基准台21包括底座212，底座212具有第一腔体，第一腔体内设置有第一转动件213，第一转动件的转轴2132位于第一方向L1上；第一转动件213内设置有第二腔体，第二腔体内设置有第二转动件214，第二转动件的转轴2142位于第二方向L2上，第一方向L1和第二方向L2为空间中相互垂直的两个方向。如图5所示，第一转动件213沿着虚线标注的双向箭头的方向转动；如图6所示，第二转动件213沿着虚线标注的双向箭头的方向转动。

需要说明的是，底座212、第一转动件213和第二转动件214的上表面可以处于同一水平面，也可以不在一个水平面，本发明对此并不加以限制。例如，第二转动件214处于初始状态时，其上表面可以与第一转动件213的上表面保持齐平，也可以略低于或略高于第一转动件213的上表面。当第二转动件214的上表面略低于第一转动件213的上表面时，相比之下会更节省使用空间。

作为一种可选的实施方式，底座212可以为由导向柱218连接的两个机构组成，底座212中靠近挡板6的机构相对于挡板6固定不动，底座212中远离挡板6的机构沿着导向柱218向靠近挡板6的方向移动，导向柱218起到了作为平移滑轨的作用。

需要说明的是，底座212和第一转动件213之间还对应设置有第一卡槽2121，第一卡槽2121用于限制第一转动件213在底座212的第一腔体内的方向活动范围，第一卡槽2121限制第一转动件213仅可以在底座212的第一腔体内沿着第一方向L1上的第一转动件的转轴2132进行转动；第一转动件213和第二转动件214之间还对应设置有第二卡槽2131，第二卡槽2131用于限制第二转动件214在第一转动件213的第二腔体内的方向活动范围，第二卡槽2131限制第二转动件214仅可以在第一转动件213的第二腔体内沿着第二方向L2上的第二转动件的转轴2142进行转动。

如图6所示，第二转动件214具有沿第一方向L1延伸的滑槽215，滑槽215的槽口与挡板6相对设置，样品托板4位于滑槽215中，与样品托板4连接的初校准样品5通过槽口暴露在滑槽215的外部，并与挡板6沿第二方向L2相对设置。

需要说明的是，滑槽215可以是U型长圆孔状槽，也可以是其他形状的滑槽，本发明对此并不加以限制。

需要说明的是，第二转动件214和样品托板4之间还对应设置有第三卡槽2141。样品托板4具有相对设置的第一翅片41和第二翅片42，第一翅片41用于与滑槽215匹配，第二翅片42用于与第三卡槽2141匹配。第一翅片41和第二翅片42用于限制样品托板4在第二转动件214内的方向活动范围，限制样品托板4仅可以沿着滑槽215的延伸方向滑动，也就是说样品托板4相对于第二转动件214仅可以在第一方向L1上滑动，起到了防止滑动移位的作用，从而保证相对滑动的稳定性。

具体地，将初校准样品5设置在第二校准组件的第一基准台21上，样品托板4与第一基准台21上的第二基准面通过紧固件2143可拆卸的连接；调节底座212可以使预校准样品5向靠近挡板6或远离挡板6的方向往复运动。在实际使用中，调节底座212以使预校准样品5的前表面与挡板6靠近；第一转动件213沿着位于第一方向L1上的第一转动件的转轴2132带动预校准样品5转动，以使预校准样品5的前表面与挡板6平行；第二转动件214沿着位于第二方向L2上的第二转动件的转轴2142带动预校准样品5转动，以使预校准样品5的上表面与挡板6的靠近预校准样品5的上沿平行，从而提高了校准装样的准确性。

在上述实施例的基础上，如图4所示，第二基准台22包括基座222和与基座222相对设置的固定座223，第一基准台21连接在固定座223上。

其中，基座222上靠近固定座223的一侧设置有推板224，基座222上设置有调整推板224在第一方向L1上的位置的第一调节件2221，以及调整推板224在第二方向L2上的位置的第二调节件2222。

当第一基准台21连接在第二基准台22上时，推板224的端部位于滑槽215的第一端2151，并抵接滑槽215内的样品托板4，以推动样品托板4在滑槽215的相对位置的第一端2151和第二端2152之间往复滑动。

需要说明的是，如图7所示，滑槽215的第一端2151和第二端2152为滑槽215延伸方向上的两个相对位置的端部。滑槽215的延伸方向为第二方向L2，即图2中所示的水平方向。

具体地，调节第二调节件2222，从而调整推板224在第二方向L2上的位置，以使推板224与样品托板4保持同一高度；调节第一调节件2221，从而调整推板224在第一方向L1上的位置，以使推板224与样品托板4刚好接触。

