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CN109791368B - 决定方法及装置、程序、信息记录媒体、曝光装置、布局信息提供方法、布局方法、标记检测方法、曝光方法、以及器件制造方法 - Google Patents

决定方法及装置、程序、信息记录媒体、曝光装置、布局信息提供方法、布局方法、标记检测方法、曝光方法、以及器件制造方法 Download PDF

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CN109791368B
CN109791368B CN201780059332.9A CN201780059332A CN109791368B CN 109791368 B CN109791368 B CN 109791368B CN 201780059332 A CN201780059332 A CN 201780059332A CN 109791368 B CN109791368 B CN 109791368B
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Nikon Corp
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Abstract

决定装置(50)具备：算出部(10,12)，其将多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于基板上沿着第1方向及第2方向二维排列的多个区划区域各自在第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于基板上的多个标记在第1方向及第2方向的节距分别设为p1,p2，根据节距D1、节距D2、尺寸W1及尺寸W2，算出满足下式(a),(b)的多个标记的节距p1及节距p2，p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。

Description

决定方法及装置、程序、信息记录媒体、曝光装置、布局信息提 供方法、布局方法、标记检测方法、曝光方法、以及器件制造 方法
技术领域
本发明，是关于决定方法及装置、程序、信息记录媒体、曝光装置、布局信息提供方法、布局方法、标记检测方法、曝光方法、以及器件制造方法。
制造半导体器件等的光刻工艺中，于晶圆或玻璃板等的基板(以下总称为晶圆)上叠合形成多层电路图案，但若各层间的叠合精度差，则半导体器件等无法发挥既定电路特性，视情况还会成为瑕疵品。因此，通常会先于晶圆上的多个照射区域的各个预先形成标记(对准标记)，并检测该标记在曝光装置的载台座标系上的位置(座标值)。此后，根据此标记位置信息与新形成的图案(例如标线片图案)的已知位置信息，进行使晶圆上的一个照射区域相对该图案对齐的晶圆对准。
作为晶圆对准的方式，从兼顾产能的观点来看，仅检测晶圆上的数个照射区域(亦称为样本照射区域或对准照射区域)的对准标记，并以统计方式算出晶圆上的照射区域的排列的增强型全晶圆对准(EGA)蔚为主流。为了藉由EGA高精度地求出晶圆上的照射区域的排列，必须增加样本照射区域的数量来检测更多的对准标记。
作为极力不使产能降低并检测较多对准标记的方法，可想到例如使用多个对准感测器一次检测多个标记的作法。然而，晶圆的照射图(形成于晶圆上的照射区域的排列相关的数据)有各式各样者，照射区域的尺寸及标记的配置亦有各式各样。是以，为了能因应各种照射图，已知有以相互间隔为可变的方式使多个对准检测系统中的一部分对准检测系统为可动的曝光装置(参照例如专利文献1)。
然而，可动的对准检测系统，相较于固定的对准检测系统，其设计上的限制多，就成本考量亦为不利。
[先前技术文献]
[专利文献]
专利文献1：美国发明专利第8,432,534号说明书
发明内容
用于解决问题的手段
根据本发明的第1态样，提供一种布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息系用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记，配置于规定有多个区划区域的基板上，其中，将根据前述多个检测区域的配置信息而求出的前述多个标记的配置相关的信息，作为前述布局信息来提供。
根据本发明的第2态样，提供一种布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记，配置于规定有多个区划区域的基板上，其包含下述动作：将前述多个检测区域的在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距及在前述第2方向的节距分别设为p1,p2，则将满足下式(a),(b)的前述尺寸W1及前述尺寸W2各自的候补与对应该等的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及在前述第2方向的节距p2各自的候补作为前述布局信息提供，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第3态样，提供一种布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记，配置于规定有多个区划区域的基板上，其包含下述动作：将前述多个检测区域的在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距及在前述第2方向的节距分别设为p1,p2，则将满足下式(c),(d)的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及在前述第2方向的节距p2各自的候补作为前述布局信息提供，
p1＝D1/i(i为自然数)……(c)
p2＝D2/j(j为自然数)……(d)。
根据本发明的第4态样，提供一种布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记，配置于规定有多个区划区域的基板上，其包含：算出将前述多个检测区域的在既定面内的第1方向的节距D1及在前述既定面内与前述第1方向交叉的第2方向的节距D2分别除以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的(D1/i)及(D2/j)，来作为配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2的多个候补p1i,p2j，且算出前述多个候补p1i依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·p1i及前述多个候补p2j依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·p2j，来作为于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸W1及前述第2方向的尺寸W2的候补的动作；以及将算出的前述尺寸W1的候补W1m及前述尺寸W2的候补W2n与对应该等的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2的候补p1i,p2j作为前述布局信息提供的动作。
根据本发明的第5态样，提供一种布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记，配置于规定有多个区划区域的基板上，其包含下述动作：算出在包含前述多个检测区域所分别包含的点的既定面内彼此交叉的前述第1方向及第2方向上配置的多个假想点在前述第1方向的节距D1及前述第2方向的节距D2分别除以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的(D1/i)及(D2/j)，来作为配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2的多个候补p1i,p2j，且算出前述多个候补p1i依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·p1i及前述多个候补p2j依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·p2j，来作为于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸W1及前述第2方向的尺寸W2的候补的动作；以及将算出的前述尺寸W1的候补及前述尺寸W2的候补与对应该等的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的候补p1i,p2j作为前述布局信息提供的动作。
根据本发明的第6态样，提供一种布局信息，用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记，配置于规定有多个区划区域的基板上，其包含：根据前述多个检测区域的配置信息而求出的前述多个标记的配置相关的信息。
根据本发明的第7态样，提供一种布局信息，用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记，配置于规定有多个区划区域的基板上，其包含：将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式从前述节距D1,D2求出的前述尺寸W1及前述尺寸W2各自的候补与对应该等的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第8态样，提供一种决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置，其包含：根据前述多个检测区域的配置信息决定前述多个标记的配置的动作。
根据本发明的第9态样，提供一种决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置，其包含：将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式，根据前述节距D1、前述节距D2、前述尺寸W1及前述尺寸W2，决定前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第10态样，提供一种决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置，其包含：将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式，根据前述节距D1、前述节距D2、前述尺寸W1及前述尺寸W2，决定前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的至少一个候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第11态样，提供一种决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置与前述区划区域的尺寸，其包含：将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式，根据前述节距D1及前述节距D2，决定前述区划区域的尺寸W1,W2及前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第12态样，提供一种决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置与前述区划区域的尺寸，其包含：将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式，决定前述尺寸W1及前述尺寸W2各自的至少一个候补与对应该等的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的至少一个候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第13态样，提供一种决定方法，决定将用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记，与多个区划区域一起配置于基板上的前述区划区域的尺寸及标记节距，其包含：依序算出在包含前述多个检测区域所分别包含的点的既定面内彼此交叉的前述第1方向及第2方向上配置的多个假想点在前述第1方向的节距D1及前述第2方向的节距D2分别除以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的(D1/i)及(D2/j)，来作为配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的多个候补p1i,p2j的动作；算出前述多个候补p1i(i＝1～I)依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·p1i及前述多个候补p2j(j＝1～J)依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·p2j，来作为于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸W1及前述第2方向的尺寸W2的候补的动作；以及将算出的前述尺寸W1的候补及前述尺寸W2的候补中其值满足预先决定的条件的候补，决定为前述尺寸W1及前述尺寸W2各自的最终候补，且将与该决定的前述最终候补对应的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的候补p1i,p2j决定为前述节距p1及前述节距p2各自的最终候补的动作。
根据本发明的第14态样，提供一种决定方法，将用于检测与多个区划区域一起配置于基板上的标记的标记检测系统的多个检测区域的配置，连同前述多个标记的配置一起决定，其包含：依序算出于前述基板上沿着彼此交叉的第1方向及第2方向二维排列的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸W1及前述第2方向的尺寸W2分别除以自然数m(m＝1～M)、自然数n(n＝1～N)后的(W1/m)及(W2/n)，来作为配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2的多个候补p1m(m＝1～M)及p2n(n＝1～N)的动作；算出前述多个候补p1m(m＝1～M)乘以自然数i(i＝1～I)后的i·p1m及前述多个候补p2n(n＝1～N)依序乘以自然数j(j＝1～J)后的j·p2n，来作为在与前述基板平行的既定面内配置于前述第1方向及第2方向的多个假想点在前述第1方向的节距D1的候补D1im及前述第2方向的节距D2的候补D2jn的动作；以及将所算出的前述节距D1的候补D1im及前述节距D2的候补D2jn中其值满足预先决定的条件的候补，决定为前述节距D1及前述节距D2各自的最终候补，且以依据所决定的前述最终候补而定的前述多个假想点的至少一部分位于各个检测区域内的方式决定前述标记检测系统的前述多个检测区域的配置，将与一并决定的前述节距D1及前述节距D2各自的前述最终候补对应的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2的多个候补p1m,p2n，决定为前述节距p1及前述节距p2的最终候补的动作。
根据本发明的第15态样，提供一种决定方法，决定用于检测规定有多个区划区域的基板上的多个标记的标记检测系统的多个检测区域的配置，其中，根据沿着前述基板上彼此交叉的第1方向及第2方向二维排列的前述多个区划区域的尺寸，决定前述多个检测区域的配置。
根据本发明的第16态样，提供一种决定方法，决定标记检测系统的多个检测区域的配置，该标记检测系统用于检测规定有多个区划区域的基板上的多个标记，其中，前述多个检测区域，包含在既定面内的第1方向分离的多个检测区域与在前述既定面内与前述第1方向交叉的第2方向分离的多个检测区域，将前述多个检测区域在前述第1方向的节距设为D1、将在前述第2方向的节距设为D2，将排列于前述基板上的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸设为W1，将前述第2方向的尺寸设为W2，前述多个检测区域的配置的决定，包含以满足下式(c),(d)的方式，根据前述区划区域的尺寸W1,W2决定前述多个检测区域的节距D1,D2的动作，
D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(c)
D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(d)。
