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CN110161766B - 显示装置 - Google Patents

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CN110161766B
CN110161766B CN201910541933.4A CN201910541933A CN110161766B CN 110161766 B CN110161766 B CN 110161766B CN 201910541933 A CN201910541933 A CN 201910541933A CN 110161766 B CN110161766 B CN 110161766B
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Abstract

一种显示装置，其包括多个子像素。在每一个子像素中，第一驱动元件的栅极以及第二驱动元件的栅极分别电性连接第一控制线以及第二控制线，第一驱动元件的漏极电性连接第二驱动元件的源极、第一存储电容以及显示介质电容，且第二驱动元件的漏极电性连接第二存储电容。在第一模式下，第一驱动元件在第一扫描时间段与第一维持时间段分别处于开启和关闭状态，第二驱动元件一直处于关闭状态。在第二模式下，第一驱动元件在第二扫描时间段与第二维持时间段分别处于开启和关闭状态，第二驱动元件一直处于开启状态。

Description

显示装置
技术领域
本发明是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种可切换模式的显示装置。
背景技术
手机及平板电脑等可携式显示装置的功耗(power consumption)会影响到使用时间的长短。因此，若能降低显示装置的功耗，便可延长显示装置的使用时间，并达到节能的效果。显示装置操作在低频时，可具有较低的功耗，但需要够大的存储电容来抑制漏电效应对显示品质所造成的负面影响，例如因漏电造成显示画面渐暗或闪烁(flicker)等现象。惟随着显示装置的解析度的提升，像素的面积变小，其存储电容也相对小，导致穿通(feedthrough)电压变大、串音(crosstalk)现象产生，甚至漏电效应的恶化。鉴于上述，如何增大存储电容并抑制漏电效应，便成为目前研发重点之一。
发明内容
本发明提供一种显示装置，其可增大存储电容并抑制漏电效应。
本发明的一实施例的一种显示装置包括多个子像素。每一个子像素包括第一控制线、第二控制线、第一驱动元件、第二驱动元件、第一存储电容、显示介质电容以及第二存储电容。第一驱动元件的栅极电性连接第一控制线。第一驱动元件的漏极电性连接第二驱动元件的源极、第一存储电容以及显示介质电容。第二驱动元件的栅极电性连接第二控制线。第二驱动元件的漏极电性连接第二存储电容。在第一模式下，第一驱动元件在第一扫描时间段处于开启状态且在第一维持时间段处于关闭状态，且第二驱动元件在第一扫描时间段以及第一维持时间段处于关闭状态。在第二模式下，第一驱动元件在第二扫描时间段处于开启状态且在第二维持时间段处于关闭状态，且第二驱动元件在第二扫描时间段以及第二维持时间段处于开启状态。
基于上述，在本发明的实施例中，显示装置可在多个模式(包括第一模式与第二模式)之间做切换。在第一模式下，第二驱动元件持续处于关闭状态，使子像素具有较小的存储电容，从而有助于改善充电率问题。在第二模式下，第二驱动元件持续处于开启状态，使子像素具有较大的存储电容，从而能有效抑制漏电效应对于显示品质的负面影响。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是本发明的实施例的显示装置的一个子像素的等效电路图(equivalentcircuit diagram)。
图2A及图2B分别是第一模式及第二模式的驱动波形图。
图3A是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第一种实施方式的局部上视示意图。
图3B是图3A中透光区以及非透光区的示意图。
图3C是图3A中剖线I-I’的剖面示意图。
图4是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第二种实施方式的局部上视示意图。