需要说明的是，调节推板224与样品托板4刚好接触后，需要将样品托板4与第一基准台上的第二基准面之间的紧固件2143松开，以使再次调节第一调节件2222时，调整推板224在第一方向L1上的位置从而可以推动样品托板4在第一方向L1上移动，从而使预校准样品5相对于挡板6露出在第一方向L1上的最小高度，形成校准样品。

需要说明的是，样品成分之间的硬度差异和初始面的形貌差异是导致产生离子划痕的主要因素。例如，当样品为多孔非均质样品时，容易产生离子划痕，这可能是由于离子束在穿过孔隙时，犹如穿过真空空间，不会受到阻挡。离子束直接作用在了孔隙的孔壁上，相对于孔隙周围，孔隙后侧切割的深度更大，造成了深度不一，导致了孔隙后侧产生明显的离子划痕，离子划痕会影响后续表面分析测试的准确性。

而本实施例通过调节第一转动件213使预校准样品5的前表面与挡板6平行，然后再调节底座向靠近挡板6的方向移动，可以实现预校准样品5的前表面与挡板6紧密贴合，从而避免后续切割过程中切割面产生离子划痕。

除此之外，本实施例通过调节第二转动件214使预校准样品5的上表面与挡板6的靠近预校准样品5的上沿平行，再通过调节第一调节件2222使预校准样品5相对于挡板6露出在第一方向L1上的最小高度，大幅度缩短了离子切割时间，从而大幅度提高了离子切割的效率。

作为一种可选的实施方式，底座212上还设置有多个锁定件；其中，如图5所示，底座212和第一转动件213之间设置有至少一个用于锁定第一转动件213在底座212内的转动位置的第一锁定件216；第一转动件213与第二转动件214之间设置有至少一个用于锁定第二转动件214在第一转动件213内的转动位置的第二锁定件217。

具体地，如图5所示，底座212临近第一转动件213的位置有至少一个用于对应设置第一锁定件216的下凹区域(图中以一个为例)，其中，第一转动件在下凹区域有延伸至底座212的薄边，第一锁定件216用于将薄边锁定在下凹区域内，从而锁定第一转动件213在底座212内的转动位置。

如图6所示，第一转动件213临近第二转动件214的位置有至少一个用于对应设置第二锁定件217的内凹区域(图中以两个为例)，其中，第二转动件在内凹区域有延伸至第一转动件213的薄边，第二锁定件217用于将薄边锁定在内凹区域内，从而锁定第二转动件214在第一转动件213内的转动位置。

为了实现样品托板4在滑槽215内的延伸方向上的独立上下移动，每个滑槽215和样品托板4之间可以对应设置有弹性件(图中未示出)，弹性件用于为对应的样品托板4提供向推板224方向移动的弹力。这样，样品托板4在推板224的推力和弹性件的弹性恢复力的共同作用下，可以在滑槽215内往复滑动。当把推板224移出时，样品托板4会在弹性件的弹力作用下向推板224的方向弹出，并恢复至初始位置。

例如，将样品托板4与第一基准台21上的第二基准面之间的紧固件2143松开后，推板224推动样品托板4可以沿着滑槽215的延伸方向上下移动，推板224推动样品托板4在滑槽215的相对位置的第一端2151向第二端2152之的方向滑动时，弹性件会被压缩呈压缩状态，若样品托板4的位置调整过量，只需调节第二基准台22的基座222上的第一调节件2221，使推板224向远离样品托板4的方向移动，即可实现样品托板4在弹性件的作用下自动复位，无需人为调整或设置相应的调节件进行调整。

可选的，弹性件一般可以为压向弹性件，当样品托板4沿第一方向L1从滑槽215的第一端2151向滑槽的第二端2152移动时，弹性件为压缩状态。这样弹性件即可在推板224的压迫下产生向滑槽的第一端2151的弹力，以使样品托板4恢复至初始位置。具体的，弹性件通常可以为压向弹簧。

此外，样品托板4和滑槽215之间还可以设置有至少一个用于锁定样品托板4在滑槽215内的移动位置的第三锁定件(图中未示出)。

其中，第一锁定件216、第二锁定件217和第三锁定件分别可以是一个、两个或更多个，锁定件的结构也可以是螺纹件等，本实施例对锁定件的数量和锁定件的具体结构并不加以限制，也不局限于上述示例。

本发明实施例一提供的离子切割校准装置、校准方法及离子切割装置，该离子切割校准装置用于离子切割装置的装样校准，包括具有第一校准面的第一校准组件和具有第二校准面的第二校准组件。通过将待校准样品和样品托板设置在第一校准面上，以调整待校准样品在样品托板上的位置，以形成初校准样品；通过将初校准样品设置在第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置，以调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置，以形成校准样品，提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕。

