CN107871714A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底,包括布置在第一区域和第二区域之间的弯曲区域,基底被构造为围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;第一无机绝缘层,设置在基底上并具有与弯曲区域叠置的第一开口;第一有机层,设置在第一开口中;以及多个第一导电层,设置在第一有机层上并从第一区域穿过弯曲区域延伸至第二区域,其中,第一有机层的与第一导电层叠置的至少一个边缘包括至少一个第一短路防止图案。
Description
本申请要求于2016年9月28日提交的第10-2016-0124812号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此,如在这里充分阐述。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种柔性显示装置。
背景技术
通常,显示装置可以用于诸如智能手机、膝上式计算机、数码相机、摄像机、便携式信息终端、笔记本计算机或平板个人计算机的移动装置中或诸如台式计算机、电视、户外广告牌、显示装置、汽车仪表盘或平视显示器(HUD)的电子装置中。
近来,显示设备形成为纤薄的。柔性显示装置可以应用于具有各种形状的便携式设备。在柔性显示装置中,基于有机发光显示技术的柔性显示装置已经获得很多关注。
柔性显示装置通常可以在一个方向上弯曲。然而,柔性显示装置的薄膜可能容易被损坏,诸如形成在设置在基底上的金属膜中的缺陷或裂纹。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅是为了增强对发明构思的背景的理解,因此,背景技术部分可能包含不形成对本领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供一种能够在设置在基底上的金属膜中防止裂纹的显示装置。
附加方面将在下面的详细描述中阐述,并且部分地从公开中将是清楚的,或者可以通过实施发明构思而习得。
根据示例性实施例,显示装置包括:基底,包括布置在第一区域和第二区域之间的弯曲区域,基底被构造为围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;第一无机绝缘层,设置在基底上并具有与弯曲区域叠置的第一开口;第一有机层,设置在第一开口中;以及多个第一导电层,设置在第一有机层上并从第一区域穿过弯曲区域延伸至第二区域,其中,第一有机层的与第一导电层叠置的至少一个边缘包括至少一个第一短路防止图案。
第一导电层可以在第一方向上彼此分隔开,所述至少一个短路防止图案可以设置在相邻的第一导电层之间。
所述至少一个短路防止图案可以沿第一有机层的在第一方向上延伸的第一边缘被图案化。
所述至少一个第一短路防止图案可以包括形成在第一有机层的第一边缘处的凹陷部分。
第一无机绝缘层的第一边缘区域可以接触第一开口并且与第一有机层的第一边缘区域至少部分地叠置,所述至少一个短路防止图案可以设置在叠置区域中。
所述至少一个第一短路防止图案可以包括从第一有机层的第一边缘突出的突出部。
第一无机绝缘层的第一边缘区域可以接触第一开口并与第一有机层的第一边缘区域叠置,所述至少一个第一短路防止图案可以在与第一开口相背的方向上从第一有机层的第一边缘突出。
所述至少一个第一短路防止图案可以具有多边形图案、圆形图案、椭圆形图案、之字形图案、波浪形图案、格子形图案和锯齿形图案中的至少一个。
所述显示装置还可以包括:第二有机层,设置在第一导电层上;多个第二导电层,设置在第二有机层上并在第一方向上彼此分隔开,其中,第二有机层的第二边缘包括至少一个第二短路防止图案。
所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案可以均包括分别形成在第一有机层的第一边缘和第二有机层的第二边缘处的凹陷部分。
第一无机绝缘层的第一边缘区域可以接触第一开口并与第一有机层的第一边缘区域至少部分地叠置,第二有机层的第二边缘可以延伸至第一有机层的第一边缘外部,所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案可以在与第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开。
所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案可以均包括分别从第一有机层的第一边缘和第二有机层的第二边缘突出的突出部。
第一无机绝缘层的第一边缘区域可以接触第一开口并与第一有机层的第一边缘区域至少部分地叠置,第二有机层的第二边缘可以延伸至第一有机层的第一边缘外部,所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案可以在与第一开口相背的方向上突出并在与第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开。
所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案中的每个可以包括多边形图案、圆形图案、椭圆形图案、之字形图案、波浪形图案、格子形图案和锯齿形图案中的至少一个。
第一导电层和第二导电层可以在平面图中彼此叠置。
第一导电层和第二导电层可以在第一方向上交替地布置。
显示装置还可以包括:薄膜晶体管,设置在第一区域和第二区域中的至少一个中,并包括源电极、漏电极和栅电极;以及薄膜包封层,设置在第一区域中,其中,第一导电层和第二导电层中的至少一个与源电极、漏电极和栅电极中的至少一个设置在同一层中。
第一导电层和第二导电层中的至少一个可以包括连接至显示元件的布线。
在与第一方向垂直的第二方向上,第一有机层的宽度可以比第一开口的宽度大。
第一有机层可以覆盖第一开口。
前述总体描述和下面的详细描述是示例性和说明性的,并意图提供对所要求的主题的进一步说明。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例,并与描述一同用于说明发明构思的原理,其中,包括附图以提供对发明构思的进一步理解,附图包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。
图1是根据示例性实施例的显示装置的透视图。
图2是图1的显示装置的一部分的剖视图。
图3是图2的区域的放大的平面图,在所述区域中,导电层和有机层从弯曲区域延伸至第二区域。
图4、图5和图6是分别示出根据示例性实施例的图3的区域的视图。
图7是根据示例性实施例的显示装置的一部分的剖视图。
图8是图7的区域的放大的平面图,在所述区域中导电层和有机层从弯曲区域延伸至第二区域。
图9是示出根据示例性实施例的图8的区域的视图。
图10是示出根据示例性实施例的图3的区域的视图。
图11是示出根据示例性实施例的图5的区域的视图。
图12是根据示例性实施例的图7的区域的放大的平面图,在所述区域中导电层和有机层从弯曲区域延伸至第二区域。
图13A是沿图12的线I-I’截取的剖视图。
图13B是沿图12的线II-II’截取的剖视图。
图14是根据示例性实施例的图7的区域的视图。
具体实施方式
在下面的描述中,出于说明的目的,阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而,明显的是,可以不用这些具体细节来实践各种示例性实施例,或者可以用一种或更多种等同布置来实践各种示例性实施例。在其他情况下,以框图形式示出了公知的结构和装置以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。
在附图中,为清楚和描述的目的,可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。此外,同样的附图标记指示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可存在中间元件或中间层。然而,当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合,诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的标号始终表示同样的元件。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。