根据本发明的第17态样，提供一种决定装置，决定多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置，该多个标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：算出手段，将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，根据前述节距D1、前述节距D2、前述尺寸W1及前述尺寸W2，算出满足下式(a),(b)的前述多个标记的前述节距p1及前述节距p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第18态样，提供一种决定装置，决定多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置，该多个标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：算出手段，将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，根据前述节距D1、前述节距D2、前述尺寸W1及前述尺寸W2，算出满足下式(a),(b)的前述多个标记的前述节距p1及前述节距p2的至少一个候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第19态样，提供一种决定装置，决定多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置与前述区划区域的尺寸，该多个标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：算出手段，将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，根据前述节距D1、前述节距D2，算出满足下式(a),(b)的前述尺寸W1及前述尺寸W2、前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第20态样，提供一种决定装置，决定多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置与前述区划区域的尺寸，该多个标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：算出手段，将前述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，根据前述节距D1、前述节距D2，算出满足下式(a),(b)的前述尺寸W1及前述尺寸W2各自的至少一个候补、与对应其的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的至少一个候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第21态样，提供一种决定装置，决定多个标记在规定有多个区划区域的基板上的配置与前述区划区域的尺寸，该多个标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：第1算出手段，回应于在包含前述多个检测区域所分别包含的点的既定面内彼此交叉的第1方向及第2方向上配置的多个假想点在前述第1方向的节距D1及前述第2方向的节距D2的输入，依序算出前述节距D1及前述节距D2分别除以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的(D1/i)及(D2/j)，来作为配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的多个候补p1i,p2j；第2算出手段，算出前述多个候补p1i依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·p1i及前述多个候补p2j依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·p2j，来作为于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸W1及前述第2方向的尺寸W2各自的候补；以及决定手段，将所算出的前述尺寸W1的候补及前述尺寸W2的候补中其值满足预先决定的条件的候补，决定为前述尺寸W1及前述尺寸W2各自的最终候补，且将与所决定的前述最终候补对应的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2的候补p1i,p2j决定为前述节距p1及前述节距p2各自的最终候补。
根据本发明的第22态样，提供一种决定装置，将用于检测与多个区划区域一起配置于基板上的标记的标记检测系统的多个检测区域的配置，连同前述多个标记的配置一起决定，其具备：第1运算手段，回应于在前述基板上沿着彼此交叉的第1方向及第2方向二维排列的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸W1及前述第2方向的尺寸W2的输入，依序算出将前述尺寸W1除以自然数m(m＝1～M)后的(W1/m)及将前述尺寸W2除以自然数n(n＝1～N)后的W2/n，来作为配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的多个候补p1m(m＝1～M)及p2n(n＝1～N)；第2运算手段，算出前述多个候补p1m(m＝1～M)乘以自然数i(i＝1～I)后的i·p1m及前述多个候补p2n(n＝1～N)依序乘以自然数j(j＝1～J)后的j·p2n，来作为在与前述基板平行的既定面内配置于前述第1方向及第2方向的多个假想点在前述第1方向的节距D1的候补D1im及前述第2方向的节距D2的候补D2jn；以及决定手段,将所算出的前述节距D1的候补D1im及前述节距D2的候补D2jn中其值满足预先决定的条件的候补，决定为前述节距D1及前述节距D2各自的最终候补，且以依据所决定的前述最终候补而定的前述多个假想点的至少一部分位于各个检测区域内的方式决定前述标记检测系统的前述多个检测区域的配置，将与一并决定的前述节距D1及前述节距D2各自的前述最终候补对应的前述多个标记在前述第1方向的节距p1及前述第2方向的节距p2各自的多个候补p1m,p2n，决定为前述节距p1及前述节距p2各自的最终候补。
根据本发明的第23态样，提供一种决定装置，决定用于检测规定有多个区划区域的基板上的多个标记的标记检测系统的多个检测区域的配置，其中，前述多个检测区域，包含在既定面内的第1方向分离的多个检测区域与在前述既定面内中与前述第1方向交叉的第2方向分离的多个检测区域，将前述多个检测区域在前述第1方向的节距设为D1、在前述第2方向的节距设为D2，将排列于前述基板上的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸设为W1、在前述第2方向的尺寸设为W2，以满足下式(c),(d)的方式，根据前述区划区域的尺寸W1,W2决定前述多个检测区域的节距D1,D2，
D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(c)
D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(d)。
根据本发明的第24态样，提供一种程序，用以使计算机执行第1～第5态样中任一态样的布局信息提供方法或第8～第16态样中任一态样的决定方法。
根据本发明的第25态样，提供一种信息记录媒体，可由记录有第24态样的程序的计算机来读取。
根据本发明的第26态样，提供一种曝光装置，使基板曝光而于前述基板上形成多个区划区域，其具备：标记检测系统，具有多个检测区域；以及第17～第23态样中任一态样的决定装置，决定供使用前述标记检测系统来检测的多个标记的配置、或供使用前述标记检测系统来检测的多个标记的配置与形成前述多个标记的区划区域的尺寸。
根据本发明的第27态样，提供一种曝光装置，以能量束使基板曝光，其具备：标记检测系统，具有多个检测区域；以及载台，具有保持前述基板的保持部，能相对于前述多个检测区域移动；前述多个检测区域具有：第1检测区域、相对前述第1检测区域在第1方向分离的第2检测区域、相对前述第1检测区域在与前述第1方向交叉的第2方向分离的第3检测区域；藉由前述载台往第1位置的移动，而能以前述第1、第2、第3检测区域的各个检测前述基板上的至少一个标记；藉由前述载台从前述第1位置往前述第2位置的移动，而能以前述第1、第2、第3检测区域的各个检测前述基板上的至少一个标记。
根据本发明的第28态样，提供一种曝光装置，以能量束使基板曝光，其具备：标记检测系统，具有多个检测区域；以及载台，具有保持前述基板的保持部，能相对于前述多个检测区域移动；前述多个检测区域包含：在既定面内的第1方向分离的多个检测区域与在前述既定面内与前述第1方向交叉的第2方向分离的多个检测区域，将前述多个检测区域在前述第1方向的节距设为D1、在前述第2方向的节距设为D2，将排列于前述基板上的前述多个区划区域在前述第1方向的尺寸设为W1、在前述第2方向的尺寸设为W2，以满足下式(c),(d)的方式以节距D1,D2决定前述多个检测区域的配置，
D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(c)
D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(d)。
根据本发明的第29态样，提供一种布局方法，供使用标记检测系统来检测的形成于基板上的多个标记的布局方法，该标记检测系统，具有在既定面内的第1方向以节距D1设定且在前述既定面内与前述第1方向交叉的第2方向以节距D2设定的多个检测区域，其中，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式决定前述节距p1及p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第30态样，提供一种布局方法，供使用标记检测系统来检测的形成于基板上的多个标记的布局方法，该标记检测系统，具有在既定面内的第1方向以节距D1设定且在前述既定面内与前述第1方向交叉的第2方向以节距D2设定的多个假想点中各自的检测中心一致于至少2点的多个检测区域，其中，在与前述既定面平行配置的前述基板上前述多个标记于前述第1方向以节距p1形成且于前述第2方向以节距p2形成，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的多个区划区域各自在前述第1方向的尺寸设为W1、将在前述第2方向的尺寸设为W2时，以前述节距p1满足p1＝D1/i(i为自然数)且p1＝W1/m(m为自然数)的方式、且前述节距p2满足p2＝D2/j(j为自然数)且p2＝W2/n(n为自然数)的方式，决定前述节距p1及p2。
根据本发明的第31态样，提供一种标记检测方法，使用标记检测系统检测形成于基板上的多个标记，该标记检测系统，具有在既定面内的第1方向以节距D1设定且在前述既定面内与前述第1方向交叉的第2方向以节距D2设定的多个检测区域，其中，将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向二维排列的前述多个区划区域各自在前述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于前述基板上的前述多个标记在前述第1方向及前述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式于前述基板形成多个标记，一边使用位置检测系统检测前述基板在前述既定面内的位置信息，一边使用前述标记检测系统以前述多个检测区域的各个并行检测前述基板上的至少一个前述标记，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
根据本发明的第32态样，提供一种标记检测方法，使用标记检测系统检测形成于基板上的多个标记，该标记检测系统，具有在既定面内的第1方向以节距D1设定且在前述既定面内与前述第1方向交叉的第2方向以节距D2设定的多个假想点中各自的检测中心一致于至少2点的多个检测区域，其中，在将于前述基板上沿着前述第1方向及前述第2方向排列的多个区划区域各自在前述第1方向的尺寸设为W1、将在前述第2方向的尺寸设为W2时，于前述基板上，前述多个标记在前述第1方向以节距p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)形成且在前述第2方向以节距p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)形成，一边使用位置检测系统检测前述基板在前述既定面内的位置信息，一边使用前述标记检测系统以前述多个检测区域的各个并行检测前述基板上的至少一个前述标记。
根据本发明的第33态样，提供一种曝光方法，其包含：藉由第31或第32态样的标记检测方法，检测形成于前述基板上的前述多个标记中的至少一部分标记的动作；以及根据前述标记的检测结果，使前述基板移动而以能量束使前述基板曝光的动作。
根据本发明的第34态样，提供一种器件制造方法，其包含：使用第26～第28态样中任一态样的曝光装置或第33态样的曝光方法使前述基板曝光的动作；以及使曝光后的前述基板显影的动作。
附图说明
图1是概略显示一实施形态的决定装置的硬件构成的图。
图2是显示图1的决定装置的功能构成的图(功能方块图)。
图3是撷取出以矩阵状配置形成于基板上的六个照射区域SA并与多个对准感测器(行(column))一起显示的图。
图4是表示显示画面上所显示的40种类的布局信息(模板(template))的图。
图5是与藉由决定装置执行的处理算法对应的流程图。
图6是显示照射区域中配置有器件图案(实际图案场(pattern field))的照射区域与对准标记的布局的一例的图。
图7是变形例的决定装置的功能方块图。
图8是与藉由变形例的决定装置执行的处理算法对应的流程图。
图9是概略显示一实施形态的曝光装置构成的图。
图10是显示晶圆载台的俯视图。
图11是显示图9的曝光装置所具备的干涉仪的配置的俯视图。
图12是将图9的曝光装置所具备的对准系统连同晶圆载台一起显示的俯视图。
图13是撷取出对准是并与晶圆上的多个照射区域一起显示的俯视图。
图14是显示以曝光装置的控制系统为中心构成的主控制装置的输出关系的方块图。
图15是用以说明使用了对准系统的晶圆对准测量(及对准系统的基线检查)的图(其1)。
图16是用以说明使用了对准系统的晶圆对准测量(及对准系统的基线检查)的图(其2)。
图17是用以说明使用了对准系统的晶圆对准测量(及对准系统的基线检查)的图(其3)。
图18是用以说明使用了对准系统的晶圆对准测量(及对准系统的基线检查)的图(其4)。
图19是显示矩阵状配置以外的多个对准感测器(行)的配置一例的图。
图20是显示半导体器件等电子器件的制造中的光刻步骤的图。
具体实施方式
以下，根据图1～图6说明一实施形态的决定装置。
图1概略显示一实施形态的决定装置50的硬件构成。决定装置50具备中央运算处理装置(Central Processing Unit：以下称为「CPU」)51、主存储器52、ROM(Read OnlyMemory)53、RAM(Random Access Memory)54、硬盘(HDD)或固态硬盘(SSD)等的储存器件56、输入装置57及显示装置58等。又，分别通过共通的汇流排线BUS连接。
CPU51，控制决定装置50整体的动作。主存储器52，用以先暂存程序或数据的装置，能从CPU51直接存取的装置。
ROM53，储存有用于CPU51的驱动(启动)的IPL(Initial Program Loader)等的程序。RAM54，作为CPU51的工作区来使用。
于储存器件56，存放有能以CPU51解读的码所描述的程序。此外，存放于储存器件56的程序，视必要情形被读出至主存储器52，并藉由CPU51执行。
输入装置57，具备例如键盘、滑鼠等输入媒体(图示省略)，将从使用者输入的各种信息(包含数据)通知CPU51。此外，来自输入媒体的信息亦可以无线方式输入。
显示装置58，具备使用了例如CRT、液晶显示器(LCD)及电浆显示器面板(PDP)等的显示画面，显示各种信息。
其次说明决定装置50的功能构成。图2显示了决定装置50的功能构成。各功能部，藉由前述硬件构成中的构成各部与对应后述流程图所示的处理算法的程序来实现。
决定装置50，用以将供使用具有2以上的K个检测区域的(例如，具有K个行)标记检测系统(对准系统)检测的多个标记(对准标记)，配置于半导体器件或液晶显示器件等电子器件(微器件)制造用的晶圆或玻璃板等的基板上时决定标记布局的装置。决定装置50，具备第1算出部10、第2算出部12、包含第1决定部14a及第2决定部14b的决定部14、作成部16、以及显示部18。此外，决定装置50亦可具备包含第1算出部10与第2算出部12的算出部。
第1算出部10，作为标记检测系统的K个检测区域的配置信息，回应于通过输入装置57输入的、排列于X轴方向的多个检测区域在X轴方向的节距Dx(Dx为例如39[mm])的数据、及排列于Y轴方向的多个检测区域在Y轴方向的节距Dy(Dy为例如44[mm])的数据的输入，算出Dx及Dy分别除以自然数i(i＝1～I)、自然数j(j＝1～J)后的(Dx/i)及(Dy/j)，来作为配置于基板上的多个标记在X轴方向的节距px及Y轴方向的节距py的多个候补pxi,pyj。此外，亦可将节距Dx称为间隔Dx，将节距Dy称为间隔Dy。
又，检测区域的配置信息不限于节距(间隔)的信息，亦可为各个检测区域(检测中心)在XY平面内的座标位置的信息。
又，检测区域的配置信息亦可为设计上的配置信息(例如节距Dx,Dy的设计值)，亦可在搭载标记检测系统的装置内，取得各检测区域的配置相关的信息(例如测量节距Dx,Dy)，并将其值作为检测区域的配置信息。又，亦可考虑配置成，标记检测系统的K个检测区域的检测中心与排列于在既定面(此处为XY平面)内彼此正交的X轴方向及Y轴方向的多个假想点一致。此情形下，第1算出部10，回应于包含作为多个检测区域的节距信息而通过输入装置57输入的、标记检测系统的K个检测区域的中心一致的至少K个点，且排列于在既定面(此处为XY平面)内彼此正交的X轴方向及Y轴方向的多个假想点在X轴方向的节距Dx(Dx为例如39[mm])的数据及Y轴方向的节距Dy(Dy为例如44[mm])的数据的输入，算出将Dx及Dy分别除以自然数i(i＝1～I)、自然数j(j＝1～J)后的(Dx/i)及(Dy/j)，来作为配置于基板上的多个标记在X轴方向的节距px及Y轴方向的节距py的多个候补pxi,pyj。
此外，亦可不从输入装置57输入检测区域的配置信息。例如，在检测区域的配置相关的信息(例如节距Dx,Dy)为已知的情形，亦可将该信息(数据)先储存于储存器件56，第1算出部10根据储存于储存器件的检测区域的配置相关的信息(例如，节距Dx,Dy)算出多个候补pxi,pyj。
图3，为了使上述假想点、节距Dx,Dy及节距px,py等的意思更为明确，作为一例而将于与XY平面平行配置的基板P上沿着X轴方向及Y轴方向以矩阵状配置形成的多个照射区域SA中的六个照射区域SA，连同多个对准感测器、此处为四个对准感测器(行CA)一起显示。位于各行CA中心的小圆检测区域DA，其中心(检测中心)，与以上述节距Dx、节距Dy规定的多个假想点中的四点一致。此图3的例中，若着眼于各照射区域SA，则可知其在该照射区域SA以3列2行的矩阵状配置分成六等分的各分割区域的四角分别配置有标记M。是以，于各照射区域SA，在12处配置有标记M。图3显示i＝3且j＝4的情形、亦即px＝Dx/3且py＝Dy/4的情形的标记M的配置。此处，从图3可明确得知，在多个检测区域DA在XY平面内于2方向(或1方向)以等间隔排列配置的情形时，多个检测区域在X轴方向的节距Dx及Y轴方向的节距Dy，一定是在X轴方向相邻的两个检测区域DA各自的检测中心在X轴方向的间隔及在Y轴方向相邻的两个检测区域DA各自的检测中心在Y轴方向的间隔。
此外，图3中，多个假想点在X轴方向的节距Dx，亦可谓是在X轴方向相邻的两个检测区域DA各自的检测中心在X轴方向的间隔，Y轴方向的节距Dy，亦可谓是在Y轴方向相邻的两个检测区域DA各自的检测中心在Y轴方向的间隔。
此处为了说明方便，例如针对i为1～10(＝I)、针对j为1～10(＝J)的情形，进行(Dx/i)及(Dy/j)的计算。是以，pxi＝Dx/i(i＝1～10),pyj＝Dy/j(j＝1～10)是由第1算出部10算出。
第2算出部12，算出所算出的多个候补pxi＝Dx/i(i＝1～10),pyj＝Dy/j(j＝1～10)的各个依序乘以自然数m(m＝1～M),n(n＝1～N)后的m·pxi及n·pyj，来作为于基板P上沿着X轴方向及Y轴方向二维排列的多个照射区域(区划区域)在X轴方向的尺寸Wx的候补Wxim及Y轴方向的尺寸Wy的候补Wyjn。此处，例如在针对m为1～10(＝M)，针对n为1～10(＝N)的情形，进行Wxim＝m·pxi及Wyjn＝n·pyj的计算。此情形下，藉由第2算出部12针对pxi(i＝1～10)的各个算出m·pxi(m＝1～10)，其结果，算出Wxim＝m·pxi(i＝1～10，m＝1～10)来作为尺寸Wx的候补。同样地，藉由第2算出部12针对pyj(j＝1～10)的各个算出n·pyj(n＝1～10)，其结果，算出Wyjn＝n·pyj(j＝1～10，n＝1～10)来作为尺寸Wy的候补。
