CN110572926B - 部件承载件中的rf功能和电磁辐射屏蔽 - Google Patents
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Abstract
提供了部件承载件、包括部件承载件的电子设备以及制造部件承载件的方法。该部件承载件包括:i)嵌入部件承载件中的电子部件,ii)布置在部件承载件的第一主表面的区域处的天线结构,iii)由导电材料制成并且被配置用于防止电磁辐射在天线结构与电子部件之间传播的屏蔽结构。在此,屏蔽结构布置成至少部分地位于天线结构与电子部件之间。此外,部件承载件包括导电结构,用以通过屏蔽结构使电子部件与天线结构电连接。屏蔽结构至少在位于天线结构与电子部件之间的平面中不被穿孔。
Description
技术领域
本发明涉及部件承载件、包括部件承载件的电子设备、以及制造部件承载件的方法。
背景技术
在配备有一个或多个电子部件的部件承载件的产品功能越来越多并且这种电子部件日益微型化以及待安装在部件承载件诸如印刷电路板上的电子部件的数量不断增多的背景下,越来越多地采用更强大的具有若干电子部件的阵列式部件或封装结构,该阵列式部件或封装结构具有多个触点或连接部,在这些触点之间的间隔越来越小。移除由这种电子部件和部件承载件自身在操作期间产生的热成为了日益凸显的问题。同时,部件承载件应是机械上稳固并且电气上和磁性上可靠的,以便即使在恶劣条件下也是可操作的。
由4G标准提供的共同数据速率可能不支持用于未来发展诸如物联网(IoT)和基带应用的通信需求。因此,即将到来的5G解决方案必须提供高Gbit/s数据速率以克服所谓的亚6Ghz和“毫米波”频谱范围(即在1GHz至300GHz之间)中的损耗。未来的技术发展将需要关于部件承载件的信号完整性的不断小型化和改进。磁的屏蔽和感应可以被视为对毫米波发展是非常重要的,因为信号强度可能变得更小。
图4示出了现有技术中的实例,根据该实例,承载件板400包括数字集成电路(IC)410和安装在其表面上的天线模块420。天线模块420可以配备有射频(RF)-IC。IC 410和天线模块420这两种实体安装成与彼此分离开并且例如利用接合线材进行连接。这种系统没有成本效益并且难以制造。此外,这些结构具有关于占据空间的高要求。此外,天线结构420和IC 410在相同的主表面(顶表面)上被执行。因此,屏蔽在天线结构420与IC 410之间传播的电磁辐射是困难的并且信号完整性降低。
这些缺点对于使用例如混合板或双板解决方案的其他现有技术实例来说也是如此。此外,这种承载件板结构是不对称的并且因此倾向于翘曲。此外,堆叠的(凸起的)天线需要用于接合金属的非铜材料,由于信号干扰,例如在Cu-Sn界面处的信号干扰,非铜材料会进一步降低信号完整性。
特别地,关于有效的电磁辐射屏蔽提供天线结构和IC结构、嵌入天线调谐器或天线IC、以及与部件承载件有关的小型化是一种挑战。
发明内容
可能需要以允许有效且可靠运行的方式将电磁辐射屏蔽集成在具有RF功能的部件承载件中。
提供了根据本发明示例实施方式的部件承载件、包括该部件承载件的电子设备、以及制造该部件承载件的方法。
根据本发明的示例性实施方式,提供了一种部件承载件,该部件承载件包括:i)电子部件,该电子部件嵌入部件承载件中,ii)天线结构,该天线结构布置在部件承载件的第一主表面的区域处,iii)屏蔽结构,该屏蔽结构由导电材料制成并且被配置用于防止电磁辐射在天线结构与电子部件之间传播。在此,屏蔽结构布置成至少部分地位于天线结构与电子部件之间。此外,部件承载件包括:iv)导电结构,用以通过屏蔽结构使电子部件和天线结构电连接。屏蔽结构至少在位于天线结构与电子部件之间的平面中不被穿孔。
根据本发明的另一示例性实施方式,提供了一种电子设备。电子设备包括:具有4G和/或5G功能的模块;以及如上所述的部件承载件。
根据本发明的另一示例性实施方式,提供了一种制造部件承载件的方法,其中,该方法包括:i)提供部件承载件的预成形件,ii)将电子部件嵌入部件承载件中,iii)形成屏蔽结构,该屏蔽结构由导电材料制成并且被配置用于防止电磁辐射在天线结构与电子部件之间传播,iv)在部件承载件的第一主表面的区域处形成至少部分地在屏蔽结构之上的天线结构,以及v)形成导电结构,用以通过屏蔽结构使电子部件和天线结构电连接。在此,屏蔽结构至少在位于天线结构与电子部件之间的平面中不被穿孔。
在本申请的上下文中,术语“部件承载件”可以特别地表示能够在其上和/或其中容纳一个或多个部件以用于提供机械支撑和/或电连接的任何支撑结构。换言之,部件承载件可以配置为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地,部件承载件可以是印刷电路板(PCB)、有机内插物、基板式PCB(SLP)和IC(集成电路)基板中的一种。部件承载件也可以是将上文所提到的类型的部件承载件中的不同部件承载件进行组合的混合板。
在本申请的上下文中,术语“天线结构”可以特别地表示例如通过传输线电连接到接收器或发射器的金属导体元件的布置结构。因此,天线结构可以被表示为下述电气构件:该电气构件将电能转换成无线电波,和/或反之亦然。天线结构可以与控制器(例如控制芯片)一起使用,该控制器诸如是无线电发射器和/或无线电接收器。在传输中,无线电发射器可以向天线结构的端子供应在射频下振荡的电流(即高频交流电),并且天线结构可以将来自电流的能量辐射为电磁波(特别是无线电波)。在接收模式下,天线结构可以拦截电磁波的一些能量以便在其端子处产生微小的电压,该微小的电压可以例如被供应给接收器以待被放大。在实施方式中,天线结构可以配置为接收器天线结构、发射器天线结构或收发器(即发射器和接收器)天线结构。在实施方式中,天线结构可以用于雷达应用。天线结构可以例如包括偶极天线、折叠偶极天线、环形天线、矩形回路天线、贴片天线或共面天线。天线结构还可以包括八木天线或分形天线。八木天线可以是用于所谓的毫米波应用的多波束定向天线。分形天线可以是另一类型的天线,其使用自相似设计以最大化总表面积中的材料的长度。分形天线可以是紧凑的和宽带的,并且可以用作用于许多不同频率的天线。
在本申请的上下文中,术语“屏蔽结构”可以指代下述结构:该结构被配置用于防止电磁辐射在两个不同的实体之间传播,该两个不同的实体例如是天线结构和部件承载件的另一部分诸如所嵌入的电子部件。这种电磁辐射屏蔽结构可以防止电磁辐射在下述两方面之间的不期望的串扰,所述两方面中的一方面为天线结构,所述两方面中的另一方面为部件承载件的至少一个部件(其可以例如嵌入在部件承载件中)和/或电子环境和/或部件承载件的另一天线结构。屏蔽结构优选地由导电材料制成,所述导电材料例如金属,特别是铜。屏蔽结构可以是不同的形状,例如层或矩形。屏蔽结构也可以由导磁材料制成。