尽管在这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分可被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分。
出于描述的目的,在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等空间相对术语,从而描述如图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。空间相对术语意图包含设备在使用、操作和/或制造中的除了在图中描绘的方位之外的不同方位。例如,如果图中的设备被翻转,则描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以包含“在……上方”和“在……下方”两种方位。此外,设备可以被另外定位(例如,旋转90度或在其他方位),如此,相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的,并不意图限制。如在这里使用的,除非上下文另有明确指示,否则单数形式“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。此外,术语“包含”及其变型和/或“包括”及其变型用在本说明书中时,说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。如此,将预计出现例如由制造技术和/或公差引起的示出的形状的变化。因此,在这里公开的示例性实施例不应解释为限于区域的具体示出的形状,而将包括例如由制造引起的形状的偏差。在图中所示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状且不意图限制。
除非另外定义,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在这里如此明确地定义,否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与在相关领域的上下文中的它们的含义相一致的含义,而将不以理想化或过于形式化的意思来解释。
图1是根据示例性实施例的显示装置100的透视图,图2是图1的显示装置100的一部分的剖视图。
参照图1和图2,显示装置100包括基底101。基底101包括在第一方向(y方向)上延伸的第一弯曲区域1BA。第一弯曲区域1BA可以在与第一方向(y方向)垂直的第二方向(x方向)上设置在第一区域1A和第二区域2A之间。基底101可以围绕在第一方向(y方向)上延伸的第一弯曲轴1BAX被弯曲。
基底101可以包括具有柔性或可弯曲性质的各种材料。例如,基底101可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。
第一区域1A包括显示区域DA。在示例性实施例中,第一区域1A除了显示区域DA之外,还可以包括非显示区域的一部分。根据示例性实施例,第二区域2A也可以包括显示区域和/或非显示区域。
薄膜晶体管210可以设置在显示区域DA中。薄膜晶体管210可以电连接至有机发光器件220,所述有机发光器件220可以是显示元件。可以理解的是,从有机发光器件220到薄膜晶体管210的电连接可以指从像素电极221到薄膜晶体管210的电连接。
在示例性实施例中,薄膜晶体管(未示出)也可以设置在基底101的显示区域DA外部的周围区域中。设置在周围区域中的薄膜晶体管可以是用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路单元的一部分。
薄膜晶体管210包括半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。半导体层211可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。栅极绝缘层120可以设置在半导体层211和栅电极213之间并使半导体层211和栅电极213绝缘。栅极绝缘层120可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。
层间绝缘层130可以设置在栅电极213上。层间绝缘层130可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。源电极215a和漏电极215b可以设置在层间绝缘层130上。可以包括无机材料的栅极绝缘层120和层间绝缘层130可通过化学气相沉积(CVD)工艺或原子层沉积(ALD)工艺形成。
缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料,并可以设置在基底101和薄膜晶体管210之间。缓冲层110可以提高基底101的上表面的平整度和/或可以防止杂质从基底101渗入到半导体层211中。
平坦化层140可以设置在薄膜晶体管210上。例如,当有机发光器件220设置在薄膜晶体管210上时,平坦化层140可使薄膜晶体管210的上部平坦化。平坦化层140可包括诸如亚克力、苯丙环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
尽管平坦化层140示出为单层,但是平坦化层140可以以各种方式修改。例如,平坦化层140可以包括多层。在示例性实施例中,平坦化层140可以在显示区域DA外部具有开口,因此平坦化层140的位于显示区域DA中的部分可以与平坦化层140的位于第二区域2A中的部分物理地分离。以此方式,可以防止杂质通过平坦化层140从显示区域DA的外部渗入到显示区域DA的内部。
在显示区域DA中,有机发光器件220可以设置在平坦化层140上。有机发光器件220可以包括像素电极221、对电极223以及置于其间的包括发射层的中间层222。像素电极221可以通过形成在平坦化层140中的接触孔接触源电极215a和漏电极215b中的至少一个。
像素限定层150可以设置在平坦化层140上。像素限定层150可以通过具有与每个子像素对应的开口来限定像素。更具体地,像素限定层150的开口可以至少暴露像素电极221的中心部分。像素限定层150可以通过使像素电极221的边缘和对电极223之间的间隔增大来防止在像素电极221的边缘处出现电弧(arc)。像素限定层150可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅醚(HMDSO)的有机材料。
在示例性实施例中,诸如平坦化层140和像素限定层150的有机材料层的堆叠结构可以不限于任何一种结构。例如,平坦化层140可以具有双层结构,或另一有机材料层可以设置在平坦化层140和像素限定层150之间。
中间层222可以包括低分子材料或者聚合物材料。当中间层222包括低分子材料时,中间层222可以具有其中堆叠有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)中的至少一个的结构。在此情况下,中间层222可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料。HIL、HTL、EML、ETL和EIL可以通过使用真空沉积方法形成。
当中间层222包括聚合物材料时,中间层222可以具有包括HTL和EML的结构。在此情况下,HTL可以包括PEDOT,EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)类聚合物材料或聚芴类聚合物材料的聚合物材料。HTL和EML可以通过使用丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)形成。
