CN109686744B - Tft基板、oled显示面板及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种TFT基板、OLED显示面板及制作方法，本发明技术方案中，在基底上设置栅极，在栅极背离基底的一侧设置栅介质层，在栅介质层背离栅极的一侧设置第一电极，第一电极为金属网格，在第一电极背离栅介质层的一侧设置沟道层，在沟道层背离第一电极的一侧设置第二电极，将TFT元件的栅极、第一电极、沟道层以及第二电极依次层叠设置，形成立体驱动结构的TFT元件，而且设置第一电极为金属网格，可以使得光线通过第一电极，使得光线在TFT元件内传输。

Description

TFT基板、OLED显示面板及制作方法

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，更具体的说，涉及一种TFT基板、OLED(有机发光二极管)显示面板及制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们人日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

电子设备实现显示功能的主要部件是显示面板。显示面板需要通过TFT(薄膜晶体管)基板进行显示驱动。如图1所示，图1为现有技术中一种TFT基板的结构示意图，图1所示TFT基板包括多个阵列排布的TFT元件。TFT元件包括栅极2、沟道层4、第一电极5以及第二电极6。具体的，所示阵列基板包括：基底1，设置在基底上的栅极2，覆盖栅极2的栅介质层3，设置在栅介质层3背离栅极2一侧表面的沟道层4、第一电极5和第二电极6，以及覆盖沟道层4、第一电极5和第二电极6的绝缘层7。其中，沟道层4与栅极2正对设置，第一电极5与第二电极6均与沟道层部分交叠接触。其中，第一电极5与第二电极6中的一者为源极，另一者为漏极。

如图1所示，现有TFT基板中，TFT元件一般是第一电极5和第二电极6位于同一层，二者均是不透光金属层。

发明内容

有鉴于此，本发明技术方案提供了一种TFT基板、OLED显示面板及制作方法，将TFT元件的栅极、第一电极、沟道层以及第二电极依次层叠设置，且设置第一电极为金属网格，可以使得光线通过第一电极，使得光线在TFT元件内传输。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种TFT基板，所述TFT基板包括：

基底；

设置在所述基底上的栅极；

设置在所述栅极背离所述基底一侧的栅介质层；

设置在所述栅介质层背离所述栅极一侧的第一电极；所述第一电极为金属网格；

设置在所述第一电极背离所述栅介质层一侧的沟道层；

设置在所述沟道层背离所述第一电极一侧的第二电极。

本发明还提供了一种TFT基板的制作方法，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成栅极；

在所述栅极背离所述基底的一侧形成栅介质层；

在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极，所述第一电极为金属网格；

在所述第一电极背离所述栅介质层的一侧形成沟道层；

在所述沟道层背离所述第一电极的一侧形成第二电极。

本发明还提供了一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括：

OLED元件以及上述任一项所述的TFT基板；

其中，所述OLED元件位于所述TFT基板的第二电极与所述TFT基板的第一电极之间，所述第一电极用于作为所述OLED元件的阳极，所述第二电极用于作为所述OLED元件的阴极。

本发明还提供了一种OLED显示面板的制作方法，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成栅极；

在所述栅极背离所述基底的一侧形成栅介质层；

在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极，所述第一电极为金属网格；

在所述第一电极背离所述栅介质层的一侧形成沟道层；

在所述沟道层背离所述第一电极的一侧形成OLED元件；

在所述OLED元件背离所述沟道层背的一侧形成第二电极；

其中，所述第一电极用于作为所述OLED元件的阳极，所述第二电极用于作为所述OLED元件的阴极。

通过上述描述可知，本发明技术方案提供的TFT基板、OLED显示面板及制作方法中，在基底上设置栅极，在栅极背离基底的一侧设置栅介质层，在栅介质层背离栅极的一侧设置第一电极，第一电极为金属网格，在第一电极背离栅介质层的一侧设置沟道层，在沟道层背离第一电极的一侧设置第二电极，将TFT元件的栅极、第一电极、沟道层以及第二电极依次层叠设置，形成立体驱动结构的TFT元件，而且设置第一电极为金属网格，可以使得光线通过第一电极，使得光线在TFT元件内传输。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为现有技术中一种TFT基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种立体驱动结构的TFT基板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种TFT基板的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种金属网格结构的第一电极的俯视图；