其中为pxi＝Wxim/m＝Dx/i,pyj＝Wyjn/n＝Dy/j，且从图3可清楚得知Dx＞Wx,Dy＞Wy，因此此情形下为i＞m,j＞n。是以，藉由将此种条件作为计算的前提条件，实际上在进行Wxim＝m·pxi(i＝1～10，m＝1～10)及Wyjn＝n·pyj(j＝1～10，n＝1～10)的计算时，只要仅针对满足i＞m,j＞n的Wxim及Wyjn作计算即可。
此外，亦可满足Dx≦Wx,Dy≦Wy的任一方或满足两方的条件。又，此种前提条件，亦可通过输入装置57来输入，亦可预先储存于储存器件56等。又，此种前提条件，亦能作为照射区域(区划区域)SA的尺寸相关的信息来使用。
第1决定部14a，仅将如上算出的尺寸Wx的候补Wxim＝m·pxi及尺寸Wy的候补Wyjn＝n·pyj中满足预先决定的条件的候补，决定为尺寸Wx及尺寸Wy各自的最终候补。例如，在照射区域SA在X轴方向的尺寸Wx的范围及Y轴方向的尺寸Wy的范围定为30＞Wx＞15且35＞Wy＞25时，仅位于其范围内的候补Wxim及候补Wyjn成为最终候补。此外，虽亦会有存在Wxim的值相同的i与m不同的组合及Wyjn的值相同的j与n不同的组合的情形，但不论是对Wxim,Wyjn，均是针对相同值仅将一个候补决定为最终候补。
此外，如上述的照射区域SA在X轴方向的尺寸Wx的范围(例如30＞Wx＞15)及Y轴方向的尺寸Wy的范围(例如35＞Wy＞25)，可作为照射区域(区划区域)的尺寸相关的信息通过输入装置57输入，亦可预先储存于储存器件56等。
如前所述，例如设为Dx＝39,Dy＝44，在针对i＝1～10,j＝1～10，m＝1～10，n＝1～10(且i＞m,j＞n)算出Wxim,Wyjn的情形，满足上述30＞Wx＞15且35＞Wx＞25的条件的Wx,Wy的最终候补的一例，分别如下所示。
表1
Wx的最终候补 26.00 24.38 23.40 22.29 21.67 19.50 17.33 16.71
Wy的最终候补 33.00 31.43 30.80 29.33 27.50
第2决定部14b，将与以第1决定部14a决定的Wx,Wy各自的最终候补Wxim,Wyjn对应的多个标记在X轴方向的节距px及Y轴方向的节距py的候补pxi,pyj，决定为节距px及节距py各自的最终候补。与上述Wx,Wy的最终候补对应的节距px及节距py各自的最终候补如下。
表2
px的最终候补 4.333 4.876 5.573 6.5 7.8 9.75 13 19.5
py的最终候补 4.4 5.5 6.286 11 14.665
作成部16，根据以决定部14决定的尺寸Wx及尺寸Wy各自的最终候补与节距px及节距py的最终候补，于尺寸不同的照射区域(亦能称为照射场(shot field))SA的各个作成以节距px及节距py在X轴方向及Y轴方向二维排列有多个标记M的标记M布局信息(亦称为模板)。
显示部18，将以作成部16作成的标记M的布局信息显示于显示装置58的显示画面上。此情形下，于显示画面上显示如图4所示的复数种类、例如40种类的布局信息(模板)。
此外，以作成部16作成的布局信息(以显示部18显示的布局信息)不限于图4所示者。例如，亦可仅作成(显示)如上述表1、表2的布局信息。
虽以上说明了仿照硬件的图2的各功能部，但此等实际上由决定装置50的CPU51执行既定软体程序来实现。以下，基于图5说明此点。
图5是显示与以CPU51执行的处理算法对应的流程图。以下除特别必要的情形以外，省略与CPU51相关的记载。
首先，在步骤S102，将第1计数器的计数值i、第2计数器的计数值j、第3计数器的计数值m、以及第4计数器的计数值n分别初始化为1。
在次一步骤S104，为了催促使用者对前述多个检测区域在X轴方向的节距Dx的数据及Y轴方向的节距Dy的数据的输入，于显示装置58的显示画面显示该等数据的输入画面后，进至步骤S106，等待由使用者输入数据。接着，在由使用者通过输入装置57输入节距Dx的数据及节距Dy的数据后，进至步骤S108。此处为了说明方便，作为节距Dx的数据假设是输入了例如39[mm]，作为节距Dy的数据假设是输入了例如44[mm]。
此外，亦可在步骤S104或者步骤S108的前，将催促如上述的前提条件(例如i＞m,j＞n，或者Dx＞Wx,Dy＞Wy)的输入的显示予以显示于显示装置58的画面。
又，亦可在步骤S104或者步骤S108的前，将催促如上述的照射区域(区划区域)SA的尺寸相关的信息(例如30＞Wx＞15，35＞Wy＞25)的输入的显示予以显示于显示装置58的画面。
在步骤S108，算出Dx除以第1计数器的计数值i后的pxi＝Dx/i，而作为配置于基板P上的多个标记M在X轴方向的节距px的候补，并将其算出结果存放于RAM54内的既定存放区域。此时，由于i＝1，因此px1＝Dx/1＝Dx被算出作为节距px的候补。
在次一步骤S110，判断计数值i是否为预先决定的值I以上。此处为了说明方便，设定为I＝10。此时，由于i＝1，因此步骤S110中的判断被否定，进至步骤S112而将计数值i递增1(i←i+1)后，反复步骤S108→S110→S112的回圈处理(包含判断)直至步骤S110的判断被肯定为止。藉此，依序算出px2＝Dx/2,px3＝Dx/3，……,px10＝Dx/10来作为节距px的候补，并存放于RAM54内的既定存放区域。
接着，在算出px10＝Dx/10后，步骤S110的判断被肯定，而进至步骤S114。在步骤S114，算出Dy除以第2计数器的计数值j后的pyj＝Dy/j，而作为配置于基板P上的多个标记M在Y轴方向的节距py的候补，并将其算出结果存放于RAM54内的既定存放区域。此时，由于j＝1，因此py1＝Dy/1＝Dy被算出作为节距py的候补。
在次一步骤S116，判断计数值j是否为预先决定的值J以上。此处为了说明方便,设定为j＝10。此时，由于j＝1，因此步骤S116中的判断被否定，进至步骤S118而将计数值j递增1(j←j+1)后，反复步骤S114→S116→S118的回圈处理(包含判断)直至步骤S116的判断被肯定为止。藉此，依序算出py2＝Dy/2,py3＝Dy/3，……,py10＝Dy/10来作为节距py的候补，并存放于RAM54内的既定存放区域。
接着，在算出py10＝Dy/10后，步骤S116的判断被肯定，而进至步骤S120。在步骤S120，算出被算出并存放于RAM54内的既定存放区域的复数(此处为10)个候补pxi＝Dx/i(i＝1～10)分别乘以第3计数器的计数值m后的Wxim＝m·pxi(i＝1～10)，作为于基板P上二维排列的多个照射区域(区划区域)在X轴方向的尺寸Wx的候补，于存放于RAM54内的既定存放区域后，进至步骤S122。此时，由于m＝1，因此算出Wxi1＝1·pxi＝pxi(i＝1～10)。
在步骤S122，判断第3计数器的计数值m是否为预先决定的值M以上。此处为了说明方便，设定为M＝10。此时，由于m＝1，因此步骤S122中的判断被否定，进至步骤S124而将计数值m递增1(m←m+1)后，反复步骤S120→S122→S124的回圈处理(包含判断)直至步骤S122的判断被肯定为止。藉此，算出Wxim＝m·pxi(i＝1～10，m＝2～10)来作为尺寸Wx的候补。此处，如前所述，本实施形态中，能将i＞m作为计算的前提条件，亦可仅算出满足此种前提条件的Wxim。
在步骤S122的判断被肯定后，移行至步骤S126。在步骤S122的判断被肯定的时点，于RAM54内的既定存放区域，存放有针对i＝1～10、m＝1～10、或满足其中的i＞m的i，m所算出的Wxim＝m·pxi来作为尺寸Wx的候补。
在步骤S126，算出存放于RAM54内的既定存放区域的复数(此处为10)个候补pyj＝Dy/j(j＝1～10)分别乘以第4计数器的计数值n后的Wyjn＝n·pyj(j＝1～10)，作为于基板P上二维排列的多个照射区域(区划区域)在Y轴方向的尺寸Wy的候补，于存放于RAM内的既定存放区域后，进至步骤S128。此时，由于n＝1，因此算出Wyj1＝1·pyj＝pyj(j＝1～10)。
在步骤S128，判断计数值n是否为预先决定的值N以上。此处为了说明方便，设定为N＝10。此时，由于n＝1，因此步骤S128中的判断被否定，进至步骤S130而将计数值n递增1(n←n+1)后，反复步骤S126→S128→S130的回圈处理(包含判断)直至步骤S128的判断被肯定为止。藉此，算出Wyjn＝n·pyj(j＝1～10，n＝2～10)来作为尺寸Wy的候补。此处，如前所述，本实施形态中,能将j＞n作为计算的前提条件，亦可仅算出满足此种前提条件的Wyjn。
在步骤S128的判断被肯定后，移行至步骤S132。在步骤S128的判断被肯定的时点，于RAM54内的既定存放区域，存放有针对j＝1～10、n＝1～10、或满足其中的j＞n的j，n所算出的Wyjn＝n·pyj来作为尺寸Wy的候补。
在步骤S132，仅将存放于RAM54内的既定存放区域的尺寸Wx的候补Wxim＝m·pxi及尺寸Wy的候补Wyjn＝n·pyj中满足预先决定的条件的候补，决定为尺寸Wx及尺寸Wy各自的最终候补。例如，照射区域SA在X轴方向的尺寸Wx的范围及Y轴方向的尺寸Wy的范围被定为30＞Wx＞15且35＞Wy＞25时，仅位于其范围内的候补Wxim及候补Wyjn成为最终候补。此外，虽亦有Wxim的值为相同的i与m不同的组合及Wyjn的值为相同的j与n不同的组合存在的情形，但不论是Wxim,Wyjn的哪一个，针对相同值均仅将一个候补决定为最终候补。
如前所述，在例如Dx＝39,Dy＝44，针对i＝1～10,j＝1～10，m＝1～j，n＝1～10(且i＞m,j＞n)算出Wxim,Wyjn的情形，满足上述30＞Wx＞15且35＞Wx＞25的条件的Wx,Wy的最终候补，分别如前述表1所示。
在次一步骤S134，将与在步骤S132决定的Wx,Wy的最终候补对应的多个标记在X轴方向的节距px及Y轴方向的节距py的候补pxi,pyj，决定为节距px及节距py各自的最终候补。与上述Wx,Wy的最终候补对应的节距px及节距py各自的最终候补如前述表2所示。
在次一步骤S136，根据在步骤S132决定的尺寸Wx及尺寸Wy各自的最终候补与在步骤S134决定的节距px及节距py各自的最终候补，于尺寸不同的照射区域(照射场)SA的各个作成以节距px及节距py在X轴方向及Y轴方向二维排列有多个标记M的标记M布局信息(模板)。
在次一步骤S138，将在步骤S136作成的标记M的布局信息显示于显示装置58的显示画面上后，结束本常式(routine)的一连串处理。此情形下，于显示画面上，显示如图4所示的复数种类、例如40种类的布局信息(模板)。是以，使用者观看该画面，能藉由从40种类的模板(布局信息)中选择最接近欲生产的照射尺寸的模板，来决定因应照射尺寸的最佳的对准标记的布局。
此处，使用者，亦可从40种类的模板(布局信息)中选择尽可能接近欲生产的照射尺寸而大一圈的照射区域的模板，如例如图6所示，以于该照射区域SA中配置器件图案(实际图案场)RPF的方式决定照射区域SA与对准标记M的布局。此情形下，从图6可清楚得知，必须于实际图案场RPF内配置(形成)对准标记(in－die标记)Min。
此外，使用者能根据所选择的照射尺寸与对准标记的布局，决定在曝光装置使用的标线片的布局。例如能如图6所示，决定器件图案场RPF与多个对准标记在标线片上的配置。是以，如上述般决定照射尺寸与对准标记，亦可谓是决定标线片的布局。
在以遵循所决定的标记布局多个标记配置于各照射区域(照射尺寸Wx,Wy)的基板作为检测对象，进行标记检测(对准测量)的情形时，调整基板的旋转(θz旋转)，在使某标记位于其标记检测系统(对准系统)的多个检测区域中一个检测区域内后，于剩余的检测区域内亦有另一标记位于该处。是以，能以标记检测系统的多个检测区域DA并行检测基板上的多个标记。
从至此为止的说明可清楚得知，本实施形态中，藉由CPU51执行步骤S104～S118的处理(包含判断)来实现第1算出部10，藉由CPU51执行步骤S120～S130的处理(包含判断)来实现第2算出部12，藉由CPU51执行步骤S132的处理来实现第1决定部14a，藉由CPU51执行步骤S134的处理来实现第2决定部14b，藉由CPU51执行步骤S136的处理来实现作成部16，藉由CPU51执行步骤S138的处理来实现显示部18。然而，并不限于此，亦可将上述各部藉由分别包含微处理器等的硬件来构成。
又，本实施形态中，藉由第1算出部10构成第1算出手段，藉由第2算出部12构成第2算出手段。又，藉由包含第1决定部14a及第2决定部14b的决定部14构成决定手段。又，藉由作成部16构成作成手段，藉由显示部18构成显示手段。
《变形例》
其次，说明变形例的决定装置。图7显示本变形例的决定装置50A的功能方块图。本变形例的决定装置50A的硬件构成，与前述决定装置50相同。因此，关于硬件构成，使用与前述相同的符号。此外，图7中虽省略作成部16及显示部18，但布局信息(模板)的作成及其显示与图2的决定装置50同样地进行。
决定装置50A，根据形成于基板上的沿着彼此交叉的第1方向及第2方向、例如彼此正交的X轴方向及Y轴方向二维排列的多个照射区域(区划区域)的已知尺寸，将用于检测以既定位置关系配置于基板上的多个标记的标记检测系统(对准系统)的2以上的K个检测区域DA(及检测中心)的配置，连同多个标记的配置一起予以决定。
决定装置50A，具备第1运算部60、第2运算部62、包含第1最终候补决定部64a及第2最终候补决定部64b的最终候补决定部64。各功能部，藉由前述硬件构成中的构成各部与对应后述流程图所示的处理算法的程序来实现。
第1运算部60，回应于照射区域(区划区域)在X轴方向的尺寸Wx的数据及Y轴方向的尺寸Wy的数据的通过输入装置57的输入，依序算出将尺寸Wx除以自然数m(m＝1～M)后的(Wx/m)及将尺寸Wy除以自然数n(n＝1～N)后的(Wy/n)，来作为配置于基板上的多个标记在X轴方向的节距px及Y轴方向的节距py的多个候补pxm,pyn。
此处为了说明方便，例如在针对m为1～10(＝M)，针对n为1～10(＝N)的情形，进行(Wx/m)及(Wy/n)的计算。是以，pxm＝Wx/m(m＝1～10),pyn＝Wy/n(n＝1～10)藉由第1运算部60算出。
第2运算部62，算出所算出的多个候补pxm＝Wx/m(m＝1～10),pyn＝Wy/n(n＝1～10)的各个依序乘以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的i·pxm及j·pyn，来作为于与基板P平行的XY平面内配置于X轴方向及Y轴方向的多个检测区域在Y轴方向的节距Dx及Y轴方向的节距Dy的候补。此处，例如在针对i为1～10(＝I)，针对j为1～10(＝J)的情形，进行i·pxm及j·pyn的计算。此情形下，藉由第2运算部62针对,pxm(i＝1～10)的各个，算出i·pxm(i＝1～10)，其结果，算出Dxim＝i·pxm(i＝1～10，m＝1～10)来作为节距Dx的候补。同样地，藉由第2运算部62针对pyn(n＝1～10)的各个算出j·pyn(j＝1～10)，其结果，算出Dyjn＝j·pyn(j＝1～10，n＝1～10)来作为节距Dy的候补。
此外，在使多个检测区域的检测中心一致于在XY平面内配置于X轴方向及Y轴方向的多个假想点一致的情形时，亦可算出为多个假想点在X轴方向的节距Dx及Y轴方向的节距Dy的候补。
此处，亦可与前述同样地，将i与m,j与n的大小关系定为前提条件，仅算出满足其前提条件的Dxim,Dyjn，来减少计算量。
第1最终候补决定部64a，将以上算出的节距Dx的候补Dxim＝i·pxm及节距Dy的候补Dyjn＝j·pyn中满足预先决定的条件的候补，决定为节距Dx及节距Dy各自的最终候补。例如，在节距Dx及节距Dy作为应满足条件而定为Dx＜Dy且60≧Dx＞30且60≧Dy＞30的情形时，仅满足该条件的候补Dxim及候补Dyjn成为最终候补。此外，虽亦有Dxim的值为相同的i与m不同的组合及Dyjn的值为相同的j与n不同的组合存在的情形，但不论是Dxim,Dyjn的哪一个，针对相同值均仅将一个候补决定为最终候补。
如前所述，在例如Wx＝26,Wy＝33，针对i＝1～10,j＝1～10，m＝1～10，n＝1～10算出Dxim,Dyjn的情形，满足上述条件的Dx,Dy的最终候补分别如下所示。
表3
Dx的最终候补 39 52
Dy的最终候补 44 49.5 55
第2最终候补决定部64b，将与以第1最终候补决定部64a决定的Dx,Dy的最终候补对应的多个标记在X轴方向的节距px及Y轴方向的节距py的候补pxm,pyn，决定为节距px及节距py的最终候补。与上述的Dx,Dy各自的最终候补对应的节距px及节距py各自的最终候补如下所示。
表4
px的候补 4.333 6.5 13
py的候补 5.5 11
被决定的各最终候补的信息存放于RAM内的既定最终候补存放区域。是以，使用者能通过输入装置57将该信息从最终候补存放区域读出，从所读出信息中选择任意的信息，决定节距Dx及节距Dy，并根据该节距Dx及节距Dy，决定标记检测系统(对准系统)的多个检测区域DA各自的中心(检测中心)的位置关系(配置)，并一并决定与适于照射尺寸Wx,Wy的标记节距px,py、亦即照射尺寸相应的标记的布局。
虽以上说明了仿照硬件的图7的各功能部，但此等实际上由决定装置50A的CPU51执行既定软体程序来实现。以下，基于图8说明此点。
图8是显示与以CPU51执行的处理算法对应的流程图。以下除特别必要的情形以外，省略与CPU51相关的记载。
首先，在步骤S202，将第1计数器的计数值i、第2计数器的计数值j、第3计数器的计数值m、以及第4计数器的计数值n分别初始化为1
在次一步骤S204，为了催促使用者对照射区域在X轴方向的尺寸Wx的数据及Y轴方向的尺寸Wy的数据的输入，于显示装置58的显示画面显示该等数据的输入画面后，进至步骤S206，等待由使用者输入数据。接着，在由使用者通过输入装置57输入尺寸Wx的数据及尺寸Wy的数据后，进至步骤S208。此处为了说明方便，作为尺寸Wx的数据假设是输入了例如26[mm]，作为尺寸Wy的数据假设是输入了例如33[mm]。
在步骤S208，算出Wx除以第3计数器的计数值m后的pxm＝Wx/m，而作为配置于基板P上的多个标记M在X轴方向的节距px的候补，并将其算出结果存放于RAM54内的既定存放区域。此时，由于m＝1，因此px1＝Wx/1＝Wx被算出作为节距px的候补。
在次一步骤S210，判断计数值m是否为预先决定的值M以上。此处为了说明方便，设定为M＝10。此时，由于m＝1，因此步骤S210中的判断被否定，进至步骤S212而将计数值m递增1(m←m+1)后，反复步骤S208→S210→S212的回圈处理(包含判断)直至步骤S210的判断被肯定为止。藉此，依序算出px2＝Wx/2,px3＝Wx/3，……,px10＝Wx/10来作为节距px的候补，并存放于RAM54内的既定存放区域。