然而,中间层222不限于上述,并可以具有各种结构。中间层222可以具有多个像素电极221上的整体层,并且可以包括被图案化为与多个像素电极221中的每个对应的层。
对电极223可以设置在显示区域DA上并覆盖显示区域DA。对电极223可以在有机发光器件220上整体地延伸并且与像素电极221对应。
由于有机发光器件220会容易被来自外部的湿气或氧损坏,因此薄膜包封(TFE)层400可以设置在有机发光器件220上。TFE层400可以延伸至显示区域DA的外部。TFE层400可以包括第一无机包封层411、有机包封层412和第二无机包封层413。
第一无机包封层411可以覆盖对电极223。第一无机包封层411可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在示例性实施例中,可以在第一无机包封层411和对电极223之间设置诸如覆盖层的其他层。由于第一无机包封层411沿着其下方的结构形成,因此第一无机包封层412的上表面可以不是平坦的。
有机包封层412可以覆盖第一无机包封层411。有机包封层412的上表面可以是平坦的。有机包封层412可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。
第二无机包封层413可以覆盖有机包封层412。第二无机包封层413可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机包封层413可以在显示区域DA外部的边缘处接触第一无机包封层411,使得有机包封层412不被暴露至外部。
抗反射层502可以设置在TFE层400上方,并使光学透明粘合剂(OCA)501设置在抗反射层502和TFE层400之间。在示例性实施例中,抗反射层502可以是偏振层。抗反射层502可以减少外部光的反射。OCA 501和抗反射层502可以覆盖平坦化层140的开口。在示例性实施例中,可以省略或用其他元件取代抗反射层502。例如,可以通过使用黑矩阵和滤色器来减少外部光的反射。
包括均可以包含无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的结构可以被称为第一无机绝缘层170。第一无机绝缘层170可以具有与第一弯曲区域1BA对应的第一开口190。详细地,缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以分别具有与第一弯曲区域1BA对应的开口110a、120a和130a。如在这里使用的,与第一弯曲区域1BA对应的第一开口190可以指第一开口190与第一弯曲区域1BA叠置。
第一开口190的面积可以比第一弯曲区域1BA的面积大。在图2中,第一开口190的宽度OW可以比第一弯曲区域1BA的宽度大。第一开口190的面积可以被定义为缓冲层110的开口110a、栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a中的最窄的开口的面积。如此,第一开口190的面积可以被定义为缓冲层110的开口110a的面积。
第一开口190的至少一部分可以填充有第一有机层160。在示例性实施例中,第一有机层160可以覆盖第一开口190。在示例性实施例中,第一有机层160可以由与形成平坦化层140和像素限定层150的工艺不同的工艺形成,平坦化层140和像素限定层150是设置在显示区域DA中的有机层。在示例性实施例中,第一有机层160可以可选择地由与形成平坦化层140和像素限定层150中的至少一个的工艺相同的工艺形成。
不平坦表面160a可以形成在与基底101垂直的第三方向(z方向)上,并且形成在第一有机层160的与第一开口190对应的部分的上表面上。在第二方向(x方向)上,第一有机层160的宽度OMW可以比第一开口190的宽度OW大。在示例性实施例中,第一有机层160的上表面可以可选择地具有平坦的表面。
多个第一导电层215c可以设置在第一有机层160上。由于第一有机层160包括不平坦表面160a,因此每个第一导电层215c的设置在第一有机层160上的上表面和/或下表面可以具有与第一有机层160的不平坦表面160a对应的形状。在示例性实施例中,每个第一导电层215c的上表面和/或下表面可以可选择地具有平坦的表面。
第一导电层215c可以从第一区域1A穿过第一弯曲区域1BA延伸至第二区域2A。在没有形成第一有机层160的区域中,第一导电层215c可以设置在包括层间绝缘层130的第一无机绝缘层170上。与第一弯曲区域1BA交叉的第一导电层215c可以包括具有高延展性的材料。
在示例性实施例中,第一导电层215c可以通过与源电极215a或漏电极215b使用相同的材料来与源电极215a或漏电极215b同时形成。在示例性实施例中,每个第一导电层215c可以形成为包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。在示例性实施例中,每个第一导电层215c可以可选择地具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的堆叠结构。
在第一弯曲区域1BA中,显示装置100可以沿第一弯曲轴1BAX弯曲。第一无机绝缘层170在第一弯曲区域1BA中可以具有第一开口190。第一开口190可以填充有第一有机层160,第一导电层215c可以设置在第一有机层160上。由于具有比有机材料大的硬度的第一无机绝缘层170没有形成在与第一弯曲区域1BA对应的第一开口190中,因此不会形成或会防止原本将通过弯曲基底101而形成在第一无机绝缘层170中的裂纹。
根据示例性实施例的显示装置100还可以包括导电部件213a和213b。导电部件213a和213b可以设置在第一区域1A中或第二区域2A中,并设置在与其中设置有第一导电层215c的层不同的层中。导电部件213a和213b可以电连接至第一导电层215c。导电部件213a和213b可以与栅电极213设置在同一层中,并包括与栅电极213相同的材料。第一导电层215c可以通过形成在层间绝缘层130中的接触孔接触导电部件213a和213b。
第一导电部件213a可以设置在第一区域1A中,并且第二导电部件213b可以设置在第二区域2A中。设置在第一区域1A中的第一导电部件213a可以电连接至显示区域DA中的薄膜晶体管210。因此,每个第一导电层215c可以经由第一导电部件213a电连接至显示区域DA中的薄膜晶体管210并可以用作布线。
设置在第二区域2A中的第二导电部件213b也可以通过第一导电层215c电连接至显示区域DA中的薄膜晶体管210。以此方式,导电部件213a和213b可以在设置在显示区域DA外部的同时电连接至设置在显示区域DA中的元件。
在示例性实施例中,导电部件213a和213b可以在设置在显示区域DA的外部的同时在朝向显示区域DA的方向上延伸。如此,导电部件213a和213b中的至少一个的至少一部分可以设置在显示区域DA中。在示例性实施例中,第一导电层215c可以不连接至导电部件213a和213b,并可以可选择地直接电连接至显示区域DA中的薄膜晶体管210并用作布线。
应力中和层(SNL)600可以设置在显示区域DA外部。SNL 600可以设置在第一导电层215c上并至少与第一弯曲区域1BA对应。由于应力中和面通过SNL 600设置在第一导电层215c的周围,因此可以减少施加到第一导电层215c的拉应力。在示例性实施例中,SNL 600可以延伸至基底101的边缘并保护电连接的元件。
在示例性实施例中,多个第一导电层215c可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。如上所述,第一导电层215c可以通过与源电极215a或漏电极215b使用相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时形成。为此,可以在基底101的整个表面上形成导电层,之后将其图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。在此情况下,导电材料的形成设置在第一有机层160上的第一导电层215c的部分在使第一导电层215c图案化的工艺中不会被完全去除。如此,导电材料的一部分会沿第一有机层160的边缘保留在相邻的第一导电层215c之间,这会在相邻的第一导电层215c之间导致短路。