在本申请的上下文中,术语“未被穿孔的屏蔽结构”可以指代屏蔽结构不被穿孔的情况。穿孔可以是在薄材料诸如层中的小孔。创建穿孔的过程可以包括利用工具刺穿工件或使用激光进行切割。此外,可以使用光可成像的电介质。创建穿孔的过程也可以包括仅在特定的区域处沉积材料使得在没有沉积材料的其他区域处创建穿孔。例如,屏蔽结构可以通过沉积铜以便形成铜层而被创建。当仅在特定的区域处沉积铜而没有将铜沉积在其他区域上时,该其他区域可以被称为屏蔽结构的穿孔。未被穿孔的屏蔽结构还可以被表示为连续的屏蔽结构,意味着在所述结构中不存在孔、腔或穿孔。
在本申请的上下文中,术语“平面”可以表示定向成与屏蔽结构的两个主延伸方向平行的虚拟的平面区域。在屏蔽结构形成为层的情况下,可以容易地限定两个主延伸方向。该平面可以由许多对象在侧向上定界(delimit,界定、定…的界限)。例如,该平面可以由布置在屏蔽结构之上/之下的天线结构和电子部件在侧向上定界。由于屏蔽结构至少部分地布置在天线结构与电子部件之间,所以该平面的一部分也布置在天线结构与电子部件之间。在此,在与该平面的两个主延伸方向相垂直的方向上,该平面的边界可以由天线结构和电子部件的边界来限定。换言之,如果在所述方向上不存在位于屏蔽结构之上的天线结构和/或位于屏蔽结构之下的电子部件,那么该平面被定界在这一侧。此外,该平面可以由导电结构的第一部分定界。在这一情况下,该平面在侧向上由天线结构、电子部件和所述第一结构的边界定界。在存在另外的导电结构的另外的第一部分的情况下,该平面也可以由所述另外的第一部分的边界定界。当考虑平面的边界时,可以将对象的引起该平面的较大限定的一个边缘考虑进去。此外,也可以将对象的引起该平面的较小限定的一个边缘考虑进去。如果使用导磁结构,也是如此。
在本申请的上下文中,术语“导电结构”可以表示适合于将电子部件与天线结构电连接的任何结构。导电结构可以包括互连过孔和/或平面金属层。导电结构可以包括若干部分,例如用于将电子部件与导电层(例如再分布层)连接,或者用于将导电层与屏蔽层连接。以这一方式,导电结构的至少一部分可以定向在电子部件的侧向侧处,从而部分地围绕电子部件。就像屏蔽结构那样,导电层可以是未被穿孔的。例如,导电结构的至少部分地围绕电子部件的第一部分可以是未被穿孔的。
在本申请的上下文中,术语“4G和/或5G功能”可以指代已知的无线系统标准。4G(或LTE)是已建立的标准,而5G是在不久的将来可以被标准化的即将到来的技术。电子设备也可以适合于未来的发展诸如6G。此外,电子设备可以遵守WiFi标准诸如2.4GHz、5GHz和60GHz。电子设备的“模块”可以例如是所谓的无线联合体(集成有WiFi、蓝牙、GPS……)、射频前端(RFFE)或低功耗广域(LPWA)网络模块。电子设备可以例如是膝上型电脑、笔记本电脑、智能手机、便携式WiFi电子狗、智能家电或机器对机器网络。所描述的部件承载件可以集成到模块中或者可以布置成与模块分离开。尽管所描述的模块通常包括单独的天线,但是所描述的部件承载件可以被实现成设置有电子设备,其中,天线结构布置在模块内,例如以嵌入的方式布置在模块内。此外,电子设备可以用于雷达应用,例如在工业领域(工业雷达)中或者在汽车领域中。在此,天线结构和/或电子部件可以被配置用于雷达应用。在汽车的情况下,取决于方位和期望的信道,可以存在更多必要的电子部件(例如至少三个)。
在本申请的上下文中,术语“雷达”可以指代对象检测,该对象检测使用电磁波来确定一个或多个对象的范围、角度或速度。雷达布置结构可以包括发射电磁波(例如在无线电或微波范围内)的发射器。来自发射器的电磁波从对象反射并返回至接收器。在此,一个天线结构可以用于发射和接收。此外,处理器诸如电子部件可以用于基于接收到的电磁波来确定对象的性质诸如位置和速度。
根据本发明的示例性实施方式,提供了具有集成式天线功能和嵌入式电子部件的部件承载件,该嵌入式电子部件特别是高频(HF)芯片(例如HF-CMOS、SiGe BiCMOS、GaN、GaAs、InP),在该部件承载件中,电子部件(例如MEMS设备)被有效地庇护免受从天线结构传播至该电子部件的电磁辐射。导电屏蔽结构将电子部件连接到天线结构。此外,导电结构通过屏蔽结构连接到天线结构,其中,屏蔽结构是未被穿孔的。以这一方式,导电结构与屏蔽结构一起形成绕电子部件的未被穿孔的电磁辐射屏蔽区。
以这一方式,在部件承载件中在有效且稳固屏蔽的情况下提供了完全集成的RF功能。因为屏蔽结构不被穿孔,所以该屏蔽非常有效的用以确保了最佳的信号完整性。尤其在HF应用的领域中,例如对于5G模块来说,高度的信号完整性是强制性的。此外,部件承载件可以包括有利的热管理。屏蔽结构和导电结构可以被装配,可以由具有非常高的热导率的材料(例如铜)制成。以这一方式,所组合的屏蔽结构/导电结构可以提供有效的散热。因此,不仅实现了非常有效的电磁屏蔽,同时,还实现了非常有效的热管理。所提供的部件承载件的层积层可以以对称的方式布置,其中,天线结构在部件承载件的第一主表面上,并且扇出区域(例如再分布层)在部件承载件的第二主表面(与第一主表面相反)上。部件承载件适合于精细的线结构以产生最佳的信号特性,并且通过使用适合的材料产生集成式热管理(参见下文)。此外,所描述的部件承载件允许使用单一的金属,例如铜,使得可以避免翘曲,尤其是在对称层积层的情况下。所描述的部件承载件还能够最小化制造复杂性和成本。
根据另外的实施方式,所描述的部件承载件可以应用在雷达应用的环境中。尤其是关于工业和/或汽车的雷达应用。雷达应用可以在65GHz以及中或长范围内的更高频率的频率范围内执行,该中或长范围内的更高频率在现今通常是从77GHz至81GHz,但可以增加至90GHz,并且因为技术能力会进步,所以从长远来看甚至更高。对于汽车(例如距离雷达)或工业应用(例如液位指示器)来说,雷达应用尤其可以在毫米波的范围内执行。在这些实例中,天线结构和电子部件(例如用于雷达应用的HF部件)可以有利地布置成空间近距而不发生不期望的寄生效应。
在下文中,将对方法和部件承载件的另外的示例性实施方式进行解释。
在实施方式中,导电结构的第一部分在侧向上至少部分地围绕电子部件。这具有的优点在于可以提供更有效的屏蔽,因为电子部件也在侧向上被屏蔽。
在实施方式中,屏蔽结构至少在位于天线结构、电子部件和导电结构的第一部分之间的平面中不被穿孔。以这一方式,提供了甚至更有效的屏蔽,因为屏蔽结构形成了延伸直到导电结构的侧向屏蔽的第一部分的连续层。
