CN109690402A - 光掩模、光掩模制造方法、以及使用光掩模的滤色器的制造方法 - Google Patents

Abstract

该光掩模用于具有由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光，其中，在包含所述多透镜的连接部(36a)在内的通过扫描曝光进行转印的区域(SA2)存在的所述光掩模的多个图案(Cnn)的线宽，是针对与在不包含所述连接部(36a)在内的通过扫描曝光进行转印的区域(SA1)存在的所述光掩模的所述图案(Cnn)相同的图案的线宽进行校正后的线宽。

Description

光掩模、光掩模制造方法、以及使用光掩模的滤色器的制造 方法

技术领域

本发明涉及光掩模、光掩模制造方法、以及使用光掩模的滤色器的制造方法。

本申请基于2016年7月21日在日本申请的特愿2016-143333号以及2016年12月9日在日本申请的特愿2016-238997号而主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

近年来，随着大型彩色电视机、笔记本电脑、便携用电子仪器的增加，对于液晶显示器、特别是彩色液晶显示器面板的需求显著增加。对于用于彩色液晶显示器面板的滤色器基板，在由玻璃基板等构成的透明基板上，经由进行使用光掩模的图案曝光、显影等的图案处理的光刻工艺而形成黑矩阵、红色过滤器、绿色过滤器、蓝色过滤器等之类的着色像素、隔离件等。

最近，要求彩色液晶显示器面板自身的大型化，并且还要求生产效率的提高，因此关于所使用的滤色器基板，例如使主玻璃的尺寸实现大型化，高效地制造包含多种大型显示器面板用的图案的、安装于拼版的大型的滤色器基板尤其重要。

另外，对于彩色液晶显示器面板，还提出了如下反射型彩色液晶显示装置，即，在形成有显示设备的阵列基板(硅基板)上使用形成有着色像素、黑矩阵、平坦化层、隔离件等结构要素的阵列基板。

在上述彩色液晶显示装置用的滤色器基板的制造中，当前，为了获得较高的生产率，大多利用统一曝光式的光掩模而采用统一曝光处理方式，但如果光掩模的大型化随着基板尺寸的进一步的大型化而发展，则统一曝光式的光掩模的制造技术方面的困难增加且价格也变得昂贵，统一曝光处理方式的这种问题变大。因此，利用廉价且容易制造的小尺寸的光掩模一边在涂敷有抗蚀剂(感光性树脂液)的玻璃基板、硅基板上进行扫描一边进行曝光的方式(扫描曝光方式)的开发得到发展。

另一方面，对于内置于数码照相机等的固体拍摄元件，在直径为30cm左右的的硅晶片的表面对多个图像传感器进行拼版配置，通过晶片工艺，形成构成图像传感器的多个光电转换元件(CCD或者CMOS)、配线。而且，为了能够对彩色图像进行拍摄，在所述光电转换元件上通过光刻工艺而制作由颜色分解用的着色像素和微透镜构成的OCF(On ChipFilter)层之后，通过切割工序将晶片裁断而形成为芯片(单片)状的固体拍摄元件，为了在用于形成OCF层的光刻工艺中也利用所述扫描曝光方式而进行了开发。

图1是表示扫描曝光方式的投影曝光装置的结构的概念图(专利文献1)。在本装置中，从设置于光掩模32的上部的光源单元(未图示)照射曝光光31，经由实现了图案化的光掩模32使涂敷于基板34上的抗蚀剂感光而形成黑矩阵、着色像素、隔离件、微透镜的图案。投影透镜33是对柱状透镜交错排列而成的多透镜，投影透镜33的中心处于光掩模32的扫描方向的中心线上。载台35对基板34进行支撑，能够与光掩模32同步地沿其扫描方向移动。将光掩模32的扫描方向称为Y方向，将与该Y方向正交且沿着基板34的表面的方向称为X方向。投影透镜33的柱状透镜朝向Y方向而交错排列。抗蚀剂涂敷于基板34的表面。

例如如果光掩模32以基板34的1/4的大小进行X方向上为2个、且Y方向上为2个的4拼版扫描曝光，则首先以与将基板34的表面进行4分割得到的区域中的1个(1/4的区域)的中心一致的方式使光掩模32的中心移动而规定初始位置。然后，光掩模32和基板34相对于固定的投影透镜33沿Y方向同时进行扫描动作，将形成于光掩模32的图案转印于基板34的1/4的区域的抗蚀剂。光掩模32反复进行该动作并移动至剩余的3个初始位置，进行向整个基板34的抗蚀剂的转印。

在所述投影曝光装置中，插入有用于将各柱状透镜的曝光区域与透过投影透镜33的光的光路连接的视场光阑，因此投影透镜33的曝光区域36在俯视时形成为图2(a)中局部所示那样的梯形的区域交错排列而成的结构。相邻的梯形的区域彼此配置于相反方向上。因此，如果对相邻的2个柱状透镜的连接部附近进行放大图示，则如图2(b)那样。即，连接部的曝光区域在各柱状透镜的端部(即梯形的区域的端部)形成为三角形朝向Y方向的形状，通过沿Y方向进行扫描，将透过连接部的2个透镜的光的合计光量设定为在X方向上的任何位置都与不包含连接部的四边形区域的合计光量相等。即，在将透过不包含连接部的四边形区域的光的光量设为100(相对值，参照图2(b))的情况下，透过连接部的2个透镜的光的合计光量也变为100。

专利文献1：日本特开平11-160887号公报

然而，对于现实的转印后的基板34上的抗蚀剂图案线宽，通过光量为100的1次曝光而形成的线宽、和通过2次曝光而形成为合计光量为100的线宽产生差异。例如，在由阴性抗蚀剂形成的情况下，如图2(c)所示，通过2次曝光而形成的线宽比通过1次曝光而形成的线宽细，在连接部的中心位置(光量50+50的2次曝光部)最细。可以认为这是因为在2次曝光中，2次的曝光之间存在时间差，因此与1次曝光相比而抗蚀剂对于光的反应性降低。作为针对该问题的对策，即使进行抗蚀剂的高灵敏度化等，现象也相同，所述线宽的差异在滤色器基板上表现为斑点，无法解决该问题。此外，阴性抗蚀剂是指曝光后的部分相对于显影液的溶解性降低而在显影后残留有曝光部分的抗蚀剂，阳性抗蚀剂是指曝光后的部分相对于显影液的溶解性提高而在显影后使得曝光部分被除去的抗蚀剂。

具体而言，利用图3对所述曝光装置中形成有滤色器基板用的着色像素的情况进行说明。即，抗蚀剂的反应性随着在图3(a)中朝向2个柱状透镜的连接部36a的X方向的中心而逐渐减小为L1、L2、L3、···、Ln。因此，在由阴性抗蚀剂形成的情况下，如图3(b)那样，着色像素的X方向线宽按照C1kx、C2kx、···Cnkx(k＝1、2、···n)的抗蚀剂图案的顺序变细。同样地，Y方向线宽按照Ck1y、Ck2y、···Ckny(k＝1、2、···n)的抗蚀剂图案的顺序变细。在由阳性抗蚀剂、阴性抗蚀剂的情况下的反转掩模形成的情况下，线宽按照所述顺序变粗。此外，图3中的标号38表示具有着色像素图案的光掩模，这里为阴性抗蚀剂用的光掩模。即，各区域Cnn变为光透过区域(开口)。图3(以及后述的图4)中的标号SA1表示不包含连接部的扫描区域(仅包含上述四边形区域的扫描区域)，标号SA2表示包含连接部的扫描区域。

另外，如果在所述曝光装置中形成滤色器基板用的黑矩阵则变为图4那样。即，在由阴性抗蚀剂形成的情况下，如图4(b)那样，黑矩阵的X方向线宽按照bx1、bx2···bxn的顺序变细。同样地，Y方向线宽按照by1、by2···byn的顺序变细。在由阳性抗蚀剂、阴性抗蚀剂的情况下的反转掩模形成的情况下，线宽按照所述顺序变粗。此外，图4中的标号39表示具有黑矩阵图案的光掩模，这是阴性抗蚀剂用的光掩模。即，各区域Bxn是沿Y方向延伸的光透过区域(开口)，各区域Byn是沿X方向延伸的光透过区域(开口)。区域Bxn的线宽由bxn表示，区域Byn的线宽由byn表示。

发明内容

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供在扫描曝光方式的投影曝光中消除因投影透镜的连接部而产生的线宽异常的问题(在由阴性抗蚀剂形成着色像素、黑矩阵、隔离件、微透镜的情况下，线宽较细，在由阳性抗蚀剂形成的情况下，线宽较粗)的光掩模、光掩模制造方法、以及使用光掩模的滤色器的制造方法。

为了解决上述问题，本发明的第1方式的光掩模是用于具有由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光的光掩模，在包含所述多透镜的连接部在内的通过扫描曝光进行转印的区域存在的所述光掩模的多个图案的线宽，是针对与在不包含所述连接部在内的通过扫描曝光进行转印的区域存在的所述光掩模的所述图案相同的图案的线宽进行校正后的线宽。