图5是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第三种实施方式的局部上视示意图。
图6A是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第四种实施方式的局部上视示意图。
图6B是图6A中剖线II-II’的剖面示意图。
图7及图8分别是本发明的实施例的显示装置的两种实施方式的上视示意图。
其中，附图标记：
1、1A、1B：显示装置
10A、10B、10C、10D：主动元件阵列基板
A1：透光区
A2：非透光区
C1：第一存储电容
C2：第二存储电容
CE：共用电极
CH1、CH2：沟道层
CL1：第一控制线
CL2：第二控制线
CL3：第三控制线
Cm：显示介质电容
D1、D2：漏极
G1、G2：栅极
H1：第一维持时间段
H2：第二维持时间段
IN1、IN2、IN3、IN4、IN5：绝缘层
L1A、L1B、L2A、L2B：线条
PE1：第一像素电极
PE2：第二像素电极
S1、S2：源极
SC1：第一扫描时间段
SC2：第二扫描时间段
SL：开孔
SP：子像素
SUB：基板
T1：第一驱动元件
T2：第二驱动元件
TH1、TH2：贯孔
W：导线
X：方向
I-I’、II-II’：剖线
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
实施方式中所提到的方向用语，例如：「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。在附图中，各图式示出的是特定示范实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些图式不应被解释为界定或限制由这些示范实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对厚度及位置可能缩小或放大。
在实施方式中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同示范实施例中的特征在没有冲突的情况下可相互组合，且依本说明书或权利要求所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本专利涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求中提及的「第一」、「第二」等用语仅用以命名分立(discrete)的元件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限，也并非用以限定元件的制造顺序或设置顺序。
在本发明的实施例中，显示装置具有多个模式(包括第一模式与第二模式)，且显示装置可在所述多个模式之间做切换。举例来说，第一模式具有第一操作频率，第二模式具有第二操作频率，且显示装置可在所述多个操作频率之间做切换。此处，操作频率指的是显示画面的更新频率。操作频率为60赫兹(Hz)指的是显示装置每1/60秒更新一次显示画面。当第二操作频率低于第一操作频率时，第二模式称作低频模式，而第一模式称作高频模式。此处，低频模式的实例可包括显示画面的更新频率低于60赫兹，如1赫兹、24赫兹或其他赫兹。高频模式的实例可包括显示画面的更新频率为60赫兹以上，如60赫兹、120赫兹或其他赫兹。由于显示装置在第二模式下以较低的频率更新显示画面，因此显示装置在第二模式下可具有较低的功耗，且较为节能。为方便说明，以下实施例以第一模式为高频模式且第二模式为低频模式进行说明，但显示装置的模式种类不以上述为限。
图1是本发明的实施例的显示装置的一个子像素的等效电路图。图2A及图2B分别是第一模式及第二模式的驱动波形图。请参照图1至图2B，本发明的一实施例的显示装置1包括多个子像素SP。每一个子像素SP包括第一控制线CL1、第二控制线CL2、第一驱动元件T1、第二驱动元件T2、第一存储电容C1、显示介质电容Cm以及第二存储电容C2。第一驱动元件T1的栅极G1电性连接第一控制线CL1。第一驱动元件T1的漏极D1电性连接第二驱动元件T2的源极S2、第一存储电容C1以及显示介质电容Cm。第二驱动元件T2的栅极G2电性连接第二控制线CL2。第二驱动元件T2的漏极D2电性连接第二存储电容C2。
每一个子像素SP还可包括第三控制线CL3，且第一驱动元件T1的源极S1电性连接第三控制线CL3。第一控制线CL1以及第二控制线CL2例如为扫描线，且第三控制线CL3例如为资料线。