在实施方式中,屏蔽结构形成为层并且包括金属,特别是铜。这具有的优点在于,可以使用已知且成熟的工艺来有效地制造屏蔽结构。
存在许多成熟的用于在部件承载件中形成金属诸如铜的层结构的技术。当部件承载件中的导电结构由相同的材料例如铜制成时,可以避免翘曲并且减少了制造工作量。
在实施方式中,电子部件在背离天线结构的主表面区域处包括至少一个端子,其中,端子连接到导电结构的第二部分,该导电结构的第二部分延伸远离端子。这具有的优点在于,嵌入的电子部件可以以稳固的方式电连接到天线结构而无需额外的设备。
用于电子部件的端子是熟知的,并且许多种类的端子是适合的,只要它们可电连接到可以包括互连过孔和/或金属层的导电结构。
在实施方式中,导电结构包括再分布层,该再分布层布置在部件承载件的第二主表面处,特别地,其中,第二主表面是与部件承载件的第一主表面相反的一侧。这具有的优点在于,提供了灵活的扇出区域,而同时导电结构的第一部分和第二部分可以以有效且稳固的方式进行连接。
再分布层(RDL)可以是在电子部件或部件承载件上的包括导电材料的额外的层(例如金属层),该额外的层使得集成电路的I/O(内部/外部)焊垫(pad,焊盘)对其他位置可用。当集成电路被制造出来时,其通常具有电连接(例如线材接合)至封装结构的引脚的一组I/O焊垫。再分布层可以是在芯片上布线的层,使得能够进行较简单的芯片到芯片、芯片到部件承载件、或部件承载件到部件承载件的接合。在实施方式中,在部件承载件的再分布层侧的端子小于在部件承载件的与再分布层相反的一侧的端子。例如,再分布层可以包括在背离嵌入部件的一侧的焊球和/或铜柱,以便可连接到另一实体。
在实施方式中,导电结构的第二部分布置在端子与再分布层之间并且使端子和再分布层电连接。因为第二部分延伸远离嵌入部件并且第一部分在侧向上围绕电子部件,所以提供了最佳的屏蔽。
在实施方式中,导电结构的第一部分布置在再分布层与屏蔽结构之间并且使再分布层和屏蔽结构电连接。这具有的优点在于,建立了从电子部件到再分布层、以及从再分布层到屏蔽结构的非常有效的电连接。功能层/结构被直接地包括到电连接结构中,从而节省了成本和工作量。此外,以所描述的方式,导电结构形成了绕电子部件的屏蔽区以便使信号完整性最佳。
在实施方式中,导电结构包括:至少一个互连过孔,特别是微过孔;以及至少一个导电层,特别是平面金属层。这具有的优点在于,已知且成熟的结构可以用于制造部件承载件。尤其是用于晶片互连的微过孔提供了最佳的信号完整性。平面铜层和通孔过孔可以用于创建绕电子部件的屏蔽区。在优选的实施方式中,屏蔽区不被穿孔。
过孔(竖向的互连通路)是在下述物理电子电路中的层之间的电连接结构,该物理电子电路穿过一个或多个邻近层的平面。术语过孔可以包括通孔过孔、掩埋过孔和盲过孔。微过孔用作高密度互连(HDI)基板和印刷电路板(PCB)中的层之间的互连结构,以容纳高I/O密度的先进封装结构。微过孔可以例如由IPC标准(2013)限定为具有1:1的纵横比的孔,纵横比是孔的直径与深度的比例(不超过0.25mm)。
在实施方式中,部件承载件包括至少一个另外的导电结构,该另外的导电结构具有该导电结构的另外的第一部分,该另外的第一部分至少部分地围绕电子部件,使得导电结构和另外的导电结构形成绕电子部件的电磁辐射屏蔽区。在此,屏蔽结构在位于天线结构、电子部件、导电结构的第一部分和另外的导电结构的另外的第一部分之间的平面中不被穿孔。这具有的优点在于,可以提供甚至更有效的屏蔽。
另外的导电结构可以例如布置在导电结构的相对于电子部件的相反侧上。可以布置多个另外的导电结构,例如四个或更多个。另外的导电结构应用得越多,屏蔽区越密集并且电子部件的屏蔽可以越好。在实施方式中,使用多个另外的导电结构,电子部件可以被至少部分地、牢牢地密封。在另一优选的实施方式中,屏蔽区的导电结构中的每一个导电结构都不被穿孔。
在实施方式中,导电结构包括布置在部件承载件的第一主表面的区域处的导电部分,其中,导电部分电连接到天线结构。这具有的优点在于,天线结构可以以灵活的方式被接触。
该部分可以形成为层、焊垫或端子。该部分的许多其他的实施方式也是可能的。该部分可以包括导电材料并且可以建立导电结构与天线结构之间的连接。该部分和天线结构可以通过线材接合、传导层或导体轨道进行连接。然而,许多其他的实施方式是可能的。
在实施方式中,部件承载件包括布置在天线结构处的介电层,特别是在80GHz具有不大于0.0008的耗散因数的介电层。在另一实施例中,在10GHz,耗散因数不大于0.005,特别是不大于0.003,更特别地是不大于0.0015。根据另外的实施例,在100GHz不大于0.00015。这具有的优点在于,高频损耗被减少。
介电层包括电绝缘材料。在优选的实施方式中,介电层包括低df(耗散因数)值和/或低dk(相对磁导率)值。介电层可以是高频介电。术语“高频介电”可以特别地表示下述电绝缘材料:当高频或射频信号在该高频介电的直接环境中从天线结构传播或传播至该天线结构时,该电绝缘材料具有低损耗性质。特别地,高频介电可以具有比部件承载件材料的堆叠体的标准预浸材料低的损耗。作为实例,由Rogers Corporation公司市售的RO3003TM材料可以用作高频介电。另一实例是具有小于3.0的Dk或小于0.001的Df的材料(例如PTFE或LCP(液晶聚合物))。例如,高频介电材料可以具有的耗散因数在10GHz不大于0.005,特别是不大于0.003,更特别地是不大于0.0015。所提到高频电路材料可以是例如陶瓷填充的PTFE(聚四氟乙烯)复合物。
在实施方式中,屏蔽结构至少部分地集成在高频介电中。这允许将有效的电磁辐射屏蔽功能与紧凑设计进行组合。此外,这确保了屏蔽被实施成在空间上非常靠近天线结构,并且因此非常有效地靠近射频波的源或目的地。
在实施方式中,电子部件嵌入电绝缘材料中,特别是具有匹配的热膨胀系数(CTE)的介电材料,特别是具有在1至10ppm之间的CTE的介电材料,更特别地是具有在3至7ppm之间的CTE的介电材料。在氮化镓的情况下,CTE尤其可以是约6ppm。这具有的优点在于,电子部件可以被高度可靠地包封。
在实施方式中,部件承载件还包括芯结构,特别是中心芯结构,其中,芯结构包括腔,并且其中,电子部件至少部分地布置在腔内部。这具有的优点在于,可以提供具有高信号完整性特性的稳固的部件承载件。
芯可以由电绝缘材料(参见下文列举的材料)制成。芯也可以包括与上文所描述的介电层相同的材料。术语“中心”在本上下文中可以指代部件承载件的相对于芯的对称积层。
在实施方式中,部件承载件的水平层积层关于嵌入的电子部件对称,特别是关于在芯结构的腔中的嵌入的电子部件对称。这具有的优点在于,减少了翘曲的风险,同时简化了制造并且可以改进信号完整性。
