CN110337189A - 线路板蚀刻方法 - Google Patents

Abstract

一种线路板蚀刻方法，通过提供线路基板，并在线路基板的上表面涂覆导电材料层，固化后得到覆合基材，并在覆合基材上涂覆感光涂层后在真空条件下进行曝光操作，并将未被曝光部分的感光涂层进行去除以得到待蚀刻板，接着在35℃～50℃温度条件下将待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案，最后将待蚀刻板上的被曝光部分的感光涂层清洗去除后即得到线路板，另外还限定了感光涂层及蚀刻液的特定配比。采用上述线路板蚀刻方法，能够使得蚀刻因子更高，线路图案的平整度及衔接性更好，且能够确保蚀刻液不会蚀刻被曝光部分的感光涂层，同时未被光爆部分的感光涂层又能很好去除，不会留有残胶，确保了蚀刻的一致性。

Description

线路板蚀刻方法

技术领域

本发明涉及线路板制造领域，特别是涉及一种线路板蚀刻方法。

背景技术

线路板从光板到显出线路图形的过程是一个比较复杂的物理和化学反应的过程，线路板蚀刻是指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

在线路板的制造过程中，经常需要使用蚀刻药水对铜层进行蚀刻以形成线路图案，然而，采用现有的蚀刻药水对铜层进行蚀刻时，蚀刻药水的作用是向所有方向的，蚀刻作用经常会攻击到阻剂下面图形的边缘部分，随着药水的搅动，铜被逐渐溶解，边缘蚀刻扩大，最后导体壁变成倾斜的，而不是垂直的，这个现象就叫做侧蚀。导线厚度与侧蚀量的比值称为蚀刻因子，可以用蚀刻因子的高低来衡量侧蚀量的大小，蚀刻因子越高，侧蚀量越少。

一般的蚀刻药水在蚀刻线路板的过程中，容易使得线路板表面较为粗糙，并且蚀刻因子较低，蚀刻效率低下；另外，还容易存在由于采用较差的感光涂层，容易使得被曝光后的感光涂层部分也被蚀刻液所浸透，从而使得被曝光部分的感光涂层下方的导电涂料层也被一定程度的蚀刻，进而影响线路图案的平整度和导电性能。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种蚀刻因子更高，线路图案的平整度及衔接性更好，且能够确保蚀刻液不会蚀刻被曝光部分的感光涂层，同时未被光爆部分的感光涂层又能很好去除，不会留有残胶的线路板蚀刻方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种线路板蚀刻方法，包括如下步骤:

提供线路基板；

在所述线路基板的上表面涂覆导电材料层，并进行固化操作，得到覆合基材；

在所述覆合基材上涂覆感光涂层后，在真空条件下进行曝光操作；

去除所述覆合基材上未被曝光部分的所述感光涂层，得到待蚀刻板；

在35℃～50℃的温度条件下，将所述待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案；

清洗去除所述待蚀刻板上的被曝光部分的所述感光涂层，得到线路板；

其中，所述感光涂层包括如下质量份的各组分：光固化树脂30份～50份，UV单体10份～18份，填料20份～28份，光引发剂2份～5份，助剂1份～3份；

所述蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸6份～10份，硝酸12份～18份，冰醋酸13份～20份，双氧水20份～30份，氯酸钠16份～23份，三氯化铁15份～24份和缓蚀剂5份～7份。

在其中一个实施例中，所述导电材料层为铜箔或铝箔。

在其中一个实施例中，在去除所述覆合基材上未被曝光部分的感光涂层后，采用等离子设备去除所述待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边。

在其中一个实施例中，还在等离子设备中输送惰性气体，并激发成等离子状态并对所述待蚀刻板进行轰击，以去除所述待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边。

在其中一个实施例中，所述惰性气体为氦气、氩气或氖气。

在其中一个实施例中，所述在真空条件下进行曝光操作具体包括如下步骤：进行抽真空操作，控制真空度为-0.083mpa～-0.096mpa，在温度为25℃～28℃的温度条件下，进行曝光操作。

在其中一个实施例中，所述光固化树脂为含氟不饱和聚酯树脂或UV光固化丙烯酸树脂。

在其中一个实施例中，所述UV单体为聚氨酯单体、环氧树脂单体和三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述光引发剂为安息香双甲醚、二苯基乙酮和异丙苯茂铁六氟磷酸盐的至少一种。