接着，在算出px10＝Wx/10后，步骤S210的判断被肯定，而进至步骤S214。在步骤S214，算出尺寸Wy除以第4计数器的计数值n后的pyn＝Wy/n，而作为配置于基板p上的多个标记M在Y轴方向的节距py的候补，并将其算出结果存放于RAM54内的既定存放区域。此时，由于n＝1，因此py1＝Wy/1＝Wy被算出作为节距py的候补。
在次一步骤S216，判断计数值n是否为预先决定的值N以上。此处为了说明方便,设定为N＝10。此时，由于n＝1，因此步骤S216中的判断被否定，进至步骤S218而将计数值n递增1(n←n+1)后，反复步骤S214→S216→S218的回圈处理(包含判断)直至步骤S216的判断被肯定为止。藉此，依序算出py2＝Wy/2,py3＝Wy/3，……,py10＝Wy/10来作为节距py的候补，并存放于RAM54内的既定存放区域。
接着，在算出py10＝Wy/10后，步骤S216的判断被肯定，而进至步骤S220。在步骤S220，算出被算出并存放于RAM54内的既定存放区域的复数(此处为10)个候补pxm＝Wx/m(m＝1～10)分别乘以第1计数器的计数值i后的Dxim＝i·pxm(m＝1～10)，作为于与基板P平行的XY平面内配置于X轴方向及Y轴方向的多个假想点在X轴方向的节距Dx的候补，于存放于RAM54内的既定存放区域后，进至步骤S222。此时，由于i＝1，因此算出Dx1m＝1·pxm＝pxm(m＝1～10)。
在步骤S222，判断第1计数器的计数值i是否为预先设定的值I以上。此处为了说明方便，设定为I＝10。此时，由于i＝1，因此步骤S222中的判断被否定，进至步骤S224而将计数值i递增1(i←i+1)后，反复步骤S220→S222→S224的回圈处理(包含判断)直至步骤S222的判断被肯定为止。藉此，算出Dxim＝i·pxm(i＝2～10，m＝1～10)来作为节距Dx的候补。在步骤S222的判断被肯定后，移行至步骤S226。在步骤S222的判断已被肯定的时点，于RAM54内的既定存放区域，存放有作为节距Dx的候补的Dxim＝i·pxm(i＝1～10，m＝1～10)。此处，与前述同样地，亦可将i与m的大小关系定为前提条件，在步骤S220仅算出满足该前提条件的Dxim。
在步骤S226，算出存放于RAM54内的既定存放区域的复数(此处为10)的候补pyn＝Wy/n(n＝1～10)分别乘以第2计数器的计数值j后的Dyjn＝j·pyn(n＝1～10)，来作为在与基板P平行的XY平面内配置于X轴方向及Y轴方向的多个假想点在Y轴方向的节距Dy的候补，存放于RAM内的既定存放区域后，进至步骤S228。此时，由于j＝1，因此算出Dy1n＝1·pyn＝pyn(n＝1～10)。
在步骤S228，判断计数值j是否为预先决定的值J以上。此处为了说明方便,设定为j＝10。此时，由于j＝1，因此步骤S228中的判断被否定，进至步骤S230而将计数值j递增1后，反复步骤S226→S228→S230的回圈处理(包含判断)直至步骤S228的判断被肯定为止。藉此，算出Dyjn＝j·pyn(j＝2～10，n＝1～10)来作为节距Dy的候补。在步骤S228的判断被肯定后，移行至步骤S232。在步骤S228的判断已被肯定的时点，于RAM54内的既定存放区域，存放有作为节距Dy的候补的Dyjn＝j·pyn(j＝1～10，n＝1～10)。此处，与前述同样地,亦可将j与n的大小关系定为前提条件，在步骤S226仅算出满足该前提条件的Dyjn。
在步骤S232，仅将存放于RAM54内的既定存放区域的节距Dx的候补Dxim＝i·pxm及节距Dy的候补Dyjn＝j·pyn中其值满足预先决定的条件的候补，决定为节距Dx及节距Dy各自的最终候补，存放于RAM内的最终候补存放区域。例如，节距Dx及节距Dy，作为应满足条件而定为Dx＜Dy且60≧Dx＞30且60≧Dy＞30的情形时，仅满足该条件的候补Dxim及候补Dyjn成为最终候补。此外，虽亦有Dxim的值为相同的i与m不同的组合及Wyjn的值为相同的j与n不同的组合存在的情形，但不论是Dxim,Dyjn的哪一个，均针对相同值仅将一个候补决定为最终候补。
如前所述，在例如Wx＝26,Wy＝33，针对i＝1～10,j＝1～10，m＝1～10，n＝1～10算出Dxim,Dyjn的情形，满足上述条件的Dx,Dy的最终候补分别前述的表3所示。
在次一步骤S234，将与在步骤S232决定的Dx,Dy的最终候补对应的多个标记在X轴方向的节距px及Y轴方向的节距py的候补pxm,pyn，决定为节距px及节距py的最终候补，并存放于RAM内的最终候补存放区域后，结束本常式的一连串处理。与上述的Dx,Dy各自的最终候补对应的节距px及节距py各自的最终候补是如前述的表4所示。
是以，使用者，能通过输入装置57读出存放于RAM内的最终候补存放区域的信息并使其显示于显示画面，根据该显示的信息选择(决定)节距Dx及节距Dy，并根据该节距Dx及节距Dy决定标记检测系统的多个检测区域DA中心(检测中心)的位置关系(配置)，并一并决定与适于照射尺寸Wx,Wy的标记节距px,py、亦即照射尺寸相应的标记的布局。
使用具有所决定的位置关系的多个检测区域DA的标记检测系统，将按照所决定的标记布局将多个标记配置于各照射区域(照射尺寸Wx,Wy)的基板作为检测对象，来进行标记的检测(对准测量)时，调整基板的旋转(θz旋转)，并在使某标记位于该标记检测系统的多个检测区域的一个检测区域内后，另一标记对齐于剩余的检测区域内。是以，能以标记检测系统的多个检测区域DA并行检测基板上的多个标记。
从至此为止的说明可清楚得知，本变形例中，藉由CPU51执行步骤S204～S218的处理(包含判断)来实现第1运算部60，藉由CPU51执行步骤S220～S230处理(包含判断)来实现第2运算部62，藉由CPU51执行步骤S232的处理来实现第1最终候补决定部64a，藉由CPU51执行步骤S234的处理来实现第2最终候补决定部64b。然而，并不限于此，亦可将上述各部藉由分别包含微处理器等的硬件来构成。
又，本变形例中，藉由第1运算部60构成第1运算手段，藉由第2运算部62构成第2运算手段。又，藉由包含第1最终候补决定部64a及第2最终候补决定部64b的最终候补决定部64构成决定手段。
此外，至此为止例示了前述检测区域DA的配置(节距Dx,Dy)、照射尺寸Wx,Wy、及标记的配置(节距px,py)的三组中节距Dx,Dy或照射尺寸Wx,Wy为已知时求出剩余两组的最终候补的情形。然而，在上述三组中有两组为已知的情形，亦可设置决定剩余1组的最终候补的决定装置。例如，在检测区域DA的配置(节距Dx,Dy)及照射尺寸Wx,Wy为已知的情形时，亦可设置决定标记配置(节距px,py)的最终候补的决定装置。此种决定装置，能藉由些许变更与前述流程图对应的算法来容易地实现。
又，上述说明中，虽决定上述三组中的两组或1组的最终候补，但亦可非为「候补」。亦即，可非由使用者来进行最终判断而由决定装置进行。
前述实施形态的决定装置50，虽除了第1算出部10、第2算出部12及决定部14以外还具备作成部16及显示部18，但作成部16及显示部18的至少一方亦可不一定要具备。其原因在于，只要决定了尺寸Wx,Wy的最终候补及标记的节距px,py的最终候补，则可根据该等最终候补，由使用者较简单地作成于照射区域(区划区域)上以节距px及节距py二维排列有多个对准标记的标记的布局信息之故。当然，决定装置亦可仅具备作成部16及显示部18中的作成部。其原因在于，只要作成照射区域及标记的布局信息并存放于RAM内，则使用者能通过输入装置57读出该信息显示于显示画面。
又，至此为止，说明了于基板上沿着正交2轴方向(X轴方向及Y轴方向)配置照射区域及对准标记的情形。然而，照射区域及对准标记等不限于正交2轴方向，亦可沿着以90°以外的角度彼此交叉的2方向配置。
又，至此为止，说明了标记检测系统的多个检测区域于XY平面内沿着正交2轴方向(X轴方向及Y轴方向)配置的情形。但多个检测区域不限于正交2轴方向，亦可沿着以90°以外的角度彼此交叉的2方向。此外，虽说明了标记检测系统的多个检测区域的检测中心与在XY平面内沿着正交2轴方向(X轴方向及Y轴方向)设定的多个假想点的任一点一致的情形，但多个假想点不限于正交2轴方向，亦可沿着以90°以外的角度彼此交叉的2方向。
此外，与前述流程图(图5或图8)对应的程序，亦可存放于CD－ROM、DVD－ROM等其他信息记录媒体。
其次，说明能适用标记检测方法的曝光装置的实施形态，该标记检测方法，是检测按照一个模板(藉由决定装置50而从显示于显示画面上的多个模板中所选择者)而于多个照射区域形成有对准标记M的晶圆(基板)W上的对准标记。
图9是概略显示一实施形态的曝光装置100的构成。曝光装置100是步进扫描方式的投影曝光装置、即所谓扫描机。如后述，曝光装置100具备投影光学系统PL。以下，将与投影光学系统PL的光轴AX平行的方向称为Z轴方向、将在与此方向正交的面内使标线片R与晶圆W被相对扫描的扫描方向称为Y轴方向、将与Z轴及Y轴正交的方向称为X轴方向，将绕X轴、Y轴、及Z轴的旋转(倾斜)方向分别称为θx、θy、及θz方向来进行说明。
曝光装置100具备：照明系统21、标线片载台RST、投影单元PU、具有晶圆载台WST的载台装置80、以及此等的控制系统等。图9中，于晶圆载台WST上载置有晶圆W。
照明系统21，以大致均一的照度来照明被标线片遮帘(亦称遮罩系统)设定(限制)的标线片R上的狭缝状照明区域IAR。照明系统21的构成，揭示于例如美国发明专利申请公开第2003/0025890号说明书等。此处，此处，作为照明光IL，例如使用ArF准分子雷射光(波长193nm)。
于标线片载台RST上，于其图案面(图9的下面)形成有电路图案等的标线片R被以例如真空吸附加以固定。标线片载台RST，能藉由包含例如线性电机等的标线片载台驱动系统81(图9中未图示，参照图14)在XY平面内被微幅驱动，且于扫描方向(图9中纸面内左右方向的Y轴方向)以既定扫描速度驱动。
标线片载台RST的XY平面内的位置信息(含θZ方向的旋转信息)，是以标线片雷射干涉仪(以下称「标线片干涉仪」)16，通过移动镜115(或形成于标线片载台RST端面的反射面)以例如0.25nm程度的分析能力随时加以检测。标线片干涉仪116的测量值被送至主控制装置20(图9中未图示，参照图14)。又，亦可取代标线片干涉仪116、或者连同标线片干涉仪116一起使用编码器系统来测量标线片载台RST的位置信息。
投影单元PU配置于标线片载台RST的图9中的下方。投影单元PU包含镜筒40与保持于镜筒40内的投影光学系统PL。作为投影光学系统PL，使用例如由沿着与Z轴方向平行的光轴AX排列的多个光学器件(透镜器件)所构成的折射光学系统。投影光学系统PL，例如两侧远心而具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍等)。标线片R，配置成投影光学系统PL的第1面(物体面)与图案面大致一致，于表面涂布有抗蚀剂(感应剂)的晶圆W，配置于投影光学系统PL的第2面(像面)侧。因此，在藉由来自照明系统21的照明光IL照明标线片R上的照明区域IAR时，藉由通过标线片R的照明光IL，该照明区域IAR内的标线片R的电路图案的缩小像(电路图案的一部分缩小像)即通过投影光学系统PL而被形成于与照明区域IAR共轭的区域(以下亦称为曝光区域)IA。接着，藉由标线片载台RST与晶圆载台WST的同步驱动，相对照明区域IAR(照明光IL)使标线片R移动于扫描方向(Y轴方向)，且相对曝光区域IA(照明光IL)使晶圆W移动于扫描方向(Y轴方向)，藉此进行晶圆W上的一个照射区域(区划区域)的扫描曝光，而于该照射区域转印标线片R的图案。
载台装置80如图9所示，具备配置于底盘112上的晶圆载台WST、测量晶圆载台WST的位置信息的干涉仪系统118(参照图14)、以及驱动晶圆载台WST的载台驱动系统124(参照图14)等。
晶圆载台WST，藉由未图示的非接触轴承例如空气轴承等，隔着数μm程度的空隙(间隙、间隔)支承于底盘112上方。又，晶圆载台WST，能藉由包含线性电机或平面电机等的驱动系统，以既定行程驱动于X轴方向及Y轴方向，且亦能微幅驱动于θz方向。
晶圆载台WST，包含载台本体91与搭载于该载台本体91上的晶圆台WTB。晶圆台WTB，在载台本体91上通过Z调平机构(包含音圈电机等)而能微幅驱动于Z轴方向、θx方向、θy方向。图14中，包含驱动晶圆载台WST的驱动系统与Z调平机构在内显示为载台驱动系统124。晶圆台WTB，能藉由载台驱动系统124相对于底盘112驱动于6自由度方向(X轴、Y轴、Z轴、θx、θy、及θz的各方向)。此外，亦可使用例如磁浮型的平面电机等来将晶圆载台WST驱动于6自由度方向。
于晶圆台WTB的上面，设有藉由真空吸附等来保持晶圆W的晶圆保持具(未图示)。如图10所示，于晶圆台WTB上面的晶圆保持具(晶圆W)的+Y侧设有测量板30。于此测量板30设有基准标记FM，于基准标记FM的X轴方向两侧设有一对空间像测量用狭缝板SL。于各空间像测量用狭缝板SL形成有以Y轴方向作为长度方向的既定宽度(例如0.2μm)的线状开口图案(X狭缝)、以X轴方向作为长度方向的既定宽度(例如0.2μm)的线状开口图案(Y狭缝)。
接着，与各空间像测量用狭缝板SL对应地，于晶圆台WTB内部，配置有包含透镜等的光学系统及光电子倍增管(PhotoMultiplier Tube(PMT))等受光器件，藉由一对空间像测量用狭缝板SL与对应的光学系统及受光器件，构成与例如美国专利申请公开第2002/0041377号说明书等所揭示者相同的一对空间像测量装置45A,45B(参照图14)。空间像测量装置45A,45B的测量结果(受光器件的输出信号)，藉由信号处理装置(未图示)被施加既定信号处理后送至主控制装置20(参照图14)。此外，亦可不将空间像测量装置45A,45B的受光器件设于晶圆台WTB内部而设于另一构件(零件等)。又，亦可不将空间像测量装置45A,45B的光学系统一部分设于晶圆台WTB内部而设于另一构件。
于晶圆台WTB的－Y端面、－X端面，如图10所示形成有用在干涉仪系统118的反射面27a,反射面27b。
又，于晶圆台WTB的+Y侧的面，如图10所示，安装有与美国发明专利第8,054,472号说明书所揭示的CD杆相同的延伸于X轴方向的基准杆(以下简称为「FD杆」)46。于FD杆46的上面形成有多个基准标记MM。作为各基准标记MM，使用能藉由后述对准系统检测的尺寸的二维标记。此外，符号LL，是显示晶圆台WTB在X轴方向的中心线。
曝光装置100，如图12所示，于投影光学系统PL的－Y侧相隔既定距离的位置配置有对准系统ALG。对准系统ALG，具有以X轴方向作为列方向(横1列)，以Y轴方向作为行方向(纵1行)而配置成3行3列的矩阵状的9个对准感测器AL(相当于前述的行CA)。以下，为了识别，将此等对准感测器标记为对准感测器AL11,AL12,AL13,AL21,AL22,AL23,AL31,AL32,AL33(参照图13)。
9个对准感测器AL11～AL33中位于中央的对准感测器AL22，在与通过投影光学系统PL的光轴AX的Y轴平行的直线(以下称为基准轴)LV上，从光轴AX往－Y侧相隔既定距离的位置具有检测中心。如图13所示，在隔着对准感测器AL22的X轴方向的一侧与另一侧，设有相对于基准轴LV其检测中心配置成大致对称的对准感测器AL21,AL23。对准感测器AL22的检测中心位于X轴方向的直线(以下称为基准轴)LA上。在隔着对准感测器AL22的Y轴方向的一侧与另一侧，设有相对于基准轴LA其检测中心配置成大致对称的对准感测器AL12,AL32。在隔着对准感测器AL12的X轴方向的一侧与另一侧，设有相对于基准轴LV其检测中心配置成大致对称的对准感测器AL11,AL13。在隔着对准感测器AL32的X轴方向的一侧与另一侧，设有相对于基准轴LV其检测中心配置成大致对称的对准感测器AL31,AL33。对准感测器AL11,AL13的检测中心与对准感测器AL31,AL33的检测中心，相对于基准轴LA配置成对称。本实施形态中，9个对准感测器AL11～AL33，各自的检测中心(检测区域DA的中心)二维排列于在XY平面内彼此正交的X轴方向及Y轴方向。本实施形态中，对准感测器AL11,AL12,AL13的检测中心在X轴方向上以既定间隔(节距)Dx配置，对准感测器AL21,AL22,AL23的检测中心在X轴方向上以既定间隔(节距)Dx配置，对准感测器AL31,AL32,AL33的检测中心在X轴方向上以既定间隔(节距)Dx配置。又，对准感测器AL11,AL21,AL31的检测中心在Y轴方向上以既定间隔(节距)Dy配置，对准感测器AL12,AL22,AL32的检测中心在Y轴方向上以既定间隔(节距)Dy配置，对准感测器AL13,AL23,AL33的检测中心在X轴方向上以既定间隔(节距)Dy配置。本实施形态中，9个对准感测器AL11～AL33，各自的检测中心(检测区域DA的中心)分别与在XY平面内彼此正交的X轴方向及Y轴方向二维排列的多个假想点中的9点一致。对准系统ALG(9个对准感测器AL11～AL33)固定于未图示主框的下面。此外，检测中心亦能称为检测位置。
此外，对准感测器AL22(AL12,AL32)的检测区域(检测中心)，亦可不配置于通过投影光学系统的光轴AX的基准轴LV上。
作为对准感测器AL11～AL33的各个使用例如图像处理方式的FIA(Field ImageAlignment)系统。来自对准感测器AL11～AL33的各个的摄影信号，是通过未图示的信号处理系统供应至主控制装置20(参照图14)。
此处，根据图13，说明对准系统ALG的多个检测中心(多个对准感测器各自的检测中心)的位置关系、形成于晶圆W上的多个照射区域SA各自的尺寸、相对各照射区域的标记M的布局等。
多个照射区域SA，于晶圆W上以X轴方向及Y轴方向作为列方向(横1列、亦即行前进的方向)及行方向(纵1行、亦即列前进的方向)而以矩阵状配置形成。
本实施形态中，选择前述40种类的布局信息(模板)中于Y轴方向的尺寸Wy为33.00mm、X轴方向的尺寸Wx为26.00mm的照射区域SA的各个、标记M配置于将照射区域SA六等分成3列2行的矩阵状的各分割区域的四角所相当的合计12点的布局信息(模板)，依照此布局信息于晶圆W上形成有多个照射区域SA及标记M。
对准感测器AL11～AL33中在X轴方向邻接的对准感测器ALij,ALi(j+1)(i为1,2,3的任一个,j为1或2)的检测中心相互间在X轴方向的间隔、亦即检测中心在X轴方向的节距Dx为39mm，对准感测器AL11～AL33中在Y轴方向邻接的对准感测器ALij,AL(i+1)j(i为1或2,j为1,2,3的任一个)的检测中心相互间在Y轴方向的间隔、亦即检测中心在Y轴方向的节距Dy为44mm。
此情形下，在X轴方向邻接的标记M相互的间隔、亦即标记M在X轴方向的节距px为Wx/2＝26.00/2＝13.00(mm)，在Y轴方向邻接的标记M相互的间隔、亦即标记M在Y轴方向的节距py为Wy/3＝33.00/3＝11.00。
又，为Dx/3＝13.00,Dy/4＝11.00。
是以，节距px与节距Dx与尺寸Wx之间、及节距py与节距Dy与尺寸Wy之间成例如以下关系。
px＝Dx/3＝Wx/2……(1)
py＝Dy/4＝Wy/3……(2)
上述式(1)、式(2)成立的结果，在相对对准系统ALG的晶圆W于θz方向的旋转被调整的状态(各照射区域的方向与各对准感测器ALij的方向一致的状态)下，从图13可清楚得知，在任一准感测器中，检测中心(检测区域DA的中心)与标记M的位置关系均相同。
