CN110112126A - 显示器件和显示模组及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请显示器件包括倒装芯片和基板，基板包括第一焊盘层、第二线路层、第三线路层、第四焊盘层，所述倒装芯片贴装在第一焊盘层上。显示模组包括多个所述显示器件排列在背板上，组成该显示模组的每个独立的显示器件中包含多个像素点，各像素点以等间距排列在基板上。显示器件的制造方法包括：在基板的第一焊盘层上批量涂覆焊料；将倒装芯片批量放置在上述焊料上；放置于高温炉内加热，将倒装芯片和基板第一焊盘层焊接在一起，形成导电连接；将黑胶涂覆在焊接完成的基板上完成固化。显示模组的制造方法：将所述显示器件等间距阵列焊接在模组背板上。本申请显示器件可靠性高，缝隙小，像素点间距小，显示模组可实现高清晰度显示，视觉效果一致性好。
Description
【技术领域】
本申请涉及显示领域，尤其是涉及一种LED显示器件和显示模组及其制造方法。
【背景技术】
现有显示模组，其显示器件由封装支架110、正装芯片120、固晶胶、金线130和黑胶组成；这种显示器件，是将三个正装芯片通过固晶胶粘接在封装支架内，再通过金线连接芯片的电极和封装支架的导电引脚140来实现导电连接，请参阅图1；这种显示器件为类似长方体的结构。现有显示器件及其模组，可实现1.0mm以上像素点间距；
现有技术这种显示器件采用正装芯片，必须使用金线来实现导电连接，但此方式效率低，且易出现断线失效，因此这种器件的可靠性较低；显示器件所用封装支架，其导电引脚位于封装支架外侧，暴露在外，易氧化，可靠性差；显示器件外形不是规则的长方体，拼接成显示模组后，显示器件间的缝隙较大，即像素点间距大，清晰度低；显示器件的封装支架，其导电引脚不平整，拼接成显示模组后，表面平整度低，视觉一致性差。
因此，提供一种可靠性高的芯片，从而提供一种像素间距小、清晰度高的显示器件，平整度高、视觉一致性高的显示模组实为必要。
【发明内容】
本申请的目的在于提供一种像素间距小、清晰度高的显示器件及其制造方法。
本申请的再一目的在于提供一种视觉一致性高的显示模组及其制造方法。
为实现本申请目的，提供以下技术方案：
本申请提供一种显示器件，其包括倒装芯片和基板，所述基板包括第一焊盘层、第二线路层、第三线路层、第四焊盘层，所述倒装芯片贴装在第一焊盘层上，所述第一焊盘层、第二线路层、第三线路层、第四焊盘层之间设有绝缘层，该第一焊盘层和第二焊盘层设置连接倒装芯片和下面背板的焊盘面，该基板的线路连接和电路逻辑在第二线路层和第三线路层中实现。
一些实施方式中，所述显示器件还包括一层涂覆在基板上的黑胶，所述黑胶包括透明胶、纳米级黑色颗粒、纳米级颗粒状添加物。
一些实施方式中，所述显示器件包括均匀排布的像素点，每个像素点包括红、绿、蓝三种颜色的倒装芯片。
一些实施方式中，该基板第一焊盘层的焊盘排列方式，为矩阵排列，或是等边三角形或圆形排列，所述第四焊盘层的焊盘靠近基板四周排布。
一些实施方式中，所述显示器件其外形为规则的长方体。
本申请还提供一种显示器件的制造方法，其包括如下步骤：
(1)在基板的第一焊盘层上批量涂覆焊料，焊料的用量与倒装芯片电极尺寸相当；
(2)将倒装芯片批量放置在上述焊料上，倒装芯片的正电极与基板第一焊盘层上的正极焊盘连接，倒装芯片的负电极与基板第一焊盘层上的负极焊盘连接；
(3)将涂覆了焊料和放置了倒装芯片的基板，放置于高温炉内加热，高温炉内的温度需高于高温焊料合金的熔点；该高温炉可以是电致发热，或者是光致发热；高温焊料融化后，将倒装芯片和基板第一焊盘层焊接在一起，形成导电连接；
(4)将纳米级黑色颗粒、透明胶和纳米级颗粒状添加物在真空条件下，高速搅拌混合均匀(搅拌速度约1200rpm)，形成黑胶；在上述黑胶涂覆在焊接完成的基板上；并将黑胶表面整平，整平方式可以是模压、可以是刮平、或者是研磨；将黑胶在150℃条件下完成固化；