在其中一个实施例中，所述缓蚀剂为苯骈三氮唑、巯基苯骈噻唑和甲基苯骈三氮唑中的至少一种。

上述线路板蚀刻方法，通过提供线路基板，并在线路基板的上表面涂覆导电材料层，固化后得到覆合基材，并在覆合基材上涂覆感光涂层后在真空条件下进行曝光操作，并将未被曝光部分的感光涂层进行去除以得到待蚀刻板，接着在35℃～50℃温度条件下将待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案，最后将待蚀刻板上的被曝光部分的感光涂层清洗去除后即得到线路板，另外还限定了感光涂层及蚀刻液的特定配比。采用上述线路板蚀刻方法，能够使得蚀刻因子更高，线路图案的平整度及衔接性更好，且能够确保蚀刻液不会蚀刻被曝光部分的感光涂层，同时未被光爆部分的感光涂层又能很好去除，不会留有残胶，确保了蚀刻的一致性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明一实施例的线路板蚀刻方法的步骤流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1，一实施方式中，一种线路板蚀刻方法，包括如下步骤:

S110、提供线路基板。

可以理解，线路基本的不同，决定了其后续蚀刻工艺也会有所不同，若选取了品质较差的线路基板，容易影响到蚀刻后线路板成品的质量，为了确保蚀刻工艺的正常进行，以及蚀刻后获得所需的线路图案，例如，通过提供优选的线路基板，能够利于后续蚀刻步骤的进行，又如，所述线路基板为硬质覆铜板，具体的，所述硬质覆铜板为环氧玻纤布印制覆铜板，如此，采用环氧或改性环氧树脂作黏合剂，玻纤布作为增强材料的基板作为线路基板，能够具有更好的机械强度，在蚀刻过程中，更不易折断或磨损，易于或者品质更好的线路板，再如，所述线路基板的厚度为3密耳～7密耳，如此，能够根据蚀刻线路的复杂程度以及适用产品的需求，选取更合适厚度的线路基板，以便后续蚀刻得到品质更好的线路板。

S120、在所述线路基板的上表面涂覆导电材料层，并进行固化操作，得到覆合基材。

通过在所述线路基板的上表面涂覆导电材料层，例如后续蚀刻形成衔接性更好的导电线路图案，例如，在其中一个实施例中，所述导电材料层为铜箔或铝箔，如此，不仅能够节约生产成本，且铜箔或铝箔均具有非常好的导电性能，利于获得导电效果更好的蚀刻线路板，接着再进行固化操作，将涂覆好的导电材料层进行干燥固化，能够得到覆合基材。可以理解，当涂覆过程中，导电材料层可能会发生一定的氧化，故容易在线路基本上形成一层氧化膜，从而不仅会影响一定的导电性能，同时也会影响后续涂覆感光涂层时的覆合效果，例如，由于附着力不够，使得感光涂层和导电材料层无法进行更好的贴合，如此，在进行固化操作后，还对所述覆合基材进行清洗操作以去除所述覆合基材表面的杂质及氧化膜。又如，为了更好的将导电材料层进行固化并且不会造成开裂等问题，例如，所述固化操作具体包括如下步骤：S121、在60℃～80℃的温度条件下，将涂覆导电材料层后的所述线路基板进行预热操作；S122、将温度控制为100℃～130℃，并对所述涂覆导电材料层后的所述线路基板进行高温加热操作；S123、待所述导电材料层固化后再进行冷却操作，得到覆合基材。如此，为了避免快速高温，使得导电材料层固化后造成开裂或影响电性能等问题，首先在较低温度的条件下进行预热操作，接着在将温度控制在100℃～130℃，对所述导电材料层进行高温加热操作后再进行了冷却操作，能够更好地将所述导电材料层进行固化，得到电性能和平整度更好的覆合基材。

S130、在所述覆合基材上涂覆感光涂层后，在真空条件下进行曝光操作。

通过在所述覆合基材上涂覆感光涂层，能够在紫外光下成像并固化，接着在真空条件下进行曝光操作，能够获得曝光线路图案，并且，在真空条件下进行曝光操作，有利于曝光在感光涂层上图形的转移，使得曝光线路图案更加清晰。