在示例性实施例中,用于防止相邻的第一导电层215c之间的短路的至少一个短路防止图案可以设置在第一有机层160的边缘处。
图3是图2的区域的放大的平面图,在所述区域中,第一导电层215c和第一有机层160从第一弯曲区域1BA延伸至第二区域2A。
参照图3,第一开口190可以是已经从其去除与第一弯曲区域1BA对应的第一无机绝缘层170的区域。第一有机层160可以覆盖第一开口190。在第二方向(x方向)上,第一有机层160的宽度OMW可以比第一开口190的宽度OW大。第一有机层160的第一边缘区域161a和第一无机绝缘层170的第一边缘区域171a可以彼此至少部分地叠置。第一有机层160的第一边缘区域161a和第一无机绝缘层170的第一边缘区域171a彼此叠置的区域OLA可以设置在第一有机层160的宽度OMW的端部和第一开口190的宽度OW的端部之间。
多个第一导电层215c可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。每个第一导电层215c可以在第二方向(x方向)上与第一有机层160交叉。第一短路防止图案310可以设置在第一有机层160的与第一导电层215c叠置的第一边缘161处。详细地,第一短路防止图案310可以设置在第一有机层160的与相邻的第一导电层215c之间的间隔d对应的第一边缘161处。第一短路防止图案310可以沿第一有机层160的在图2的基底101的第一方向(y方向)上延伸的第一边缘161被图案化。
在示例性实施例中,第一短路防止图案310可以在第一有机层160的在第二方向(x方向)上的两个边缘处被图案化。第一短路防止图案310可以设置在第一有机层160的与第一导电层215c叠置的每个边缘处。
第一短路防止图案310可以具有凹陷部分,所述凹陷部分可以通过从第一有机层160的第一边缘161去除第一有机层160的至少一部分形成。在图3中,第一短路防止图案310可以是具有四角形形状的凹陷部分。然而,第一短路防止图案310可以具有各种图案。例如,第一短路防止图案310可以具有诸如三角形或梯形的多边形图案、圆形图案、椭圆形图案、之字形图案、波浪形图案、格子形图案和锯齿形图案。如果第一短路防止图案310具有通过去除第一有机层160的一部分形成的凹陷部分,则第一短路防止图案310的形状可以不限于上述。
在示例性实施例中,第一短路防止图案310的角可以具有弯曲的形状。例如,参照图10,弯曲部分1011可以形成在第一短路防止图案1010的每个角处。
返回参照图3,第一短路防止图案310可以设置在区域OLA中,在所述区域OLA上,第一有机层160和第一无机绝缘层170彼此叠置。详细地,第一短路防止图案310可以设置在区域OLA中,在所述区域OLA上,第一有机层160的填充第一开口190的第一边缘区域161a与第一无机绝缘层170的接触第一开口190的第一边缘区域171a叠置。
由于第一短路防止图案310形成在第一有机层160的第一边缘161处,因此可以增大第一有机层160的设置在分隔开间隔d的相邻的第一导电层215c之间的第一边缘161的路径。随着第一有机层160的第一边缘161的路径增大,在相邻第一导电层215c之间导致短路的可能性会降低,所述短路可能由在第一导电层215c被图案化时沿第一有机层160的第一边缘161保留的导电材料导致。
在图3中,尽管一个第一短路防止图案310示出为设置在两个相邻的第一导电层215c之间,但是发明构思不限于此。例如,如图4所示,多个第一短路防止图案310可以设置为在与相邻的第一导电层215c之间的间隔d对应的空间中彼此分隔开。如果第一有机层160的第一边缘161的路径可以增大,则第一短路防止图案310的数量可以不受限制。
图5是根据示例性实施例的图2的区域的放大的平面图。
参照图5,第一开口190可以是已经从其去除与图2的第一弯曲区域1BA对应的第一无机绝缘层170的区域。第一有机层160可以覆盖第一开口190。在第二方向(x方向)上,第一有机层160的宽度OMW可以比第一开口190的宽度OW大。
叠置区域OLA可以设置在第一有机层160的第一边缘161和第一无机绝缘层170的第一边缘171之间。
多个第一导电层215c可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。每个第一导电层215c可以在第二方向(x方向)上与第一有机层160交叉。第一短路防止图案510可以设置在第一有机层160的与第一导电层215c叠置的第一边缘161处。详细地,第一短路防止图案510可以设置在第一有机层160的与相邻第一导电层215c之间的间隔d对应的第一边缘161处。第一短路防止图案510可以沿第一有机层160的在图2的基底101的第一方向(y方向)上延伸的第一边缘161被图案化。在示例性实施例中,第一短路防止图案510可以在第一有机层160的在第二方向(x方向)上的两个边缘处被图案化。
第一短路防止图案510可以具有突出部,其中,第一有机层160的至少一部分从第一有机层160的第一边缘161突出。在图5中,第一短路防止图案510的突出部可以具有梯形形状。然而,如果第一短路防止图案510具有从第一有机层160的第一边缘161突出的突出部,则第一短路防止图案510的形状可以不受限制。
在示例性实施例中,第一短路防止图案510的角可以具有弯曲的形状。例如,参照图11,弯曲部分1111可以形成在第一短路防止图案1110的每个角处。
返回参照图5,第一短路防止图案510可以在与第一开口190相背(背对)的方向上从第一有机层160的第一边缘161突出。如果第一短路防止图案510的突出宽度PW可以增大第一有机层160的第一边缘161的路径,则第一短路防止图案510的构造不限于此。
在图5中,尽管一个第一短路防止图案510示出为设置在两个相邻的第一导电层215c之间,但是发明构思不限于此。例如,如图6所示,多个第一短路防止图案610可以设置在与相邻的第一导电层215c之间的间隔d对应的空间中。第一短路防止图案610的突出部在相邻的第一导电层215c之间可以均具有圆形图案。多个第一短路防止图案610可以布置在与相邻的第一导电层215c之间的间隔d对应的空间中。
以此方式,第一短路防止图案310、410、510、610、1010和1110可以在基底101的第一方向(y方向)上延伸并可以以各种形式被图案化来增大至少沿第一有机层160的与第一导电层215c叠置的边缘161的短路路径。
图7是根据示例性实施例的显示装置700的一部分的剖视图,图8是图7的区域的放大的平面图,在所述区域中导电层723和724以及有机层761和762从弯曲区域1BA延伸至第二区域2A。
参照图7和图8,显示装置700包括基底701。基底701包括在第一方向(y方向)上延伸的第一弯曲区域1BA。第一弯曲区域1BA可以在第二方向(x方向)上设置在第一区域1A和第二区域2A之间。
缓冲层711可以设置在基底701上。缓冲层711可以覆盖基底701的整个上表面。缓冲层711可以包括无机材料或有机材料。缓冲层711可以形成为单层或多层。
薄膜晶体管710可以设置在缓冲层711上。薄膜晶体管710包括半导体层712。栅电极714可以设置在半导体层712上。栅电极714可以形成为包括Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo和/或Cr的单层或多层。栅电极714可以包括诸如Al:Nd或Mo:W的合金。
将半导体层712与栅电极714绝缘的栅极绝缘层713可以设置在半导体层712和栅电极714之间。栅极绝缘层713可以是无机层。层间绝缘层715可以设置在栅电极714上。层间绝缘层715可以包括无机层或有机层。
第一导电部件721可以设置在薄膜晶体管710上。第一导电部件721可以形成源电极、漏电极或数据线。第一导电部件721可以经由形成在栅极绝缘层713和层间绝缘层715中的接触孔连接至半导体层712。