本发明的第2方式的光掩模在上述第1方式的光掩模的基础上，所述多个图案的所述校正后的线宽是在与扫描方向正交的方向上针对每个所述图案而阶梯式地变化的线宽。

本发明的第3方式的光掩模在上述第2方式的光掩模的基础上，所述多个图案的所述校正后的线宽是进一步在扫描方向上针对每个所述图案而阶梯式地变化的线宽。

本发明的第4方式的光掩模在上述第2方式或者第3方式的光掩模的基础上，所述阶梯式地变化的线宽包含基于随机数的校正分量。

本发明的第5方式的光掩模形成有：第1光透过部，其在俯视时在沿着第1坐标轴的方向上以线状而延伸；以及第2光透过部，其在所述俯视时在沿着与所述第1坐标轴相交叉的第2坐标轴的方向上以线状而延伸，所述光掩模具有：沿着所述第1坐标轴的方向上的第1区域，在该第1区域中，所述第1光透过部具有恒定的第1线宽，所述第2光透过部具有恒定的第2线宽；以及沿着所述第1坐标轴的方向上的第2区域，在该第2区域中，所述第1光透过部具有比所述第1线宽更大的第3线宽，所述第2光透过部具有比所述第2线宽更大的第4线宽，在沿着所述第1坐标轴的方向上，所述第1区域和所述第2区域交替地排列。

本发明的第6方式的光掩模制造方法利用基于俯视时沿第1轴线交错排列的多个投影光学系统得到的光像，制造在曝光装置使用的形成所述光像用的光掩模，该曝光装置通过在沿着与所述第1轴线相交叉的第2轴线的方向上对被曝光体进行扫描而使得所述被曝光体曝光，包含如下工序：在光掩模形成体上设定与所述第1轴线对应的第1坐标轴以及与所述第2轴线对应的第2坐标轴，与所述被曝光体上的曝光图案的形状相应地，制作用于在所述光掩模形成体上使得扫描光束接通断开的描画数据；将所述光掩模形成体的表面区分为单独曝光用区域以及复合曝光用区域，在所述单独曝光用区域中，利用所述曝光装置中基于所述多个投影光学系统中的单独的第1投影光学系统的第1光像或者基于单独的第2投影光学系统的第2光像，进行沿着所述第2轴线的方向上的扫描，在所述复合曝光用区域中，利用基于所述第1投影光学系统以及第2投影光学系统的所述第1光像以及第2光像进行沿着所述第2轴线的方向上的扫描；区分所述单独曝光用区域和所述复合曝光用区域而设定所述扫描光束的光束强度数据；将抗蚀剂涂敷于所述光掩模形成体上；以及在所述抗蚀剂上，使基于所述描画数据以及所述光束强度数据而驱动的所述扫描光束进行扫描。另外，所述光束强度数据在所述单独曝光用区域内设定为第1光束强度值，在所述复合曝光用区域内与将所述扫描光束断开的扫描位置相邻而将所述扫描光束接通的边缘扫描位置处，设定为与所述第1光束强度值不同的第2光束强度值。

本发明的第7方式的光掩模制造方法在上述第6方式的光掩模制造方法的基础上，所述第2光束强度值高于所述第1光束强度值。

本发明的第8方式的光掩模制造方法在上述第7方式的光掩模制造方法的基础上，所述光束强度数据在所述复合曝光用区域内除了所述边缘扫描位置以外的扫描位置处，设定为第3光束强度值，该第3光束强度值大于或等于所述第1光束强度值且小于或等于所述第2光束强度值的最大值。

本发明的第9方式的光掩模制造方法在上述第8方式的光掩模制造方法的基础上，所述第3光束强度值与所述第1光束强度值相等。

本发明的第10方式的光掩模制造方法在上述第6方式至第9方式中任1方式的光掩模制造方法的基础上，在将所述边缘扫描位置的基于所述第1光像的曝光率设为E1、且将基于所述第2光像的曝光率设为E2时，所述第2光束强度值设定为由下述式(1)表示的λ的函数。

[数学式1]

本发明的第11方式的光掩模制造方法在上述第10方式的光掩模制造方法的基础上，所述第2光束强度值在λ＝0时获得最大值，随着λ从0朝向1而接近所述第1光束强度值。

本发明的第12方式的光掩模制造方法在上述第6方式的光掩模制造方法的基础上，所述第2光束强度值低于所述第1光束强度值。

本发明的第13方式的光掩模制造方法在上述第6方式至第12方式中任1方式的光掩模制造方法的基础上，以在沿所述第1坐标轴以及所述第2坐标轴而延伸的格栅状的区域内将所述扫描光束接通的方式设定所述描画数据。

本发明的第14方式的滤色器的制造方法是基于具有由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光实现的滤色器的制造方法，利用上述第1方式至第4方式中任1方式的光掩模对设置于玻璃基板或者硅基板上的抗蚀剂进行图案曝光。

发明的效果

根据本发明的光掩模，在包含多透镜的连接部在内的通过扫描曝光进行转印的区域存在的光掩模的多个图案的线宽，是对在不包含连接部在内的通过扫描曝光进行转印的区域存在的光掩模的相同的图案的线宽进行校正后的线宽，因此在扫描曝光中能够消除因投影透镜的连接部而产生的线宽异常的问题。另外，通过使用本发明的光掩模的制造方法，能够制作线宽(尺寸)均匀性良好的着色像素、黑矩阵、隔离件、微透镜，在滤色器基板、硅基板上不会目视确认到斑点。

附图说明

图1是表示扫描曝光方式的投影曝光装置的结构的概念图。

图2是表示基于图1的投影曝光装置实现的曝光状态的概略图，(a)是表示透过投影透镜后的光的形状的一部分的俯视图，(b)是所述(a)的局部放大图，(c)是用于对基于通过扫描曝光在所述(b)的区域形成的阴性抗蚀剂图案的线宽的X方向位置实现的变化进行说明的特性图。

图3是为了对利用图1的投影曝光装置形成了着色像素时的状况进行说明而使用的俯视图，(a)是透过投影透镜后的光的形状的局部放大图，(b)是阴性抗蚀剂用光掩模的局部放大图。

图4是为了对利用图1的投影曝光装置形成了黑矩阵时的状况进行说明而使用的俯视图，(a)是透过投影透镜后的光的形状的局部放大图，(b)是阴性抗蚀剂用光掩模的局部放大图。

图5是用于说明对本发明的第1实施方式的利用光掩模形成着色像素的掩模图案线宽进行校正的方法的图。

图6是用于说明对本发明的第1实施方式的利用光掩模形成黑矩阵的掩模图案线宽进行校正的方法的图。

图7是用于说明对本发明的第1实施方式的利用光掩模形成着色像素的掩模图案进行分割并对线宽进行校正的方法的图。

图8是表示在X方向以及Y方向上分别分割出的着色像素的例子的俯视图。

图9是表示本发明的第2实施方式的光掩模的一个例子的示意性的俯视图。

图10是表示本发明的第2实施方式的光掩模的单独曝光用区域的结构的示意性的放大图。

图11是表示本发明的第2实施方式的光掩模的复合曝光用区域的结构的示意性的放大图。

图12是表示使用本发明的第2实施方式的光掩模的曝光装置的一个例子的示意性的主视图。

图13是图12的A向视的俯视图。

图14是表示用于曝光装置的视场光阑的一个例子的示意性的俯视图。

图15是表示用于曝光装置的视场光阑的另外一个例子的示意性的俯视图。

图16是对基于曝光装置的曝光动作进行说明的示意图。

图17是对曝光装置的有效的曝光量进行说明的示意图。

图18是对在本发明的第2实施方式的光掩模制造方法中使用的扫描光束的光束强度的例子进行说明的示意性的曲线图。

图19是对本发明的第2实施方式的光掩模制造方法的光束强度数据的设定方法进行说明的示意图。

图20是表示本发明的第2实施方式的光掩模制造方法的一个例子的流程图。

图21是对本发明的第2实施方式的光掩模制造方法的光束强度数据的设定例进行说明的示意图。

图22是本发明的第2实施方式的光掩模制造方法的工序说明图。

具体实施方式

(第1实施方式)

下面，利用附图对本发明的光掩模的第1实施方式进行详细说明。本发明并不限定于下面的实施方式，可以在未脱离本发明的主旨的范围内适当地施加变更。此外，对于相同的结构要素，只要不存在为了便于叙述的理由，则标注相同的标号并将重复的说明省略。另外，为了容易理解特征，对下面的说明中所使用的附图的结构特征的部分进行放大表示，各结构要素的尺寸比率等与实际情形不同。

此外，本发明的光掩模可以应用于形成有着色像素、黑矩阵的滤色器基板、硅基板的制造方法、以及形成有微透镜的OCF层的制造方法，但下面为了简化而统一将上述制造方法称为滤色器的制造方法。

下面，只要未特别声明，则对由阴性抗蚀剂形成着色像素、以及黑矩阵的情况进行说明。由阴性抗蚀剂形成的情况和由阳性抗蚀剂形成的情况的不同在于，光掩模的开口部(光透过部)和遮光部反转、以及开口部的线宽的校正内容(对于阴性抗蚀剂较粗地形成，对于阳性抗蚀剂较细地形成)。

图5是用于说明对利用本发明的光掩模形成着色像素的掩模图案线宽进行校正的方法的图。图5(a)表示与图3(a)等同的区域，表示透过投影透镜后的光的曝光区域36和遮光区域37的俯视形状，抗蚀剂的反应性随着在2个柱状透镜的连接部的中心朝向X方向而逐渐降低为L1、L2、L3、···、Ln。

图5(b)是具有着色像素图案的本发明的光掩模38a的俯视图，为了简化说明，仅示出了图3(b)的图案排列中的沿X方向排列的C1n、C2n、C3n、···、Cnn。C1n、C2n、···、Cnn均为开口图案，对于C1n，如上述那样通过相对光量为100的1次曝光进行曝光，基于透过光的抗蚀剂的反应性按照C2n、C3n、···、Cnn的顺序而降低，X方法以及Y方向上的着色像素的线宽变细。即，开口图案Cnn处于与2个柱状透镜的连接部的X方向上的中心对应的位置。