为了使得所述感光涂层被曝光后的部分后续不会被蚀刻液蚀刻去除，同时未被光爆部分的感光涂层又能很好去除，不会留有残胶，例如，所述感光涂层包括如下质量份的各组分：光固化树脂30份～50份，UV单体10份～18份，填料20份～28份，光引发剂2份～5份，助剂1份～3份。可以理解，感光涂层的组成不同将会大大影响感光涂层的性能，通过不断实验分析研究，确定了所述感光涂层的最佳配比，例如，所述感光涂层包括如下质量份的各组分：光固化树脂30份～50份，UV单体10份～18份，填料20份～28份，光引发剂2份～5份，助剂1份～3份，如此，能够具备更好紫外光固化性能，尤其是在蚀刻过程中，具有更好的抗蚀效果，蚀刻液不容易透过所述感光涂层浸透所述导电材料层，从而破坏蚀刻线路的平整度和一致性，同时在蚀刻完成后，未被曝光部分的所述感光涂层又能很好去除，不会留有残胶，从而不会影响线路板的品质和性能。又如，为了进一步提高所述感光涂层的抗蚀效果和清洗效果，所述感光涂层包括如下质量份的各组分：光固化树脂35份～45份，UV单体12份～15份，填料23份～26份，光引发剂3份～4份，助剂2份～3份，如此，能够进一步提高所述感光涂层在酸性条件下的抗蚀效果，使得被曝光部分的感光涂层不易被蚀刻掉，尤其边缘部分更加平整，使得线路板的蚀刻因子更高，线路图案的平整度及衔接性更好。再如，所述感光涂层包括如下质量份的各组分：光固化树脂40份，UV单体14份，填料25份，光引发剂4份，助剂3份，如此，能够更进一步提高所述感光涂层抗蚀效果和清洗效果。

可以理解，感光涂层具有对紫化线敏感，并且能通过紫外线固化的性能，例如，所述感光涂层为液态感光抗蚀耐电镀油墨，如此，能够具有更加优异的抗酸性或抗电蚀性，且图形分辨率更高，例如，在其中一个实施例中，所述光固化树脂为含氟不饱和聚酯树脂或UV光固化丙烯酸树脂。可以理解，光固化树脂又称光敏树脂，是一种受光线照射后，能在较短的时间内迅速发生物理和化学变化，进而交联固化的低聚物，如此，能够使得所述感光涂层在所述覆合基材上更加快速交联固化。例如，所述光固化树脂为含氟不饱和聚酯树脂，可以理解，含氟不饱和聚酯树脂中氟原子在苯环上，虽然在一定程度上降低了树脂的表面能，但与顺酐参加反应生成的酯键相距较远，其含氟不饱和聚酯树脂固化后密度较低，在酸性介质中，水解是可逆的，产物不会离开反应区，具有非常好的耐酸性，如此，能够使得所述感光涂层能够具备更好紫外光固化性能，尤其是在蚀刻过程中，具有更好的耐酸耐腐蚀性能，蚀刻液不容易透过所述感光涂层浸透所述导电材料层，从而破坏蚀刻线路的平整度和一致性，同时在蚀刻完成后，未被曝光部分的所述感光涂层又能很好去除，不会留有残胶，从而不会影响线路板的品质和性能。又如，所述光固化树脂为UV光固化丙烯酸树脂，可以理解，UV光固化丙烯酸树脂具有优良的柔韧性和粘着性，能够对所述导电材料层起到更好的保护作用，且不易在蚀刻过程中，发生脱落，从而使得蚀刻完成后的线路板具有平整度和一致性更好的线路图案。

