[go: up one dir, main page]

CN108511465A - 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法 - Google Patents

内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108511465A
CN108511465A CN201810402217.3A CN201810402217A CN108511465A CN 108511465 A CN108511465 A CN 108511465A CN 201810402217 A CN201810402217 A CN 201810402217A CN 108511465 A CN108511465 A CN 108511465A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
patterned
cabling
array substrate
transparent electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810402217.3A
Other languages
English (en)
Inventor
王威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201810402217.3A priority Critical patent/CN108511465A/zh
Publication of CN108511465A publication Critical patent/CN108511465A/zh
Priority to US16/313,046 priority patent/US20190333938A1/en
Priority to PCT/CN2018/108082 priority patent/WO2019205489A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
    • H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

本发明涉及一种内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法。该内嵌式触控阵列基板包括：基板(10)；设于基板(10)上的低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括图案化的遮光层(11)和图案化的源漏极层(17)；设于所述低温多晶硅TFT阵列上的图案化的平坦层(18)；设于平坦层(18)上的图案化的底部透明电极(22)；设于底部透明电极(22)上的图案化的钝化层(23)；设于钝化层(23)上的图案化的顶部透明电极(24)；源漏极层(17)包括与上方底部透明电极(22)相连接的第一走线(171)，所述遮光层(11)包括作为触控信号线的第二走线(111)，所述第二走线(111)与上方的第一走线(171)相连接。本发明减少一道光罩，减少3次成膜，制程简化，成本降低。

Description

内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法。
背景技术
触控显示面板根据结构不同可划分为：触控电路覆盖于液晶盒上式(On Cell)，触控电路内嵌在液晶盒内式(In Cell)、以及外挂式。内嵌式触控显示面板具有成本较低、厚度较薄等优点，受到各大面板厂家青睐，已演化为未来触控技术的主要发展方向。
参见图1，其为一种现有内嵌式触控阵列基板的剖面展开示意图。目前高解析度内嵌式触控(In-Cell Touch)已成为低温多晶硅(LTPS)LCD显示面板主流，目前内嵌式触控多采用底部透明电极(BITO)22作为触控信号电极，使用独立金属(Metal)线作为触控(Touch)信号线，触控信号线多采用独立的第三金属层(M3)20制作而成。与非内嵌式(Non In-Cell)相比较，需要增加第一绝缘层19&第三金属层20、第二绝缘层21(IL1&M3、IL2)三次成膜、两道光罩(Mask)制程，制造成本、不良率也随之增加。
现有内嵌式触控阵列基板主要包括：基板10，设于基板10上的低温多晶硅薄膜晶体管阵列，设于低温多晶硅TFT阵列上的平坦层18，以及设于平坦层18上的第一绝缘层19，可作为触控信号线的第三金属层20，第二绝缘层21，可作为触控信号电极的底部透明电极22，钝化层23，以及可作为像素电极的顶部透明电极24；低温多晶硅薄膜晶体管阵列主要包括遮光层11，缓冲层12，多晶硅层13，栅极绝缘层14，栅极层15，层间介质层16，以及源漏极层17。
目前内嵌式触控低温多晶硅LCD显示面板的TFT结构以及制造工艺主要包括：
(1)形成遮光层(LS)11：遮光层成膜→光刻(Photo)→蚀刻→剥离(Strip)，形成遮光层图案；在基板10上形成遮光层11，遮光层11一般为金属层，利用光罩制程图案化遮光层11，剥离光阻；
(2)形成多晶硅层(P-Si)13：3L成膜→准分子激光退火(ELA)→光刻→干蚀刻→剥离；在遮光层11上形成缓冲层12，例如SiNx/SiOx，之后在缓冲层12上形成多晶硅层13，然后图案化多晶硅层13，剥离光阻；
(3)NCD：光刻→NCD离子注入(IMP)→剥离；对多晶硅层13进行沟道掺杂，形成沟道；
(4)NP：光刻→NP离子注入→剥离；对多晶硅层13进行N型离子重掺杂，形成NMOS沟道两侧的源极区和漏极区；
(5)形成栅极绝缘层14&栅极层15(GI&Gate)：栅极绝缘层14&栅极层15成膜→光刻→蚀刻→轻掺杂漏极区(LDD)离子注入；形成栅极绝缘层14和栅极层15，然后图案化栅极层15和栅极绝缘层14，形成TFT的栅极以及扫描线等结构，通过离子注入形成轻掺杂漏极区；
(6)Pp：光刻→Pp离子注入→剥离；对多晶硅层13进行P型离子重掺杂，形成PMOS沟道两侧的源极区和漏极区；
(7)形成层间介质层(ILD)16：层间介质层成膜→快速热退火(RTA)→光刻→干蚀刻→剥离；形成层间介质层16，图案化；
(8)形成源漏极层(SD)17：源漏极层成膜→光刻→干蚀刻→剥离；形成源漏极层17，图案化，形成源极/漏极和数据线等结构；