干涉仪系统118，具备分别对图11所示的晶圆台WTB的反射面27a或27b照射干涉仪射束(测距射束)，接收来自反射面27a或27b的反射光，以测量晶圆载台WST在XY平面内的位置的Y干涉仪125与三个X干涉仪126～128。
更进一步详述此点，如图11所示，Y干涉仪125，将包含相对基准轴LV呈对称的一对测距射束B41,B42的至少三个与Y轴平行的测距射束照射于反射面27a及后述移动镜41。又，X干涉仪126，将包含一对测距射束B51,B52(相对与光轴AX及基准轴LV正交的X轴的平行直线(以下称为基准轴)LH呈对称)的至少三个与X轴平行的测距射束照射于反射面27b。又，X干涉仪127，将包含以基准轴LA作为测距轴的测距射束B6的至少两个与X轴平行的测距射束照射于反射面27b。又，X干涉仪128，将与X轴平行的测距射束B7照射于反射面27b。
来自干涉仪系统118的上述各干涉仪的位置信息被供应至主控制装置20。主控制装置20，根据Y干涉仪125及X干涉仪126或127的测量结果，除了能算出晶圆台WTB(晶圆载台WST)的X,Y位置，还能算出晶圆台WTB的θx方向的旋转(亦即纵摇)、θy方向的旋转(亦即横摇)、以及θz方向的旋转(亦即偏摇)。
又，如图9所示，于载台本体91的－Y侧侧面安装有具有凹形状反射面的移动镜41。移动镜41，从图10可知设定为X轴方向的长度比晶圆台WTB的反射面27a长。
干涉仪系统118(参照图14)，进一步具备与移动镜41对向配置的一对Z干涉仪43A,43B(参照图9及图11)。Z干涉仪43A,43B，分别将两个与Y轴平行的测距射束B1,B2照射于移动镜41，通过该移动镜41分别将测距射束B1,B2照射于支承例如投影单元PU的框架(未图示)的固定镜47A,47B。接着，接收各自的反射光，测量测距射束B1,B2的光路长。从此测量结果，主控制装置20算出晶圆载台WST在4自由度(Y,Z,θy,θz)方向的位置。
此外，亦可取代干涉仪系统118改使用编码器系统，或者连同干涉仪系统118一起使用编码器系统测量晶圆载台WST(晶圆台WTB)的全位置信息。此外，图12中，符号UP显示进行位于晶圆载台WST上的晶圆的卸载的卸载位置，符号LP显示进行对晶圆载台WST上的新的晶圆的装载的装载位置。
此外，本实施形态的曝光装置100，设有用以在多数个检测点检测晶圆W表面的Z位置的照射系统90a及受光系统90b所构成的多焦点位置检测系统(以下简称为「多点AF系统」)AF(参照图14)。作为多点AF系统AF，采用与例如美国发明专利第5,448,332号说明书等所揭示者相同构成的斜入射方式的多点AF系统。此外，亦可将多点AF系统AF的照射系统90a及受光系统90b，如例如美国发明专利第8,054,472号说明书等所揭示配置于对准系统ALG的附近，在晶圆对准时以晶圆W的大致全面测量Z轴方向的位置信息(面位置信息)(进行聚焦映射(focus mapping))。此情形下，较佳为设置在此聚焦映射中测量晶圆台WTB的Z位置的面位置测量系。
图14，是以方块图显示以曝光装置100的控制系统为中心构成的主控制装置20的输出关系。主控制装置20由微计算机(或工作站)构成，统筹控制曝光装置100整体。
如上述般构成的曝光装置100，由于是依照与例如美国发明专利第8,054,472号说明书的实施形态中所揭示的步骤相同的步骤(不过由于曝光装置100不具备编码器系统，因此不包含编码器系统相关的处理)、在卸载位置UP(参照图12)的晶圆W卸载、在装载位置LP(参照图12)的新的晶圆W对晶圆台WTB上的装载、使用了测量板30的基准标记FM与既定对准感测器(此处为对准感测器AL22)的对准感测器AL22的基线测量(检核)的前半处理、干涉仪系统118的原点的再设定(重设)、使用了对准感测器AL11～AL33的晶圆W对准测量、使用了空间像测量装置45A,45B的对准感测器AL22的基线测量(检核)后半的处理、以及基于从对准测量结果求出的晶圆上各照射区域的位置信息与最新的对准系统ALG(对准感测器AL11～AL33)的基线的、步进扫描方式的晶圆W上的多个照射区域的曝光等使用晶圆载台WST的一连串处理，藉由主控制装置20来执行。
此处，说明使用了对准系统ALG(对准感测器AL11～AL33)的晶圆W的对准测量(及对准系统的基线检查)。晶圆W的装载后，主控制装置20如图15所示，使晶圆载台WST往测量板30上的基准标记FM定位于对准感测器AL22的检测视野(检测区域DA)内的位置(亦即进行对准感测器AL22的基线测量的前半处理的位置)移动。此时，主控制装置20，一边使用干涉仪系统118的Y干涉仪125及X干涉仪127测量晶圆台WTB(晶圆载台WST)在XY平面内的位置信息，一边驱动晶圆载台WST(位置控制)。接着，主控制装置20，使用对准感测器AL22进行检测基准标记FM的对准感测器AL22的基线测量的前半处理。
其次，如图16所示，主控制装置20使晶圆载台WST往白色箭头方向(+Y方向)移动。接着，主控制装置20如图16所示，使用9个对准感测器AL11～AL33全部，检测附设于至少9个第一对准照射区域的对准标记M。此附设于第一对准照射区域的对准标记的检测，藉由主控制装置20，实际上以下述方式进行。
首先，主控制装置20，使用9个对准感测器AL11～AL33，并行地个别检测存在于各检测视野内的对准标记M。此时，主控制装置20，以检测对象的对准标记M一致于对准感测器AL11～AL33分别所具有的光学系统的焦点的方式(晶圆W表面一致于该焦点的方式)控制对准感测器AL11～AL33分别所具有的自动聚焦机构的状态，执行使用了对准感测器AL11～AL33的对准标记的并行检测。
此外，亦可取代上述各对准感测器的自动聚焦机构的控制，改以检测对象的对准标记一致于各对准感测器所具有的光学系统的焦点的方式(晶圆W表面一致于该焦点的方式)，进行晶圆W的聚焦调平控制(Z位置及θx,θy方向的位置控制)或聚焦控制(Z位置的控制)。此情形下，主控制装置20，亦可将9个对准感测器分成由检测中心不在同一直线上的三个对准感测器所构成的三组，依序使用各组对准感测器，进行通过各三个对准感测器的并行的对准标记的检测。例如，可考量对准感测器(AL11,AL13,AL32)、对准感测器(AL12,AL21,AL23)、对准感测器(AL22,AL31,AL33)的组等。
接着，主控制装置20，将9个对准感测器AL11～AL33的检测结果(以检测中心作为原点的各对准标记的(X，Y)座标值)，与各自检测时的干涉仪系统118的Y干涉仪125及X干涉仪127的位置信息(亦即晶圆台WTB的X,Y,θz位置)建立关连关系后，储存于内部存储器。
在上述的附设于第一对准照射区域的对准标记的检测结束后，主控制装置20即如图17所示，使晶圆载台WST往白色箭头方向(+Y方向)移动既定距离。接着，主控制装置20如图17中所示，使用9个对准感测器AL11～AL33，检测附设于至少9个第二对准照射区域的对准标记。此附设于第二对准照射区域的对准标记的检测，藉由主控制装置20，与前述的附设于第一对准区域的对准标记的检测同样地进行。
在上述的附设于第二对准照射区域的对准标记的检测结束后，主控制装置20使晶圆载台WST往+Y方向移动(参照图18中的白色箭头)。接着，如图18所示，在晶圆载台WST到达测量板30位于投影光学系统PL正下方近处的位置后，主控制装置20即在该位置使晶圆载台WST停止，执行对准感测器AL22的基线测量的后半处理。此处，所谓对准感测器AL22的基线测量的后半处理，意指使用包含测量板30的前述空间像测量装置45A,45B，以与揭示于例如美国发明专利申请公开第2002/0041377号说明书等的方法相同的分别使用一对空间像测量用狭缝板SL的狭缝扫描方式的空间像测量动作分别测量藉由投影光学系统PL投影的标线片R上的一对测量标记的投图像(空间像)。接着，将其测量结果(与晶圆台WTB的X,Y位置对应的空间像强度)储存于内部存储器的处理。主控制装置20，根据上述的对准感测器AL22的基线测量的前半处理的结果与对准感测器AL22的基线测量的后半处理的结果，算出对准感测器AL22的基线。
进而，主控制装置20使晶圆载台WST往+Y方向移动既定距离，执行附设于至少9个第三对准照射区域的对准标记的检测，将各自的检测结果与检测时的干涉仪系统118的Y干涉仪125及X干涉仪127的位置信息(亦即晶圆台WTB的X,Y,θz位置)建立关连关系后，储存于内部存储器。此处，附设于第三对准照射区域的对准标记的检测，以与前述的附设于第一对准照射区域的对准标记的检测相同的步骤进行。
主控制装置20，使用与以此方式取得的至少合计27个对准标记的检测结果(二维位置信息)对应的干涉仪系统118的Y干涉仪125及X干涉仪127的位置信息(亦即晶圆台WTB的X,Y,θz位置)，进行例如美国发明专利第4,780,617号说明书等所揭示的统计运算，算出在以干涉仪系统118的测距轴界定的座标系(以晶圆台WTB中心作为原点的XY座标系)上的晶圆W上的全部照射区域的排列及定标(scaling)(照射倍率)。进而，根据该算出的照射倍率，驱动构成投影光学系统PL的特定可动透镜，或变更构成投影光学系统PL的特定透镜间所形成的气密室内部的气体压力等，控制调整投影光学系统PL光学特性的调整装置(未图示)来调整投影光学系统PL的光学特性、例如投影倍率。
其后，主控制装置20，根据事前进行的前述晶圆对准(EGA)的结果及最新对准感测器AL11～AL33的基线，进行步进扫描方式的曝光，对晶圆W上的多个照射区域SA的各个依序转印标线片R的图案。其后，反复进行相同动作。
此外，对准感测器AL22以外的对准感测器AL11,AL12,AL13,AL21,AL23,AL31,AL32,AL33的基线测量藉由下述方式进行，即以适当时机，与例如美国发明专利第8,054,472号说明书所揭示的方法同样地，根据前述的一对Z干涉仪43A,43B及Y干涉仪125的至少一方的测量值，在调整了FD杆46(晶圆载台WST)的θz旋转的状态下，使用对准感测器AL11～AL33，同时测量位于各视野内的FD杆46上的基准标记MM。此处，所谓对准感测器AL11,AL12,AL13,AL21,AL23,AL31,AL32,AL33的基线，意指各自的检测中心与对准感测器AL22的检测中心的距离(或位置关系)。
此外，以上说明，虽是使晶圆载台WST仅往Y轴方向步进移动而进行对准测量，但亦可使晶圆载台WST往Y轴方向及X轴方向步进移动来进行对准测量。例如，亦可针对晶圆W上的全部照射区域，进行测量至少各一个对准标记的全照射对准测量。在此情形下，亦能在使晶圆W静止于晶圆W的各步进位置的状态(对驱动晶圆载台WST的载台驱动系统124已进行静止伺服控制的状态)下藉由9个对准感测器AL11,AL12,AL13,AL21,AL22,AL23,AL31,AL32,AL33针对至少9个照射区域并行检测至少各一个对准标记M。是以，能以短时间进行晶圆对准。
又，从图13可清楚得知，由于在各照射区域SA存在12个对准标记M，因此亦可在至少一个照射区域检测2个以上的对准标记M。
此外，以上说明中，针对从图4所示的多个模板中选择一个模板，按照该模板于晶圆W上形成有多个照射区域SA与多个对准标记M的情形进行了说明。然而，只要使用图13所示的对准系统ALG，则除了选择了图4所示的剩余模板的任一者的情形以外，即使除此以外的情形，亦能藉由前述决定装置50按照从显示于画面上的多个模板中选择的一个模板，使用曝光装置100或其他曝光装置于晶圆W上形成多个照射区域SA及对准标记M，并在将该晶圆W作为曝光装置100曝光对象的基板而进行晶圆对准的情形时，能在使晶圆W静止于晶圆W的各步进位置的状态(对驱动晶圆载台WST的载台驱动系统124已进行静止伺服控制的状态)下，藉由9个对准感测器AL11,AL12,AL13,AL21,AL22,AL23,AL31,AL32,AL33针对至少9个照射区域并行检测至少各一个对准标记M。
其理由在于，标记节距px与检测中心节距Dx与照射尺寸Wx之间、以及标记节距py与检测中心节距Dy与照射尺寸Wy之间，成立如下的关系之故。
px＝Dx/i(i为自然数)＝Wx/m(m为自然数)……(3)
py＝Dy/j(j为自然数)＝Wy/n(n为自然数)……(4)
Dx＞Wx的情形，i＞m
Dy＞Wy的情形,j＞n
此外，亦可不一定要使用决定装置50，可藉由以上述式(3)及式(4)成立的方式，根据检测中心节距Dx,Dy反覆运算，来决定照射尺寸Wx,Wy、以及标记节距px,py。
此外，所谓「式(3)成立」或者「满足式(3)」，并非仅有Px与Dx/i及Wx/m完全一致的情形，亦包含Px与Dx/i及Wx/m大致一致的情形。亦即，亦包含Dx/i与Wx/m些微不同的情形，亦包含Px与Dx/i及Wx/m的至少一方些微不同的情形。
同样地，所谓「式(4)成立」或者「满足式(4)」，并非仅有Py与Dy/j及Wy/n完全一致的情形，亦包含Py与Dy/j及Wx/n大致一致的情形。亦即，亦包含Dy/j与Wy/n些微不同的情形，亦包含Py与Dy/j及Wy/n的至少一方些微不同的情形。
此外，关于是否可视为「大致一致」，例如亦可由是否能在多个检测区域并行进行标记检测来决定。例如，亦可根据多个检测区域在XY平面内的大小、对准标记M的大小、晶圆台WTB(晶圆载台WST)在XY平面内的位置控制误差的至少一个来决定。
又，多个检测区域的检测中心亦可非完全以节距Dx,Dy配置。亦即，多个检测区域的检测中心可从假想点些许偏离。此偏离的容许量例如亦可由是否能在多个检测区域并行进行标记检测来决定。例如，可根据多个检测区域的大小、对准标记M的大小等来决定此偏离的容许量。
如以上所说明，根据本实施形态的决定装置50及其决定方法，在使晶圆停止的状态下，藉由与例如曝光装置100的对准系统ALG的9个对准感测器AL11～AL33等同样地具有位置关系为固定的多个检测区域的标记检测系统，决定能并行检测的、待形成于晶圆上的多个照射区域的尺寸及与其对应的对准标记的布局信息(模板)，并能显示于显示画面。
又，根据以曝光装置100进行的对准测量(标记检测方法)能使用对准系统ALG所具备的位置关系固定的9个对准感测器AL11～AL33，并行检测于晶圆W上排列于X轴方向及Y轴方向的9个对准标记。又，使晶圆W往至少Y轴方向复数次步进移动，每于步进移动的停止位置，能使用对准感测器AL11～AL33，并行检测9个对准标记。当然，在对准感测器AL11～AL33的一部分(一个或复数)亦可不进行标记检测，亦可在以对准感测器AL11～AL33的一部分(一个或复数)结束标记检测后，以另一部分(一个或复数)开始标记检测。
又，在控制对准感测器AL11～AL33分别所具有的自动聚焦机构的状态下，执行使用了对准感测器AL11～AL33的对准标记的并行检测。因此，能高精度地测量对准标记的位置信息。
又，亦可取代对准感测器AL11～AL33的自动聚焦机构的控制，改进行前述的晶圆W的聚焦调平控制(Z位置及θx、θy方向的位置控制)或聚焦控制(Z位置的控制)。此情形下，亦可不具有对准感测器AL11～AL33的自动聚焦机构。在此情形，主控制装置20，将9个对准感测器分成检测中心不在同一直线上的三个对准感测器所构成的三组，依序使用各组对准感测器，通过各三个对准感测器并行进行对准标记的检测，藉此能高精度地测量对准标记的位置信息。
是以，根据以曝光装置100进行的对准测量(标记检测方法)，能采用固定的对准感测器来作为对准感测器AL11～AL33的各个。此结果，与多个对准感测器的至少一部分采用可动的对准感测器的情形相较，能减低成本及提升曝光装置内部的空间效率。作为后者的空间效率提升的一例，由于例如能使对准系统(对准感测器)所具有的光学系统的口径增大，因此能采用数值孔径N.A.较大的光学系统，或将成像特性等的调整机构内藏于光学系统的内部。
又，曝光装置100，由于是根据上述的高精度的标记检测结果来驱动晶圆载台WST，并以步进扫描方式对晶圆W上的多个照射区域进行曝光，因此能进行高精度的曝光(叠合精度良好的曝光)。
此外，作为决定装置50，可使用曝光装置100的主控制装置20，亦可使用设置曝光装置100的工厂等的主计算机。又，作为决定装置50，亦可使用连接于或者未连接于曝光装置100或主计算机的笔记型计算机，亦可使用平板等的携带型终端。
此外，上述实施形态中，虽说明了对准系统ALG具有于X轴方向及Y轴方向配置成矩阵状的9个对准感测器AL11～AL33的情形，但相当于上述9个对准感测器AL11～AL33的、标记检测系统的多个行的配置，并不限定于矩阵状配置。例如，即使是具有如图19所示配置的五个对准感测器(行)AL1～AL5的标记检测系统，亦能藉由上述实施形态的布局决定方法，以满足前述的式(3),式(4)的方式，根据图19所示的检测中心间隔Dx,Dy决定照射尺寸Wx,Wy及标记间隔px,py。亦即，图19的情形，亦能视为AL1～AL5的检测区域(检测中心)以既定间隔(节距)Dx,Dy二维排列者。例如能考量，对准感测器AL1～AL5的检测中心一致于图19中以假想线(二点链线)的圆所示的包含四个假想检测区域的中心点的在X轴方向及Y轴方向二维排列的多个假想点中的五点，来决定检测中心节距Dx,Dy。此处，若着眼于图19所示的对准感测器AL1与对准感测器AL2可知，标记检测系统的多个行可不相互邻接。
又，例如图19所示的行AL1,AL3,AL5，仅具有沿着与X轴以既定角度交叉的直线上配置有各自的检测中心的多个行的标记检测系统，亦与图19同样地，藉由包含假想检测中心(检测区域)在内来决定检测中心节距Dx,Dy，而能藉由上述实施形态的决定方法，以满足前述的式(3),式(4)的方式，根据图19所示的检测中心节距Dx,Dy，决定照射尺寸Wx,Wy及标记节距px,py。
又，例如在标记检测系统的多个行于既定方向、例如X轴方向(或Y轴方向)以既定间隔配置成一行的情形时，只要以满足前述的式(3)(或式(4))的方式，根据检测中心节距Dx(或Dy)，决定照射尺寸Wx及标记节距px(或照射尺寸Wy及标记节距py)即可。此处，从式(3),式(4)不包含行及检测区域的尺寸而仅包含检测中心节距一事即可知，相邻的行彼此可接触，亦可隔开既定间隔。
又，上述实施形态(图3,13,19等)中，虽在XY平面内将行以四角形描绘，但在XY平面内的行的形状，亦可为圆形等不具有角部的形状，亦可为三角形、五角形等其他多角形，亦可是具有角部与曲线部的形状。
此外，上述实施形态中，关于取得包含(用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个标记与多个区划区域(照射区域)一起配置于基板(晶圆)上的)区划区域的尺寸及标记节距的布局信息的步骤，虽为了使说明易懂，而使用图5的流程图就各步骤进行了说明，但上述布局信息并不一定要按照前述的步骤来提供。例如，布局信息亦可藉由第1布局信息提供方法来提供，该第1布局信息提供方法，包含：将在包含多个检测区域的检测中心的既定面(例如XY平面)内彼此交叉的第1方向(例如X轴方向)及第2方向(例如Y轴方向)上配置的多个假想点在第1方向的节距Dx及第2方向的节距Dy分别除以自然数i,j后的(Dx/i)及(Dy/j)，作为配置于基板上的多个标记在第1方向的节距px及第2方向的节距py的多个候补pxi(i＝1～I),pyj(j＝1～J)，且算出将多个候补pxi(i＝1～I)依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·pxi、及将多个候补pyj(j＝1～J)依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·pyj，来作为于基板上沿着第1方向及第2方向二维排列的多个区划区域在第1方向的尺寸Wx及第2方向的尺寸Wy的候补的动作；以及将该算出的尺寸Wx的候补及尺寸Wy的候补与对应该等的多个标记在第1方向的节距px及第2方向的节距py的候补pxi,pyj，作为上述布局信息提供的动作。
