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CN110603148A - 阻气膜及阻气膜的制造方法 - Google Patents

阻气膜及阻气膜的制造方法 Download PDF

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CN110603148A
CN110603148A CN201880030141.4A CN201880030141A CN110603148A CN 110603148 A CN110603148 A CN 110603148A CN 201880030141 A CN201880030141 A CN 201880030141A CN 110603148 A CN110603148 A CN 110603148A
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CN
China
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layer
gas barrier
barrier film
inorganic layer
film
Prior art date
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Pending
Application number
CN201880030141.4A
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English (en)
Inventor
岩濑英二郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
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Abstract

本发明提供一种具有无机层的阻气膜及该阻气膜的制造方法，该阻气膜的无机层与粘合层之间的密合力高，而且透光率高。阻气膜依次具有支撑体、层叠于支撑体的一面侧的无机层、层叠于无机层的表面的粘合层以及层叠于粘合层的表面的树脂层，粘合层的厚度为15μm以下，无机层与粘合层的密合力为21N/25mm以上且60N/25mm以下。阻气膜的制造方法包括在真空状态下进行的无机层成膜工序和粘贴工序。

Description

阻气膜及阻气膜的制造方法
技术领域
本发明涉及阻气膜及该阻气膜的制造方法。
背景技术
使用阻气膜保护对氧或水敏感的材料的产品有很多。
例如，有机EL(Electro Luminescence：场致发光)通过将以往使用的玻璃基板替换成阻气膜，可获得挠性(灵活性)。通过将具有挠性的阻气膜用作玻璃基板的替代品，产品的附加值提高。因此，期待具有挠性且表现出高阻气性能的阻气膜。
近年来，在能源领域的研究中，基于环保等观点，太阳能电池的研究蓬勃发展。具体地说，进行了大量CIGS(Cu-In-Ga-Se)系的太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等的研究。
阻气膜也被用于这样的工业器材。例如，通过将太阳能电池模块(太阳能电池面板)的玻璃部分替换成阻气膜，除了赋予挠性之外，还可实现柔软性的赋予及轻量化。阻气膜还能应用于建筑材料。阻气膜使用范围广，有望在多领域应用。
作为这样的阻气膜，提出了在由树脂膜构成的支撑体上具有主要表现阻气性的无机层的结构。该无机层易划伤，如果无机层划伤，则阻隔性能下降，所以有时在无机层上层叠有成为用于保护无机层的外涂层的有机层。
例如，在专利文献1中记载有在无机层上通过涂布而形成有机层(树脂层)的技术。该有机层具有保护无机层的功能。
另外，在专利文献2中记载有在无机层上贴附由支撑体(树脂层)及粘合层构成的保护膜来保护无机层的技术。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-207126号公报
专利文献2：日本特开2016-204461号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
如上所述，这样的阻气膜用于有机EL及太阳能电池等。
在使用阻气膜的有机EL中，目视识别有机EL元件发射并透过阻气膜的光。另外，在使用阻气膜的太阳能电池中，透过阻气膜的光入射到太阳能电池单体而发电。
因此，对于用于有机EL或太阳能电池的阻气膜，除了高的阻气性之外还要求高的透明性(透光性)。
但是，在无机层上直接形成有机层(树脂层)的情况下，为了确保无机层与有机层的密合性，可利用的有机层的材料受到限制。有时为了提高作为阻气膜的透光率，期望缩小各层的折射率差，但如果材料受到限制，则无法选择适当折射率的材料，难以提高透光率。
为了确保无机层与有机层的密合性，并且为了确保有机层对无机层的保护性，需要加厚有机层的厚度。然而，如果有机层的厚度厚，则透光率可能下降。
在无机层上隔着粘合层粘贴树脂层的情况下，不需要考虑与无机层的密合性，所以可选择透过性及折射率等令人满意的材料作为树脂层的材料。然而，为了确保粘合层与无机层的密合性而需要加厚粘合层的厚度。另外，因为需要树脂层和粘合层两个层，所以阻气膜整体的厚度变得更厚了。在粘合层的厚度厚的情况下及阻气膜整体的厚度厚的情况下，透光率可能变低。
本发明的课题在于解决这样的问题点，提供一种具有无机层的阻气膜及该阻气膜的制造方法，该阻气膜的无机层与粘合层的密合力高，而且透光率高。
用于解决技术课题的手段
本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现，通过依次具有支撑体、层叠于支撑体的一面侧的无机层、层叠于无机层的表面的粘合层以及层叠于粘合层的表面的树脂层，粘合层的厚度为15μm以下，无机层与粘合层的密合力为21N/25mm以上且60N/25mm以下，能够解决上述问题，完成了本发明。
即，发现通过以下结构可解决上述问题。
(1)一种阻气膜，其依次具有支撑体、层叠于支撑体的一面侧的无机层、层叠于无机层的表面的粘合层以及层叠于粘合层的表面的树脂层，
粘合层的厚度d1为15μm以下，
无机层与粘合层的密合力为21N/25mm以上且60N/25mm以下。
(2)根据(1)所述的阻气膜，其中，树脂层的折射率n2与支撑体的折射率n3满足n2＜n3的关系。
