CN109901321B - 薄膜晶体管阵列基板及显示面板 - Google Patents
薄膜晶体管阵列基板及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109901321B CN109901321B CN201910259559.9A CN201910259559A CN109901321B CN 109901321 B CN109901321 B CN 109901321B CN 201910259559 A CN201910259559 A CN 201910259559A CN 109901321 B CN109901321 B CN 109901321B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transparent material
- layer
- branch electrodes
- adjacent
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 5
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。所述薄膜晶体管阵列基板包括:显示器件层,所述显示器件层包括至少两像素电极,所述像素电极包括主干电极和分支电极;以及透明材料层,所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极,并且填充相邻两所述分支电极之间的间隙。本发明能提高显示面板的光透过率。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
【背景技术】
传统的薄膜晶体管阵列基板中设置有像素电极,该像素电极用于与显示面板中对向设置的彩膜基板形成电场,以使得液晶分子偏转。
该像素电极一般由条状的电极组成,相邻两条状电极之间为间隙。因此,薄膜晶体管阵列基板的表面为高低起伏的状态。
由于薄膜晶体管的表面为高低起伏的状态,因此,由该薄膜晶体管制成的显示面板的光透过率较低。
故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板,其能提高显示面板的光透过率。
为解决上述问题,本发明的技术方案如下:
一种薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括:显示器件层,所述显示器件层包括至少两像素电极,所述像素电极包括主干电极和分支电极;以及透明材料层,所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极,并且填充相邻两所述分支电极之间的间隙;所述透明材料层的第一表面与第二表面共面,其中,所述第一表面为所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极的第一部分的表面,所述第二表面为所述透明材料层填充相邻两所述分支电极之间的间隙的第二部分的表面;所述透明材料层是通过在所述像素电极层上涂布液态的所述透明材料,并对所述显示器件层施加预定频率的震动作用力,以使所述透明材料在重力的作用下填充两分支电极之间的间隙,以及覆盖所述分支电极和主干电极,然后将设置于所述像素电极层上的所述透明材料固化为固态来形成的,其中,所述预定频率处于每秒1次震动至每秒100次震动的范围内。
在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述第二部分的厚度等于所述第一部分的厚度与预定段差之和,其中,所述预定段差为所述主干电极和/或所述分支电极的顶面与相邻两所述分支电极之间的间隙的底面之间的高度差。
在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述第一部分的厚度处于1纳米至100纳米的范围内。
在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述透明材料包括氧化硅、氧化钛、氟化钙、氮化硅、氮氧化硅、氟化镁、氧化铝、氧化钽、硫化锌、聚酰亚胺、聚硅氧烷、环氧树脂、聚合物石墨烯中的一者或一者以上的组合。
一种显示面板,所述显示面板包括:彩膜基板;液晶层;以及薄膜晶体管阵列基板;其中,所述薄膜晶体管阵列基板包括:显示器件层,所述显示器件层包括至少两像素电极,所述像素电极包括主干电极和分支电极;以及透明材料层,所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极,并且填充相邻两所述分支电极之间的间隙;所述透明材料层的第一表面与第二表面共面,其中,所述第一表面为所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极的第一部分的表面,所述第二表面为所述透明材料层填充相邻两所述分支电极之间的间隙的第二部分的表面;所述透明材料层是通过在所述像素电极层上涂布液态的所述透明材料,并对所述显示器件层施加预定频率的震动作用力,以使所述透明材料在重力的作用下填充两分支电极之间的间隙,以及覆盖所述分支电极和主干电极,然后将设置于所述像素电极层上的所述透明材料固化为固态来形成的,其中,所述预定频率处于每秒1次震动至每秒100次震动的范围内。
在上述显示面板中,所述第二部分的厚度等于所述第一部分的厚度与预定段差之和,其中,所述预定段差为所述主干电极和/或所述分支电极的顶面与相邻两所述分支电极之间的间隙的底面之间的高度差。
在上述显示面板中,所述第一部分的厚度处于1纳米至100纳米的范围内。
在上述显示面板中,所述透明材料包括氧化硅、氧化钛、氟化钙、氮化硅、氮氧化硅、氟化镁、氧化铝、氧化钽、硫化锌、聚酰亚胺、聚硅氧烷、环氧树脂、聚合物石墨烯中的一者或一者以上的组合。
相对现有技术,由于本发明的薄膜晶体管阵列基板中还设置有透明材料层,所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极,并且填充相邻两所述分支电极之间的间隙,因此可以使得薄膜晶体管阵列基板中与所述像素电极对应的部分的表面为平坦状,从而有利于提高所述显示面板的光透过率,并有利于降低所述显示面板的光反射率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
