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CN110366537B - 硅酸盐覆盖体及其制造方法 - Google Patents

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CN110366537B CN201780086269.8A CN201780086269A CN110366537B CN 110366537 B CN110366537 B CN 110366537B CN 201780086269 A CN201780086269 A CN 201780086269A CN 110366537 B CN110366537 B CN 110366537B
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Abstract

硅酸盐覆盖体具备：基体、附着于基体表面的二氧化硅和/或二氧化硅改性物、以及介由二氧化硅和/或二氧化硅改性物而覆盖至少一部分基体的第一硅酸盐。

Description

硅酸盐覆盖体及其制造方法
相关申请
本发明基于日本专利申请：特愿2017-25466号（2017年2月14日申请）的优先权主张，并通过援引而将该申请的全部记载内容组入本说明书中。
技术领域
本申请涉及硅酸盐覆盖体及其制造方法。尤其是，本申请涉及覆盖有硅酸盐的粉体（粒子）及其制造方法。例如，本申请涉及覆盖有蒙脱石系硅酸盐的粉体（粒子）及其制造方法。
背景技术
蒙脱石系硅酸盐具有化学稳定性和热稳定性。因此，蒙脱石系硅酸盐在化妆品、涂料、金属离子吸附剂等各种用途中加以使用。例如，专利文献1公开了蒙脱石粘土矿物类的合成方法。然而，利用专利文献1记载那样的方法而制造的蒙脱石系硅酸盐具有微小的层状形状，因此在处理性方面存在问题。因而，研究了向球状的二氧化硅粒子的表面覆盖蒙脱石而提高处理性的技术（例如参照专利文献2和非专利文献1）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表平7-505112号公报
专利文献2：日本特开2014-24711号公报
非专利文献1：Tomohiko Okada等人、“Swellable Microsphere of a LayeredSilicate Produced by Using Monodispersed Silica Particles”、J. Phys. Chem. C、2012年、第116号、p.21864-21869。
发明内容
发明要解决的问题
蒙脱石系硅酸盐等硅酸盐具有高的化学稳定性，因此其难以进行化学修饰和/或被修饰。例如，利用蒙脱石系硅酸盐、化学稳定性高的其它硅酸盐（例如云母）以粒子水平进行修饰尚属未知。
基于专利文献2和非专利文献1中记载的方法而合成的蒙脱石覆盖二氧化硅粒子中的蒙脱石的形态取决于成为基体的球状二氧化硅粒子的形状和大小。因此，蒙脱石覆盖二氧化硅粒子的用途受限。
因而，为了进一步拓展蒙脱石系硅酸盐等硅酸盐的用途，期望设计自由度高的蒙脱石系硅酸盐。
用于解决问题的方法
根据本申请的第一视点，提供下述硅酸盐覆盖体，其具备：云母粒子、以及覆盖至少一部分云母粒子的第一硅酸盐。
根据本申请的第二视点，提供下述硅酸盐覆盖体，其具备：基体、附着于基体表面的二氧化硅和/或二氧化硅改性物、以及介由二氧化硅和/或二氧化硅改性物而覆盖至少一部分基体的第一硅酸盐。
根据本申请的第三视点，提供下述硅酸盐覆盖体的制造方法，其包括：将供给蒙脱石系硅酸盐的构成元素的原料、溶解至少一部分原料的溶解剂和基体在溶剂中混合而制作混合液的混合工序；将混合液进行加热处理的加热工序；将混合液进行冷却的冷却工序。原料包含二氧化硅粉末。二氧化硅粉末中的粒子小于基体。粒子能够附着于基体的表面。
发明的效果
根据本申请，能够提高第一硅酸盐的处理性。此外，与第一硅酸盐单体相比能够提高第一硅酸盐的利用性。
根据本申请，通过相互利用基体和第一硅酸盐的功能，能够调整、拓宽和/或改善基体和/或第一硅酸盐的功能。
根据本申请，即使在材质方面难以实现基体与第一硅酸盐的直接附着的情况下，也能够将第一硅酸盐覆盖于基体。由此，能够在提高第一硅酸盐的设计自由度的同时，拓展其用途。
附图说明
图1为本申请的第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体的概略截面图。
图2为本申请的第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体的概略截面图。
图3为用于说明本申请的第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体的构成和生成机理的示意图。
图4为第三实施方式所述的硅酸盐覆盖体的制造方法的流程图。
图5为本申请的第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体的影像图。
图6为本申请的第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体的影像图。
图7为第五实施方式所述的硅酸盐覆盖体的制造方法的流程图。
图8为试验例1~6中的锂蒙脱石覆盖云母的X射线衍射图案。
图9为试验例1中的锂蒙脱石覆盖云母的X射线衍射图案。
图10为试验例1中的锂蒙脱石覆盖云母和锂蒙脱石在2θ＝2°~12°的范围内的X射线衍射图案。
图11为试验例2中的锂蒙脱石覆盖云母和锂蒙脱石在2θ＝2°~12°的范围内的X射线衍射图案。
图12为试验例3中的锂蒙脱石覆盖云母和锂蒙脱石在2θ＝2°~12°的范围内的X射线衍射图案。
图13为试验例4中的锂蒙脱石覆盖云母和锂蒙脱石在2θ＝2°~12°的范围内的X射线衍射图案。
图14为试验例5中的锂蒙脱石覆盖云母和锂蒙脱石在2θ＝2°~12°的范围内的X射线衍射图案。
图15为试验例6中的锂蒙脱石覆盖云母和锂蒙脱石在2θ＝2°~12°的范围内的X射线衍射图案。
图16为合成云母的X射线衍射图案。
图17为锂蒙脱石的X射线衍射图案。