(3)根据(1)或(2)所述的阻气膜，其中，树脂层的厚度d2与粘合层的厚度d1满足d1＜d2的关系。
(4)根据(1)～(3)中任一项所述的阻气膜，其中，支撑体的厚度d3与粘合层的厚度d1满足d1＜d3的关系。
(5)根据(1)～(4)中任一项所述的阻气膜，其中，雾度为3％以下。
(6)根据(1)～(5)中任一项所述的阻气膜，其中，树脂层的折射率n2为1.38以上且1.65以下。
(7)根据(1)～(6)中任一项所述的阻气膜，其中，树脂层含有氟树脂。
(8)根据(1)～(7)中任一项所述的阻气膜，其中，粘合层包含丙烯酸类、硅酮及氨基甲酸酯中的至少一种，粘合层的折射率n1为1.38以上且1.65以下。
(9)根据(1)～(8)中任一项所述的阻气膜，其中，在支撑体与无机层之间具有基底层。
(10)根据(1)～(9)中任一项所述的阻气膜，其中，粘合层、树脂层及支撑体中的至少一个含有紫外线吸收剂。
(11)一种阻气膜的制造方法，其包括：在真空状态下，通过等离子体CVD在支撑体的一面侧形成无机层的无机层成膜工序，以及紧接在无机层成膜工序之后，将具有粘合层和树脂层的层叠膜以使粘合层与无机层相对的方式粘贴在无机层上的粘贴工序。
(12)根据(11)所述的阻气膜的制造方法，其中，在真空状态下，沿长边方向输送长条状的支撑体，同时进行无机层成膜工序及粘贴工序。
(13)根据(11)或(12)所述的阻气膜的制造方法，其中，还具有在支撑体上形成基底层的基底层形成工序，在无机层成膜工序中，通过等离子体CVD在所述基底层的表面形成无机层。
(14)根据(11)～(13)中任一项所述的阻气膜的制造方法，其中，层叠膜还具有层叠于粘合层侧的表面的剥离膜，在粘贴工序中，将剥离膜剥离，同时将层叠膜粘贴在无机层上。
发明效果
根据本发明，可提供一种具有无机层的阻气膜及阻气膜的制造方法，该阻气膜的无机层与粘合层的密合力高，而且透光率高。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的阻气膜的一例的剖视图。
图2是示意性地表示本发明的阻气膜的另一例的剖视图。
图3是示意性地表示有机成膜装置的一例的图。
图4是示意性地表示无机成膜装置的一例的图。
具体实施方式
以下，基于第一实施方式的阻气膜10及第二实施方式的阻气膜12对本发明的阻气膜及阻气膜的制造方法详细地进行说明。
图1表示第一实施方式的阻气膜10。阻气膜10具有支撑体22、设置于支撑体22的一面(在图1中为上方的面)的无机层26以及具有粘合层34和树脂层32的层叠膜30。
图2表示第二实施方式的阻气膜12。阻气膜12具有支撑体22、设置于支撑体22的一面(在图2中为上方的面)的基底层24及无机层26，而且，其上还具有层叠膜30，该层叠膜30具有粘合层34和树脂层32。
此外，本发明的阻气膜不限于该结构，也可以适当地变更层结构。例如，也可以具有两组以上的基底层24与无机层26的组合。
在此，粘合层34的厚度为15μm以下，而且，无机层26与粘合层34的密合力为21N/25mm以上且60N/25mm以下。通过使粘合层34的厚度变薄为15μm以下，即使在粘合层34的折射率与其它层的折射率之差较大的情况下，也能够抑制粘合层34与其它层的界面上的反射，由此，能够提高透光率。另外，通过将无机层26与粘合层34的密合力设为21N/25mm以上，能够抑制粘合层34(层叠膜30)从无机层26剥离，由此，能够适当地保护无机层26。另外，在无机层26与粘合层34的密合力过高的情况下，会产生密合力过强、阻气膜变形等不利情况。如果阻气膜变形，则无机层有可能断裂。因此，通过将无机层26与粘合层34的密合力设为60N/25mm以下，能够抑制阻气膜变形，适当地保护无机层26。
在此，一般来说，在将粘合层34的厚度设为15μm以下的情况下，难以将粘合层34与无机层26的密合力设为21N/25mm以上。与此相对，在本发明中，通过后述的制造方法制作阻气膜，能够将粘合层34的厚度设为15μm以下，并且将粘合层34与无机层26的密合力设为21N/25mm以上。
此外，从能够适当地保护无机层26等观点出发，无机层26与粘合层34的密合力优选为21N/25mm以上且60N/25mm，更优选为22N/25mm以上且50N/25mm。
此外，密合力按照JIS Z 0237(2009)的相对于试验板的180°剥离粘合力的测量方法进行测量即可。
另外，如果将粘合层34的厚度设为d1、将树脂层32的厚度设为d2、将支撑体22的厚度设为d3，则优选满足d1＜d2的关系，另外，优选满足d1＜d3的关系。通过使粘合层34的厚度比树脂层32的厚度及支撑体22的厚度薄，能够抑制粘合层34的边界面上的反射率增大，从而能够提高透光率。
(支撑体22)
支撑体22可使用在各种阻气膜或各种层叠型的功能性膜中用作支撑体的公知的片状物。支撑体22优选热变形小。
具体地说，支撑体22优选使用树脂膜。树脂膜的材料没有特别限制，只要阻气膜10是自支撑即可。
树脂膜例如可举出：聚乙烯(PE)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰胺(PA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰亚胺(PI)、透明聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、环烯-共聚物(COC)、环烯聚合物(COP)及三醋酸纤维素酯(TAC)的膜。
支撑体22的厚度可根据用途或形成材料等适当地设定。从充分地确保阻气膜10的机械强度的观点、使阻气膜10变轻及变薄的观点、赋予阻气膜10挠性的观点出发，支撑体22的厚度优选为5～150μm，更优选为10～100μm。
支撑体22也可以在其表面具有功能层。功能层例如可举出保护层、粘接层、光反射层、防反射层、遮光层、平坦化层、缓冲层以及应力缓和层。
(基底层24)
基底层24设置在支撑体22上。
基底层24例如由将单体或低聚物聚合(交联、固化)的有机化合物构成。
基底层24设置为优选的方式，是包埋支撑体22的表面的凹凸或附着于支撑体22的表面的异物等的层。
图2所示的阻气膜12具有一组基底层24与无机层26的组合。基底层与无机层的组合的数量越多，越能够获得高的阻气性，另一方面，阻气膜越厚。
(基底层形成用组合物)