在实施方式中,导电结构由一种单一的金属特别是铜构成。这也具有下述优点:减少了翘曲,同时简化了制造(不需要别的材料)并且改进了信号完整性。
在实施方式中,电子部件是高频HF部件。这具有的优点在于,电子部件可以在非常高的数据速率下运行。HF部件可以是用于所谓的“毫米波”应用的芯片或芯片组。HF部件可以是由下述构成的组中的一种:HF-CMOS、SiGe、BiCMOS、GaN、GaAs和InP。此外,HF部件可以被配置用于雷达应用。
至少一个部件可以嵌入部件承载件中。该至少一个部件可以选自由下述构成的组:不导电嵌体、导电嵌体(诸如金属嵌体,优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如热管)、导光元件(例如光波导或光导体连接结构)、电子部件、或上述的组合。例如,部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备(例如DRAM或另一数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、加密部件、发射器和/或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、蓄电池、开关、摄像机、逻辑芯片、导光件以及能量收集单元。然而,其他的部件也可以嵌入部件承载件中或表面安装在部件承载件上。例如,磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永久磁性元件(诸如铁磁性元件、反铁磁性元件或铁磁性元件,例如铁氧体耦接结构)或者可以是顺磁性元件。然而,部件也可以是另外的部件承载件,例如在板中板的构造中。此外,部件可以是甚至在结构的特定区域中的最佳的磁性材料。
在实施方式中,在天线结构之下布置有经切割部分,其中,经切割部分形成有腔,并且其中,腔至少部分地填充有气体,特别是空气。这具有的优点在于,腔允许电磁波传播到天线结构的近处中,同时设置在腔表面上的导电材料提供了有效的电磁屏蔽。
在实施方式中,部件承载件包括具有第一经切割部分的第一部件承载件部分,并且部件承载件包括具有第二经切割部分的第二部件承载件部分。第一经切割部分和第二经切割部分面向天线结构的相反的主表面。在第一经切割部分的表面上以及在第二经切割部分的表面上设置有导电材料。第一经切割部分和第二经切割部分相应地在天线结构的相反侧上形成第一腔和第二腔,并且第一腔和第二腔至少部分地填充有气体,特别是空气。这具有的优点在于,提供了与悬挂式带状线结构(SSS)相似的积极效果,同时封装更紧凑,而无需外部金属壳体以及与安装外部金属壳体相联系的成本和劳动力。
腔优选地填充有适合于传播电磁波的另一介质的空气。腔允许电磁波传播到天线结构的近处中,同时设置在腔表面上的导电材料可以提供有效的电磁屏蔽。
在实施方式中,该至少一个电绝缘层结构包括由下述构成的组中的至少一种:树脂(诸如增强树脂或非增强树脂,例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂,更具体地是FR-4或FR-5);氰酸酯;聚亚苯基衍生物;玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、玻璃式材料);预浸材料;聚酰亚胺;聚酰胺;液晶聚合物(LCP);环氧基积层膜;聚四氟乙烯(特氟隆);陶瓷;以及金属氧化物。也可以使用增强材料,诸如网状物、纤维或球体,例如是由玻璃(多层玻璃)制成的。虽然预浸料或FR4通常是优选的,但是也可以使用其他材料。对于高频应用来说,高频材料诸如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂可以在部件承载件中被实现为电绝缘层结构。
在实施方式中,方法还包括:i)提供芯结构,特别是中心芯结构,ii)从芯结构移除材料以便在芯结构中形成腔,以及iii)在电子部件被嵌入之前,将电子部件置成至少部分地位于腔中。这具有的优点在于,可以应用成熟且可靠的制造技术来提供稳固且有效的部件承载件。
在实施方式中,移除材料包括减成过程和/或经修改的半加成过程(mSAP)。这具有的优点在于,可以产生直的侧壁,并且从而可以改进信号特性、功率输送和热管理。
减成方法从涂覆有金属的部件承载件移除金属(例如铜)以仅留下期望的金属图案。通过使用mSAP,非常薄的金属层(铜)可以被涂覆到部件承载件上以及被镀覆在没有施加抗蚀剂的区域中。余留在导电结构之间的空间中的薄金属然后被蚀刻掉。以这一方式,导电结构可以以更好的精度形成,具有直的竖向线,从而产生矩形形状的截面,矩形形状的截面使电路密度最大化并且能够实现低信号损耗。此外,在侧壁镀层上存在低的粗糙度。
在实施方式中,形成导电结构包括半加成过程(SAP)。这具有的优点在于,可以有效地产生精细的线结构和直的侧壁,其提供了高水平的信号完整性并且使信号损耗最小化。此外,在轨道足迹上较低的粗糙度是可能的。
用于获得导电图案的标准SAP过程可以包括籽晶层(例如无电金属)沉积和蚀刻和/或电镀覆。未经图案化的部件承载件可以具有已经在其上的薄金属(铜)层。然后施加反向掩模(不像减成过程掩模那样,这一掩模使基板的最终会变成迹线的那些部分暴露)。然后可以将额外的金属镀覆到在未被遮掩的区域中的部件承载件板上。然后,可以将金属镀覆到任何期望的重量。然后可以施加锡铅或其他表面镀层。可以除去掩模,并且简洁的蚀刻步骤可以从部件承载件移除现在所暴露的裸原始金属层压体,从而隔离出单独的迹线。可以以这一方式制成具有镀覆通孔的一些单侧板。(半)加成过程也可以用于多层板,因为它促进了孔的镀覆穿过以在电路板中产生导电过孔。
在实施方式中,天线结构形成为多个导电层结构中的一个图案化的导电层结构的至少一部分。将天线结构集成在部件承载件材料的导电部分中使部件承载件呈现为高度紧凑的整体。
在实施方式中,天线结构配置为方向性天线结构。方向性天线结构可以表示为下述天线结构:其在特定的方向上辐射或接收较大的功率,从而允许增加的特性和减少的来自不想要的源的干扰。当期望在一定的方向上的较大的辐射浓度时,方向性天线提供了超过偶极天线或全向天线的增加的特性。在此,可以期望竖向结构和水平结构两者,用于最优信号。
在实施方式中,部件承载件包括另外的天线结构。天线结构和另外的天线结构中的一者被配置用于第一功能,特别是近场通信,并且天线结构和另外的天线结构中的另一者被配置用于第二功能,特别是宽范围通信。因此,多种不同的RF功能可以被紧凑地集成在共用的部件承载件中。