第一导电部件721可以形成为包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种的单层或多层。在示例性实施例中,第一导电部件721可以可选择地具有钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的堆叠结构。
第一有机绝缘层731可以设置在第一导电部件721上。第一有机绝缘层731可以覆盖第一导电部件721。还可以在第一导电部件721和第一有机绝缘层731之间形成无机绝缘层(未示出)来防止第一导电部件721的氧化。
第二导电部件722可以设置在第一导电部件721上。第二导电部件722可以经由形成在第一有机绝缘层731中的接触孔连接到第一导电部件721。第二导电部件722可以减少在栅电极714和像素电极741之间出现寄生电容。第二导电部件722可以包括与第一导电部件721基本相同的材料。
第二有机绝缘层732可以设置在第二导电部件722上。第二有机绝缘层732可以覆盖第二导电部件722。还可以在第二导电部件722和第二有机绝缘层732之间形成无机绝缘层(未示出)。
有机发光器件740可以设置在第二有机绝缘层732上。有机发光器件740包括像素电极741、包含有机发射层的中间层742和对电极743。像素电极741可以经由形成在第二有机绝缘层732中的接触孔连接至第二导电部件722。第一导电部件721和第二导电部件722可以是用于连接半导体层712和像素电极741的中间连接层。以此方式,有机发光器件740可以通过第一导电部件721和第二导电部件722电连接至薄膜晶体管710。
包括均可以包含无机材料的缓冲层711、栅极绝缘层713和层间绝缘层715的结构可以被称为第一无机绝缘层716。第一无机绝缘层716可以具有与第一弯曲区域1BA对应的第一开口770。详细地,缓冲层711、栅极绝缘层713和层间绝缘层715可以分别具有与第一弯曲区域1BA对应的开口711a、713a和715a。
第一开口770的面积可以比第一弯曲区域1BA的面积大。在第二方向(x方向)上,第一开口770的宽度OW可以比第一弯曲区域1BA的宽度大。如在这里使用的,第一开口770的面积可以由缓冲层711的开口711a的面积定义。
显示装置700包括第一有机层761,第一无机绝缘层716的第一开口770的至少一部分填充有第一有机层761。第一有机层761可以覆盖第一开口770。在示例性实施例中,第一有机层761可以通过与形成第一有机绝缘层731和第二有机绝缘层732的工艺不同的工艺形成,第一有机绝缘层731和第二有机绝缘层732可以包括设置在显示区域DA中的有机层。
不平坦表面可以形成在第一有机层761的与第一开口770对应的上表面中。在示例性实施例中,在第一有机层761中可以省略不平坦表面761a。在第二方向(x方向)上,第一有机层761的宽度OMW1可以比第一开口770的宽度OW大。
第一导电层723可以设置在第一有机层761上。第一导电层723可以从第一区域1A穿过第一弯曲区域1BA延伸至第二区域2A。在没有形成第一有机层761的区域中,第一导电层723可以设置在包括层间绝缘层715的第一无机绝缘层716上。
在示例性实施例中,第一导电层723可以包括与设置在显示区域DA中的第一导电部件721的材料相同的材料,并可以与第一导电部件721同时形成。
显示装置700还可以包括第三导电部件717。第三导电部件717可以设置在第一区域1A或第二区域2A中,并设置在与其中设置有第一导电层723的层不同的层中。第三导电部件717可以电连接到第一导电层723。第三导电部件717可以与栅电极714设置在同一层上并包括与栅电极714相同的材料。第一导电层723可以穿过形成在层间绝缘层715中的接触孔接触第三导电部件717。第一导电层723可以经由第三导电部件717电连接至显示区域DA中的薄膜晶体管710并用作布线。在示例性实施例中,第一导电层723可以可选择地直接连接至薄膜晶体管710而不通过第三导电部件717。换言之,可以使用各种布线方法来将第一导电层723连接至薄膜晶体管710。
不同于图2的示例性实施例,显示装置700还可以包括设置在第一导电层723上的第二导电层724。详细地,第二有机层762可以设置在第一导电层723上。第二有机层762可以覆盖第一导电层723。第二有机层762可以包括与显示区域DA中的第一有机绝缘层731相同的材料并与第一有机绝缘层731同时形成。
第二导电层724可以设置在第二有机层762上。第二导电层724可以从第一区域1A穿过第一弯曲区域1BA延伸至第二区域2A。在示例性实施例中,第二导电层724可以包括与设置在显示区域DA中的第二导电部件722相同的材料并可以与第二导电部件722同时形成。第二导电层724可以直接电连接到显示区域DA中的薄膜晶体管710或者经由形成在层间绝缘层715中的接触孔接触第三导电部件717,并可以用作布线。
在示例性实施例中,第二导电层724可以电连接至非显示区域中(诸如焊盘区域中)的第一导电层723。在示例性实施例中,包括无机层或有机层的至少一个绝缘层可以置于第一导电层723和第二导电层724之间以使第一导电层723和第二导电层724彼此绝缘。
第三有机层763可以设置在第二导电层724上。第三有机层763可以覆盖第二导电层724。第三有机层763可以包括与显示区域DA中的第二有机绝缘层732相同的材料并可以与第二有机材料层732同时形成。
在示例性实施例中,多个第一导电层723可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开,多个第二导电层724可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。在示例性实施例中,每个第一导电层723和每个第二导电层724可以设置为在平面图中沿基底701的第一方向(y方向)彼此叠置。
在示例性实施例中,用于防止第一导电层723和第二导电层724的短路的短路防止图案可以设置在第一有机层761、第二有机层762和第三有机层763的至少一个边缘上。
参照图8,第一开口770可以是已经从其去除与图7的第一弯曲区域1BA对应的第一无机绝缘层716的区域。第一有机层761可以覆盖第一开口770。在第二方向(x方向)上,第一有机层761的第一宽度OMW1可以比第一开口770的宽度OW大。第一有机层761的填充第一开口770的第一边缘区域761b和第一无机绝缘层716的接触第一开口770的第一边缘区域716b可以至少部分彼此叠置。第一有机层761的第一边缘区域761b和第一无机绝缘层716的第一边缘区域716b彼此叠置的区域OLA可以设置在第一有机层761的第一宽度OMW1的端部和第一开口770的宽度OW的端部之间。
多个第一导电层723可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。每个第一导电层723可以与第一有机层761交叉。第一短路防止图案810可以设置在第一有机层761的与第一导电层723叠置的第一边缘761a处。详细地,第一短路防止图案810可以设置在第一有机层761的与相邻的第一导电层723之间的间隔d对应的第一边缘761a处。第一短路防止图案810可以沿第一有机层761的在图7的基底701的第一方向(y方向)上延伸的第一边缘761a被图案化。
第一短路防止图案810可以具有凹陷部分,所述凹陷部分可以通过从第一有机层761的第一边缘761a去除第一有机层761的至少一部分来形成。在图8中,第一短路防止图案810可以包括具有四角形形状的凹陷部分。
第一短路防止图案810可以设置在区域OLA中,在所述区域OLA上第一有机层761和第一无机绝缘层716彼此叠置。详细地,第一短路防止图案810可以设置在区域OLA中,在所述区域OLA上第一有机层761的第一边缘区域761b和第一无机绝缘层716的第一边缘区域716b彼此叠置。
设置在第一导电层723上的第二有机层762可以覆盖第一开口770。第二有机层762的第二宽度OMW2可以比第一有机层761的第一宽度OMW1大。换言之,第二有机层762的第二边缘762a可以延伸至第一有机层761的第一边缘761a的外部。第二有机层762的延伸部分EXT可以设置在第一有机层761的第一边缘761a和第二有机层762的第二边缘762a之间。