为了提高所述感光涂层在酸性蚀刻液中不易被蚀刻溶解的性能，例如，在其中一个实施例中，所述UV单体为聚氨酯单体、环氧树脂单体和三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体中的至少一种。如此，通过所述UV单体及光固化树脂的交联作用，能够形成交联状网络结构，使得所述感光涂层具有更好的UV固化效果，在曝光后，能够具有更加清晰的显影效果。例如，所述UV单体为聚氨酯单体，可以理解，聚氨酯单体具有优良的固化速率，且抗张强度大，耐化学品性能优异等特点，如此，能够使得所述感光涂层在紫外光照射下更加快速的固化，且不易产生裂纹，尤其是能够在蚀刻液中具备更好的耐腐蚀性，使得所述感光涂层不易被蚀刻液腐蚀渗透，从而对所述导电材料层起到更好的保护作用。又如，所述UV单体为环氧树脂单体，可以理解，环氧树脂单体的固化速率快，抗张强度高，耐化学性极好，故采用环氧树脂单体作为所述感光涂层的交联单体，能够大大提高所述感光涂层的抗蚀性能及固化效率。再如，所述UV单体为三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体，可以理解，三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体可作为过氧化物交联时的助交联剂，能够促进所述感光涂层中各组分发生交联作用，大大提高所述感光涂层的抗蚀刻性能。再如，所述UV单体为聚氨酯单体、环氧树脂单体和三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体的复配混合物，其中，所述聚氨酯单体、所述环氧树脂单体和所述三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体的质量比为(3～6):(4～7):(3～5)，进一步地，所述聚氨酯单体、所述环氧树脂单体和所述三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体的质量比为4:5:5，如此，通过采用特定配比的所述UV单体的各组分，混合后加入到所述感光涂层中，能够使得所述感光涂层在蚀刻液中具备更好的抗蚀性能，使得所述感光涂层不易被蚀刻液腐蚀渗透，从而对所述导电材料层起到更好的保护作用。

为了引发所述光固化树脂及UV单体聚合固化，例如，在其中一个实施例中，所述光引发剂为安息香双甲醚、二苯基乙酮和异丙苯茂铁六氟磷酸盐的至少一种。可以理解，安息香双甲醚是一种高效的紫外光固化引发剂，主要用于丙烯酸酯剂单体的聚合及不饱和聚酯的聚合与交联，通过采用安息香双甲醚作为所述感光涂层的光引发剂，能够更好地将所述感光涂层的各组分进行交联，或者性质更加稳定，固化效果更好的所述感光涂层；又如，所述光引发剂为二苯基乙酮，可以理解，二苯基乙酮具有稳定性好，引发效率高的特点，如此，能够更好的引发所述感光涂层中各组分的光固化；再如，所述光引发剂为异丙苯茂铁六氟磷酸盐，再如，所述异丙苯茂铁六氟磷酸盐为异丙苯茂铁六氟磷酸铁或异丙苯茂铁六氟磷酸钠，如此，能够进一步促进所述UV单体进行聚合交联固化；再如，所述光引发剂为安息香双甲醚、二苯基乙酮和异丙苯茂铁六氟磷酸盐的复配引发剂，其中，所述安息香双甲醚、所述二苯基乙酮和所述异丙苯茂铁六氟磷酸盐的质量比为(0.8～1.9):(0.7～1.8):(0.5～1.3)，进一步地，所述安息香双甲醚、所述二苯基乙酮和所述异丙苯茂铁六氟磷酸盐的质量比为1.2:0.8：0.9，如此，通过按照一定配比复配形成的所述光引发剂，能够获得吸收光波效果更好，引发效率更高的性能，进而能够促进所述感光涂层更加快速的光固化。

为了使得所述感光涂层获得更好的曝光效果，后续能够显示更加清晰的图案，例如，在其中一个实施例中，所述在真空条件下进行曝光操作具体包括如下步骤：进行抽真空操作，控制真空度为-0.083mpa～-0.096mpa，在温度为25℃～28℃的温度条件下，进行曝光操作。如此，通过控制曝光操作时的真空度及温度，能够利于曝光在所述感光涂层上进行转移，获得更加清晰的曝光线路图案。

S140、去除所述覆合基材上未被曝光部分的所述感光涂层，得到待蚀刻板。

为了获得被曝光部分的所述感光涂层，进而获得曝光线路图案，通过去除所述覆合基材上未被曝光部分的所述感光涂层，即进行显影操作，能够获得需要蚀刻的线路板图案走向，进而能够获得待蚀刻板。为了获得更好的显影效果，例如，在其中一个实施例中，在去除所述覆合基材上未被曝光部分的感光涂层后，采用等离子设备去除所述待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边。如此，能够使得所述待蚀刻板上的保留的感光涂层具有更好的平整度，边缘处的毛边更少，进而利于后续在蚀刻过程中蚀刻液能够更好地将线路图案以外的部分进行蚀刻干净，进而获得衔接度和一致性更好的蚀刻线路图案。又如，在其中一个实施例中，还在等离子设备中输送惰性气体，并激发成等离子状态并对所述待蚀刻板进行轰击，以去除所述待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边。如此，通过采用等离子状态的惰性气体对所述待蚀刻板进行轰击，能够更加快速并且更加准确彻底地将所述待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边进行去除。再如，在其中一个实施例中，所述惰性气体为氦气、氩气或氖气。如此，能够更加节约成本，同时也能够更加快速地去除所述待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边，使得后续能够蚀刻得到边缘更加整齐的线路图案。

