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CN110322850B - 显示装置 - Google Patents

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CN110322850B
CN110322850B CN201910371456.1A CN201910371456A CN110322850B CN 110322850 B CN110322850 B CN 110322850B CN 201910371456 A CN201910371456 A CN 201910371456A CN 110322850 B CN110322850 B CN 110322850B
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Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本申请涉及一种显示装置，其包括：电源芯片，用于输出栅极开启电压；伽马芯片，用于提供伽马电压；侦测电阻，具有用于电连接的第一端以及第二端，第一端接地；显示面板，包括多个子像素、多个驱动晶体管以及至少一个侦测晶体管；驱动晶体管的栅极接受栅极开启电压，驱动晶体管的第一极接受伽马电压，驱动晶体管的第二极电连接相应子像素；侦测晶体管的栅极接受栅极开启电压，侦测晶体管的第一极接受一测试电压，侦测晶体管的第二极电连接侦测电阻的第二端；控制模块，电连接侦测电阻的第二端，用于当侦测电阻的电压的减小时控制电源芯片增加或减少栅极开启电压的输出。本申请的显示装置可以有效防止在长期使用后显示变暗。

Description

显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，各种显示装置(例如，液晶电视)应用于人们的生产、生活中，为人们提供便利。显示装置的各成像子像素通常是通过薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)来驱动的。TFT式显示装置具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，因此成为目前的主流显示装置。
但是，随着长期地使用，显示装置内部的薄膜晶体管会逐渐老化。这会导致其进行显示的子像素充电不足，因此会带来显示偏暗的问题，进而影响装置使用寿命。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够防止在长期使用后显示变暗的显示装置。
一种显示装置，包括：
电源芯片，用于输出栅极开启电压；
伽马芯片，用于提供伽马电压；
侦测电阻，具有用于电连接的第一端以及第二端，所述第一端接地；
显示面板，包括多个子像素、多个驱动晶体管以及至少一个侦测晶体管；所述驱动晶体管的栅极接受所述栅极开启电压，所述驱动晶体管的第一极接受所述伽马电压，所述驱动晶体管的第二极电连接相应子像素；所述侦测晶体管的栅极接受所述栅极开启电压，所述侦测晶体管的第一极接受一测试电压，所述侦测晶体管的第二极电连接所述侦测电阻的所述第二端；
控制模块，电连接所述侦测电阻的第二端；
当所述驱动晶体管为N型晶体管时，所述第一极为漏极，所述第二极为源极，当所述侦测电阻的电压的减小时，所述控制模块控制所述电源芯片增加所述栅极开启电压的输出；
当所述驱动晶体管为P型晶体管时，所述第一极为源极，所述第二极为漏极，当所述侦测电阻的电压的减小时，所述控制模块控制所述电源芯片减小所述栅极开启电压的输出。
在其中一个实施例中，
所述控制模块包括控制单元，所述控制单元用于控制所述栅极开启电压的输出；
所述显示装置还包括模数转换模块，所述模数转换模块的输入端用于采集所述侦测电阻的电压，所述模数转换模块的输出端电连接所述控制单元；
当所述驱动晶体管为N型晶体管时，每当所述侦测电阻的电压小于设定电压值时，所述控制单元控制所述电源芯片增加所述栅极开启电压的输出；
当所述驱动晶体管为P型晶体管时，每当所述侦测电阻的电压小于设定电压值时，所述控制单元控制所述电源芯片减少所述栅极开启电压的输出。
在其中一个实施例中，
所述控制模块包括控制单元，所述控制单元用于控制所述栅极开启电压的输出；