在第一模式下，第一驱动元件T1在第一扫描时间段SC1处于开启状态且在第一维持时间段H1处于关闭状态，且第二驱动元件T2在第一扫描时间段SC1以及第一维持时间段H1处于关闭状态。举例来说，如图2A的线条L1A所示，在第一扫描时间段SC1，经由图1所示的第一控制线CL1向第一驱动元件T1的栅极G1送出正脉冲电压(或高电位，VGH)，以开启第一驱动元件T1并对第一存储电容C1以及显示介质电容Cm进行充电。此外，在第一维持时间段H1，经由图1所示的第一控制线CL1向第一驱动元件T1的栅极G1送出负电压(或低电位，VGL)，以关闭第一驱动元件T1。另一方面，如图2A的线条L2A所示，在第一扫描时间段SC1以及第一维持时间段H1，经由图1所示的第二控制线CL2向第二驱动元件T2的栅极G2送出负电压，使第二驱动元件T2持续处于关闭状态。也就是说，在第一模式下，不对第二存储电容C2进行充电，且子像素SP在第一模式下的存储电容主要取决于第一存储电容C1以及显示介质电容Cm。
在第二模式下，第一驱动元件T1在第二扫描时间段SC2处于开启状态且在第二维持时间段H2处于关闭状态，且第二驱动元件T2在第二扫描时间段SC2以及第二维持时间段H2处于开启状态。举例来说，如图2B的线条L1B所示，在第二扫描时间段SC2，经由图1所示的第一控制线CL1向第一驱动元件T1的栅极G1送出正脉冲电压(或高电位，VGH)，以开启第一驱动元件T1并对第一存储电容C1以及显示介质电容Cm进行充电。此外，在第二维持时间段H2，经由图1所示的第一控制线CL1向第一驱动元件T1的栅极G1送出负电压(或低电位，VGL)，以关闭第一驱动元件T1。另一方面，如图2B的线条L2B所示，在第二扫描时间段SC2以及第二维持时间段H2，经由图1所示的第二控制线CL2向第二驱动元件T2的栅极G2送出正电压(或高电位，VGH)，使第二驱动元件T2持续处于开启状态。也就是说，在第二模式下，对第二存储电容C2持续充电，且子像素SP在第二模式下的存储电容除了取决于第一存储电容C1以及显示介质电容Cm之外，还取决于第二存储电容C2。
根据上述，子像素SP在第一模式下具有较小的存储电容，且在第二模式下具有较大的存储电容。在第一模式(高频模式)下，小的存储电容较容易充电，因此有助于改善高频模式下充电时间不足的问题。另一方面，在第二模式(低频模式)下，大的存储电容较能稳定受到漏电效应影响的电位，因此可在节能的同时，有效抑制漏电效应对于显示品质的负面影响。
接下来藉由多个实施例说明显示装置1的多种实施方式，但显示装置1的可实施实施方式不以下述为限。应说明的是，显示装置1通常包括主动元件阵列基板、对向基板以及位于主动元件阵列基板与对向基板之间的显示介质层。以下的多个实施例主要针对显示装置的主动元件阵列基板的差异进行说明，显示介质层以及对向基板可采用现有的显示介质层以及对向基板，因此于下便不再赘述。另外，为方便说明，以下实施例以显示装置为边际场切换式(Fringe Field Switching，FFS)显示装置进行说明，但显示装置的种类不以上述为限。
图3A是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第一种实施方式的局部上视示意图。图3B是图3A中透光区以及非透光区的示意图。在图3B中，以粗虚线表示第二存储电容C2所在的区域。图3C是图3A中剖线I-I’的剖面示意图。请参照图1、图3A至图3C，显示装置1的主动元件阵列基板10A可包括基板SUB以及多个绝缘层(如绝缘层IN1、绝缘层IN2、绝缘层IN3以及绝缘层IN4)。此外，第一控制线CL1、第二控制线CL2、第三控制线CL3、第一驱动元件T1、第二驱动元件T2、第一存储电容C1、显示介质电容Cm、第二存储电容C2、绝缘层IN1、绝缘层IN2、绝缘层IN3以及绝缘层IN4设置在基板SUB上。
