CN109270742B

CN109270742B - 阵列基板及液晶显示面板

Info

Publication number: CN109270742B
Application number: CN201811344319.0A
Authority: CN
Inventors: 杨仁光
Original assignee: Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd
Current assignee: Chengdu BOE Display Technology Co Ltd
Priority date: 2018-11-13
Filing date: 2018-11-13
Publication date: 2021-07-06
Anticipated expiration: 2038-11-13
Also published as: CN109270742A

Abstract

本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，包括绝缘层和设置在绝缘层上的铟锡氧化物半导体层，铟锡氧化物半导体层上侧与液晶接触，阵列基板还包括多个位于绝缘层下方的子像素单元，铟锡氧化物半导体层包括多个个数与子像素单元的个数相同的第一区域，其中，第一区域大小尺寸与子像素单元相同，并且第一区域与子像素单元一一对应设置，在至少一个第一区域的中部设有第一凹槽，第一凹槽为十字状。本发明能够减少每一个子像素内的暗纹，提高光线透过率。

Description

阵列基板及液晶显示面板

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如液晶电视、移动电话、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。就目前主流市场上的TFT-LCD液晶面板而言，可分为三大类，分别是扭曲向列/超扭曲向列(TN/STN)型、平面转换(IPS)型及垂直配向(VA)型。在液晶显示面板的制作过程中，进行导向膜配向是一项重要工艺，通过配向工艺来实现液晶分子按照特定的方向与角度排列。传统的配向工艺采用摩擦(Rubbing)法，只能在一个水平方向上配向，被TN型、IPS型的液晶面板广泛采用。但VA型的液晶面板需要扩大视角，将子像素分割成多个区域，每一区域内的配向方向不同，因此不能采用摩擦法。而紫外线诱导多区域垂直配向(ultraviolet induced multi-domain vertical alignment，UV²A)为VA型液晶面板的一种光配向技术。如图1所示，UV²A技术利用紫外线以一定的角度斜射到配向膜(PI)10上，在配向膜10的表面形成一定倾斜角度的配向微结构20，从而使第一液晶分子30在配向膜10表面有一个预倾角度。经UV²A配向后，配向膜10表面形成的配向微结构20与紫外线倾斜的角度一致，配向精度较高。UV²A技术能够通过配向膜实现所有液晶分子向设计方向倾斜的状态，所以在载入电场时，液晶分子同时向同一方向倾倒，因此，响应速度增至原来的2倍，达到4ms以下。由于不使用突起和狭缝隙也能分割成多个区域，因此开口率比原来利用突起分割成多个区域的面板提高20％以上。背光灯亮度很小即可获得与原来同等的亮度，降低耗电量和削减背光灯光源数量有利于节能和节省成本，高精细化和3D显示器等也易于实现。另外，过去背光灯的光在突起和狭缝隙部分散射，在前面漏光，因此泛黑；而UV²A技术在突起和狭缝隙部分不会漏光，因此静态对比度达到5000：1，是原来的1.6倍。还可以省去设计突起和狭缝隙的工艺，提高生产能力。

随着液晶显示技术的发展，高解析度液晶面板成为了当前的热点产品，但高解析度液晶面板的开口率较低，使得透射光占入射光光强的百分量(T％)、及光线透过率较低。考虑到VA型液晶面板的视角问题，现有的UV²A像素结构一般将每个像素单元中的红色子像素、绿色子像素、及蓝色子像素分别划分成四个相同大小的配向子区域，且同一子像素中相邻两配向子区域间的配向方向相互垂直。

然而采用此种UV²A技术配向的液晶面板中，像素结构会在每一子像素的四个配向子区域之间的交界处、即子像素的中间处形成如图2所示的大致十字状的暗纹40，影响光线透过率。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，能够减少每一个子像素内的暗纹，提高光线透过率。

第一方面，本发明提供一种阵列基板，包括绝缘层和设置在绝缘层上的铟锡氧化物半导体层，铟锡氧化物半导体层上侧与液晶接触，阵列基板还包括多个位于绝缘层下方的子像素单元，铟锡氧化物半导体层包括多个个数与子像素单元的个数相同的第一区域，其中，第一区域大小尺寸与子像素单元相同，并且第一区域与子像素单元一一对应设置，在至少一个第一区域的中部设有第一凹槽，第一凹槽在沿阵列基板的法线方向上为十字状。