S150、在35℃～50℃的温度条件下，将所述待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案。

通过在35℃～50℃的温度条件下，将所述待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，能够将所述待蚀刻板上未被所述感光涂层覆盖的导电材料层进行蚀刻去除，而被所述感光涂层覆盖的导电材料层将会留在所述线路基板上，形成线路图案。为了获得更好的蚀刻效果，形成衔接性和一致性更好的线路图案，例如，在其中一个实施例中，所述蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸6份～10份，硝酸12份～18份，冰醋酸13份～20份，双氧水20份～30份，氯酸钠16份～23份，三氯化铁15份～24份和缓蚀剂5份～7份。如此，通过特定配比的各组分获得所述蚀刻液，能够将所述待蚀刻板上未被所述感光涂层覆盖的导电材料层进行更加快速和彻底地蚀刻去除，并且能够大大提高蚀刻因子。又如，为了进一步提高所述蚀刻液的蚀刻性能，所述蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸7份～9份，硝酸14份～17份，冰醋酸14份～18份，双氧水22份～27份，氯酸钠18份～21份，三氯化铁16份～23份和缓蚀剂5份～6份。再如，所述蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸8份，硝酸16份，冰醋酸17份，双氧水23份，氯酸钠19份，三氯化铁21份和缓蚀剂5份。如此，通过进一步限定所述蚀刻液的特定配比，并且在各组分相互协同作用下，能够将需蚀刻去除的导电材料层进行蚀刻去除。再如，在其中一个实施例中，所述缓蚀剂为苯骈三氮唑、巯基苯骈噻唑和甲基苯骈三氮唑中的至少一种。可以理解，为了避免所述待蚀刻板上需被去除的所述导电涂料层被过度腐蚀，使得所需要的线路图案也被一定程度的蚀刻，从而造成线路图案被一定程度的破坏，而降低成品率，通过在所述蚀刻液中添加缓蚀剂，能够起到一定的缓冲作用。例如，所述缓蚀剂为苯骈三氮唑，可以理解，苯骈三氮唑能够吸附在金属表面形成一层很薄的膜，保护所述导电材料层免受大气及有害介质的腐蚀，故在蚀刻完成后也能对线路板起到一定的防止氧化的作用，从而延长线路板的使用寿命；又如，所述缓蚀剂为苯骈三氮唑、巯基苯骈噻唑和甲基苯骈三氮唑的复配缓蚀剂，如此，通过采用复配后的所述缓蚀剂能够起到更好的缓蚀作用，进而促进所述待蚀刻板形成衔接性和一致性更好的线路图案。

S160、清洗去除所述待蚀刻板上的被曝光部分的所述感光涂层，得到线路板。

将所述待蚀刻板从蚀刻液中取出后，再将所述待蚀刻板上的被曝光部分的所述感光涂层清洗去除，能够得到蚀刻完成的线路板。

与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：

上述线路板蚀刻方法，通过采用特定配比的所述感光涂料层及所述蚀刻液，能够确保线路板具有更高的蚀刻因子，减少侧蚀问题的发生，使得线路板的线路图案的平整度及衔接性更好，尤其是能够确保蚀刻液不会蚀刻被曝光部分的感光涂层，从而不会导致被曝光部分的感光涂层被蚀刻破坏，蚀刻液也就不会透过被曝光部分的感光涂层而对下方的所述导电材料层造成影响，同时，未被光爆部分的感光涂层又能很好去除，不会留有残胶，确保了线路板蚀刻的一致性。

下面是具体实施例部分。

实施例1

提供厚度为3密耳的环氧玻纤布印制覆铜板；

在环氧玻纤布印制覆铜板的上表面涂覆铜箔层，在60℃的温度条件下，将涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行预热操作，接着将温度控制为100℃，并对涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行高温加热操作后，再进行冷却操作，得到覆合基材；