【附图说明】
图1为本发明的显示面板的示意图;
图2为图1所示的显示面板中的薄膜晶体管阵列基板的示意图;
图3为图2所示的薄膜晶体管阵列基板的A-A’截面的示意图。
【具体实施方式】
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外,本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”,除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
参考图1、图2和图3,图1为本发明的显示面板的示意图,图2为图1所示的显示面板中的薄膜晶体管阵列基板101的示意图,图3为图2所示的薄膜晶体管阵列基板101的A-A’截面的示意图。
本发明的显示面板包括彩膜基板102、液晶层103、薄膜晶体管阵列基板101。其中,所述彩膜基板102与所述薄膜晶体管阵列基板101叠加组合为一体,所述液晶层103设置于所述彩膜基板102和所述薄膜晶体管阵列基板101之间。所述彩膜基板102与所述薄膜晶体管阵列基板101之间还设置有框胶104,所述框胶104位于所述彩膜基板102、所述薄膜晶体管阵列基板101的边缘处,所述框胶104用于对所述彩膜基板102与所述薄膜晶体管阵列基板101之间的空间进行密封,以防止液晶层103中的液晶分子泄漏。
所述彩膜基板102上设置有共通电极。
所述薄膜晶体管阵列基板101包括显示器件层和透明材料层1013,所述透明材料层1013设置于所述显示器件层上。
其中,所述显示器件层包括基板1016、薄膜晶体管阵列器件层1015、绝缘层1014和像素电极层。
所述薄膜晶体管阵列器件层1015设置于所述基板1016上,所述薄膜晶体管阵列器件层1015包括至少两薄膜晶体管,至少两所述薄膜晶体管以阵列的形式排列。
所述绝缘层1014设置于所述薄膜晶体管阵列器件层1015上。
所述像素电极层设置于所述绝缘层1014上,所述像素电极层包括至少两像素电极,所述像素电极的一部分穿过所述绝缘层1014与所述薄膜晶体管连接,所述像素电极包括主干电极1012和分支电极1011。
所述透明材料层1013覆盖所述主干电极1012和/或所述分支电极1011,并且填充相邻两所述分支电极1011之间的间隙。所述分支电极1011与所述主干电极1012之间的夹角为45度或135度。
所述像素电极层与所述共通电极相向。
所述共通电极通过设置于所述彩膜基板102与所述薄膜晶体管阵列基板101之间的导电构件与所述薄膜晶体管阵列基板101中的公共线导通。所述像素电极层与所述共通电极用于在所述彩膜基板102与所述薄膜晶体管阵列基板101之间形成电压差,以使所述液晶层103中的液晶分子偏转。
所述透明材料层1013用于使得所述薄膜晶体管阵列基板101与所述像素电极对应的部分平坦化,从而提高所述薄膜晶体管阵列基板101在所述像素电极的边缘处的透光率。
所述透明材料层1013的第一表面与第二表面共面,所述第一表面为所述透明材料层1013覆盖所述主干电极1012和/或所述分支电极1011的第一部分的表面,所述第二表面为所述透明材料层1013填充相邻两所述分支电极1011之间的间隙的第二部分的表面。
上述术语“共面”包括:(1)所述第一表面和所述第二表面均为平面,所述第一表面和所述第二表面均处于同一平面中;(2)所述第一表面和所述第二表面中的至少一者不是平面,例如,所述第一表面、所述第二表面中的至少一者存在凸出的部位或凹陷的部位,但是,所述第一表面和所述第二表面在整体上属于同一平面,其中,所述第一表面与所述第二表面中凸出的部分的面积与凹陷的部分的面积占所述第一表面和所述第二表面的总面积之比小于或等于30%。
所述第一表面和所述第二表面均与所述基板1016所对应的平面平行。
所述第二部分的厚度等于所述第一部分的厚度与预定段差之和,其中,所述预定段差为所述主干电极和/或所述分支电极的顶面与相邻两所述分支电极之间的间隙的底面之间的高度差。
所述第一部分的厚度处于1纳米至100纳米的范围内。具体地,所述第一部分的厚度为1纳米、5纳米、10纳米、15纳米、20纳米、25纳米、30纳米、35纳米、40纳米、45纳米、50纳米、55纳米、60纳米、65纳米、70纳米、75纳米、80纳米、85纳米、90纳米、95纳米、100纳米中的一者。
所述透明材料为透明的有机材料、透明的无机材料、透明的有机无机杂化材料中的一者。
所述透明的有机材料可例如为聚酰亚胺、聚硅氧烷、环氧树脂、聚合物石墨烯等有机聚合物等。
所述透明的无机材料可例如为氧化硅(SiOx)、氧化钛(TiOx)、氟化钙(CaFx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOx)、氟化镁(MgF2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、硫化锌(ZnS)等。
所述透明材料层1013是通过在所述像素电极层上涂布液态的所述透明材料,并对所述显示器件层施加预定频率的震动作用力,以使所述透明材料在重力的作用下填充两分支电极之间的间隙,以及覆盖所述分支电极和主干电极,然后将设置于所述像素电极层上的所述透明材料固化为固态来形成的,这样可以使得所述透明材料充分填充两分支电极之间的间隙,并且避免所述分支电极和所述透明材料接触的部位产生妨碍光线透过的气泡(该气泡通过该震动作用力从液态的所述透明材料中被挤出),并且有利于确保所述第一表面和所述第二表面共面。其中,所述预定频率处于每秒1次震动至每秒100次震动的范围内。
所述透明材料层1013由至少一第一子材料层和至少一第二子材料层层叠而成。所述第一子材料层的材料和所述第二子材料层的材料相同。
作为一种改进,所述绝缘层1014位于相邻两所述分支电极1011之间的部位的表面设置有第一褶皱部,所述第一褶皱部倒伏在相邻的另一第一褶皱部上,所述透明材料层1013的至少一部分嵌入至相邻两所述第一褶皱部之间的间隙中,所述透明材料层1013设置有第二褶皱部,所述第二褶皱部倒伏在相邻的另一第二褶皱部上,所述绝缘层1014位于相邻两所述分支电极1011之间的部位的至少一部分嵌入至相邻两所述第二褶皱部之间的间隙中。
所述第一褶皱部和所述第二褶皱部均为长条状。