所述显示装置还包括模数转换模块，所述模数转换模块的输入端用于采集所述测试电压以及所述侦测电阻的电压，所述模数转换模块的输出端电连接所述控制单元；
所述控制单元还用于计算所述测试电压与所述侦测电阻的电压的电压差；
当所述驱动晶体管为N型晶体管时，每当所述电压差大于设定电压差值时，所述控制单元控制所述电源芯片增加所述栅极开启电压的输出；
当所述驱动晶体管为P型晶体管时，每当所述电压差大于设定电压差值时，所述控制单元控制所述电源芯片减少所述栅极开启电压的输出。
在其中一个实施例中，
所述控制模块包括控制单元以及电压存储部，所述电源芯片还包括数模转换模块；
所述电压存储部电连接所述控制单元，且包括初始代码区以及至少一个补偿代码区，所述初始代码区存储有初始电压代码，所述补偿代码区存储有补偿电压代码；
当所述侦测电阻的电压的减小时，所述控制单元用于读取所述初始代码区中的初始电压代码以及补偿代码区中的补偿电压代码，然后将所述初始电压代码与所述补偿电压代码相加后得到新电压代码，再将所述新电压代码传输给所述数模转换模块而输出相应栅极开启电压。
在其中一个实施例中，所述补偿代码区为步进表代码区，所述补偿电压代码为步进代码，所述控制单元用于根据所述电压差而逐步控制栅极开启电压的输出。
在其中一个实施例中，
所述控制模块包括控制单元以及电压存储部，所述电源芯片还包括数模转换模块；
所述电压存储部电连接所述控制单元且包括至少一个电压代码区，所述电压代码区存储有新电压代码；
当所述侦测电阻的电压的减小时，所述控制单元用于读取所述电压代码区中的新电压代码，并将所述新电压代码传输给所述数模转换模块而输出相应栅极开启电压。
在其中一个实施例中，所述显示装置还包括控制电路板，所述电源芯片、所述伽马芯片、所述侦测电阻以及所述控制模块均设置于所述控制电路板上。
在其中一个实施例中，所述显示面板包括显示区与包围所述显示区的非显示区，所述驱动晶体管位于显示区，所述侦测晶体管位于所述非显示区。
在其中一个实施例中，
所述显示装置还包括数据驱动芯片，所述数据驱动芯片电连接所述伽马芯片以及所述驱动晶体管，用于将所述伽马电压按照一定时序输出至所述驱动晶体管；
所述测试电压为所述数据驱动芯片的电源电压。
一种显示装置，包括：
伽马芯片，用于输出伽马电压；
数据驱动芯片，电连接所述伽马芯片，用于将所述伽马电压按照一定时序输出；
电源芯片，用于输出栅极开启电压以及所述数据驱动芯片的电源电压，且所述电源芯片包括数模转换模块；
侦测电阻，具有用于电连接的第一端以及第二端，所述第一端接地；
显示面板，包括多个子像素、多个驱动晶体管以及至少一个侦测晶体管；所述驱动晶体管的栅极接受所述栅极开启电压，所述驱动晶体管的漏极接受所述伽马电压，所述驱动晶体管的源极电连接相应子像素；所述侦测晶体管的栅极接受所述栅极开启电压，所述侦测晶体管的漏极接受所述数据驱动芯片的电源电压，所述侦测晶体管的源极电连接所述侦测电阻的所述第二端；
模数转换模块，用于将所述数据驱动芯片的电源电压以及所述侦测电阻上的电压转换为相应数字信号；
时序控制芯片，包括电压存储部以及控制单元；所述电压存储部电连接所述控制单元，且包括初始代码区以及多个步进表代码区，所述初始代码区存储有初始电压代码，各所述步进表代码区存储有不同的步进代码；所述控制单元电连接所述模数转换模块以及所述电压存储部，用于计算所述测试电压与所述侦测电阻的电压的电压差，并根据所述电压差而读取所述初始代码区中的初始电压代码以及步进表代码区中的步进代码，然后将所述初始电压代码与所述步进代码相加后得到新电压代码，再将所述新电压代码传输给所述数模转换模块而输出相应栅极开启电压；
每当所述电压差大于设定电压差值时，所述控制单元控制所述电源芯片增加所述栅极开启电压的输出。
上述显示装置，由于增设了侦测电阻以及侦测晶体管，进而可以通过侦测电阻的电压的减小来侦测侦测晶体管的老化情况，并通过侦测晶体管的老化情况而有效反应驱动晶体管的老化状况。同时，本申请显示装置根据侦测电阻的电压的减小时控制电源芯片增加或减小栅极开启电压的输出，进而可以使得驱动晶体管在老化而阻抗增加时，增加或减小其栅极的电压，进而增加栅源电压VGS的绝对值，进而降低导电沟道的沟道电阻，而有效防止其第二极电流(实际充电电流)降低，进而保证显示装置在长期使用时亮度一致。因此，本申请的显示装置可以有效防止在长期使用后显示变暗。
附图说明