因此，在本发明的光掩模中，按顺序逐渐增大C2n、C3n、···、Cnn的线宽(开口图案宽度)进行校正制作，改善所述线宽变细的问题。本方法有效是因为，在使用本发明的光掩模的曝光装置中，投影透镜33的中心处于光掩模32的扫描方向的中心线上，因此规定了产生线宽异常的光掩模上的位置。

即，在包含多透镜33的连接部在内的通过扫描曝光而转印的区域存在的光掩模的多个图案的线宽，是针对与在不包含上述连接部在内的通过扫描曝光而转印的区域存在的该光掩模的上述图案相同的图案的线宽而校正后的线宽。

具体而言，将对C1n的线宽乘以校正系数所得的值设为C2n以后的线宽。校正系数的值以获得与设计线宽相等的抗蚀剂图案时的C1n的线宽为基准。即，对此时的特性曲线CL1(参照图2(c))实施平滑化，制作用于获得设计线宽的图案的校正曲线CL2(图5(c))。图5(c)的纵轴表示利用由所有开口图案相等时的各开口图案形成的抗蚀剂图案的测定线宽除C1n的测定线宽所得的值。

然后，从C2n、C3n、···、Cnn的X方向的两侧的位置相对于所述校正曲线CL2引出垂线(纸面上下方向的线)，求出与校正曲线CL2的2个交点(例如针对C3n为δ31和δ32)，将2个交点的校正系数的平均值(针对C3n为δ3a。在校正曲线CL2的变化较小的区域为直线，因此大致为δ31和δ32的中间值)设为C2n、C3n、···、Cnn的校正系数(图5(d))。以上，C1n的校正系数为1.0(未校正)，C2n、C3n、···、Cnn的校正系数大致为测定线宽的比的倒数，校正后的开口图案的线宽为在与扫描方向正交的方向(X方向)上针对每个图案而阶梯式地变化的线宽。因此，如果利用本发明的光掩模进行扫描曝光，则曝光后的着色像素的线宽一致。

为了便于图示，针对C2n、C3n、···、Cnn的X方向上的线宽C2nx、C3nx、···、Cnnx的校正而形成所述校正曲线CL2，但对于Y方向上的线宽C2ny、C3ny、···、Cnny的校正也有效。这是因为，各像素的抗蚀剂反应性的比在X方向、Y方向上均相同，因此如果对Y方向上的C1ny、C2ny、C3ny、···、Cnny的抗蚀剂图案线宽进行测定，则变为与图2(c)的特性曲线CL1相似的形状。因此，用于在Y方向上进行校正的校正曲线CL2与针对X方向的线宽的校正曲线相同，各像素的Y方向上的校正系数的值仅取决于C2n、C3n、···、Cnn的Y方向上的位置。由此，在本发明的光掩模中，校正后的线宽变为在扫描方向上针对每个像素而阶梯式地变化的线宽，曝光后的着色像素的线宽在扫描方向上也一致。

以上对用于形成着色像素的本发明的光掩模进行了说明，但对于用于形成黑矩阵的光掩模也一样。图6是用于说明对利用本发明的光掩模形成黑矩阵的掩模图案线宽进行校正的方法的图。与着色像素的情况的不同，在着色像素的情况下针对各像素而进行X方向、Y方向上的线宽校正，但在黑矩阵的情况下，只要针对沿X方向排列的Bx2、Bx3、···Bxn而进行X方向上的线宽bx2、bx3、···bxn的校正，并针对沿Y方向排列的By2、By3、···Byn(参照图4(b))而进行Y方向上的线宽by2、by3、···byn校正即可。

在X方向上的Bx2、Bx3、···Bxn的情况下，从两侧的位置针对所述校正曲线CL2引出垂线(纸面上下方向的线)，求出与校正曲线CL2的2个交点(针对Bx3为δ31和δ32)，将2个交点处的校正系数的平均值(针对Bx3为δ3a)设为Bx2、Bx3、···Bxn的校正系数(图6(d))。通过上述，Bx1的校正系数变为1.0(未校正)，Bx2、Bx3、···Bxn的校正系数大致变为测定线宽的比的倒数，因此如果利用本发明的光掩模进行扫描曝光，则曝光后的黑矩阵的线宽一致。对于Y方向上的By1、By2、···Byn也一样。

在本发明的光掩模的线宽的校正方法中，可以将1个掩模图案分割而进行校正。图7是用于说明将利用本发明的光掩模形成着色像素的掩模图案分割而对线宽进行校正的方法的图。这里，代表性地示出了图5(b)中将C3n像素在X方向上分割的情况。这样，将相当于1个像素的1个掩模图案分割为n个部分，针对各区域利用校正曲线CL2而与图5的情况同样地求出校正系数δ3a1、δ3a2、···δ3an。由此，基于校正实现的线宽的阶梯式的变化以小刻度而接近曲线，针对线宽异常的应对变得更加符合实际情况，因此曝光后的着色像素的线宽均匀性得到进一步改善。

同样地，对于着色像素的Y方向、以及黑矩阵的X方向、Y方向也可以执行将所述图案分割而进行校正的方法，对于线宽均匀性的改善较为有效。此外，通常，黑矩阵的尺寸在宽度方向上小于着色像素的线宽，在长度方法上大于着色像素的线宽，因此关于宽度方向上的分割数，优选少于着色像素，关于长度方向上的分割数，优选多于着色像素。

对于本发明的光掩模，通过以上线宽校正的导入而能够改善因投影透镜的连接部而产生的线宽异常。然而，根据图2(c)的线宽测定值的变动(振动)也可知，因投影透镜的连接部而引起的线宽异常未必稳定。因此，在本发明的光掩模中，为了进一步提高线宽均匀性，可以使通过校正而阶梯式地变化的线宽包含基于随机数的校正分量。

但是，对于光掩模的制作，通常使用电子线描画装置，通过电子线描画数据的制作而进行素图案的制作。因此，通过描画数据的变更还能够进行针对所述校正线宽的基于随机数的校正分量的导入。

能够通过日本特开2011-187869号公报记载的方法而进行针对校正线宽的基于随机数的校正分量的导入。日本特开2011-187869号公报中记载了针对描画数据的基于随机数的导入实现的尺寸(线宽调整)，但其目的是使得通过描画机固有的描画方式而产生的掩模图案的线宽、位置精度的变动缓和。与此相对，本发明的光掩模是针对因上述这样的投影透镜的连接部而引起的线宽异常的不稳定性，这一点不同。

具体而言，本发明的光掩模的针对校正线宽的基于随机数的校正成分的导入，以为了使上述的线宽阶梯式地变化而使用的校正系数为基准，通过增减(加减)将因随机数而产生的第2校正系数导入。作为日本特开2011-187869号公报中记载的网格单元，在本发明的光掩模中，在着色像素的情况下，可以形成为未分割的图3(b)的各像素，也可以以如图7那样在X方向上、或者如图8那样在X方向以及Y方向上分割之后的像素为单位。对于黑矩阵的情况也一样，但特别是在长度方向上以分割后的像素为网格单元较为有效。

对于因随机数而产生的第2校正系数的振幅的范围，只要根据实验结果求出适当的范围即可。但是，优选地，仅以为了使线宽阶段式地变化而使用的校正系数为基准，在正负向侧设定与相同的大小相应的振幅范围。另外，只要以在正值或负值连续的情况下再次分配随机数的处理为代表，对于其他数据处理也与日本特开2011-187869号公报的方法同样地进行即可。

如上所述，在本发明的光掩模中，通过校正系数的导入使线宽阶梯式地变化，由此能够改善因投影透镜的连接部引起的线宽异常的稳定的分量，并且导入因随机数而产生的第2校正系数，由此能够使因投影透镜的连接部而引起的线宽异常的不稳定的分量缓和，因此能够消除因投影透镜的连接部而产生的线宽异常的问题。

除了利用本发明的光掩模以外，本发明的滤色器的制造方法能够通过当前的方法而制造滤色器。由此，能够制作线宽(尺寸)均匀性良好的着色像素、黑矩阵、隔离件、微透镜。由此，不会在滤色器基板、阵列基板上的滤色器层、硅基板上目视确认到成为问题的斑点。

(第2实施方式)

对本发明的第2实施方式的光掩模进行说明。

图9是表示本发明的第2实施方式的光掩模的一个例子的示意性的俯视图。图10是表示本发明的第2实施方式的光掩模的单独曝光用区域的结构的示意性的放大图。图11是表示本发明的第2实施方式的光掩模的复合曝光用区域的结构的示意性的放大图。

此外，各附图是示意图，因此有时将形状以及尺寸放大(下面的附图也一样)。

图9所示的本实施方式的光掩模1是用于使用多个投影光学系统的等倍曝光的曝光装置的曝光用掩模。光掩模1具有光透过性基板2以及掩模部3。

光透过性基板2可以使用具有能够使后述的曝光措置的照明光透过的光透过性的适当的基板。例如，光透过性基板2可以由玻璃基板构成。光透过性基板2的外形并未特别限定。图9所示的例子中，光透过性基板2的外形在俯视时呈矩形形状。

掩模部3具有构成向由曝光装置进行曝光的被曝光体(例如用于制造滤色器的基板)投影的曝光用图案的掩模图案P。例如通过使层叠于光透过性基板2上的金属等的遮光层实现图案化而构成掩模图案P。

通常，只要将用于等倍曝光的曝光装置的掩模图案设为与形成于被曝光体的曝光图案相同的形状以及大小即可。然而，本实施方式的掩模图案P的曝光图案的形状或大小根据场所而不同。