第二方面，本发明提供一种液晶显示面板，包括如上所述的阵列基板、与阵列基板相对设置的对侧基板，以及夹设在阵列基板和对侧基板之间的液晶分子层。

本发明的阵列基板及液晶显示面板，阵列基板，包括绝缘层和设置在绝缘层上的铟锡氧化物半导体层，铟锡氧化物半导体层上侧与液晶接触，阵列基板还包括多个位于绝缘层下方的子像素单元，铟锡氧化物半导体层包括多个个数与子像素单元的个数相同的第一区域，其中，第一区域大小尺寸与子像素单元相同，并且第一区域与子像素单元一一对应设置，在至少一个第一区域的中部设有第一凹槽，第一凹槽在沿阵列基板的法线方向上为十字状。由于采用UV²A技术的液晶面板在液晶显示面板对盒后并进行显示时，像素在白态时会出现十字的暗纹，即在所述第一区域上方的液晶分子由于倾倒会在与第一区域中部对应的位置产生十字的暗纹，通过在第一区域中部设置第一凹槽，第一凹槽在沿阵列基板的法线方向上为十字状，即在与产生倾倒的液晶分子倾倒相对应的位置设置第一凹槽，产生倾倒的液晶分子与该第一凹槽接触，会由于边界效应的影响，而沿着凹槽的内表面即内壁形成往内倾倒的角度，从而减轻暗纹。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中UV²A配向方法的示意图；

图2为现有技术中为现有技术中子像素单元内部产生的暗纹示意图；

图3为本发明实施例一提供的阵列基板中、与第一区域对应的部分的俯视示意图；

图4为本发明实施例一提供的阵列基板中、与第一区域对应的部分的剖视图；

图5为本发明实施例一提供的阵列基板的另一种结构的俯视示意图；

图6为本发明实施例二提供的阵列基板中、与第一区域对应的部分的剖视图；

图7为本发明实施例三提供的阵列基板中、与第一区域对应的部分的剖视图；

图8为本发明实施例四提供的液晶显示面板的结构示意图。

附图标记说明：

1—阵列基板；

2—绝缘层；

3—铟锡氧化物半导体层；

4—液晶；

5—子像素单元；

6—第一区域；

7—对侧基板；

8—液晶分子层；

9—第一凹槽；

10—配向膜；

20—配向微结构；

30—第一液晶分子；

40—暗纹；

41—液晶分子；

92—第二凹槽；

93—第三凹槽；

95—端部暗纹。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明说明书的描述中，需要理解的是，术语“侧壁”、“上方”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，“多个”的含义是多个，例如两个，四个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或可以互相通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

随着大型显示面板的发展，更佳的视觉表现也越来越高，而UV²A是目前最流行之一的显示技术，有着更广的视角与更快的应答速度。

UV²A的关键技术在于UV光能够有效而且精准地针对像素做不同方向配向，本发明基于此而提出了UV²A搭配特殊的材料与图形设计，可以有效地降低像素暗纹的宽度，提升透过率，不仅有效降低成本，对于最终产品规格也可以有效提升。

实施例一

图3为本发明实施例一提供的阵列基板中、与第一区域对应的部分的俯视示意图。图4为本发明实施例一提供的阵列基板中、与第一区域对应的部分的剖视图。为了便于说明如何减少暗纹的生成，图3、图4仅示出了阵列基板中、与两个第一区域6(子像素单元)对应的部分的示意图。

如图3、4所示，本实施例的阵列基板1，包括绝缘层2和设置在绝缘层2上的铟锡氧化物半导体层3，铟锡氧化物半导体层3上侧与液晶4接触，阵列基板1还包括多个位于绝缘层2下方的子像素单元5，铟锡氧化物半导体层3包括多个个数与子像素单元5的个数相同的第一区域6，其中，第一区域6的大小尺寸与子像素单元5相同，并且第一区域6与子像素单元5一一对应设置，在至少一个第一区域6的中部设有第一凹槽9，第一凹槽9在沿阵列基板1的法线方向上观察时，为十字状。这里的一区域6的大小尺寸与子像素单元5相同具体是指第一区域6的形状、尺寸与子像素单元5相同。此外，阵列基板1的法线方向是指垂直于阵列基板1的方向，而沿阵列基板1的法线方向上观察，具体是指俯视或仰视阵列基板1进行观察。