(5)将上述半成品沿相邻单个显示器件中间线切割分开，完成该显示器件的批量制作。
一些实施方式中，步骤(1)中焊料为高温焊料，该焊料的合金熔点高于200℃；涂覆该焊料的方式可以是点涂、喷涂、印刷中的一种或几种。
一些实施方式中，其中基板的制造方法包括如下步骤：
(1)将两张铜箔和一张绝缘材料压合，制成双面覆铜板，该双面覆铜板在该显示器件中，组成基板的第二线路层的铜箔、绝缘层和第三线路层的铜箔；
(2)将双面覆铜板的上层铜箔、绝缘层和下层铜箔用通孔贯穿；
(3)用电镀方式在上述覆铜板的通孔内电镀铜，使双面覆铜板的上层铜箔和下层铜箔实现导电连接；
(4)通过化学置换反应，将双面覆铜板的上层铜箔和下层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，留需要的下线路，完成第二线路层和第三线路层的制作；
(5)在上述半成品基板的上下两侧分别再压合绝缘层和铜箔，形成第一焊盘层的铜箔以及第四焊盘层的铜箔；
(6)在第一焊盘层的铜箔以及第四焊盘层的铜箔上打孔，第一焊盘层的铜箔的孔深到达第二线路层，第四焊盘层的铜箔上的孔深到达第三线路层；
(7)用电镀方式在上述半成品基板的通孔内电镀铜，使第一焊盘层的铜箔与第二线路层实现导电连接，使第四层焊盘层的铜箔与第三线路层实现导电连接；
(8)通过化学置换反应，将第一焊盘层铜箔和第四焊盘层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，完成第一焊盘层和第四焊盘层的制作；
(9)在第一焊盘层和第四焊盘层表面进行表面处理，在其焊盘表面涂覆银层，防止焊盘表面被氧化。
本申请还提供一种显示模组，其包括多个如上所述的显示器件等间距阵列方式排列在背板上并导电连接，该背板上有成等间距矩阵排列的金属焊盘，该焊盘的相对位置与该显示器件基板的焊盘的相对应，组成该显示模组的每个独立的显示器件中包含多个像素点，各像素点以等间距排列在基板上。
本申请还提供一种显示模组的制造方法，其包括如下步骤：
(1)在模组背板上涂覆焊料，涂覆该焊料的方式可以是点涂、喷涂、印刷中的一种或几种；焊料的用量与该显示器件中基板第四焊盘层尺寸相当；
(2)将显示器件按背板上的对应位置等间距阵列放置；
(3)将上述背板和显示器件，放置于高温炉内加热，中温焊料融化后，将所述显示器件和背板焊盘焊接在一起，形成导电连接。
一些实施方式中，该焊料为中温焊料，熔点低于200℃。
对比现有技术，本申请具有以下优点：
本申请所述显示器件使用倒装倒装芯片，制程效率高，无断线失效问题，可靠性高；所述显示器件线路连接全部在基板内部，无线路外露，无氧化风险，可靠性高；所述显示器件，其外形为规则的长方体，拼接成显示模组后，显示器件间的缝隙小，像素点间距小，可实现高清晰度显示，且拼接之后的显示模组，表面平整，外观一致，视觉效果一致性好；本申请显示器件和模组及其制造方法实现了0.8mm以下像素间距高清晰度显示。
【附图说明】
图1为现有技术显示器件示意图；
图2为本申请显示器件的基板结构示意图；
图3为本申请显示器件示意图；
图4a～4f为本申请显示器件中第一焊盘层的焊盘设计实施例示意图；
图5a～5b为本申请显示器件中第四焊盘层的焊盘设计实施例示意图
图6a～6c为本申请显示器件在第一焊盘层上放置倒装芯片实施例图；
图7为本申请显示器件的制造方法流程图；
图8a～8b为本申请显示模组的背板焊盘设计实施例示意图；
图9为本申请显示模组的结构侧视图；
图10a～10b为本申请显示模组的各显示器件排布示意图；
图11为本申请显示模组的制造方法流程图。
【具体实施方式】
请参阅图2和3，本申请显示器件200包括倒装芯片202和基板201，所述基板包括第一焊盘层210、第二线路层220、第三线路层230、第四焊盘层240，所述倒装芯片贴装在第一焊盘层上，所述第一焊盘层、第二线路层、第三线路层、第四焊盘层之间设有绝缘层250，该第一焊盘层和第二焊盘层设置连接倒装芯片和下面背板的焊盘面，该基板的线路连接和电路逻辑在第二线路层和第三线路层中实现。