图6为本发明实施例提供的另一种金属网格结构的第一电极的俯视图；

图7为本发明实施例提供的又一种金属网格结构的第一电极的俯视图；

图8为本发明实施例提供的又一种金属网格结构的第一电极的俯视图；

图9为本发明实施例提供的一种集成有OLED元件的TFT基板的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种TFT基板制作方法的流程示意图；

图11为本发明实施例提供的一种OLED显示面板制作方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

如背景技术所述，图1所示TFT基板中，TFT元件一般是第一电极5和第二电极6位于同一层，二者均是不透光金属层。采用该TFT基板驱动显示面板的像素进行图像显示时，需要将TFT原件与像素单元的显示区分别设置，将TFT原件设置在像素单元之间不透光的区域，增大像素单元间隙，降低开口率。

参考图2，图2为本发明实施例提供的一种立体驱动结构的TFT基板的结构示意图，图2所示TFT基板包括：基底11；设置在基底11表面的栅极12；设置在栅极背离基底11一侧的栅介质层13，设置在栅介质层13背离栅极12一侧的第一电极15。

可选的，本实施例中TFT基板还包括设置在栅介质层13背离栅极12一侧的缓冲层14；则第一电极15设置在缓冲层14背离栅介质层13的一侧。

沟道层16设置在第一电极15背离基底11的一侧；设置在沟道层16背离第一电极15一侧的第二电极17。

其中，第一电极15与第二电极17中的一者为源极，另一者为漏极。如本发明实施例中，可以设置第一电极15为源极，第二电极17为漏极。

图2所示阵列基板中，将TFT元件的栅极12、第一电极15、沟道层16以及第二电极依次层叠设置，形成立体驱动结构的TFT元件。

可选的，还可以设置栅极12为透明电极，如可以为ITO电极。

可选的，设置第一电极15为金属网格，因此光线可以穿过第一电极15。

可选的，设置栅介质层13、缓冲层14以及沟道层16均为透明结构，可以使得光线在TFT元件内传输。

可选的，设置基底11为透明基底，将OLED元件集成在TFT元件内，如图3所示，形成采用立体驱动结构的TFT元件进行显示驱动的OLED显示面板。

通过本实施例，可以形成立体结构的TFT元件的TFT基板，一方面，通过立体结构的TFT元件节省了TFT元件在显示面板中的占用面积，节省了排布空间；另一方面，本实施例的TFT基板中虽然将TFT元件中的多个膜层(尤其TFT的源漏极)堆叠，但是由于第一电极15为金属网格，光线可以穿过第一电极15，对应透明显示面板来说，不会造成由于多个膜层堆叠造成光线透过率降低。可以使得光线在TFT元件内传输，这样，可以将TFT元件与OLED元件堆叠集成，如图3所示。再一方面，由于第一电极15为金属网格，可以避免第一电极15对TFT的正常感应造成屏蔽。例如，栅极12与沟道层16之间需要产生感应及必要的电场，才能保证TFT元件的正常开关控制，通过本实施例提供的TFT基板即可以兼具膜层堆叠减小占用基板面积的优点，又可以避免由于膜层堆叠造成的对有用的电场的屏蔽。

参考图3，图3为本发明实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图，图3所示OLED显示面板，在图2所示TFT基板基础上，将OLED元件18集成在TFT元件内。具体的，将OLED元件18设置在第二电极17与沟道层16之间。复用第二电极17作为OLED元件18的阴极，复用第一电极15作为OLED元件18的阳极。其中，OLED元件18至少包括依次设置的空穴传输层181、有机发光层182以及电子传输层183。