基底层24例如是将基底层形成用组合物固化而形成的。基底层形成用组合物例如含有热塑性树脂或有机硅化合物等有机化合物。热塑性树脂例如可举出：聚酯、(甲基)丙烯酸树脂、甲基丙烯酸-马来酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟树脂、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、纤维素酰化物、聚氨酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、脂环族聚烯烃、多芳基化合物、聚醚砜、聚砜、芴环改性聚碳酸酯、脂環改性聚碳酸酯、芴环改性聚酯以及丙烯酸类化合物。有机硅化合物例如可举出聚硅氧烷。基底层24可以含有一种有机化合物，也可以含有两种以上。
从基底层24的强度优异的观点、玻璃化转变温度的观点出发，基底层形成用组合物优选包含自由基固化性化合物和/或具有醚基的阳离子固化性化合物的聚合物。
从降低基底层24的折射率的观点出发，基底层形成用组合物优选包含以(甲基)丙烯酸酯的单体或低聚物的聚合体为主要成分的(甲基)丙烯酸树脂。基底层24通过降低折射率，透明性变高，透光率提高。
基底层形成用组合物优选包含以二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯(DPGDA)、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(TMPTA)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(DPHA)等双官能以上的(甲基)丙烯酸酯的单体或低聚物的聚合体为主要成分的(甲基)丙烯酸树脂，特别优选包含以三官能以上的(甲基)丙烯酸酯的单体或低聚物的聚合体为主要成分的(甲基)丙烯酸树脂。另外，也可以使用多个这些(甲基)丙烯酸树脂。主要成分是指所含有的成分中的含有质量比最大的成分。
基底层形成用组合物优选包含有机溶剂、有机化合物(单体、二聚体、三聚体、低聚物、聚合物等)、表面活性剂、硅烷偶联剂等。
另外，基底层24也可以包含烷氧基硅烷的聚合物(缩合聚合物)。
众所周知，烷氧基硅烷的聚合物通过烷氧基硅烷的水解和聚合(缩合聚合)形成“-O-Si-O-”的键合。因此，包含烷氧基硅烷的聚合物的基底层24的密度非常高且坚固。这样的基底层24即使被输送等也难以划伤。
将烷氧基硅烷溶解于溶剂，根据需要使用添加了固化剂及表面活性剂等的基底层形成用组合物，形成包含烷氧基硅烷的聚合物的基底层24。使用烷氧基硅烷的基底层形成用组合物由于烷氧基硅烷能够溶于水，所以能够使用水作为溶剂。因此，这样的基底层形成组合物不需要使用有机溶剂，能够在不考虑防爆性的成膜装置中使用。通过使用水作为基底层形成用组合物，烷氧基硅烷的水解和聚合也适当地进行。
烷氧基硅烷通过加热进行水解和聚合，所以通过在涂布基底层形成用组合物之后加热整个涂膜，不管厚度方向的位置如何，均匀地聚合(固化)。这样获得的基底层中，未反应的烷氧基硅烷的剩余量极少。使用水作为溶剂的基底层形成用组合物进一步在防止环境污染方面也是有利的。
烷氧基硅烷没有限制，可使用公知的各种烷氧基硅烷。此外，将硅氮烷也视为烷氧基硅烷。
具体来说，例示下述的通式(1)所示的化合物，
R1 aSi(OR2)4-a…通式(1)
(在通式(1)中，R1分别为碳原子数1～10的有机基，R2分别为碳原子数1～3的烷基，a为0或1。)
烷氧基硅烷例如可举出：甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、n-丙基三甲氧基硅烷、n-丙基三乙氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、环己基甲基二甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、正硅酸乙酯(TEOS)以及六甲基二硅胺烷。
其中，优选使用三～六官能的烷氧基硅烷，更优选使用正硅酸乙酯及3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷。
另外，烷氧基硅烷优选没有自由基聚合性基团的化合物。如果烷氧基硅烷具有自由基聚合性基团，则在涂膜表面附近聚合的自由基聚合性基团会阻碍涂膜内部的聚合，其结果是，有时厚度方向上的固化的不均匀变大。如果在这样的基底层24上形成无机层26，则等离子体腐蚀基底层24，未反应的自由基聚合性基团的部分从内部露出，会成为损坏阻气性能的原因的缺陷故障。
烷氧基硅烷也可以并用多个，例如，可举出并用正硅酸乙酯和3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷。
在此，在并用多个烷氧基硅烷的情况下，优选的是，至少一个烷氧基硅烷使用具有碳原子数为3以上的直链(也可以具有侧链)的烷氧基硅烷。通过使用具有碳原子数为3以上的直链的烷氧基硅烷，在能够适当地防止阻气膜卷边并且充分地确保聚合性等方面比较理想。
基底层24的厚度可根据基底层形成用组合物中包含的成分或使用的支撑体22适当地设定。基底层24的厚度优选为0.5～5μm，更优选为1～3μm。通过将基底层24的厚度设为0.5μm以上，能够包埋支撑体22的表面的凹凸或附着于支撑体22的表面的异物，将基底层24的表面平坦化。通过将基底层24的厚度设为5μm以下，能够抑制基底层24的裂纹、阻气膜12的卷边产生。
在设置有多个基底层24的情况下，各基底层24的厚度可以相同，也可以互不相同。
基底层24能够用公知的方法形成。具体地说，涂布基底层形成用组合物并使其干燥而能够形成基底层24。还能够通过根据需要照射紫外线使基底层形成用组合物中的有机化合物聚合(交联)而形成基底层24。
基底层24能够通过所谓的卷对卷来形成。以下，将“卷对卷”也称为“RtoR”。RtoR是指从将长条状的成膜对象片材卷绕而成的卷送出成膜对象片材，在将成膜对象片材沿长边方向输送的同时进行成膜，将成膜后的片材卷绕成卷状的制造方法。通过利用RtoR，可获得高的生产力和生产效率。
(无机层26)
无机层26是包含无机化合物的薄膜，层叠于支撑体的一面侧。无机层26表现出阻气性。