所述显示器件还包括一层涂覆在基板上的黑胶203，所述黑胶包括透明胶、纳米级黑色颗粒、纳米级颗粒状添加物。
所述显示器件包括均匀排布的像素点，每个像素点包括红、绿、蓝三种颜色的倒装芯片。该显示器件所用倒装芯片全部为倒装芯片，其下方有两个电极，分别为正极和负极。
请参阅图4a～4f，该基板第一焊盘层210的焊盘排列方式，为矩阵排列，或是等边三角形或圆形排列，对称排列或镜像排列。请参阅图5a～5b，所述第四焊盘层240的焊盘靠近基板四周排布。第一焊盘层210的焊盘、第四焊盘层240的焊盘可以是方形、矩形、圆形、三角形等各种几何形状。
请结合参阅图6a～6c，第一焊盘层210的焊盘相互独立，无线路连接；该基板的第一焊盘层中，每两个焊盘对应一颗倒装芯片所在的位置，每两个焊盘组成一对，其中一个为正极，另外一个为负极，每个焊盘和倒装芯片的电极通过高温焊料连接，第一焊盘层的正极焊盘与倒装芯片的正极连接，第一焊盘层的负极焊盘与倒装芯片的负极连接；第一焊盘层中，每6个焊盘对应一个像素点所在的位置。第四焊盘层240的焊盘相互独立，无线路连接；该第一焊盘层210和第四焊盘层240的焊盘形状可以相同，也可以不同。
请参阅图7，本申请还提供一种显示器件的制造方法，其包括如下步骤：
(1)在基板的第一焊盘层上批量涂覆焊料，焊料的用量与倒装芯片电极尺寸相当；
(2)将倒装芯片批量放置在上述焊料上，倒装芯片的正电极与基板第一焊盘层上的正极焊盘连接，倒装芯片的负电极与基板第一焊盘层上的负极焊盘连接；
(3)将涂覆了焊料和放置了倒装芯片的基板，放置于高温炉内加热，高温炉内的温度需高于高温焊料合金的熔点；该高温炉可以是电致发热，或者是光致发热；高温焊料融化后，将倒装芯片和基板第一焊盘层焊接在一起，形成导电连接；
(4)将纳米级黑色颗粒、透明胶和纳米级颗粒状添加物在真空条件下，高速搅拌混合均匀(搅拌速度约1200rpm)，形成黑胶；在上述黑胶涂覆在焊接完成的基板上；并将黑胶表面整平，整平方式可以是模压、可以是刮平、或者是研磨；将黑胶在150℃条件下完成固化；
(5)将上述半成品沿相邻单个显示器件中间线切割分开，完成该显示器件的批量制作。
其中，步骤(1)中焊料为高温焊料，该焊料的成分是SnAgCu合金、SnSb合金、SnCu合金中一种，该焊料的合金熔点高于200℃；涂覆该焊料的方式可以是点涂、喷涂、印刷中的一种或几种。
其中基板的制造方法包括如下步骤：
(1)将两张铜箔和一张绝缘材料压合，制成双面覆铜板，铜箔厚度为20um，绝缘层厚度为0.1mm；该双面覆铜板在该显示器件中，组成基板的第二线路层的铜箔、绝缘层和第三线路层的铜箔；
(2)将双面覆铜板的上层铜箔、绝缘层和下层铜箔用通孔贯穿；
(3)用电镀方式在上述覆铜板的通孔内电镀铜，反应式为：Cu2++2e-→Cu，并把孔填满，使双面覆铜板的上层铜箔和下层铜箔实现导电连接；
(4)通过化学置换反应，反应式为：2FeCl3+Cu＝CuCl2++2FeCl2，将双面覆铜板的上层铜箔和下层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，留需要的下线路，完成第二线路层和第三线路层的制作；
(5)在上述半成品基板的上下两侧分别再压合绝缘层和铜箔，形成第一焊盘层的铜箔以及第四焊盘层的铜箔；铜箔厚度为20um；
(6)在第一焊盘层的铜箔以及第四焊盘层的铜箔上打孔，第一焊盘层的铜箔的孔深到达第二线路层，第四焊盘层的铜箔上的孔深到达第三线路层；
(7)用电镀方式在上述半成品基板的通孔内电镀铜，反应式为：Cu2++2e-→Cu，并把孔填满，使第一焊盘层的铜箔与第二线路层实现导电连接，使第四层焊盘层的铜箔与第三线路层实现导电连接；