实施例二

图9是本发明实施例二提供的离子切割校准方法的流程示意图。如图9所示，在上述实施例一的基础上，本发明实施例二还提供一种离子切割校准方法，应用于上述实施例一的离子切割校准装置中，包括：

S101：将待校准样品和样品托板安装在第一校准组件的第一校准面上，调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品；

S102：将所述初校准样品设置在第二校准组件的第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。

其中，步骤S101中具体包括：

步骤S1011：将样品托板靠近基准靠板一侧的端部与第一基准面贴齐，并将样品托板可拆卸地固定在底板上；

步骤S1012：将待校准样品靠近基准靠板一侧的端部与第二基准面贴齐，并将待校准样品固定在样品托板上，形成初校准样品。

其中，步骤S102中具体包括：

步骤S1021：将初校准样品从底板上取下后通过紧固件将初校准样品安装在第二校准组件的第二校准面上，并使初校准样品的顶面与挡板的顶面基本齐平；

步骤S1022：调节第一基准台上的基座，使初校准样品的前表面与挡板靠近；

步骤S1023：调节第一基准台上的第一转动件，使初校准样品的前表面与挡板相对平行，然后调节第一锁定件将第一转动件锁死在底座内，使其不能相对转动；

步骤S1024：再次调节第一基准台上的基座，使初校准样品的前表面与挡板贴齐；

步骤S1025：调节第一基准台上的第二转动件，使初校准样品的上表面与挡板和初校准样品接触的上沿平行，然后调节第二锁定件将第二转动件锁死在第一转动件内，使其不能相对转动；

步骤S1026：调节第二基准台的基座上的第二调节件，使推板与样品托板处于同一高度；

步骤S1027：调节第二基准台的基座上的第一调节件，使推板与样品托板接触后，松开样品托板与第一基准台上的第二基准面之间的紧固件；

步骤S1028：调节第二基准台的基座上的第一调节件使初校准样品相对于挡板露出最小高度，并使用第三锁定件将样品托板和滑槽的相对位置锁死，形成校准样品。

需要说明的是，以上步骤S102中包含的至少部分步骤需要借助高倍体视镜完成。具体地，可以是放大倍数为60倍以上的体视镜。

本发明实施例二提供的离子切割校准方法，包括将待校准样品和样品托板安装在第一校准组件的第一校准面上，调整待校准样品在样品托板上的位置，并形成初校准样品；将初校准样品设置在第二校准组件的第二校准面上，第二校准面与离子切割装置的挡板相对设置，调整初校准样品与离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品，提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕。

实施例三

在上述实施例一和实施例二的基础上，本发明实施例三还提供一种离子切割装置，包括离子发生器、挡板6以及上述实施例一中的离子切割校准装置；

待校准样品3和样品托板4设置在离子切割校准装置上，挡板6位于待校准样品3和离子发生器之间，且离子发生器的离子发射端朝向挡板6和待校准样品3。

其中，离子发生器产生用于切割的离子束，离子切割校准装置用于固定校准好的样品，挡板6用于遮挡部分离子发生器射向样品的离子束，使得离子束切割后形成的样品切割面为平面。

其中，挡板6可以相对于离子切割校准装置的第二校准面相对竖直设置，也可以倾斜设置。当挡板6相对倾斜设置时，挡板6与校准样品5贴合时，只需与挡板6靠近待校准样品5的前沿与待校准样品5完全贴合即可，无需保证整个前表面与待校准样品5完全贴合，减小了因待校准样品5的表面不平整而导致的校准误差。

此外，本实施例提供的离子切割装置中的离子发生器可以是任意类型的离子发生器，例如，可以为氩离子发生器等。本实施例对离子发生器的类型并不加以限定，也不限于上述示例。

需要说明的是，切割装置可以包含上述实施例一中的离子切割校准装置的全部，也可以只包含离子切割校准装置的第二校准组件里的第一基准台，与离子切割校准装置配合使用即可，本发明对此并不加以限制。

关于离子切割校准装置的相关技术特征与实施例一或实施例二相同，并能达到相同的技术效果，在此不再一一赘述。

本发明实施例三提供的离子切割装置，包括离子发生器、挡板和上述实施例一中的离子切割校准装置，通过将待校准样品和样品托板设置在上述离子切割校准装置上，挡板位于待校准样品和离子发生器之间，且离子发生器的离子发射端朝向挡板和待校准样品，通过离子切割校准装置对样品进行校准，提高了校准装样的准确性，减少了校准样品表面的离子划痕，缩短了后续使用离子切割装置进行离子切割的时间，提高了效率。