无机层26通过设置于基底层24的表面而更适当地形成。在支撑体22上存在表面的凹凸或异物的阴影这样的、无机化合物难以着膜的区域。通过在支撑体22上设置基底层24，无机化合物难以着膜的区域被覆盖。因此，能够在支撑体22的整个表面无间隙地形成无机层26。
无机化合物为金属化合物，具体地说，可举出：氧化铝、氧化镁、氧化钽、氧化锆、氧化钛、氧化铟锡(ITO)等金属氧化物；氮化铝等金属氮化物；碳化铝等金属碳化物；氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氮氧化化硅碳化物等硅氧化物；氮化硅、氮化硅碳化物等硅氮化物；碳化硅等硅碳化物；它们的氢化物；它们的两种以上的混合物以及它们的含氢物质。
从透明性高并且能够表现出优异的阻气性的观点出发，无机层26优选由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝或它们的两种以上的混合物形成。无机层26更优选由氮化硅形成。
无机层26的厚度可根据无机化合物的种类适当地设定，以表现出阻气性。无机层26的厚度优选为10～200nm，更优选为15～100nm，特别优选为20～75nm。通过将无机层26的厚度设为10nm以上，能够稳定地表现出充分的阻气性能。无机层26一般比较脆，如果太厚，则有可能产生断裂或剥落。通过将无机层26的厚度设为200nm以下，能够防止断裂或剥落。
在无机层26由氮化硅形成的情况下，非常致密且为高密度，所以例如，即使厚度为30nm左右也可获得非常高的阻气性。在无机层26由氮化硅形成的情况下，除了优异的阻气性之外，还可获得薄、透明性高且挠性良好的高质量的阻气膜。
在设置有多个无机层26的情况下，各无机层26的厚度可以相同，也可以互不相同。另外，各无机层26能够使用相同的无机层形成用材料来形成。
无机层26能够用公知的方法形成。具体地说，无机层26能够通过CCP(Capacitively Coupled Plasma：电容耦合等离子体)-CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)及ICP(Inductively Coupled Plasm：电感耦合等离子体)-CVD等等离子体CVD形成。
此外，无机层26优选通过RtoR形成。
另外，在本发明的阻气膜中，在无机层26与成为无机层26的基底的基底层24之间，也可以具有含有基底层24的成分和无机层26的成分两者的混合层。
(层叠膜30)
层叠膜30具有树脂层32及粘合层34，使粘合层34对着无机层26设置在无机层26上。层叠膜30优选还具有层叠于粘合层34侧的表面的剥离膜。
〔树脂层32〕
树脂层32是由树脂材料构成的层，保护无机层26。
树脂层32的材料没有限定，可举出四氟乙烯和乙烯的共聚物(ETFE)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏氟乙烯(PVDF)、乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯(PE)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、EVA(乙烯乙烯醇)、PP(聚丙烯)、TAC(三醋酸纤维素酯)等的树脂。另外，树脂层32的形成材料也可以是将多个这些树脂材料组合而成的材料。
从提高透光率的观点及调整为优选的折射率的观点出发，树脂层的形成材料优选ETFE、PTFE、PVDF、ECTFE。
另外，树脂层32的形成材料优选为ETFE、PTFE、PVDF、ECTFE等包含氟树脂的材料。通过树脂层32包含氟树脂，能够提高树脂层32表面的光滑性。因此，例如，在通过RtoR制作阻气膜、并将所制作的阻气膜卷取成卷状时，在能够减小树脂层32的表面与支撑体22的背面之间的摩擦力、能够抑制卷取成卷状的阻气膜的变形等方面比较理想。
树脂层32的厚度可根据用途或形成材料等适当地设定。从充分地保护无机层26的观点、使阻气膜变轻及变薄的观点、赋予阻气膜挠性的观点出发，树脂层32的厚度优选为5～150μm，更优选为10～100μm。
另外，如果将树脂层32的折射率设为n2、将支撑体的折射率设为n3，则优选满足n2＜n3。通过使树脂层32的折射率比支撑体的折射率小，能够进一步提高透光率。
另外，树脂层32的折射率优选为1.38以上且1.65以下，更优选为1.38以上且1.55以下。通过将树脂层32的折射率调整为该范围内的值，树脂层32的折射率与支撑体22的折射率及空气的折射率之差变小，能够抑制树脂层32的边界面上的反射率增大，从而能够提高透光率。
〔粘合层34〕
粘合层34粘合树脂层32与无机层26。
粘合层34的材料没有限定，可利用各种公知的粘合材料。粘合层优选包含丙烯酸类、硅酮及氨基甲酸酯中的至少一种，例如，可使用丙烯酸系粘合剂、硅酮系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂等来形成。
从光学特性、特别是延迟或雾度等观点出发，粘合层34的形成材料优选丙烯酸类、硅酮及氨基甲酸酯。
作为丙烯酸系粘合剂，例示SK-dyne系列(综研化学株式会社制)等。
关于粘合层34的厚度，从透光率的观点出发优选薄，而从密合力的观点出发优选厚。另外，根据粘合层34的种类，如果粘合层34太厚，则伴随粘合层34固化时的凝聚，无机层可能会损坏。在这点上，粘合层34的厚度优选薄的。以上，从确保高的透光率和高的密合力等观点出发，粘合层34的厚度为15μm以下，优选为50nm以上且15μm以下，更优选为0.1μm以上且10μm以下，进一步优选为0.5μm以上且5μm以下。
另外，在如后所述通过RtoR制作本发明的阻气膜的情况下，如果粘合层34的厚度太厚，则在将制作后的阻气膜卷取成卷状时，卷直径会变得太大。因此，产生了需要使用更大的真空室而使得装置大型化这样的问题。
另外，在将所制作的阻气膜卷取成卷状时，如果粘合层34的厚度太厚，则对阻气膜施加剪切力，阻气膜有可能变形。
另外，如果粘合层34的厚度太厚，则包含在粘合层34中的水分(脱气)等被释放，有可能对由阻气膜密封的部件产生不利影响。
因此，从装置的小型化、抑制由剪切引起的变形以及减少脱气等观点出发，粘合层34的厚度也优选设为上述范围。
另外，粘合层34的厚度优选比树脂层32的厚度及支撑体22的厚度薄。