在本实施例中，第一控制线CL1、第二控制线CL2、第一驱动元件T1的栅极G1以及第二驱动元件T2的栅极G2设置在基板SUB上且同属于第一图案化导电层。藉由同一图案化导电层的设计，可避免导电元件间因彼此堆叠(或导电元件跨越另一导电元件)而须增设绝缘层以及负载(loading)增加等问题。绝缘层IN1设置在第一图案化导电层以及未被第一图案化导电层覆盖的基板SUB上。第一驱动元件T1的沟道层CH1设置在绝缘层IN1上并与栅极G1重叠。第二驱动元件T2的沟道层CH2也设置在绝缘层IN1上并与栅极G2重叠。沟道层CH1以及沟道层CH2例如由多晶硅(poly-Si)材料制作。源极S1以及漏极D1分别位于沟道层CH1的相对两侧，且源极S2以及漏极D2分别位于沟道层CH2的相对两侧。第三控制线CL3跨越第一控制线CL1以及第二控制线CL2，并透过绝缘层IN1而与第一控制线CL1以及第二控制线CL2电性绝缘。源极S1、漏极D1、源极S2、漏极D2以及第三控制线CL3同属于第二图案化导电层。绝缘层IN2、绝缘层IN3以及绝缘层IN4依序堆叠在基板SUB上。然而，主动元件阵列基板10A中的元件及/或膜层的相对设置关系、制作顺序及/或材质等可依需求改变，而不以上述为限。
就边际场切换式显示装置而言，每一个子像素SP还包括第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及共用电极CE。第一像素电极PE1具有多个开孔SL(开孔SL未示于图3A，请参照图3C)，且第一像素电极PE1通过贯孔TH1而与第一驱动元件T1的漏极D1电性连接。另一方面，第二像素电极PE2通过贯孔TH2而与第二驱动元件T2的漏极D2电性连接。在本实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2设置在绝缘层IN4上且同属于第三图案化导电层。此外，如图3A所示，第二像素电极PE2与第一像素电极PE1位于第一驱动元件T1以及第二驱动元件T2的同一侧，且第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2彼此不重叠。共用电极CE重叠于第一像素电极PE1与第二像素电极PE2，且共用电极CE例如位于绝缘层IN3以及绝缘层IN4之间。然而，上述多个元件及/或膜层的相对设置关系、制作顺序及/或材质等可依需求改变，而不以上述为限。
第一存储电容C1的组成包括第一像素电极PE1、共用电极CE以及位于第一像素电极PE1与共用电极CE之间的绝缘层IN4。第二存储电容C2的组成包括第二像素电极PE2、共用电极CE以及位于第二像素电极PE2与共用电极CE之间的绝缘层IN4。
每一个子像素SP具有透光区A1以及非透光区A2。所述透光区A1以及非透光区A2可由显示装置1的对向基板中的装饰层(未示出)来定义。进一步来说，装饰层适于遮蔽显示装置1中不欲被使用者看见的元件，其中被装饰层遮蔽的区域(也就是与装饰层重叠的区域)为非透光区A2，而未被装饰层遮蔽的区域(也就是不与装饰层重叠的区域)为透光区A1。在本实施例中，如图3B所示，第一存储电容C1的第一像素电极PE1与透光区A1重叠，且第二存储电容C2的第二像素电极PE2与非透光区A2重叠。换句话说，本实施例的第二存储电容C2是被装饰层遮蔽的。在第二像素电极PE2与第一像素电极PE1同层的架构下，当第二驱动元件T2处于开启状态时(如第二模式)，第二像素电极PE2与共用电极CE之间的电场会影响液晶层(显示介质层)中液晶分子的排列，从而影响显示效果。因此，可藉由装饰层遮蔽第二存储电容C2所在的区域，来避免该区域被使用者瞧见。
图4是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第二种实施方式的局部上视示意图。请参照图4，主动元件阵列基板10B与图3A的主动元件阵列基板10A的主要差异在于第一控制线CL1、第二控制线CL2、第一驱动元件T1以及第二驱动元件T2的相对设置关系及制作顺序。举例来说，主动元件阵列基板10B中的多个图案化导电层的制作顺序可依需求而有所不同。此外，在主动元件阵列基板10B中，第一控制线CL1以及第一驱动元件T1的栅极G1属于一个图案化导电层，而第二控制线CL2以及第二驱动元件T2的栅极G2属于另一个图案化导电层。此外，这两个图案化导电层可透过绝缘层(未示出)而彼此电性绝缘。
图5是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第三种实施方式的局部上视示意图。请参照图5，主动元件阵列基板10C与图3A的主动元件阵列基板10A的主要差异在于第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及共用电极CE的相对设置关系。举例来说，本实施例的第二像素电极PE2重叠于第一驱动元件T1以及第二驱动元件T2。在此架构下，与第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2重叠的共用电极(未示出，请参照图3C)的面积会增大。此外，在改变第二像素电极PE2的位置之后，第一像素电极PE1可进一步占据图3A中原本用来设置第二像素电极PE2的区域，因此第一像素电极PE1可具有较大的面积。对应地，图3B中透光区A1的面积可增大(例如扩增至图3B中第二存储电容C2所在的区域)，而非透光区A2的面积可缩小。因此，图5中子像素SP可具有较大的开口率。
