[go: up one dir, main page]

CN110199363A - 芯片电阻器 - Google Patents

芯片电阻器 Download PDF

Info

Publication number
CN110199363A
CN110199363A CN201880007643.5A CN201880007643A CN110199363A CN 110199363 A CN110199363 A CN 110199363A CN 201880007643 A CN201880007643 A CN 201880007643A CN 110199363 A CN110199363 A CN 110199363A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass
resistor body
glazings
insulating substrate
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201880007643.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110199363B (zh
Inventor
吉田则隆
松岛贤一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of CN110199363A publication Critical patent/CN110199363A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110199363B publication Critical patent/CN110199363B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/078—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing an oxide of a divalent metal, e.g. an oxide of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/102—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead
    • C03C3/108—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead containing boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
    • H01C1/028—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the resistive element being embedded in insulation with outer enclosing sheath
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003—Thick film resistors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/08—Metals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)

Abstract

芯片电阻具备：绝缘基板，由氧化铝构成；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面；玻璃釉层，被设置于绝缘基板的上表面并由玻璃构成；和电阻体，被设置于玻璃釉层的上表面。电阻体形成于一对电极之间。玻璃釉层的玻璃的软化点为580℃～760℃。在该芯片电阻中，能够防止电阻体剥离。

Description

芯片电阻器
技术领域
本发明涉及芯片电阻器。
背景技术
专利文献1中公开的现有的芯片电阻器具备：绝缘基板，由氧化铝构成；玻璃层，被设置于该绝缘基板的上表面的中央部；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面的两端部；和电阻体，被设置于玻璃层的上表面，并且形成于一对电极之间。在该芯片电阻器中，在将电阻体烧成时电阻体可能从玻璃层剥落。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开平6-53005号公报
发明内容
芯片电阻具备：绝缘基板，由氧化铝构成；一对电极，被设置于绝缘基板的上表面；玻璃釉层，被设置于绝缘基板的上表面并由玻璃构成；和电阻体，被设置于玻璃釉层的上表面。电阻体形成于一对电极之间。玻璃釉层的玻璃的软化点为580℃～760℃。
在该芯片电阻中，能够防止电阻体剥离。
附图说明
图1是实施方式中的芯片电阻器的剖视图。
图2是表示构成实施方式中的芯片电阻器的玻璃釉层的玻璃的软化点与电阻体的紧贴性的关系的图。
具体实施方式
图1是实施方式中的芯片电阻器501的剖视图。芯片电阻器501具备：由氧化铝构成的绝缘基板1、被设置于绝缘基板1的上表面101的两端部的一对电极12、22、被设置于绝缘基板1的上表面101的中央部的玻璃釉层3、被设置于玻璃釉层3的上表面的电阻体4、覆盖一对电极12、22的一部分和电阻体4的保护膜5、分别设置于绝缘基板1的两端面的一对端面电极16、26、和分别形成于一对端面电极16、26的表面的镀层17、27。电阻体4形成于一对电极12、22之间并连接于电极12、22。端面电极16、26分别电连接于一对电极12、22。