在阵列基板1中，为了保护阵列基板，并使形成像素电极的面变得平坦而形成绝缘层2。由于采用UV²A技术的在液晶显示面板对盒后并进行显示时，像素在白态时会出现十字的暗纹，即在第一区域6上方的液晶分子由于倾倒会在与第一区域6中部对应的位置产生暗纹。本实施例中，由于第一区域6与子像素单元5一一对应设置，因而在第一区域6的中部的与产生暗纹的位置相对应，在第一区域6的该中部设置第一凹槽9，第一凹槽9在沿阵列基板的法线方向上为十字状，就可以在与产生倾倒的液晶分子相对应的位置设置第一凹槽9。如图4所示，该第一凹槽9从铟锡氧化物半导体层3的表面向远离液晶4的方向凹陷，但并未贯通铟锡氧化物半导体层3。由于液晶分子41与该第一凹槽9接触，会由于边界效应的影响，而沿着第一凹槽9的内表面形成往内倾倒的角度，改变了该处液晶分子的配向，从而减轻暗纹。此外，这里的绝缘层2可以是有机绝缘层也可以是无机绝缘层。

可选的，铟锡氧化物半导体层3的介电常数大于液晶4的介电常数。经发明人研究发现，当与液晶4直接接触的铟锡氧化物半导体层3的材料的介电常数大于液晶4的介电常数时，会在一定程度使暗纹细线化。

此外，可选的，如图4所示，第一凹槽9的沿凹槽深度方向的横截面呈三角形。当横截面呈如图4所示的倒三角形时，由于第一凹槽9的侧壁相对于水平面形成一个锐角，使得液晶分子基本垂直该侧壁设置，相对于垂直方向向凹槽内侧倾倒一个锐角的角度，此时的暗纹减淡效果较佳、较为优选。除此之外，横截面也可以为其它的形状，例如方形、燕尾形、半圆形等，此时由于边界效应较为明显，液晶分子倾倒程度较大，暗纹减淡效果略逊于横截面为三角形的情况。此处列举出的例子仅是例示，本发明不限于此，还可以是其它任何可以实现液晶分子倾倒的横截面形状。

并且，由于本申请直接在铟锡氧化物半导体层3表面开设凹槽，因而所述凹槽的宽度不能太大，以便影响到子像素单元的正常显示，反而降低液晶面板的显示效果。一般说来第一凹槽9的凹槽宽度小于或等于第一区域6的宽度的1/10。可以是3～15μm的范围，即当凹槽宽度小于3μm时，暗纹减淡效果不佳，但凹槽宽度大于15μm时，会影响到子像素单元的正常显示。同时，第一凹槽9的深度可以在10～100μm的范围内，以保证暗纹的减淡效果较佳。

此外，在图2的暗纹示意图中，可以看出，暗纹大致为十字形，但在其十字形的端部还形成有端部暗纹95，即，整个暗纹大致形成“卐”的形状。图5为本发明实施例一提供的阵列基板的另一种结构的俯视示意图，如图5所示，作为可选的实施方式，还可以选择在沿所述第一区域6的外边缘部设有与所述十字的第一凹槽9连通的第三凹槽93，第三凹槽93和第一凹槽连通起来、加在一起，俯视呈“卐”形。

在本实施例中，阵列基板包括绝缘层和设置在绝缘层上的铟锡氧化物半导体层，铟锡氧化物半导体层上侧与液晶接触，阵列基板还包括多个位于绝缘层下方的子像素单元，铟锡氧化物半导体层包括多个个数与子像素单元的个数相同的第一区域，其中，第一区域大小尺寸与子像素单元相同，并且第一区域与子像素单元一一对应设置，在至少一个第一区域的中部设有第一凹槽，第一凹槽在沿阵列基板的法线方向上为十字状。由于采用UV²A技术的在液晶显示面板对盒后并进行显示时，像素在白态时会出现十字的暗纹，即在所述第一区域上方的液晶分子由于倾倒会在与第一区域中部对应的位置产生十字的暗纹，通过在第一区域中部设置第一凹槽，第一凹槽在沿阵列基板的法线方向上为十字状，即在与产生倾倒的液晶分子倾倒相对应的位置设置第一凹槽，产生倾倒的液晶分子与该第一凹槽接触，会由于边界效应的影响，而沿着凹槽的内表面形成往内倾倒的角度，从而减轻暗纹。

实施例二

在实施例一的基础上，本实施例对前述实施例一中的第一凹槽的设置方式进行了改进。其余部分与实施例一相同，此处不再赘述。

图6为本发明实施例二提供的阵列基板中、与第一区域对应的部分的剖视图。如图6所示，第一凹槽9贯穿所述铟锡氧化物半导体层3。此方式应用于铟锡氧化物半导体层3的厚度较薄的情况，此时为了保证对液晶分子产生足够的边缘效应，需要使铟锡氧化物半导体层3与第一凹槽9对应的部位形成为镂空的十字形。