图1为一个实施例中显示装置示意图；
图2为一个实施例中显示装置局部连接示意图；
图3为另一个实施例中显示装置局部连接示意图；
图4为又一个实施例中显示装置局部连接示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
在一个实施例中，参考图1以及图2，显示装置包括电源芯片100、伽马芯片200、以及显示面板300。电源芯片100输出栅极开启电压VG。伽马芯片200输出伽马电压。
显示面板300包括多个各种颜色的子像素310，例如：红色子像素R、绿色子像素G以及蓝色子像素B。同时，显示面板300还包括多个用于驱动各子像素310的驱动晶体管320。驱动晶体管320为主动阵列开关。具体地，各驱动晶体管320的栅极均接受栅极开启电压VG，进而打开相应子像素310。各驱动晶体管320的第一极均接受相应伽马电压，进而为相应子像素310提供电源。各驱动晶体管320的第二极均电连接相应子像素310，进而为相应子像素310进行充电。当驱动晶体管320为N型晶体管时，第一极为漏极，第二极为源极。当驱动晶体管320为P型晶体管时，第一极为源极，第二极为漏极。
此外，在本实施例中，显示面板还包括至少一个侦测晶体管330。侦测晶体管330用于进行老化侦测。侦测晶体管330与驱动晶体管320可以经过同样的工艺过程形成，使得二者可以具有相同的性能参数，进而使得侦测晶体管330的老化情况可以比较准确的反应驱动晶体管320的老化情况。
为了实现对侦测晶体管330的老化侦测，显示装置还包括侦测电阻400。侦测电阻400为阻值固定的定值电阻，并且具有用于电连接的第一端410以及第二端420。其中，第一端410接地，而第二端420电连接侦测晶体管330的第二极。
同时，侦测晶体管330的栅极与驱动晶体管320的栅极一样，同样接受栅极开启电压VG进而形成导电沟道。而侦测晶体管330的第一极接受一测试电压VT，进而在其第一极与第二极之间的导电沟道中形成电流通路。该测试电压VT可以由电源芯片100直接输出，当然也可以由其他驱动部分输出。
设定侦测晶体管330的等效阻抗为R1，侦测电阻400的阻抗为R，测试电压VT为VDD，侦测电阻400上的电压为V1。那么，参考图，当侦测晶体管330的数量为一个时，V1＝VDD*R/(R+R1)。
当然，为了增加侦测可信性，也可以设置侦测晶体管330的数量大于1。具体地，例如可以设置三个相同的侦测晶体管330并联后与侦测电阻400串联。设定各侦测晶体管330的等效阻抗也均为R1。此时，侦测电阻400上的电压V1＝VDD*R/(R+1/3R1)。因此，可以根据三个侦测晶体管330的平均老化情况，来判断各驱动晶体管320的老化情况，进而增加了侦测可靠性。
由以上关系可知，侦测电阻400上的电压V1与侦测晶体管330的阻抗R1呈负相关关系。而侦测晶体管330与驱动晶体管320一样，会随着显示装置的使用而逐渐老化，其等效阻抗R1会逐渐增大。因此，随着晶体管的老化，V1会越来越小，进而可以通过V1来侦测侦测晶体管330的老化程度，进而反应驱动晶体管320的老化程度。
与此同时，在本实施例中，显示装置还包括控制模块500。控制模块500电连接侦测电阻400的第二端420，进而可以根据侦测电阻400的电压来控制伽马芯片200输出不同的伽马电压。
驱动晶体管320与侦测晶体管330位于同样的显示装置，二者接受同样的栅极开启电压VG。因此，二者老化程度接近。侦测晶体管330的老化情况可以反应驱动晶体管的老化情况。在侦测电阻400的电压减小时，表示侦测晶体管330以及驱动晶体管320因老化而阻抗增加。
若驱动晶体管320为N型晶体管，则此时控制模块500控制电源芯片100增加栅极开启电压VG的输出，进而可以在驱动晶体管320老化而导致自身阻抗增加时，增加其栅极的电压，从而增加栅源电压VGS，进而减小导电沟道的沟道电阻。图2中示出的情况为驱动晶体管320为N型晶体管时。
若驱动晶体管320为P型晶体管，则此时控制模块500控制电源芯片100减小栅极开启电压VG的输出，进而可以在驱动晶体管320老化而导致自身阻抗增加时，减小其栅极的电压，从而增加栅源电压VGS的绝对值，进而减小导电沟道的沟道电阻。
导电沟道的沟道电阻变小，进而有效防止驱动晶体管320的流向子像素210的第二极电流(实际充电电流)降低。因此，本申请可以有效防止显示装置在长时间使用后亮度变低。