所述第一褶皱部位于所述绝缘层1014与所述分支电极1011的交汇处旁。所述第二褶皱部位于两所述分支电极1011之间的间隙的中央区域。
所述第一褶皱部和/或所述第二褶皱部的末端边缘设置有锯齿部。
在本发明中,由于薄膜晶体管阵列基板中还设置有透明材料层,所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极,并且填充相邻两所述分支电极之间的间隙,因此可以使得薄膜晶体管阵列基板中与所述像素电极对应的部分的表面为平坦状,从而有利于提高所述显示面板的光透过率,并有利于降低所述显示面板的光反射率。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板包括:
显示器件层,所述显示器件层包括绝缘层和像素电极层,所述像素电极层设置在所述绝缘层上,且所述像素电极层包括至少两像素电极,所述像素电极包括主干电极和分支电极;以及
透明材料层,所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极,并且填充相邻两所述分支电极之间的间隙;
所述透明材料层的第一表面与第二表面共面,其中,所述第一表面为所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极的第一部分的表面,所述第二表面为所述透明材料层填充相邻两所述分支电极之间的间隙的第二部分的表面;
所述透明材料层是通过在所述像素电极层上涂布液态的所述透明材料,并对所述显示器件层施加预定频率的震动作用力,以使所述透明材料在重力的作用下填充两分支电极之间的间隙,以及覆盖所述分支电极和主干电极,然后将设置于所述像素电极层上的所述透明材料固化为固态来形成的,其中,所述预定频率处于每秒1次震动至每秒100次震动的范围内,以避免所述分支电极和所述透明材料接触的部位产生妨碍光线透过的气泡;
所述绝缘层位于相邻所述分支电极之间的部位的表面设置有第一褶皱部,所述第一褶皱部倒伏在相邻的另一第一褶皱部上,所述透明材料层的至少一部分嵌入至相邻两所述第一褶皱部之间的间隙中;所述透明材料层设置有第二褶皱部,所述第二褶皱部倒伏在相邻的另一第二褶皱部上,所述绝缘层位于相邻两所述分支电极之间的部位的至少一部分嵌入至相邻两所述第二褶皱部之间的间隙中;所述第一褶皱部位于所述绝缘层与所述分支电极的交汇处旁;所述第二褶皱部位于两所述分支电极之间的间隙的中央区域。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第二部分的厚度等于所述第一部分的厚度与预定段差之和,其中,所述预定段差为所述主干电极和/或所述分支电极的顶面与相邻两所述分支电极之间的间隙的底面之间的高度差。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一部分的厚度处于1纳米至100纳米的范围内。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述透明材料包括氧化硅、氧化钛、氟化钙、氮化硅、氮氧化硅、氟化镁、氧化铝、氧化钽、硫化锌、聚酰亚胺、聚硅氧烷、环氧树脂、聚合物石墨烯中的一者或一者以上的组合。
5.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
彩膜基板;
液晶层;以及
薄膜晶体管阵列基板;
其中,所述薄膜晶体管阵列基板包括:
显示器件层,所述显示器件层包括绝缘层和像素电极层,所述像素电极层设置在所述绝缘层上,且所述像素电极层包括至少两像素电极,所述像素电极包括主干电极和分支电极;以及
透明材料层,所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极,并且填充相邻两所述分支电极之间的间隙;
所述透明材料层的第一表面与第二表面共面,其中,所述第一表面为所述透明材料层覆盖所述主干电极和/或所述分支电极的第一部分的表面,所述第二表面为所述透明材料层填充相邻两所述分支电极之间的间隙的第二部分的表面;所述透明材料层是通过在所述像素电极层上涂布液态的所述透明材料,并对所述显示器件层施加预定频率的震动作用力,以使所述透明材料在重力的作用下填充两分支电极之间的间隙,以及覆盖所述分支电极和主干电极,然后将设置于所述像素电极层上的所述透明材料固化为固态来形成的,其中,所述预定频率处于每秒1次震动至每秒100次震动的范围内,以避免所述分支电极和所述透明材料接触的部位产生妨碍光线透过的气泡;
所述绝缘层位于相邻所述分支电极之间的部位的表面设置有第一褶皱部,所述第一褶皱部倒伏在相邻的另一第一褶皱部上,所述透明材料层的至少一部分嵌入至相邻两所述第一褶皱部之间的间隙中;所述透明材料层设置有第二褶皱部,所述第二褶皱部倒伏在相邻的另一第二褶皱部上,所述绝缘层位于相邻两所述分支电极之间的部位的至少一部分嵌入至相邻两所述第二褶皱部之间的间隙中;所述第一褶皱部位于所述绝缘层与所述分支电极的交汇处旁;所述第二褶皱部位于两所述分支电极之间的间隙的中央区域。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二部分的厚度等于所述第一部分的厚度与预定段差之和,其中,所述预定段差为所述主干电极和/或所述分支电极的顶面与相邻两所述分支电极之间的间隙的底面之间的高度差。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一部分的厚度处于1纳米至100纳米的范围内。
8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述透明材料包括氧化硅、氧化钛、氟化钙、氮化硅、氮氧化硅、氟化镁、氧化铝、氧化钽、硫化锌、聚酰亚胺、聚硅氧烷、环氧树脂、聚合物石墨烯中的一者或一者以上的组合。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910259559.9A CN109901321B (zh) | 2019-04-02 | 2019-04-02 | 薄膜晶体管阵列基板及显示面板 |
