CN109856875A - 阵列基板、显示面板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板、显示面板、显示装置，属于显示技术领域。本发明的阵列基板包括：基底，设置在所述基底上的栅线，以及套设在所述栅线的信号输入端的防静电组件；所述防静电组件包括：导电结构、半导体结构；所述导电结构与所述半导体结构相互连接，以构成一个封闭环；其中，所述半导体结构在基底上的正投影，与所述栅线的信号输入端在基底上的正投影至少部分重叠；所述半导体结构与所述导电结构在所述栅线上的电压大于预设电压时导通，用以降低所述栅线上的电压。

Description

阵列基板、显示面板、显示装置

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置。

背景技术

液晶显示器是目前最常用的平板显示器，其中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display；TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

在TFT-LCD的制备工艺中，静电问题直接影响了生产的显示面板的良率。具体的，在利用传送机构对显示面板进行传送时，传送机构中的滚轮和显示面板之间发生摩擦会产生静电，这些静电将大量聚集在薄膜晶体管的各金属电极(如：栅极金属层)中；其中，需要注意的是，当栅极金属层中积累足够多的静电时，这些静电会形成高压，从而击穿薄膜晶体管中的栅极绝缘层，降低显示面板的良率，影响显示面板的显示效果。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种良率较高的阵列基板、显示面板、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括：基底，设置在所述基底上的栅线，以及套设在栅线的信号输入端的防静电组件；

所述防静电组件包括：导电结构、半导体结构；所述导电结构与所述半导体结构相互连接，以构成一个封闭环；其中，所述半导体结构在基底上的正投影，与所述栅线的信号输入端在基底上的正投影至少部分重叠；所述半导体结构与所述导电结构在所述栅线上的电压大于预设电压时导通，用以降低所述栅线上的电压。

优选的是，所述阵列基板还包括：设置在所述基底上的薄膜晶体管；其中，

所述薄膜晶体管的栅极与有源层之间设置有栅极绝缘层；所述薄膜晶体管的栅极与源极、漏极之间设置有层间绝缘层；所述栅极绝缘层、层间绝缘层依次设置在所述基底上；

所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；所述导电结构设置在所述层间绝缘层远离所述基底的一侧；所述半导体结构设置在所述栅极绝缘层靠近所述基底的一侧；

沿着栅线的长度方向，所述栅线的两相对侧分别设置有过孔，所述过孔贯穿所述层间绝缘层和栅极绝缘层，所述导电结构通过所述过孔与所述半导体结构连接。

优选的是，所述导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同。

优选的是，所述半导体结构与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且材料相同。

优选的是，所述栅线上间隔套设有多个防静电组件。

优选的是，所述阵列基板还包括：设置在基底上的栅极驱动电路，其与所述栅线的信号输入端电连接，用于向所述栅线输入电压。

优选的是，所述半导体结构包括低温多晶硅层。

优选的是，所述导电结构的材料包括金属材料。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，包括上述任意一种阵列基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述的显示面板。

附图说明

图1为本发明的实施例1的阵列基板的示意图之一；

图2为本发明的实施例1的阵列基板的A-A′截面图；

图3为本发明的实施例1的阵列基板的示意图之二；

其中附图标记为：1、基底；2、防静电组件；21、导电结构；22、半导体结构；3、栅线；4、栅极绝缘层；5、层间绝缘层；6、过孔。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

如图1-3所示，本实施例提供一种阵列基板，包括：基底1，设置在基底1上的栅线3，以及套设在栅线3的信号输入端的防静电组件2。其中，防静电组件2包括：导电结构21、半导体结构22；导电结构21与半导体结构22相互连接，以构成一个封闭环；半导体结构22在基底1上的正投影，与栅线3的信号输入端在基底1上的正投影至少部分重叠，也即图2所示的，栅线3的信号输入端设置在该封闭环中；防静电组件2中的半导体结构22与导电结构21在栅线3上的电压大于预设电压时导通，用以降低栅线3上的电压。

具体的，由于栅线3的信号输入端在基底1上的正投影，与半导体结构22在基底1上的正投影至少部分重叠，因此，当栅线3上的电压大于预设电压，也即栅线3中形成有强静电时，在高电压的作用下，半导体结构22会被激励为导体化的半导体结构22，也即防静电组件2中的半导体结构22会与导电结构21导通，此时，半导体结构22与导电结构21能够组成一个环形通路，该环形通路相当于一个线圈。这样一来，根据电磁感应原理，栅线3上变化的电流会产生变化的磁场，变化的磁场又会在线圈中产生磁感应电流，以阻碍线圈原有电流的变化，即阻碍栅线3中的电流的增大，相应的，该栅线3上的电压即可被削弱，从而避免现有技术中，因栅线3上的高电压所导致的，击穿薄膜晶体管的栅极绝缘层4的情况，进而提高包括本实施例的阵列基板的显示面板的良率，使得该显示面板具有较佳的显示效果。

当栅线3上的电压小于预设电压，也即栅线3上形成有低电压时，栅线3上的电压不足以使防静电组件2中的半导体结构22与导电结构21导通，此时，栅线3上的电压即可正常传导至薄膜晶体管的栅极，以供阵列基板进行工作。