在一个实施例中，参考图2，控制模块500包括用于控制栅极开启电压VG的输出的控制单元510。显示装置还包括模数转换模块600。模数转换模块600可以将模拟信号转变为数字信号。
模数转换模块600的输入端用于采集侦测电阻400的电压，其输出端电连接控制单元500，进而可将侦测电阻400的电压转换为数字信号，而便于控制单元对数据(侦测电阻400的电压)进行处理。
每当侦测电阻400的电压小于设定电压值时，说明侦测晶体管330老化导致阻抗增加，进而导致输出的第二极电流降低到一定程度。即说明，驱动晶体管老化导致阻抗增加，进而导致输出的第二极电流降低到影响亮度。
若驱动晶体管320为N型晶体管，则此时控制单元500控制电源芯片100增加栅极开启电压VG的输出，进而可以减小晶体管(侦测晶体管330以及驱动晶体管320)的导电沟道的沟道电阻，从而防止第二极电流的减小。这里的“设定电压值”可以根据实际需求进行设置。
若驱动晶体管320为P型晶体管，则此时控制单元500控制电源芯片100减小栅极开启电压VG的输出，进而可以减小晶体管(侦测晶体管330以及驱动晶体管320)的导电沟道的沟道电阻，从而防止第二极电流的减小。这里的“设定电压值”可以根据实际需求进行设置。
在另一个实施例中，控制模块500也包括用于控制栅极开启电压VG的输出的控制单元510。显示装置也包括模数转换模块600，且模数转换模块600的输入端输入端也用于采集侦测电阻400的电压，其输出端也电连接控制单元500。
模数转换模块600的输入端除了采集侦测电阻400的电压以外，还采集测试电压VT。此时，可以设置模数转换模块600包括两个模数转换单元610。其中一个模数转换单元610采集侦测电阻400的电压，另一个模数转换单元610采集测试电压VT。控制单元510还用于计算测试电压VT与侦测电阻400的电压的电压差dV，并根据该电压差dV而控制栅极开启电压VG的输出。
测试电压VT的电压值固定，侦测电阻400的电压V1随着侦测晶体管330的老化而降低。因此，测试电压VT与侦测电阻400的电压的电压差dV随着侦测晶体管330的老化而增加。
每当电压差dV大于设定电压差值时，即说明驱动晶体管320老化导致阻抗增加，进而导致输出的第二极电流降低，而影响显示装置的显示亮度。
若驱动晶体管320为N型晶体管，则此时控制单元500控制电源芯片100增加栅极开启电压VG的输出，进而减小晶体管(侦测晶体管330以及驱动晶体管320)的导电沟道的沟道电阻，从而防止第二极电流的减小。这里的“设定电压差值”可以根据实际需求进行设置。
若驱动晶体管320为P型晶体管，则此时控制单元500控制电源芯片100减小栅极开启电压VG的输出，进而减小晶体管(侦测晶体管330以及驱动晶体管320)的导电沟道的沟道电阻，从而防止第二极电流的减小。这里的“设定电压差值”可以根据实际需求进行设置。
模数转换模块600进行模拟信号到数字信号的转换时是有误差的。所以，本实施例采集测试电压VT以及侦测电阻400的电压，这两个电压都经过模数转换模块600转换，再去做差，这样便可以屏蔽掉模数转换模块600的转换误差，进而得出更加准确的结果，而便于控制单元510更加准确的控制电源芯片100对栅极开启电压VG的输出。
上述实施例中，控制单元接受经过模数转换模块600转换的数字信号，但是本申请实施例并不以此为限制。在其他实施例中，控制单元510也可以直接接受模拟信号(侦测电阻400的电压以及测试电压VT)。
控制单元510控制电源芯片100增加(或减少)栅极开启电压VG的方式也可以有多种。
在一个实施例中，继续参考图2，控制模块500包括控制单元510以及电压存储部520。电源芯片100还包括数模转换模块110。电压存储部520电连接控制单元510，且包括初始代码区521以及至少一个补偿代码区522。初始代码区521存储有初始电压代码。当补偿代码区522数量大于1时，各补偿代码区522存储有不同的补偿电压代码。
当侦测电阻400的电压的减小时，控制单元510读取初始代码区中521的初始电压代码以及补偿代码区522中的补偿电压代码，然后将初始电压代码与补偿电压代码相加后得到新电压代码，再将新电压代码传输给数模转换模块600而输出相应栅极开启电压VG。具体地，控制单元510可以通过一定的传输协议等方式进行传输。