在实施方式中,部件承载件包括多个单元。一个单元的实例例如示出在图2中。一个单元可以包括一个或多个天线结构。相应地,所述单元也可以包括屏蔽结构。一个单元也可以不包括天线结构。单元可以彼此邻近地或可以在空间上分离开地布置在部件承载件内。部件承载件可以包括相对于彼此侧向布置的多个单元。这可以提供的优点在于,可以以非常灵活的方式设计具有多个功能的部件承载件。
如上文所提到的,部件承载件可以包括至少一个电绝缘层结构和/或至少一个导电层结构的堆叠体。例如,部件承载件可以是所提到的电绝缘层结构和导电层结构的层压体,该层压体特别地通过施加机械压力——如果期望的话由热能支持——而形成。所提到的堆叠体可以提供能够为另外的部件提供大安装表面并且仍然非常薄和紧凑的板状部件承载件。术语“层结构”可以特别地表示在共用平面内的连续层、图案化层或多个不连续的岛状件。
在实施方式中,部件承载件成形为板。这有助于紧凑设计,然而其中,部件承载件为在其上安装部件提供了大的基底。此外,特别地,作为嵌入式电子部件的实例的裸晶片得益于其厚度小可以方便地嵌入薄板诸如印刷电路板中。
在实施方式中,部件承载件配置为由印刷电路板、基板式印刷电路板和基板(特别是IC基板)构成的组中的一种。
在本申请的上下文中,术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示通过将若干导电层结构与若干电绝缘层结构层压而形成的部件承载件(其可以是板状的(即,平面的)、三维弯曲的(例如当使用3D打印制造时)或者其可以具有任何其他形状),该层压例如通过施加压力——如果期望的话伴随有热能的供应——来进行。作为用于PCB技术的优选材料,导电层结构由铜制成,而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维,所谓的预浸料或FR4材料。通过例如以激光钻孔或机械钻孔的方式形成穿过层压体的通孔,并且通过用导电材料(特别是铜)填充该通孔从而形成作为通孔连接结构的过孔,可以以期望的方式将各导电层结构连接至彼此。除了可以嵌入印刷电路板中的一个或多个部件之外,印刷电路板通常配置成在板状印刷电路板的一个表面或两个相反表面上容纳一个或多个部件。它们可以通过焊接连接至相应的主表面。PCB的介电部分可以由具有增强纤维(诸如玻璃纤维)的树脂构成。
在本申请的上下文中,术语“基板”可以特别地表示具有待安装在其上的部件(特别是电子部件)的部件承载件。更具体地,基板可以被理解为用于电连接结构或电网络的承载件以及与印刷电路板(PCB)相当但具有相当高密度的横向和/或竖向布置的连接结构的部件承载件。横向连接结构例如是传导路径,而竖向连接结构可以是例如钻孔。这些横向和/或竖向连接结构布置在基板内,并且可以用于提供被容置部件或未被容置部件(诸如裸晶片)特别是IC芯片的被容置部件或未被容置部件与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接结构和/或机械连接结构。因此,术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以由具有增强球体(诸如玻璃球体)的树脂构成。
此外,部件承载件可以配置为基板式印刷电路板(SLP)。
在实施方式中,该至少一个电绝缘层结构和/或导电结构包括由下述构成的组中的至少一种:铜、铝、镍、银、金、钯、钴和钨。虽然铜通常是优选的,但是其他材料或其涂覆的变型也是可以的,特别是涂覆有超导材料诸如石墨烯。
在实施方式中,导电结构,特别是屏蔽结构,至少部分地涂覆有超导材料和/或至少部分地由超导材料构成。超导材料可以是这样的材料,其中,电阻是不可测量的,即电阻约为零。另外的导电结构也可以至少部分地包括超导材料。
在实施方式中,部件承载件是层压型体。在这种实施方式中,部件承载件是通过施加按压力——如果期望的话伴随有热——而堆叠和连接在一起的多层结构的复合体。
根据下面将描述的实施方式的实施例,本发明的以上限定的方面和其他方面变得明显,并且参考实施方式的这些实施例对其进行解释。
附图说明
图1a至图1c分别例示了根据本发明的示例性实施方式的部件承载件的截面图。
图2例示了根据本发明的示例性实施方式的包括芯结构的部件承载件的截面图。
图3a至图3e分别示出了在实施制造根据本发明的示例性实施方式的包括芯结构的部件承载件的方法期间所获得的结构的截面图。
图4例示了现有技术的实例。
附图中的图示是示意性的。在不同的附图中,相似或相同的元件设置有相同的附图标记。
具体实施方式
在参考附图进一步详细地描述示例性实施方式之前,将先概述发展本发明的示例性实施方式所基于的一些基本考虑。
根据本发明的示例性实施方式,提供了具有高度可靠的集成式射频区域的部件承载件。更具体地,可以预见这种部件承载件中受保护的高度可靠的集成式高频区域。
根据示例性实施方式,提供了以下优点,所述优点为用于下述的封装解决方案:RF芯片,用于最优信号性能的精细的线扇出,集成式屏蔽,集成式热管理,电力供应,到数字部分的连接,用于多束的天线功能,用于使性能最佳的集成式感应器/磁性件,以及用于连接多束元件以及调谐的Z方向连接结构。
根据示例性实施方式,完全集成的RF封装可以设置有集成式屏蔽、热管理和对称积层,其中,天线在表面(底侧)上并且扇出(例如再分布层)在表面(顶侧)上。这允许使用部件的单一金属(铜)和最佳屏蔽以确保最佳的信号完整性、避免翘曲并且通过对称积层使制造复杂性和成本最小化。
将射频功能集成在部件承载件诸如印刷电路板(PCB)中涉及一定的介电材料方面的要求。例如,可以使用由Rogers Corporation提供的高频材料,通常需要将该材料用作完整的层。这涉及显著的成本花销并且还产生了沿着部件承载件的大部分在空间上延伸的材料桥。通常,这种天线结构布置在部件承载件的外表面,这使天线结构倾向于由于机械损坏而发生故障。这些和其他缺点通常限制了具有集成式天线结构的部件承载件的可靠性。
在本发明的所有实施方式中,可以额外地提供一个或多个屏蔽过孔以便额外地保护天线信号。集成一个或多个空气腔也是可以的。
根据示例性实施方式,设置有一个或多个额外的屏蔽结构用于屏蔽腔,特别是屏蔽在腔内的电子部件。腔形成在电绝缘的芯结构中并且芯结构可以被导电材料例如铜至少部分地围绕。所述导电材料可以因此用作额外的屏蔽结构。在另一实施方式中,额外的导电结构可以布置成使得提供用于腔的侧屏蔽。
此外,所谓的“板中x”技术可以用于将包括天线结构的板部分地集成到部件承载件中。板中X是使用与部件承载件的其余部分不同的材料和/或堆叠方式和/或设计规则的局部化的子部件承载件区域。其可以用于集成不同的材料以及管理基板之间的间距(pitch,俯仰)改变(translation,转换)。板中X也集中于成本优化,因为其提供了两个成本最佳的材料结构的集成。