图18为试验例1中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图19为试验例1中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图20为试验例1中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图21为试验例2中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图22为试验例2中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图23为试验例2中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图24为试验例3中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图25为试验例3中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图26为试验例3中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图27为试验例4中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图28为试验例4中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图29为试验例4中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图30为试验例5中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图31为试验例5中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图32为试验例5中的锂蒙脱石覆盖云母的SEM图像。
图33为合成云母的SEM图像。
图34为合成云母的SEM图像。
图35为合成云母的SEM图像。
图36为试验例5中得到的近似直线。
图37为试验例5中得到的吸附等温线的理论曲线。
图38为示出使试验例的产物浸渍于亚甲基蓝水溶液的状态的照片以及在浸渍后进行分离的粉末的照片。
图39为试验例7中的处理物的SEM图像。
图40为试验例7中的处理物的SEM图像。
图41为试验例8中的处理物的SEM图像。
图42为试验例8中的处理物的SEM图像。
图43为试验例9中的着色硅酸盐覆盖体的照片。
图44为试验例10中的着色硅酸盐覆盖体的照片。
图45为试验例11中的着色硅酸盐覆盖体的照片。
图46为试验例12中的着色硅酸盐覆盖体的照片。
图47为试验例13中的着色硅酸盐覆盖体的照片。
图48为试验例14中的着色硅酸盐覆盖体的照片。
图49为将试验例14和比较例的着色过程中的离心分离脱水前的混合液进行静置的状态的照片。
具体实施方式
上述各视点的优选形态如下所述。
根据上述第一视点的优选形态，云母粒子与第一硅酸盐介由二氧化硅和/或二氧化硅改性物而接合。
根据上述第一视点的优选形态，云母粒子的中值粒径为0.1μm~10mm。
根据上述第二视点的优选形态，基体包含第二硅酸盐粒子。
根据上述第二视点的优选形态，基体为薄片状和/或板状云母粉体。
根据上述第二视点的优选形态，第一硅酸盐与二氧化硅和/或二氧化硅改性物是一体的。
根据上述第二视点的优选形态，第一硅酸盐包含蒙脱石系硅酸盐。
根据上述第二视点的优选形态，蒙脱石系硅酸盐包含锂蒙脱石。
根据上述第一视点和第二视点的优选形态，硅酸盐覆盖体还具备离子性有机色素。
根据上述第一视点和第二视点的优选形态，离子性有机色素吸附于第一硅酸盐。
根据上述第一视点和第二视点的优选形态，离子性有机色素为亚甲基蓝、罗丹明B、赤藓红B、酒石黄、晚霞黄FCF和亮蓝FCF中的至少一者。
根据上述第一视点和第二视点的优选形态，硅酸盐覆盖体还具备多价阳离子。离子性有机色素包含阴离子性有机色素。
根据上述第一视点和第二视点的优选形态，多价阳离子为镁离子、钙离子、铝离子和钡离子中的至少一者。
根据上述第三视点的优选形态，在混合工序中，二氧化硅粉末相对于基体1质量份为0.02质量份~0.7质量份。
根据上述第三视点的优选形态，将粒子的平均粒径设为1时，基体的中值粒径为10以上。
根据上述第三视点的优选形态，基体包含云母、滑石、氧化铝和玻璃中的至少一者。
根据上述第三视点的优选形态，溶剂为水。混合液的加热处理在加压条件下进行。
根据上述第三视点的优选形态，蒙脱石系硅酸盐包含锂蒙脱石。
根据上述第三视点的优选形态，溶解剂包含溶解二氧化硅粉末的表面部分的化合物。
根据上述第三视点的优选形态，原料包含含镁化合物和含锂化合物。溶解剂包含脲。
根据上述第三视点的优选形态，硅酸盐覆盖体的制造方法还包括：向包含水的水性溶剂中添加硅酸盐覆盖体和离子性有机色素的添加工序。
根据上述第三视点的优选形态，离子性有机色素包含阴离子性有机色素时，在水性溶剂中进一步添加电离出多价阳离子的盐。
根据上述第三视点的优选形态，盐为氯化钙、氯化镁、氯化铝水合物和氯化钡中的至少一者。
根据上述第三视点的优选形态，离子性有机色素为亚甲基蓝、罗丹明B、赤藓红B、酒石黄、晚霞黄FCF和亮蓝FCF中的至少一者。
在下述说明中，附图参照符号是为了理解发明而标注的，并不是指限定于图示的方式。此外，附图用于帮助理解本申请的硅酸盐覆盖体，并不是指将硅酸盐覆盖体限定于图示的形状、尺寸、比例尺等附图的形态。各实施方式中，对相同的要素标注相同的符号。
针对本申请的第一实施方式所述的硅酸盐覆盖体进行说明。
本申请的硅酸盐覆盖体具有基体和覆盖至少一部分基体的第一硅酸盐。
基体优选可耐受用于生成第一硅酸盐的生成条件。基体优选为后述附着剂能够进行物理附着和/或化学附着的材料。基体优选具有能够投入至用于生成第一硅酸盐的反应容器内的大小。基体可以采用粉体的形态。
在基体为粉体的情况下，基体粒子可以采取例如球状形状、（旋转）椭圆体形状、薄片形状、板状形状、不规则形状等形状。基体粒子的大小优选大于后述附着剂。基体粒子的大小可以设为0.1μm以上、2μm以上、5μm以上和7μm以上。此外，基体粒子的大小可以设为10mm以下、1mm以下、500μm以下、200μm以下、100μm以下、50μm以下、40μm以下、30μm以下和25μm以下。基体粒子的大小优选为中值粒径（粒径的中央值）。中值粒径可以利用例如激光衍射式粒度分布测定进行测定。
在基体粒子为薄片状或板状的情况下，基体粒子的平均厚度可以设为0.05μm以上、0.1μm以上和0.3μm以上。此外，基体粒子的平均厚度可以设为2μm以下、1μm以下、0.5μm以下、0.3μm以下。平均厚度的测定方法没有特别限定，可以利用例如电子显微镜的倾斜观察来测定任意个数的粒子的厚度，并作为它们的平均值来计算。
基体粒子的纵横比（中值粒径/平均厚度）可以设为10以上、优选设为50以上、更优选设为70以上。此外，基体粒子的纵横比可以设为150以下、优选设为100以下、更优选设为90以下。纵横比的确定方法没有特别限定，可以利用例如电子显微镜的倾斜观察来测定所确定的任意个数的粒径和厚度，并将所得中值粒径的值处于平均厚度的值来计算。