PCT/CN2019/082731 WO2020199245A1 (zh) | 2019-04-02 | 2019-04-15 | 薄膜晶体管阵列基板及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910259559.9A CN109901321B (zh) | 2019-04-02 | 2019-04-02 | 薄膜晶体管阵列基板及显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109901321A CN109901321A (zh) | 2019-06-18 |
CN109901321B true CN109901321B (zh) | 2021-05-07 |
Family
ID=66955170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910259559.9A Active CN109901321B (zh) | 2019-04-02 | 2019-04-02 | 薄膜晶体管阵列基板及显示面板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109901321B (zh) |
WO (1) | WO2020199245A1 (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201984265U (zh) * | 2011-01-14 | 2011-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和液晶显示器 |
CN103852939A (zh) * | 2012-12-05 | 2014-06-11 | 三星显示有限公司 | 液晶显示器装置 |
CN104122719A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 制造液晶显示装置的方法 |
CN105988241A (zh) * | 2015-03-18 | 2016-10-05 | 三星显示有限公司 | 弯曲显示装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3086682B2 (ja) * | 1993-07-22 | 2000-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置 |
JP4145729B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2008-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置の製造方法 |
JP4123208B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、電子機器 |
JP5107070B2 (ja) * | 2008-01-28 | 2012-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 表示装置 |
CN101494271A (zh) * | 2009-02-20 | 2009-07-29 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管装置的制造方法及喷涂设备 |
KR20100112422A (ko) * | 2009-04-09 | 2010-10-19 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
CN102323696B (zh) * | 2011-07-20 | 2014-10-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶涂布装置和方法 |
CN102778817A (zh) * | 2012-08-14 | 2012-11-14 | 四川虹视显示技术有限公司 | 光刻胶的脱泡方法及设备 |
CN103454811B (zh) * | 2013-09-12 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶取向层的制作装置及方法 |
CN103521395B (zh) * | 2013-10-28 | 2016-02-03 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种涂覆装置 |
TWI512589B (zh) * | 2014-05-16 | 2015-12-11 | Innolux Corp | 觸控顯示面板 |
TWI564638B (zh) * | 2014-07-18 | 2017-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板之畫素結構 |
CN104267550A (zh) * | 2014-10-14 | 2015-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板、显示装置 |
CN104777693B (zh) * | 2015-04-28 | 2017-05-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 高穿透率psva型液晶显示面板及其制作方法 |
CN104914635B (zh) * | 2015-06-25 | 2018-05-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极及液晶显示面板 |
CN105161542A (zh) * | 2015-08-06 | 2015-12-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶面板 |
KR102484230B1 (ko) * | 2015-12-22 | 2023-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US10141544B2 (en) * | 2016-08-10 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent display device and manufacturing method thereof |