在上述实施例的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实施例保护范围的限制。

此外，术语“第一”“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”“第二”的特征可以明示或者隐含地包含至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明说明书的描述中，需要理解的是，术语“一些实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种离子切割校准装置，用于离子切割装置的装样校准，其特征在于，包括第一校准组件和第二校准组件，所述第一校准组件具有第一校准面，所述第二校准组件具有第二校准面；

待校准样品和样品托板设置在所述第一校准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品；

所述初校准样品设置在所述第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，以调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。

2.根据权利要求1所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第一校准组件包括底板和设置在所述底板上的基准靠板，所述基准靠板的侧面具有表面高度不同的两个基准面；

其中，表面高度较低的所述基准面为第一基准面，表面高度较高的所述基准面为第二基准面，所述第一基准面和所述第二基准面通过位于两者之间的连接面连接，所述第一基准面和所述第二基准面共同形成所述第一校准面；

所述待校准样品和所述样品托板分别抵接所述第一基准面和所述第二基准面上，以调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品。

3.根据权利要求2所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述底板的表面具有高度不同的第一平面和第二平面，所述第一平面和所述第二平面通过位于两者之间的侧面连接；

当所述基准靠板设置在所述底板上时，所述基准靠板位于高度较低的所述第一平面上，所述第一基准面抵接所述侧面；

所述样品托板位于高度较高的第二平面上，且所述样品托板靠近所述基准靠板一侧的端部抵接所述第一基准面，所述待校准样品靠近所述基准靠板一侧的端部抵接所述第二基准面。

4.根据权利要求3所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第二校准组件包括第一基准台和与所述第一基准台连接的第二基准台，所述第二校准面位于所述第一基准台上。

5.根据权利要求4所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第一基准台和所述第二基准台通过卡合组件连接，所述卡合组件包括位于所述第一基准台和所述第二基准台中一者上的卡接头，以及位于所述第一基准台和所述第二基准台中另一者上的卡接槽，当所述第一基准台和所述第二基准台连接时，所述卡接头卡设在所述卡接槽中。

6.根据权利要求5所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第一基准台包括底座；

所述底座具有第一腔体，所述第一腔体内设置有第一转动件，所述第一转动件的转轴位于第一方向上；所述第一转动件内设置有第二腔体，所述第二腔体内设置有第二转动件，所述第二转动件的转轴位于第二方向上，所述第一方向和所述第二方向为空间中相互垂直的两个方向；

所述第二转动件具有沿所述第一方向延伸的滑槽，所述滑槽的槽口与所述挡板相对设置，所述样品托板位于所述滑槽中，与所述样品托板连接的所述初校准样品通过所述槽口暴露在所述滑槽的外部，并与所述挡板沿所述第二方向相对设置。

7.根据权利要求6所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述第二基准台包括基座和与所述基座相对设置的固定座，所述第一基准台连接在所述固定座上；

所述基座上靠近所述固定座的一侧设置有推板，所述基座上设置有调整所述推板在所述第一方向上的位置的第一调节件，以及调整所述推板在所述第二方向上的位置的第二调节件；

当所述第一基准台连接在所述第二基准台上时，所述推板的端部位于所述滑槽的第一端，并抵接所述滑槽内的所述样品托板，以推动所述样品托板在所述滑槽的相对位置的第一端和第二端之间往复滑动。

8.根据权利要求7所述的离子切割校准装置，其特征在于，所述底座上设置有多个锁定件；其中，所述底座和所述第一转动件之间设置有至少一个用于锁定所述第一转动件在所述底座内的转动位置的第一锁定件；所述第一转动件与所述第二转动件之间设置有至少一个用于锁定所述第二转动件在所述第一转动件内的转动位置的第二锁定件；

所述滑槽和所述样品托板之间设置有弹性件，所述样品托板在所述推板的推力和所述弹性件的弹性恢复力的共同作用下，在所述滑槽内往复滑动；所述样品托板和所述滑槽之间设置有至少一个用于锁定所述样品托板在所述滑槽内的移动位置的第三锁定件。

9.一种离子切割校准方法，应用于如权利要求1-8中任一项所述的离子切割校准装置中，其特征在于，包括：

将待校准样品和样品托板安装在第一校准组件的第一校准面上，调整所述待校准样品在所述样品托板上的位置，并形成初校准样品；

将所述初校准样品设置在第二校准组件的第二校准面上，所述第二校准面与所述离子切割装置的挡板相对设置，调整所述初校准样品与所述离子切割装置的挡板的相对位置，并形成校准样品。

10.一种离子切割装置，其特征在于，包括离子发生器、挡板以及权利要求1-8中任一项所述的离子切割校准装置；

待校准样品和样品托板设置在离子切割校准装置上，所述挡板位于所述待校准样品和所述离子发生器之间，且所述离子发生器的离子发射端朝向所述挡板和所述待校准样品。