多个第二导电层724可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。每个第二导电层724可以与第二有机层762交叉。在示例性实施例中,尽管第二导电层724设置在与第一导电层723不同的层中,但是第二导电层724和第一导电层723可以在平面图中沿基底701的第一方向(y方向)彼此叠置。
第二短路防止图案820可以设置在第二有机层762的与第二导电层724叠置的第二边缘762a处。详细地,第二短路防止图案820可以设置在第二有机层762的与相邻的第二导电层724之间的间隔d对应的第二边缘762a处。第二短路防止图案820可以沿第二有机层762的在基底701的第一方向(y方向)上延伸的第二边缘762a被图案化。
第二短路防止图案820可以具有凹陷部分,所述凹陷部分可以通过从第二有机层762的第二边缘762a去除第二有机层762的至少一部分来形成。第二短路防止图案820可以设置在第二有机层762的延伸部分EXT中。第一短路防止图案810和第二短路防止图案820可以设置为在第二方向(x方向)上彼此分隔开。
第一短路防止图案810和第二短路防止图案820中的每个可以具有各种图案。例如,第一短路防止图案810和第二短路防止图案820中的每个可以包括多边形图案、圆形图案、椭圆形图案、之字形图案、波浪形图案、格子形图案和锯齿形图案中的至少一种。
图9是根据示例性实施例的图7的区域的放大的平面图。
参照图9,第一开口770可以是已经从其去除与图7的第一弯曲区域1BA对应的第一无机绝缘层716的区域。第一有机层761可以覆盖第一开口770。在第二方向(x方向)上,第一有机层761的第一宽度OMW1可以比第一开口770的宽度OW大。叠置区域OLA可以设置在第一有机层761的填充第一开口770的第一边缘761a和第一无机绝缘层716的接触第一开口770的第一边缘716a之间。
多个第一导电层723可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。第一短路防止图案910可以设置在第一有机层761的与第一导电层723叠置的第一边缘761a处。详细地,第一短路防止图案910可以设置在与相邻的第一导电层723之间的间隔d对应的空间中。第一短路防止图案910可以沿第一有机层761的在图7的基底701的第一方向(y方向)上延伸的第一边缘761a被图案化。
第一短路防止图案910可以具有突出部,其中,第一有机层761的至少一部分从第一有机层761的第一边缘761a突出。第一短路防止图案910可以是具有四角形形状的突出部。第一短路防止图案910可以在与第一开口770相背的方向上从第一有机层761的第一边缘761a突出。
设置在第一导电层723上的第二有机层762可以覆盖第一开口770。第二有机层762的第二宽度OMW2可以比第一有机层761的第一宽度OMW1大。换言之,第二有机层762的第二边缘762a可以延伸至第一有机层761的第一边缘761a外部。第二有机层762的延伸部分EXT可以设置在第一有机层761的第一边缘761a和第二有机层762的第二边缘762a之间。
多个第二导电层724可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。每个第二导电层724可以与第二有机层762交叉。尽管第二导电层724设置在与第一导电层723不同的层中,但是第二导电层724和第一导电层723可以在平面图中沿基底701的第一方向(y方向)彼此叠置。
第二短路防止图案920可以设置在第二有机层762的与第二导电层724叠置的第二边缘762a处。详细地,第二短路防止图案920可以设置在第二有机层762的与相邻的第二导电层724之间的间隔d对应的第二边缘762a处。第二短路防止图案920可以沿第二有机层762的在基底701的第一方向(y方向)上延伸的第二边缘762a被图案化。
第二短路防止图案920可以具有突出部,其中,第二有机层762的至少一部分从第二有机层762的第二边缘762a突出。第一短路防止图案910和第二短路防止图案920可以设置为在基底701的第二方向(x方向)上彼此分隔开。
不同于图8和图9的示例性实施例,第一导电层723和第二导电层724可以不在平面图中沿基底701的第一方向(y方向)彼此叠置。
图12是根据示例性实施例的图7的区域的放大的平面图,其中,导电层723和724以及有机层761和762从第一弯曲区域1BA延伸至第二区域2A。图13A是沿图12的线I-I’截取的剖视图,图13B是沿图12的线II-II’截取的剖视图。
参照图12、图13A和图13B,第一开口770可以是已经从其去除与图7的第一弯曲区域1BA对应的第一无机绝缘层716的区域。第一有机层761可以覆盖第一开口770。在第二方向(x方向)上,第一有机层761的第一宽度OMW1可以比第一开口770的宽度OW大。第一有机层761的第一边缘区域761b和第一无机绝缘层716的第一边缘区域716b彼此叠置的区域OLA可以设置在第一有机层761的第一宽度OMW1的端部和第一开口770的宽度OW的端部之间。
多个第一导电层723可以设置为在第一方向(y方向)彼此分隔开,每个第一导电层723可以与第一有机层761交叉。第一短路防止图案1210可以设置在第一有机层761的与第一导电层723叠置的第一边缘716a处。详细地,第一短路防止图案1210可以设置在第一有机层761的与相邻的第一导电层723之间的第一间隔d1对应的第一边缘761a处。第一短路防止图案1210可以沿第一有机层761的在图7的基底701的第一方向(y方向)上延伸的第一边缘761a被图案化。第一短路防止图案1210可以具有凹陷部分,所述凹陷部分可以通过从第一有机层761的第一边缘761a去除第一有机层761的至少一部分来形成。
设置在第一导电层723上的第二有机层762可以覆盖第一开口770。第二有机层762的第二宽度OMW2可以比第一有机层761的第一宽度OMW1大。换言之,第二有机层762的第二边缘762a可以延伸到第一有机层761的第一边缘761a外部。第二有机层762的延伸部分EXT可以设置在第一有机层761的第一边缘761a和第二有机层762的第二边缘762a之间。
多个第二导电层724可以设置为在第一方向(y方向)上彼此分隔开。每个第二导电层724可以设置在两个相邻的第一导电层723之间。每个第二导电层724可以与第二有机层762交叉。第二短路防止图案1220可以设置在第二有机层762的与第二导电层724叠置的第二边缘762a处。详细地,第二短路防止图案1220可以设置在第二有机层762的与相邻的第二导电层724之间的第二间隔d2对应的第二边缘762a处。
第二短路防止图案1220可以具有凹陷部分,所述凹陷部分可以通过从第二有机层762的第二边缘762a去除第二有机层762的至少一部分来形成。第二短路防止图案1220可以设置在第二有机层762的延伸部分EXT中。
第一短路防止图案1210和第二短路防止图案1220可以在第一方向(y方向)上交替地布置并可以在第二方向(x方向)上彼此分隔开。第一短路防止图案1210和第二短路防止图案1220中的每个可以以各种形状形成。例如,第一短路防止图案1210和第二短路防止图案1220中的每个可以具有多边形图案、圆形图案、椭圆形图案、之字形图案、波浪形图案、格子形图案和锯齿形图案中的至少一种。
不同于图7、图8、图9和图12的示例性实施例,可以省略并可以用第二有机层762取代第一有机层761。
图14是根据示例性实施例的显示装置700的一部分的剖视图。
参照图14,显示装置700包括基底701。基底701包括在第一方向(y方向)上延伸的第一弯曲区域1BA。第一弯曲区域1BA可在第二方向(x方向)上设置在第一区域1A和第二区域2A之间。
第一无机绝缘层716可以具有与第一弯曲区域1BA对应的第一开口770。详细地,缓冲层711、栅极绝缘层713、层间绝缘层715可以分别具有与第一弯曲区域1BA对应的开口711a、713a和715a。第一开口770的面积可以由缓冲层711的开口711a的面积定义。