在覆合基材上涂覆感光涂层后，进行抽真空操作，控制真空度为-0.083mpa，在温度为25℃的温度条件下，进行曝光操作，其中，感光涂层包括如下质量份的各组分：含氟不饱和聚酯树脂3kg，聚氨酯单体1.2kg，钛白粉2.0kg，安息香双甲醚0.2kg和分散剂0.1kg；

去除覆合基材上未被曝光部分的感光涂层，得到待蚀刻板；

在35℃的温度条件下，将待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案，其中，蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸0.6kg，硝酸1.2kg，冰醋酸1.3kg，双氧水2.0kg，氯酸钠1.6kg，三氯化铁1.5kg和苯骈三氮唑0.5kg；

清洗去除待蚀刻板上的被曝光部分的感光涂层，得到实施例1的线路板。

实施例2

提供厚度为5密耳的环氧玻纤布印制覆铜板；

在环氧玻纤布印制覆铜板的上表面涂覆铜箔层，在65℃的温度条件下，将涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行预热操作，接着将温度控制为105℃，并对涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行高温加热操作后，再进行冷却操作，得到覆合基材；

在覆合基材上涂覆感光涂层后，进行抽真空操作，控制真空度为-0.085mpa，在温度为25℃的温度条件下，进行曝光操作，其中，感光涂层包括如下质量份的各组分：含氟不饱和聚酯树脂3.5kg，聚氨酯单体1.5kg，氢氧化铝2.3kg，二苯基乙酮0.2kg和分散剂0.15kg；

去除覆合基材上未被曝光部分的感光涂层，得到待蚀刻板；

在40℃的温度条件下，将待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案，其中，蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸0.7kg，硝酸1.3kg，冰醋酸1.4kg，双氧水2.2kg，氯酸钠1.8kg，三氯化铁1.9kg和苯骈三氮唑0.5kg；

清洗去除待蚀刻板上的被曝光部分的感光涂层，得到实施例2的线路板。

实施例3

提供厚度为5密耳的环氧玻纤布印制覆铜板；

在环氧玻纤布印制覆铜板的上表面涂覆铜箔层，在70℃的温度条件下，将涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行预热操作，接着将温度控制为105℃，并对涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行高温加热操作后，再进行冷却操作，得到覆合基材；

在覆合基材上涂覆感光涂层后，进行抽真空操作，控制真空度为-0.085mpa，在温度为25℃的温度条件下，进行曝光操作，其中，感光涂层包括如下质量份的各组分：UV光固化丙烯酸树脂4.0kg，环氧树脂单体1.4kg，氢氧化铝2.5kg，二苯基乙酮0.4kg和分散剂0.3kg；

去除覆合基材上未被曝光部分的感光涂层，得到待蚀刻板，然后采用等离子设备去除待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边；

在40℃的温度条件下，将待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案，其中，蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸0.8kg，硝酸1.6kg，冰醋酸1.7kg，双氧水2.3kg，氯酸钠1.9kg，三氯化铁2.1kg和巯基苯骈噻唑0.5kg；

清洗去除待蚀刻板上的被曝光部分的感光涂层，得到实施例3的线路板。

实施例4

提供厚度为6密耳的环氧玻纤布印制覆铜板；

在环氧玻纤布印制覆铜板的上表面涂覆铜箔层，在75℃的温度条件下，将涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行预热操作，接着将温度控制为120℃，并对涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行高温加热操作后，再进行冷却操作，得到覆合基材；

在覆合基材上涂覆感光涂层后，进行抽真空操作，控制真空度为-0.090mpa，在温度为26℃的温度条件下，进行曝光操作，其中，感光涂层包括如下质量份的各组分：UV光固化丙烯酸树脂4.0kg，三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体1.4kg，氢氧化铝2.5kg，异丙苯茂铁六氟磷酸铁0.4kg和分散剂0.2kg；

去除覆合基材上未被曝光部分的感光涂层，得到待蚀刻板，然后采用等离子设备去除待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边，即在等离子设备中输送氩气，并激发成等离子状态并对待蚀刻板进行轰击，以去除待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边；

在45℃的温度条件下，将待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案，其中，蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸0.9kg，硝酸1.6kg，冰醋酸1.6kg，双氧水2.5kg，氯酸钠2.0kg，三氯化铁2.2kg和甲基苯骈三氮唑0.6kg；