绝缘基板1由氧化铝(Al2O3)构成，具有矩形形状。
一对电极12、22通过在绝缘基板1的上表面101印刷并烧成包含银、银钯或者铜的厚膜材料而形成。另外，也可以在绝缘基板1的下表面201的两端部形成一对下表面电极12a、22a。
玻璃釉层3由玻璃3a、和分散于玻璃3a的填料3b构成，被设置于绝缘基板1的上表面101的中央部。玻璃釉层3的厚度为5μm以上。
玻璃釉层3也可以形成于绝缘基板1的上表面101整面。玻璃釉层3也可以不与一对电极12、22重叠。
玻璃3a的软化点为580℃～760℃，能够适合使用包含碱金属氧化物R2O的SiO2-B2O3-ZnO-R2O系玻璃或者SiO2-B2O3-R2O系玻璃。
对于填料3b，为了使玻璃釉层3的热膨胀系数接近于绝缘基板1，氧化铝粉末是适合的，其含量相对于玻璃釉层3整体优选为15vol％～40vol％。
电阻体4被设置于玻璃釉层3的上表面103，并且形成于一对电极12、22之间。电阻体4由CuNi构成，印刷多次含有CuNi的电阻糊膏，在氮气环境中以950℃进行烧成而形成。此外，电阻体4的厚度为50μm以上以使得电阻值变低。
覆盖电阻体4的保护玻璃层5a包含预涂玻璃。保护玻璃层5a也可以不设置。进一步地，也可以在电阻体4设置电阻值调整用的修整(trimming)槽。
此外，保护膜5通过包含玻璃或者环氧树脂的厚膜材料而被设置，以使得被设置于保护玻璃层5a的上表面105a上并覆盖一对电极12、22的一部分和电阻体4。
进一步地，一对端面电极16、26被设置于绝缘基板1的两端部，通过印刷包含Ag和树脂的材料而形成，以使得电连接于从一对电极12、22的保护膜5露出的部分。在一对端面电极16、26的表面，分别形成包含镀镍层、镀锡层的镀层17、27。
在实施方式中，将玻璃3a的软化点设为580℃以上，因此能够防止玻璃釉层3以比原本的图案广阔的形态流动。此外，由于将玻璃3a的软化点设为760℃以下，因此能够防止产生电阻体4从绝缘基板1的剥落。
即，通过在电阻体4的下表面设置玻璃釉层3，从而在电阻体4的烧成中玻璃釉层3软化，电阻体4的下表面的整面与绝缘基板1稳固地熔融。因此，电阻体4整体不会从绝缘基板1剥落。此外，通过由玻璃3a和填料3b来构成玻璃釉层3，能够在电阻体4的烧成中抑制电阻体4的形状的变化。
若玻璃3a的软化点低于580℃，则在印刷并烧制玻璃釉层3时，玻璃熔化且粘性过于降低，因此玻璃釉层3以比原本的图案广阔的形态流动。若玻璃釉层3中的玻璃3a的熔液在绝缘基板1的整面流动，则不能使玻璃釉层3、电阻体4的形状稳定化，导致外观不良。
另一方面，若玻璃3a的软化点高于760℃，则越过软化点而熔化的玻璃3a的粘性过高，因此不能很好地润湿电阻体4的下表面整面，由此，不能使电阻体4的下表面整面与绝缘基板1稳固地熔融，其结果，产生电阻体4的剥落。
此外，若为了降低电阻值而加厚电阻体4，则向电阻体4，在与绝缘基板1的上表面101平行的平面方向上施加使电阻体4收缩的较大的力。即使要在平面方向收缩电阻体4的力增加，通过将构成玻璃釉层3的玻璃3a的软化点设为580℃～760℃，能够如上所述，防止电阻体4剥离。
一般地，厚膜芯片电阻器的电阻体膜厚为10μm～20μm左右，但为了实现低电阻化，若增加电阻体膜厚特别是设为50μm以上，则电阻体在平面方向也要收缩的收缩力增加。在电阻体与绝缘基板的紧贴不可抗拒该收缩力的情况下，将电阻体烧成之后，电阻体的周边部可能隆起并从玻璃层剥落。
为了确保电阻体与绝缘基板的紧贴性，即使在电阻体的下方设置玻璃层，若玻璃层中包含的玻璃的软化点过低，则在烧制预先印刷的玻璃糊膏时，熔融的玻璃的粘性过于降低，因此玻璃层流动为比原本的印刷的图案更广阔。
相反地，若玻璃的软化点过高，则越过软化点而熔化的玻璃的粘性过高，因此不能很好地润湿电阻体的下表面整面，由此，不能使电阻体的下表面整面与由氧化铝构成的绝缘基板稳固地熔接，因此产生电阻体的剥落。
图2表示构成实施方式中的芯片电阻器501的试料1～5的玻璃釉层3的玻璃3a的组成和软化点与电阻体4的紧贴性的关系。试料1的玻璃3a包含PbO-B2O3-SiO2系玻璃。试料2、3的玻璃3a包含含有碱金属氧化物R2O的SiO2-B2O3-ZnO-R2O系玻璃。试料4的玻璃3a包含含有碱金属氧化物R2O的SiO2-B2O3-R2O系玻璃。试料5的玻璃3a包含SiO2-CaO-BaO系玻璃。
试料1～5的玻璃釉层3不包含填料3b。在试料1～5中，对以950℃烧成电阻体4之后的电阻体4的紧贴程度进行确认。特别地，试料2、3的玻璃3a通过改变组成比、碱金属的种类，从而软化点相互不同。
构成玻璃釉层3的玻璃3a的软化点分别为580℃、630℃、760℃的试料2～4的芯片电阻器501的电阻体4不剥离而呈现电阻体4与绝缘基板1的良好的紧贴性。玻璃3a的软化点为490℃的试料1的玻璃釉层3中的玻璃3a的熔液流向绝缘基板1，难以将玻璃釉层3形成为目标的图案。在玻璃3a的软化点为840℃的试料5中，在电阻体4的烧成中电阻体4从绝缘基板1剥离。
因此，通过将构成玻璃釉层3的玻璃3a的软化点设为580℃～760℃，从而玻璃釉层3不会流动为比原本的图案广阔，能够提高玻璃釉层3与电阻体4的紧贴性，能够防止产生电阻体4从绝缘基板1的剥落。
进一步地，如上所述通过向玻璃釉层3添加填料3b，能够抑制电阻体4的变形。通过填料3b，能够在将玻璃釉层3的微观的高温粘性保持得较低的情况下，玻璃釉层3整体的宏观的高温粘性不会过于降低，其结果，能够抑制电阻体4的变形。
在实施方式中，“上表面”等表示方向的用语表示仅由基板、电阻体等的芯片部件的结构部件的相对位置关系决定的相对方向，不表示铅垂方向等绝对方向。
-符号说明-
1 绝缘基板
12、22 电极
3 玻璃釉层
3a 玻璃
3b 填料
4 电阻体