显示装置700包括第二有机层762,所述第二有机层762填充第一无机绝缘层716的第一开口770的至少一部分。在示例性实施例中,可以省略并可以用第二有机层762取代图7的第一有机层761。
第二有机层762可以覆盖第一开口770。在第二方向(x方向)上,第二有机层762的宽度OMW可以比第一开口770的宽度OW大。在示例性实施例中,第二有机层762可以包括与显示区域DA中的第一有机绝缘层731相同的材料,并与第一有机绝缘层731同时形成。
第二导电层724可以设置在第二有机层762上。第二导电层724可以从第一区域1A穿过第一弯曲区域1BA延伸至第二区域2A。在示例性实施例中,第二导电层724可以包括与设置在显示区域DA中的第二导电部件722相同的材料并可以与第二导电部件722同时形成。第二导电层724可以经由形成在层间绝缘层715中的接触孔接触第三导电部件717,并可以用作布线。
第三有机层763可以设置在第二导电层724上。第三有机层763可以覆盖第二导电层724。第三有机层763可以包括与显示区域DA中的第二有机绝缘层732相同的材料并可以与第二有机绝缘层732同时形成。
根据一个或更多个实施例的显示设备可以防止设置在基底上的相邻的导电层之间的短路。
尽管在这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式,但是通过此说明,其他实施例和修改将是明显的。因此,发明构思不限于这样的示例性实施例,而是限于所提出的权利要求以及各种明显的修改和等同布置的较宽的范围。
Claims (20)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括布置在第一区域和第二区域之间的弯曲区域,所述基底被构造为围绕在第一方向上延伸的弯曲轴弯曲;
第一无机绝缘层,设置在所述基底上并具有与所述弯曲区域叠置的第一开口;
第一有机层,设置在所述第一开口中;以及
多个第一导电层,设置在所述第一有机层上并从所述第一区域穿过所述弯曲区域延伸至所述第二区域,
其中,所述第一有机层的与所述多个第一导电层叠置的至少一个边缘包括至少一个第一短路防止图案。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中:
所述多个第一导电层在所述第一方向上彼此分隔开;以及
所述至少一个短路防止图案设置在相邻的第一导电层之间。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述至少一个短路防止图案沿所述第一有机层的在所述第一方向上延伸的第一边缘被图案化。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中,所述至少一个第一短路防止图案包括形成在所述第一有机层的所述第一边缘处的凹陷部分。
5.如权利要求4所述的显示装置,其中:
所述第一无机绝缘层的第一边缘区域接触所述第一开口并且与所述第一有机层的第一边缘区域至少部分地叠置;以及
所述至少一个短路防止图案设置在所述叠置的区域中。
6.如权利要求3所述的显示装置,其中,所述至少一个第一短路防止图案包括从所述第一有机层的所述第一边缘突出的突出部。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中:
所述第一无机绝缘层的第一边缘区域接触所述第一开口并与所述第一有机层的第一边缘区域叠置;以及
所述至少一个第一短路防止图案在与所述第一开口相背的方向上从所述第一有机层的所述第一边缘突出。
8.如权利要求3所述的显示装置,其中,所述至少一个第一短路防止图案具有多边形图案、圆形图案、椭圆形图案、之字形图案、波浪形图案、格子形图案和锯齿形图案中的至少一个。
9.如权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括:
第二有机层,设置在所述第一导电层上;以及
多个第二导电层,设置在所述第二有机层上并在所述第一方向上彼此分隔开,
其中,所述第二有机层的第二边缘包括至少一个第二短路防止图案。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案均包括分别形成在所述第一有机层的所述第一边缘和所述第二有机层的所述第二边缘处的凹陷部分。
11.如权利要求10所述的显示装置,其中:
所述第一无机绝缘层的第一边缘区域接触第一开口并与所述第一有机层的第一边缘区域至少部分地叠置;
所述第二有机层的所述第二边缘延伸至所述第一有机层的所述第一边缘外部;以及
所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开。
12.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案均包括分别从所述第一有机层的所述第一边缘和从所述第二有机层的所述第二边缘突出的突出部。
13.如权利要求12所述的显示装置,其中:
所述第一无机绝缘层的第一边缘区域接触所述第一开口并与所述第一有机层的第一边缘区域至少部分地叠置;
所述第二有机层的所述第二边缘延伸至所述第一有机层的所述第一边缘外部;以及
所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案在与所述第一开口相背的方向上突出并在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分隔开。
14.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述至少一个第一短路防止图案和所述至少一个第二短路防止图案中的每个包括多边形图案、圆形图案、椭圆形图案、之字形图案、波浪形图案、格子形图案和锯齿形图案中的至少一个。
15.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述多个第一导电层和所述多个第二导电层在平面图中彼此叠置。
16.如权利要求9所述的显示装置,其中,所述多个第一导电层和所述多个第二导电层在所述第一方向上交替地布置。
17.如权利要求9所述的显示装置,所述显示装置还包括:
薄膜晶体管,设置在所述第一区域和所述第二区域中的至少一个中,所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极和栅电极;以及
薄膜包封层,设置在所述第一区域中,
其中,所述多个第一导电层和所述多个第二导电层中的至少一个与所述源电极、所述漏电极和所述栅电极中的至少一个设置在同一层中。
18.如权利要求17所述的显示装置,其中,所述多个第一导电层和所述多个第二导电层中的至少一个包括连接至显示元件的布线。
19.如权利要求1所述的显示装置,其中,在与所述第一方向垂直的第二方向上,所述第一有机层的宽度比所述第一开口的宽度大。
20.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一有机层覆盖所述第一开口。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114335107A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12120927B2 (en) * | 2018-09-28 | 2024-10-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device including bending portion with frame flattening film and slits |
CN109346484A (zh) * | 2018-10-12 | 2019-02-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 折叠显示屏及其制作方法 |
KR102617275B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2023-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
US11563189B2 (en) * | 2020-03-06 | 2023-01-24 | Samsung Display Co., Ltd | Display device including bending protection and anti-reflection layers |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150194629A1 (en) * | 2013-07-22 | 2015-07-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (oled) display panel, pixel define layer (pdl) and preparation method thereof |
US20150255526A1 (en) * | 2012-11-16 | 2015-09-10 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
US20160049608A1 (en) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Universal Display Corporation | OLED Panel of Arbitrary Shape |
CN105609521A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 |
US20160218305A1 (en) * | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US20160247861A1 (en) * | 2015-02-24 | 2016-08-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7928654B2 (en) * | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
TWI419094B (zh) | 2010-09-10 | 2013-12-11 | Au Optronics Corp | 可撓性顯示面板 |
KR101971925B1 (ko) * | 2012-09-19 | 2019-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101965257B1 (ko) | 2012-10-08 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 표시 장치 |
KR102097150B1 (ko) | 2013-02-01 | 2020-04-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102040812B1 (ko) * | 2013-02-12 | 2019-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101796812B1 (ko) | 2013-02-15 | 2017-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
CN103219284B (zh) * | 2013-03-19 | 2015-04-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置 |
KR102047729B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2019-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR102066087B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2020-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102085961B1 (ko) * | 2013-12-24 | 2020-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102295477B1 (ko) * | 2014-02-17 | 2021-08-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
US9508778B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
KR102205700B1 (ko) * | 2014-07-16 | 2021-01-21 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
CN104934438A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2016
- 2016-09-28 KR KR1020160124812A patent/KR102806394B1/ko active Active
-
2017
- 2017-08-23 US US15/684,735 patent/US10134779B2/en active Active
- 2017-09-28 CN CN201710896458.3A patent/CN107871714B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150255526A1 (en) * | 2012-11-16 | 2015-09-10 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
US20150194629A1 (en) * | 2013-07-22 | 2015-07-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting diode (oled) display panel, pixel define layer (pdl) and preparation method thereof |
US20160049608A1 (en) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Universal Display Corporation | OLED Panel of Arbitrary Shape |
CN105609521A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 |
US20160218305A1 (en) * | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US20160247861A1 (en) * | 2015-02-24 | 2016-08-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114335107A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-12 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107871714B (zh) | 2023-04-18 |
US20180090518A1 (en) | 2018-03-29 |
KR20180035272A (ko) | 2018-04-06 |
US10134779B2 (en) | 2018-11-20 |
KR102806394B1 (ko) | 2025-05-13 |
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