清洗去除待蚀刻板上的被曝光部分的感光涂层，得到实施例4的线路板。

实施例5

提供厚度为7密耳的环氧玻纤布印制覆铜板；

在环氧玻纤布印制覆铜板的上表面涂覆铜箔层，在80℃的温度条件下，将涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行预热操作，接着将温度控制为130℃，并对涂覆铜箔层后的环氧玻纤布印制覆铜板进行高温加热操作后，再进行冷却操作，得到覆合基材；

在覆合基材上涂覆感光涂层后，进行抽真空操作，控制真空度为-0.096mpa，在温度为28℃的温度条件下，进行曝光操作，其中，感光涂层包括如下质量份的各组分：UV光固化丙烯酸树脂4.5kg，环氧树脂单体1.8kg，硫酸钡2.8kg，二苯基乙酮0.2kg，异丙苯茂铁六氟磷酸钠0.3kg和消泡剂0.3kg；

去除覆合基材上未被曝光部分的感光涂层，得到待蚀刻板，然后采用等离子设备去除待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边，即在等离子设备中输送氮气，并激发成等离子状态并对待蚀刻板进行轰击，以去除待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边；

在45℃的温度条件下，将待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案，其中，蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸1.0kg，硝酸1.8kg，冰醋酸2.0kg，双氧水3.0kg，氯酸钠2.3kg，三氯化铁2.4kg和甲基苯骈三氮唑0.7kg；

清洗去除待蚀刻板上的被曝光部分的感光涂层，得到实施例5的线路板。

通过对上述各实施例蚀刻形成线路板，蚀刻速率为每分钟2μm～4μm，并且蚀刻因子为1:1～1:1.5，尤其是实施例3的线路板蚀刻方法，获得的线路板的蚀刻因子最高，且线路图案的衔接性和一致性最好，尤其是线路图案边缘部分的平整度最高。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种线路板蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤:

提供线路基板；

在所述线路基板的上表面涂覆导电材料层，并进行固化操作，得到覆合基材；

在所述覆合基材上涂覆感光涂层后，在真空条件下进行曝光操作；

去除所述覆合基材上未被曝光部分的所述感光涂层，得到待蚀刻板；

在35℃～50℃的温度条件下，将所述待蚀刻板置于蚀刻液中进行蚀刻操作，形成线路图案；

清洗去除所述待蚀刻板上的被曝光部分的所述感光涂层，得到线路板；

其中，所述感光涂层包括如下质量份的各组分：光固化树脂30份～50份，UV单体10份～18份，填料20份～28份，光引发剂2份～5份，助剂1份～3份；

所述蚀刻液包括如下质量份的各组分：盐酸6份～10份，硝酸12份～18份，冰醋酸13份～20份，双氧水20份～30份，氯酸钠16份～23份，三氯化铁15份～24份和缓蚀剂5份～7份。

2.根据权利要求1所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，所述导电材料层为铜箔或铝箔。

3.根据权利要求1所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，在去除所述覆合基材上未被曝光部分的感光涂层后，采用等离子设备去除所述待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边。

4.根据权利要求3所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，还在等离子设备中输送惰性气体，并激发成等离子状态并对所述待蚀刻板进行轰击，以去除所述待蚀刻板上的保留的感光涂层边缘处形成的毛边。

5.根据权利要求4所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气、氩气或氖气。

6.根据权利要求1所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，所述在真空条件下进行曝光操作具体包括如下步骤：进行抽真空操作，控制真空度为-0.083mpa～-0.096mpa，在温度为25℃～28℃的温度条件下，进行曝光操作。

7.根据权利要求1所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，所述光固化树脂为含氟不饱和聚酯树脂或UV光固化丙烯酸树脂。

8.根据权利要求1所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，所述UV单体为聚氨酯单体、环氧树脂单体和三羟甲基丙烷基三丙烯酸酯单体中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，所述光引发剂为安息香双甲醚、二苯基乙酮和异丙苯茂铁六氟磷酸盐的至少一种。

10.根据权利要求1所述的线路板蚀刻方法，其特征在于，所述缓蚀剂为苯骈三氮唑、巯基苯骈噻唑和甲基苯骈三氮唑中的至少一种。