图1a例示了部件承载件100的示例性实施方式,该部件承载件100包括嵌入该部件承载件的电绝缘材料105中的电子部件110。电子部件110在此是高频(HF)芯片。部件承载件100包括第一主表面102以及与第一主表面102相反的第二主表面101。平面天线结构120布置在部件承载件100的第一主表面102的区域处。天线结构120布置在介电层106处或嵌入该介电层,该介电层包括低Dk值和/或低Df值。在介电层106之下布置有电磁辐射屏蔽结构130,该电磁辐射屏蔽结构形成为层并且由导电金属制成,该导电金属例如是铜。屏蔽结构130被配置用于防止电磁辐射在天线结构120与电子部件110之间传播。屏蔽结构130布置在位于天线结构120与电子部件110之间的平面中,以便提供天线结构120与电子部件110之间的最大屏蔽效果。此外,部件承载件100包括导电结构150,用以通过屏蔽结构130电连接电子部件110与天线结构120。导电结构120包括三个主要部分:第一部分153、第二部分152以及配置为再分布层155的第三部分。即使再分布层155被示意性地示出为完整的层,本领域技术人员也知晓再分布层155可以根据相应的应用被穿孔和/或被分离成不同的部分。导电结构的第一部分153由多个互连过孔153a和平面层153b形成。过孔153a和平面层153b两者由相同的金属例如铜制成。导电结构的第一部分153定向在电子部件110的侧向,从而在侧向上至少部分地围绕电子部件110。再分布层155布置在部件承载件100的第二主表面101处,该第二主表面与第一主表面102相反。再分布层155电连接到导电结构的第一部分153。导电结构的第二部分152布置在电子部件110与再分布层155之间。就像导电结构的第一部分153那样,导电结构的第二部分152也包括互连过孔152a和平面层152b。电子部件110在背离天线结构120的主表面区域110a上包括端子151。端子151连接到导电结构的第二部分152,该第二部分延伸远离端子151。以所描述的方式,导电结构150经由该导电结构的第二部分152将电子部件110电连接到再分布层155。导电结构153还经由该导电结构的第一部分153将再分布层155连接到屏蔽结构130。在此,屏蔽结构130至少在下述平面P(以虚线示出)中未被穿孔,该平面P平行于该屏蔽结构130,且位于天线结构120、电子部件110和导电结构的第一部分153之间。屏蔽结构130还连接到导电部分122,该导电部分还连接到天线结构120。部件承载件100的层积层包括:i)中心电绝缘材料105,电子部件110嵌入在该中心电绝缘材料中,ii)在电绝缘材料105顶部的导电屏蔽结构130,以及iii)在电绝缘材料105之下的导电再分布层155。因此,部件承载件100以对称的方式积层。此外,部件承载件100包括另外的导电结构160。该另外的导电结构160包括另外的第一部分163,该另外的第一部分在侧向上至少部分地围绕电子部件110。以这一方式,导电结构150和该另外的导电结构160形成绕电子部件110的屏蔽区,以便庇护电子部件110免受来自天线结构120的电磁辐射。
图1b例示了部件承载件100的示例性实施方式的在截面上的俯视图。电子部件110嵌入部件承载件100的电绝缘材料105中。部件承载件100包括多个另外的导电结构160。每一个另外的导电结构160包括另外的第一部分163,该另外的第一部分在侧向上至少部分地围绕电子部件110。以这一方式,导电结构150和另外的导电结构160形成绕电子部件110的屏蔽区,以便庇护电子部件110免受来自天线结构120的电磁辐射。平面P的大小由虚线示出,在该平面中屏蔽结构未被穿孔,并且该平面在侧向上由第一部分导电结构153、163定界。
图1c例示了部件承载件100的另一示例性实施方式的截面图。该部件承载件100与图1a的部件承载件100非常相似,不同之处在于,多个电子部件110嵌入部件承载件100中并且该部件承载件100包括另外的导电结构160。该另外的导电结构160包括另外的第一部分163,该另外的第一部分在侧向上至少部分地围绕电子部件110。以这一方式,多个不同的电子部件110可以布置在由屏蔽结构130、导电结构150和另外的导电结构160定界的屏蔽区域中。在此,屏蔽结构130和再分布层155被导电结构150和另外的导电结构160共用。将电子部件110与再分布层进行连接的第二部分152、162也在导电结构150和另外的导电结构160之间被共用。而且在这一实施方式中,屏蔽结构130在下述平面P(由虚线示出)中未被穿孔,该平面P位于天线结构120、多个电子部件110、导电结构的第一部分153和另外的导电结构的另外的第一部分163之间。部件承载件100的层积层包括:i)中心电绝缘材料105,电子部件100嵌入在该中心电绝缘材料中,ii)在电绝缘材料105顶部的导电屏蔽结构130,以及iii)在电绝缘材料105之下的导电再分布层155。因此,部件承载件100以对称的方式积层。
图2例示了根据本发明的示例性实施方式的部件承载件200的截面图。部件承载件200包括中心芯结构205,该芯结构布置在电绝缘材料105的中心。芯结构205包括腔206,电子部件110布置在该腔206中。芯结构205被导电材料围绕。以这一方式,腔206,特别是在腔206内的电子部件110,被额外地屏蔽。电子部件110嵌入电绝缘材料105中,并且在电子部件110与芯结构205之间的腔206还填充有电绝缘材料105。部件承载件200的层积层包括:i)嵌入在电绝缘材料105中的中心芯结构205,ii)布置在电绝缘材料105顶部的导电屏蔽结构130,以及iii)布置在介电材料105之下的导电再分布层155。因此,部件承载件200以对称的方式积层。屏蔽结构130在一区域中被穿孔,该区域不在位于天线结构120、电子部件110、导电结构的第一部分153和另外的导电结构的另外的第一部分163之间的平面P中。
根据示例性实施方式,在图2中所描述的结构代表可以多于一次地布置在部件承载件200内的一个单元。例如,部件承载件200包括相对于彼此侧向地布置的至少两个如图2中所描述的单元。这些单元可以布置成彼此邻近或在一定的距离内。此外,图2中所示出的单元可以设置成没有天线结构120。以这一方式,可以设置下述部件承载件200,其具有:i)一个或多个根据图2的具有天线结构120的单元,以及ii)一个或多个根据图2的没有天线结构120的单元。在此,所述单元可以相对于彼此侧向地布置。
图3a至图3e示出了在实施制造根据本发明的示例性实施方式的部件承载件100的方法期间所获得的结构的截面图。