又，在图5的流程图中，亦可并行进行pxi的算出(步骤S108～S112)与pyj的算出(步骤S114～S118)。亦可在算出pxi的至少一个或pyj的至少一个的时点，进行Wxim或Wyjn的算出。
图8的流程图中亦同样地，布局信息亦可不按照前述步骤提供。
此外，如图3及图13所示，在多个检测区域DA于XY平面内在二维方向(或一维方向)等间隔排列配置的情形时，多个假想点在第1方向(例如X轴方向)的节距Dx及在与第1方向交叉的第2方向(例如Y轴方向)的节距Dy，一定会成为在第1方向相邻的两个检测区域DA各自的检测中心在第1方向的间隔及在第2方向相邻的两个检测区域DA各自的检测中心在第2方向的间隔。是以，此种情形时，布局信息亦可藉由第2布局信息提供方法来提供，该第2布局信息提供方法，包含：算出将多个检测区域的在既定面(例如XY平面)内的第1方向(例如X轴方向)的节距Dx及在既定面内与第1方向的第2方向(例如Y轴方向)的节距Dy分别除以自然数i,j后的(Dx/i)及(Dy/j)，来作为配置于基板上的多个标记在第1方向的节距px及第2方向的节距py的多个候补pxi(i＝1～I),pyj(j＝1～J)，且算出多个候补pxi(i＝1～I)依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·pxi，及多个候补pyj(j＝1～J)依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·pyj，来作为于基板上沿着第1方向及第2方向二维排列的多个区划区域在第1方向的尺寸Wx及第2方向的尺寸Wy的候补的动作；以及将算出的尺寸Wx的候补及尺寸Wy的候补与对应该等的多个标记在第1方向的节距px及第2方向的节距py的候补pxi,pyj作为上述布局信息提供的动作。此处，检测中心相互的间隔(检测中心节距)Dx(或Dy)，设计上可为预先决定的距离，亦可使用设于晶圆台WTB的测量构件(例如FD杆46)而测量者，亦可为使用设于晶圆台WTB的感测器而测量者。
或者，布局信息亦可藉由第3布局信息提供方法来提供，该第3布局信息提供方法，包含：将多个检测区域在既定面(例如XY平面)内交叉的第1方向(例如X轴方向)及第2方向(例如Y轴方向)的节距分别设为Dx,Dy，将于基板上沿着第1方向及第2方向二维排列的多个区划区域各自在第1方向及第2方向的尺寸分别设为Wx,Wy，进而将配置于基板上的多个标记在第1方向的节距设为px、将第2方向的节距设为py，而将满足上式(3),(4)的尺寸Wx及尺寸Wy各自的候补与对应该等的多个标记在第1方向的节距px及第2方向的节距py各自的候补作为上述布局信息提供。
此外，上述第1～第3布局信息提供方法，可藉由适当变更前述图5的流程图所示的算法，而能使用图1的决定装置50或其他计算机来实现。
此外，即使藉由上述第1～第3布局信息提供方法的任一方法来提供布局信息的情形，所提供的布局信息，亦可显示于决定装置50或其他计算机的显示画面上。
此外，至此为止的说明，虽为了易于理解，而说明了假定设定于第1方向(例如X轴方向)及与第1方向交叉的第2方向(例如Y轴方向)的多个假想点，以多个检测区域DA的检测中心与该假想点大致一致的方式配置多个检测区域DA的情形，但亦可不假定多个假想点。例如，如上所述般，多个检测区域的节距Dx,Dy可为设计上的值，亦可为在搭载标记检测系统的装置内取得(测量)的值。
此外，即使例如美国发明专利第8,432,534号说明书、美国发明专利第8,054,472号说明书等所揭示的、具备包含固定对准感测器与可动对准感测器的多个对准感测器的曝光装置等，对于作为其曝光对象的晶圆，亦能非常合适地适用上述晶圆上的标记的布局方法及其决定方法。此等曝光装置，亦可在将在XY平面内的可动对准感测器的位置配合照射图调整后，在将其位置固定的状态下，一边使晶圆(晶圆载台)在XY平面内移动，一边使用多个对准系统有效率地检测晶圆上的多个对准标记。此外，所谓对准感测器的位置的调整，包含调整该对准感测器的检测区域(检测中心)在XY平面内的位置。对准感测器的检测区域(检测中心)在XY平面内的位置的调整，亦可使对准感测器的行移动来进行，亦可不使行移动来进行。例如，亦可藉由构成对准感测器的光学系统，在不使行移动的情形下或者在使行的移动的情形下，进行对准感测器的检测区域(检测中心)在XY平面内的位置的调整。
此外，上述实施形态中，虽说明了标记检测系统具有9个对准感测器、亦即标记检测系统具有9个行及检测区域的情形，但并不限于此，标记检测系统不论行的数目为何，只要设有两个以上检测区域即可。扼要言的，只要能藉由上述实施形态的决定方法，以满足前述的式(3)及式(4)中的一方或两方的方式，根据检测中心间隔Dx,Dy，决定照射尺寸Wx,Wy及标记间隔px,py即可。
又，上述实施形态中，虽着眼于前述的检测区域DA的配置(节距Dx,Dy)、照射尺寸Wx,Wy、及标记的配置(例如节距px,py)的三组，但亦可着眼于上述三组中的两组。例如，在所着眼的两组中的一组为已知的情形时，亦可将剩余的一组(例如最终候补)在不考虑不着眼的一组的情形下予以决定。
例如，亦可着眼于照射尺寸Wx,Wy与检测区域的配置(节距Dx,Dy)，在其中一方为已知的情形时，以满足下式(3A),(4A)的方式决定另一方。
Dx/i(i为自然数)＝Wx/m(m为自然数)……(3A)
Dy/j(j为自然数)＝Wy/n(n为自然数)……(4A)
例如，在照射尺寸Wx,Wy为已知的情形时，亦可以满足下式(3A),(4A)的方式，在不考虑标记配置的情形下决定节距Dx,Dy的最终候补。此情形亦与图8的实施形态同样地，例如设为Wx＝26,Wy＝33，针对i＝1～10,j＝1～10，m＝1～10，n＝1～10满足前述条件(Dx＜Dy且60≧Dx＞30且60≧Dy＞30)的方式的Dx,Dy的最终候补分别为前述的表3所示。
例如，能以满足式(3A),(4A)的方式决定上述曝光装置100的对准感测器的检测区域的配置(节距Dx,Dy)。如上述，在对准感测器的检测区域为可动的情形时，以满足式(3A),(4A)的方式使检测区域移动。
此外，在检测区域DA的配置(节距Dx,Dy)为已知的情形时，亦可根据照射尺寸Wx,Wy，以满足式(3A),(4A)的方式决定照射尺寸Wx,Wy的最终候补。
又，在着眼于检测区域DA的配置(例如节距Dx,Dy)与标记的配置(例如节距px,py)的两组且一方为已知的情形时，亦可以满足下式(3B),(4B)的方式，决定另一方。
px＝Dx/i(i为自然数)……(3B)
py＝Dy/j(j为自然数)……(4B)
例如，在检测区域DA的配置(节距Dx,Dy)为已知的情形时，亦可根据上式(3B),(4B)，在不考虑照射尺寸Wx,Wy的情形下决定标记的配置(节距Px，Py)。此情形下，如图3或图4所示亦可不假定各区划区域内的分割区域，于区划区域的四角亦可无标记。扼要言的，只要各区划区域内的多个标记及相邻的多个区划区域内的多个标记，以满足上式(3B),(4B)的方式形成于基板上即可。此外，所谓与上式(3),(4)同样地满足上式(3A),(4A),(3B),(4B)，不限于完全满足上式(3A),(4A),(3B),(4B)的情形，亦包含大致满足的情形。例如，在上式(3B)与上式(4B)中，Px与Dx/i亦可些许相异，Py与Dy/j亦可些许相异。Px与Dx/i的偏离的容许量及/或Py与Dy/j的偏离的容许量，亦可根据例如多个检测区域的大小、标记的大小等来决定。
此外，至此为止为了使说明易懂，以标记检测系统具有多个行的多行类型作为前提进行了说明，但标记检测系统只要具有多个检测区域且能在该多个检测区域并行地个别检测标记即可，行的数目无特别限定。
此外，上述实施形态中，虽例示了使用图像处理方式的FIA(Field ImageAlignment)系统来作为对准系统ALG的各对准感测器的情形，但并不限于此，亦可使用一边使形成有格子标记的晶圆移动，一边对该格子标记照射测量光(测量光束)，并检测从格子标记产生的多个绕射光彼此的干渉光，藉此检测格子标记的位置信息的绕射光干渉方式的对准感测器。在使用绕射光干渉方式的对准感测器的情形时，于使晶圆往某位置移动的期间，亦可以多个对准感测器(例如9个对准感测器)并行检测。关于绕射光干渉方式的对准感测器，详细揭示于例如美国发明专利第7,319,506号说明书。
此外，在采用绕射光干渉方式的对准感测器的情形，检测中心(检测位置)能以测量射束(检测光)的照射位置界定，检测中心相互的间隔(检测中心节距)Dx(或Dy)，能以测量光束的照射位置相互的间隔来界定。在采用绕射光干渉方式的对准感测器的情形亦同样地，检测中心相互的间隔(检测中心节距)Dx(或Dy)，可为设计上预先决定的距离，亦可为使用设于晶圆台WTB的测量构件(例如FD杆46)所测量者，亦可为使用设于晶圆台WTB的感测器所测量者。
此外，作为绕射光干渉方式对准感测器的检测对象的标记M，不限于以X轴方向作为周期方向的格子标记，亦可使用以相对X轴倾斜+45度的方向作为周期方向的一维标记与相对X轴倾斜－45度的方向作为周期方向的一维标记在X轴方向(或排列于Y轴方向)配置而成的二维标记。此情形下，只要在测量时，一边使晶圆移动于X轴方向(或Y轴方向)，一边藉由绕射光干渉方式对准感测器检测从该二维标记产生的绕射光即可。
又，亦可采用一边变更测量光束的照射位置、一边进行标记检测的绕射光干渉方式对准感测器。此情形下，亦可在使晶圆停止的状态下使测量光束移动，进行测量光束与格子标记的相对移动，亦可使测量光束与晶圆的两者移动，来进行测量光束与格子标记的相对移动。
此外，伴随测量光束与对准标记的相对移动的对准感测器，不限于使用格子标记的绕射光干渉方式对准感测器。
此外，上述的实施形态中，所谓「并行检测」，不仅有一个组所含的多个对准感测器的检测动作期间完全一致的情形，亦包含一个对准感测器的检测动作期间的一部分与另一对准感测器的检测动作期间的一部分重复的情形。
又，以上述实施形态的对准系统检测的对准标记，亦可用在叠合检查装置(Overlay检查装置)的标记。
又，上述实施形态，亦能适用于具有多透镜光学系统(包含多行类型的光学系统)的曝光装置中、通过至少包含位于最接近各透镜像面的位置的前端透镜的一部分透镜检测标记的TTL对准系统。关于此种TTL对准系统，揭示于例如美国发明专利第5,151,750号说明书、美国发明专利第6,242,754号说明书等。
又，亦可使用多行类型的荷电粒子射束光学系统作为标记检测系统，其是检测对晶圆(标的物)上与多个检测区域对应形成的标记照射荷电粒子射束、并在标记产生的反射荷电粒子。
作为多行类型的荷电粒子射束曝光装置，例如具有与在晶圆上形成的多个照射区域以大致1：1对应配置的多个光学系统行，多个光学系统行的各个，能切换成ON状态(电子射束照射于晶圆等的状态)与OFF状态(电子射束未照射于晶圆等的状态)且能使电子射束偏向。此种荷电粒子射束的曝光装置，已知有藉由一边相对多个电子射束的既定形状(例如圆形、矩形等)的点扫描晶圆，一边切换该多个电子射束的ON状态与OFF状态，一边曝光晶圆上的多个照射区域的多行类型的电子射束曝光装置。此外，电子射束的ON状态与OFF状态的切换，能以例如电子射束的偏向(射束遮罩)等来进行。一般而言，电子射束曝光装置，亦具有对晶圆上的标记扫描电子射束并检测从标记产生的反射电子藉此检测对准标记的功能。因此，在多行类型的电子射束曝光装置等中，电子射束的照射点(照射区域)相当于对准标记的检测区域，从邻接的光学系统行的电子射束在晶圆(标的物)上的照射点(照射区域)的间隔相当于前述检测区域(检测中心)的节距Dx,Dy。是以，根据此照射点的间隔Dx,Dy，藉由上述实施形态的决定方法(或标记的布局方法)，以满足前述的式(3)及式(4)的方式决定照射尺寸Wx,Wy及标记间隔px,py，藉此能从所有光学系统行确实地将电子射束照射于晶圆上的标记，能针对多个照射(例如全照射)使用多个光学系统行一次进行多个标记的并行检测。
又，上述实施形态中，以对准感测器AL11～AL33检测的多个标记，亦可为根据其检测结果进行曝光的层的前一层所形成的多个标记，亦可为形成于较其下层的多个标记。
又，上述实施形态中，虽对准系统ALG(对准感测器AL112～AL33)搭载于曝光装置100，但亦可于配置于曝光装置100外部的测量装置搭载具有多个检测区域的标记检测系统，并进行如上述的标记检测动作。此种测量装置，亦可线上连接于曝光装置100，亦可非线上连接。配置于曝光装置100外部的测量装置，揭示于例如美国发明专利4,861,162号说明书等。
又，上述的实施形态中，形成于各照射区域的对准标记M，亦可形成于各照射区域的刻划线上，照射区域的尺寸Wx,Wy亦可包含刻划线。
此外，作为曝光装置中测量晶圆载台的位置信息的测量装置，在取代干涉仪系统使用编码器系统的情形、或者一起使用干涉仪系统与编码器系统的情形，不限于例如于晶圆台(晶圆载台)上设置格子部(标尺)、并与此对向地将编码器读头配置于晶圆载台外部的构成的编码器系统，亦可采用例如美国发明专利第8,514,395号说明书等所揭示，于晶圆载台设置编码器读头、且与此对向地于晶圆载台外部配置格子(例如二维格子或配置成二维的一维格子部)的构成的编码器系统。不论是哪一种编码器系统，作为编码器读头均不限于一维读头，除了当然可使用以X轴方向及Y轴方向作为测量方向的二维读头，亦可使用以X轴方向及Y轴方向中的一方向与Z轴方向作为测量方向的感测器读头。或者，亦可使用以X轴、Y轴及Z轴的正交三轴方向作为测量方向的三维读头。
又，上述实施形态中，虽说明了曝光装置为不经由液体(水)进行晶圆W的曝光的干式类型的情形，但并不限于此，亦能将上述实施形态适用于例如欧洲发明专利申请公开第1420298号说明书、国际公开第2004/055803号、美国发明专利第6,952,253号说明书等所揭示，于投影光学系统与晶圆之间形成包含照明光的光路的液浸空间，经由投影光学系统及液浸空间的液体以照明光使晶圆曝光的曝光装置。又，亦能将上述实施形态适用于例如美国发明专利第8,054,472号说明书所揭示的液浸曝光装置等。
又，上述实施形态中，虽说明了曝光装置为步进扫描方式等的扫描型曝光装置的情形，但并不限于此，亦能将上述实施形态适用于步进机等静止型曝光装置。又，亦能将上述实施形态适用于合成照射区域与照射区域的步进接合方式的缩小投影曝光装置、近接方式的曝光装置、或镜面投影对准器等。进而，亦能将上述实施形态适用于例如美国发明专利第6,590,634号说明书、美国发明专利第5,969,441号说明书、美国发明专利第6,208,407号说明书等所揭示的具备多个晶圆载台的多载台型的曝光装置。多载台型的曝光装置，以能并行执行在投影光学系统PL下的一个载台的曝光动作与在对准系统下的其他载台的测量动作的方式，投影光学系统PL(光轴AX)与对准系统(AL1等)的距离较图11的情形更远离。此外，多载台型的曝光装置的情形亦同样地，对准感测器的一个(例如AL1)检测区域(检测中心)亦可不配置于通过投影光学系统的光轴的基准轴LV上。又，亦能将上述实施形态适用于例如美国发明专利第7,589,822号说明书等所揭示，具备与晶圆载台分开独立的包含测量构件(例如基准标记及/或感测器等)的测量载台的曝光装置。
又，上述实施形态的曝光装置中的投影光学系统并不仅可为缩小系统，亦可为等倍系统及放大系统的任一者，投影光学系统PL不仅可为折射系统，亦可是反射系统及反折射系统的任一者，其投图像亦可是倒立像与正立像的任一者。再者，前述照明区域及曝光区域的形状虽为矩形，但并不限于此，亦可例如圆弧、梯形、或平行四边形等。
此外，上述实施形态的曝光装置的光源不限于ArF准分子雷射光，亦能使用KrF准分子雷射光(输出波长248nm)、F2雷射(输出波长157nm)、Ar2雷射(输出波长126nm)、Kr2雷射(输出波长146nm)等脉冲雷射光源，或发出g线(波长436nm)、i线(波长365nm)等亮线的超高压水银灯等。又，亦可使用YAG雷射的谐波产生装置等。另外，可使用例如美国发明专利第7,023,610号说明书所揭示的谐波，其是以涂布有例如铒(或铒及镱两者)的光纤放大器，将从DFB半导体雷射或纤维雷射射出的红外线区或可见区的单一波长雷射光放大来作为真空紫外光，并以非线形光学结晶将其转换波长成紫外光。
又，上述实施形态中，作为曝光装置的照明光IL不限于波长100nm以上的光，当然亦可使用波长100nm未满的光。例如，近年为了形成70nm以下的图案，亦有在进行以SOR或电浆雷射作为光源使软X线区域(例如5～15nm的波长域)的EUV(Extreme Ultraviolet)光产生且在此曝光波长(例如13.5nm)下设计的全反射缩小光学系统及使用反射型光罩的EUV曝光装置的开发。此装置，由于可考量使用圆弧照明同步扫描光罩与晶圆来扫描曝光的构成，因此能将上述实施形态非常合适地适用于此种装置。除此的外，亦能将上述实施形态适用于使用电子线或离子射束等荷电粒子线的曝光装置。
又，上述实施形态中，虽使用于具光透射性的基板上形成既定遮光图案(或相位图案、减光图案)的光透射性光罩(标线片)，但亦可使用例如美国发明专利第6,778,257号说明书所揭示的电子光罩来代替此光罩，该电子光罩(亦称为可变成形光罩、主动光罩、或图像产生器，例如包含非发光型图像显示器件(空间光调变器)的一种的DMD(DigitalMicro－mirror Device)等)根据欲曝光图案的电子数据来形成透射图案、反射图案、或发光图案。
又，亦能将上述实施形态适用于，藉由将干涉纹形成于晶圆上、而在晶圆上形成线与间隔图案的曝光装置(光刻系统)。
进而，亦能将上述实施形态适用于例如美国发明专利第6,611,316号所揭示的曝光装置，其将两个标线片图案通过投影光学系统在晶圆上合成，藉由一次的扫描曝光来对晶圆上的一个照射区域大致同时进行双重曝光。
此外，上述实施形态中待形成图案的物体(能量光束所照射的曝光对象的物体)并不限于晶圆，亦可是玻璃板、陶瓷基板、膜构件、或者光罩基板等其他物体。
曝光装置用途并不限定于半导体制造用的曝光装置，亦可广泛适用于例如用来制造将液晶显示器件图案转印于方型玻璃板的液晶用曝光装置，或制造有机EL、薄膜磁头、摄影器件(CCD等)、微型机器及DNA晶片等的曝光装置。又，除了制造半导体器件等微型器件以外，为了制造用于光曝光装置、EUV(极远紫外线)曝光装置、X射线曝光装置及电子射线曝光装置等的标线片或光罩，亦能将上述实施形态适用于用以将电路图案转印至玻璃基板或硅晶圆等的曝光装置。
半导体器件等的电子器件如图20所示，经由光刻工艺而制造，其于晶圆上涂布抗蚀剂(感应材)，藉由前述实施形态的曝光装置(图案形成装置)使用形成有图案的标线片(光罩)使晶圆(感应物体)曝光，且将曝光后的晶圆显影。此情形下，能以良好生产性制造高积体度的器件。