作为基体，可列举出例如第二硅酸盐、氧化铝（氧化铝）、玻璃等。第二硅酸盐可以设为与第一硅酸盐不同的层状硅酸盐。第二硅酸盐优选对水不具有溶胀性。作为第二硅酸盐，可列举出例如云母（MICA）、滑石等。
针对可用作基体的云母进行详述。云母可以设为天然云母和/或合成云母。从化学稳定性、杂质少和平面平滑性的观点出发，优选使用合成云母。作为合成云母，可列举出例如钾金云母[KMg3（AlSi3O10）F2]、钾四硅云母[KMg2 1/2（Si4O10）F2]、钾带云母[KMg2Li（Si4O10）F2]、钠金云母[NaMg3（AlSi3O10）F2]、钠带云母[NaMg2Li（Si4O10）F2]、钠四硅云母[NaMg2 1/2（Si4O10）F2]、钠锂蒙脱石[Na1/3Mg2 2/3Li1/3（Si4O10）F2]等。
作为合成云母，利用熔融法、水热法、固体间反应法等任意制法而得到的合成云母均可使用。例如，合成云母粉体可通过将含有钾、钠、镁、铝、硅、氟等的化合物以一定的比例进行混合，将其熔融、析晶、冷却后，进行机械粉碎，并进行热处理、水洗、干燥来获得。例如，在合成氟金云母（钾金云母）的情况下，可通过将无水硅酸、氧化镁、氧化铝和硅氟化钾以达到上述组成的方式进行称量并混合后，以1400~1500℃进行熔融，并冷却至室温而得到合成氟金云母。将所得合成氟金云母的矿块进行粉碎，如需要则进行分级，从而能够获得合成云母粉体。
第一硅酸盐可以部分覆盖基体，也可以覆盖基体整体。第一硅酸盐可以包含蒙脱石系硅酸盐。蒙脱石系硅酸盐可以设为例如锂蒙脱石。锂蒙脱石的理想组成可以示作[Lix（Mg6-xLixSi8O20（OH）4・nH2O）]。
基体表面上的第一硅酸盐的厚度可以设为5nm以上、优选设为10nm以上。此外，基体表面上的第一硅酸盐的厚度可以设为100nm以下、优选设为50nm以下。第一硅酸盐的厚度可通过透射型电子显微镜（TEM）来确认。
硅酸盐覆盖体中的第一硅酸盐的含有率相对于硅酸盐覆盖体的质量可以设为10质量%以上或15质量%以上。此外，第一硅酸盐的含有率相对于硅酸盐覆盖体的质量可以设为30质量%以下或25质量%以下。
硅酸盐覆盖体中的第一硅酸盐的含有率可以由例如兰缪尔（Langmuir）的吸附等温式来计算。兰缪尔的吸附等温式可以如数学式1那样地表示。在数学式1中，q：色素吸附量、qm：最大色素吸附量（饱和吸附量）、K：平衡常数和C：所添加的色素浓度（平衡浓度）。首先，将一定量（例如x克）的第一硅酸盐（例如锂蒙脱石）与色素（例如亚甲基蓝）在水中混合，求出相对于上清液中的第一硅酸盐的色素吸附量q。一边变更色素的添加量C一边反复进行该操作，求出相对于各色素添加量C的色素吸附量q。数学式1可以如数学式2那样地进行变形。按照数学式2，将横轴设为色素添加量C，并将纵轴设为色素添加量/吸附量C/q，对测定值进行标绘，根据斜率（1/qm）和截距（1/qmK）求出吸附于第一硅酸盐的第一最大色素吸附量qm和第一平衡系数K。接着，同样操作，代替第一硅酸盐而针对一定量（例如x克）的本申请的硅酸盐覆盖体（即针对硅酸盐覆盖体中包含的第一硅酸盐）的色素添加量C和色素吸附量q，求出第二最大色素吸附量qm和第二平衡系数K。并且，通过对比第一最大色素吸附量qm和第二最大色素吸附量qm，能够求出硅酸盐覆盖体中的第一硅酸盐的含有率。
[数学式1]
[数学式2]
。
第一硅酸盐可如后述制造方法那样地合成于基体面。在针对第一硅酸盐的组成、构成、特性等无法直接确定的情况下，可基于制造方法进行确定。
即使第一硅酸盐像例如锂蒙脱石那样地单独存在时为微小物体，根据第一实施方式所述的硅酸盐覆盖体，也能够在表面上表现出第一硅酸盐的作用且按照基体的大小进行处理，能够提高处理容易性。
根据第一实施方式所述的硅酸盐覆盖体，通过基体的选择，与第一硅酸盐单独存在的情况相比能够增大表面积。由此，例如将硅酸盐覆盖体用作阳离子吸附剂的情况下，与第一硅酸盐单独存在的情况相比能够提高吸附效率。进而，吸附对象物后的硅酸盐覆盖体也容易回收。
根据第一实施方式所述的硅酸盐覆盖体，通过基体的选择，能够使第一硅酸盐的形状具备多样性。例如，在选择板状或薄片状的基体的情况下，第一硅酸盐实质上也能够以板状或薄片状的形态来使用。
根据第一实施方式所述的硅酸盐覆盖体，能够获得兼具第一硅酸盐的作用和基体的作用的产物。或者，通过第一硅酸盐能够调整和/或改善基体的作用。以将基体设为金云母粉体、将第一硅酸盐设为锂蒙脱石的锂蒙脱石覆盖云母粉体为例进行说明。
在锂蒙脱石覆盖云母粉体中，能够对金云母赋予无法利用金云母单体来实现的阳离子交换性。锂蒙脱石覆盖云母粉体能够吸附例如其他种金属阳离子、有机物阳离子、金属氧化物。通过利用该功能，如果是着色性离子则能够变更金云母的色相，如果是功能性离子则能够对金云母赋予新功能。通过活用该功能，在化妆品用途、工业用途中可灵活用作着色板状颜料、功能性板状粉体。作为功能性的赋予形态，可通过例如将锂蒙脱石中的离子更换成其他种金属阳离子或金属氧化物，从而使金云母表面生成折射率不同的覆膜，能够赋予设计性等。此外，通过更换成锌离子、银离子等而能够赋予抗菌性等。另一方面，通过对金云母覆盖锂蒙脱石，与金云母单独存在相比能够增大体积和比表面积，能够提高吸油性。通过提高吸油性，能够抑制皮脂失衡、增加添加至化妆品中的油性成分。另外，通过对金云母覆盖锂蒙脱石来变更粉体表面的性状，能够调整光反射性/扩散性。
将锂蒙脱石覆盖云母粉体以例如纳米复合材料的形式用于膜（例如阻气膜）的情况下，通过利用锂蒙脱石来提高云母粒子的表面积，能够提高与膜的密合性、阻隔性、拉伸强度等机械特性等。
针对本申请的第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体进行说明。图1和图2示出第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体的概略截面图。
本申请的硅酸盐覆盖体10、20在第一实施方式中的基体1和第一硅酸盐2的基础上还具有附着剂3。附着剂3可以存在于基体1上。第一硅酸盐2可以介由附着剂3来覆盖基体1。第一硅酸盐2可沿着附着剂3的排列来存在。附着剂3优选能够使第一硅酸盐2附着于基体1。附着剂3优选为用于合成第一硅酸盐的原料。第一硅酸盐2优选与附着剂3一体形成。
附着剂3优选为例如二氧化硅和/或二氧化硅改性物。二氧化硅和/或二氧化硅改性物也可以包含二氧化硅的表面被改质的化合物。二氧化硅改性物可以包含源自二氧化硅的化合物、在反应过程中由二氧化硅生成的化合物等。以下，将二氧化硅和/或二氧化硅改性物简称为“二氧化硅”。