另外，粘合层34的折射率优选为1.38以上且1.65以下，更优选为1.38以上且1.55以下。通过将粘合层34的折射率调整为该范围内的值，粘合层34的折射率与支撑体22的折射率及树脂层32的折射率之差变小，能够抑制粘合层34的边界面上的反射率增大，能够提高透光率。
在此，优选粘合层34、树脂层32及支撑体22中的至少一个含有紫外线吸收剂，优选粘合层34、树脂层32及支撑体22含有紫外线吸收剂。
通过这些层含有紫外线吸收剂，在能够抑制阻隔层或形成阻隔层的支撑体的由紫外线引起的劣化方面比较理想。
本发明的阻气膜优选透光率高且雾度低。具体地说，阻气膜的总透光率优选为88％以上，更优选为90％以上。阻气膜的雾度优选为3.0％以下，优选为1.5％以下，更优选为1.0％以下。
阻气膜的总透光率可使用日本电色工业公司制造的NDH5000或SH-7000等市场上出售的测量装置，按照JIS K 7361(1997)进行测量。
阻气膜的雾度可使用日本电色工业公司制造的NDH5000等市场上出售的测量装置，按照JIS K 7136(2000)进行测量。
(阻气膜的制造方法)
接下来对本发明的阻气膜的制造方法进行说明。
本发明的阻气膜的制造方法是包括：在真空状态下，
通过等离子体CVD在支撑体的一表面上形成无机层的无机层成膜工序，以及
紧接在无机层成膜工序之后，将具有粘合层和树脂层的层叠膜以使粘合层与无机层相对的方式粘贴在无机层上的粘贴工序的阻气膜的制造方法。
此外，在本发明中，“紧接在无机层成膜工序之后，进行粘贴工序”是指，在无机层成膜工序之后进行粘贴工序，而不经过其它工序。
例如，优选的是，在真空状态下，沿长边方向输送长条状的支撑体，同时连续地进行无机层成膜工序及粘贴工序，不包括在无机层上粘合保护膜的工序及将粘合的无机层上的保护膜剥离的工序等其它工序。这样的阻气膜的制造方法可优选利用RtoR。
优选的是，本发明的阻气膜的制造方法在无机层成膜工序之前具有在支撑体上形成基底层的基底层形成工序，在无机层成膜工序中，在基底层形成工序中形成的基底层上形成无机层。
以下，使用图3及图4对图2所示的阻气膜12的优选制造方法进行说明。
图3表示有机成膜装置40。
有机成膜装置40是通过RtoR形成基底层的装置，例如，形成基底层24。有机成膜装置40具备旋转轴52、输送辊对54a及54b、涂布部56、干燥部58、光照射部60、卷取轴62以及供给卷66。
干燥部58具有从表侧(基底层形成用组合物侧，图3中为上侧)加热进行干燥的干燥部58a和从背侧(支撑体22侧)加热进行干燥的干燥部58b，能够从表侧及背侧两侧加热。
干燥部58的加热方法可使用加热片状物的公知的方法。例如，可以用干燥部58a进行暖风干燥，用干燥部58b通过加热辊(具有加热机构的传动辊)进行干燥。
以下，对使用有机成膜装置40形成基底层24的方法进行说明。
沿长边方向输送成为长条状的成膜对象的片材A，同时在其上涂布基底层形成用组合物，形成基底层24。
首先，将长条状的片材A(支撑体22)卷绕而成的卷72被装填到旋转轴52上。接着，将片材A从卷72拉出，在输送路径上输送。输送路径从卷72起依次经过输送辊对54a、涂布部56、干燥部58、光照射部60及输送辊对54b，到达卷取轴62。
从卷72拉出的片材A的表面在涂布部56被涂布基底层形成用组合物。涂布部56的涂布方法例如可举出模涂法、浸涂法、气刀涂布法、帘式淋涂法、辊涂法、线棒涂布法以及凹版涂布法。
接着，涂布有基底层形成用组合物的片材A被干燥部58加热。由此，从基底层形成用组合物中去除有机溶剂，基底层形成用组合物变干燥。
基底层形成用组合物的干燥(干燥工序)优选在100℃以上进行。具体地说，在干燥部58中进行加热，以使支撑体22的表面温度及涂布的基底层形成用组合物的温度中的至少一者达到100℃以上。支撑体22的表面温度是指没有涂布基底层形成用组合物的面(背面)的温度。
通过在100℃以上进行基底层形成用组合物的干燥，支撑体22的热缩饱和。其结果是，阻气膜的热缩率为2％以下，在暴露于恶劣环境下的制造工序中，能够防止支撑体22变形。
接着，片材A被光照射部60照射紫外线等。由此，有机化合物(接枝共聚物及丙烯酸酯单体)聚合(交联)，形成基底层24。有机化合物的聚合也可以根据需要在氮气氛等惰性气氛中进行。
接着，在输送辊对54b中，从供给卷66送出的保护膜Ga层叠在基底层24上。保护膜Ga是保护基底层24的保护膜。层叠有保护膜Ga的片材A卷绕在卷取轴62上而获得卷74。
图4表示无机成膜装置80。
无机成膜装置80是通过RtoR形成无机层的装置，例如，形成无机层26。
无机成膜装置80具有供给室82A、成膜室82B及卷取室82C。供给室82A和成膜室82B由具有开口Ha的隔壁Wa分开。成膜室82B和卷取室82C由具有开口Hb的隔壁Wb分开。供给室82A、成膜室82B及卷取室82C分别具备真空排气装置84A、84B及84C。通过驱动真空排气装置84A、84B及84C，能够调整无机成膜装置80的内部压力。
供给室82A具备旋转轴92和传动辊94。成膜室82B具备传动辊96a及96b、回收卷98及99、成膜部100、滚筒102以及供给卷104。卷取室82C具备传动辊106、卷取轴108。
以下，对使用无机成膜装置80形成无机层26的方法进行说明。
沿长边方向输送具有基底层24的长条状的成膜对象即片材B，同时在片材B的基底层24上进行成膜处理，从而形成无机层26。
首先，卷74被装填到供给室82A的旋转轴92上。接着，从卷74拉出的片材B在输送路径上输送。输送路径从供给室82A的卷74经过成膜室82B的滚筒102，到达卷取室82C的卷取轴108。
从卷74拉出的片材B被传动辊94引导并输送到成膜室82B。输送到成膜室82B的片材B被传动辊96a引导而卷绕在滚筒102上并在规定的路径上输送，同时由成膜部100进行处理。这样操作，形成无机层26。此外，在片材B具有保护膜Ga的情况下，在传动辊96a中，保护膜Ga从支撑体剥离，由回收卷98回收。
成膜部100的处理方法例如可举出CCP-CVD或ICP-CVD等等离子体CVD。根据形成的无机层26，可使用基于公知的气相沉积法的成膜方法。成膜所使用的工艺气体或条件等可适当地设定。
形成有无机层26的片材B被传动辊96b引导并输送到卷取室82C。对于形成有无机层26的片材B，在传动辊96b中，从供给卷104送出的保护膜Gb层叠在无机层26上。保护膜Gb是本发明中的层叠膜30，具有树脂层32和粘合层34，是保护无机层26的膜。层叠膜30是在供给卷104中依次层叠有树脂层32、粘合层34及剥离膜Gc，从供给卷104送出之后，将剥离膜Gc从层叠膜30剥离，成为保护膜Gb。接着，层叠有保护膜Gb的片材B卷绕在卷取轴108上，获得卷110。