(9)形成平坦层(PLN)18：平坦层光刻→平坦层灰化(Ash)；形成平坦层18，图案化，灰化去除光阻；
(10)形成第一绝缘层19&第三金属层20(IL1&M3)：第一绝缘层&第三金属层成膜→第三金属层光刻→蚀刻→剥离；形成第一绝缘层19和第三金属层20，图案化第一绝缘层19和第三金属层20，第三金属层20作为触控信号线；
(11)形成第二绝缘层(IL2)21：第二绝缘层成膜→光刻→干蚀刻→剥离，形成第三金属层与底部透明电极(BITO)过孔；形成第二绝缘层21，图案化，形成第三金属层20与底部透明电极22之间的过孔；
(12)形成底部透明电极(BITO)22：底部透明电极成膜→光刻→蚀刻→剥离；形成底部透明电极22，图案化，底部透明电极22可作为触控信号电极；
(13)形成钝化层(PV)23：钝化层成膜→光刻→干蚀刻→剥离；形成钝化层23，图案化；现有技术中，钝化层23干蚀刻形成过孔时，需要一次蚀刻穿钝化层23/第二绝缘层21/第一绝缘层19三层膜，具有底切高发的风险；
(14)形成顶部透明电极(TITO)24：顶部透明电极成膜→光刻→蚀刻→剥离→退火(Anneal)；形成顶部透明电极24，图案化。
共需要14道光罩制程才能完成，工艺复杂、成本较高。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法，简化制程、降低成本。
为实现上述目的，本发明提供了一种内嵌式触控阵列基板，包括：
基板；
设于基板上的低温多晶硅薄膜晶体管阵列，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括图案化的遮光层和图案化的源漏极层；
设于所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列上的图案化的平坦层；
设于平坦层上的图案化的底部透明电极；
设于底部透明电极上的图案化的钝化层；
设于钝化层上的图案化的顶部透明电极；
所述源漏极层包括与底部透明电极相连接的第一走线，所述遮光层包括作为触控信号线的第二走线，所述第二走线与第一走线相连接。
其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括：
设于基板上的图案化的遮光层；
设于基板和遮光层上的图案化的缓冲层；
设于缓冲层上的图案化的多晶硅层；
设于多晶硅层和缓冲层上的图案化的栅极绝缘层；
设于栅极绝缘层上的图案化的栅极层；
设于栅极层上的图案化的层间介质层；
设于层间介质层上的图案化的源漏极层。
其中，所述缓冲层设有接触孔，以用于第一走线连接第二走线。
其中，所述栅极绝缘层设有过孔，以用于第一走线连接第二走线。
其中，所述层间介质层设有过孔，以用于第一走线连接第二走线。
其中，所述平坦层设有过孔，以用于底部透明电极连接第一走线。
其中，所述平坦层和钝化层分别设有过孔以用于所述顶部透明电极连接源漏极层。
其中，所述底部透明电极和顶部透明电极为氧化铟锡电极。
本发明还提供了一种显示面板，包括上述任一项所述的内嵌式触控阵列基板。
本发明还提供了一种内嵌式触控阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成遮光层，图案化遮光层，形成作为触控信号线的第二走线；
形成缓冲层及多晶硅层，图案化多晶硅层；
图案化缓冲层，形成用于第二走线连接第一走线的接触孔；
对多晶硅层进行沟道掺杂；
对多晶硅层进行N型离子重掺杂；
形成栅极绝缘层和栅极层，图案化栅极层和栅极绝缘层，栅极绝缘层形成用于第二走线连接第一走线的过孔；
对多晶硅层进行P型离子重掺杂；
形成层间介质层并使其图案化，形成用于第二走线连接第一走线的过孔；
形成源漏极层并使其图案化，形成用于与底部透明电极相连接的第一走线；
形成平坦层并使其图案化，形成用于底部透明电极连接第一走线的过孔；
形成底部透明电极，并使其图案化；
形成钝化层，并使其图案化；
形成顶部透明电极，并使其图案化。
综上，本发明的内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法减少一道光罩，减少3次成膜，制程简化，成本降低；减少3次成膜，膜层结构简化，避免了第一绝缘层、第二绝缘层、钝化层三层非金属膜直接接触导电膜，降低了因应力搭配不佳而导致出现膜破的几率，也降低了钝化层干蚀刻一次蚀刻穿钝化层/第二绝缘层/第一绝缘层三层膜时底切高发的风险。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为一种现有内嵌式触控阵列基板的剖面展开示意图；
图2为本发明内嵌式触控阵列基板一较佳实施例的剖面展开示意图。
具体实施方式
参见图2，其为本发明内嵌式触控阵列基板一较佳实施例的剖面展开示意图。该较佳实施例的内嵌式触控阵列基板，主要包括：基板10；设于基板10上的低温多晶硅薄膜晶体管阵列，低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括图案化的遮光层11和图案化的源漏极层17；设于低温多晶硅薄膜晶体管阵列上的图案化的平坦层18；设于平坦层18上的图案化的底部透明电极22，可用作触控信号电极；设于底部透明电极22上的图案化的钝化层23；设于钝化层23上的图案化的顶部透明电极24，可用作像素电极；
本发明中，低温多晶硅薄膜晶体管阵列的源漏极层17金属除形成TFT的源漏极和数据线等结构外，还形成了用于与底部透明电极22相连接的第一走线171；遮光层11金属除了用于遮光，还形成了作为触控信号线的第二走线111；并且第二走线111与第一走线171相连接，从而使第二走线111与底部透明电极22电性导通，一个作为触控信号线，一个作为触控信号电极，用于实现触控功能。
低温多晶硅薄膜晶体管阵列的结构在此不做特别限制，仅以图2所示作为举例说明，一般可以包括：设于基板10上的图案化的遮光层11；设于基板10和遮光层11上的图案化的缓冲层12；设于缓冲层12上的图案化的多晶硅层13；设于多晶硅层13和缓冲层12上的图案化的栅极绝缘层14；设于栅极绝缘层14上的图案化的栅极层15，栅极层15可以形成TFT栅极及扫描线等结构；设于栅极层15上的图案化的层间介质层16；设于层间介质层16上的图案化的源漏极层17，源漏极层17可以形成TFT源漏极和数据线等结构。
为使第二走线111与第一走线171相连接，底部透明电极22与第一走线171连接，从而使第二走线111与底部透明电极22电性导通，缓冲层12可以设有接触孔，以用于第一走线171连接第二走线111；栅极绝缘层14可以设有过孔，以用于第一走线171连接第二走线111；层间介质层16可以设有过孔，以用于第一走线171连接第二走线111；平坦层18可以设有过孔，以用于底部透明电极22连接第一走线171。
此外，顶部透明电极24作为像素电极，平坦层18和钝化层23分别设有过孔以用于顶部透明电极24连接源漏极层17的TFT结构。底部透明电极22和顶部透明电极24都可以为氧化铟锡电极。
本发明可以通过采用数据(Data)线正下方的遮光层金属实现触控信号线走线设计，与非内嵌式相比只需在四层光罩图案稍作修改的基础上增加3L缓冲层一道光罩即可。与目前已有的内嵌式方案比较，可以减少3次成膜，并减少一道光罩，实现制程简化、成本降低，并有利于良率提高。
根据本发明上述内嵌式触控阵列基板的实施例，本发明还提供了包括上述内嵌式触控阵列基板的显示面板。
本发明还提供了内嵌式触控阵列基板的制造方法，可用于制作本发明的内嵌式触控阵列基板及显示面板。
该内嵌式触控阵列基板的制造方法一较佳实施例主要包括：
(1)形成遮光层11：遮光层11成膜→光刻→蚀刻→剥离，形成触控信号线和遮光层图案；
在基板10上形成遮光层11，利用光罩图案化遮光层11，剥离光阻，遮光层11金属除用于遮光外，还形成作为触控信号线的第二走线111；
(2)形成多晶硅层13：3L成膜→准分子激光退火→光刻→干蚀刻→剥离；
形成缓冲层12及多晶硅层13，图案化多晶硅层13，形成硅岛，剥离光阻；
(3)形成3L缓冲层接触孔(Contact Hole)：光刻→干蚀刻→剥离，形成3L缓冲层12接触孔；
增加一道光罩，图案化缓冲层12，形成用于第二走线111连接第一走线171的接触孔；
(4)NCD：光刻→NCD离子注入→剥离；
对多晶硅层13进行沟道掺杂，例如，可以对NMOS区域进行沟道掺杂，以及对PMOS区域两端进行P型离子轻掺杂处理，以分别形成NMOS沟道和PMOS沟道；
(5)NP：光刻→NP离子注入→剥离；
对多晶硅层13进行N型离子重掺杂；可以形成分别位于NMOS沟道两侧的源极区和漏极区；
(6)形成栅极绝缘层14&栅极层15：栅极绝缘层14&栅极层15成膜→光刻→蚀刻→轻掺杂漏极区离子注入；
形成栅极绝缘层14和栅极层15，图案化栅极层15和栅极绝缘层14，形成TFT栅极和扫描线，栅极绝缘层14形成用于第二走线111连接第一走线171的过孔；
(7)Pp：光刻→Pp离子注入→剥离；
对多晶硅层13进行P型离子重掺杂；可以形成PMOS沟道两侧的源极区和漏极区；
(8)形成层间介质层16：层间介质层16成膜→快速热退火→光刻→干蚀刻→剥离；
形成层间介质层16并使其图案化，形成用于第二走线111连接第一走线171的过孔；
(9)形成源漏极层17：源漏极层17成膜→光刻→干蚀刻→剥离；
形成源漏极层17并使其图案化，除TFT源漏极和数据线外，形成用于与底部透明电极22相连接的第一走线171；
(10)形成平坦层18：平坦层18光刻→平坦层18灰化；
形成平坦层18并使其图案化，形成用于底部透明电极22连接第一走线171的过孔；平坦层18还形成过孔以用于顶部透明电极24连接源漏极层17的TFT结构；
(11)形成底部透明电极22：底部透明电极22成膜→光刻→蚀刻→剥离；
形成底部透明电极22，并使其图案化，底部透明电极22可以为氧化铟锡，可以用作触控信号电极；
(12)形成钝化层23：钝化层23成膜→光刻→干蚀刻→剥离；
形成钝化层23，并使其图案化；钝化层23形成过孔以用于顶部透明电极24连接源漏极层17的TFT结构；
(13)形成顶部透明电极24：顶部透明电极24成膜→光刻→蚀刻→剥离→退火；
形成顶部透明电极24，并使其图案化，顶部透明电极24可以为氧化铟锡，可以用作像素电极。
本发明采用遮光层布局触控信号线走线设计，无需IL1、M3、IL2三层成膜，也无需M3、IL2两次光罩，只需在多晶硅层完成后，增加一次光罩制程制作触控电极与遮光层触控信号线之间的连接过孔，可以简化制程，降低成本。
相较于现有的内嵌式触控阵列基板的制造方法，本发明：
(一)修改遮光层光罩，在数据线正下方对应区域的遮光层保留作为触控信号线，并增加与上层通过过孔连接结构；
(二)3L多晶硅层剥离光阻后增加一道光罩制程，在3L缓冲层制做出遮光层触控信号线与上层源漏极层连接的过孔；
(三)修改层间介质层光罩，增加遮光层触控信号线与源漏极层连接的层间介质层过孔；
(四)修改源漏极层光罩，增加触控信号线与BITO连接的桥接源漏极层金属；
(五)修改平坦层光罩，增加触控信号线与BITO连接的平坦层过孔。
综上，本发明的内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法减少一道光罩(14光罩→13光罩)，减少3次成膜，制程简化，成本降低；减少3次成膜(无需IL1、M3、IL2)，膜层结构简化，避免了第一绝缘层、第二绝缘层、钝化层三层非金属膜直接接触导电膜，降低了因应力搭配不佳而导致出现膜破的几率，也降低了钝化层干蚀刻一次蚀刻穿钝化层/第二绝缘层/第一绝缘层三层膜时底切(UnderCut)高发的风险。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种内嵌式触控阵列基板，其特征在于，包括：
基板(10)；
设于基板(10)上的低温多晶硅薄膜晶体管阵列，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括图案化的遮光层(11)和图案化的源漏极层(17)；
设于所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列上的图案化的平坦层(18)；
设于平坦层(18)上的图案化的底部透明电极(22)；
设于底部透明电极(22)上的图案化的钝化层(23)；
设于钝化层(23)上的图案化的顶部透明电极(24)；
所述源漏极层(17)包括与底部透明电极(22)相连接的第一走线(171)，所述遮光层(11)包括作为触控信号线的第二走线(111)，所述第二走线(111)与第一走线(171)相连接。
2.如权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列包括：
设于基板(10)上的图案化的遮光层(11)；
设于基板(10)和遮光层(11)上的图案化的缓冲层(12)；
设于缓冲层(12)上的图案化的多晶硅层(13)；
设于多晶硅层(13)和缓冲层(12)上的图案化的栅极绝缘层(14)；
设于栅极绝缘层(14)上的图案化的栅极层(15)；
设于栅极层(15)上的图案化的层间介质层(16)；
设于层间介质层(16)上的图案化的源漏极层(17)。
3.如权利要求2所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述缓冲层(12)设有接触孔，以用于第一走线(171)连接第二走线(111)。
4.如权利要求2所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(14)设有过孔，以用于第一走线(171)连接第二走线(111)。
5.如权利要求2所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述层间介质层(16)设有过孔，以用于第一走线(171)连接第二走线(111)。
6.如权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述平坦层(18)设有过孔，以用于底部透明电极(22)连接第一走线(171)。
7.如权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述平坦层(18)和钝化层(23)分别设有过孔以用于所述顶部透明电极(24)连接源漏极层(17)。
8.如权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板，其特征在于，所述底部透明电极(22)和顶部透明电极(24)为氧化铟锡电极。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1～8任一项所述的内嵌式触控阵列基板。
10.一种内嵌式触控阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板(10)上形成遮光层(11)，图案化遮光层(11)，形成作为触控信号线的第二走线(111)；
形成缓冲层(12)及多晶硅层(13)，图案化多晶硅层(13)；
图案化缓冲层(12)，形成用于第二走线(111)连接第一走线(171)的接触孔；
对多晶硅层(13)进行沟道掺杂；
对多晶硅层(13)进行N型离子重掺杂；
形成栅极绝缘层(14)和栅极层(15)，图案化栅极层(15)和栅极绝缘层(14)，栅极绝缘层(14)形成用于第二走线(111)连接第一走线(171)的过孔；
对多晶硅层(13)进行P型离子重掺杂；
形成层间介质层(16)并使其图案化，形成用于第二走线(111)连接第一走线(171)的过孔；
形成源漏极层(17)并使其图案化，形成用于与底部透明电极(22)相连接的第一走线(171)；
形成平坦层(18)并使其图案化，形成用于底部透明电极(22)连接第一走线(171)的过孔；
形成底部透明电极(22)，并使其图案化；
形成钝化层(23)，并使其图案化；
形成顶部透明电极(24)，并使其图案化。
CN201810402217.3A 2018-04-28 2018-04-28 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法 Pending CN108511465A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810402217.3A CN108511465A (zh) 2018-04-28 2018-04-28 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法
US16/313,046 US20190333938A1 (en) 2018-04-28 2018-09-27 In-cell touch array substrate, display panel and manufacturing method thereof
PCT/CN2018/108082 WO2019205489A1 (zh) 2018-04-28 2018-09-27 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810402217.3A CN108511465A (zh) 2018-04-28 2018-04-28 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108511465A true CN108511465A (zh) 2018-09-07

Family

ID=63399637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810402217.3A Pending CN108511465A (zh) 2018-04-28 2018-04-28 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN108511465A (zh)
WO (1) WO2019205489A1 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109358779A (zh) * 2018-10-31 2019-02-19 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控显示面板及显示装置
CN109597522A (zh) * 2018-10-26 2019-04-09 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及触控显示面板
CN109932847A (zh) * 2019-02-20 2019-06-25 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法
CN110112072A (zh) * 2019-04-08 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的制造方法和阵列基板
CN110347285A (zh) * 2019-06-25 2019-10-18 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板
WO2019205489A1 (zh) * 2018-04-28 2019-10-31 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法
WO2020107696A1 (zh) * 2018-11-30 2020-06-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及触控显示装置
CN111625120A (zh) * 2020-05-07 2020-09-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
CN111916464A (zh) * 2020-09-15 2020-11-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
US10915203B2 (en) 2019-06-25 2021-02-09 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111834376B (zh) * 2019-12-16 2024-01-19 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103309108A (zh) * 2013-05-30 2013-09-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US20160033754A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Innolux Corporation Display device and method for fabricating the same
CN105487718A (zh) * 2016-01-29 2016-04-13 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN105911787A (zh) * 2016-07-05 2016-08-31 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板以及显示面板
CN106024813A (zh) * 2016-08-09 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种低温多晶硅tft阵列基板的制作方法及相应装置
CN106371253A (zh) * 2016-08-26 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板以及制造方法
CN107331669A (zh) * 2017-06-19 2017-11-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft驱动背板的制作方法
CN107359168A (zh) * 2017-07-11 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3448704B2 (ja) * 1999-03-17 2003-09-22 日本航空電子工業株式会社 光学式タッチパネル装置
CN106971980A (zh) * 2017-03-30 2017-07-21 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制作方法及阵列基板
CN107340929A (zh) * 2017-08-18 2017-11-10 武汉天马微电子有限公司 压力触控显示面板和压力触控显示装置
CN108511465A (zh) * 2018-04-28 2018-09-07 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103309108A (zh) * 2013-05-30 2013-09-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US20160033754A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Innolux Corporation Display device and method for fabricating the same
CN105487718A (zh) * 2016-01-29 2016-04-13 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN105911787A (zh) * 2016-07-05 2016-08-31 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板以及显示面板
CN106024813A (zh) * 2016-08-09 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种低温多晶硅tft阵列基板的制作方法及相应装置
CN106371253A (zh) * 2016-08-26 2017-02-01 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板以及制造方法
CN107331669A (zh) * 2017-06-19 2017-11-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Tft驱动背板的制作方法
CN107359168A (zh) * 2017-07-11 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019205489A1 (zh) * 2018-04-28 2019-10-31 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法
CN109597522A (zh) * 2018-10-26 2019-04-09 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及触控显示面板
WO2020082544A1 (zh) * 2018-10-26 2020-04-30 武汉华星光电技术有限公司 触控阵列基板及触控显示面板
WO2020087786A1 (zh) * 2018-10-31 2020-05-07 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控显示面板及显示装置
CN109358779A (zh) * 2018-10-31 2019-02-19 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控显示面板及显示装置
WO2020107696A1 (zh) * 2018-11-30 2020-06-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及触控显示装置
CN109932847A (zh) * 2019-02-20 2019-06-25 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法
CN110112072A (zh) * 2019-04-08 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的制造方法和阵列基板
CN110112072B (zh) * 2019-04-08 2021-07-27 苏州华星光电技术有限公司 阵列基板的制造方法和阵列基板
CN110347285A (zh) * 2019-06-25 2019-10-18 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板
US10915203B2 (en) 2019-06-25 2021-02-09 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel
CN111625120A (zh) * 2020-05-07 2020-09-04 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
US11916081B2 (en) 2020-05-07 2024-02-27 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Display panel
CN111916464A (zh) * 2020-09-15 2020-11-10 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN111916464B (zh) * 2020-09-15 2023-12-01 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019205489A1 (zh) 2019-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108511465A (zh) 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法
US10964790B1 (en) TFT substrate and manufacturing method thereof
CN105161505B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN111897156B (zh) 包括盒内式触摸板的背板基板
CN105470197B (zh) 低温多晶硅阵列基板的制作方法
US20160357048A1 (en) Array substrate, display panel, display device and manufacturing method thereof
US20190333938A1 (en) In-cell touch array substrate, display panel and manufacturing method thereof
KR101887371B1 (ko) 액정 표시장치와 이의 제조방법
CN105487718A (zh) 阵列基板及其制作方法
CN105470262A (zh) 薄膜晶体管基板及使用薄膜晶体管基板的显示设备
JP6521534B2 (ja) 薄膜トランジスタとその作製方法、アレイ基板及び表示装置
US20160027797A1 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display device
CN105810695A (zh) 阵列基板及显示装置
CN104465674B (zh) 低温多晶硅(ltps)产品结构及制造方法
WO2018090496A1 (zh) 一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板
CN103413834B (zh) 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
WO2021031374A1 (zh) 阵列基板的制备方法及阵列基板
CN102969311A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN110265483A (zh) 显示装置及其制备方法
KR102224457B1 (ko) 표시장치와 그 제조 방법
CN103681514A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2018145465A1 (zh) 阵列基板以及显示装置
CN110854139B (zh) 一种tft阵列基板、其制备方法及其显示面板
US20210335850A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof, and electronic equipment
CN115236907B (zh) 一种阵列基板、显示面板、显示装置和制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180907