Claims (3)

1.一种芯片电阻器，具备：
绝缘基板，由氧化铝构成；
一对电极，被设置于所述绝缘基板的上表面；
玻璃釉层，被设置于所述绝缘基板的所述上表面并由玻璃构成；和
电阻体，被设置于所述玻璃釉层的上表面，并且形成于所述一对电极之间，
所述玻璃釉层的所述玻璃的软化点为580℃～760℃。
2.根据权利要求1所述的芯片电阻器，其中，
所述玻璃是包含碱金属氧化物R2O的SiO2-B2O3-ZnO-R2O系玻璃或者SiO2-B2O3-R2O系玻璃。
3.根据权利要求1或者2所述的芯片电阻器，其中，
所述玻璃釉层含有由氧化铝粉末构成的填料。
CN201880007643.5A 2017-04-14 2018-03-13 芯片电阻器 Active CN110199363B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017080185 2017-04-14
JP2017-080185 2017-04-14
PCT/JP2018/009617 WO2018190057A1 (ja) 2017-04-14 2018-03-13 チップ抵抗器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110199363A true CN110199363A (zh) 2019-09-03
CN110199363B CN110199363B (zh) 2022-05-17

Family

ID=63793703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880007643.5A Active CN110199363B (zh) 2017-04-14 2018-03-13 芯片电阻器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10763018B2 (zh)
JP (1) JP7241261B2 (zh)
CN (1) CN110199363B (zh)
WO (1) WO2018190057A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI797623B (zh) * 2021-05-15 2023-04-01 道登電子材料股份有限公司 晶片電阻及其製備方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11765824B2 (en) 2020-07-21 2023-09-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Laminated ceramic sintered body board for electronic device, electronic device, chip resistor, and method for manufacturing chip resistor