在光透过性基板2的表面，在沿着光透过性基板2的长边的y方向、和沿着光透过性基板2的短边的x方向上2维地形成有掩模图案P。在俯视时光透过性基板2为正方形的情况下，x方向沿着光透过性基板2的彼此连接的2条边中的一条边，y方向沿着这2条边中的另一条边。

为了对光透过性基板2上的掩模图案P的位置进行记述，在x方向上设定x坐标轴(第1坐标轴)，在y方向上设定y坐标轴(第2坐标轴)。图9中，作为一个例子，设定了将光透过性基板2的外形的一个顶点作为原点O的x坐标轴和y坐标轴。其中，xy坐标系的原点O可以设定于光透过性基板2的适当的位置。

掩模图案P由形成为与形成于被曝光体的曝光图案相同的形状图案P₁、以及形成为对该曝光图案施加了校正后的形状的图案P₂构成。

图案P₁形成为x方向上的宽度设为W_S、且沿y方向延伸成带状的单独曝光用区域R_S(第1区域)。

图案P₂形成为x方向上的宽度设为W_C且沿y方向延伸成带状的复合曝光用区域R_C(第2区域)。

单独曝光用区域R_S和复合曝光用区域R_C在x方向上交替地排列。单独曝光用区域R_S以及复合曝光用区域R_C的大小、排列间距根据后述的曝光装置的投影光学系统的结构而适当地设定。

下面，以对W_S、W_C(其中，W_C＜W_S)分别为恒定值的情况下的例子进行说明。因此，x方向上的单独曝光用区域R_S以及复合曝光用区域R_C的排列间距均为W_S+W_C。

掩模图案P的具体形状为曝光图案所需的适当的形状。

下面，作为掩模图案P的一个例子，以曝光措置的照明光透过的光透过部的俯视形状为矩形格栅的情况下的例子进行说明。这种矩形格栅状的曝光图案例如可以用于形成在液晶装置的滤色器中使用的黑矩阵(BM)。

图10中示出了单独曝光用区域R_S的图案P₁的放大图。

图案P₁的俯视呈矩形形状的遮光部3b在x方向以及y方向上排列成矩形格栅状。例如，遮光部3b的排列间距在x方向上为P_x，在y方向上为P_y。例如，在光掩模1用于形成BM的情况下，间距P_x(P_y)与x方向(y方向)上的子像素的排列间距一致。

在各遮光部3b之间形成有光透过性基板2的表面露出的光透过部3a。光透过部3a划分为沿x方向延伸的第1线状部3a_x(第1光透过部)、以及沿y方向延伸的第2线状部3a_y(第2光透过部)。即，光透过部3a具有第1线状部3a_x、以及第2线状部3a_y。

在本实施方式中的单独曝光用区域R_S，第1线状部3a_x具有恒定的线宽L_1y(第1线宽，y方向上的线宽)。第2线状部3a_y具有恒定的线宽L_1x(第2线宽，x方向上的线宽)。例如，在光掩模1用于形成BM的情况下，线宽L_1y、L_1x分别与y方向、x方向上的BM的线宽相等。

图11中示出了复合曝光用区域R_C的图案P₂的放大图。

与图案P₁相同地，图案P₂的俯视呈矩形形状的遮光部3b在x方向以及y方向上排列成矩形格栅状。例如，遮光部3b的排列间距在x方向上为P_x，在y方向上为P_y。但是，在图案P₂中，遮光部3b的大小与图案P₁的大小不同。在图11中，用于对比的单独曝光用区域R_S(图案P₁)的遮光部3b的形状由双点划线表示。

因此，在图案P₂中，光透过部3a的第1线状部3a_x、第2线状部3a_y的线宽与图案P₁的线宽不同。

在复合曝光用区域R_C，第1线状部3a_x具有在x方向上变化的线宽L_2y(x)(第3线宽)。第2线状部3a_y具有在x方向上变化的线宽L_2x(x)(第4线宽)。这里，(x)表示线宽与位置x的函数。

在本实施方式中，为了对复合曝光用区域R_C的曝光量的降低进行校正，存在L_2y(x)>L_1y、L_2x(x)>L_1x的关系。

关于L_2y(x)、L_2x(x)的具体变化，在说明了使用光掩模1的曝光装置之后进行说明。

下面，对将光掩模1用作曝光用掩模的曝光装置进行说明。

图12是表示使用本发明的第2实施方式的光掩模的曝光装置的一个例子的示意性的主视图。图13是表示使用本发明的第2实施方式的光掩模的曝光装置的一个例子的示意性的俯视图，是图12的A向视的俯视图。图14是表示用于曝光装置的视场光阑的一个例子的示意性的俯视图。图15是表示用于曝光装置的视场光阑的另外一个例子的示意性的俯视图。

如图12及图13所示，曝光装置50具有基座51、上述的本实施方式的光掩模1、照明光源52、视场光阑53以及投影光学单元55。

基座51具有用于载置被曝光体60的与水平面平行且平坦的上表面51a。基座51构成为能够利用驱动装置(省略图示。下面也一样)而在水平方向中的沿着图示的Y方向(图示的从左向右的方向)延伸的轴线O₅₁(第2轴线)的方向上移动。对于驱动装置，如图示的双点划线所示，在使基座51在Y方向上移动至移动极限之后，还能够使基座51向Y方向的相反方向移动而返回至移动开始位置。

基座51可以构成为利用省略图示的驱动装置在水平面上沿与Y方向正交的X方向(图12的从纸面里侧朝向近前侧的方向)移动。

利用曝光装置50使基于光掩模1的掩模图案P的光像的曝光图案在被曝光体60曝光。如图13所示，被曝光体60形成为俯视时小于上表面51a、且小于或等于光掩模1的大小的矩形板状。被曝光体60以其长度方向沿着Y方向的方式载置于上表面51a上。

在适当的基板上涂敷用于进行光刻的感光性的抗蚀剂而构成被曝光体60。该抗蚀剂可以是阴性抗蚀剂，也可以是阳性抗蚀剂。

在曝光装置50中，光掩模1配置于与载置于基座51的被曝光体60相对的位置。光掩模1的支撑部(省略图示)与基座51的上表面51a保持恒定的间隔，能够进行与基座51同步的移动。

曝光装置50的光掩模1配置为y坐标轴的正向朝向Y方向的相反方向、且x坐标轴沿着X方向。

照明光源52产生为了对被曝光体60进行曝光而具有使得被曝光体60上的抗蚀剂感光的波长的照明光。照明光源52在光掩模1的移动区域的上方由省略图示的支撑部件进行固定支撑。照明光源52朝向铅直下方照射照明光。

视场光阑53配置于照明光源52与光掩模1的移动区域之间。视场光阑53由省略图示的支撑部件进行固定支撑。视场光阑53对照明光源52照射的照明光进行整形、且将照明光分割为多个照明区域。

如图14所示，视场光阑53具有：在X方向上以w₁+w₂(其中，w₁＜w₂)的间距而排列的多个第1开口部53A；以及在Y方向上以距离Δ(其中，Δ>h/2，h的内容后述)平行地偏移的轴线上在X方向上以w₁+w₂的间距而排列的多个第2开口部53B。

第1开口部53A的俯视形状为顶角并非直角的等腰梯形。第1开口部53A由第1边53a、第2边53b、第3边53c以及第4边53d构成。

第1边53a为等腰梯形的上底，第2边53b为等腰梯形的下底。第1边53a、第2边53b的长度分别为w₁、w₂。第1边53a、第2边53b是在Y方向上以距离h而分离的平行线(下面，有时将距离h称为开口宽度h)。第3边53c、第4边53d是在X方向上按照该顺序配置的等腰梯形的腰。第1开口部53A的第3边53c与第4边53d之间的间隔随着朝向Y方向而逐渐增大。

第2开口部53B的俯视形状在俯视时为将第1开口部53A旋转180°后的形状。即，第2开口部53B也由第1边53a、第2边53b、第3边53c以及第4边53d构成，第2开口部53B的第3边53c与第4边53d的间隔随着朝向Y方向而逐渐减小。X方向上的第2开口部53B的位置相对于第1开口部53A以(w₁+w₂)/2而偏移。因此，第2开口部53B也配置于与2个第1开口部53A之间的中间点在Y方向上相对的位置。

通过这种配置，第1开口部53A以及第2开口部53B沿着轴线O₅₃(第1轴线，X方向)交错排列，该轴线O₅₃沿着X方向。

从Y方向观察，第1开口部53A以及第2开口部53B的第3边53c彼此、和第4边53d彼此重叠。从Y方向观察，第1开口部53A的第1边53a(或者第2边53b)和第2开口部53B的第2边53b(或者第1边53a)的端部处于相同的位置。

只要根据后述的投影光学单元55的排列等而适当地对视场光阑53的第1开口部53A以及第2开口部53B的形状、大小以及配置进行调整即可。下面，示出与第1开口部53A以及第2开口部53B相关的具体尺寸例。

(w₂-w₁)/2例如可以设为大于或等于14mm且18mm。h例如可以设为大于或等于25mm且45mm。(w₁+w₂)/2例如可以设为大于或等于95mm且小于或等于100mm。距离Δ例如可以设为大于或等于200mm且小于或等于300mm。

曝光装置50的视场光阑53例如可以与图15所示的视场光阑54置换。

视场光阑54具有：在X方向上以2w₃的间距而排列的多个第1开口部54A；以及在Y方向上以距离Δ平行地偏移的轴线上在X方向上以2w₂的间距而排列的多个第2开口部54B。

第1开口部54A的俯视形状为顶角并非直角的平行四边形。第1开口部54A由第1边54a、第2边54b、第3边54c以及第4边54d构成。第1边54a以及第2边54b是Y方向上的对边。第3边54c以及第4边54d是X方向上的对边。第1边53a以及第2边53b的长度分别为w₃。第2边54b与第3边54c之间的角度(即，第1边54a与第4边54d之间的角度)为锐角，如果将该角度设为θ，则对第3边53c以及第4边53d的各长度乘以cosθ所得的值为w₄(其中，w₄＜w₃)。

第2开口部54B的俯视形状与第1开口部54A相同。X方向上的第2开口部54B的位置相对于第1开口部54A以w₃而偏移。因此，第2开口部54B配置于与2个第1开口部54A之间的中间点在Y方向上相对的位置。

通过这种配置，第1开口部54A以及第2开口部54B沿着轴线O₅₄(第1轴线)交错排列，该轴线O₅₄(第1轴线)沿着X方向。

从Y方向观察，第1开口部54A的第3边54c和第2开口部54B的第4边54d相互重叠，第1开口部54A的第4边54d和第2开口部54B的第3边54c相互重叠。从Y方向观察，第1开口部54A的第1边54a(或者第2边54b)和第2开口部54B的第1边54a(或者第2边54b)的端部处于相同的位置。

如图12所示，投影光学单元55配置为比基座51上的被曝光体60更靠上方、且在与视场光阑53(54)之间隔着光掩模1的移动区域而相对。投影光学单元55由省略图示的支撑部件进行固定支撑。

如图13所示，投影光学单元55具有沿着轴线O₅₃交错排列的多个第1投影光学系统55A(投影光学系统)以及多个第2投影光学系统55B(投影光学系统)。

第1投影光学系统55A以及第2投影光学系统55B均是使得物体像在像面作为正立等倍像而成像的成像光学系统。第1投影光学系统55A以及第2投影光学系统55B分别配置于使得光掩模1的掩模图案P和涂敷有抗蚀剂的被曝光体60的上表面彼此处于共轭的位置关系的位置。

如图14所示，第1投影光学系统55A以能够将第1开口部53A的像投影至被曝光体60的方式配置于第1开口部53A的下方。第2投影光学系统55B以能够将第2开口部53B的像投影至被曝光体60的方式配置于第2开口部53B的下方。

以这种位置关系对第1投影光学系统55A以及第2投影光学系统55B进行配置，因此第1开口部53A以及第2开口部53B之间的间隔需要在二者之间确保某种程度的距离，以使得第1投影光学系统55A以及第2投影光学系统55B相互不干扰。因此，第1开口部53A和第2开口部53B的y方向上距离Δ例如为Y方向的开口宽度h的6倍至8倍左右的较大的值。

如图15所示，在代替视场光阑53而使用视场光阑54的情况下，第1投影光学系统55A以能够将第1开口部54A的像投影至被曝光体60的方式配置于第1开口部54A的下方。第2投影光学系统55B以能够将第2开口部54B的像投影至被曝光体60的方式配置于第2开口部54B的下方。

这里，对基于曝光装置50的曝光动作进行说明。

图16是对基于曝光装置的曝光动作进行说明的示意图。图17(a)、图17(b)是对曝光装置的有效的曝光量进行说明的示意图。图17(b)的曲线图的横轴表示x方向上的位置，纵轴表示后述的有效的曝光量。

图16中放大示出了配置于投影光学单元55下方的被曝光体60的前端部的一部分。此时，图16中并未被图示，但光掩模1在视场光阑53与投影光学单元55之间以与被曝光体60相对的方式移动。

如果将照明光源52点亮，则透过视场光阑53的各第1开口部53A、各第2开口部53B的照明光向光掩模1照射。

透过光掩模1的光透过部3a的光中的从第1开口部53A通过的光利用第1投影光学系统55A而向被曝光体60进行等倍投影，从第2开口部53B通过的光利用第2投影光学系统55B而向被曝光体60进行等倍投影。

其结果，如图16所示，作为从第1开口部53A通过的光的光像的第1光像63A、以及作为从第2开口部53B通过的光的光像的第2光像63B向被曝光体60上投影。在第1光像63A以及第2光像63B形成有与掩模图案P等的物体像对应的亮度分布。其中，图16中为了简化而省略了亮度分布的图示。

与第1开口部53A以及第2开口部53B相同地，第1光像63A以及第2光像63B在被曝光体60上沿着与x坐标轴平行的轴线O₆₃而交错排列。

如果基座51沿Y方向移动，则如图示的斜线所示，各第1光像63A以及各第2光像63B在宽度为w₂的带状的区域进行扫掠。因此，各第1光像63A以及各第2光像63B在被曝光体60上沿y方向进行扫描。

但是，第1开口部53A以及第2开口部53B在Y方向上以距离Δ而偏移。因此，第1光像63A和第2光像63B同时进行扫掠的区域在x方向上以距离(w₁+w₂)/2而偏移，并且在y方向上以距离Δ而偏移。

如果将基座51的移动速度设为v，则第2光像63B以时间差T＝Δ/v而滞后，到达与在先的第1光像63A进行扫描的区域在y方向上相同位置的其他区域。

例如，如果开始进行扫描的时刻设为t₀，则第2光像63B在时刻t₁＝t₀+T在y方向上到达与时刻t₀的第1光像63A相同的位置。此时，第2光像63B恰好嵌入在时刻t0成像的彼此在x方向上相邻的第1光像63A之间。

即，在时刻t₀，在第1光像63A排列的x方向上的区域仅利用第1光像63A而隔开间隔地曝光，但在时刻t₁，利用第2光像63B对相同区域的非曝光部进行曝光。由此，沿x方向延伸的上述区域隔开时间差T而无间隙地以带状曝光。第1光像63A的等腰梯形的腰和第2光像63B的等腰梯形的腰构成各自的曝光区域的接缝的边界。

在俯视时，光掩模1的掩模部3位于比时刻t₀的第1开口部53A的第2边53b更靠Y方向的相反方向侧的位置。图16中，作为一个例子，示出了掩模部3的y方向上的前端在时刻t₀处于与第1开口部53A的第2边53b相同的位置的情况。因此，在时刻t₀，第1光像63A的等腰梯形的下底位于掩模部3的端部。

在通过扫描而由第1光像63A扫掠的区域，通过时刻t₀以后的扫描而使得光掩模1的掩模图案P在被曝光体60上成像。掩模图案P的曝光时间为由速度v除第1开口部53A的Y方向上的开口宽度h所得的时间。在由第1开口部53A的第1边53a和第2边53b夹着的矩形形状区域，曝光时间t_f为h/v。下面，将曝光时间t_f称为全曝光时间。

但是，在第1开口部53A的由第3边53c和第2边53b夹着的三角形区域以及由第4边53d和第2边53b夹着的三角形区域，x方向上的曝光时间在0至全曝光时间的期间呈线性变化。

同样地，在通过扫描而由第2光像63B扫掠的区域，以时间差T而滞后，进行与第1光像63A相同的曝光。因此，第2光像63B扫掠的区域划分为以全曝光时间t_f进行曝光的区域、以及以小于全曝光时间t_f的时间进行曝光的区域。

以小于全曝光时间t_f的时间进行曝光的区域，是与时刻t₀的第1光像63A和时刻t₁的第2光像63B的接缝相关的曝光区域。

在本实施方式中，利用第1光像63A以及第2光像63B以全曝光时间t_f进行曝光的区域相互分离，各自构成以宽度w₁沿y方向延伸的带状的单独曝光区域A_S。

与此相对，相邻的单独曝光区域A_S之间的区域的宽度(x方向上的宽度)由(w₂-w₁)/2表示，该区域构成利用第1光像63A以小于全曝光时间t_f的时间进行曝光、且利用第2光像63B以小于全曝光时间t_f的时间进行曝光的复合曝光区域A_C。

对于复合曝光区域A_C的x方向上的各位置处的曝光时间，只有第1光像63A和第2光像63B的曝光比例不同，二者的合计的曝光时间均相等。

因此，如果第1光像63A以及第2光像63B的照明光强度相同，则单独曝光区域A_S的曝光量、和复合曝光区域A_C的曝光量彼此相等。

然而，通过本发明者的观察，例如在被曝光体60上涂敷有阳性抗蚀剂的情况下，与在被曝光体60上单独在曝光区域A_S形成的曝光图案相比，呈现出如下趋势，即，在复合曝光区域A_C形成的曝光图案的显影以及蚀刻后的光透过部(被曝光体60的表面露出的部分)的线宽略微减小。

复合曝光区域A_C以恒定宽度沿y方向延伸、且在x方向上以等间距而形成，因此线宽的变化容易被目视确认为曝光图案的带状的浓度斑点。

例如，如果利用曝光装置50而形成用于形成BM的光掩模，则形成为子像素的开口的大小不均，因此有可能形成为容易目视确认到规则的色彩斑点的液晶装置。

即使曝光时间相同而线宽也不同的理由并不明确，但可以认为受到时间差T的影响。

如果抗蚀剂(阳性抗蚀剂)被曝光则进行光化学反应，其结果，能够利用显影液将其除去。但是，抗蚀剂的光化学反应的反应的启动需要某种程度的时间。另一方面，如果曝光中断则反应迅速停止，开始的光反应会恢复为初始状态。

其结果，与连续曝光相比，断续的曝光的有效曝光时间更短，因此可以认为产生与曝光量降低的效果同样的效果。

因此，对于在复合曝光用区域R_C用于抗蚀剂的净感光的有效曝光量，如果为相同的光量，则可以认为由基于第1光像63A和基于第2光像63B的曝光时间的比率来确定。

如图17(a)示意性所示，例如，在夹于由第1光像63A扫描的单独曝光区域A_S1、和由第2光像63B扫描的单独曝光区域A_S2的复合曝光区域A_C，第1光像63A的曝光时间、和第2光像63B的曝光时间沿x方向而呈线性变化。