在形成无机层26、粘贴层叠膜30并卷取成卷状之后，无机成膜装置80的所有室向大气开放，被导入干净的干燥空气。之后，将卷110从无机成膜装置80的卷取室84C取出。
阻气膜的制造方法可参照日本特开2013-166298号公报中记载的基于RtoR的基底层及无机层的形成方法。
阻气膜10的制造方法除了不进行基底层24的形成，而是在支撑体22上直接形成无机层26以外，与阻气膜12的制造方法是一样的。
在此，如上所述，保护膜Gb是具有树脂层32和粘合层34的层叠膜30。在本发明中，紧接在通过等离子体CVD在支撑体22上形成无机层26之后，在真空状态下，将层叠膜30(保护膜Gb)以使粘合层34与无机层26相对的方式粘贴在无机层26上。
根据本发明人等的研究可知，紧接在通过能够形成致密的无机层26的等离子体CVD在真空中形成高密度的无机层26之后，处于无机层26的表面的活性非常高的状态，存在许多悬空键。因此，推测通过紧接在形成无机层26之后粘贴层叠膜30，层叠膜30的粘合层34的成分与无机层26的悬空键化学键合。这样，通过粘合层34的成分与无机层26的悬空键化学键合，即使在粘合层34薄至15μm以下的情况下，也能够将粘合层34与无机层26的密合力提高到21N/25mm以上。
在此，如果是在大气中，则认为悬空键与大气中的元素发生反应而失活。因此，在本发明中，在真空状态下连续进行无机层26的形成(无机层成膜工序)及层叠膜30的粘贴(粘贴工序)。在真空状态下没有与无机层26的悬空键键合的对象。因此，通过在真空中进行粘贴工序，能够在更多的悬空键剩余的状态下，粘贴层叠膜30(粘合层34)，能够使粘合层34的成分与更多的悬空键化学键合。由此，能够提高粘合层34与无机层26的密合力。
此外，在本发明中，真空状态下是指压力为50Pa以下。
另外，优选在无机层成膜工序之后且形成有无机层26的片材B与传动辊等其它部件接触之前进行粘贴工序。当在无机层成膜工序之后与传动辊等接触时，无机层26的表面的活性有时会丧失。特别是当与由有机物构成的部件接触时，可认为有机物的成分与无机层26的悬空键键合，从而悬空键的数量变少。因此，即使之后将层叠膜30粘贴在无机层26上，与无机层26的悬空键化学键合的粘合层34的数量也会变少，有可能无法提高无机层26与粘合层34的密合力。因此，通过在无机层成膜工序之后且形成有无机层26的片材B与传动辊等其它部件接触之前进行粘贴工序，能够提高无机层26与粘合层34的密合力。
另外，在无机层成膜工序之后，经过的时间越长，无机层表面的活性越低，悬空键的剩余数量变得越少。因此，从无机层成膜工序到粘贴工序的时间越短越好。具体地说，优选为20秒以下，更优选为10秒以下。
另外，在无机层成膜工序中，在提高施加电压等并形成致密的无机层的情况下，可认为无机层表面的活性进一步提高并且产生更多的悬空键。因此，形成无机层时的施加电压优选为2KW以上，更优选为4KW以上。另外，在形成无机层时，优选施加偏压，偏压优选为0.5KW以上，更优选为1KW以上。
另外，在粘贴工序中，为了保护粘合层34，粘贴在无机层26上的层叠膜30(保护膜Gb)也可以以粘合有剥离膜的状态卷成卷状。具有剥离膜的层叠膜30只要在粘贴工序中将剥离膜Gc剥离、同时使粘合层34露出并将层叠膜30粘贴到无机层26上即可。
阻气膜的制造方法中的粘贴工序优选是将剥离膜Gc从层叠膜30上剥离、同时将剥离了剥离膜Gc的保护膜Gb(层叠膜)粘贴到片材B的无机层上的工序。
此外，作为剥离膜没有特别限制，可适当地使用能够与粘合层34可剥离地粘合的现有公知的剥离膜。
以上，对本发明的阻气膜及其制造方法详细地进行了说明，但本发明不限于上述方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以进行各种改良或变更。
[实施例]
以下列举实施例对本发明具体地进行说明。本发明不限于以下所示的具体例。
[实施例1]
＜＜层叠膜＞＞
按A4尺寸准备ETFE膜(折射率1.40，大金工业株式会社制EF-0025，厚度25μm)作为树脂层32。
接下来，利用环己酮将按照95﹕5的比例混合丙烯酸系粘合剂SK-dyneNT-21(折射率1.49，含有紫外线吸收剂)与固化剂L45(综研化学株式会社制)而成的混合物稀释，制备固体成分浓度10％的涂布液。使用敷抹器将制备的涂布液涂布于树脂层32的表面并以干燥厚度成为15μm的方式使其干燥，在树脂层32上形成粘合层34。
接下来，将作为剥离膜切割成A4尺寸的胶粘剂BD(藤森工业株式会社制)粘贴在粘合层34的表面，制作出具有剥离膜的层叠膜30(保护膜Gb)。
＜＜支撑体＞＞
使用宽度1000mm、厚度100μm、长度100m的PET膜(东洋纺株式会社制CosmoshineA4300，双面易粘接，折射率1.54)作为支撑体22。
＜＜无机层的形成＞＞
使用CCP-CVD(电容耦合型等离子体CVD)装置作为无机成膜装置80。将卷绕有支撑体22(片材B)的卷74装填在无机成膜装置80的供给室82A的旋转轴92上，将从卷74解开的支撑体22输送到输送路径。而且，将卷绕有所制作的保护膜Gb(层叠膜30)的供给卷104装填到规定位置，在传动辊96b中，保护膜Gb层叠在无机层26上。
沿长边方向输送从卷74解开的支撑体22，同时在成膜室82B中，在支撑体22上形成氮化硅膜作为无机层26。接着，在传动辊96b中，在无机层26的表面层叠剥离了剥离膜的层叠膜30。之后，输送到卷取室82C，并卷绕在卷取轴108上。这样，制作层叠有支撑体22、无机层26、粘合层34以及树脂层32的阻气膜10，获得卷绕有该阻气膜10的卷110。
用于形成氮化硅膜的原料气体设为硅烷气体(流量160sccm)、氨气(流量370sccm)、氢气(流量590sccm)以及氮气(流量240sccm)。成膜压力设为40Pa。电源设为频率13.56MHz的高频电源，等离子体激发功率设为800W。形成的无机层26的厚度为30nm。
另外，在形成无机层之后且最初的传动辊碰到膜面之前进行层叠膜30的粘贴。
测量所制作的阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力，结果为23N/25mm。