图6A是本发明的实施例的显示装置的主动元件阵列基板的第四种实施方式的局部上视示意图。在图6A中，以虚线表示被第一像素电极PE1覆盖的第二像素电极PE2。图6B是图6A中剖线II-II’的剖面示意图。请参照图6A及图6B，主动元件阵列基板10D与图3A及图3C的主动元件阵列基板10A的主要差异在于第一像素电极PE1、第二像素电极PE2以及共用电极CE的相对设置关系及各电极的面积。举例来说，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2彼此重叠且分别位于共用电极CE的相对两侧。换句话说，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2不属于同一个图案化导电层。
详细来说，主动元件阵列基板10D还包括绝缘层IN5。第一像素电极PE1设置在绝缘层IN5上，且第一像素电极PE1通过贯孔TH1而与第一驱动元件T1的漏极D1电性连接。第二像素电极PE2设置在绝缘层IN3上，且第二像素电极PE2通过贯孔TH2而与第二驱动元件T2的漏极D2电性连接。共用电极CE位于绝缘层IN4以及绝缘层IN5之间。
在图3A至图5的实施例中，第二像素电极PE2位于不透光区A2中(第二像素电极PE2被装饰层遮蔽)，因此第二像素电极PE2除了可为透光电极之外，也可为非透光电极。在本实施例中，第一像素电极PE1以及第二像素电极PE2彼此重叠(第二像素电极PE2位于第一像素电极PE1下方)。换句话说，第二像素电极PE2与第一像素电极PE1共同位于透光区中，因此第二像素电极PE2较佳为透光电极，以避免影响子像素SP的开口率。
在本实施例中，第二像素电极PE2的面积可等于第一像素电极PE1的面积。在此架构下，第一像素电极PE1与第二像素电极PE2可具有相同的图案，如此第一像素电极PE1与第二像素电极PE2可采用相同的光罩制作。此外，本实施例可具有较大的第二存储电容。
图7及图8分别是本发明的实施例的显示装置的两种实施方式的上视示意图。请参照图7及图8，在显示装置1A以及显示装置1B中，多个子像素SP排列成阵列。显示装置1A以及显示装置1B还包括多条导线W。这些导线W从所述阵列的至少一侧连接多个子像素SP的多条第二控制线(未示出，请参照图1)。在此架构下，越远离所述阵列的所述至少一侧的多个子像素SP会因电阻电容负载(RC loading)而具有较严重的漏电现象。也就是说，所述阵列的不同区域的子像素SP的漏电程度会因电阻电容负载而有所不同。为了降低因漏电程度不同对画面均匀性造成的负面影响，可依据漏电的严重程度对多个子像素SP的多个第二存储电容的大小进行区域性调变。藉由使位于漏电问题越严重的区域的子像素SP具有较大的第二存储电容，可提升第二模式下的画面均匀性。
在图7中，这些导线W从所述阵列的其中一侧(如左侧)连接多个子像素SP的多条第二控制线，因此越远离所述阵列的所述其中一侧(如左侧)的多个子像素SP(即越接近所述阵列的右侧的多个子像素SP)会因电阻电容负载而具有较严重的漏电现象。在此架构下，可使多个子像素SP的多个第二存储电容的大小朝远离所述其中一侧的方向X递增(如由左而右递增)，以提升第二模式下的画面均匀性。例如，位于所述阵列的左侧的多个子像素SP的多个第二存储电容的大小为C，位于所述阵列的中心的多个子像素SP的多个第二存储电容的大小为1.1C至1.3C，且位于所述阵列的右侧的多个子像素SP的多个第二存储电容的大小为1.3C至1.5C。另一方面，所述多个子像素SP的多个第一存储电容(未示出，请参照图1)的大小可皆相同。
在图8中，多条导线W从所述阵列的相对两侧(左右两侧)连接多个子像素SP的多条第二控制线。在此架构下，越远离所述阵列的所述相对两侧的多个子像素SP(即越接近所述阵列的中心的多个子像素SP)会因电阻电容负载而具有较严重的漏电现象。因此，可使多个子像素SP的多个第二存储电容的大小从所述相对两侧朝所述阵列的中心递增，以提升第二模式下的画面均匀性。例如，位于所述阵列的左右两侧的多个子像素SP的多个第二存储电容的大小为C，且位于所述阵列的中心的多个子像素SP的多个第二存储电容的大小为1.1C至1.5C。