例如，点p₁所示的位置为与单独曝光区域A_S1的边界位置，因此基于第1光像63A的曝光时间相对于该位置处的全曝光时间的比例为100％，基于第2光像63B的曝光时间相对于该位置处的全曝光时间的比例为0％。

如果如p_n[t_A，t_B]那样表示图17(a)所示的各点的曝光时间的比率(％)，则例如为p₁[100，0]、p₂[90，10]、p₃[80，20]、p₄[70，30]、p₅[60，40]、p₆[50，50]、p₇[40，60]、p₈[30，70]、p₉[20，80]、p₁₀[20，80]、p₁₁[0，100]。下面，由x_n表示上述点p_n的x方向上的位置坐标(其中，n＝1，···，11)。

此时，如图17(b)所示，对线宽等造成影响的有效的曝光量(下面，有时简称为曝光量)在复合曝光区域A_C中，由凸向下方的近似V字状的曲线图表示。位置x₁、x₁₁处的曝光量q₁、q₁₁分别与单独曝光区域A_S的曝光量q₀相等。例如，位置x₆处的曝光量q₆低于曝光量q₀，为复合曝光区域A_C的曝光量的最小值。位置x₁、x₁₁的附近以及位置x₆的附近的曝光量的变化率平滑地变化。该曲线图关于从位置x₆通过的纵轴而左右对称。

这样，复合曝光区域A_C的曝光量由以x方向上的位置坐标作为独立变量的连续函数表示，可以简单地以阶梯状的变化进行近似。

例如，可以将区间A_n设为位置x_2n-1与位置x_2n+1之间，利用区间A_n的平均曝光量对区间A_n内的各曝光量进行近似。

本实施方式的光掩模1与这种有效的曝光量的差对应地，改变用于在单独曝光区域A_S进行曝光的单独曝光用区域R_S的图案P₁、以及用于在复合曝光区域A_C进行曝光的复合曝光用区域R_C的图案P₂。因此，在x方向上，单独曝光用区域R_S的宽度W_S与单独曝光区域A_S的宽度w₁相等。复合曝光用区域R_C的宽度W_C与复合曝光区域A_C的宽度(w₂-w₁)/2相等。

光掩模1的图案P₁形成为与被曝光体60的曝光图案相同的形状。

光掩模1的图案P₂被校正为如下形状，该形状是将复合曝光区域A_C的曝光量校正成与单独曝光区域A_S的曝光量的有效值等同的形状。具体而言，如L_2y(x)、L_2x(x)那样根据坐标x而对复合曝光用区域R_C的光透过部3a的线宽进行变更。

例如，对于与上述点p₁、p₁₁对应的x＝x₁,x₁₁，L_2y(x)＝L_1y、L_2x(x)＝L_1x。例如，对于与上述点p₆对应的x＝x₆，L_2y(x)＝L_ymin、L_2x(x)＝L_xmin。这里，L_ymin(或者L_xmin)是y方向(或者x方向)上的线宽的最小值，小于L_1y(或者L_1x)。

下面，对本实施方式的光掩模制造方法进行说明。

在本实施方式的光掩模制造方法中，通过使用扫描光束作为曝光单元的光刻法而制造光掩模1。

为了利用扫描光束对光透过部3a的形状进行变更，还可以考虑改变光掩模1的描画图案本身。然而，在该方法中，光透过部3a的形状的变更量微小，因此需要使用能够实现高分辨率的描画的扫描光束。形成这种扫描光束的光束扫描装置需要提高光学性能并进行大型化，并且有时还缩小扫描范围。

特别是在光掩模1的外形较大的情况下，为了确保所需的扫描宽度而需要大型的光束扫描装置，因此设备费、制造成本有可能增大。

还可以考虑利用光学性能较高且小型的光束扫描装置划分为多个区域而进行光束扫描，但也有可能变得容易在扫描区域的连接部产生图案的连接误差。

在本实施方式中，通过不改变描画图案而进行扫描光束的强度调制，从而仅在复合曝光用区域R_C形成校正形状。

首先，对该扫描光束的强度调制进行说明。

图18是对在本发明的第2实施方式的光掩模制造方法中使用的扫描光束的光束强度的例子进行说明的示意性的曲线图。图18中的横轴表示x方向上的位置，纵轴表示光束强度。图19是对本发明的第2实施方式的光掩模制造方法的光束强度数据的设定方法进行说明的示意图。

在本实施方式中，为了对由图17(b)的曲线图表示的有效的曝光量的变化进行校正，基于图18所示的曲线图而对制造光掩模1时的扫描光束的光束强度进行控制。此外，在本实施方式中，为了制造光掩模1而在光透过性基板2的表面涂敷阳性抗蚀剂。因而，图18所示的光束强度也设定为适合于涂敷于光透过性基板2的阳性抗蚀剂的曝光。

图18的横轴上的位置x₁至x₁₁表示与图17(b)中的复合曝光区域A_C对应的复合曝光用区域R_C内的位置。比位置x₁更靠图示的左侧的位置、比位置x₁₁更靠图示的右侧的位置分别表示与图17(a)中的单独曝光区域A_S1、A_S2对应的单独曝光用区域R_S1、R_S2。

如图18所示，扫描光束的光束强度在复合曝光用区域R_C中由向上的凸状(倒V字状)的曲线图表示。位置x₁(或者x₁₁)是单独曝光用区域R_S1(或者R_S2)与复合曝光用区域R_C的边界点，因此各光束强度值I₁＝I(x₁)、I₁₁＝I(x₁)与单独曝光用区域R_S中的光束强度值I₀相等。

例如，位置x₆处的光束强度值I₆＝I(x₆)高于光束强度值I₀，为复合曝光用区域R_C中的光束强度的最大值。位置x₁、x₁₁的附近以及位置x₆的附近的光束强度值I(x)的变化率平滑地变化。

该曲线图关于从位置x₆通过的纵轴而左右对称。

这样，复合曝光用区域R_C中的光束强度值I(x)由以x方向的位置坐标为独立变量的曲线状的连续函数表示。例如通过实验等求出复合曝光区域A_C中所需的线宽校正量而确定I(x)的具体的函数形状。根据光掩模1的制造工序的条件的光束强度值和线宽的关系进行数值模拟或者实验而求出用于实现线宽校正量的光束强度值。

此外，可以简易地以阶梯状的函数对光束强度值I(x)进行近似。

例如，可以利用区间A_n的平均光束强度对区间A_n内的各光束强度进行近似(参照图示的虚线)。

光束强度值I(x)还可以作为基于下式(1)的参数λ的函数而表示为I＝f(λ)。

[数学式2]

这里，E1表示基于第1光像63A的曝光率，E2表示基于第2光像63B的曝光率。曝光率是指特定位置处的所有曝光量的特定的光源(例如，从第1开口部53A通过的照明光、从第2开口部53B通过的照明光)的曝光量的比率。

这种曝光率为x的函数，因此参数λ也是x的函数。例如，在位置x₁(或者x₁₁)处变为E1＝1、E2＝0(或者E1＝0、E2＝1)，因此λ＝1，在位置x₆处变为E1＝0.5、E2＝0.5，因此λ＝0。

f(λ)在λ＝0时获得最大值，随着λ从0向1变化而以接近I₀的方式变化。f(λ)为广义上的单调递减函数。

作为具体的光束强度的设定方法，可以基于图18的曲线图而设定为了对复合曝光用区域R_C进行扫描的扫描光束的光束强度(下面，一律称为设定法)。在该情况下，例如即使如光透过部3a的线宽的中心部那样改变光束强度，在未对光透过部3a的线宽造成影响的部位，如果该部位位于复合曝光用区域R_C内，则光束强度也增大。

与此相对，可以在复合曝光用区域R_C选择对光透过部3a的线宽造成影响的部位，基于图18的曲线图而设定光束强度(下面，称为选择设定法)。具体而言，至少基于图18而设定与复合曝光用区域R_C中将扫描光束断开的扫描位置相邻地将扫描光束接通的位置(下面，称为边缘扫描位置)处的光束强度。

图19是示意性地表示基于选择设定法的光束强度设定的一个例子。

扫描光束B将x方向作为主扫描方向而对光透过性基板2进行光栅扫描。在单独曝光用区域R_S，作为扫描光束B而使用设定为光束强度值I₀(第1光束强度值)的扫描光束B₀。

遮光部3b在单独曝光用区域R_S形成为与被曝光体60的曝光图案一致的大小的矩形形状。与此相对，在本实施方式中，在复合曝光用区域R_C形成有朝向复合曝光用区域R_C的x方向的中心部而大小逐渐缩小的遮光部3b_F、’3b_S。因此，遮光部3b_F、3b_S的边缘扫描位置处的扫描光束B₁、B₂分别设定为大于光束强度值I₀的光束强度值I_F、I_S(第2光束强度值)。其中，I_F＜I_S。

例如，在扫描线a上，在遮光部3b、3b’之间，扫描光束B作为B₀、B₀、B₀、B₁而按照该顺序进行扫描。在遮光部3b’上，将扫描光束B断开。在遮光部3b_F、3b_S之间，扫描光束B作为B₁、B₀、B₀、B₂而按照该顺序进行扫描。

沿着从遮光部3b、3b_F、3b_S的边缘扫描位置通过的扫描线b、e进行扫描的扫描光束B，在从遮光部3b_F、3b_S的边缘扫描位置通过的位置处，分别形成为扫描光束B₁、B₂，在除此以外的位置形成为扫描光束B₀。

