CN110396315B - 改性修复液、制备方法及修复色阻的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种改性修复液、制备方法及修复色阻的方法,通过添加添加剂于光阻溶剂中,通过所述改性修复液中的有机酮类化合物吸附于所述源漏极金属层表面与分子链接剂发生化学反应生成透明胶体,所述胶体无色透明,不溶于水与有机溶剂,与铝亲附力强。所述透明胶体产生后,一方面会阻止胶体的进一步形成,以及阻止铝与碱性改性修复药液的接触,避免铝被腐蚀;另一方面会阻止改性药液在保护层的破损处残留,避免在后制程高温下与铝的腐蚀反应,避免垂直断线。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种改性修复液、制备方法及修复色阻的方法。
背景技术
目前面板行业的整体趋势是COA(Color Filter On Array),其中中小尺寸面板导线的主要材料仍然是金属铝。但是目前的铝制程COA产品在色阻进行修复时,修复药液电离出来大量的羟基(OH-),通过破损的保护层接触到铝表面,金属铝被腐蚀而断裂;另外在破损处残留的修复药液,在后制程高温下(200~240℃)对铝的腐蚀会更加严重,也是造成垂直断线的主要原因。目前业内普遍通过添加铝腐蚀抑制剂,阻止OH-与铝进行反应,这种方式能够在修复色阻时保护到金属,但是在后制程高温下,抑制剂无法阻止残留修复药液与铝继续反应,造成垂直断线,此种方式目前暂无业界量产实际。
因此,急需提供一种新的改性修复液,用以减少源漏极金属层的金属铝的腐蚀,进而提高显示面板的良品率及稳定性。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种改性修复液、制备方法及修复色阻的方法,通过添加添加剂于光阻溶剂中,通过所述改性修复液中的有机酮类化合物吸附于所述源漏极金属层表面与分子链接剂发生化学反应生成透明胶体,以及阻止铝与改性修复药液的接触,避免铝被腐蚀。
为了可以达到上述目的,本发明提供一种改性修复液,包括:光阻溶剂、添加剂以及溶剂;其中,所述添加剂包括有机酮类化合物、分子链接剂以及分散剂,所述有机酮类化合物的结构式为:R2-O-R3-OH;所述分子链接剂的结构式为HO-R4-N-OH。
进一步地,所述光阻溶剂的结构式为:R1-N-OH;所述溶剂为水。
进一步地,基团R2、R3以及R4包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种。
本发明还提供一种改性修复液的制备方法,包括如下步骤:提供一包含羟基以及氮的光阻溶剂、添加剂以及溶剂,所述添加剂包括有机酮类化合物、分子链接剂以及分散剂,所述有机酮类化合物的结构式为:R2-O-R3-OH,所述分子链接剂的结构式为HO-R4-N-OH;将所述光阻溶剂以及所述添加剂放入容器中并进行50~60℃超声分散;以及添加所述溶剂于所述容器中形成所述改性修复液;其中,所述分散剂用以将所述有机酮类化合物均匀溶解于所述溶剂。
本发明还提供一种通过改性修复液修复色阻的方法,包括:提供一阵列基板以及如权利要求1或2所述的改性修复液,所述阵列基板上设有若干色阻,其中所述色阻包括至少一次品色阻;滴加所述改性修复液于所述次品色阻上,用以剥离所述次品色阻;再次沉积新的色阻于所述次品色阻对应的阵列基板区域上。
进一步地,所述阵列基板包括源漏极金属层以及保护层,所述保护层设于所述源漏极金属层上;所述源漏极金属层材料为金属铝。
进一步地,在所述的滴加改性修复液于所述次品色阻的步骤中,还包括:所述保护层形成一裂痕,所述改性修复液通过所述裂痕接触所述源漏极金属层;所述改性修复液中的有机酮类化合物吸附于所述源漏极金属层表面并发生化学反应生成透明胶体,所述透明胶体用以阻断所述改性修复液腐蚀所述源漏极金属层。
进一步地,所述透明胶体不溶于水,所述透明胶体熔点为280~330℃且与所述金属铝有较强的吸附力。
进一步地,所述透明胶体的结构式为R4-N-O-R3-O-R2”。
进一步地,在所述的滴加改性修复液于所述次品色阻的步骤中,所述的改性修复液中的添加剂吸附于所述源漏极金属层表面发生化学反应,且所述化学反应为碱性环境,反应温度为60~80℃。
本发明的有益效果是:本发明提供一种改性修复液、制备方法及修复色阻的方法,通过添加添加剂于光阻溶剂中,通过所述改性修复液中的有机酮类化合物吸附于所述源漏极金属层表面与分子链接剂发生化学反应生成透明胶体,所述胶体无色透明,不溶于水与有机溶剂,与铝亲附力强。所述透明胶体产生后,一方面会阻止胶体的进一步形成,以及阻止铝与碱性改性修复药液的接触,避免Al被腐蚀;另一方面会阻止改性药液在保护层的破损处残留,避免在后制程高温下与Al的腐蚀反应,避免垂直断线。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明提供的阵列基板的结构示意图;
图2为本发明提供的改性修复液破坏保护层的结构示意图;
图3为本发明提供的透明胶体填充的结构示意图;
图4为本发明提供的透明胶体形成的化学方程式;
阵列基板100;
玻璃基板101;栅极金属层102;栅极绝缘层103;
有源层104;源漏极金属层105;保护层106;
次品色阻107、108;裂痕109