此外，对于第一凹槽9没有贯通铟锡氧化物半导体层3的情况相比，其需要在形成铟锡氧化物半导体层3之后对其表面进行刻蚀，形成具有一定深度的第一凹槽9，由于凹槽的深度有一定限制，因而该刻蚀过程对精度要求也较高，使得成本较高。而本实施例中，由于第一凹槽9贯通铟锡氧化物半导体层3，因而其形成过程变得简单。由于位于铟锡氧化物半导体层3上的第一凹槽9形成为贯通槽，与因而液晶直接与经由第一凹槽9而露出至表面的绝缘层2接触，因而，这里可以选择使得绝缘层的介电常数大于所述液晶的介电常数，以达到使暗纹细线化的效果。

本实施例的阵列基板中，使第一凹槽贯穿铟锡氧化物半导体层设置。可以使得铟锡氧化物半导体层的厚度较薄时，能够保证对液晶分子产生足够的边缘效应，而使暗纹细线化的效果较佳。

实施例三

在实施例二的基础上，本实施例对前述实施例二中的凹槽部分进行了进一步改进。其余部分与实施例二相同，此处不再赘述。

图7为本发明实施例三提供的阵列基板中、与第一区域对应的部分的剖视图。如图7所示，在实施例二的第一凹槽9贯穿所述铟锡氧化物半导体层3的基础上，在绝缘层2的与铟锡氧化物半导体层3接触的表面上形成多个第二凹槽92，多个第二凹槽92在阵列基板1的法线方向上的投影与所述多个第一凹槽9重合。此方式应用于铟锡氧化物半导体层3的厚度较薄的情况，此时为了保证对液晶分子产生足够的边缘效应，需要使铟锡氧化物半导体层3与第一凹槽9对应的部位形成为镂空的十字形，同时还在绝缘层2的与第一凹槽9对应的位置形成第二凹槽92。这里第一凹槽9和第二凹槽92相互配合，共同使第一凹槽9中的液晶分子倾倒，减轻暗纹。

此外，与实施例二同样地，由于位于铟锡氧化物半导体层3上的第一凹槽9形成为贯通槽，与因而液晶直接与经由第一凹槽9而露出至表面的绝缘层2接触，因而，这里可以选择使得绝缘层的介电常数大于所述液晶的介电常数，以达到使暗纹细线化的效果。

另外，与实施方式一类似的，第二凹槽92的沿第二凹槽92深度方向的横截面也呈三角形。

这样一来，由于第二凹槽92的侧壁相对于水平面形成一个锐角，使得第一凹槽9内的液晶分子基本垂直该第二凹槽92的侧壁设置，此时的暗纹减淡效果较佳、较为优选。除此之外，横截面也可以为其它的形状，例如方形、燕尾形、半圆形等，此时由于边界效应较为明显，液晶分子倾倒程度较大，暗纹减淡效果略逊于横截面为三角形的情况。此处列举出的例子仅是例示，本发明不限于此，还可以是其它任何可以实现液晶分子倾倒的界面形状。

并且，由于本申请直接在铟锡氧化物半导体层3表面以及绝缘层2表面开设凹槽，因而所述凹槽的宽度不能太大，深度也不能太深，以便影响到子像素单元的正常显示，反而降低液晶面板的显示效果。一般说来，与第一凹槽9类似的，第二凹槽92的凹槽部分的宽度小于第一区域6的宽度的1/10，可以是3～15μm的范围。在第一凹槽9和第二凹槽92的深度加起来，可以在10～100μm的范围内，以保证暗纹的减淡效果较佳。此外，与实施例一类似地，作为可选的实施方式，当在沿所述第一区域6的外边缘部设有与所述十字的第一凹槽9连通的第三凹槽93时，相应地，在第二凹槽也形成形状和大小与所述第三凹槽相同的第四凹槽，并且第四凹槽和第二凹槽连通起来、加在一起，俯视呈“卐”形。

本实施例的阵列基板中，使第一凹槽贯穿铟锡氧化物半导体层设置，并且使在绝缘层的与铟锡氧化物半导体层接触的表面上形成多个第二凹槽，多个第二凹槽在阵列基板的法线方向上的投影与所述多个第一凹槽完全重合。可以使得铟锡氧化物半导体层的厚度较薄时，第一凹槽和第二凹槽相互配合，以保证对液晶分子产生足够的边缘效应，而使暗纹细线化的效果较佳。