具体地，若驱动晶体为N型晶体管，显示装置开始使用时，侦测电阻400的电压V1大于一设定电压值(或者测试电压VT与侦测电阻400的电压V1的电压差大于设定电压差值)时，可以由电源芯片100直接输出初始的栅极开启电压VG。
而在显示装置使用一段时间后，侦测电阻400的电压V1小于设定电压值(或者测试电压VT与侦测电阻400的电压V1的电压差大于设定电压差值)时，控制模块500读取初始代码区中521的初始电压代码以及一个补偿代码区522中的补偿电压代码，而控制电源芯片100而输出一个增大的栅极开启电压，来防止显示装置显示变暗。
当补偿代码区522的数量大于一个时，类似上述步骤，在显示装置又使用一段时间后，侦测电阻400的电压V1又一次小于设定电压值(或者测试电压VT与侦测电阻400的电压V1的电压差(VT-V1)大于设定电压差值)时，控制模块500读取初始代码区中521的初始电压代码以及又一个补偿代码区522中的补偿电压代码而输出又一个更大的栅极开启电压，来防止显示装置显示变暗，依此类推。
在本申请实施例中，可以设置补偿代码区522为步进表代码区，补偿电压代码为步进代码。步进代码是逐步增加栅极开启电压VG的。控制单元510根据电压差dV而逐步增加栅极开启电压VG的输出。
具体地，侦测电阻400的电压V1小于设定电压值(或者测试电压VT与侦测电阻400的电压V1的电压差大于设定电压差值)时，即栅极开启电压VG不足时，先使栅极开启电压VG增加一个△VG。当侦测到栅极开启电压VG还是不足，仍然是侦测电阻400的电压V1小于设定电压值(或者测试电压VT与侦测电阻400的电压V1的电压差大于设定电压差值)时，再使栅极开启电压VG增加一个△VG(即增加两个△VG)而输出，这样依次累计，直到栅极开启电压VG充足，即直到侦测电阻400的电压V1不小于设定电压值(或者测试电压VT与侦测电阻400的电压V1的电压差不大于设定电压差值)。
此时，可以保证栅极开启电压VG的调整精度，不至于使其增加过多，并且可以实现在不同的老化程度下智能增加不同的△VG，而将栅极开启电压VG又不足转为充足，进而更完美地补偿驱动晶体管320的老化过程。
当然，本申请实施例也可以设置补偿代码区522不为步进表代码区。例如，也可以在每次栅极开启电压VG不足时，固定增加相同的△VG，而将栅极开启电压VG由不足转为充足。本申请对此不做限制。
并且，本申请实施例的电压存储部520的结构也可以与上述实施例不同。
在另一个实施例中，参考图3，电压存储部520包括至少一个电压代码区523。电压代码区523直接存储有新电压代码。当电压代码区523的数量大于一个时，不同的电压代码区523存储有不同的新电压代码。当侦测电阻的电压的减小时，控制单元510用于读取电压代码区523中的新电压代码，并将新电压代码传输给数模转换模块110而输出相应栅极开启电压VG。
此时，电压代码区523直接存储有对应不同栅极开启电压VG的新电压代码，进而使得控制单元510可以直接读取新电压代码即可。因此，本实施例可以简化控制单元510的控制过程，且节约电压存储部520的存储空间。
在一个实施例中，参考图1，显示装置还包括控制电路板700。电源芯片100、伽马芯片200、侦测电阻400以及控制模块500均设置在控制电路板600上。即侦测电阻400以及控制模块500可以设置在电源芯片100以及伽马芯片200所在的控制电路板600上，进而便于对电阻进行电路布局。
具体地，显示装置还可以包括同样位于控制电路板600上的时序控制芯片800。控制模块500可以具体位于时序控制芯片800内。此时，控制单元500可以为时序控制芯片800的中央处理器，进而增加了系统的兼容性。
在一个实施例中，继续参考图1，显示面板300具有显示区300a与包围显示区300a的非显示区300b。子像素310以及驱动晶体管320位于显示区300a，进而可以在显示区进行显示。侦测晶体管330位于非显示区300b，进而减少对显示区300a的布线以及出光等的影响。
在一个实施例中，继续参考图1，显示装置还包括数据驱动芯片900。数据驱动芯片900电连接伽马芯片200以及驱动晶体管320，进而将伽马芯片200输出的伽马电压按照一定时序输出至驱动晶体管320。