图3a例示了设置部件承载件100的预成形件的步骤。预成形件包括芯结构205和互连过孔153a。
图3b例示了从芯结构205移除材料以便在芯结构205中形成腔206的步骤。
图3c例示了将电子部件110置于腔206内部的步骤。此外,图3c例示了将电子部件110包封在介电材料105中的步骤。
图3d例示了通过形成到电子部件110的电接触来形成导电结构的第二部分152的步骤。此外,过孔153a被延伸以便形成导电结构的第一部分153。
图3e例示了形成屏蔽结构130和天线结构120以完成部件承载件200(参见图2)的步骤。应当注意,导电结构150和屏蔽结构130由相同的材料特别是铜制成。
应当注意,术语“包括”不排除其他的元件或步骤,并且“一(a)”或“一(an)”不排除多个。而且,与不同的实施方式相联系被描述的元件可以进行组合。
还应当注意,权利要求中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实施方案不限于在附图中所示出的以及上文所描述的优选实施方式。代替地,甚至在根本不同的实施方式的情况下使用示出的解决方案和根据本发明的原理的多种变型也是可能的。
附图标记
100、200 部件承载件
101 第二主表面
102 第一主表面
105 电绝缘材料
106 介电层
110 电子部件
110a 电子部件的主表面
120 天线结构
122 导电部分
130 屏蔽结构
150 导电结构
151 端子
152 导电结构的第二部分
152a、153a、163a 互连过孔
152b、153b、163b 金属层
153 导电结构的第一部分
155 再分布层
160 另外的导电结构
163 导电结构的另外的第一部分
205 芯结构
206 芯结构中的腔
400 现有技术的承载件板
410 现有技术的数字IC
420 现有技术的天线模块
P 平面。
Claims (47)
1.一种部件承载件(100),包括:
电子部件(110),所述电子部件嵌入所述部件承载件(100)中;
天线结构(120),所述天线结构布置在所述部件承载件(100)的第一主表面(102)的区域处;
屏蔽结构(130),所述屏蔽结构由导电材料制成并且被配置用于防止电磁辐射在所述天线结构(120)与所述电子部件(110)之间传播,其中,所述屏蔽结构(130)布置成至少部分地位于所述天线结构(120)与所述电子部件(110)之间;
导电结构(150),所述导电结构用以通过所述屏蔽结构(130)使所述电子部件(110)与所述天线结构(120)电连接,以及
中心芯结构(205),
其中,所述中心芯结构(205)包括腔(206),
其中,所述电子部件(110)至少部分地布置在所述腔(206)中,以及
其中,所述中心芯结构(205)布置在所述部件承载件(100)的电绝缘材料(105)的中心中,使得所述中心芯结构(205)嵌入在所述电绝缘材料(105)中,
其中,所述屏蔽结构(130)至少在位于所述天线结构(120)与所述电子部件(110)之间的平面(P)中不被穿孔,
其中,所述电子部件(110)在背离所述天线结构(120)的主表面区域(110a)处包括至少一个端子(151),以及
其中,所述端子(151)连接到所述导电结构(150)的延伸远离所述端子(151)的第二部分。
2.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述导电结构的第一部分在侧向上至少部分地围绕所述电子部件。
3.根据权利要求2所述的部件承载件,其中,所述屏蔽结构至少在位于所述天线结构、所述电子部件和所述导电结构的所述第一部分之间的平面中不被穿孔。
4.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述屏蔽结构形成为层并且包括金属。
5.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述屏蔽结构形成为层并且包括铜。
6.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述导电结构包括布置在所述部件承载件的第二主表面处的再分布层,其中,所述第二主表面是与所述部件承载件的所述第一主表面相反的一侧。
7.根据权利要求6所述的部件承载件,其中,所述导电结构的所述第二部分布置在所述端子与所述再分布层之间并且使所述端子与所述再分布层电连接。
8.根据权利要求6所述的部件承载件,其中,所述导电结构的第一部分在侧向上至少部分地围绕所述电子部件,所述导电结构的所述第一部分布置在所述再分布层与所述屏蔽结构之间并且使所述再分布层与所述屏蔽结构电连接。
9.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述导电结构包括:至少一个互连过孔;以及至少一个导电层。
10.根据权利要求9所述的部件承载件,其中,所述互连过孔是微过孔。
11.根据权利要求9所述的部件承载件,其中,所述导电层是平面金属层。
12.根据权利要求2所述的部件承载件,所述部件承载件包括至少一个另外的导电结构,所述另外的导电结构包括所述另外的导电结构的另外的第一部分,所述另外的第一部分至少部分地围绕所述电子部件,使得所述导电结构和所述另外的导电结构形成绕所述电子部件的电磁辐射屏蔽区。
13.根据权利要求12所述的部件承载件,其中,所述屏蔽结构在位于所述天线结构、所述电子部件、所述导电结构的所述第一部分和所述另外的导电结构的所述另外的第一部分之间的平面中不被穿孔。
14.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述导电结构包括布置在所述部件承载件的所述第一主表面的区域处的导电部分,其中,所述导电部分电连接到所述天线结构。
15.根据权利要求1所述的部件承载件,所述部件承载件包括介电层。
16.根据权利要求1所述的部件承载件,所述部件承载件包括在80GHz具有不大于0.0008的耗散因数的介电层。
17.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件嵌入电绝缘材料中。
18.根据权利要求17所述的部件承载件,其中,所述电绝缘材料是具有匹配的热膨胀系数CTE的介电材料。
19.根据权利要求17所述的部件承载件,其中,所述电绝缘材料是具有在1ppm至10ppm的范围内的CTE的介电材料。
20.根据权利要求17所述的部件承载件,其中,所述电绝缘材料是具有在3ppm至7ppm的范围内的CTE的介电材料。