有机酮类化合物11;分子链接剂12;透明胶体110。
具体实施方式
以下是各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等,仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称,例如第一、第二等,仅是区分不同的元部件,可以更好的表达。在图中,结构相似的单元以相同标号表示。
本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式,本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供这些实施例是为了解释本发明的实际应用,从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明提供一种改性修复液,包括:光阻溶剂、添加剂以及溶剂。所述溶剂为水。
其中,所述光阻溶剂的结构式为:R1-N-OH;基团R1包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种。
所述添加剂包括有机酮类化合物、分子链接剂以及分散剂,所述有机酮类化合物的结构式为:R2-O-R3-OH;基团R2以及R3包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种。
所述分子链接剂的结构式为HO-R4-N-OH;基团R4包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种。
为了更加清楚的解释本发明,下面结合本发明的改性修复液制备方法对所述改性修复液进行进一步解释。
在本发明一实施例中,以制备本发明的改性修复液为例,详细说明本发明的改性修复液制备方法。
本发明还提供一种改性修复液的制备方法,包括如下步骤:
步骤1是提供一包含羟基以及氮的光阻溶剂、溶剂以及添加剂。
所述光阻溶剂的结构式为:R1-N-OH;基团R1包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种。所述添加剂包括有机酮类化合物、分子链接剂以及分散剂,所述有机酮类化合物的结构式为:R-O-R3-OH。基团R2以及R3包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种;所述分子链接剂的结构式为HO-R4-N-OH;基团R4包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种。
步骤2是将所述光阻溶剂以及所述添加剂放入容器中,50~60℃超声分散。
步骤3是添加所述溶剂于所述容器中形成所述改性修复液;其中,所述分散剂用以将所述有机酮类化合物均匀溶解于所述溶剂中。
为了能够将本发明的所述改性修复液进行应用,本发明还提供一实施例用以对所述改性修复液的应用作出解释。
在一实施例中,本发明提供一种通过改性修复液修复色阻的方法,包括如下步骤:
S1)如图1所示,提供一阵列玻璃基板100以及所述改性修复液,所述阵列基板100上设有若干色阻,其中所述色阻包括至少一次品色阻。附图1中的标记107与标记108皆为次品色阻。所述次品色阻需要重新进行制备,以获得标准的色阻。而本发明的通过改性修复液修复色阻的方法,首先将标记108的次品色阻去除并重新制备。
所述阵列基板100包括:玻璃基板101、栅极金属层102、栅极绝缘层103、有源层104、源漏极金属层105以及保护层106。
所述栅极金属层102设于所述玻璃基板101上。
所述栅极绝缘层103设于所述玻璃基板101以及所述栅极金属层102上;所述有源层104设于所述栅极绝缘层103上。所述有源层104的材料为多晶硅。
所述源漏极金属层105设于所述有源层104上,所述源漏极金属层105具有一凹槽120,所述凹槽120下凹至所述栅极104表面。
所述凹槽120使所述源漏极金属层105中间为断开状态。所述源漏极金属层105材料为金属铝。
所述保护层106设于所述柔性基板101以及源漏极金属层105上;同时,所述保护层106覆盖所述凹槽120。具体地讲,所述保护层106能够贴附所述凹槽120的槽底以及周壁。
所述光阻溶剂的结构式为:R1-N-OH;基团R1包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种。所述添加剂包括有机酮类化合物、分子链接剂以及分散剂,所述有机酮类化合物的结构式为:R2-O-R3-OH。基团R2以及R3包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种;所述分子链接剂的结构式为HO-R4-N-OH;基团R4包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种。
S2)如图2所示,滴加所述改性修复液于所述次品色阻108上,用以剥离所述次品色阻108。
在所述滴加改性修复液于所述次品色阻步骤中,还包括:
S21)所述保护层106形成一裂痕109,所述改性修复液通过所述裂痕109接触所述源漏极金属层105。