实施例四

图8为本发明实施例四提供的液晶显示面板的结构示意图。如图8所示，本实施例提供一种液晶显示面板，包括如上述实施例一～实施例三中任一项所述的阵列基板1、与阵列基板1相对设置的对侧基板7，以及夹设在阵列基板1和对侧基板7之间的液晶分子层8。其中，阵列基板1的具体结构已在前述实施例一～实施例三中进行了详细说明，此处不再赘述。

可选的，这里的对侧基板可以是彩膜基板。

本实施例的显示装置包括如上述实施例一～实施例三中任一项所述的阵列基板，因而能够在与将要产生暗纹的区域相对应的位置设置凹槽，使得该处的液晶分子由于边缘效应而产生倾倒，从而减轻液晶显示面板显示中的暗纹。同时，在阵列基板侧使用特殊像素铟锡氧化物半导体层图形设计，加上绝缘层材料、铟锡氧化物半导体层与液晶的不同介电系数选择，可以让像素暗纹达到细线化效果。

实施例五

本实施例提供一种阵列基板的制作方法。本实施例的阵列基板的制作方法用于制作实施例三所述的阵列基板。其中，阵列基板的具体结构已在前述实施例三中进行了详细说明，此处不再赘述。

本实施例的阵列基板的制作方法包括以下步骤：

S1、先在形成有子像素单元的基板上形成绝缘层。

绝缘层是为了保护阵列基板，并使形成像素电极的面变得平坦而形成。

S2、在绝缘层上与各子像素单元的对应的多个区域中，通过蚀刻法形成多个第二凹槽，第二凹槽在沿阵列基板的法线方向上为十字状，所述第二凹槽的宽度为3～15μm，并且所述第二凹槽的深度为10～100μm。

S3、在绝缘层上形成铟锡氧化物半导体层。

S4、在铟锡氧化物半导体层上，与绝缘层的多个第二凹槽对应的位置用蚀刻法形成贯穿铟锡氧化物半导体层的多个第一凹槽，所述第一凹槽的宽度为3～15μm，并且多个第二凹槽在阵列基板的法线方向上的投影与所述多个第一凹槽完全重合。

对上述实施例作进一步改进时，在步骤S2中还可以包括：

S21、在绝缘层上第二凹槽的十字端部还形成有与十字的第二凹槽的各自由端部连通的第四凹槽，第四凹槽和第二凹槽连通起来、加在一起，俯视呈“卐”形。

与之相对应地，在步骤S4中还可以包括：

S41、在铟锡氧化物半导体层第一凹槽的十字端部还形成有与十字的第一凹槽的各自由端部连通的第三凹槽，第三凹槽和第一凹槽连通起来、加在一起，俯视呈“卐”形。

这样设置，在绝缘层上、铟锡氧化物半导体层上，均形成有俯视呈“卐”形的凹陷，二者重合，一起构成供液晶分子产生边缘效应的凹陷。

本实施例的阵列基板的制作方法先在绝缘层上形成多个第二凹槽，然后在铟锡氧化物半导体层上形成与该多个第二凹槽完全对应并且重合的第一凹槽，通过第一凹槽和第二凹槽加起来共同形成用于对液晶分子产生边缘效应的凹陷，使该凹陷处的液晶分子倾倒，从而减轻暗纹。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“相连”、“固定”、“安装”等应做广义理解，例如可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定、对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种阵列基板，其特征在于，包括绝缘层和设置在所述绝缘层上的铟锡氧化物半导体层，所述铟锡氧化物半导体层上侧与液晶接触，所述阵列基板还包括多个位于所述绝缘层下方的子像素单元，所述铟锡氧化物半导体层包括多个个数与所述子像素单元的个数相同的第一区域，其中，所述第一区域大小尺寸与所述子像素单元相同，并且所述第一区域与所述子像素单元一一对应设置，在至少一个所述第一区域的中部设有第一凹槽，所述第一凹槽为十字状；

沿所述第一区域的外边缘部设有与所述第一凹槽连通的第三凹槽，所述第三凹槽和所述第一凹槽呈“卐”形。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述铟锡氧化物半导体层的介电常数大于所述液晶的介电常数。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽的沿凹槽深度方向的横截面呈三角形。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽贯穿所述铟锡氧化物半导体层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在所述绝缘层的与所述铟锡氧化物半导体层接触的表面上形成多个第二凹槽，所述多个第二凹槽在所述阵列基板的法线方向上的投影与所述多个第一凹槽重合。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的介电常数大于所述液晶的介电常数。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽的沿第二凹槽深度方向的横截面呈三角形。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽的凹槽宽度小于或等于所述第一区域的宽度的1/10。

9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的对侧基板，以及夹设在所述阵列基板和对侧基板之间的液晶分子层。