此外，密合力的测量使用剥离试验机，按照JIS Z 0237(2009)的180°剥离试验方法进行测量。
具体地说，首先，使用汤姆森刀片将所制作的阻气膜10冲裁为100mm见方，获得样品。无机层26与粘合层34的剥离按照如下操作以使端面可靠地剥离的方式来进行。将样品的支撑体22侧的面吸附保持于平面度高的吸附板之后，将长度2cm的胶带(日东透明胶带)贴到树脂层32的端部。接着，通过与样品平行地拉拽胶带，以与180度剥离试验同样地画圆弧的方式将树脂层32剥离。剥离在温度25℃湿度50％RH的环境下进行。
[实施例2及3]
除了将粘合层34的厚度分别设为5μm或1μm以外，与实施例1同样地制作实施例2及3的阻气膜10。
所制作的各阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力分别为23N/25mm、23N/25mm。
[实施例4]
除了设为如下操作在支撑体22的表面形成基底层24之后，在基底层24的表面形成无机层26的结构以外，与实施例1同样地制作阻气膜12。
所制作的阻气膜12的无机层26与粘合层34的密合力为24N/25mm。
＜＜基底层的形成＞＞
称量TMPTA(Daicel Cytec公司制)及光聚合引发剂(宁柏迪公司制，ESACUREKTO46)，使质量比率成为95﹕5，并将其溶解于甲基乙基酮(MEK)中，使固体成分浓度成为15质量％，制备基底层形成用组合物。
将基底层形成用组合物填充到有机成膜装置40的涂布部56。另外，将以卷状卷绕支撑体22而成的卷72装填到旋转轴52上，将从卷72解开的支撑体22输送到输送路径。
在有机成膜装置40中，沿长边方向输送支撑体22(片材A)，同时通过涂布部56涂布基底层形成用组合物，在干燥部58中使基底层形成用组合物干燥。涂布部56使用模涂布机。干燥部58的加热温度设为50℃，干燥部58的通过时间设为3分钟。
接着，在光照射部60中，通过对支撑体22照射(累计照射量约600mJ/cm2)紫外线使基底层形成用组合物固化来形成基底层24。将形成了基底层24的支撑体22卷绕于卷取轴62，得到卷74。形成的基底层24的厚度为2μm。
[实施例5]
除了设为在形成基底层24之后，粘合PE制的保护膜Ga，在无机层成膜工序中，在形成无机层26之前将保护膜Ga剥离，在基底层24上形成无机层26的结构以外，与实施例4同样地制作阻气膜12。
所制作的阻气膜12的无机层26与粘合层34的密合力为24N/25mm。
[实施例6]
除了设为如下操作在支撑体22的表面形成基底层24之后，在基底层24的表面形成无机层26的结构以外，与实施例4同样地制作阻气膜12。
所制作的阻气膜12的无机层26与粘合层34的密合力为24N/25mm。
＜＜基底层的形成＞＞
制备包含3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯作为烷氧基硅烷的基底层形成用组合物。首先，一边在40℃下激烈地搅拌作为酸性水的1wt％乙酸水溶液，一边将3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷向该乙酸水溶液中滴加3分钟。接下来，一边将正硅酸乙酯向乙酸水溶液中添加5分钟一边强烈地搅拌，之后，在40℃下，持续搅拌3小时，得到硅醇水溶液。接下来，将固化剂(铝螯合物)、表面活性剂依次添加到该硅醇水溶液中，获得水溶性基底层形成用组合物。利用气相色谱法对通过水解在基底层形成用组合物中生成的乙醇的浓度进行定量，其结果是，烷氧基硅烷的水解率为99.4％。用棒涂机将该基底层形成用组合物涂布在支撑体22的表面，在175℃下干燥2分钟，形成基底层24。在输送辊对54b中，在基底层24的表面层叠保护膜Ga之后，将形成了基底层24的支撑体22卷绕于卷取轴62上，得到卷74。
基底层的厚度为2μm。
[实施例7及8]
除了将树脂层32分别设为PVDF膜(Denka株式会社制DX膜，折射率1.46)或PMMA膜(三菱丽阳株式会社制ACRYPLEN，折射率1.5)以外，与实施例1同样地制作实施例7及8的阻气膜10。
所制作的各阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力分别为24N/25mm、24N/25mm。
[实施例9]
除了将树脂层32设为PET膜(东洋纺株式会社制A4300，折射率1.54)、将支撑体22设为PEN膜(株式会社帝人制Q65HA，折射率1.68)以外，与实施例1同样地制作阻气膜10。
所制作的阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力为23N/25mm。
[实施例10及11]
除了将支撑体22的厚度分别设为50μm或23μm以外，与实施例1同样地制作实施例10及11的阻气膜10。
所制作的各阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力分别为27N/25mm、35N/25mm。
[实施例12]
除了将支撑体22的厚度设为23μm、将树脂层32的厚度设为50μm以外，与实施例1同样地制作阻气膜10。
所制作的阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力为35N/25mm。
[比较例1]
除了在形成无机层26之后，在大气压中粘贴层叠膜30以外，与实施例1同样地制作阻气膜10。
具体地说，在形成无机层26之后，将PE制的剥离膜粘贴在无机层26上并卷取成卷状。取出卷取的卷，使用一般的RtoR的压合装置，一边将剥离膜剥离，一边将层叠膜30粘贴在无机层26上。
所制作的阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力为17N/25mm。
[比较例2及3]
除了将粘合层34的厚度分别设为5μm或1μm以外，与比较例1同样地制作比较例2及3的阻气膜。
所制作的各阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力分别为16N/25mm、15N/25mm。
[比较例4]
除了将粘合层34的厚度设为50μm以外，与实施例1同样地制作阻气膜10。
所制作的阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力为15N/25mm。
[比较例5]