二氧化硅优选采取粉体的形态。二氧化硅粒子优选小于基体，以使得其能够附着于基体表面。二氧化硅粒子的平均粒径优选为50nm以下、更优选为30nm以下、进一步优选为20nm以下。可以认为：若超过50nm，则二氧化硅难以附着于基体表面，难以发生在基体表面上生成锂蒙脱石的情况。
关于二氧化硅粒子相对于基体大小的比值，将二氧化硅粒子的平均粒径设为1时，基体的中值粒径为10以上、优选为50以上、更优选为100以上。这是因为：若二氧化硅粒子相对于基体相对变大，则附着于基体的数量变少，第一硅酸盐的覆盖变少。
第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体也具有与第一实施方式所述的硅酸盐覆盖体相同的效果。通过存在附着剂，能够提高第一硅酸盐与基体的接合性。
本申请的硅酸盐覆盖体中的除了上述之外的特征有时也难以根据本申请的硅酸盐覆盖体的结构或特性来直接确定，此时，利用后述制造方法来确定是有用的。例如，在无法直接确定附着剂的形态、组成、存在、分布、含有率等的情况下，利用后述制造方法来确定它们是有用的。
作为本申请的第三实施方式，针对第一实施方式和第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体的制造方法进行说明。图3示出用于说明第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体的构成和生成机理的示意图。以下说明的方法是一个实施方式，本申请的硅酸盐覆盖体的制造方法不限定于以下的制造方法。此外，以下说明所包括的反应机理是补充性说明，并不用于限定本申请的制造方法。即，即使发现实际的反应机理与后述机理不同，也不会对下述制造方法造成影响。
图4示出第三实施方式所述的制造方法的流程图。
将包含构成第一硅酸盐的元素的原料、溶解至少一部分原料的溶解剂和基体添加至溶剂而制作混合液（S11；混合工序）。作为溶剂，可以使用例如水。优选通过对混合液施加超声波而使添加物分散在溶剂中。
作为基体，可以使用在第一实施方式中说明的基体。基体优选为二氧化硅（二氧化硅、无水硅酸；SiO2）粒子能够附着于该基体表面的基体。
包含构成第一硅酸盐的元素的原料中包含二氧化硅粉体（包括溶胶形态、凝胶形态）。二氧化硅粉体可成为第一硅酸盐的原料，且可成为用于对基体覆盖第一硅酸盐的起点。在第一硅酸盐为锂蒙脱石等蒙脱石系硅酸盐的情况下，原料优选包含锂化合物、镁化合物等。
二氧化硅粒子的形状没有特别限定。例如，二氧化硅粒子可以具有例如球形状、板状、鳞片状、不规则形状等。二氧化硅可以为多孔体，也可以为非多孔体。二氧化硅的表面优选为亲水性。
二氧化硅粒子的大小优选小于基体（包含基体粒子）的大小，以使得其能够附着于基体面。关于二氧化硅粒子相对于基体大小的比值，将二氧化硅粒子的平均粒径设为1时，基体的中值粒径优选为10以上、更优选为50以上、进一步优选为100以上。这是因为：若二氧化硅粒子相对于基体相对变大，则吸附于基体的数量变少，第一硅酸盐的覆盖变少。
二氧化硅粒子的粒径可根据硅酸盐覆盖粉体的表面积的设计来适当设定。二氧化硅粉体的平均粒径可以设为例如5nm以上和10nm以上。此外，二氧化硅粉体的平均粒径可以设为例如2μm以下、1μm以下、500nm以下、200nm以下、100nm以下、50nm以下和20nm以下。
二氧化硅粉体的配合比相对于基体1质量份优选为0.02质量份以上、更优选为0.05质量份以上、更优选为0.08质量份以上、更优选为0.1质量份以上、进一步优选为0.15质量份以上。若小于0.02质量份，则蒙脱石的形成变得不充分。此外，二氧化硅粉体的配合比优选为0.7质量份以下、更优选为0.5质量份以下、更优选为0.3质量份以下、进一步优选为0.25质量份以下。若超过0.7质量份，则基体发生聚集、难以利用锂蒙脱石进行覆盖。
锂化合物只要能够形成蒙脱石所包含的锂元素的原料即可。作为锂化合物，可以使用例如氟化锂（LiF）、氯化锂（LiCl）等。
镁化合物只要能够形成蒙脱石所含的镁元素的原料即可。作为镁化合物，可以使用例如氯化镁（MgCl2）、氢氧化镁（Mg（OH）2）、氧化镁（MgO）等。
作为溶解剂，优选为可溶解二氧化硅粒子的表面部分的化合物。作为溶解剂，可以使用例如氢氧化钠（NaOH）、通过水解而生成氢氧化物离子（OH-）的化合物、例如脲（CO（NH2）2）等。
接着，将混合液进行加热（S12；加热工序）。加热优选一边加压一边进行。例如，可以将混合液用高压釜进行加热和加压。混合液优选例如以80℃以上、优选以100℃以上加热30小时以上、优选加热40小时以上。
加热后，将反应产物进行冷却（S13；冷却工序）。冷却优选通过骤冷来进行。冷却后，将反应产物中的固体成分进行分离（分离工序）。分离可通过离心分离处理等来进行。接着，通过将分离物进行干燥（干燥工序）而能够获得硅酸盐覆盖体。
分离工序和干燥工序在不分离硅酸盐覆盖体的情况下没必要进行。
图3示出在作为基体的云母粒子的表面上覆盖锂蒙脱石的过程。可以认为锂蒙脱石的覆盖机理如下所示。首先，二氧化硅粒子附着于云母粒子表面。接着，通过作为溶解剂的脲发生水解而生成的氢氧化物离子攻击附着于云母粒子表面的二氧化硅粒子。通过该攻击而使二氧化硅粒子的表层溶解。可以认为：通过二氧化硅表层的溶解而生成的硅化合物与作为原料而添加的锂化合物和镁化合物发生反应，在二氧化硅粒子表面形成锂蒙脱石，由此云母粒子被锂蒙脱石覆盖。
在基体面是否生成了第一硅酸盐可通过例如X射线衍射测定来确认。此外，也可以通过利用阳离子性色素（例如亚甲基蓝）能否使产物着色来确认。
根据第三实施方式所述的制造方法，能够制造第一实施方式和第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体。即使在第一硅酸盐与基体之间不具有附着性/接合性的情况下，根据本申请的制造方法也能够对基体覆盖第一硅酸盐。此外，即使基体为粉体，也能够以粒子水平使第一硅酸盐进行覆盖。
针对本申请的第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体进行说明。第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体涉及第一实施方式和第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体的着色形态。针对第一实施方式和第二实施方式所述的硅酸盐覆盖体，援引上述说明。在本申请中，术语“离子性有机色素”是指离子化前的盐形态和电离后的离子形态中的任意形态。
第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体还包含离子性有机色素。离子性有机色素是指在水中以离子形态发生溶解的有机化合物。作为离子性有机色素，可根据期望颜色来使用阳离子性有机色素、阴离子性有机色素、酸性有机色素和碱性有机色素中的至少一者。可以认为离子性有机色素包含在第一硅酸盐中。可以认为离子性有机色素与第一硅酸盐形成了复合体。可以认为离子性有机色素因离子的相互作用和/或静电的相互作用而吸附于第一硅酸盐。