此外，半导体器件的工艺除了包含光刻工艺以外，亦可包含进行器件的功能/性能设计的步骤、基于此设计步骤制作标线片(光罩)的步骤、器件组装步骤(包含切割步骤、接合步骤、封装步骤)、检查步骤等。
此外，援用与上述实施形态中所引用的曝光装置等相关的所有公报、国际公开、美国专利申请公开说明书及美国专利说明书等的揭示作为本说明书记载的一部分。
【产业上的利用可能性】
本发明的决定方法及装置、程序、信息记录媒体、以及曝光装置适于决定能进行复数标记的并行检测的标记配置。藉由按照本发明的布局信息提供方法所提供的布局或布局方法的多个标记，适于具有多个检测区域的标记检测系统的并行检测。本发明的标记检测方法，适于具有多个检测区域的标记检测系统对多个标记的检测。本发明的曝光方法及器件制造方法适于微器件的制造。
符号说明：
10 第1算出部
12 第2算出部
14 决定部
14a 第1决定部
14b 第2决定部
16 作成部
18 显示部
50 决定装置
100 曝光装置
AL 对准感测器
AL11～AL33 对准感测器
ALG 对准系统
M 对准标记
SA 照射区域
W 晶圆

Claims (42)

1.一种对准标记的布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记，配置于规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上，其包含下述动作：
将所述多个检测区域的在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距及在所述第2方向的节距分别设为p1,p2，将满足下式(a),(b)的所述尺寸W1及所述尺寸W2各自的候补与对应所述多个标记在所述第1方向的节距p1及在所述第2方向的节距p2各自的候补作为所述布局信息提供，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
2.一种对准标记的布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记，配置于规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上，其包含下述动作：
将所述多个检测区域的在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距及在所述第2方向的节距分别设为p1,p2，将满足下式(c),(d)的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及在所述第2方向的节距p2各自的候补作为所述布局信息提供，
p1＝D1/i(i为自然数)……(c)
p2＝D2/j(j为自然数)……(d)。
3.一种对准标记的布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记，配置于规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上，其包含：
算出将所述多个检测区域的在既定面内的第1方向的节距D1及在所述既定面内与所述第1方向交叉的第2方向的节距D2分别除以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的(D1/i)及(D2/j)，来作为配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2的多个候补p1i,p2j，且算出所述多个候补p1i依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·p1i及所述多个候补p2j依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·p2j，来作为于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域在所述第1方向的尺寸W1及所述第2方向的尺寸W2的候补的动作；以及
将算出的所述尺寸W1的候补W1m及所述尺寸W2的候补W2n与对应所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2的候补p1i,p2j作为所述布局信息提供的动作。
4.一种对准标记的布局信息提供方法，提供布局信息，该布局信息用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记，配置于规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上，其包含下述动作：
算出在包含所述多个检测区域所分别包含的点的既定面内彼此交叉的第1方向及第2方向上配置的多个假想点在所述第1方向的节距D1及所述第2方向的节距D2分别除以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的(D1/i)及(D2/j)，来作为配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2的多个候补p1i,p2j，且算出所述多个候补p1i依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·p1i及所述多个候补p2j依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·p2j，来作为于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域在所述第1方向的尺寸W1及所述第2方向的尺寸W2的候补的动作；以及
将算出的所述尺寸W1的候补及所述尺寸W2的候补与对应所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的候补p1i,p2j作为所述布局信息提供的动作。
5.如权利要求4所述的对准标记的布局信息提供方法，其中，所述多个假想点包含所述多个检测区域的检测中心。
6.如权利要求1至5中任一项所述的对准标记的布局信息提供方法，其进一步包含将所述布局信息显示于显示画面上的动作。
7.一种对准标记的布局信息，用以将使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记，配置于规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上，其包含：
将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式从所述节距D1,D2求出的所述尺寸W1及所述尺寸W2各自的候补与对应所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
8.一种对准标记的配置决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置，其包含：
将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式，根据所述节距D1、所述节距D2、所述尺寸W1及所述尺寸W2，决定所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
9.一种对准标记的配置决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置，其包含：
将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式，根据所述节距D1、所述节距D2、所述尺寸W1及所述尺寸W2，决定所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的至少一个候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
10.一种基板对准的决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置与所述区划区域的尺寸，其包含：
将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式，根据所述节距D1及所述节距D2，决定所述区划区域的尺寸W1,W2及所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
11.一种基板对准的决定方法，决定用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置与所述区划区域的尺寸，其包含：
将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式，决定所述尺寸W1及所述尺寸W2各自的至少一个候补与对应所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的至少一个候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
12.一种基板对准的决定方法，决定将用以使用具有多个检测区域的标记检测系统检测的多个对准标记，与多个区划区域一起配置于电子器件制造用的基板上的所述区划区域的尺寸及标记节距，其包含：
依序算出在包含所述多个检测区域所分别包含的点的既定面内彼此交叉的第1方向及第2方向上配置的多个假想点在所述第1方向的节距D1及所述第2方向的节距D2分别除以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的(D1/i)及(D2/j)，来作为配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的多个候补p1i,p2j的动作；
算出所述多个候补p1i(i＝1～I)依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·p1i及所述多个候补p2j(j＝1～J)依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·p2j，来作为于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域在所述第1方向的尺寸W1及所述第2方向的尺寸W2的候补的动作；以及
将算出的所述尺寸W1的候补及所述尺寸W2的候补中其值满足预先决定的条件的候补，决定为所述尺寸W1及所述尺寸W2各自的最终候补，且将与该决定的所述最终候补对应的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的候补p1i,p2j决定为所述节距p1及所述节距p2各自的最终候补的动作。
13.如权利要求12所述的基板对准的决定方法，其进一步包含根据所述决定的所述尺寸W1及所述尺寸W2各自的最终候补与所述节距p1及所述节距p2各自的最终候补，作成于所述区划区域上以所述节距p1及所述节距p2在所述第1方向及第2方向二维排列有多个标记的标记布局信息的动作。
14.如权利要求13所述的基板对准的决定方法，其进一步包含将作成的所述标记布局信息显示于显示画面上的动作。
15.如权利要求12至14中任一项所述的基板对准的决定方法，其中，所述多个假想点包含所述多个检测区域各自的检测中心。
16.一种基板对准的决定方法，将用于检测与多个区划区域一起配置于电子器件制造用的基板上的多个对准标记的标记检测系统的多个检测区域的配置，连同所述多个标记的配置一起决定，其包含：
依序算出于所述基板上沿着彼此交叉的第1方向及第2方向二维排列的所述多个区划区域在所述第1方向的尺寸W1及在所述第2方向的尺寸W2分别除以自然数m(m＝1～M)、自然数n(n＝1～N)后的(W1/m)及(W2/n)，来作为配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2的多个候补p1m(m＝1～M)及p2n(n＝1～N)的动作；
算出所述多个候补p1m(m＝1～M)乘以自然数i(i＝1～I)后的i·p1m及所述多个候补p2n(n＝1～N)依序乘以自然数j(j＝1～J)后的j·p2n，来作为在与所述基板平行的既定面内配置于所述第1方向及第2方向的多个假想点在所述第1方向的节距D1的候补D1im及所述第2方向的节距D2的候补D2jn的动作；以及
将所算出的所述节距D1的候补D1im及所述节距D2的候补D2jn中其值满足预先决定的条件的候补，决定为所述节距D1及所述节距D2各自的最终候补，且以依据所决定的所述最终候补而定的所述多个假想点的至少一部分位于各个检测区域内的方式决定所述标记检测系统的所述多个检测区域的配置，将与一并决定的所述节距D1及所述节距D2各自的所述最终候补对应的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2的多个候补p1m,p2n，决定为所述节距p1及所述节距p2的最终候补的动作。
17.如权利要求16所述的基板对准的决定方法，其中，以所述多个假想点的至少一部分的各个与所述多个检测区域的检测中心一致的方式，决定所述标记检测系统的所述多个检测区域的配置。
18.一种标记检测区域的配置决定方法，决定标记检测系统的多个检测区域的配置，该标记检测系统用于检测规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的多个对准标记，其中，
所述多个检测区域，包含在既定面内的第1方向分离的多个检测区域与在所述既定面内与所述第1方向交叉的第2方向分离的多个检测区域，
将所述多个检测区域在所述第1方向的节距设为D1、将在所述第2方向的节距设为D2，将排列于所述基板上的所述多个区划区域在所述第1方向的尺寸设为W1、在所述第2方向的尺寸设为W2，
所述多个检测区域的配置的决定，包含以满足下式(c),(d)的方式，根据所述区划区域的尺寸W1,W2决定所述多个检测区域的节距D1,D2的动作，
D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(c)
D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(d)。
19.一种对准标记的配置决定装置，决定多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置，该多个对准标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：
算出手段，将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，根据所述节距D1、所述节距D2、所述尺寸W1及所述尺寸W2，算出满足下式(a),(b)的所述多个标记的所述节距p1及所述节距p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
20.一种对准标记的配置决定装置，决定多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置，该多个对准标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：
算出手段，将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，根据所述节距D1、所述节距D2、所述尺寸W1及所述尺寸W2，算出满足下式(a),(b)的所述多个标记的所述节距p1及所述节距p2的至少一个候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
21.一种基板对准的决定装置，决定多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置与所述区划区域的尺寸，该多个对准标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：
算出手段，将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，根据所述节距D1、所述节距D2，算出满足下式(a),(b)的所述尺寸W1及所述尺寸W2、所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
22.一种基板对准的决定装置，决定多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置与所述区划区域的尺寸，该多个对准标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：
算出手段，将所述多个检测区域在既定面内交叉的第1方向及第2方向的节距分别设为D1,D2，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，根据所述节距D1、所述节距D2，算出满足下式(a),(b)的所述尺寸W1及所述尺寸W2各自的至少一个候补、与对应其的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的至少一个候补，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
23.一种基板对准的决定装置，决定多个对准标记在规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的配置与所述区划区域的尺寸，该多个对准标记供使用具有多个检测区域的标记检测系统来检测，其具备：
第1算出手段，回应于在包含所述多个检测区域所分别包含的点的既定面内彼此交叉的第1方向及第2方向上配置的多个假想点在所述第1方向的节距D1及所述第2方向的节距D2的输入，依序算出所述节距D1及所述节距D2分别除以自然数i(i＝1～I),j(j＝1～J)后的(D1/i)及(D2/j)，来作为配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的多个候补p1i,p2j；
第2算出手段，算出所述多个候补p1i依序乘以自然数m(m＝1～M)后的m·p1i及所述多个候补p2j依序乘以自然数n(n＝1～N)后的n·p2j，来作为于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的所述多个区划区域在所述第1方向的尺寸W1及所述第2方向的尺寸W2各自的候补；以及
决定手段，将所算出的所述尺寸W1的候补及所述尺寸W2的候补中其值满足预先决定的条件的候补，决定为所述尺寸W1及所述尺寸W2各自的最终候补，且将与所决定的所述最终候补对应的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2的候补p1i,p2j决定为所述节距p1及所述节距p2各自的最终候补。