除了将粘合层34的厚度设为30μm，将支撑体22的厚度设为23μm，将树脂层32的厚度设为50μm以外，与实施例1同样地制作阻气膜10。
所制作的阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力为15N/25mm。
[比较例6]
除了将粘合剂与固化剂的混合比例设为99.9﹕0.1以降低粘合力以外，与实施例1同样地制作阻气膜10。
所制作的阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力为17N/25mm。
[比较例7]
除了将粘合剂与固化剂的混合比例设为70﹕30以提高粘合力以外，与实施例1同样地制作阻气膜10。
所制作的阻气膜10的无机层26与粘合层34的密合力为64N/25mm。
对所制作的阻气膜进行以下测量。
(阻气性)
从所制作的阻气膜上切下样品，通过钙褪色法测量水蒸气透过率，评价阻气性。恒温恒湿处理的条件设为温度40℃、相对湿度90％RH。
(透光性)
使用日本电色工业株式会社制造的SH-7000，按照JIS K 7361(1997)测量所制作的阻气膜的总透光率，评价透光性。
(雾度)
使用日本电色工业株式会社制造的SH-7000，按照JIS K 7136(2000)测量所制作的阻气膜的雾度，评价雾度。
(耐划伤性)
将所制作的阻气膜的树脂层侧用蓝宝石针摩擦之后用上述方法测量阻气性并评价耐划伤性。
蓝宝石针磨损试验使用0.1mm的蓝宝石针，按照JIS K5600-5-5进行。另外，蓝宝石针磨损试验在20g加重下进行。
将以上的实施例1～12及比较例1～7中的阻气膜的结构及评价结果示于以下的表1至表3中。
[表1]
表1
[表2]
表2
[表3]
表3
从表1～表3可知，本发明的实施例与比较例相比，阻气性高，总透光率及雾度良好，耐划伤性优异。
另外，从实施例1～3的对比可知，粘合层的厚度越薄，雾度越低。
另外，从实施例1与实施例4～6的对比可知，通过具有基底层，阻气性更优异(水蒸气透过率变低)。
另外，从实施例1及实施例7～9可知，可使用各种树脂材料作为树脂层。
另外，从实施例1、实施例10及11的对比可知，支撑体的厚度越薄，总透光率越高。
另一方面，在比较例1～3中，因为无机层与粘合层的密合力低，所以空气进入无机层与粘合层之间，雾度降低。
另外，在比较例4及5中，因为粘合层的厚度太厚，所以总透光率低，雾度变高。另外，如果粘合层的厚度太厚，则会产生粘合层的凝聚剥离，受其影响，无机层破裂。因此，水蒸气透过率也变低。
根据以上结果，本发明的效果一目了然。
符号说明
10、12 阻气膜
22 支撑体
24 基底层
26 无机层
30 层叠膜
32 树脂层
34 粘合层
40 有机成膜装置
52、92 旋转轴
54a、54b 输送辊对
56 涂布部
58、58a、58b 干燥部
60 光照射部
62、108 卷取轴
66、104 供给卷
72、74、110 卷
80 无机成膜装置
82 真空室
82A 供给室
82B 成膜室
82C 卷取室
84A～84C 真空排气装置
92 旋转轴
94、96a、96b、106 传动辊
98、99 回收卷
100 成膜部
102 滚筒

Claims (14)

1.一种阻气膜，其依次具有支撑体、层叠于所述支撑体的一面侧的无机层、层叠于所述无机层的表面的粘合层以及层叠于所述粘合层的表面的树脂层，
所述粘合层的厚度d1为15μm以下，
所述无机层与所述粘合层的密合力为21N/25mm以上且60N/25mm以下。
2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，
所述树脂层的折射率n2与所述支撑体的折射率n3满足n2＜n3的关系。
3.根据权利要求1或2所述的阻气膜，其中，
所述树脂层的厚度d2与所述粘合层的厚度d1满足d1＜d2的关系。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其中
所述支撑体的厚度d3与所述粘合层的厚度d1满足d1＜d3的关系。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的阻气膜，其中，
雾度为3％以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的阻气膜，其中，
所述树脂层的折射率n2为1.38以上且1.65以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的阻气膜，其中，
所述树脂层含有氟树脂。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的阻气膜，其中，
所述粘合层包含丙烯酸类、硅酮及氨基甲酸酯中的至少一种，
所述粘合层的折射率n1为1.38以上且1.65以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的阻气膜，其中，
在所述支撑体与所述无机层之间具有基底层。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的阻气膜，其中，
所述粘合层、所述树脂层及所述支撑体中的至少一个含有紫外线吸收剂。
11.一种阻气膜的制造方法，其包括：在真空状态下，
通过等离子体CVD在支撑体的一面侧形成无机层的无机层成膜工序，以及
紧接在所述无机层成膜工序之后，将具有粘合层和树脂层的层叠膜以使所述粘合层与所述无机层相对的方式粘贴在所述无机层上的粘贴工序。
12.根据权利要求11所述的阻气膜的制造方法，其中，
在真空状态下，沿长边方向输送长条状的所述支撑体，同时进行所述无机层成膜工序及所述粘贴工序。
13.根据权利要求11或12所述的阻气膜的制造方法，其中，
还具有在所述支撑体上形成基底层的基底层形成工序，
在所述无机层成膜工序中，通过等离子体CVD在所述基底层的表面形成无机层。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的阻气膜的制造方法，其中，
所述层叠膜还具有层叠于所述粘合层侧的表面的剥离膜，
在所述粘贴工序中，将所述剥离膜剥离，同时将所述层叠膜粘贴在所述无机层上。
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