21.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述部件承载件的水平层积层关于嵌入的所述电子部件对称。
22.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述部件承载件的水平层积层关于在所述中心芯结构的所述腔中的嵌入的所述电子部件对称。
23.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述导电结构由一种单一金属构成。
24.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述导电结构由铜构成。
25.根据权利要求1所述的部件承载件,包括以下特征中至少之一:
所述电子部件是高频HF部件;
在所述天线结构之下布置有经切割部分,并且所述经切割部分形成至少部分地填充有气体的腔;
所述部件承载件包括具有第一经切割部分的第一部件承载件部分,并且所述部件承载件包括具有第二经切割部分的第二部件承载件部分,
所述第一经切割部分和所述第二经切割部分面向所述天线结构的相反的主表面,
在所述第一经切割部分的表面上以及在所述第二经切割部分的表面上设置有导电材料,
所述第一经切割部分和所述第二经切割部分相应地在所述天线结构的相反侧上形成第一腔和第二腔,并且
所述第一腔和所述第二腔至少部分地填充有气体;
所述部件承载件包括至少一个电绝缘层结构,所述至少一个电绝缘层结构包括由下述构成的组中的至少一种:树脂、FR-4、FR-5;氰酸酯;聚亚苯基衍生物;玻璃;预浸材料;聚酰亚胺;聚酰胺;液晶聚合物;环氧基积层膜;聚四氟乙烯;陶瓷;以及金属氧化物;
所述部件承载件配置为印刷电路板;
所述导电结构至少部分地涂覆有超导材料。
26.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为有源电子部件或无源电子部件。
27.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为不导电嵌体和/或导电嵌体。
28.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为能量收集单元、信号处理部件或机电换能器。
29.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为存储设备、功率管理部件、加密部件或磁性元件。
30.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为滤波器、光电接口元件、电压转换器、致动器、电容器、电阻器、电感、累加器、开关或摄像机。
31.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为集成电路。
32.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为电子芯片。
33.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为逻辑芯片。
34.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为微机电系统。
35.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为微处理器。
36.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述电子部件为传热单元、导光元件、发射器和/或接收器、或者另外的部件承载件。
37.根据权利要求25所述的部件承载件,其中,所述经切割部分所形成的所述腔中至少部分地填充的所述气体是空气。
38.根据权利要求25所述的部件承载件,其中,所述第一腔和所述第二腔中至少部分地填充的所述气体是空气。
39.根据权利要求25所述的部件承载件,其中,所述树脂是增强树脂或非增强树脂。
40.根据权利要求25所述的部件承载件,其中,所述树脂是环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂。
41.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述部件承载件配置为基板式印刷电路板。
42.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述部件承载件配置为基板。
43.根据权利要求1所述的部件承载件,其中,所述导电结构至少部分地由超导材料构成。
44.一种电子设备,包括:
具有4G和/或5G功能的模块,以及
根据权利要求1所述的部件承载件。
45.制造部件承载件(100)的方法,包括:
提供部件承载件(100)的预成形件;
将电子部件(110)嵌入所述部件承载件(100)中;
形成屏蔽结构(130),所述屏蔽结构由导电材料制成并且被配置用于防止电磁辐射在天线结构(120)与所述电子部件(110)之间传播;
在所述部件承载件(100)的第一主表面(102)的区域处形成至少部分地在所述屏蔽结构(130)之上的所述天线结构(120);以及
形成导电结构(150),用以通过所述屏蔽结构(130)使所述电子部件(110)与所述天线结构(120)电连接,
其中,所述屏蔽结构(130)至少在位于所述天线结构(120)与所述电子部件(110)之间的平面(P)中不被穿孔,
其中,所述电子部件(110)在背离所述天线结构(120)的主表面区域(110a)处包括至少一个端子(151),以及
其中,所述端子(151)连接到所述导电结构(150)的延伸远离所述端子(151)的第二部分;
所述方法还包括:
提供中心芯结构;
从所述中心芯结构移除材料以便在所述中心芯结构中形成腔;以及
在所述电子部件被嵌入之前,将所述电子部件置成至少部分地位于所述腔中,
其中,所述中心芯结构(205)布置在所述部件承载件(100)的电绝缘材料(105)的中心中,使得所述中心芯结构(205)嵌入在所述电绝缘材料(105)中。
46.根据权利要求45所述的方法,其中,
移除材料包括减成过程和/或经修改的半加成过程。
47.根据权利要求45所述的方法,其中,
形成所述导电结构包括半加成过程。
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GR01 | Patent grant | ||
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