数据驱动芯片900的电源电压由电源芯片100输出，其与正常显示所输出的伽马电压相近。因此，本申请将数据驱动芯片900的电源电压作为测试电压VT。一方面，无需另外输出一个电压，使得系统兼容性较好。另一方面也使得侦测晶体管330与驱动晶体管320的工作情况更加接近，进而可以使得侦测晶体管330的老化能更准确的反应驱动晶体管320的老化状态。
在一个实施例中，参考图1以及图4显示装置包括伽马芯片200、数据驱动芯片900、电源芯片100、侦测电阻400、显示面板300、模数转换模块600以及时序控制芯片800。
伽马芯片200用于输出伽马电压。数据驱动芯片900电连接伽马芯片200，用于将伽马电压按照一定时序输出。电源芯片100用于输出栅极开启电压VG以及数据驱动芯片900的电源电压。且电源芯片100包括数模转换模块110。侦测电阻400，具有用于电连接的第一端410以及第二端420，第一端410接地。
显示面板300，包括多个子像素310、多个驱动晶体管320以及至少一个侦测晶体管330。驱动晶体管320为N型晶体管，其栅极接受栅极开启电压VG，且其漏极接受伽马电压。驱动晶体管320的源极电连接相应子像素310。侦测晶体管330的栅极接受栅极开启电压VG。侦测晶体管330的漏极接受数据驱动芯片的电源电压。侦测晶体管330的源极电连接侦测电阻400的第二端420。
模数转换模块600用于将数据驱动芯片700的电源电压以及侦测电阻400上的电压转换为相应数字信号。
时序控制芯片800包括电压存储部520以及控制单元510。电压存储部520电连接控制单元510，且包括初始代码区521以及多个步进表代码区522。初始代码区521存储有初始电压代码。各步进表代码区522存储有不同的步进代码。控制单元510电连接模数转换模块600以及电压存储部520。用于计算测试电压VT与侦测电阻400的电压的电压差，并根据电压差而读取初始代码区521中的初始电压代码以及步进表代码区522中的步进代码，然后将初始电压代码与步进代码相加后得到新电压代码，再将新电压代码传输给数模转换模块110而输出相应栅极开启电压VG。
每当电压差大于设定电压差值时，控制单元510控制电源芯片100增加所述栅极开启电压VG的输出。这里的“设定电压差值”可以根据实际需求进行设置。因此，本实施例可以在显示装置长期使用使得驱动晶体管320老化较严重时，增加栅极开启电压VG的输出，而防止亮度下降。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
电源芯片，用于输出栅极开启电压；
伽马芯片，用于提供伽马电压；
侦测电阻，具有用于电连接的第一端以及第二端，所述第一端接地；
显示面板，包括多个子像素、多个驱动晶体管以及至少一个侦测晶体管；所述驱动晶体管的栅极接受所述栅极开启电压，所述驱动晶体管的第一极接受所述伽马电压，所述驱动晶体管的第二极电连接相应子像素；所述侦测晶体管的栅极接受所述栅极开启电压，所述侦测晶体管的第一极接受一测试电压，所述侦测晶体管的第二极电连接所述侦测电阻的所述第二端；
控制模块，电连接所述侦测电阻的第二端；
当所述驱动晶体管为N型晶体管时，所述第一极为漏极，所述第二极为源极，当所述侦测电阻的电压的减小时，所述控制模块控制所述电源芯片增加所述栅极开启电压的输出；
当所述驱动晶体管为P型晶体管时，所述第一极为源极，所述第二极为漏极，当所述侦测电阻的电压的减小时，所述控制模块控制所述电源芯片减小所述栅极开启电压的输出。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述控制模块包括控制单元，所述控制单元用于控制所述栅极开启电压的输出；
所述显示装置还包括模数转换模块，所述模数转换模块的输入端用于采集所述侦测电阻的电压，所述模数转换模块的输出端电连接所述控制单元；
当所述驱动晶体管为N型晶体管时，每当所述侦测电阻的电压小于设定电压值时，所述控制单元控制所述电源芯片增加所述栅极开启电压的输出；
当所述驱动晶体管为P型晶体管时，每当所述侦测电阻的电压小于设定电压值时，所述控制单元控制所述电源芯片减少所述栅极开启电压的输出。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述控制模块包括控制单元，所述控制单元用于控制所述栅极开启电压的输出；
所述显示装置还包括模数转换模块，所述模数转换模块的输入端用于采集所述测试电压以及所述侦测电阻的电压，所述模数转换模块的输出端电连接所述控制单元；