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4632846A (en) * 1984-09-17 1986-12-30 Kyocera Corporation Process for preparation of glazed ceramic substrate and glazing composition used therefor
JPH02276202A (ja) * 1989-04-18 1990-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗体素子
JPH04188603A (ja) * 1990-11-19 1992-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗体およびその製造方法
JPH05148065A (ja) * 1991-11-29 1993-06-15 Kyocera Corp グレーズドセラミツク基板
CN1163011A (zh) * 1994-09-13 1997-10-22 株式会社东芝 热敏头及其制造方法
CN1245340A (zh) * 1998-08-18 2000-02-23 罗姆股份有限公司 贴片式电阻器及其制备方法
CN1658332A (zh) * 2004-02-19 2005-08-24 株式会社村田制作所 导电糊和陶瓷电子元器件
CN1974457A (zh) * 2005-12-02 2007-06-06 昭荣化学工业株式会社 保护涂层用玻璃膏及厚膜电阻元件
CN101206939A (zh) * 2007-12-14 2008-06-25 广东风华高新科技股份有限公司 一种片式贱金属电阻器的制造方法
JP2010244817A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Tateyama Kagaku Kogyo Kk ヒューズ抵抗器
CN102426871A (zh) * 2010-08-18 2012-04-25 住友金属矿山株式会社 厚膜导体形成用组合物、使用该组合物形成的厚膜导体及使用该厚膜导体的芯片电阻器
CN102484355A (zh) * 2009-08-27 2012-05-30 株式会社村田制作所 Esd保护器件及其制造方法
CN104541338A (zh) * 2013-04-18 2015-04-22 松下知识产权经营株式会社 电阻器及其制造方法
CN105819684A (zh) * 2016-04-01 2016-08-03 东旭科技集团有限公司 一种玻璃用组合物、铝硼硅酸盐玻璃及其制备方法和应用
CN205992449U (zh) * 2016-07-28 2017-03-01 蚌埠市德瑞特电阻技术有限公司 一种集成电容的电阻器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821833B2 (ja) * 1979-04-02 1983-05-04 株式会社東芝 サ−マルヘッド用クレ−ズ基板
JPS6177636A (ja) 1984-09-21 1986-04-21 Kyocera Corp セラミック基板
US4651126A (en) * 1985-05-02 1987-03-17 Shailendra Kumar Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
JPH0810152B2 (ja) * 1990-03-16 1996-01-31 日本碍子株式会社 流量計用検知素子
JPH0653005A (ja) 1992-07-30 1994-02-25 Rohm Co Ltd チップ抵抗器
US5907274A (en) * 1996-09-11 1999-05-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chip resistor
US5998037A (en) * 1997-12-22 1999-12-07 Ferro Corporation Porcelain enamel composition for electronic applications
JP3074527B2 (ja) * 1998-04-22 2000-08-07 釜屋電機株式会社 チップ形ヒューズ抵抗器
US9125241B2 (en) * 2007-02-13 2015-09-01 Rohm Co., Ltd. Heater and method for manufacturing the same
KR101412951B1 (ko) * 2012-08-17 2014-06-26 삼성전기주식회사 칩 저항기 및 이의 제조 방법
JP2016131169A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 チップ抵抗器
KR102356802B1 (ko) * 2017-11-28 2022-01-28 삼성전기주식회사 칩 저항기 저항층 형성용 페이스트 및 칩 저항기

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4632846A (en) * 1984-09-17 1986-12-30 Kyocera Corporation Process for preparation of glazed ceramic substrate and glazing composition used therefor
JPH02276202A (ja) * 1989-04-18 1990-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗体素子
JPH04188603A (ja) * 1990-11-19 1992-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 抵抗体およびその製造方法
JPH05148065A (ja) * 1991-11-29 1993-06-15 Kyocera Corp グレーズドセラミツク基板
CN1163011A (zh) * 1994-09-13 1997-10-22 株式会社东芝 热敏头及其制造方法
CN1245340A (zh) * 1998-08-18 2000-02-23 罗姆股份有限公司 贴片式电阻器及其制备方法
CN1658332A (zh) * 2004-02-19 2005-08-24 株式会社村田制作所 导电糊和陶瓷电子元器件
CN1974457A (zh) * 2005-12-02 2007-06-06 昭荣化学工业株式会社 保护涂层用玻璃膏及厚膜电阻元件
CN101206939A (zh) * 2007-12-14 2008-06-25 广东风华高新科技股份有限公司 一种片式贱金属电阻器的制造方法
JP2010244817A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Tateyama Kagaku Kogyo Kk ヒューズ抵抗器
CN102484355A (zh) * 2009-08-27 2012-05-30 株式会社村田制作所 Esd保护器件及其制造方法
CN102426871A (zh) * 2010-08-18 2012-04-25 住友金属矿山株式会社 厚膜导体形成用组合物、使用该组合物形成的厚膜导体及使用该厚膜导体的芯片电阻器
CN104541338A (zh) * 2013-04-18 2015-04-22 松下知识产权经营株式会社 电阻器及其制造方法
CN105819684A (zh) * 2016-04-01 2016-08-03 东旭科技集团有限公司 一种玻璃用组合物、铝硼硅酸盐玻璃及其制备方法和应用
CN205992449U (zh) * 2016-07-28 2017-03-01 蚌埠市德瑞特电阻技术有限公司 一种集成电容的电阻器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI797623B (zh) * 2021-05-15 2023-04-01 道登電子材料股份有限公司 晶片電阻及其製備方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110199363B (zh) 2022-05-17
JP7241261B2 (ja) 2023-03-17
US10763018B2 (en) 2020-09-01
JPWO2018190057A1 (ja) 2020-02-27
WO2018190057A1 (ja) 2018-10-18
US20200090843A1 (en) 2020-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11189403B2 (en) Chip resistor and method for manufacturing the same
JP7093382B2 (ja) チップ抵抗器
US7489229B2 (en) Fuse component
CN108621754B (zh) 具有通过无铅焊料焊接的电连接器的车辆用窗玻璃
CN107615410B (zh) 芯片电阻器
CN201584389U (zh) 一种改良电阻保险丝装置
US20180174720A1 (en) Methods of Fabricating Chip Resistors Using Aluminum Terminal Electrodes
JPWO2019116814A1 (ja) チップ抵抗器
CN110199363A (zh) 芯片电阻器
JP3768621B2 (ja) 保護素子の使用方法
JPH1196871A (ja) 抵抗・温度ヒュ−ズ及びその製作方法
CN101933113A (zh) 片式熔断器及其制造方法
US9552908B2 (en) Chip resistor device having terminal electrodes
KR20080010894A (ko) 세라믹 부품 및 그 제조방법
JPH10116549A (ja) 保護素子及びその使用方法
JP4397279B2 (ja) 抵抗組成物およびそれを用いた抵抗器
CN108735408A (zh) 高导电卑金属电极或合金低欧姆芯片电阻器的制作方法
CN109727832A (zh) 保护元件及其电路保护装置
KR20200142319A (ko) 면상 발열체 및 그 제조방법
CN217789917U (zh) 厚膜加热元件
JP4051783B2 (ja) ジャンパー抵抗器
JP2001322831A (ja) オーバーコートガラス及び厚膜印刷基板
KR101148259B1 (ko) 칩 저항기 및 그 제조방법
KR102358886B1 (ko) 면상 발열체 및 그 제조방법
WO2021261504A1 (ja) 抵抗器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant