CN108922984B - 显示面板及其制备方法、显示设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示设备,涉及显示技术领域,主要目的是提高显示设备的发光效率。本发明的主要技术方案为:一种显示面板,包括:衬底基板、第一电极层、发光层和第二电极层,其中,所述第一电极层设置于所述衬底基板的一侧,所述发光层设置于所述第一电极层背离于所述衬底基板的一侧,所述第二电极层设置于所述发光层背离于所述第一电极层的一侧,其中,所述第二电极层的第一面为粗糙面。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示设备。
背景技术
随着QLED显示设备的深入发展,量子点的稳定性及发光效率也不断提升,使QLED显示设备逐步成为显示领域的重要部分,但是,在顶发射结构的QLED显示设备中,由于量子点的光谱较窄,微腔调控的有效范围也较窄,这样往往会导致QLED的发光能量损耗,可能会降低发光效率,影响QLED显示设备的品质。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示设备,主要目的是提高显示设备的发光效率。
为达到上述目的,本发明主要提供如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
衬底基板、第一电极层、发光层和第二电极层,其中,所述第一电极层设置于所述衬底基板的一侧,所述发光层设置于所述第一电极层背离于所述衬底基板的一侧,所述第二电极层设置于所述发光层背离于所述第一电极层的一侧,其中,所述第二电极层的第一面为粗糙面。
可选地,所述第一面位于所述第二电极层背离于所述发光层的一侧。
可选地,所述发光层为量子点层。
可选地,所述第二电极层和所述发光层之间设有第二传输层,所述第二传输层上设有第三面,其中,所述第三面为粗糙面。
可选地,所述发光层朝向于所述第二电极层的一侧设有第一传输层,所述第一传输层朝向于所述第一电极层的一侧设有第一注入层,所述第一传输层、所述第一注入层和所述第一电极层中任意一层或多层具有第四面,所述第四面为粗糙面。
可选地,所述第二电极层为ITO层或IZO层。
另一方面,本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法,包括:
在衬底基板的一侧设置第一掩膜板;
在所述第一掩膜板背离于所述衬底基板的一侧设置第二掩膜板,使所述第二掩膜板的图案对应所述第一掩膜板的显露区域;
通过所述第二掩膜板在所述第一掩膜板显露区域对应的所述衬底基板上,采用溅射方式形成表面粗糙的第二电极层。
可选地,所述在衬底基板的一侧设置第一掩膜板,还包括:
使所述第一掩膜板与所述衬底基板相互贴合。
可选地,所述在所述第一掩膜板背离于所述衬底基板的一侧设置第二掩膜板,使所述第二掩膜板的图案对应所述第一掩膜板的显露区域,还包括:
使所述第二掩膜板与所述衬底基板之间具有间隙。
另一方面,本发明实施例还提供一种显示设备,包括:所述的显示面板。
本发明实施例提供了一种显示面板,用于提高显示面板的出光效率,而现有技术中,显示面板中的ITO层的两个侧面均为平面结构,当发光层发出的光线穿过ITO层时,一部分光线由于角度的原因就会在ITO层内形成全反射,而无法从ITO层中射出,进而会降低显示设备的发光效率,影响显示设备的品质,与现有技术相比,本发明实施例提供的显示面板包括:衬底基板、第一电极层、发光层和第二电极层,其中,第一电极层设置于衬底基板的一侧,发光层设置于第一电极层背离于衬底基板的一侧,第二电极层设置于发光层背离于第一电极层的一侧,其中,第二电极层的第一面为粗糙面。当发光层的光线进入至第二电极层时,由于第二电极层的第一面为粗糙面,使光线经过第一面后的入射角度会发生改变,发光层发出的所有光线都可以透过第二电极层发出,进而可以提高显示面板的出光效率,保证了显示装置的品质。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为图1中第二电极层的结构示意图;
图3为本发明实施例提供显示面板的制备方法中的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的显示面板其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
如图1、图2所示,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
衬底基板1、第一电极层2、发光层3和第二电极层4,其中,第一电极层2设置于所述衬底基板1的一侧,所述发光层3设置于所述第一电极层2背离于所述衬底基板1的一侧,所述第二电极层4设置于所述发光层3背离于所述第一电极层2的一侧,其中,所述第二电极层4的第一面为粗糙面。
其中,衬底基板1作为显示面板的支撑基础,可以作为显示面板中其他功能层的设置载体,可选地,衬底基板1可以为玻璃基板;在玻璃基板的一侧可以形成第一电极层2,在显示面板的实际使用过程中,第一电极层2可以连接阳极电源,以作为阳极层使用,可选地,第一电极层2可以为金属电极膜,而金属电极膜除了可以作为电源的阳极使用外,还可以起到光线的反射作用,使发光层3发出的光线在照射到第一电极层2后,能够被第一电极层2反射回去,以提高显示面板的出光效率;在第一电极层2背离衬底基板1的一侧可以形成发光层3,发光层3可以由发光材料组成,优选地,发光层3可以由量子点材质制成,量子点是一种纳米级别的半导体,通过对量子点施加一定的电场或光压,会使量子点发出特定频率的光,以作为显示面板的光源;在发光层3背离于第一电极层2的一侧形成第二电极层4,第二电极层4可以连接于阴极电源,以作为阴极层使用,可选地,第二电极层4可以为ITO层或IZO层,发光层3发出的光线可以透过第二电极层4发出,所以第二电极层4可以选用透明电极,当第一电极层2和第二电极层4连通电源时,第一电极层2和第二电极层4之间就会电场,在电场的作用下,发光层3能够发光,另外,第二电极层4的第一面可以为粗糙表面,当光线照射到第一面时,可以实现光线的漫反射。
本发明实施例提供了一种显示面板,用于提高显示面板的出光效率,而现有技术中,显示面板中的ITO层的两个侧面均为平面结构,当发光层发出的光线穿过ITO层时,一部分光线由于角度的原因就会在ITO层内形成全反射,而无法从ITO层中射出,进而会降低显示设备的发光效率,影响显示设备的品质,与现有技术相比,本发明实施例提供的显示面板包括:衬底基板、第一电极层、发光层和第二电极层,其中,第一电极层设置于衬底基板的一侧,发光层设置于第一电极层背离于衬底基板的一侧,第二电极层设置于发光层背离于第一电极层的一侧,其中,第二电极层的第一面为粗糙面。当发光层的光线进入至第二电极层时,由于第二电极层的第一面为粗糙面,使光线经过第一面后的入射角度会发生改变,发光层发出的所有光线都可以透过第二电极层发出,进而可以提高显示面板的出光效率,保证了显示装置的品质。
在形成第二电极层4的过程中,通常采用喷溅的方式形成第二电极层4,为了方便第二电极层4中粗糙面的形成,在一些实施例中,第一面可以位于第二电极层4背离于发光层3的一侧。具体的,首先,形成发光层3,然后,在发光层3的一侧形成第二电极层4,在形成过程中,可以通过掩膜板采用喷溅的方式形成第二电极层4,由于需要在发光层3的一侧形成,所以粗糙面更方便的形成在第二电极层4背离于发光层3的一侧,使第二电极层4的形成工艺更加的简单方便。
上述发光层3能够在电场的作用下发光,在一些实施例中,发光层3可以为量子点层,量子点是一种纳米级别的半导体,通过对量子点施加一定的电场或光压,会使量子点发出有色光线,光线的颜色由量子点的组成成分和大小形状决定,因此可以通过改变量子点形态使其达到高峰值的纯色光,以实现较佳的显示色彩,提高了显示设备的品质。
在发光层3发光过程时,第二电极层4中的电子能够传输至发光层3内,为了方便电子的传输,在一些实施例中,所述第二电极层4和所述发光层3之间设有第二传输层5,所述第二传输层5上设有第三面,其中,所述第三面为粗糙面。其中,第二传输层5可以由ZnO纳米粒子等透明材质组成,第二传输层5用于将第二电极层4的电荷传输至发光层3内,并与发光层3内的空穴相遇,以实现发光效果,当发光层3发出光线时,该光线在穿过第二传输层5的过程中,如果第二传输层5的两个侧面都为光滑面,部分光线由于角度的原因就会在第二传输层5内形成全反射,使其该部分光线无法传出第二传输层5,造成出光效率的降低,而本实施例中,由于第二传输层5的第三面为粗糙面,当光线进入至第二传输层5时,第三面将会对光线形成漫反射,使部分光线无法在第二传输层5内一直进行全反射,这样所有的光线就都可以传出第二传输层5,进而提高了出光效率,保证了显示设备的品质。
上述第一电极层2可以为阳极层,第一电极层2能够将空穴传输至发光层3,并与发光层3中的电荷相遇,以实现发光效果,在一些实施例中,所述发光层3朝向于所述第二电极层4的一侧设有第一传输层6,所述第一传输层6朝向于所述第一电极层2的一侧设有第一注入层7,所述第一传输层6、所述第一注入层7和所述第一电极层2中任意一层或多层具有第四面,所述第四面为粗糙面。在本实施例中,粗糙面能够对光线形成漫反射,这样光线就不会其所属的功能层内一直进行全反射,使光线能够从该功能层中完全取出,提高了出光效率,保证了显示设备的品质。
另一方面,如图4所示,本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法,包括:
步骤101、如图3所示,在衬底基板的一侧设置第一掩膜板;
其中,第一掩膜板设置于衬底基板的一侧,用于覆盖遮挡衬底基板的一些功能区域,该功能区域上可以设置驱动电路、走线等结构,该功能区域上不用形成第二电极层4,所以可以通过第一掩膜板来遮挡这些功能区域,以免在形成第二电极层4时,溅射到功能区域上。
步骤102、如图3所示,在所述第一掩膜板背离于所述衬底基板的一侧设置第二掩膜板,使所述第二掩膜板的图案对应所述第一掩膜板的显露区域;
其中,第二掩膜板设置于第一掩膜板远离于衬底基板的一侧,第二掩膜板用于在第一掩膜板的显露区域形成预设图案的第二电极层4,通过第一掩膜板和第二掩膜板的配合使用,可以在衬底基板的预设区域上形成第二电极层4,提高了显示面板的品质。
步骤103、通过所述第二掩膜板在所述第一掩膜板显露区域对应的所述衬底基板上,采用溅射方式形成表面粗糙的第二电极层4。
其中,第二掩膜板上可以具有多个显露区域,当通过溅射方式透过第二掩膜板形成第二电极层4时,第二掩膜板的显露区域处喷溅的材料较多,其厚度较大,而第二掩膜板显露区域周围的遮挡区域同样会溅射到一部分材料,以形成第二电极层4,但是第二掩膜板遮挡区域溅射到的材料相较于其显露区域溅射的材料较少,所以厚度较小,这样在所述第一掩膜板显露区域对应的所述衬底基板上就会形成具有凹凸粗糙面的第二电极层4。