24.如权利要求23所述的基板对准的决定装置，其进一步具备作成手段，此手段是根据所述决定的所述尺寸W1及所述尺寸W2各自的最终候补与所述节距p1及所述节距p2各自的最终候补，作成于所述区划区域上以所述节距p1及所述节距p2在所述第1方向及第2方向二维排列有多个标记的标记布局信息。
25.如权利要求24所述的基板对准的决定装置，其进一步具备：将所述作成的所述标记布局信息显示于显示画面上的显示手段。
26.一种基板对准的决定装置，将用于检测与多个区划区域一起配置于电子器件制造用的基板上的多个对准标记的标记检测系统的多个检测区域的配置，连同所述多个标记的配置一起决定，其具备：
第1运算手段，回应于在所述基板上沿着彼此交叉的第1方向及第2方向二维排列的所述多个区划区域在所述第1方向的尺寸W1及所述第2方向的尺寸W2的输入，依序算出将所述尺寸W1除以自然数m(m＝1～M)后的(W1/m)及将所述尺寸W2除以自然数n(n＝1～N)后的W2/n，来作为配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的多个候补p1m(m＝1～M)及p2n(n＝1～N)；
第2运算手段，算出所述多个候补p1m(m＝1～M)乘以自然数i(i＝1～I)后的i·p1m及所述多个候补p2n(n＝1～N)依序乘以自然数j(j＝1～J)后的j·p2n，来作为在与所述基板平行的既定面内配置于所述第1方向及第2方向的多个假想点在所述第1方向的节距D1的候补D1im及所述第2方向的节距D2的候补D2jn；以及
决定手段，将所算出的所述节距D1的候补D1im及所述节距D2的候补D2jn中其值满足预先决定的条件的候补，决定为所述节距D1及所述节距D2各自的最终候补，且以依据所决定的所述最终候补而定的所述多个假想点的至少一部分位于各个检测区域内的方式决定所述标记检测系统的所述多个检测区域的配置，将与一并决定的所述节距D1及所述节距D2各自的所述最终候补对应的所述多个标记在所述第1方向的节距p1及所述第2方向的节距p2各自的多个候补p1m,p2n，决定为所述节距p1及所述节距p2各自的最终候补。
27.一种标记检测区域的配置决定装置，决定用于检测规定有多个区划区域的、电子器件制造用的基板上的多个对准标记的标记检测系统的多个检测区域的配置，其中，
所述多个检测区域，包含在既定面内的第1方向分离的多个检测区域与在所述既定面内中与所述第1方向交叉的第2方向分离的多个检测区域，
将所述多个检测区域在所述第1方向的节距设为D1、在所述第2方向的节距设为D2，将排列于所述基板上的所述多个区划区域在所述第1方向的尺寸设为W1、在所述第2方向的尺寸设为W2，以满足下式(c),(d)的方式，根据所述区划区域的尺寸W1,W2决定所述多个检测区域的节距D1,D2，
D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(c)
D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(d)。
28.一种计算机可读取的记录媒体，用于记录程序，当该程序由计算机执行时，使该计算机执行权利要求1至6中任一项所述的对准标记的布局信息提供方法、或权利要求8或9所述的对准标记的配置决定方法、或权利要求10至17中任一项所述的基板对准的决定方法、或权利要求18所述的标记检测区域的配置决定方法。
29.一种曝光装置，使基板曝光而于所述基板上形成多个区划区域，其具备：
标记检测系统，具有多个检测区域；以及
权利要求19或20所述的对准标记的配置决定装置、或权利要求21至26中任一项所述的基板对准的决定装置、或权利要求27所述的标记检测区域的配置决定装置，决定供使用所述标记检测系统来检测的多个标记的配置、或供使用所述标记检测系统来检测的多个标记的配置与形成所述多个标记的区划区域的尺寸。
30.一种曝光装置，以能量束使基板曝光，其具备：
标记检测系统，具有多个检测区域；以及
载台，具有保持所述基板的保持部，能相对于所述多个检测区域移动；
所述多个检测区域，包含在既定面内的第1方向分离的多个检测区域、与在所述既定面内与所述第1方向交叉的第2方向分离的多个检测区域，
将所述多个检测区域在所述第1方向的节距设为D1、在所述第2方向的节距设为D2，将排列于所述基板上的多个区划区域在所述第1方向的尺寸设为W1、在所述第2方向的尺寸设为W2，以满足下式(c),(d)的方式以节距D1,D2决定所述多个检测区域的配置，
D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(c)
D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(d)。
31.一种对准标记的布局方法，供使用标记检测系统来检测的形成于电子器件制造用的基板上的多个对准标记的布局方法，该标记检测系统，具有在既定面内的第1方向以节距D1设定且在所述既定面内与所述第1方向交叉的第2方向以节距D2设定的多个检测区域，其中，
将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式决定所述节距p1及p2，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
32.一种对准标记的布局方法，供使用标记检测系统来检测的形成于电子器件制造用的基板上的多个对准标记的布局方法，该标记检测系统，具有在既定面内的第1方向以节距D1设定且在所述既定面内与所述第1方向交叉的第2方向以节距D2设定的多个假想点中各自的检测中心一致于至少2点的多个检测区域，其中，
在与所述既定面平行配置的所述基板上所述多个标记于所述第1方向以节距p1形成且于所述第2方向以节距p2形成，将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的多个区划区域各自在所述第1方向的尺寸设为W1、在所述第2方向的尺寸设为W2时，
以所述节距p1满足p1＝D1/i(i为自然数)且p1＝W1/m(m为自然数)的方式、且所述节距p2满足p2＝D2/j(j为自然数)且p2＝W2/n(n为自然数)的方式，决定所述节距p1及p2。
33.如权利要求31或32所述的对准标记的布局方法，其中，于所述多个区划区域的各个，形成有与该区划区域相同尺寸或小一圈的尺寸的图案形成区域且形成有多个所述标记。
34.如权利要求31或32所述的对准标记的布局方法，其中，所述二维配置的至少四个所述标记位于所述区划区域内。
35.一种对准标记检测方法，使用标记检测系统检测形成于电子器件制造用的基板上的多个标记，该标记检测系统，具有在既定面内的第1方向以节距D1设定且在所述既定面内与所述第1方向交叉的第2方向以节距D2设定的多个检测区域，其中，
将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向二维排列的多个区划区域各自在所述第1方向及第2方向的尺寸分别设为W1,W2，进而将配置于所述基板上的所述多个标记在所述第1方向及所述第2方向的节距分别设为p1,p2，以满足下式(a),(b)的方式于所述基板形成多个标记，一边使用位置检测系统检测所述基板在所述既定面内的位置信息，一边使用所述标记检测系统以所述多个检测区域的各个并行检测所述基板上的至少一个所述标记，
p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)……(a)
p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)……(b)。
36.一种对准标记检测方法，使用标记检测系统检测形成于电子器件制造用的基板上的多个标记，该标记检测系统，具有在既定面内的第1方向以节距D1设定且在所述既定面内与所述第1方向交叉的第2方向以节距D2设定的多个假想点中各自的检测中心一致于至少2点的多个检测区域，其中，
在将于所述基板上沿着所述第1方向及所述第2方向排列的多个区划区域各自在所述第1方向的尺寸设为W1、在所述第2方向的尺寸设为W2时，于所述基板上，所述多个标记在所述第1方向以节距p1＝D1/i(i为自然数)＝W1/m(m为自然数)形成且在所述第2方向以节距p2＝D2/j(j为自然数)＝W2/n(n为自然数)形成，
一边使用位置检测系统检测所述基板在所述既定面内的位置信息，一边使用所述标记检测系统以所述多个检测区域的各个并行检测所述基板上的至少一个所述标记。
37.如权利要求36所述的对准标记检测方法，其中，于所述多个区划区域的各个沿着所述第1方向及所述第2方向配置有至少四个所述标记。
38.如权利要求36或37所述的对准标记检测方法，其中，在所述检测动作，使用图像处理方式的所述标记检测系统，以所述多个检测区域的各个并行检测所述基板上的至少一个所述标记。
39.如权利要求36或37所述的对准标记检测方法，其中，所述多个标记系绕射光栅标记；
所述检测动作，是在所述多个检测区域的各个，对形成于所述基板上的所述绕射光栅标记照射测量光束，且接收来自位于所述多个检测区域的各个的所述绕射光栅标记的返回光束。
40.如权利要求39所述的对准标记检测方法，其中，所述检测的动作，是一边在所述既定面内于既定方向使所述基板与所述测量光束相对移动，一边使用所述标记检测系统检测所述绕射光栅标记。
41.一种曝光方法，其包含：
藉由权利要求35至40中任一项所述的对准标记检测方法，检测形成于所述基板上的所述多个标记中的至少一部分标记的动作；以及
根据所述标记的检测结果，使所述基板移动并以能量束使所述基板曝光的动作。
42.一种器件制造方法，其包含：
使用权利要求29或30所述的曝光装置或权利要求41所述的曝光方法使所述基板曝光的动作；以及
使曝光后的所述基板显影的动作。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3680717A1 (en) * 2015-02-23 2020-07-15 Nikon Corporation Substrate processing system and substrate processing method, and device manufacturing method
TWI809882B (zh) * 2015-02-23 2023-07-21 日商尼康股份有限公司 測量裝置、曝光裝置、微影系統、測量方法以及曝光方法
CN111760795B (zh) * 2019-07-16 2022-02-01 北京京东乾石科技有限公司 用于分拣货物的方法和装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1445584A (zh) * 2002-03-18 2003-10-01 精工爱普生株式会社 电光装置和电子设备
CN1577099A (zh) * 2003-06-30 2005-02-09 Asml蒙片工具有限公司 对NA－σ曝光设置和散射条OPC同时优化的方法和装置
CN1862385A (zh) * 2005-04-15 2006-11-15 三星电子株式会社 使用测试特征检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法
CN101788768A (zh) * 2009-01-23 2010-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种曝光方法
WO2012082555A2 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Zygo Corporation Cyclic error compensation in inteferometric encoder systems
WO2014194095A1 (en) * 2013-05-30 2014-12-04 Kla-Tencor Corporation Combined imaging and scatterometry metrology
WO2015120070A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-13 Kla-Tencor Corporation Grazing order metrology

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
US4861162A (en) 1985-05-16 1989-08-29 Canon Kabushiki Kaisha Alignment of an object
US5151750A (en) 1989-04-14 1992-09-29 Nikon Corporation Alignment apparatus
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH0817725A (ja) * 1994-07-04 1996-01-19 Nikon Corp 露光装置
US6034378A (en) 1995-02-01 2000-03-07 Nikon Corporation Method of detecting position of mark on substrate, position detection apparatus using this method, and exposure apparatus using this position detection apparatus
JP3889091B2 (ja) * 1996-09-03 2007-03-07 三菱電機株式会社 半導体開発情報統合装置
KR100525521B1 (ko) * 1996-10-21 2006-01-27 가부시키가이샤 니콘 노광장치및노광방법
DE69738910D1 (de) 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
KR100512450B1 (ko) 1996-12-24 2006-01-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
CN100578876C (zh) 1998-03-11 2010-01-06 株式会社尼康 紫外激光装置以及使用该紫外激光装置的曝光装置和曝光方法
SG124257A1 (en) 2000-02-25 2006-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002139847A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
DE60319462T2 (de) 2002-06-11 2009-03-12 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP4272862B2 (ja) * 2002-09-20 2009-06-03 キヤノン株式会社 位置検出方法、位置検出装置及び露光装置
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN100470367C (zh) 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
JP2005026615A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置、計測方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7388663B2 (en) * 2004-10-28 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
KR101356270B1 (ko) 2006-02-21 2014-01-28 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2008056735A1 (fr) 2006-11-09 2008-05-15 Nikon Corporation Unité de support, système de détection de position et système d'exposition, procédé de déplacement, procédé de détection de position, procédé d'exposition, procédé d'ajustement du système de détection, et procédé de prod
JP2008242356A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Fujifilm Corp 描画データ作成方法および描画データ作成装置
JP2008205393A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Canon Inc アライメントマークの位置検出の条件を決定する方法、露光装置及びデバイスの製造方法
US8098362B2 (en) * 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1445584A (zh) * 2002-03-18 2003-10-01 精工爱普生株式会社 电光装置和电子设备
CN1577099A (zh) * 2003-06-30 2005-02-09 Asml蒙片工具有限公司 对NA－σ曝光设置和散射条OPC同时优化的方法和装置
CN1862385A (zh) * 2005-04-15 2006-11-15 三星电子株式会社 使用测试特征检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法
CN101788768A (zh) * 2009-01-23 2010-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种曝光方法
WO2012082555A2 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 Zygo Corporation Cyclic error compensation in inteferometric encoder systems
WO2014194095A1 (en) * 2013-05-30 2014-12-04 Kla-Tencor Corporation Combined imaging and scatterometry metrology
WO2015120070A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-13 Kla-Tencor Corporation Grazing order metrology

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