综上所述，在本发明的实施例中，显示装置可在多个模式(包括第一模式与第二模式)之间做切换。在第一模式下，第二驱动元件持续处于关闭状态，使子像素具有较小的存储电容，从而有助于改善充电率问题。在第二模式下，第二驱动元件持续处于开启状态，使子像素具有较大的存储电容，从而能有效抑制漏电效应对于显示品质的负面影响。在一实施例中，藉由调变膜层或元件的相对设置关系及制作顺序可达到降低所需的绝缘层的数量、避免负载增加、开口率的提升以及第二存储电容的提升等优点中的至少一个。在另一实施例中，还可依据漏电的严重程度对多个子像素的多个第二存储电容的大小进行区域性调变，以提升第二模式下的画面均匀性。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种显示装置，其特征在于，包括多个子像素，每一个子像素包括一第一控制线、一第二控制线、一第一驱动元件、一第二驱动元件、一第一存储电容、一显示介质电容以及一第二存储电容，其中所述第一驱动元件的一栅极电性连接所述第一控制线，所述第一驱动元件的一漏极电性连接所述第二驱动元件的一源极、所述第一存储电容以及所述显示介质电容，所述第二驱动元件的一栅极电性连接所述第二控制线，且所述第二驱动元件的一漏极电性连接所述第二存储电容，其中
在一第一模式下，所述第一驱动元件在一第一扫描时间段处于开启状态且在一第一维持时间段处于关闭状态，且所述第二驱动元件在所述第一扫描时间段以及所述第一维持时间段处于关闭状态，
在一第二模式下，所述第一驱动元件在一第二扫描时间段处于开启状态且在一第二维持时间段处于关闭状态，且所述第二驱动元件在所述第二扫描时间段以及所述第二维持时间段处于开启状态；
其中每一个子像素更包括一第一像素电极、一第二像素电极以及重叠于所述第一像素电极与所述第二像素电极的一共用电极，所述第一存储电容的组成包括所述第一像素电极以及所述共用电极，且所述第二存储电容的组成包括所述第二像素电极以及所述共用电极；
所述第二像素电极重叠于所述第一驱动元件以及所述第二驱动元件。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中所述第一模式具有一第一操作频率，所述第二模式具有一第二操作频率，且所述第二操作频率低于所述第一操作频率。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中所述第一像素电极以及所述第二像素电极位于所述第一驱动元件以及所述第二驱动元件的同一侧，且所述第一像素电极以及所述第二像素电极彼此不重叠。
4.如权利要求1或3所述的显示装置，其特征在于，其中每一个子像素具有一透光区以及一非透光区，所述第一存储电容的所述第一像素电极与所述透光区重叠，且所述第二存储电容的所述第二像素电极与所述非透光区重叠。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中所述第一像素电极以及所述第二像素电极位于所述第一驱动元件以及所述第二驱动元件的同一侧，所述第一像素电极以及所述第二像素电极彼此重叠且分别位于所述共用电极的相对两侧，其中每一个子像素具有一透光区以及一非透光区，且所所述第一存储电容的述第一像素电极以及所述第二存储电容的所述第二像素电极重叠于所述透光区。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中所述多个子像素排列成一阵列，所述显示装置更包括多条导线，其中所述多条导线从所述阵列的其中一侧连接所述多个子像素的多条第二控制线，且所述多个子像素的多个第二存储电容的大小朝远离所述其中一侧的方向递增。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中所述多个子像素排列成一阵列，所述显示装置更包括多条导线，其中所述多条导线从所述阵列的相对两侧连接所述多个子像素的多条第二控制线，且所述多个子像素的多个第二存储电容的大小从所述相对两侧朝所述阵列的中心递增。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中所述多个子像素的多个第一存储电容的大小皆相同。
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