作为阳离子性有机色素，可以使用例如亚甲基蓝、罗丹明（rhodamine）（例如罗丹明B（基础紫10））等。作为阴离子性有机色素，可以使用例如赤藓红（erythrosine）B（红色3号、四碘荧光素钠）、酒石黄（tartrazine）（黄色4号）、晚霞黄FCF（黄色5号）、亮蓝FCF（蓝色1号、羊毛罂红A、酸性蓝9）等。
有机色素是否为阳离子性和阴离子性中的任一者可利用抗衡离子进行判断。在抗衡离子为阴离子的情况下，有机色素呈现作为其相反电荷的阳离子性。在抗衡离子为阳离子的情况下，有机色素呈现作为其相反电荷的阴离子性。
在离子性有机色素为阴离子性有机色素的情况下，硅酸盐覆盖体还包含多价离子。多价离子可以设为2价以上的阳离子。作为多价离子，可列举出例如碱土金属离子、金属离子等。作为多价阳离子，可列举出例如镁离子（Mg2＋）、钙离子（Ca2＋）、铝离子（Al3＋）、钡离子（Ba2＋）等。多价阳离子也可以包含六水合铝离子（[Al（H2O）6]3＋）之类的络合离子。
以下，以第一硅酸盐为蒙脱石系硅酸盐那样地具有层状结构的硅酸盐的情况为例，针对第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体的结构进行说明。图4和图5示出第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体的影像图。图5是离子性色素为阳离子性有机色素时的影像图。图6是离子性色素为阴离子性有机色素时的影像图。其中，以下示出的结构即使与实际结构不同，实际结构也不偏离本申请的范围。
可以认为：在离子性有机色素32为阳离子性有机色素的情况下，如图5所示，通过与蒙脱石系硅酸盐中的交换性阳离子进行离子交换而进入至第一硅酸盐中。可以认为：通过离子性有机色素32的离子性官能团与第一硅酸盐的片结构31的离子性相互作用/静电性相互作用，从而使离子性有机色素32吸附于第一硅酸盐。
可以认为：在离子性有机色素32为阴离子性有机色素的情况下，如图6所示，离子性有机色素32介由多价阳离子33而进入至第一硅酸盐。离子性有机色素32具有与第一硅酸盐的片结构31相同的电荷，因此，无法通过与蒙脱石系硅酸盐中的交换性阳离子的直接性离子交换而进入至第一硅酸盐。因而可以认为：通过使具有与片结构31相反的电荷的多价阳离子33夹在离子性有机色素32与第一硅酸盐的片结构31之间，能够通过与离子性有机色素32的离子性官能团、多价阳离子33以及第一硅酸盐的片结构31的离子性相互作用/静电性相互作用而使离子性有机色素32吸附于第一硅酸盐。
多价阳离子33需要使第一硅酸盐的片结构31的电荷与对向置于片结构31的离子性有机色素32的离子性官能团的电荷（或者离子性有机色素整体的电荷）理论上为等价，因此需要具有2价以上的价数（例如2价、3价等）。
离子性有机色素的含有率可根据目标色相来适当设定。
在离子性有机色素为阳离子性色素的情况下，离子性有机色素的含有率例如相对于硅酸盐覆盖体的质量可以设为0.05质量以上、0.1质量%以上、0.5质量%以上、1质量%以上、3质量%以上或5质量%以上。此外，离子性有机色素的含有率例如相对于硅酸盐覆盖体的质量可以设为15质量以下、12质量%以下或10质量%以下。
在离子性有机色素为阴离子性色素的情况下，离子性有机色素的含有率例如相对于硅酸盐覆盖体的质量可以设为0.05质量以上、0.1质量%以上、0.5质量%以上、1质量%以上、3质量%以上或5质量%以上。此外，离子性有机色素的含有率例如相对于硅酸盐覆盖体的质量可以设为10质量以下、8质量%以下或5质量%以下。
多价阳离子的含有率可根据阴离子性有机色素的含有率来适当设定。多价阳离子的含有率例如相对于硅酸盐覆盖体的质量可以设为0.1质量%以上、0.5质量%以上或1质量%以上。多价阳离子的含有率例如相对于硅酸盐覆盖体的质量可以设为10质量%以下、8质量%以下或6质量%以下。
硅酸盐覆盖体中的离子性有机色素的吸附量可通过例如基于分光分析的吸收波长分析进行测定。通过将着色硅酸盐覆盖体的峰强度与规定了浓度的色素溶液的峰强度进行对比，能够确认色素吸附量。
本申请的第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体可用作例如颜料等。吸附于第一硅酸盐的离子性有机色素不易脱离，不易发生掉色、串色。通过使用安全性高的离子性有机色素，能够获得安全性高的着色硅酸盐覆盖体。着色硅酸盐覆盖体不易聚集而易于使用。因此，例如着色硅酸盐覆盖体可应用于化妆品等。
根据本申请的第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体，能够提高离子性有机色素的稳定性而抑制褪色。未吸附的离子性有机色素中存在容易因光、热、氧等而分解的物质。若离子性有机色素的分解加剧，则发生褪色。然而，通过使离子性有机色素吸附于第一硅酸盐，能够抑制离子性有机色素的分解。因此，通过将着色硅酸盐覆盖体用作离子性有机色素的替代物，能够提高显色的耐久性。
本申请的第四实施方式所述的硅酸盐覆盖体作为颜料而具有高使用性。化妆品等所使用的通常的染料/颜料通常因经由干燥工序来制造而发生了聚集。因此，通常的染料/颜料在使用时利用各种方法使聚集发生解碎来使用。另一方面，本申请的硅酸盐覆盖体不易聚集。因此，本申请的着色硅酸盐覆盖体不需要分散工序，因此使用性变高。此外，若通常的染料/颜料发生聚集则发生显色变化、触感降低，根据本申请的硅酸盐覆盖体，能够抑制显色变化、触感降低。
通过离子性有机色素的选择，本申请的着色硅酸盐覆盖体可以具有在基体（例如云母）单独存在时通常不会具有的颜色。
作为本申请的第五实施方式，针对第三实施方式所述的硅酸盐覆盖体的制造方法进行说明。图7示出第五实施方式所述的制造方法的流程图。
向包含水的水性溶剂中添加第三实施方式中制作的硅酸盐覆盖体和离子性有机色素（S21；添加工序）。水性溶剂只要能够使离子性有机色素发生电离且不阻碍离子性有机色素对硅酸盐覆盖体的吸附即可。硅酸盐覆盖体和离子性有机色素的添加顺序可以是任一者在先，也可以为同时。也可以将使离子性有机色素另行溶解于水而得的水溶液添加至硅酸盐覆盖体的分散介质。可以认为：离子性有机色素在水性溶剂中发生了离子化。作为离子性有机色素，可以使用上述色素。离子性有机色素可以为1种，也可以为多种。
硅酸盐覆盖体的添加率可适当设定。此外，离子性有机色素的添加率可根据着色的期望深浅来适当设定。
在离子性有机色素为阴离子性有机色素的情况下，使能够通过电离而生成多价阳离子的盐、化合物（多价阳离子源）溶解于水性溶剂。作为多价阳离子源，可列举出例如多价阳离子的氯化物、氢氧化物等。例如，作为多价阳离子源，可列举出氯化钙（CaCl2）、氯化镁（MgCl2）、氯化钡（BaCl2）、氯化铝水合物（[Al（H2O）6]Cl3）等。多价阳离子源可以为1种，也可以为多种。
为了提高着色速度，优选对含有硅酸盐覆盖体和离子性有机色素的水性溶剂进行搅拌。
离子性有机色素的添加量可根据目标色相来适当设定。离子性有机色素的添加比例例如相对于S21中添加的着色前的硅酸盐覆盖体100质量份可以设为0.01质量份以上、0.1质量份以上、0.2质量份以上或0.5质量份以上。此外，离子性有机色素的添加比例例如相对于着色前的硅酸盐覆盖体100质量份可以设为2质量份以下、1.5质量份以下或1质量份以下。
多价阳离子源的添加量可根据阴离子性有机色素的添加量来适当设定。多价阳离子源的添加比例例如相对于S21中添加的着色前的硅酸盐覆盖体100质量份可以设为0.5质量份以上、1质量份以上或2质量份以上。此外，多价阳离子源的添加比例例如相对于着色前的硅酸盐覆盖体100质量份可以设为12质量份以下、10质量份以下或8质量份以下。
接着，在着色至期望程度后，利用过滤等从水性溶剂中分离着色硅酸盐覆盖体（S22；分离工序）。接着，使分离出的着色硅酸盐覆盖体进行干燥（S23；干燥工序）。由此，能够获得着色硅酸盐覆盖体。在不需要分离着色硅酸盐覆盖体的情况下，也可以不进行分离工序和干燥工序。
通常，仅通过将基体（例如云母）与离子性有机色素进行混合时，无法将基体自身进行着色。然而，根据第五实施方式所述的制造方法，对于难以直接着色的基体也能够着色（使其显色）。此外，可利用简易的方法使基体着色。
根据第五实施方式所述的制造方法，即使离子性有机色素为阴离子性和阳离子性中的任一者也能够使基体着色。通过离子性有机色素的选择和组合能够将基体着色为期望的颜色。尤其是，在基体单独存在时能够使基材着色为通常不会具有的颜色。
作为本申请的第六实施方式，针对第三实施方式所述的硅酸盐覆盖体的制造方法进行说明。在第五实施方式中，在将基体用第一硅酸盐覆盖而制作硅酸盐覆盖体后，进行硅酸盐覆盖体的着色，但在第六实施方式中，在将基体用第一硅酸盐覆盖的同时，进行着色。
在第六实施方式中，在第三实施方式的混合工序（S11）中进一步添加离子性有机色素。在使用阴离子性有机色素的情况下，也一同添加成为多价阳离子源的盐。除了添加离子性有机色素和多价阳离子源之外，也可以与第三实施方式相同。
根据第六实施方式，可以利用比第三实施方式更为简化的工序来获得着色硅酸盐覆盖体。第六实施方式在离子性有机色素能够耐受加热工序或者不发生离子性有机色素的聚集等不良情况时是有用的。
实施例
以下，针对本申请的硅酸盐覆盖体及其制造方法，举例进行说明。然而，硅酸盐覆盖体及其制造方法不限定于以下例子。
[试验例1~6]
[锂蒙脱石覆盖云母的制作]
制作具有云母作为基体、且具有锂蒙脱石作为第一硅酸盐的硅酸盐覆盖云母。将合成云母（金云母；KMg3AlSi3O10F2）、二氧化硅溶胶、LiF、MgCl2和脲投入至水中，利用超声波使它们分散。合成云母使用中值粒径为12μm、平均厚度为0.3μm的云母。二氧化硅溶胶使用平均粒径为10nm的溶胶。二氧化硅粒子为球形、非多孔质和亲水性。二氧化硅（纯成分）的配合比相对于合成云母1g变更为0.1g（试验例1）、0.2g（试验例2）、0.3g（试验例3）、0.4g（试验例4）、0.5g（试验例5）和1g（试验例6）。二氧化硅溶胶、LiF、MgCl2和脲的配合比以摩尔比计设为Si元素:Li元素:Mg元素:脲＝40:7:28:255。接着，将混合液用高压釜以100℃进行48小时的加热加压处理。接着，使反应产物骤冷后，利用离心分离处理来分离固体成分，使分离出的固体成分干燥。针对所得固体成分进行分析。
[X射线衍射测定]
进行试验例1~6的反应产物的X射线衍射测定（CuKα射线；Rigaku RINT 2200V/PC）。图8示出试验例1~6中得到的反应产物的X射线衍射图案。图8所示的图案从上起依次示出试验例1~6的图案。作为比较对照，图16示出合成云母单独的X射线衍射图案。图17示出锂蒙脱石单独的X射线衍射图案。图8所示的任意X射线衍射图案中均出现锂蒙脱石的峰。因此可以认为：在试验例1~6中生成了锂蒙脱石。图16所示的云母图案在例如2θ为约9°、27°和45°的位置存在峰，但图8所示的图案也在相同位置存在峰。由此也可知：产物中残留有云母。
通过将反应产物的X射线衍射图案与锂蒙脱石的X射线衍射图案进行对比，针对是否生成锂蒙脱石更详细地进行研究。图9示出试验例1所述的反应产物的X射线衍射图案。图10示出将图9和图17所示图案之中的2θ＝2°~12°的范围放大而得的产物和锂蒙脱石的X射线衍射图案。图17所示的锂蒙脱石的图案中，在2θ＝2°~8°的范围存在宽阔的峰。另一方面，图16所示云母的图案中，在2θ＝2°~8°处不存在峰。因而，着眼于反应产物的2θ＝2°~8°的峰而能够确认是否生成锂蒙脱石。
若观察图10所示的试验例1所述的图案，则与锂蒙脱石的图案同样地在4°~8°的范围存在宽阔的弱峰。可以认为该峰是来源于锂蒙脱石的峰。即，可以认为反应产物具有锂蒙脱石。在图10中，试验例1的峰与锂蒙脱石的峰相比存在于高角度侧。可以认为这是因为：由于水进入锂蒙脱石的层间而导致试验例1的峰向高角度侧位移。
图11~图15分别示出与图10相同的2θ＝2°~12°的范围内的试验例2~6的产物和锂蒙脱石的X射线衍射图案。可以认为：根据X射线衍射图案，在试验例2~6中也生成了锂蒙脱石。然而，在试验例4~6中，随着二氧化硅的添加量的增加，观察到锂蒙脱石的峰强度变弱的倾向。因此可以认为：随着二氧化硅的添加量的增加，锂蒙脱石的生成量减少。
[扫描型电子显微镜（SEM）观察]
针对试验例1~5中的产物，使用电场释放型扫描型电子显微镜（Hitachi SU-8000）来观察粒子的外观和表面。图18~图20示出试验例1中的产物的SEM图像。图21~图23示出试验例2中的产物的SEM图像。图24~图26示出试验例3中的产物的SEM图像。图27~图29示出试验例4中的产物的SEM图像。图30~图32示出试验例5中的产物的SEM图像。作为比较对照，图29~图35示出合成云母单独的SEM图像。
在图18~图32的图像中，平板状的粒子（基体粒子）为云母粒子。根据图33~图35所示的云母单独的SEM图像，云母的表面变得平滑。另一方面，图18~图32所示的粒子的表面不平滑（例如存在微细的凹凸）。因此可以认为：在图18~图32的图像中，存在于粒子表面的不平滑区域的物质（纤维状的隆起物和附着物）为锂蒙脱石和/或二氧化硅。因此可以认为：在试验例1~5的任一者中均能够形成锂蒙脱石覆盖云母。此外可以认为：例如在图22所示的粒子中，看起来平滑的区域是露出云母的部分。另一方面，随着二氧化硅的添加量变多，观察到云母粒子的聚集和固化。
[吸附等温线的制作]
使亚甲基蓝吸附于试验例1~5的产物来确认反应产物是否发生色素沉淀。此外，根据亚甲基蓝的吸附量来测定锂蒙脱石的生成量。
制备亚甲基蓝的浓度不同的6种亚甲基蓝水溶液。使各试验例的产物50mg浸渍于各浓度的亚甲基蓝水溶液25mL，在25℃使水溶液往返振荡24小时。对已振荡的水溶液进行离心分离处理（3krpm、10分钟），测定上清液的吸光度（λ＝665nm）。根据所得吸光度计算每1g产物的亚甲基蓝吸附量q（mmol/g）。并且，将横轴设为亚甲基蓝浓度（平衡浓度）C（mmol/L），并将纵轴设为亚甲基蓝浓度/亚甲基蓝吸附量C/q（g/L）来标绘测定值，求出近似直线。此外，由近似直线的斜率的倒数求出亚甲基蓝的饱和（最大）吸附量qm（mmol/g），由截距求出平衡系数K（L/mol）。并且，由所得最大吸附量qm和平衡系数K求出吸附等温线的理论曲线。表1示出所制备的亚甲基蓝水溶液的浓度C。表2示出所计算的饱和吸附量qm、平衡系数K和近似直线的相关系数。作为例子，图36和图37示出试验例5所述的近似直线和吸附等温线的理论曲线。图38示出表示刚使产物浸渍于亚甲基蓝水溶液后的状态的照片、表示浸渍后3小时的状态的照片、以及24小时后从水溶液中分离并进行清洗和干燥后的照片。
如图38所示，通过添加至亚甲基蓝水溶液而使产物着色为蓝色。可以认为：锂蒙脱石虽然吸附亚甲基蓝，但云母和二氧化硅不吸附亚甲基蓝，因此，试验例1~5的产物形成有锂蒙脱石。此外可以认为：分离出的粉末未观察到颜色不均，因此，锂蒙脱石均匀地附着于云母粉末。
按照试验例1~5的顺序增加二氧化硅的添加量，但如表2所示，试验例1~试验例2确认到饱和吸附量qm的增加。然而，在试验例2~5中，未确认到饱和吸附量qm的增加。由此可以认为：锂蒙脱石的生成量取决于二氧化硅的添加量。
[表1]
[表2]
如上所示，如果将X射线衍射测定、SEM图像分析和可见紫外分光分析进行汇总，则可以认为：在试验例1~5中，能够生成使锂蒙脱石覆盖于至少一部分云母粒子而得的锂蒙脱石覆盖云母。其中可以认为：若增加二氧化硅的添加量，则二氧化硅作为粘接剂而发挥作用并使云母粒子彼此聚集，或者生成二氧化硅聚合物而覆盖云母表面，由此阻碍锂蒙脱石的生成和覆盖。由此可以认为：使锂蒙脱石适合地附着于云母的条件优选为：相对于云母1g为二氧化硅0.1g以上、优选为0.15g以上。此外可以认为：为了抑制粉末的聚集/固化，优选为：相对于云母1g为二氧化硅0.3g以下、优选为0.25g以下。
[试验例7]
针对试验例1~6中得到的产物，为了确认锂蒙脱石、云母和二氧化硅的关系而确认锂蒙脱石是否直接附着于云母。具体而言，针对不含二氧化硅、镁化合物和锂化合物的合成云母、锂蒙脱石和脲的混合物，进行与试验例1~6相同的试验。即，使合成云母、锂蒙脱石和脲分散于水，利用与试验例1~6相同的条件进行加热加压处理，并回收处理物。
对所得处理物的SEM图像进行拍摄。图39和图40示出处理物的SEM图像。根据SEM图像，云母与锂蒙脱石发生分离，未确认到云母与锂蒙脱石的附着。另一方面，确认到锂蒙脱石的聚集。由此可以认为：在试验例1~6中，所生成的锂蒙脱石的大部分未直接附着在云母上。
[试验例8]
针对试验例1~6中得到的产物，为了确认锂蒙脱石、云母和二氧化硅的关系而确认二氧化硅是否直接附着于云母。具体而言，针对不含镁化合物和锂化合物的合成云母、二氧化硅和脲的混合物，进行与试验例1~6相同的试验。即，使合成云母、二氧化硅溶胶和脲分散于水，利用与试验例1~6相同的条件进行加热加压处理，并回收处理物。
对所得处理物的SEM图像进行拍摄。图41和图42示出处理物的SEM图像。根据SEM图像，确认到在云母表面附着有二氧化硅粒子。由此可以认为：在试验例1~6所得到的产物中，在云母上附着有二氧化硅。
根据试验例7，锂蒙脱石未吸附于云母。根据试验例8，二氧化硅吸附于云母。根据上述专利文献2和非专利文献1，锂蒙脱石生成在二氧化硅上。由此，在锂蒙脱石覆盖过程中，首先，二氧化硅（和/或源自二氧化硅的硅化合物）附着于云母。并且，所附着的二氧化硅的一部分表面被氢氧化物离子攻击，并与其它原料发生反应，由此以二氧化硅为起点而形成锂蒙脱石，其结果可以认为：锂蒙脱石覆盖云母。
由此可以认为：根据本申请的方法，即使是与锂蒙脱石之间的附着性低的基体，只要是能够附着二氧化硅的基体，就能够利用锂蒙脱石等蒙脱石系硅酸盐进行覆盖。
[试验例9~14]
制作用离子性有机色素进行了着色的着色硅酸盐覆盖体。将试验例1中制作的硅酸盐覆盖体用作原料。作为阳离子性有机色素，使用了亚甲基蓝（试验例9和10）和罗丹明B（试验例11）。作为阴离子性有机色素，使用了亮蓝FCF（试验例12）、赤藓红B（试验例13）和酒石黄（试验例14）。在试验例9和10中，变更亚甲基蓝的量。针对所得着色硅酸盐覆盖体，测定CIE1976L ＊a＊b＊色空间（JISZ8781）。色空间通过向粉体盒中填充试样0.7g，并使用コニカミノルタ公司制的色差计CR-400进行测定。表3示出离子性有机色素的添加率和着色硅酸盐覆盖体的色相。表3所示的添加比例是相对于着色前的硅酸盐覆盖体100质量份的添加比例（质量份）。以下说明各试验例的详情。
[表3]
在试验例9和10中，为了制作试验例1~5中的上述吸附等温线，利用与制作着色试样的方法相同的方法使亚甲基蓝附着于着色前的硅酸盐覆盖体。图43和图44分别示出试验例9和10中得到的着色硅酸盐覆盖体的照片。如图43所示，在亚甲基蓝浓度小的试验例9中，能够获得着色为淡蓝色的硅酸盐覆盖体，如图44所示，在亚甲基蓝浓度大的试验例10中，能够获得着色为深蓝色的硅酸盐覆盖体。由此可知：通过根据离子性有机色素的添加比例来变更离子性有机色素的吸附量，能够调节着色硅酸盐覆盖体的色相的深浅。
在试验例11中，将着色前的硅酸盐覆盖体以达到10质量%的方式添加至水中。接着，以表3所示的添加比例添加罗丹明B并将混合物搅拌1小时。接着，通过离心分离将产物体进行脱水过滤后，以100℃使其干燥。将干燥物用120mesh的筛进行筛分而得到着色硅酸盐覆盖体。图45示出试验例11中得到的着色硅酸盐覆盖体的照片。能够获得着色为粉色的硅酸盐覆盖体。
在试验例12~14中，分别将着色前的硅酸盐覆盖体以达到10质量%的方式添加至水中。接着，以表3所示的添加比例添加各有机色素。接着，作为多价阳离子源而以表3所示的添加比例添加氯化铝水合物，并搅拌1小时以上。接着，通过离心分离将产物体进行脱水过滤后，以100℃使其干燥。将干燥物用120mesh的筛进行筛分而得到着色硅酸盐覆盖体。图46~图48示出试验例12~14中得到的着色硅酸盐覆盖体的照片。在试验例12中，能够获得着色为蓝色的硅酸盐覆盖体。在试验例13中，能够得到着色为红色的硅酸盐覆盖体。在试验例14中，能够获得着色为黄色的硅酸盐覆盖体。
作为试验例14的比较例，作为被着色体，使用相同粒径的合成云母来代替着色前的硅酸盐覆盖体，除此之外，利用与试验例14相同的方法进行着色工序。图49示出试验例14与比较例的着色过程中的离心分离脱水前的混合液的静置状态。作为被着色体而使用硅酸盐覆盖体的混合液（右侧）中，上清液变为透明。另一方面，作为被着色体而使用合成云母的混合液（左侧）中，上清液继续浑浊。即，表示合成云母未发生色素吸附。由此可以认为：离子性有机色素吸附于锂蒙脱石。
由此可知：本申请的方法对于云母的着色是有用的。此外可知：通过使用离子性有机色素，能够得到着色为期望颜色的云母等基体。
确认色素是否从试验例9~14中制作得着色硅酸盐覆盖体脱附。此外，针对着色硅酸盐覆盖体和离子性有机色素，比较其相对于肌肤的去除容易性。将试验例9~14的着色硅酸盐覆盖体和离子性有机色素分别涂布于肌肤后，用水轻轻洗掉，由此通过目视来确认其是否从肌肤掉色。以下示出掉色的评价基准。将结果示于表4。
A：仅通过轻轻地冲水时，就从肌肤发生掉色。
B：仅通过轻轻地冲水时，肌肤残留颜色。
若将离子性有机色素直接涂布于肌肤，则即使用水冲洗，色素也会进入皮槽中，颜色残留于肌肤。另一方面，着色硅酸盐覆盖体仅通过冲水就能够容易地从肌肤掉色。由此可确认：吸附于着色硅酸盐覆盖体的离子性有机色素不会容易地从硅酸盐覆盖体脱附。此外，可确认着色硅酸盐覆盖体的去除容易性高。
[表4]
本发明的硅酸盐覆盖体及其制造方法基于上述实施方式和实施例进行了说明，但不限定于上述实施方式和实施例，可以包括在本发明的范围内且基于本发明的基本技术思想，对各公开要素（包括权利要求书、说明书和附图记载的要素）进行的各种变形、变更和改良。此外，在本发明的权利要求书的范围内，各公开要素可以进行多种组合/置换和/或选择。
本发明的进一步课题、目标和形态（包括变更形态）也根据包括权利要求书在内的本发明的全部公开事项而明确。
针对本说明书记载得数值范围，即使在没有特别记载的情况下，也应该解释为该范围内包含的任意数值和/或范围具体记载在本说明书中。
产业上的可利用性
本申请的硅酸盐覆盖体可应用于例如化妆品、涂料、金属离子吸附剂、膜、纳米复合材料等。
附图标记说明
1 基体
2 附着剂
3 第一硅酸盐
10，20 硅酸盐覆盖体
31 片结构
32 离子性有机色素
33 多价阳离子

Claims (21)

1.硅酸盐覆盖体，其具备：
云母粒子；
附着于所述云母粒子表面的二氧化硅和/或二氧化硅改性物；以及
介由所述二氧化硅和/或二氧化硅改性物而覆盖至少一部分所述云母粒子的第一硅酸盐。
2.根据权利要求1所述的硅酸盐覆盖体，其中，所述云母粒子的中值粒径为0.1μm~500μm。
3.根据权利要求1或2所述的硅酸盐覆盖体，其中，所述第一硅酸盐与所述二氧化硅和/或二氧化硅改性物是一体的。
4.根据权利要求1或2所述的硅酸盐覆盖体，其中，所述第一硅酸盐包含蒙脱石系硅酸盐。
5.根据权利要求4所述的硅酸盐覆盖体，其中，所述蒙脱石系硅酸盐包含锂蒙脱石。
6.根据权利要求1所述的硅酸盐覆盖体，其还具备离子性有机色素。
7.根据权利要求6所述的硅酸盐覆盖体，其中，所述离子性有机色素吸附于所述第一硅酸盐。
8.根据权利要求6或7所述的硅酸盐覆盖体，其中，所述离子性有机色素为亚甲基蓝、罗丹明B、赤藓红B、酒石黄、晚霞黄FCF和亮蓝FCF中的至少一者。
9.根据权利要求6或7所述的硅酸盐覆盖体，其还具备多价阳离子，
所述离子性有机色素包含阴离子性有机色素。
10.根据权利要求9所述的硅酸盐覆盖体，其中，所述多价阳离子为镁离子、钙离子、铝离子和钡离子中的至少一者。
11.硅酸盐覆盖体的制造方法，其包括：
将供给蒙脱石系硅酸盐的构成元素的原料、溶解至少一部分所述原料的溶解剂和基体在溶剂中混合而制作混合液的混合工序；
将所述混合液进行加热处理的加热工序；以及
将所述混合液进行冷却的冷却工序，
所述原料包含二氧化硅粉末，
所述基体包含云母、滑石、氧化铝和玻璃中的至少一者，
所述二氧化硅粉末中的粒子小于所述基体，
所述粒子能够附着于所述基体的表面。
12.根据权利要求11所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，在所述混合工序中，所述二氧化硅粉末相对于所述基体1质量份为0.02质量份~0.7质量份。
13.根据权利要求11或12所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，将所述粒子的平均粒径设为1时，所述基体的中值粒径为10以上。
14.根据权利要求11或12所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，所述溶剂为水，
所述混合液的加热处理在加压条件下进行。
15.根据权利要求11或12所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，所述蒙脱石系硅酸盐包含锂蒙脱石。
16.根据权利要求11或12所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，所述溶解剂包含溶解所述二氧化硅粉末的表面部分的化合物。
17.根据权利要求11或12所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，所述原料包含含镁化合物和含锂化合物，
所述溶解剂包含脲。
18.根据权利要求11或12所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其还包括：向包含水的水性溶剂中添加所述硅酸盐覆盖体和离子性有机色素的添加工序。
19.根据权利要求18所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，所述离子性有机色素包含阴离子性有机色素时，在所述水性溶剂中进一步添加电离出多价阳离子的盐。
20.根据权利要求19所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，所述盐为氯化钙、氯化镁、氯化铝水合物和氯化钡中的至少一者。
21.根据权利要求18所述的硅酸盐覆盖体的制造方法，其中，所述离子性有机色素为亚甲基蓝、罗丹明B、赤藓红B、酒石黄、晚霞黄FCF和亮蓝FCF中的至少一者。
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