通过本实施例，如图3所示OLED显示面板中，立体驱动结构的TFT元件内部可以传输光线，OLED元件18发射的光线可以通过基板11向下出射，将OLED元件18集成在TFT元件内，无需单独的不透光区域设置TFT元件，提高了像素开口率，可以提高显示面板的亮度以及分辨率。

现有技术中一种方式是采用碳纳米管作为TFT元件的第一电极15，但是，由于采用碳纳米管线制作第一电极15，与现有制备TFT元件的工艺方法以及工艺设备不兼容，需要专门独立的生产线以及生产设备，使得制作工艺复杂，制作成本高。

为了解决上述问题，本发明实施例所述技术方案在立体驱动结构的TFT元件中，采用金属网格作为第一电极，相对于碳纳米管线作为第一电极的方式，金属网格第一电极可以使用现有的金属材料制作金属网格，而现有制作TFT基板的工艺和设备一般都是采用金属材料制备第一电极和第二电极，本发明实施例所述技术方案与现有工艺方法以及工艺设备的，采用现有工艺设备，对现有工艺方法进行适应性调整即可以制备具有立体驱动结构TFT元件的TFT基板，制作工艺简单，制作成本低。

参考图4，图4为本发明实施例提供的一种TFT基板的结构示意图，该TFT基板包括：基底21；设置在所述基底21上的栅极22；设置在所述栅极22背离所述基底21一侧的栅介质层23；设置在所述栅介质层23背离所述栅极22一侧的第一电极24，所述第一电极24为金属网格；设置在所述源24背离所述栅介质层23一侧的沟道层25；设置在所述沟道层25背离所述第一电极24一侧的第二电极26。同样，第一电极24与第二电极26中的一者为源极，另一者为漏极，如可以设置第一电极24为源极，第二电极26为漏极。

本发明实施例所述TFT基板中，在基底21上设置栅极22，在栅极22背离基底21的一侧设置栅介质层23，在栅介质层23背离栅极22的一侧设置第一电极24，第一电极24为金属网格，在第一电极24背离栅介质23层的一侧设置沟道层25，在沟道层25背离第一电极24的一侧设置第二电极26，将TFT元件的栅极22、第一电极24、沟道层25以及第二电极26依次层叠设置，形成立体驱动结构的TFT元件，而且设置第一电极24为金属网格，可以使得光线通过第一电极24，使得光线在TFT元件内传输。

同样，金属网格作为源极24可以使得避免屏蔽栅极22与沟道层25之间电场，保证TFT元件的正常工作，形成立体驱动结构的TFT元件，而且具有一定的透光性能，可以使得光线在TFT元件内传输。

而且，图1所示现有TFT元件中，第一电极5和第二电极6采用同一层金属制备，第一电极5以及第二电极6的区域比较小，在保证一定电接触性能的条件下，需要电极具有足够的面积与沟道层4电接触，如果采用金属网格结构，将会减少电接触面积，故图1所示方式不足以形成金属网格结构。而本发明实施例所述TFT基板中，采用立体驱动结构的TFT元件及第一电极金属网格化的结合设计，栅极22、第一电极24、沟道层25以及第二电极26依次层叠设置，这样，同样区域内，相对于图1所示方式，本实施例既可以提高透明显示面板的透过率，还可以保证TFT的电接触性能。

本发明实施例所述TFT基板中，所述第一电极24包括金属层以及贯穿所述金属层的镂空区域。具体的，所述镂空区域包括多条平行的条形开口、多个点阵排布的多边形开口、多个点阵排布的圆形开口以及多条曲线开口中的至少一种。