(8)通过化学置换反应，反应式为：2FeCl3+Cu＝CuCl2++2FeCl2，将第一焊盘层铜箔和第四焊盘层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，完成第一焊盘层和第四焊盘层的制作；
(9)在第一焊盘层和第四焊盘层表面进行表面处理，在其焊盘表面涂覆银层，银层厚度0.1-0.5um；防止焊盘表面被氧化。
请参阅图8a、8b、图9和图10a、图10b，本申请还提供一种显示模组，其包括多个所述的显示器件200等间距阵列方式排列在背板302上并导电连接，该背板上有成等间距矩阵排列的金属焊盘301，该焊盘的相对位置与该显示器件基板的焊盘的相对应，组成该显示模组的每个独立的显示器件中包含多个像素点，各像素点以等间距排列在基板上。由批量的单个显示器件200以等间距阵列方式排列在背板302上，由中温焊料实现导电连接。
该背板302上有成等间距矩阵排列的金属焊盘301，该焊盘的相对位置与该显示器件200基板的第四焊盘层的焊盘相对位置一一对应；组成该显示模组的每个独立的显示器件中包含多个像素点，各像素点以等间距排列在基板上；该单个显示器件所用到的单个基板，在整片背板上呈等间距阵列排列；
请参阅图11，本申请还提供一种显示模组的制造方法，其包括如下步骤：
(1)在模组背板上涂覆焊料，涂覆该焊料的方式可以是点涂、喷涂、印刷中的一种或几种；焊料的用量与该显示器件中基板第四焊盘层尺寸相当；
(2)将显示器件按背板上的对应位置等间距阵列放置；
(3)将上述背板和显示器件，放置于高温炉内加热，高温炉内的温度需高于中温焊料合金的熔点但低于200℃；该高温炉可以是电致发热，或者是光致发热；中温焊料融化后，将所述显示器件和背板焊盘焊接在一起，形成导电连接。
其中，该焊料为中温焊料，熔点低于200℃。
具体实施例之一：
(1)将两张铜箔和一张绝缘材料压合，制成双面覆铜板，铜箔厚度为20um，绝缘层厚度为0.1mm；该双面覆铜板在该显示器件中，组成基板的第二线路层的铜箔、绝缘层和第三线路层的铜箔；
(2)将双面覆铜板的上层铜箔、绝缘层和下层铜箔用通孔贯穿；
(3)用电镀方式在上述覆铜板的通孔内电镀铜，反应式为：Cu2++2e-→Cu，并把孔填满，使双面覆铜板的上层铜箔和下层铜箔实现导电连接；
(4)通过化学置换反应，反应式为：2FeCl3+Cu＝CuCl2++2FeCl2，将双面覆铜板的上层铜箔和下层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，留需要的下线路，完成第二线路层和第三线路层的制作；
(5)在上述半成品基板的上下两侧分别再压合绝缘层和铜箔，形成第一焊盘层的铜箔以及第四焊盘层的铜箔；铜箔厚度为20um；
(6)在第一焊盘层的铜箔以及第四焊盘层的铜箔上打孔，第一焊盘层的铜箔的孔深到达第二线路层，第四焊盘层的铜箔上的孔深到达第三线路层；
(7)用电镀方式在上述半成品基板的通孔内电镀铜，反应式为：Cu2++2e-→Cu，并把孔填满，使第一焊盘层的铜箔与第二线路层实现导电连接，使第四层焊盘层的铜箔与第三线路层实现导电连接；
(8)通过化学置换反应，反应式为：2FeCl3+Cu＝CuCl2++2FeCl2，将第一焊盘层铜箔和第四焊盘层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，完成第一焊盘层和第四焊盘层的制作；
(9)在第一焊盘层和第四焊盘层表面进行表面处理，在其焊盘表面涂覆银层，银层厚度0.1-0.5um；防止焊盘表面被氧化。
(10)在整片基板的第一焊盘层上批量印刷焊料，此焊料为高温焊料，该焊料的成分是SnAgCu合金，该焊料的合金熔点高于220℃；
(11)将倒装芯片批量放置在上述焊料上，倒装芯片的正电极与基板的第一焊盘层正极焊盘连接，倒装芯片的负电极与基板的第一焊盘层负极焊盘连接，倒装芯片的排列方式如图6a；
(12)将印刷了焊料和放置了倒装芯片的基板，放置于245℃的高温炉内加热，高温焊料融化后，将倒装芯片和基板第一焊盘层焊接在一起，形成导电连接；
(13)将纳米级黑色颗粒、透明胶和纳米级颗粒状添加物在真空条件下，高速搅拌混合均匀(搅拌速度约1200rpm)，形成黑胶；在上述黑胶涂覆在焊接完成的基板上；并将黑胶表面整平，整平方式可以是模压、可以是刮平、或者是研磨；将黑胶在150℃条件下完成固化；
(14)将上述半成品沿相邻单个显示器件中间线切割分开，完成该显示器件的批量制作；
(15)在模组背板上印刷焊料，该焊料为中温焊料，熔点为180℃；
(16)将所述显示器件按背板上的对应位置等间距阵列放置；
(17)将上述背板和显示器件，放置于高温炉内加热，高温炉内的温度为200℃；将所述显示器件和背板焊盘焊接在一起，形成导电连接；
具体实施方式二：
(1)将两张铜箔和1张绝缘材料压合，制成双面覆铜板，铜箔厚度为20um，绝缘层厚度为0.1mm；
(2)将上述双面覆铜板的上层铜箔、绝缘层和下层铜箔用通孔贯穿；
(3)在上述覆铜板的通孔内电镀铜，并把孔填满，使上层铜箔和下层铜箔实现导电连接；
(4)将上层铜箔和下层铜箔上不需要的铜蚀刻掉，留需要的下线路，完成第二线路层和第三线路层的制作；
(5)在上述半成品基板上下两侧分别再压合绝缘层和铜箔，形成第一焊盘层的铜箔和第四焊盘层的铜箔，铜箔厚度为20um；
(6)在上述第一焊盘层铜箔和第四焊盘层铜箔上打孔，第一焊盘层铜箔上的孔深到达第二线路层，第四焊盘层铜箔上的孔深到达第三线路层；
(7)在上述半成品基板的通孔内电镀铜，并把孔填满，使第一焊盘层铜箔与第二线路层实现导电连接，使四焊盘层铜箔与第三线路层实现导电连接；
(8)将第一焊盘层铜箔和第四焊盘层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，完成第一焊盘层和第四焊盘层的制作；
(9)在第一焊盘层和第四焊盘层表面进行表面处理，在其焊盘表面涂覆银层，银层厚度0.1-0.5um；
(10)在整片基板的第一焊盘层上批量印刷焊料，此焊料为高温焊料，该焊料的成分是SnAgCu合金，该焊料的合金熔点高于220℃；
(11)将倒装芯片批量放置在上述焊料上，倒装芯片的正电极与基板的第一焊盘层正极焊盘连接，倒装芯片的负电极与基板的第一焊盘层负极焊盘连接，倒装芯片的排列方式如图6c；
(12)将印刷了焊料和放置了倒装芯片的基板，放置于245℃的高温炉内加热，高温焊料融化后，将倒装芯片和基板第一焊盘层焊接在一起，形成导电连接；
(13)将纳米级黑色颗粒、透明胶和纳米级颗粒状添加物在真空条件下，高速搅拌混合均匀(搅拌速度约1200rpm)，形成黑胶；在上述黑胶涂覆在焊接完成的基板上；并将黑胶表面整平，整平方式可以是模压、可以是刮平、或者是研磨；将黑胶在150℃条件下完成固化；
(14)将上述半成品沿相邻单个显示器件中间线切割分开，完成该显示器件的批量制作，如图7；
(15)在模组背板上印刷焊料，该焊料为中温焊料，熔点为180℃；
(16)将所述显示器件按背板上的对应位置等间距阵列放置；将上述背板和显示器件，放置于高温炉内加热，高温炉内的温度为200℃；将所述显示器件和背板焊盘焊接在一起，形成导电连接。
以上所述仅为本申请的较佳实施例，本申请的保护范围并不局限于此，任何基于本申请技术方案上的等效变换均属于本申请保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示器件，其特征在于，其包括倒装芯片和基板，所述基板包括第一焊盘层、第二线路层、第三线路层、第四焊盘层，所述倒装芯片贴装在第一焊盘层上，所述第一焊盘层、第二线路层、第三线路层、第四焊盘层之间设有绝缘层，该第一焊盘层和第二焊盘层设置连接倒装芯片和下面背板的焊盘面，该基板的线路连接和电路逻辑在第二线路层和第三线路层中实现。
2.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件还包括一层涂覆在基板上的黑胶，所述黑胶包括透明胶、纳米级黑色颗粒、纳米级颗粒状添加物。
3.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述显示器件包括均匀排布的像素点，每个像素点包括红、绿、蓝三种颜色的倒装芯片。
4.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，该基板第一焊盘层的焊盘排列方式，为矩阵排列，或是等边三角形或圆形排列，所述第四焊盘层的焊盘靠近基板四周排布。
5.一种显示器件的制造方法，其特征在于，其包括如下步骤：
(1)在基板的第一焊盘层上批量涂覆焊料，焊料的用量与倒装芯片电极尺寸相当；
(2)将倒装芯片批量放置在上述焊料上，倒装芯片的正电极与基板第一焊盘层上的正极焊盘连接，倒装芯片的负电极与基板第一焊盘层上的负极焊盘连接；
(3)将涂覆了焊料和放置了倒装芯片的基板，放置于高温炉内加热，高温焊料融化后，将倒装芯片和基板第一焊盘层焊接在一起，形成导电连接；
(4)将纳米级黑色颗粒、透明胶和纳米级颗粒状添加物在真空条件下，高速搅拌混合均匀，形成黑胶；在上述黑胶涂覆在焊接完成的基板上；并将黑胶表面整平；
(5)将上述半成品沿相邻单个显示器件中间线切割分开，完成该显示器件的批量制作。
6.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，步骤(1)中焊料为高温焊料，该焊料的成分是SnAgCu合金、SnSb合金、SnCu合金中一种，该焊料的合金熔点高于200℃；涂覆该焊料的方式可以是点涂、喷涂、印刷中的一种或几种。
7.如权利要求1所述的显示器件的制造方法，其特征在于，其中基板的制造方法包括如下步骤：
(1)将两张铜箔和一张绝缘材料压合，制成双面覆铜板，该双面覆铜板在该显示器件中，组成基板的第二线路层的铜箔、绝缘层和第三线路层的铜箔；
(2)将双面覆铜板的上层铜箔、绝缘层和下层铜箔用通孔贯穿；
(3)用电镀方式在上述覆铜板的通孔内电镀铜，使双面覆铜板的上层铜箔和下层铜箔实现导电连接；
(4)通过化学置换反应，将双面覆铜板的上层铜箔和下层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，留需要的下线路，完成第二线路层和第三线路层的制作；
(5)在上述半成品基板的上下两侧分别再压合绝缘层和铜箔，形成第一焊盘层的铜箔以及第四焊盘层的铜箔；
(6)在第一焊盘层的铜箔以及第四焊盘层的铜箔上打孔，第一焊盘层的铜箔的孔深到达第二线路层，第四焊盘层的铜箔上的孔深到达第三线路层；
(7)用电镀方式在上述半成品基板的通孔内电镀铜，使第一焊盘层的铜箔与第二线路层实现导电连接，使第四层焊盘层的铜箔与第三线路层实现导电连接；
(8)通过化学置换反应，将第一焊盘层铜箔和第四焊盘层铜箔上不需要的铜箔蚀刻掉，完成第一焊盘层和第四焊盘层的制作；
(9)在第一焊盘层和第四焊盘层表面进行表面处理，在其焊盘表面涂覆银层，防止焊盘表面被氧化。
8.一种显示模组，其特征在于，其包括多个如权利要求1～4任一项所述的显示器件等间距阵列方式排列在背板上并导电连接，该背板上有成等间距矩阵排列的金属焊盘，该焊盘的相对位置与该显示器件基板的焊盘的相对应，组成该显示模组的每个独立的显示器件中包含多个像素点，各像素点以等间距排列在基板上。
9.一种显示模组的制造方法，其特征在于，其包括如下步骤：
(1)在模组背板上涂覆焊料；焊料的用量与该显示器件中基板第四焊盘层尺寸相当；
(2)将显示器件按背板上的对应位置等间距阵列放置；
(3)将上述背板和显示器件，放置于高温炉内加热，中温焊料融化后，将所述显示器件和背板焊盘焊接在一起，形成导电连接。
10.如权利要求9所述的显示器件，其特征在于，该焊料为中温焊料，熔点低于200℃。
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