S22)如图3所示,所述改性修复液中的添加剂吸附于所述源漏极金属层105表面发生化学反应生成透明胶体110,所述化学反应为碱性环境,反应温度为60~80℃,最优温度可以为70℃,也可以为65℃或75℃。
如图4所示,所述透明胶体110通过所述有机酮类化合物11以及分子链接剂12在铝作为催化剂的条件下反应制得所述透明胶体13。所述透明胶体110的结构式为R4-N-O-R3-O-R2。
所述透明胶体110用以阻断所述改性修复液腐蚀所述源漏极金属层并把所述裂痕堵住。另一方面会阻止所述改性修复液在所述裂痕处残留,避免在后制程高温下与Al的腐蚀反应,避免垂直断线。
所述透明胶体110不溶于水与有机溶剂,熔点为280~330℃且与金属铝有较强的吸附力。
S3)再次沉积新的色阻于所述次品色阻对应的阵列基板区域上。
本发明通过添加添加剂于光阻溶剂中,通过所述改性修复液中的有机酮类化合物吸附于所述源漏极金属层表面与分子链接剂发生化学反应生成透明胶体110,所述胶体无色透明,不溶于水与部分有机溶剂,与铝亲附力强。所述透明胶体110产生后,一方面会阻止胶体的进一步形成,以及阻止铝与碱性改性修复药液的接触,避免Al被腐蚀;另一方面会阻止改性药液在钝化破损处残留,避免在后制程高温下与Al的腐蚀反应,避免垂直断线。
应当指出,对于经充分说明的本发明来说,还可具有多种变换及改型的实施方案,并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明,而不是对发明的限制。总之,本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。
Claims (9)
2.根据权利要求1所述的改性修复液,其特征在于,
所述光阻溶剂的结构式为:R1-N-OH,基团R1包括烷基、烷氧基、芳香基中的一种;所述溶剂为水。
4.一种通过改性修复液修复色阻的方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板以及如权利要求1或2所述的改性修复液,所述阵列基板上设有若干色阻,其中所述色阻包括至少一次品色阻;
滴加所述改性修复液于所述次品色阻上,用以剥离所述次品色阻;
再次沉积新的色阻于所述次品色阻对应的阵列基板区域上。
5.根据权利要求4所述的通过改性修复液修复色阻的方法,其特征在于,
所述阵列基板包括源漏极金属层以及保护层,所述保护层设于所述源漏极金属层上;
所述源漏极金属层材料为金属铝。
6.根据权利要求5所述的通过改性修复液修复色阻的方法,其特征在于,
在所述的滴加改性修复液于所述次品色阻的步骤中,还包括:
所述保护层形成一裂痕,所述改性修复液通过所述裂痕接触所述源漏极金属层;
所述改性修复液中的有机酮类化合物吸附于所述源漏极金属层表面并发生化学反应生成透明胶体,所述透明胶体用以阻断所述改性修复液腐蚀所述源漏极金属层。
7.根据权利要求6所述的通过改性修复液修复色阻的方法,其特征在于,
所述透明胶体不溶于水,所述透明胶体熔点为280~330℃且与所述金属铝有较强的吸附力。
9.根据权利要求5所述的通过改性修复液修复色阻的方法,其特征在于,
在所述的滴加改性修复液于所述次品色阻的步骤中,
所述的改性修复液中的添加剂吸附于所述源漏极金属层表面发生化学反应,且所述化学反应为碱性环境,反应温度为60~80℃。
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US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
TWI239340B (en) * | 2001-12-06 | 2005-09-11 | Nippon Catalytic Chem Ind | Process for production of water-soluble (meth)acrylic polymers, water-soluble (meth)acrylic polymers, and use thereof |
TWI299527B (en) * | 2006-04-11 | 2008-08-01 | Taiwan Tft Lcd Ass | A fabrication method of thin film for active layer by metal chalcogenide precursor solution |
JP5291893B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2013-09-18 | 太陽ホールディングス株式会社 | 光硬化性樹脂組成物およびその硬化物 |
JP5647685B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2015-01-07 | 東友ファインケム株式会社 | レジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法 |
KR101169332B1 (ko) * | 2010-05-12 | 2012-07-30 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
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