所述控制单元还用于计算所述测试电压与所述侦测电阻的电压的电压差；
当所述驱动晶体管为N型晶体管时，每当所述电压差大于设定电压差值时，所述控制单元控制所述电源芯片增加所述栅极开启电压的输出；
当所述驱动晶体管为P型晶体管时，每当所述电压差大于设定电压差值时，所述控制单元控制所述电源芯片减少所述栅极开启电压的输出。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述控制模块包括控制单元以及电压存储部，所述电源芯片还包括数模转换模块；
所述电压存储部电连接所述控制单元，且包括初始代码区以及至少一个补偿代码区，所述初始代码区存储有初始电压代码，所述补偿代码区存储有补偿电压代码；
当所述侦测电阻的电压的减小时，所述控制单元用于读取所述初始代码区中的初始电压代码以及补偿代码区中的补偿电压代码，然后将所述初始电压代码与所述补偿电压代码相加后得到新电压代码，再将所述新电压代码传输给所述数模转换模块而输出相应栅极开启电压。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述补偿代码区为步进表代码区，所述补偿电压代码为步进代码，所述控制单元用于根据所述电压差而逐步控制栅极开启电压的输出。
6.根据权利要求1-3任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述控制模块包括控制单元以及电压存储部，所述电源芯片还包括数模转换模块；
所述电压存储部电连接所述控制单元且包括至少一个电压代码区，所述电压代码区存储有新电压代码；
当所述侦测电阻的电压的减小时，所述控制单元用于读取所述电压代码区中的新电压代码，并将所述新电压代码传输给所述数模转换模块而输出相应栅极开启电压。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括控制电路板，所述电源芯片、所述伽马芯片、所述侦测电阻以及所述控制模块均设置于所述控制电路板上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示面板包括显示区与包围所述显示区的非显示区，所述驱动晶体管位于显示区，所述侦测晶体管位于所述非显示区。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括数据驱动芯片，所述数据驱动芯片电连接所述伽马芯片以及所述驱动晶体管，用于将所述伽马电压按照一定时序输出至所述驱动晶体管；
所述测试电压为所述数据驱动芯片的电源电压。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
伽马芯片，用于输出伽马电压；
数据驱动芯片，电连接所述伽马芯片，用于将所述伽马电压按照一定时序输出；
电源芯片，用于输出栅极开启电压以及所述数据驱动芯片的电源电压，且所述电源芯片包括数模转换模块；
侦测电阻，具有用于电连接的第一端以及第二端，所述第一端接地；
显示面板，包括多个子像素、多个驱动晶体管以及至少一个侦测晶体管；所述驱动晶体管的栅极接受所述栅极开启电压，所述驱动晶体管的漏极接受所述伽马电压，所述驱动晶体管的源极电连接相应子像素；所述侦测晶体管的栅极接受所述栅极开启电压，所述侦测晶体管的漏极接受所述数据驱动芯片的电源电压，所述侦测晶体管的源极电连接所述侦测电阻的所述第二端；
模数转换模块，用于将所述数据驱动芯片的电源电压以及所述侦测电阻上的电压转换为相应数字信号；
时序控制芯片，包括电压存储部以及控制单元；所述电压存储部电连接所述控制单元，且包括初始代码区以及多个步进表代码区，所述初始代码区存储有初始电压代码，各所述步进表代码区存储有不同的步进代码；所述控制单元电连接所述模数转换模块以及所述电压存储部，用于计算所述数据驱动芯片的电源电压与所述侦测电阻的电压的电压差并根据所述电压差而读取所述初始代码区中的初始电压代码以及步进表代码区中的步进代码，然后将所述初始电压代码与所述步进代码相加后得到新电压代码，再将所述新电压代码传输给所述数模转换模块而输出相应栅极开启电压；
每当所述电压差大于设定电压差值时，所述控制单元控制所述电源芯片增加所述栅极开启电压的输出。
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