对于未从遮光部3b_F、3b_S的边缘扫描位置通过的扫描线c、d，扫描光束B全部形成为扫描光束B₀。

在复合曝光用区域R_C，对除了边缘扫描位置以外的位置进行扫描的扫描光束B₀的光束强度值为I₀。此外，该光束强度值可以设定为第3光束强度值I_T。光束强度值I_T设定为大于或等于I₀且小于或等于I_S的值。即，光束强度值I_T设定为小于或等于复合曝光用区域R_C中的第2光束强度值的最大值。

下面，对本实施方式的光掩模制造方法的各工序进行说明。

图20是表示本发明的第2实施方式的光掩模制造方法的一个例子的流程图。图21(a)、(b)、(c)、(d)是对本发明的第2实施方式的光掩模制造方法的光束强度数据的设定例进行说明的示意图。图22(a)、(b)、(c)、(d)、(e)是本发明的第2实施方式的光掩模制造方法的工序说明图。

在本实施方式的光掩模制造方法中，为了制造光掩模1，按照图20所示的流程而执行图20所示的步骤S1～S4。

利用内置有用于进行下面的动作的运算处理程序的数据处理装置，以自动的方式或者基于操作者的操作输入而通过对话处理执行下面的步骤S1～S3。例如利用包含光束扫描装置、显影装置、蚀刻装置在内的光掩模制造系统执行步骤S4。

在步骤S1中，制作用于制造光掩模1的掩模图案P的描画数据。描画数据是指为了形成掩模图案P而用于对扫描光束进行接通断开的数据。例如通过将掩模图案P的CAD设计数据中的光透过部3a、遮光部3b的位置坐标转换为与射出扫描光束的光束扫描装置对应的驱动用的数据而生成描画数据。

至此，步骤S1结束。

在步骤S1之后，执行步骤S2。在步骤S2中，光掩模形成体的表面区分为单独曝光用区域R_S、以及复合曝光用区域R_C。

配置于曝光装置50光掩模1的形状以及视场光阑53的位置关系、以及视场光阑53的第1开口部53A、第2开口部53B的形状和位置信息预先或者在步骤S2的执行中输入至数据处理装置。

数据处理装置基于上述输入信息、并基于用于形成光掩模1的光掩模形成体的表面的坐标系，生成对单独曝光用区域R_S和复合曝光用区域R_C加以区分的信息。

至此，步骤S2结束。

在步骤S2之后，执行步骤S3。在步骤S3中，区分单独曝光用区域R_S和复合曝光用区域R_C而设定扫描光束的光束强度数据。下面，对基于上述的选择设定法的动作进行说明。

用于形成单独曝光用区域R_S的图案P₁的光束强度值、以及用于形成复合曝光用区域R_C的图案P₂的边缘扫描位置处的光束强度值预先或者在步骤S3的执行中输入至数据处理装置。

数据处理装置基于上述输入信息，例如将上述I₀设定为单独曝光用区域R_S的光束强度值。

数据处理装置对复合曝光用区域R_C的描画数据进行解析并提取边缘扫描位置。数据处理装置将与边缘扫描位置的x坐标对应的光束强度值I(x)(第2光束强度值)设定为边缘扫描位置的光束强度值。在数据处理装置中，例如可以进行数据映射而保持光束强度值I(x)，也可以保持为函数。作为函数，例如可以保持为上述的I＝f(λ)那样的函数。

数据处理装置在复合曝光用区域R_C将上述I₀设定为边缘扫描位置以外的光束强度数据中的光束强度值。

例如，图21(b)、(c)、(d)中示出了图21(a)所示的掩模图案P的光束强度数据的例子。其中，图21(b)、(c)、(d)中的纵轴表示对描画数据和光束强度数据进行合成并实际进行扫描的扫描光束的光束强度。

例如，在如图21(a)中的扫描线y₁那样在方向上横穿遮光部3b的形成位置的情况下，如图21(b)中折线100所示，在遮光部3b上将扫描光束断开。在光透过部3a上，在单独曝光用区域R_S、以及除了边缘扫描位置以外的复合曝光用区域R_C，光束强度值设为I₀。在复合曝光用区域R_C的边缘扫描位置处设定大小变化的光束强度值I(x)。光束强度值I(x)的包络线101如朝向图示上侧的凸状所示那样变化。

例如，在如图21(a)中的扫描线y₂那样横穿在y方向上相邻的光透过部3a的形成位置之间的情况下，如图21(c)中直线102所示，光束强度值设为I₀。

例如，在如图21(a)中的扫描线y₃那样从沿遮光部3b的x方向延伸的边缘扫描位置通过的情况下，如图21(d)中曲线103所示，在单独曝光用区域R_S、以及除了边缘扫描位置以外的复合曝光用区域R_C，光束强度值设为I₀。在复合曝光用区域R_C中的边缘扫描位置，设定光束强度值I(x)。其中，在扫描线y₃上，边缘扫描位置沿x方向延伸，因此曲线103以凸向图示上侧的山形的梳齿状而变化。

如果设定了所有光束强度数据，则步骤S3结束。

在步骤S3之后，执行步骤S4。在步骤S4中，通过使用基于描画数据以及光束强度数据的扫描光束的光刻而对掩模形成体的表面进行图案化。

如图22(a)所示，光掩模形成体11在光透过性基板2的表面层叠构成有由构成掩模部3的材料形成的遮光层13。作为遮光层13的层叠方法，例如可以使用蒸镀、溅射等。

在形成光掩模形成体11之后对遮光层13进行图案化，因此将抗蚀剂14涂敷于遮光层13上。

抗蚀剂14使用利用后述的扫描光束B进行感光的适当的抗蚀剂用材料(阳性抗蚀剂)。

此后，将涂敷有抗蚀剂14的光掩模形成体11搬入至光掩模制造系统。

如图22(c)所示，利用从光掩模制造系统的光束扫描装置15射出的扫描光束B以2维方式对抗蚀剂14进行扫描。

作为扫描光束B，使用使抗蚀剂14感光的适当的能量光束。例如，扫描光束B可以采用激光光束、电子光束等能量光束。

基于输入至光束扫描装置15的描画数据以及光束强度数据，利用光束扫描装置15对扫描光束B的接通断开以及接通时的光束强度值进行控制。

抗蚀剂14在扫描光束B的照射范围感光。如果光束强度值增大，则基于扫描光束B的感光范围变得更大。因此，在光束强度值设定为大于I₀的值的边缘扫描位置，感光范围与光束强度值的大小相应地扩大。

如果光掩模形成体11整体的扫描结束，则利用显影装置进行显影。其结果，如图22(d)所示，感光后的抗蚀剂14被从遮光层13上除去。抗蚀剂14作为残存抗蚀剂14A而残留于未被扫描光束B照射的区域。

此后，利用蚀刻装置将残存抗蚀剂14A、以及在残存抗蚀剂14A之间露出的遮光层13除去。

如图22(e)所示，通过这种蚀刻，使遮光层13实现图案化而形成为与残存抗蚀剂14A相同的形状。其结果，制造出在光透过性基板2上形成有掩模部3的光掩模1。

根据这样制造的光掩模1，将复合曝光用区域R_C的掩模部3的形状校正为使得光透过部3a比曝光图案更大。因此，如果将光掩模1用于曝光装置50，则因基于曝光装置50的第1光像63A以及第2光像63B的曝光区域的接缝而引起的有效的曝光量不足得到校正。其结果，在利用光掩模1且由曝光装置50进行曝光后的被曝光体60上，复合曝光用区域R_C中的曝光量不足得到校正，因此曝光图案的形状精度得到提高。

根据本实施方式的光掩模制造方法，为了制造对因曝光装置的曝光区域的接缝而引起的制造误差进行校正的光掩模1，对扫描光束进行强度调制。因此，能够容易且廉价地进行复合曝光用区域R_C中的掩模部3的微小的形状校正。

例如，与本实施方式不同地，还可以考虑使得扫描光束的光束强度恒定而在校正形状的范围将扫描光束接通或断开的制造方法。然而，在这种制造方法中，为了进行微小量的校正，需要高分辨率的光束扫描装置以能够将校正范围分割为充分细的范围。因此，设备费用和制造时间有时会增大。

与此相对，根据扫描光束的强度调制，仅适当地设定光束强度数据就能够细微地对曝光范围的大小进行变更。描画数据并不取决于校正量的大小，可以使用与设计上的曝光图案对应的描画数据。

因此，在本实施方式中，在进行与未进行校正的情况大致相同的扫描的期间，能够通过强度调制而迅速且高精度地形成校正形状。

此外，在上述第2实施方式的说明中，以掩模部3的光透过部3a由矩形格栅状的线状图案构成的情况的例子进行了说明。然而，掩模部3的掩模图案P并不限定于这种扫描方向以及与扫描方向正交的线状图案的组合。

可以根据被曝光体60的曝光图案的需要而对掩模图案P的形状进行变更。此时，对于上述线宽，只要在曝光图案中置换为扫描方向以及与扫描方向正交的方向上的分量的间隔而设定光束强度数据即可。

在上述第2实施方式的说明中，以投影光学单元55对X方向上的被曝光体60的整个宽度进行曝光的情况的例子进行了说明。然而，如果能够利用单个光掩模1对被曝光体60的曝光图案进行曝光，则投影光学单元55可以是将X方向上的一部分覆盖的大小。在该情况下，通过在X方向上偏移而多次地进行曝光装置50的Y方向上的扫描曝光，使得被曝光体60的整体曝光。