为便于理解本实施例的意图，以下对防静电组件2的结构进行具体说明。

如图2所示，本实施例的阵列基板还包括：设置在基底1上的薄膜晶体管；该薄膜晶体管包括：依次设置在基底1上的栅极、栅极绝缘层4、有源层、层间绝缘层5，以及与有源层的源极接触区电连接的源极、与有源层的漏极接触区电连接的漏极。其中，本实施例中的栅线3与薄膜晶体管的栅极同层设置；导电结构21设置在层间绝缘层5远离基底1的一侧；半导体结构22设置在栅极绝缘层4靠近基底1的一侧；沿着栅线3的长度方向，栅线3的两相对侧分别设置有过孔6，过孔6贯穿层间绝缘层5和栅极绝缘层4，导电结构21通过过孔6与半导体结构22连接。

也就是说，如图2所示，沿着背离基底1的方向，本实施例中的半导体结构22、栅线3、导电结构21依次设置在基底1上，且导电结构21与半导体结构22通过栅线3左右两侧的过孔6进行连接，以此来实现导电结构21与半导体结构22构成一个封闭环，并将本实施例中的栅线3限制在该封闭环中。这样一来，当栅线3上形成有高电压时，半导体结构22即可与导电结构21导通，以形成一个环形通路，以对栅线3上的高电压进行削弱，从而避免现有技术中，因栅线3上的高电压所导致的，击穿薄膜晶体管的栅极绝缘层4的情况，进而提高包括本实施例的阵列基板的显示面板的良率。

为实现本实施例的阵列基板的轻薄化，以及简化本实施例中的阵列基板的制备工艺，优选的，本实施例的导电结构21与薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同。

进一步优选的，本实施例的半导体结构22与薄膜晶体管的有源层同层设置，且材料相同。

为避免栅线3上的电压过大所导致的，高电压击穿栅极绝缘层4的现象，优选的，本实施例的栅线3上间隔套设有多个防静电组件2。

具体的，如图3所示，多个防静电组件2采用串联的方式设置在栅线3上，此时，根据分压原理，栅线3上的每个防静电组件2即可对栅线3上的电压进行分压，从而进一步削弱栅线3上的电压，以此来确保栅线3上的电压小于预设电压，即栅线3上的电压不会击穿栅极绝缘层4。

其中，本实施例优选的，阵列基板还包括设置在基底1上的栅极驱动电路(GOA；Gate Driver On Array)，其与栅线3的信号输入端电连接，用于向栅线3输入电压。

其中，本实施例优选的，半导体结构22包括低温多晶硅层。当然，本实施例中的半导体结构22并不局限于上述的低温多晶硅层，在此也不做限定。

其中，本实施例优选的，导电结构21的材料包括金属材料。金属材料具有良好的导电性能，其能够增强其与半导体结构22的导通性。

当然，本实施例中的导电结构21的材料并不局限于上述的金属材料，只要其具有较好的导电性能即可，在此不再一一列举。

综上，由于本实施例的阵列基板包括套设在栅线3的信号输入端的防静电组件2，该防静电组件2包括沿着背离基底1的方向，依次设置在基底1上的半导体结构22、导电结构21，且导电结构21与半导体结构22通过栅线3左右两侧的过孔6进行连接，以此来实现导电结构21与半导体结构22构成一个封闭环，并将本实施例中的栅线3限制在该封闭环中。这样一来，当栅线3上形成有高电压时，半导体结构22即可与导电结构21导通，以形成一个环形通路，以对栅线3上的高电压进行削弱，从而避免现有技术中，因栅线3上的高电压所导致的，击穿薄膜晶体管的栅极绝缘层4的情况，进而提高包括本实施例的阵列基板的显示面板的良率。

实施例2：

本实施例提供一种显示面板，包括实施例1中的阵列基板。

由于本实施例的显示面板包括前述的阵列基板，故本实施例的显示面板具有较佳的显示效果。

实施例3：

本实施例提供一种显示装置，包括实施例2中的显示面板。

由于本实施例的显示装置包括前述的显示面板，故本实施例的显示装置具有较佳的显示效果。

其中，本实施例的显示装置可以为液晶显示装置或者电致发光显示装置，例如：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底，设置在所述基底上的栅线，以及套设在栅线的信号输入端的防静电组件；

所述防静电组件包括：导电结构、半导体结构；所述导电结构与所述半导体结构相互连接，以构成一个封闭环；其中，所述半导体结构在基底上的正投影，与所述栅线的信号输入端在基底上的正投影至少部分重叠；所述半导体结构与所述导电结构在所述栅线上的电压大于预设电压时导通，用以降低所述栅线上的电压。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述基底上的薄膜晶体管；其中，

所述薄膜晶体管的栅极与有源层之间设置有栅极绝缘层；所述薄膜晶体管的栅极与源极、漏极之间设置有层间绝缘层；所述栅极绝缘层、层间绝缘层依次设置在所述基底上；

所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；所述导电结构设置在所述层间绝缘层远离所述基底的一侧；所述半导体结构设置在所述栅极绝缘层靠近所述基底的一侧；

沿着栅线的长度方向，所述栅线的两相对侧分别设置有过孔，所述过孔贯穿所述层间绝缘层和栅极绝缘层，所述导电结构通过所述过孔与所述半导体结构连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且材料相同。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体结构与所述薄膜晶体管的有源层同层设置，且材料相同。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线上间隔套设有多个防静电组件。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在基底上的栅极驱动电路，其与所述栅线的信号输入端电连接，用于向所述栅线输入电压。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体结构包括低温多晶硅层。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电结构的材料包括金属材料。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-8中任一所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9中所述的显示面板。