TW201830102A (zh) * | 2016-12-14 | 2018-08-16 | 美商3M新設資產公司 | 分段保護顯示膜 |
CN106877732B (zh) * | 2017-03-17 | 2019-07-19 | 中国科学院半导体研究所 | 基于褶皱导电薄膜的摩擦发电机及制备方法、集成结构 |
CN108490653B (zh) * | 2018-03-27 | 2021-06-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 用于使基板膜层均匀化的设备以及在基板涂布膜层的方法 |
-
2019
- 2019-04-02 CN CN201910259559.9A patent/CN109901321B/zh active Active
- 2019-04-15 WO PCT/CN2019/082731 patent/WO2020199245A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201984265U (zh) * | 2011-01-14 | 2011-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和液晶显示器 |
CN103852939A (zh) * | 2012-12-05 | 2014-06-11 | 三星显示有限公司 | 液晶显示器装置 |
CN104122719A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 制造液晶显示装置的方法 |
CN105988241A (zh) * | 2015-03-18 | 2016-10-05 | 三星显示有限公司 | 弯曲显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020199245A1 (zh) | 2020-10-08 |
CN109901321A (zh) | 2019-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10288945B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US8093512B2 (en) | Package of environmentally sensitive electronic device and fabricating method thereof | |
US9093610B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
US8421982B2 (en) | Display substrate, method of manufacturing the display substrate and display apparatus having the display substrate | |
KR101295298B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
US10634941B2 (en) | Display device | |
US10191340B2 (en) | Display device and driving method thereof | |
US20120019896A1 (en) | Electrophoretic display device | |
CN102129142A (zh) | 横向电场模式液晶显示装置 | |
JPH11326927A (ja) | 液晶表示装置 | |
US9007550B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
TW201502680A (zh) | 電泳裝置、電泳裝置之製造方法及電子機器 | |
US20210181558A1 (en) | Display panel and display device | |
US9658491B2 (en) | Optical apparatus and display apparatus provided with same | |
US20160116804A1 (en) | Display device | |
CN109901321B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及显示面板 | |
US20060279683A1 (en) | Fringe field switching mode LCD having high transmittance | |
CN113534560A (zh) | 电子纸封装结构 | |
CN108983512B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板 | |
EP2778777B1 (en) | Liquid crystal display device | |
CN100406982C (zh) | 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 | |
US11099444B2 (en) | Display device and thin film transistor array substrate | |
CN107316876A (zh) | 像素阵列基板 | |
KR102082264B1 (ko) | 고 개구율을 갖는 수평 전계 방식 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
US12019344B2 (en) | Display panel and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
CB02 | Change of applicant information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |