[go: up one dir, main page]

CN108520833B - 多孔铝宏观体及其制造系统与方法 - Google Patents

多孔铝宏观体及其制造系统与方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108520833B
CN108520833B CN201810220747.6A CN201810220747A CN108520833B CN 108520833 B CN108520833 B CN 108520833B CN 201810220747 A CN201810220747 A CN 201810220747A CN 108520833 B CN108520833 B CN 108520833B
Authority
CN
China
Prior art keywords
aluminum
subsystem
temperature
low
porous
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810220747.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108520833A (zh
Inventor
骞伟中
薛济萍
杨周飞
尤伟任
金鹰
顾孙望
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhongtian Chaorong Technology Co ltd
Tsinghua University
Jiangsu Zhongtian Technology Co Ltd
Original Assignee
SHANGHAI ZHONGTIAN ALUMINIUM WIRE CO Ltd
Tsinghua University
Jiangsu Zhongtian Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI ZHONGTIAN ALUMINIUM WIRE CO Ltd, Tsinghua University, Jiangsu Zhongtian Technology Co Ltd filed Critical SHANGHAI ZHONGTIAN ALUMINIUM WIRE CO Ltd
Priority to CN201810220747.6A priority Critical patent/CN108520833B/zh
Publication of CN108520833A publication Critical patent/CN108520833A/zh
Priority to EP19768237.0A priority patent/EP3709322A4/en
Priority to PCT/CN2019/078190 priority patent/WO2019174621A1/zh
Priority to JP2020543689A priority patent/JP6945786B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of CN108520833B publication Critical patent/CN108520833B/zh
Priority to US16/893,644 priority patent/US11268187B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/66—Current collectors
    • H01G11/70—Current collectors characterised by their structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C23C14/025—Metallic sublayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/046—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C23C14/205—Metallic material, boron or silicon on organic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/24—Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • H01G11/28—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features arranged or disposed on a current collector; Layers or phases between electrodes and current collectors, e.g. adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/66—Current collectors
    • H01G11/68—Current collectors characterised by their material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/80—Porous plates, e.g. sintered carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/668—Composites of electroconductive material and synthetic resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/72—Grids
    • H01M4/74—Meshes or woven material; Expanded metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/76—Containers for holding the active material, e.g. tubes, capsules
    • H01M4/762—Porous or perforated metallic containers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种多孔铝宏观体及其制造系统与方法，该多孔铝宏观体为空心铝丝相连接形成的三维全通孔结构，空心铝丝的壁厚为7‑100微米；多孔铝宏观体的总体孔隙率为85‑99％，拉伸强度0.4‑2MPa，抗压强度1‑3.5Mpa；该制造系统包括磁控溅射子系统、高温铝蒸气子系统、低温铝沉积子系统、铝蒸气回收子系统以及多孔聚合物薄膜传送子系统；其制备方法包括首先利用磁控溅射的方法在多孔聚合物薄膜上快速溅射1～500nm厚的铝层，然后将其置于低压物理气相沉积器中，继续沉积铝层至7‑100微米厚度的同时，原位将聚合物薄膜分解，得到多孔铝宏观体；该产品具有空隙率调节灵活，强度高的优点，制备方法具有制备时间短，对多孔聚合物薄膜要求低，不需要前处理，可连续化操作，成本低等优点。

Description

多孔铝宏观体及其制造系统与方法
技术领域
本发明属于电化学储能与金属加工技术领域，特别涉及一种电化学储能系统所用的多孔铝及制造系统与方法。
背景技术
目前超级电容器与各种二次电池，是国际上清洁电化学储能的重点研究领域，具有可以可逆充放电的特性，从而可以存储能量，用于驱动各种动力设备，如车辆，起重机械，风力发电浆叶，各种电路开关，以及用于各种电源等。超级电容器与各种二次电池或其混合产品的共同结构特性是，具有活性材料，具有正负极及隔膜，具有集流体。传统的加工方法，常以无孔、平整与机械强度好，导电性好的金属箔(如铝箔)作为集流体(收集电流)。并且为了尽可能增加活性材料在器件中的质量份额，常将活性材料与粘接剂等通过混浆、辊压的方式，固定在宏观体表面。该方法已经实现了大工业化。
然而，用于超级电容的活性物质常为各种碳或炭材料。用于二次电池的活性材料，以锂离子电池为例，常为各种无机锂化合物。同时系统中用的必要的附件如隔膜、电解液等，其本征密度大多小于金属的本征密度。因此，在追求器件的质量能量密度与体积能量密度的前年下，传统的无孔宏观体显示出在器件中质量占比大，并不贡献能量的弊端。同时，传统的，将活性材料粘接在无孔金属宏观体上的加工方式，也具有不易拆解回收的弊端，不利于器件报废后的拆解回收，对于降低成本，保护环境不利。
鉴于铝集流体的重要性，前人提出了多种多孔铝宏观体的制备方法，包括利用聚氨酯模板进行电镀或物理溅射。去除模板后，这些多孔空心铝宏观体空隙率可达97％，导电性也很好，质量也非常轻。然而，电化学镀铝法使用含铝离子液体等昂贵试剂，且要求系统中不含任何水份，以避免离子液体分解，形成AlCL3等强腐蚀性物质及HCl等酸雾。也使得多孔聚氨酯薄膜的除水成本上升。单纯的物理溅射法，克服了电化学镀铝的缺点，但其设备体积有限，不能够实现大面积样品的同时溅射，同时铝沉积速度过于缓慢。另外，工业上有高温物理蒸汽铝的方法，但高温铝蒸气会直接导致多孔聚氨酯薄膜熔化，得不到合格样品。
发明内容
鉴于已有方法的不足，本发明提供一种多孔铝宏观体，及其制造系统及制备方法，保证快速沉积，保持优异的电化学稳定性以及其他用途。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种多孔铝宏观体，所述多孔铝宏观体为空心铝丝相连接形成的三维全通孔结构，空心铝丝的壁厚为7-100微米；多孔铝宏观体的总体孔隙率为85-99％，拉伸强度0.4-2MPa，抗压强度1-3.5Mpa；空心孔被封闭，不与外界相通。
制备所述的多孔铝宏观体的制造系统，该系统包括一个磁控溅射子系统1、一个高温铝蒸气子系统2、一个低温铝沉积子系统3、一个铝蒸气回收子系统4以及一条多孔聚合物薄膜传送子系统5；多孔聚合物薄膜传送子系统5与磁控溅射子系统子系统1和低温铝沉积子系统3相互相连，形成多孔聚合物薄膜运动路径；高温铝蒸气子系统2、低温铝沉积子系统3及铝蒸气回收子系统4相互连接，形成铝元素供应、沉积与回收路径。
所述低温铝沉积子系统3后端靠近多孔聚合物薄膜传送子系统5的方向设有含氧气体进口；在沉积铝的同时，利用铝的温度，使多孔聚合物薄膜完全燃烧；使多孔聚合物薄膜出低温铝沉积子系统3时，不含碳元素。
所述的含氧气体为含氧2-10％的氮气或氩气。
所述低温铝沉积子系统3具有多个铝沉积通道，使低温铝沉积子系统3向多孔聚合物薄膜传送子系统5运动的多孔铝薄膜能够接触到含氧气体，但使从多孔聚合物薄膜传送子系统5返回低温铝沉积子系统3的多孔铝薄膜，不再与含氧气体接触。
所述铝蒸气回收子系统4含有引风系统，将低温铝沉积子系统3中的含惰性气体、燃烧聚合物后的尾气和铝蒸气的混合气体引入铝蒸气回收子系统4；通过冷却使铝蒸气凝结为固体，与其他气体分离后，分别返回高温铝蒸气子系统2。
所述高温铝蒸气子系统2将外界的铝及铝蒸气回收子系统4回收的铝，在高温铝蒸气子系统2中变为铝蒸气；同时，将铝蒸气回收子系统4通入的混合气体进行燃烧无害化处理，变为尾气，送出高温铝蒸气子系统2。
制备所述的多孔铝宏观体的方法，包括如下步骤：
(1)将厚度为0.5-30mm，宽度为1-500mm，长宽比400:1～400000:1的多孔聚合物薄膜绕在多孔聚合物薄膜传送子系统5的卷轴a上，以1-20cm/min速度送入磁控溅射子系统1中，在25-50℃下，绝对压力为0.5-5Pa的氩气环境中，控制铝靶材的表面功率为2-10W/cm2，向多孔聚合物薄膜的一面上通过溅射沉积1-500nm厚的铝层；
(2)启动高温铝蒸气子系统2，在其中的溶融池中，始终将铝颗粒在600-800℃下熔融，并在惰性气体氮气或氩气存在条件下，变成分压为0.1-10％的铝蒸气；惰性气体携带铝蒸气向低温铝沉积子系统3移动；
(3)将出磁控溅射子系统1的薄膜持续送入低温铝沉积子系统3中，将低温铝沉积子系统3的温度设置为200-300℃，铝蒸气直接沉积在薄膜上，沉积时间控制在1-30分钟；
(4)出低温铝沉积子系统3的镀铝薄膜，卷绕在多孔聚合物薄膜传送子系统5的卷轴b上，自动翻面，再次依次返回低温铝沉积子系统3及磁控溅射子系统1中，保证薄膜上下两面镀铝厚度均匀；
(5)将低温铝沉积子系统3中多余的铝蒸气经过铝蒸气回收子系统4后，循环至高温铝蒸气子系统2，使铝与惰性气体实现循环利用。
所述的制备方法，从低温铝沉积子系统3出来，铝线为空心结构，且空心的孔全部与外界的介质相通。经过多孔聚合物薄膜传送子系统5返回低温铝沉积子系统3与磁控溅射子系统1后，铝线直径变大，且原来所有的空心孔被封闭，不再与外界相通。
所述多孔聚合物薄膜包含但不限于聚氨酯、聚烯烃、PVDF膜和PTFE膜。
所述高温铝蒸气子系统2将外界的铝及铝蒸气回收子系统4回收的铝，在高温铝蒸气子系统2中通过高温熔融方法变为铝蒸气。
本发明的有益效果为：
(1)与纯化学电镀的方法沉积铝相比，该方法速度快20倍，成本低90％。
(2)与单纯的溅射技术相比，沉积速度快5倍，而且成本降低50％。所得产品与单纯溅射法沉积铝，再除去聚合物模板后的产品相比，拉伸强度提高50-80％。样品含氧量下降50％。制备的多孔铝宏观体具有高空隙率、高强度的特点。
(3)与单纯的高温物理蒸镀法相比，解决了其不能直接适用于多孔聚合物模板的难题。且产品表面的光洁度比单纯的高温蒸镀法，提高10-20％。
(4)有效地利用了高温铝蒸气产生子系统的热源与设备，使得除去聚合物模板的步骤减化20％，成本降低50％，有利于环保。
附图说明
图1本发明多孔铝宏观体制造系统示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明做进一步详细的说明：
实施例1：
如图1所示，将厚度为0.5mm，宽1mm,长宽比400000：1的多孔聚氨酯薄膜绕在子系统5的卷轴a上，以1cm/min速度送入磁控溅射子系统1中，在25℃、绝对压力为5Pa的惰性气体(氩气)环境中，控制铝靶材的表面功率为2W/cm2，向多孔聚合物薄膜的一面上通过溅射连续沉积铝层，厚度为1nm。启动高温铝蒸气子系统2，在其中的溶融池中，始终将铝颗粒在600℃下熔融，并在惰性气体(氮气)存在条件下，变成铝蒸气(分压为0.1％)。惰性气体携带铝蒸气向低温铝沉积子系统3移动。将低温铝沉积子系统3的温度设置为200℃，将出磁控溅射子系统1的薄膜持续送入低温铝沉积子系统3中，铝蒸气直接沉积在薄膜上，沉积时间控制在30分钟。在低温铝沉积子系统3的出口端通入含2％氧气的氮气，将聚合物氧化燃烧除去，并使去铝蒸气回收子系统4的气体中氧含量低于1％。出低温铝沉积子系统3的镀铝薄膜，卷绕在多孔聚合物薄膜传送子系统5的卷轴b上，自动翻面，再次依次返回低温铝沉积子系统3及磁控溅射子系统1中，保证薄膜上下两面镀铝厚度均匀。空心铝丝的壁厚为20微米，宏观体孔隙率为95％，拉伸强度1MPa,抗压强度1.5MPa。
将低温铝沉积子系统3中多余的铝蒸气、惰性载气及去除聚合物的气体引入铝蒸气回收子系统4，通过冷却与分离，分固体铝与气体两路，返回至高温铝蒸气子系统2，回收的铝与原料铝同时用于产生高温铝蒸气。气体在其中经过处理，以尾气形式排放。
实施例2：
如图1所示，将厚度为30mm，宽500mm,长宽比400:1的多孔PVDF薄膜绕在子系统5的卷轴a上，以20cm/min速度送入磁控溅射子系统1中，在50℃、绝对压力为0.5Pa的惰性气体(氩气)环境中，控制铝靶材的表面功率为10W/cm2，向多孔聚合物薄膜的一面上通过溅射连续沉积铝层，厚度为500nm。启动高温铝蒸气子系统2，在其中的溶融池中，始终将铝颗粒在800℃下熔融，并在惰性气体(氮气)存在条件下，变成铝蒸气(分压为10％)。惰性气体携带铝蒸气向低温铝沉积子系统3移动。将低温铝沉积子系统3的温度设置为300℃，将出磁控溅射子系统1的薄膜持续送入低温铝沉积子系统3中，铝蒸气直接沉积在薄膜上，沉积时间控制在1分钟。在低温铝沉积子系统3的出口端通入含10％氧气的氮气，将聚合物氧化燃烧除去，并使去铝蒸气回收子系统4的气体中氧含量低于1％。出低温铝沉积子系统3的镀铝薄膜，卷绕在多孔聚合物薄膜传送子系统5的卷轴b上，自动翻面，再次依次返回低温铝沉积子系统3及磁控溅射子系统1中，保证薄膜上下两面镀铝厚度均匀。空心铝丝的壁厚为100微米，宏观体孔隙率为85％，拉伸强度为2MPa,抗压强度3.5MPa。
将低温铝沉积子系统3中多余的铝蒸气、惰性载气及去除聚合物的气体引入铝蒸气回收子系统4，通过冷却与分离，分固体铝与气体两路，返回至高温铝蒸气子系统2，回收的铝与原料铝同时用于产生高温铝蒸气。气体在其中经过处理，以尾气形式排放。
实施例3：
如图1所示，将厚度为5mm，宽50mm,长宽比4000:1的多孔PTFE薄膜绕在子系统5的卷轴a上，以10cm/min速度送入磁控溅射子系统1中，在38℃、绝对压力为2Pa的惰性气体(氩气)环境中，控制铝靶材的表面功率为5W/cm2，向多孔聚合物薄膜的一面上通过溅射连续沉积铝层，厚度为100nm。启动高温铝蒸气子系统2，在其中的溶融池中，始终将铝颗粒在700℃下熔融，并在惰性气体(氩气)存在条件下，变成铝蒸气(分压为3％)。惰性气体携带铝蒸气向低温铝沉积子系统3移动。将低温铝沉积子系统3的温度设置为250℃，将出磁控溅射子系统1的薄膜持续送入低温铝沉积子系统3中，铝蒸气直接沉积在薄膜上，沉积时间控制在10分钟。在低温铝沉积子系统3的出口端通入含5％氧气的氩气，将聚合物氧化燃烧除去，并使去铝蒸气回收子系统4的气体中氧含量低于1％。出低温铝沉积子系统3的镀铝薄膜，卷绕在多孔聚合物薄膜传送子系统5的卷轴b上，自动翻面，再次依次返回低温铝沉积子系统3及磁控溅射子系统1中，保证薄膜上下两面镀铝厚度均匀。空心铝丝的壁厚为7微米，宏观体孔隙率为99％，拉伸强度为0.8MPa,抗压强度1.2MPa。
将低温铝沉积子系统3中多余的铝蒸气、惰性载气及去除聚合物的气体引入铝蒸气回收子系统4，通过冷却与分离，分固体铝与气体两路，返回至高温铝蒸气子系统2，回收的铝与原料铝同时用于产生高温铝蒸气。气体在其中经过处理，以尾气形式排放。
实施例4：
如图1所示，将厚度为10mm，宽100mm,长宽比9000:1的多孔聚丙烯薄膜绕在子系统5的卷轴a上，以10cm/min速度送入磁控溅射子系统1中，在40℃、绝对压力为3Pa的惰性气体(氩气)环境中，控制铝靶材的表面功率为7W/cm2，向多孔聚丙烯薄膜的一面上通过溅射连续沉积铝层，厚度为200nm。启动高温铝蒸气子系统2，在其中的溶融池中，始终将铝颗粒在750℃下熔融，并在惰性气体(氩气)存在条件下，变成铝蒸气(分压为8％)。惰性气体携带铝蒸气向低温铝沉积子系统3移动。将低温铝沉积子系统3的温度设置为300℃，将出磁控溅射子系统1的薄膜持续送入低温铝沉积子系统3中，铝蒸气直接沉积在薄膜上，沉积时间控制在2分钟。在低温铝沉积子系统3的出口端通入含10％氧气的氩气，将聚合物氧化燃烧除去，并使去铝蒸气回收子系统4的气体中氧含量低于1％。出低温铝沉积子系统3的镀铝薄膜，卷绕在多孔聚合物薄膜传送子系统5的卷轴b上，自动翻面，再次依次返回低温铝沉积子系统3及磁控溅射子系统1中，保证薄膜上下两面镀铝厚度均匀。空心铝丝的壁厚为70微米，宏观体孔隙率为97％，拉伸强度为1.4MPa,抗压强度2.5MPa。
将低温铝沉积子系统3中多余的铝蒸气、惰性载气及去除聚合物的气体引入铝蒸气回收子系统4，通过冷却与分离，分固体铝与气体两路，返回至高温铝蒸气子系统2，回收的铝与原料铝同时用于产生高温铝蒸气。气体在其中经过处理，以尾气形式排放。
实施例5：
如图1所示，将厚度为20mm，宽300mm,长宽比4000:1的多孔聚乙烯薄膜绕在子系统5的卷轴a上，以2cm/min速度送入磁控溅射子系统1中，在25℃、绝对压力为1Pa的惰性气体(氩气)环境中，控制铝靶材的表面功率为4W/cm2，向多孔聚乙烯薄膜的一面上通过溅射连续沉积铝层，厚度为120nm。启动高温铝蒸气子系统2，在其中的溶融池中，始终将铝颗粒在780℃下熔融，并在惰性气体(氮气)存在条件下，变成铝蒸气(分压为0.4％)。惰性气体携带铝蒸气向低温铝沉积子系统3移动。将低温铝沉积子系统3的温度设置为200℃，将出磁控溅射子系统1的薄膜持续送入低温铝沉积子系统3中，铝蒸气直接沉积在薄膜上，沉积时间控制在2分钟。在低温铝沉积子系统3的出口端通入含3.5％氧气的氮气，将聚乙烯氧化燃烧除去，并使去铝蒸气回收子系统4的气体中氧含量低于1％。出低温铝沉积子系统3的镀铝薄膜，卷绕在多孔聚合物薄膜传送子系统5的卷轴b上，自动翻面，再次依次返回低温铝沉积子系统3及磁控溅射子系统1中，保证薄膜上下两面镀铝厚度均匀。空心铝丝的壁厚为35微米，宏观体孔隙率为89％，拉伸强度为1.5MPa,抗压强度3MPa。
将低温铝沉积子系统3中多余的铝蒸气、惰性载气及去除聚合物的气体引入铝蒸气回收子系统4，通过冷却与分离，分固体铝与气体两路，返回至高温铝蒸气子系统2，回收的铝与原料铝同时用于产生高温铝蒸气。气体在其中经过处理，以尾气形式排放。

Claims (9)

1.一种多孔铝宏观体的制造系统，所述多孔铝宏观体为空心铝丝相连接形成的三维全通孔结构，空心铝丝的壁厚为7-100微米；多孔铝宏观体的总体孔隙率为85-99％，拉伸强度0.4-2MPa，抗压强度1-3.5Mpa；空心孔被封闭，不与外界相通；
其特征在于：所述制造系统包括一个磁控溅射子系统(1)、一个高温铝蒸气子系统(2)、一个低温铝沉积子系统(3)、一个铝蒸气回收子系统(4)以及一条多孔聚合物薄膜传送子系统(5)；多孔聚合物薄膜传送子系统(5)与磁控溅射子系统子系统(1)和低温铝沉积子系统(3)相互相连，形成多孔聚合物薄膜运动路径；高温铝蒸气子系统(2)、低温铝沉积子系统(3)及铝蒸气回收子系统(4)相互连接，形成铝元素供应、沉积与回收路径。
2.如权利要求1所述的制造系统，其特征在于：所述低温铝沉积子系统(3)后端靠近多孔聚合物薄膜传送子系统(5)的方向设有含氧气体进口；在沉积铝的同时，利用铝的温度，使多孔聚合物薄膜完全燃烧；使多孔聚合物薄膜出低温铝沉积子系统(3)时，不含碳元素。
3.如权利要求1所述的制造系统，其特征在于：所述低温铝沉积子系统(3)具有多个铝沉积通道，使低温铝沉积子系统(3)向多孔聚合物薄膜传送子系统(5)运动的多孔铝薄膜能够接触到含氧气体，但使从多孔聚合物薄膜传送子系统(5)返回低温铝沉积子系统(3)的多孔铝薄膜，不再与含氧气体接触。
4.如权利要求1所述的制造系统，其特征在于：所述铝蒸气回收子系统(4)含有引风系统，将低温铝沉积子系统(3)中的含惰性气体、燃烧聚合物后的尾气和铝蒸气的混合气体引入铝蒸气回收子系统(4)；通过冷却使铝蒸气凝结为固体，与其他气体分离后，分别返回高温铝蒸气子系统(2)。
5.如权利要求1所述的制造系统，其特征在于：所述高温铝蒸气子系统(2)将外界的铝及铝蒸气回收子系统(4)回收的铝，在高温铝蒸气子系统(2)中变为铝蒸气；同时，将铝蒸气回收子系统(4)通入的混合气体进行燃烧无害化处理，变为尾气，送出高温铝蒸气子系统(2)。
6.如权利要求1所述的制造系统，其特征在于：所述多孔铝宏观体的制备方法包括如下步骤：
(1)将厚度为0.5-30mm，宽度为1-500mm，长宽比400:1～400000:1的多孔聚合物薄膜绕在多孔聚合物薄膜传送子系统(5)的卷轴a上，以1-20cm/min速度送入磁控溅射子系统(1)中，在25-50℃下，绝对压力为0.5-5Pa的氩气环境中，控制铝靶材的表面功率为2-10W/cm2，向多孔聚合物薄膜的一面上通过溅射沉积1-500nm厚的铝层；
(2)启动高温铝蒸气子系统(2)，在其中的溶融池中，始终将铝颗粒在600-800℃下熔融，并在惰性气体氮气或氩气存在条件下，变成分压为0.1-10％的铝蒸气；惰性气体携带铝蒸气向低温铝沉积子系统(3)移动；
(3)将出磁控溅射子系统(1)的薄膜持续送入低温铝沉积子系统(3)中，将低温铝沉积子系统(3)的温度设置为200-300℃，铝蒸气直接沉积在薄膜上，沉积时间控制在1-30分钟；
(4)出低温铝沉积子系统(3)的镀铝薄膜，卷绕在多孔聚合物薄膜传送子系统(5)的卷轴b上，自动翻面，再次依次返回低温铝沉积子系统(3)及磁控溅射子系统(1)中，保证薄膜上下两面镀铝厚度均匀；
(5)将低温铝沉积子系统(3)中多余的铝蒸气经过铝蒸气回收子系统(4)后，循环至高温铝蒸气子系统(2)，使铝与惰性气体实现循环利用。
7.如权利要求6所述的制造系统，其特征在于：从低温铝沉积子系统(3)出来，空心铝丝为空心结构，且空心的孔全部与外界的介质相通；经过多孔聚合物薄膜传送子系统(5)返回低温铝沉积子系统(3)与磁控溅射子系统(1)后，空心铝丝直径变大，且原来所有的空心孔被封闭，不再与外界相通。
8.如权利要求6所述的制造系统，其特征在于：所述多孔聚合物薄膜为聚氨酯、聚烯烃、PVDF膜或PTFE膜。
9.如权利要求6所述的制造系统，其特征在于：所述高温铝蒸气子系统(2)将外界的铝及铝蒸气回收子系统(4)回收的铝，在高温铝蒸气子系统(2)中通过高温熔融方法变为铝蒸气。
CN201810220747.6A 2018-03-16 2018-03-16 多孔铝宏观体及其制造系统与方法 Active CN108520833B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810220747.6A CN108520833B (zh) 2018-03-16 2018-03-16 多孔铝宏观体及其制造系统与方法
EP19768237.0A EP3709322A4 (en) 2018-03-16 2019-03-14 POROUS ALUMINUM MACROSCOPIC BODY AND MANUFACTURING SYSTEM AND ASSOCIATED PROCESS
PCT/CN2019/078190 WO2019174621A1 (zh) 2018-03-16 2019-03-14 多孔铝宏观体及其制造系统与方法
JP2020543689A JP6945786B2 (ja) 2018-03-16 2019-03-14 多孔質アルミニウムマクロ、並びに、その製造システム及びその製造方法
US16/893,644 US11268187B2 (en) 2018-03-16 2020-06-05 Porous aluminum macroscopic body and fabrication system and method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810220747.6A CN108520833B (zh) 2018-03-16 2018-03-16 多孔铝宏观体及其制造系统与方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108520833A CN108520833A (zh) 2018-09-11
CN108520833B true CN108520833B (zh) 2019-09-17

Family

ID=63433978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810220747.6A Active CN108520833B (zh) 2018-03-16 2018-03-16 多孔铝宏观体及其制造系统与方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11268187B2 (zh)
EP (1) EP3709322A4 (zh)
JP (1) JP6945786B2 (zh)
CN (1) CN108520833B (zh)
WO (1) WO2019174621A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108520833B (zh) * 2018-03-16 2019-09-17 江苏中天科技股份有限公司 多孔铝宏观体及其制造系统与方法
CN111118451B (zh) * 2020-01-20 2024-08-06 昆山浦元真空技术工程有限公司 海绵铝生产工艺及其所用的海绵铝生产设备
CN115798943A (zh) * 2022-11-15 2023-03-14 清华大学 三维全通孔铝结构体的制造方法与系统

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1008332B (zh) * 1987-12-08 1990-06-13 中国科学院化工冶金研究所 中空镍纤维毡的制法
JP3413662B2 (ja) * 1992-01-13 2003-06-03 上村工業株式会社 アルミニウム多孔体の製造方法
JP3568052B2 (ja) * 1994-12-15 2004-09-22 住友電気工業株式会社 金属多孔体、その製造方法及びそれを用いた電池用極板
JP3344175B2 (ja) * 1995-07-12 2002-11-11 上村工業株式会社 アルミニウム多孔体の製造方法
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
JP4402016B2 (ja) * 2005-06-20 2010-01-20 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
KR101254335B1 (ko) * 2005-11-29 2013-04-12 황창훈 금속판 벨트 증발원을 이용한 선형 유기소자 양산장비
CN101086058A (zh) * 2006-06-05 2007-12-12 李博峰 一种用于连续带状基料的真空沉积薄膜装置
JP5043394B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置およびその運転方法
JP5407663B2 (ja) * 2009-08-27 2014-02-05 三菱マテリアル株式会社 非水電解質二次電池用電極およびその製造方法
JP5663938B2 (ja) * 2010-04-22 2015-02-04 住友電気工業株式会社 アルミニウム構造体の製造方法およびアルミニウム構造体
JP2011236476A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Sumitomo Electric Ind Ltd アルミニウム構造体の製造方法およびアルミニウム構造体
WO2011142338A1 (ja) * 2010-05-12 2011-11-17 住友電気工業株式会社 アルミニウム構造体の製造方法およびアルミニウム構造体
CN103299462B (zh) * 2011-02-18 2016-06-22 住友电气工业株式会社 集电体用三维网状铝多孔体、使用了该铝多孔体的电极、以及使用了该电极的电池、电容器和锂离子电容器
CN102212791A (zh) * 2011-06-02 2011-10-12 爱蓝天高新技术材料(大连)有限公司 对聚酯型聚氨酯泡沫基体进行磁控溅射镀膜的设备及方法
JP2015165036A (ja) * 2012-06-29 2015-09-17 住友電気工業株式会社 金属多孔体の製造方法および金属多孔体
CN103325840B (zh) * 2013-04-15 2016-05-18 北京大学深圳研究生院 薄膜晶体管及其制作方法
JPWO2015105136A1 (ja) * 2014-01-09 2017-03-23 住友電気工業株式会社 リチウムイオンキャパシタ用正極およびそれを用いたリチウムイオンキャパシタ
JP2018016869A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 日立化成株式会社 アルミニウム系多孔質体及びその製造方法
CN108520833B (zh) * 2018-03-16 2019-09-17 江苏中天科技股份有限公司 多孔铝宏观体及其制造系统与方法
CN108441821B (zh) * 2018-03-16 2019-10-18 江苏中天科技股份有限公司 铝或铝/铜或铝/镍空心丝宏观体及其制造系统与方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021508784A (ja) 2021-03-11
US20200299827A1 (en) 2020-09-24
EP3709322A4 (en) 2021-09-29
US11268187B2 (en) 2022-03-08
EP3709322A1 (en) 2020-09-16
WO2019174621A1 (zh) 2019-09-19
JP6945786B2 (ja) 2021-10-06
CN108520833A (zh) 2018-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cheng et al. Elevated‐temperature 3D printing of hybrid solid‐state electrolyte for Li‐ion batteries
CN106654285B (zh) 一种用于锂电池的柔性集流体及其制备方法
WO2018145665A1 (zh) 一种耐高温多层隔膜复合锂离子电池隔膜及其制备方法
CN108520833B (zh) 多孔铝宏观体及其制造系统与方法
KR20120113222A (ko) 압축된 분말 3차원 배터리 전극 제조
US20130252068A1 (en) Manufacturing method of high-performance silicon based electrode using polymer pattern on current collector and manufacturing method of negative electrode of rechargeable lithium battery including same
Joseph et al. Plasma enabled synthesis and processing of materials for lithium‐ion batteries
US20140126112A1 (en) Carbon nanotubes attached to metal foil
CN106673655B (zh) 一种制备石墨烯增强三维多孔碳自支撑薄膜的方法
CN111682163A (zh) 一种锂电池用锂转移式补锂方法
CN103582721B (zh) 铝结构体的制造方法和铝结构体
JP2014071977A (ja) リチウムイオン電池の製造方法およびリチウムイオン電池の製造装置
CN108682791A (zh) 一种气相法制备层状结构无机钙钛矿负极材料的方法
CN112808018A (zh) 一种基于电泳策略的二维膜连续化生产工艺及设备
CN108441821B (zh) 铝或铝/铜或铝/镍空心丝宏观体及其制造系统与方法
CN105761943B (zh) 镍锡合金纳米孔阵列及其制备方法
WO2013065478A1 (ja) リチウムイオン二次電池およびその製造方法
CN114243213B (zh) 高负载陶瓷颗粒的超薄高强多层复合隔膜及其制备方法
CN115394963A (zh) 一种利用先进激光系统辅助制备锂电池高负载正极的方法
US20240282975A1 (en) Device and method for preparing current collector assembly
CN114361463A (zh) 一种复合集流体的制备方法
JPH0268855A (ja) 電池用電極の製造方法
TW201403927A (zh) 鋰離子電池電極的製備方法
CN116799348A (zh) 一种基于高温膜分离的废旧锂离子电池回收方法及装置
JP2000138048A (ja) セパレータ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211013

Address after: No. 5-1, Zhongtian Road, development zone, Nantong City, Jiangsu Province, 226000

Patentee after: Zhongtian Chaorong Technology Co.,Ltd.

Patentee after: JIANGSU ZHONGTIAN TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee after: TSINGHUA University

Address before: The road town of Rudong County in Jiangsu province 226463 in Nantong City, No. 1

Patentee before: JIANGSU ZHONGTIAN TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Patentee before: SHANGHAI ZHONGTIAN ALUMINIUM WIRE Co.,Ltd.

Patentee before: TSINGHUA University

TR01 Transfer of patent right