参考图5，图5为本发明实施例提供的一种金属网格结构的第一电极的俯视图，图5所示第一电极24包括金属层241以及贯穿所述金属层241的镂空区域242。该方式中，镂空区域242为五边形开口。可选的，镂空区域均匀分布在所述第一电极上。通过本实施例的第一电极设置，可以提高立式TFT元件的电学性能。例如，栅极12与沟道层16之间需要产生感应及必要的电场，增大这些需要产生感应的膜层之间的有效交叠面积(无其他导电层屏蔽的交叠面积)可以提高器件的灵敏度，通过本实施例可以使所述有效交叠面积均匀分布在需要产生感应的区域。例如沟道层16，通过本实施例可以在其上均匀产生感应沟道。

参考图6，图6为本发明实施例提供的另一种金属网格结构的第一电极的俯视图，图6所示方式第一电极24包括金属层241以及贯穿所述金属层241的镂空区域242。该方式中，镂空区域242为多条形成的条形开口。

参考图7，图7为本发明实施例提供的又一种金属网格结构的第一电极的俯视图，图7所示方式第一电极24包括金属层241以及贯穿所述金属层241的镂空区域242。该方式中，镂空区域242为多条曲线开口。

在图5-图7所示方式中，第一电极24的镂空区域242均是采用相同的一种图形结构的开口，其他方式中，也可以设置第一电极24也可以具有多种不同图形结构的开口。本发明实施例中，所述金属层241上的开口可以是规则图形开口，比如度变形、直线条状、折现条状等，也可以为任意不规则图形。

参考图8，图8为本发明实施例提供的又一种金属网格结构的第一电极的俯视图，图8所示方式第一电极24包括：多条沿第一方向的第一金属线A，第一金属线A相互平行且间隔分布；以及多条沿第二方向的第二金属线B，第二金属线B相互平行且间隔分布。第一金属线A与第二金属线B相互交织为金属层241，为金属网格，具有多个网孔。金属网格的网孔即为镂空区域242。第一方向与第二方向不平行，二者可以垂直或是不垂直。通过本实施例的金属网格设置，可以提高立式TFT元件的电学性能。例如，栅极12与沟道层16之间需要产生感应及必要的电场，增大这些需要产生感应的膜层之间的有效交叠面积(无其他导电层屏蔽的交叠面积)可以提高器件的灵敏度，通过本实施例可以使所述有效交叠面积均匀分布在需要产生感应的区域。例如沟道层16，通过本实施例可以在其上均匀产生感应沟道。

本发明实施例中，可以采用图1所示传统TFT元件的源第二电极材料制备第一电极24的金属网格，即可以采用金属材料制备第一电极24。例如，本发明实施例所述TFT基板中，作为第一电极24的金属网格包括依次层叠的Mo层-Al层-Mo层；或，所述金属网格包括：依次层叠的Ti层-Al层-Ti层；或，所述金属网格包括：Cu层。

如上述，可以采用碳纳米管作为TFT元件的第一电极，当采用碳纳米管作为TFT元件的第一电极时，由于碳纳米管自身的材料特性，为了保证碳纳米管的附着稳定性以及减少碳纳米管缺陷，碳纳米管需要采用特定的基材作为缓冲层，也就是说，此时，如图3所示，必须在栅介质层13表面设置缓冲层14，以便于在缓冲层14表面形成品质较好的碳纳米管作为第一电极15，使得制作工艺复杂，且增大厚度，增加制作成本。

而本发明实施例所述技术方案中，采用金属材料制备金属网格，以形成第一电极24，相对于碳纳米管作为第一电极的方式，具有更好的导电性，阻抗较低。而且，可以采用现有成熟的黄光工艺以及刻蚀工艺形成金属网格，或是采用掩膜版蒸镀工艺形成金属网格，金属网格的制作工艺简单，制作成本低，由于这些都是现有技术中成熟用于TFT基板生产的工艺，故生产平台的兼容性高。同时，由于采用金属材料制金属网格作为第一电极24，相对于碳纳米管制作第一电极的方式，金属材料的兼容性更好，现有工艺方法中，栅介质层23表面是可以制作金属材料的源漏极的，故可以直接将所述金属网格形成于所述栅介质层23的表面，这样，无需在第一电极24和栅介质层23之间制作缓冲层，简化了制作工艺，降低了面板厚度以及制作成本。

本发明实施例中，所述栅介质层23为氮化硅、或氧化硅、或氧化铝。这些材料制备栅介质层23，可以通过镀膜工艺形成栅介质层23，在膜层厚度小于一定值，厚度较薄时，可以使得栅介质层23具有较好的透光效果。

本发明实施例所述TFT基板可以用于OLED显示面板。OLED显示面板包括OLED元件。此时，所述TFT基板的结构可以如图9所示。

参考图9，图9为本发明实施例提供的一种集成有OLED元件的TFT基板的结构示意图，该方式中，OLED元件27位于第一电极24和第二电极26之间，具体的，可以设置OLED元件27位于第二电极26与沟道层25之间，该方式复用所述第一电极24用于作为所述OLED元件27的阳极，复用所述第二电极26用于作为所述OLED元件27的阴极，直接将OLED元件集成在TFT元件内部，无需单独制作OLED元件27的阴阳极。在图9所示方式中，所述OLED元件27包括依次设置的空穴传输层271、有机发光层272以及电子传输层273。

本发明实施例所述TFT基板中，TFT元件为立体驱动结构的TFT元件，并采用金属网格作为第一电极24，TFT元件在基底21正投影尺寸等于或是小于OLED元件27在基底21上正投影尺寸，故可以将TFT元件与OLED元件27堆叠设置，这样，在相同面积的基底21上，可以设置更多的OLED元件，即可以设置更多的像素，以提高OLED显示面板的分辨率。而且可以将OLED元件27集成在TFT元件内部，无需单独设置OLED元件27的阴阳极，以简化面板结构，降低厚度。而且TFT元件与OLED元件27堆叠设置，无需单独像素间隙设置TFT元件，可以缩小OLED元件27之间间隙，进一步提高分辨率，还可以提高亮度以及亮度均匀性。

特别的，现有技术中，TFT元件与OLED元件不交叠设置，为了提高分辨率以及开口率，在OLED元件尺寸一定时，需要最大程度缩小TFT元件尺寸，但是由于半导体工艺条件限制，TFT元件尺寸只能缩小到一定尺寸，无法进一步提升其分辨率以及开口率，而且TFT元件尺寸的缩小会增大制作成本，且降低其可靠性，而本本发明实施例中，将TFT元件集成在TFT元件内，二者堆叠设置，在OLED元件尺寸一定时，大大增大了制作TFT元件的区域，无需高精度工艺，便于制作大尺寸TFT元件，而且TFT元件是复用OLED元件的区域制备，TFT元件内可以传输光线，而且可以提高分辨率和开口率。

当所述TFT基板用于OLED显示面板时，OLED显示面板的出光方向可以是由所述OLED元件27指向所述基底21，即TFT基板通过基底21出光。此时，所述基底21为透明基底；所述栅极22为透明栅极，如可以为ITO电极；所述阴极为反射阴极，也就是说，第二电极26是反射电极。

当所述TFT基板用于OLED显示面板时，OLED显示面板的出光方向可以是由基底21指向OLED元件27，即TFT基板通过第二电极26出光。此时，所述阴极为透明阴极，即第二电极26为透明电极，如可以为ITO电极；所述栅极22为反射栅极，和/或，所述基板21朝向所述栅极22的表面具有反射层。

通过上述描述可知，本发明实施例所述TFT基板中，将TFT元件的栅极22、第一电极24、沟道层25以及第二电极26依次层叠设置，形成立体驱动结构的TFT元件，而且设置第一电极24为金属网格，可以使得光线通过第一电极24，使得光线在TFT元件内传输。采用立体驱动结构的TFT元件，栅极22、第一电极24、沟道层25以及第二电极26依次层叠设置，可以通过更大区域形成第一电极24，在保证一定电接触性能的条件下，还可以制备金属网格作为第一电极24。

所述TFT基板可以用于OLED显示面板，此时，可以复用所述第一电极24用于作为所述OLED元件27的阳极，复用所述第二电极26用于作为所述OLED元件27的阴极，直接将OLED元件集成在TFT元件内部，无需单独制作OLED元件27的阴阳极。这样，在相同面积的基底21上，可以设置更多的OLED元件，即可以形成更多的像素，以提高OLED显示面板的分辨率。而且可以将OLED元件27集成在TFT元件内部，无需单独设置OLED元件27的阴阳极，以简化面板结构，降低厚度。由于第一电极24位金属网格，不影响出光，可以将OLED元件27集成在TFT元件内部，使得TFT元件与OLED元件27堆叠设置，无需单独像素间隙设置TFT元件，可以缩小OLED元件27之间间隙，进一步提高分辨率，还可以提高亮度以及亮度均匀性。

基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种TFT基板的制作方法，制作方法如图10所示，图10为本发明实施例提供的一种TFT基板制作方法的流程示意图，该制作方法包括：

步骤S11：提供一基底。

所示基底可以为玻璃板或是透明塑料板等。

步骤S12：在所述基底上形成栅极。

步骤S13：在所述栅极背离所述基底的一侧形成栅介质层。

步骤S14：在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极，所述第一电极为金属网格。

步骤S15：在所述第一电极背离所述栅介质层的一侧形成沟道层。

步骤S16：在所述沟道层背离所述第一电极的一侧形成第二电极。

可选的，所述在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极包括：在所述栅介质层表面形成金属层；通过黄光工艺以及刻蚀工艺图案化所述金属层，形成预设图形的金属网格，使得制作方法与现有工艺方法以及工艺设备兼容性更好。

本发明实施例所述制作方法，可以用于制作上述实施例所述TFT基板，可以形成立体驱动结构的TFT元件，制作工艺简单，制作成本低，可以通过现有第一电极金属材料制作金属网格作为第一电极，金属材料兼容性好，无需在第一电极与栅极介质层之间设置缓冲层，而且可以采用现有的黄光工艺以及刻蚀工艺形成金属网格，工艺简单，制作成本高，生产平台兼容性好。

基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种OLED显示面板，如图9所示，所述OLED显示面板包括：OLED元件27以及上述实施例所述的TFT基板。

其中，所述OLED元件27位于所述TFT基板的第二电极26与所述TFT基板的第一电极24之间，具体的，设置OLED元件27位于第二电极26与沟道层25之间，设置所述第一电极24用于作为所述OLED元件27的阳极，所述第二电极26用于作为所述OLED元件27的阴极。

本发明实施例所述OLED显示面板包括上述实施例所述TFT基板，采用立体驱动结构的TFT元件，将OLED元件27集成在TFT基板的TFT元件内，无需单独设置OLED元件27的阴阳极，可以提高分辨率，发光亮度以及发光均匀性。

基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种OLED显示面板的制作方法，如图11所示，图11为本发明实施例提供的一种OLED显示面板制作方法的流程示意图，所述制作方法包括：

步骤S21：提供一基底；

步骤S22：在所述基底上形成栅极；

步骤S23：在所述栅极背离所述基底的一侧形成栅介质层；

步骤S24：在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极，所述第一电极为金属网格；

步骤S25：在所述第一电极背离所述栅介质层的一侧形成沟道层；

步骤S26：在所述沟道层背离所述第一电极的一侧形成OLED元件；

步骤S27：在所述OLED元件背离所述沟道层背的一侧形成第二电极；

其中，所述第一电极用于作为所述OLED元件的阳极，所述第二电极用于作为所述OLED元件的阴极。

本发明实施例所述制作方法中，所述在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极包括：在所述栅介质层表面形成金属层；通过黄光工艺以及刻蚀工艺图案化所述金属层，形成预设图形的金属网格。

本发明实施例所述制作方法用于制作上述实施例所述OLED显示面板，可以形成立体驱动结构的TFT元件，制作工艺简单，制作成本低，可以通过现有第一电极金属材料制作金属网格作为第一电极，金属材料兼容性好，无需在第一电极与栅极介质层之间设置缓冲层，而且可以采用现有的黄光工艺以及刻蚀工艺形成金属网格，工艺简单，制作成本高，生产平台兼容性好。而且将OLED原件集成在TFT元件内，无需单独制作OLED原件的阴阳极，简化了制作流程，降低了制作成本。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的TFT基板制作方法、OLED显示面板及其制作方法而言，由于其与实施例公开的TFT阵列基板相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见TFT阵列基板相对应部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：

基底；

设置在所述基底上的栅极；

设置在所述栅极背离所述基底一侧的栅介质层；

设置在所述栅介质层背离所述栅极一侧的第一电极；所述第一电极为金属网格；

设置在所述第一电极背离所述栅介质层一侧的沟道层；

设置在所述沟道层背离所述第一电极一侧的第二电极；

所述TFT基板用于OLED显示面板，所述OLED显示面板包括OLED元件；所述OLED元件位于所述第一电极与所述第二电极之间；所述第一电极用于作为所述OLED元件的阳极，所述第二电极用于作为所述OLED元件的阴极。

2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述基底为透明基底；所述栅极为透明栅极；所述阴极为反射阴极。

3.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述阴极为透明阴极；所述栅极为反射栅极，和/或，所述基板朝向所述栅极的表面具有反射层。

4.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述金属网格包括金属层以及贯穿所述金属层的镂空区域；

所述镂空区域包括多条平行的条形开口、多个点阵排布的多边形开口、多个点阵排布的圆形开口以及多条曲线开口中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述金属网格包括：依次层叠的Mo层-Al层-Mo层；

或，所述金属网格包括：依次层叠的Ti层-Al层-Ti层；

或，所述金属网格包括：Cu层。

6.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述金属网格形成于所述栅介质层的表面。

7.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述栅介质层为氮化硅、或氧化硅、或氧化铝。

8.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成栅极；

在所述栅极背离所述基底的一侧形成栅介质层；

在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极，所述第一电极为金属网格；

在所述第一电极背离所述栅介质层的一侧形成沟道层；

在所述沟道层背离所述第一电极的一侧形成第二电极；

所述TFT基板用于OLED显示面板，所述OLED显示面板包括OLED元件；所述OLED元件位于所述第一电极与所述第二电极之间；所述第一电极用于作为所述OLED元件的阳极，所述第二电极用于作为所述OLED元件的阴极。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极包括：

在所述栅介质层表面形成金属层；

通过黄光工艺以及刻蚀工艺图案化所述金属层，形成预设图形的金属网格。

10.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板包括：

OLED元件以及如权利要求1-7任一项所述的TFT基板；

其中，所述OLED元件位于所述TFT基板的第二电极与所述TFT基板的第一电极之间，所述第一电极用于作为所述OLED元件的阳极，所述第二电极用于作为所述OLED元件的阴极。

11.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一基底；

在所述基底上形成栅极；

在所述栅极背离所述基底的一侧形成栅介质层；

在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极，所述第一电极为金属网格；

在所述第一电极背离所述栅介质层的一侧形成沟道层；

在所述沟道层背离所述第一电极的一侧形成OLED元件；

在所述OLED元件背离所述沟道层背的一侧形成第二电极；

其中，所述第一电极用于作为所述OLED元件的阳极，所述第二电极用于作为所述OLED元件的阴极。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在所述栅介质层背离所述栅极的一侧形成第一电极包括：

在所述栅介质层表面形成金属层；

通过黄光工艺以及刻蚀工艺图案化所述金属层，形成预设图形的金属网格。

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