在上述第2实施方式中，在光掩模1的制造过程中，涂敷于光透过性基板2的抗蚀剂为阳性抗蚀剂。然而，本发明并不限定于该结构，可以将阴性抗蚀剂涂敷于光透过性基板2。在该情况下，为了制造图9至图11所示的光掩模1，对相当于遮光部3b的部分照射光束，对相当于光透过部3a的部分不照射光束。为了利用阴性抗蚀剂而制作图11所示的掩模图案，可以考虑使得复合曝光用区域R_C内的边缘扫描位置处的光束强度值降低为低于单独曝光用区域R_S中的光束强度值I₀。在光束强度值设定为小于I₀的值的边缘扫描位置，感光范围与光束强度值的大小相应地减小。此外，在复合曝光用区域R_C，只要将对除了边缘扫描位置以外的位置进行扫描的扫描光束的光束强度值设为I₀即可。

另外，如果将该情况下的边缘扫描位置处的光束强度值I(x)表示为基于上式(1)的参数λ的函数f₂(λ)，则f₂(λ)在λ＝0获得最小值，以随着λ从0向1而接近I₀的方式进行变化，变为广义上的单调递增函数。

即，在本发明中，只要使得复合曝光用区域R_C中的边缘扫描位置的光束强度值与单独曝光用区域R_S中的光束强度值不同即可。

在上述第2实施方式中，光掩模1的光透过部3a形成为沿x方向或者y方向延伸的形状，遮光部3b形成为由光透过部3a包围的俯视时的矩形形状。然而，本发明并不限定于该结构，也可以与被曝光体60的曝光图案、涂敷于被曝光体60的抗蚀剂的种类(阳性抗蚀剂、阴性抗蚀剂)相应地，光掩模的掩模图案例如是使图9的光掩模1的光透过部以及遮光部反转得到的结构。即，遮光部可以形成为沿x方向或者y方向延伸的形状，光透过部可以形成为由该遮光部包围的俯视时的矩形形状。在这种结构中，如果涂敷于光掩模的光透过性基板的抗蚀剂是阳性抗蚀剂，则对相当于上述光透过部的部分照射光束。如果涂敷于光掩模的光透过性基板的抗蚀剂是阴性抗蚀剂，则对相当于上述遮光部的部分照射光束。

在上述第2实施方式中，通过使复合曝光用区域R_C内的边缘扫描位置的光束强度值高于单独曝光用区域R_S中的光束强度值，从而对光透过部3a的形状进行变更。然而，本发明并不限定于该结构，例如可以通过对光掩模1的描画图案进行变更，从而对光透过部3a的形状进行变更。

此外，在使得复合曝光用区域R_C内的掩模图案的线宽大于单独曝光用区域R_S内的掩模图案的线宽的情况下，可以设定为随着接近复合曝光用区域R_C的x方向上的中心部而线宽逐渐增大。另一方面，在使得复合曝光用区域R_C内的掩模图案的线宽小于单独曝光用区域R_S内的掩模图案的线宽的情况下，可以设定为随着接近复合曝光用区域R_C的x方向上的中心部而线宽逐渐减小。即，复合曝光用区域R_C与单独曝光用区域R_S之间的掩模图案的线宽的差可以设定为随着接近复合曝光用区域R_C的x方向上的中心部而逐渐增大。

在上述第2实施方式中，x方向和y方向在俯视时相互正交，但两个方向在俯视时也可以不正交地相交叉。即使在该情况下，也只要y方向和Y方向相互平行即可。

可以将上述第1以及第2实施方式的各结构均应用于光掩模、光掩模的制造方法。例如，可以利用第2实施方式中说明的光掩模的制造方法而制造图5、图6所示的第1实施方式的光掩模。

以上对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。在未脱离本发明的主旨的范围内，可以进行结构的附加、省略、置换以及其他变更。

另外，本发明并不受到前述说明的限定，仅由所附的权利要求书来限定。

工业实用性

本发明的光掩模以及使用该光掩模的滤色器的制造方法可以适当用于要求较高的显示品质的彩色液晶显示器面板以及使用该彩色液晶显示器面板的高精细液晶显示装置的制造。

另外，近年来即使在固体拍摄元件的制造中，也呈现出使用扫描曝光装置的趋势，本发明的光掩模可以适当用于这种固体拍摄元件用的滤色器、微透镜的制造。

标号的说明

31 曝光光

32 光掩模

33 投影透镜

34 基板

35 载台

36 曝光区域

36a 连接部

37 遮光区域

38 具有着色像素图案的光掩模

38a、38b 具有着色像素图案的光掩模的一部分

39 具有黑矩阵图案的光掩模

39a 具有黑矩阵图案的光掩模的一部分

CL1 基于测定值得到的特性曲线

CL2 校正曲线

SA1 不包含连接部的扫描区域

SA2 包含连接部的扫描区域

C3n 1个着色像素图案

Claims (14)

1.一种光掩模，其用于具有由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光，其中，

在包含所述多透镜的连接部在内的通过扫描曝光进行转印的区域存在的所述光掩模的多个图案的线宽，是针对与在不包含所述连接部在内的通过扫描曝光进行转印的区域存在的所述光掩模的所述图案相同的图案的线宽进行校正后的线宽。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其中，

所述多个图案的所述校正后的线宽，是在与扫描方向正交的方向上针对每个所述图案而阶梯式地变化的线宽。

3.根据权利要求2所述的光掩模，其中，

所述多个图案的所述校正后的线宽，是进一步在扫描方向上针对每个所述图案而阶梯式地变化的线宽。

4.根据权利要求2或3所述的光掩模，其中，

所述阶梯式地变化的线宽包含基于随机数的校正分量。

5.一种光掩模，其形成有：第1光透过部，其在俯视时在沿着第1坐标轴的方向上以线状而延伸；以及第2光透过部，其在所述俯视时在沿着与所述第1坐标轴相交叉的第2坐标轴的方向上以线状而延伸，其中，

所述光掩模具有：沿着所述第1坐标轴的方向上的第1区域，在该第1区域中，所述第1光透过部具有恒定的第1线宽，所述第2光透过部具有恒定的第2线宽；以及

沿着所述第1坐标轴的方向上的第2区域，在该第2区域中，所述第1光透过部具有比所述第1线宽更大的第3线宽，所述第2光透过部具有比所述第2线宽更大的第4线宽，

在沿着所述第1坐标轴的方向上，所述第1区域和所述第2区域交替地排列。

6.一种光掩模制造方法，其利用基于俯视时沿第1轴线交错排列的多个投影光学系统得到的光像，制造在曝光装置使用的形成所述光像用的光掩模，该曝光装置通过在沿着与所述第1轴线相交叉的第2轴线的方向上对被曝光体进行扫描而使得所述被曝光体曝光，其中，包含如下工序：

在光掩模形成体上设定与所述第1轴线对应的第1坐标轴以及与所述第2轴线对应的第2坐标轴，与所述被曝光体上的曝光图案的形状相应地，制作用于在所述光掩模形成体上使得扫描光束接通断开的描画数据；

将所述光掩模形成体的表面区分为单独曝光用区域以及复合曝光用区域，在所述单独曝光用区域中，利用所述曝光装置中基于所述多个投影光学系统中的单独的第1投影光学系统的第1光像或者基于单独的第2投影光学系统的第2光像，进行沿着所述第2轴线的方向上的扫描，在所述复合曝光用区域中，利用基于所述第1投影光学系统以及第2投影光学系统的所述第1光像以及第2光像进行沿着所述第2轴线的方向上的扫描；

区分所述单独曝光用区域和所述复合曝光用区域而设定所述扫描光束的光束强度数据；

将抗蚀剂涂敷于所述光掩模形成体上；以及

在所述抗蚀剂上，使基于所述描画数据以及所述光束强度数据而驱动的所述扫描光束进行扫描，

所述光束强度数据在所述单独曝光用区域内设定为第1光束强度值，

在所述复合曝光用区域内与将所述扫描光束断开的扫描位置相邻而将所述扫描光束接通的边缘扫描位置处，设定为与所述第1光束强度值不同的第2光束强度值。

7.根据权利要求6所述的光掩模制造方法，其中，

所述第2光束强度值高于所述第1光束强度值。

8.根据权利要求7所述的光掩模制造方法，其中，

所述光束强度数据在所述复合曝光用区域内除了所述边缘扫描位置以外的扫描位置处，设定为第3光束强度值，该第3光束强度值大于或等于所述第1光束强度值且小于或等于所述第2光束强度值的最大值。

9.根据权利要求8所述的光掩模制造方法，其中，

所述第3光束强度值与所述第1光束强度值相等。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的光掩模制造方法，其中，

在将所述边缘扫描位置的基于所述第1光像的曝光率设为E1、且将基于所述第2光像的曝光率设为E2时，所述第2光束强度值设定为由下述式(1)表示的λ的函数：

[数学式1]

11.根据权利要求10所述的光掩模制造方法，其中，

所述第2光束强度值在λ＝0时获得最大值，随着λ从0朝向1而接近所述第1光束强度值。

12.根据权利要求6所述的光掩模制造方法，其中，

所述第2光束强度值低于所述第1光束强度值。

13.根据权利要求6至12中任一项所述的光掩模制造方法，其中，

以在沿所述第1坐标轴以及所述第2坐标轴而延伸的格栅状的区域内将所述扫描光束接通的方式设定所述描画数据。

14.一种滤色器的制造方法，其是基于具有由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光实现的滤色器的制造方法，其中，

利用权利要求1至权利要求4中任1项所述的光掩模对设置于玻璃基板或者硅基板上的抗蚀剂进行图案曝光。