本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,用于提高显示面板的出光效率,而现有技术中,显示面板中的ITO层的两个侧面均为平面结构,当发光层发出的光线穿过ITO层时,一部分光线由于角度的原因就会在ITO层内形成全反射,而无法从ITO层中射出,进而会降低显示设备的发光效率,影响显示设备的品质,与现有技术相比,本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括:首先,在衬底基板的一侧设置第一掩膜板;其次,在所述第一掩膜板背离于所述衬底基板的一侧设置第二掩膜板,使所述第二掩膜板的图案对应所述第一掩膜板的显露区域;最后,通过所述第二掩膜板在所述第一掩膜板显露区域对应的所述衬底基板上,采用溅射方式形成表面粗糙的第二电极层。当光线进入至第二电极层时,由于第二电极层的第一面为粗糙面,使光线经过第一面后的入射角度会发生改变,发光层发出的所有光线都可以透过第二电极层发出,进而可以提高显示面板的出光效率,保证了显示装置的品质。
为了避免在溅射工艺的过程中,溅射到衬底基板的功能区域内,在一些实施例中,步骤101在衬底基板的一侧设置第一掩膜板还包括:使第一掩膜板与衬底基板相互贴合。在本实施例中,如果第一掩膜板与衬底基板之间具有间隙,那么在溅射工艺过程中,一部分材料就会溅射到第一掩膜板的遮挡区域内,进而影响显示面板的品质,而本发明实施例中,第一掩膜板与衬底基板相互贴合,使第一掩膜板与衬底基板之间没有间隙,这样就不会将材料溅射到第一掩膜板的遮挡区域内,提高了显示面板的品质。
在一些实施例中,步骤102在所述第一掩膜板背离于所述衬底基板的一侧设置第二掩膜板,使所述第二掩膜板的图案对应所述第一掩膜板的显露区域,还包括:使所述第二掩膜板与所述衬底基板之间具有间隙。在本实施例中,如果衬底基板与第二掩膜板之间没有间隙,这样溅射工艺就无法将材料溅射到第二掩膜板的遮挡区域内,这样就无法在第一掩膜板显露区域对应的衬底基板上形成完整的第二电极层4,进而无法形成具有粗糙面第二电极层4,而本实施例中,使第二掩膜板和衬底基板之间具有间隙,当通过第二掩膜板的显露区域对衬底基板进行溅射工艺时,能够将材料溅射到第二掩膜板的遮挡区域内,并且使遮挡区域的厚度小于显露区域的厚度,以形成粗糙面的加工。
另一方面,本发明实施例还提供了一种显示设备,包括上述的显示面板。
本发明实施例提供了一种显示设备,用于提高显示设备的出光效率,而现有技术中,显示面板中的ITO层的两个侧面均为平面结构,当发光层发出的光线穿过ITO层时,一部分光线由于角度的原因就会在ITO层内形成全反射,而无法从ITO层中射出,进而会降低显示设备的发光效率,影响显示设备的品质,与现有技术相比,本发明实施例提供的显示设备包括显示面板,而显示面板包括:衬底基板、第一电极层、发光层和第二电极层,其中,第一电极层设置于衬底基板的一侧,发光层设置于第一电极层背离于衬底基板的一侧,第二电极层设置于发光层背离于第一电极层的一侧,其中,第二电极层的第一面为粗糙面。当发光层的光线进入至第二电极层时,由于第二电极层的第一面为粗糙面,使光线经过第一面后的入射角度会发生改变,发光层发出的所有光线都可以透过第二电极层发出,进而可以提高显示面板的出光效率,保证了显示装置的品质。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的一侧设置第一掩膜板;
在所述第一掩膜板背离于所述衬底基板的一侧设置第二掩膜板,使所述第二掩膜板的图案对应所述第一掩膜板的显露区域;
通过所述第二掩膜板在所述第一掩膜板显露区域对应的所述衬底基板上,采用溅射方式形成表面粗糙的第二电极层;
所述在所述第一掩膜板背离于所述衬底基板的一侧设置第二掩膜板,使所述第二掩膜板的图案对应所述第一掩膜板的显露区域,还包括:
使所述第二掩膜板与所述衬底基板之间具有间隙;
所述在衬底基板的一侧设置第一掩膜板,还包括:
使所述第一掩膜板与所述衬底基板相互贴合;
其中,所述第一掩膜板覆盖遮挡衬底基板的功能区域,所述功能区域上设置有驱动电路和走线。
2.一种显示面板,根据如权利要求1所述的显示面板的制备方法制备得到,其特征在于,包括:
衬底基板、第一电极层、发光层和第二电极层,其中,所述第一电极层设置于所述衬底基板的一侧,所述发光层设置于所述第一电极层背离于所述衬底基板的一侧,所述第二电极层设置于所述发光层背离于所述第一电极层的一侧,其中,所述第二电极层的第一面为粗糙面;
所述发光层为量子点层;
所述第二电极层为ITO层或IZO层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一面位于所述第二电极层背离于所述发光层的一侧。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第二电极层和所述发光层之间设有第二传输层,所述第二传输层上设有第三面,其中,所述第三面为粗糙面。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述发光层朝向于所述第二电极层的一侧设有第一传输层,所述第一传输层朝向于所述第一电极层的一侧设有第一注入层,所述第一传输层、所述第一注入层和所述第一电极层中任意一层或多层具有第四面,所述第四面为粗糙面。
6.一种显示设备,其特征在于,包括:
如权利要求2至5中任一项所述的显示面板。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810834313.5A CN108922984B (zh) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | 显示面板及其制备方法、显示设备 |
US16/393,879 US20200035953A1 (en) | 2018-07-26 | 2019-04-24 | Display panel and method for manufacturing the same |
PCT/CN2019/097896 WO2020020341A1 (zh) | 2018-07-26 | 2019-07-26 | 发光二极管结构及其制造方法和显示面板 |
US17/043,163 US11778855B2 (en) | 2018-07-26 | 2019-07-26 | Light-emitting diode structure, fabrication method therefor, and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810834313.5A CN108922984B (zh) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | 显示面板及其制备方法、显示设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108922984A CN108922984A (zh) | 2018-11-30 |
CN108922984B true CN108922984B (zh) | 2021-04-16 |
Family
ID=64416684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810834313.5A Active CN108922984B (zh) | 2018-07-26 | 2018-07-26 | 显示面板及其制备方法、显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20200035953A1 (zh) |
CN (1) | CN108922984B (zh) |
WO (1) | WO2020020341A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108922984B (zh) | 2018-07-26 | 2021-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示设备 |
KR102697767B1 (ko) | 2019-07-05 | 2024-08-21 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자와 이를 포함한 표시 장치 |
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CN111755490B (zh) | 2020-06-22 | 2022-07-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
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CN108321312A (zh) * | 2018-03-19 | 2018-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103219433A (zh) * | 2012-01-20 | 2013-07-24 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
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CN105742449B (zh) * | 2016-04-01 | 2018-02-16 | 清华大学 | 发光二极管的电极制备方法 |
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CN108922984B (zh) * | 2018-07-26 | 2021-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示设备 |
-
2018
- 2018-07-26 CN CN201810834313.5A patent/CN108922984B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-24 US US16/393,879 patent/US20200035953A1/en not_active Abandoned
- 2019-07-26 US US17/043,163 patent/US11778855B2/en active Active
- 2019-07-26 WO PCT/CN2019/097896 patent/WO2020020341A1/zh active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210193876A1 (en) | 2021-06-24 |
US11778855B2 (en) | 2023-10-03 |
WO2020020341A1 (zh) | 2020-01-30 |
US20200035953A1 (en) | 2020-01-30 |
CN108922984A (zh) | 2018-11-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |